JP2009206131A - 半導体装置の製造方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板を下部電極上に置かずにプラズマを生成することによって、プラズマ処理室内の生成物の除去を行うことによる不具合を除去し、基板をプラズマ処理する処理工程の後に前記基板を前記予備室内の基板保持部に保持し、所定時間放置する保持工程を設けることにより、基板の帯電除去および基板に静電的に付着しているパーティクルの他の基板への裏面転写を抑制する。
【解決手段】基板をプラズマ処理室に搬入する搬入工程St1と、前記基板をプラズマ処理する処理工程St2と、前記基板を前記プラズマ処理室から予備室に搬送する搬送工程St3と、前記基板を前記予備室内の基板保持部に保持し、これを所定時間放置する保持工程St4と、前記基板を前記予備室から搬出する搬出工程St5を備える。
【選択図】図4
【解決手段】基板をプラズマ処理室に搬入する搬入工程St1と、前記基板をプラズマ処理する処理工程St2と、前記基板を前記プラズマ処理室から予備室に搬送する搬送工程St3と、前記基板を前記予備室内の基板保持部に保持し、これを所定時間放置する保持工程St4と、前記基板を前記予備室から搬出する搬出工程St5を備える。
【選択図】図4
Description
本発明は半導体装置の製造方法および装置に係わり、特にプラズマ放電を利用した製造方法および装置に関するものである。
本発明に関連する半導体装置の製造装置としては、プラズマを用いて半導体ウェハ上に形成された被エッチング膜をエッチングするドライエッチング装置、プラズマを用いて半導体ウェハ上に形成されたフォトレジストを除去するアッシング装置、または、プラズマを用いて半導体ウェハ上に薄膜を形成するCVD装置などが挙げられる。
プラズマを用いた所定の半導体装置の製造方法に基づく半導体の製造過程における微細加工のためのドライエッチング、アッシング、CVD等は様々な工程で用いられており、以下従来のドライエッチング装置およびこれに基づく製造工程について図面を参照しながら説明する。
図10に示すものは従来のドライエッチング装置要部を示すものであり、図中、20は基板、21はパーティクル、22は下部電極、23は上部電極、24はプラズマ処理室、25は導入ガス制御装置(図示省略)を経由してガスを導入するガス導入管、26は排気ポンプに接続されている排気管である。
次にこの装置を用いて行われる従来のドライエッチング工程について説明する。
図10(a)は、基板をドライエッチング処理した後のドライエッチング装置の状態、図10(b)は、プラズマを利用して、ドライエッチング装置内の生成物を除去した後の状態を表している。
まず、図10(a)に示すように、プラズマ処理室24の内部にある下部電極12上に被エッチング試料である基板20を保持する。
次に、導入ガス制御装置によってガス導入管25からプラズマ処理室24へ反応ガスを供給し、下部電極22および上部電極23に高周波電力を印加することによってプラズマを発生させ、基板20のドライエッチングを行う。
基板20にドライエッチングを行った後、基板20をプラズマ処理室24から搬出する。
このとき、図10(a)に示すように、プラズマ処理室24の内面にはドライエッチングで生じたパーティクル21が付着しているので、このパーティクル21を除去するため、基板20の搬出後、図10(b)に示すように、ガス導入管25からSF6等のガスを導入し、上部電極23に高周波電力を印加することによりプラズマを発生させる。これにより、Fラジカル等の反応性の高い反応種が発生し、プラズマ処理室24の内面に付着したパーティクル21と反応した反応ガスが生成されるので、これを排気ポンプ(図示省略)により排気管26からプラズマ処理室24の外へ排出することにより、同図10(b)に示すように、プラズマ処理室24の内面を洗浄し、そのパーティクル21を低減できる。
特開平4−249318号公報
このように、前記従来技術では、基板20を下部電極22上に置かない状態でプラズマを生成することにより、プラズマ処理室24の内面のパーティクル21を除去している。
しかしながら、このようなプラズマクリーニングを行うと、露出された下部電極22の上面がエッチングされて表面が荒れ、下部電極22の表面にパーティクル21が付着しやすくなる。
図11はプラズマ処理室24内の下部電極22の概略断面図であり、下部電極22から基板20を離すときに基板20を突き上げるプッシャーピン27を備えている。この際、図11(a)に示すように、下部電極22の表面が荒れているためにパーティクル21が付着している。この状態でプッシャーピン27によって基板20を下部電極22から離すと、図11(b)に示すように、基板20の裏面にパーティクル21が付着する。
