JP2003124186A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
- Publication number
- JP2003124186A JP2003124186A JP2001312139A JP2001312139A JP2003124186A JP 2003124186 A JP2003124186 A JP 2003124186A JP 2001312139 A JP2001312139 A JP 2001312139A JP 2001312139 A JP2001312139 A JP 2001312139A JP 2003124186 A JP2003124186 A JP 2003124186A
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- Japan
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- gas
- vacuum container
- plasma processing
- processing method
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板表面に帯電する剥離電荷による静電破壊
や静電吸着による搬送不可などを防止することが可能な
プラズマ処理方法を提供する。 【解決手段】 アッシング処理終了後、真空容器内に不
活性ガスを導入することで解決できる。
や静電吸着による搬送不可などを防止することが可能な
プラズマ処理方法を提供する。 【解決手段】 アッシング処理終了後、真空容器内に不
活性ガスを導入することで解決できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶用トランジス
タ素子形成などに利用されるプラズマ処理方法に関し、
特に当該デバイスの静電破壊を防止する方法に特徴があ
る。
タ素子形成などに利用されるプラズマ処理方法に関し、
特に当該デバイスの静電破壊を防止する方法に特徴があ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体などの電子デバイスは、急
速に細密化が進んでおり、高精度の加工処理が求められ
ている。このような微細加工技術では、プラズマ処理方
法を利用した加工処理が一般的となっており、例えば、
ドライエッチング法（以下「Ｄ／Ｅ法」と称す）、スパ
ッタリング法、プラズマＣＶＤ法などが用いられる。
速に細密化が進んでおり、高精度の加工処理が求められ
ている。このような微細加工技術では、プラズマ処理方
法を利用した加工処理が一般的となっており、例えば、
ドライエッチング法（以下「Ｄ／Ｅ法」と称す）、スパ
ッタリング法、プラズマＣＶＤ法などが用いられる。
【０００３】以下、前述したプラズマ処理方法のうち、
特にＤ／Ｅ法を一例として取り上げ、ドライエッチング
処理終了後におけるアッシング処理を説明する。
特にＤ／Ｅ法を一例として取り上げ、ドライエッチング
処理終了後におけるアッシング処理を説明する。
【０００４】以下、図２を参照しながら、従来技術にお
けるアッシング処理を説明する。
けるアッシング処理を説明する。
【０００５】まず、真空容器７内にガス供給装置１１か
らＯ2又はＨ2Ｏの単一ガスや、それらのガスにＣＦ4ガ
スやＮ2ガスを混合させたアッシングガスを導入し、同
時にガス排気装置９で真空容器内７の排気を行う。
らＯ2又はＨ2Ｏの単一ガスや、それらのガスにＣＦ4ガ
スやＮ2ガスを混合させたアッシングガスを導入し、同
時にガス排気装置９で真空容器内７の排気を行う。
【０００６】更に、真空容器７内を所定の圧力に制御し
ながら、高周波電源１３から基板保持台１２に高周波電
力を供給することで、真空容器７内にプラズマが発生
し、このプラズマの作用によって、基板２にアッシング
処理を施す。
ながら、高周波電源１３から基板保持台１２に高周波電
力を供給することで、真空容器７内にプラズマが発生
し、このプラズマの作用によって、基板２にアッシング
処理を施す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板２
はプラズマの発生によって帯電しやすい状態にあり、ア
ッシング処理終了後、突き上げ機構（図示せず）などに
よって基板２を基板保持台１２から離脱させることが困
難となり、無理に離脱させようとすると基板２を破損さ
せてしまう可能性が高くなる。
はプラズマの発生によって帯電しやすい状態にあり、ア
ッシング処理終了後、突き上げ機構（図示せず）などに
よって基板２を基板保持台１２から離脱させることが困
難となり、無理に離脱させようとすると基板２を破損さ
せてしまう可能性が高くなる。
【０００８】また、基板２と基板保持台１２との間に
は、図３に示すようなスパーク放電１４が発生すること
で、放電が起きた個所は破損し、その後の諸工程を経て
この基板２から液晶用デバイスなどを生成した場合、破
損した個所を含む液晶用デバイスが組込まれた液晶装置