この状態で次の製造工程を行うと、基板20の裏面に付着したパーティクル21が不純物として混入し、半導体装置の歩留まり、信頼性を低下させることになる。
また、このような基板20を図12に示すFOUP28に収納すると、以前に処理され収納されている基板20aの表面にパーティクル21を落下させ、やはり半導体装置の歩留まり、信頼性を低下させることになる。
本発明は、前記課題を解決し、基板の帯電除去および基板の帯電による下部に位置する基板へのパーティクルの転写の抑制を効率的に進めることができ、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法および装置を提供することを目的とする。
前記目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は基板をプラズマ処理室に搬入する工程と、前記基板をプラズマ処理する工程と、前記基板を前記プラズマ処理室から予備室に搬送する工程と、前記基板を前記予備室内の基板保持部に保持し、これを所定時間放置する保持工程と、前記基板を前記予備室から搬出する搬出工程とからなることを特徴とし、また、本発明の半導体装置の製造装置は、プラズマ処理室と、前記プラズマ処理室と真空部を介して接続された予備室とを備え、前記予備室は基板を保持する基板保持部を備えていることを特徴とするものである。
本発明に係わる半導体装置の製造方法によれば、基板をプラズマ処理する処理工程の後に前記基板を前記予備室内の基板保持部に保持し、所定時間放置する保持工程を設けることで、基板の帯電除去および基板に静電的に付着しているパーティクルの他の基板への裏面転写を抑制することができ、また装置としてはプラズマ処理室と真空部を介して接続された予備室と、前記予備室に基板を保持する基板保持部を更に設けたことによりこれを実現可能としている。
以下本は発明の各実施の形態について図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
本発明の半導体装置の製造方法を実施しうる半導体装置の製造装置について図1乃至図5を参照して説明する。
本発明の半導体装置の製造方法を実施しうる半導体装置の製造装置について図1乃至図5を参照して説明する。
本実施の形態における半導体装置の製造装置は、基板に対して、プラズマを用いてエッチング、アッシング、成膜等の加工を行うものであり、その全体構成は、 図1に示すように予備室1、複数のプラズマ処理室2、予備室1およびプラズマ処理室2をつなぐ真空搬送室3、この真空搬送室3につながる大気搬送室4、この大気搬送室4につながる複数のFOUP設置場所5より成る。前記プラズマ処理室2には図2に示すように、上部高周波電源6、上部電極7、下部電極8、下部電源9、プラズマ処理室2に接続されたガス導入管10と導入ガス制御装置11、同じくプラズマ処理室2に接続された排気管12と排気ポンプ13が備えられている。また、前記予備室1には図3に示すように、予備室1内を区切る仕切り板14と、仕切り板14に設置された基板15を保持する基板保持部16が備えられている。
次にこの製造装置の動作により実施される半導体装置の製造方法について図4の工程フロー図も参照しながら説明する。
図1に示す半導体装置の製造装置において、FOUP設置場所5に設置されたFOUPから基板15を搬出し、大気搬送室4、真空搬送室3を経た後、これをプラズマ処理室2に搬入する搬入工程(図4のSt1)に始まり、このとき搬入された基板15は、 図2のプラズマ処理室2の下部電極8上に設置される(図示省略)。次に下部電極8に直流電圧を印加しながら、Heガスをプラズマ処理室2に導入する。一方、Heガスを基板15と下部電極8の間に充満させ、基板15を下部電極8に静電的に吸着させる。
その後、プラズマ処理室2内に導入ガス制御装置11によりガス導入管10から反応ガスを導入し、反応ガスの圧力を一定の圧力に調圧する。そして、上部電極7に上部高周波電源6により電力を印加してプラズマを生成し、更に、下部電極8に下部電源9より高周波電圧を印加し、基板15に対してプラズマ処理を行う。これが処理工程(図4のSt2)である。
プラズマ処理の終了後に、基板15を下部電極8から離すために、下部電極8に基板15に対して印加していた直流電圧と逆極性の電圧を印加し、基板15の帯電を取り除く。このとき、基板15は完全に除電されていることが好ましいが、プラズマ処理中と同じ極性または反対の極性に少し帯電していても構わない。
なお、図面上省略してあるが図11に示したプッシャーピン27がこの装置にも設けられており、次に、このプッシャーピン27により基板15を下から突き上げることでこれを下部電極8から離し、プラズマ処理室2から搬出後、真空搬送室3を経て、予備室1へ搬送する搬送工程(図4のSt3)が続き、そして、図5(a)に示すように、予備室1の仕切り板14上の基板保持部16に基板15を保持し所定時間放置する保持工程(図4のSt4)に入る。この工程は本発明の半導体装置の製造方法における特徴的な工程であり、これにより図5(b)に示すように裏面のパーティクル17を基板15から落とすことが可能となった。
最後に予備室1から基板15を搬出する搬出工程(図4のSt5)に入り、真空搬送室3および大気搬送室4を経て、基板15をFOUP設置場所5上のFOUP内へ回収する。
このように、予備室1において、基板15の裏面に付着したパーティクル17を除去することにより、次の製造工程によるパーティクル17が不純物として混入することを防止するとともに、FOUP内下方位置にすでに収納されている処理済の基板15の表面にパーティクル17が付着することも防止することができ、これにより、基板の歩留まり、信頼性を向上させることができる。
(実施の形態2)
本実施の形態は前記実施の形態1における予備室1における仕切り板14および基板保持部16を導電性材料のものに置き換えたものであり、以下図6を参照して説明する。なお、前記実施の形態1と共通する部分については同一図面、符号を引用し、その詳細な説明を省略する。
本実施の形態は前記実施の形態1における予備室1における仕切り板14および基板保持部16を導電性材料のものに置き換えたものであり、以下図6を参照して説明する。なお、前記実施の形態1と共通する部分については同一図面、符号を引用し、その詳細な説明を省略する。
本実施の形態における半導体装置の製造装置は、図3に示した予備室1における仕切り板14および基板保持部16を図6に示すように導電性材料の仕切り板14aおよび導電性材料の基板保持部16aにしたものである。
また、本実施の形態における半導体装置の製造方法は、図4に示す工程のフロー通り、プラズマ処理され、予備室1に搬送された基板15を導電性材料の仕切り板16a上に設置された導電性材料の基板保持部14aに設置することにより、予備室1において、基板15の電荷が導電性材料の仕切り板16aおよび導電性材料の基板保持部14aに直ちに移動し、基板15をすばやく除電することができる。
これにより、予備室1内における基板15からのパーティクル17の落下をより確実にできるとともに、予備室1内での基板15の放置時間も短縮することができ、基板15の歩留まり、信頼性をさらに向上させることができる。
図7に示すものは前記実施の形態2の第1の変形例であり、同実施の形態における導電性材料の仕切り板14aを接地したものである。
従って、予備室1において、基板15の電荷を完全に移動させることができ、基板15をさらにすばやく、確実に除電することができる。
これにより、予備室1内における基板15からのパーティクル17の落下をより確実にできるとともに、予備室1内での基板15の放置時間も短縮することができ、基板の歩留まり、信頼性をさらに向上させることができる。
図8に示すものは前記実施の形態2の第2の変形例であり、前記変形例が導電性材料の仕切り板14aを接地したものであるのに対し、これを電源18に接続したものである。
なお、基板15には直流電圧をかけてもよく、また、低周波の交流電圧をかけても構わない。これにより、予備室1において、基板15の電荷は完全に移動し、基板15をさらにすばやく、確実に除電することができ、前例同様の効果がある。
図9に示すものは前記実施の形態2の第3の変形例であり、前記第1の変形例における予備室1における導電性材料の仕切り板14および基板保持部16を複数個重ねた状態にしたものである。
また、この装置による半導体装置の製造方法は、図4に示す工程のフロー通り、プラズマ処理され、予備室1に搬送された基板15を複数の導電性材料の仕切り板14のうちの一つに設置された導電性材料の基板保持部16に順次設置する点に特徴がある。
本例では、予備室1において、複数の基板15の電荷を除去することができ、予備室1への待ち時間がなく、また、放置時間も長くすることができ、基板15をさらにすばやく、確実に除電することができる。
また、この変形例において、導電性材料の仕切り板14を接地したり、電源18に接続したりすることにより、それぞれの効果を同時に発揮することができる。
これにより、予備室1内における基板15からのパーティクル17の落下をより確実にできるとともに、予備室1内での基板15の放置時間も短縮することができ、基板の歩留まり、信頼性をさらに向上させることができる。
なお、前記各実施の形態において、基板保持部の平面形状はリング状にして基板を支えてもよく、また、複数の点で基板を支えても良い。基板との設置面積が大きいほど除電が早く確実にできる。
また、仕切り板14はパーティクル17が予備室1の底にまで落とせるように、開口部を設けても良い(第3の変形例を除く)。これにより、予備室のメンテナンスを伸ばすことができる。
本発明は、プラズマ放電を利用したドライエッチング装置、アッシング装置、CVD装置などの半導体装置の製造装置において、プラズマ処理直後の基板裏面のパーティクルおよび帯電を有効に除去する技術として有効である。
1 予備室
2 プラズマ処理室
3 真空搬送室
4 大気搬送室
5 FOUP設置場所
6 上部高周波電源
7 上部電極
8 下部電極
9 下部電源
10 ガス導入管
11 導入ガス制御装置
12 排気管
13 排気ポンプ
14 仕切り板
15 基板
16 基板保持部
17 パーティクル
18 電源
2 プラズマ処理室
3 真空搬送室
4 大気搬送室
5 FOUP設置場所
6 上部高周波電源
7 上部電極
8 下部電極
9 下部電源
10 ガス導入管
11 導入ガス制御装置
12 排気管
13 排気ポンプ
14 仕切り板
15 基板
16 基板保持部
17 パーティクル
18 電源
Claims (10)
- 基板をプラズマ処理室に搬入する搬入工程と、
前記基板をプラズマ処理する処理工程と、
前記基板を前記プラズマ処理室から予備室に搬送する搬送工程と、
前記基板を前記予備室内の基板保持部に保持し、これを所定時間放置する保持工程と、
前記基板を前記予備室から搬出する搬出工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記基板の保持工程において、
前記基板の保持は導電性材料の基板保持部により行われることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記基板の保持工程において、
前記基板を保持する基板保持部は接地されていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記基板の保持工程において、
前記基板を保持する基板保持部には電荷がかけられていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記基板の保持工程において、
前記基板の保持は複数の基板保持部により行われることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - プラズマ処理室と
前記プラズマ処理室と真空部を介して接続された予備室とを備え、
前記予備室は基板を保持する基板保持部を備えていることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記基板保持部は導電性材料であることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造装置。
- 前記基板保持部は接地されていることを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造装置。
- 前記基板保持部は電源と接続されていることを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造装置。
- 前記予備室に前記基板保持部が複数個形成されていることを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008044097A JP2009206131A (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 半導体装置の製造方法および装置 |
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JP (1) | JP2009206131A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021218760A1 (zh) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | 苏州迈正科技有限公司 | 传送载板、真空镀膜设备及真空镀膜方法 |
JP7450512B2 (ja) | 2020-10-07 | 2024-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
-
2008
- 2008-02-26 JP JP2008044097A patent/JP2009206131A/ja active Pending
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