は、不良品とされてしまうという問題を有することにも
なり兼ねない。
は、図３に示すようなスパーク放電１４が発生すること
で、放電が起きた個所は破損し、その後の諸工程を経て
この基板２から液晶用デバイスなどを生成した場合、破
損した個所を含む液晶用デバイスが組込まれた液晶装置
は、不良品とされてしまうという問題を有することにも
なり兼ねない。
【０００９】なお、発明者らの実験結果によると、Ｏ2
ガスに少量のＣＦ4を混合させたガスを用いてアッシン
グ処理を終了した後、３００×４００ｍｍの基板２の表
面電位を測定したところ、基板２を基板保持台１２に載
置させた状態で−２０〜＋２０Ｖ程度であり、基板２を
基板保持台１２から離脱させた状態で＋５００Ｖ以上と
なっており、アッシング終了後の基板２表面における帯
電量（電位）は非常に大きいことが分かっている。
ガスに少量のＣＦ4を混合させたガスを用いてアッシン
グ処理を終了した後、３００×４００ｍｍの基板２の表
面電位を測定したところ、基板２を基板保持台１２に載
置させた状態で−２０〜＋２０Ｖ程度であり、基板２を
基板保持台１２から離脱させた状態で＋５００Ｖ以上と
なっており、アッシング終了後の基板２表面における帯
電量（電位）は非常に大きいことが分かっている。
【００１０】本発明は上記従来の問題に鑑み、アッシン
グ処理工程終了後、基板表面の帯電量を低減させ、生産
性を損なわず歩留まりを高めることが可能なプラズマ処
理方法を提供することを目的とする。
グ処理工程終了後、基板表面の帯電量を低減させ、生産
性を損なわず歩留まりを高めることが可能なプラズマ処
理方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１に記載されたプラズマ処理方法は、真空
容器内にＯ2ガス、Ｈ2Ｏガスの少なくとも一方のガスを
含有するガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の
圧力に制御しながら、基板を載置する基板保持台に高周
波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを
発生させ、基板をアッシング処理するプラズマ処理方法
であって、アッシング処理が終了した後、不活性ガスを
導入することで、前記基板の帯電除去を行うことを特徴
とする。
めに、請求項１に記載されたプラズマ処理方法は、真空
容器内にＯ2ガス、Ｈ2Ｏガスの少なくとも一方のガスを
含有するガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の
圧力に制御しながら、基板を載置する基板保持台に高周
波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを
発生させ、基板をアッシング処理するプラズマ処理方法
であって、アッシング処理が終了した後、不活性ガスを
導入することで、前記基板の帯電除去を行うことを特徴
とする。
【００１２】また、請求項２に記載されたプラズマ処理
方法は、請求項１におけるプラズマ処理方法において、
真空容器内に導入する不活性ガスがヘリウムガスである
ことを特徴とする。
方法は、請求項１におけるプラズマ処理方法において、
真空容器内に導入する不活性ガスがヘリウムガスである
ことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図１及び２を参照しなが
ら、本実施形態に係るプラズマ処理方法を説明する。
ら、本実施形態に係るプラズマ処理方法を説明する。
【００１４】図１は、本発明のプラズマ処理方法を実施
するプラズマ処理装置の全体構成を模式的に示したもの
であり、１は基板カセット、２は基板、３は基板上下
台、４はカセット昇降装置、５は基板移載ハンド、６は
ロードロック室、７は真空容器である。また、８と９は
ガス排気装置、１０と１１はガス供給装置であり、それ
ぞれロードロック室６と真空容器７に繋がっている。
するプラズマ処理装置の全体構成を模式的に示したもの
であり、１は基板カセット、２は基板、３は基板上下
台、４はカセット昇降装置、５は基板移載ハンド、６は
ロードロック室、７は真空容器である。また、８と９は
ガス排気装置、１０と１１はガス供給装置であり、それ
ぞれロードロック室６と真空容器７に繋がっている。
【００１５】以下、基板２がアッシング処理され、一連
の処理工程が完了するまでの具体的な作業手順を説明す
る。
の処理工程が完了するまでの具体的な作業手順を説明す
る。
【００１６】まず、基板カセット１より取り出された基
板２は、基板上下台３を経てロードロック室６に移さ
れ、基板移載ハンド５上に乗り移る。その後、ロードロ
ック室６内の真空引きを行う。真空引きが行われた後、
基板２は基板移載ハンド５によって真空容器７に移さ
れ、ここでエッチング処理が行われる。
板２は、基板上下台３を経てロードロック室６に移さ
れ、基板移載ハンド５上に乗り移る。その後、ロードロ
ック室６内の真空引きを行う。真空引きが行われた後、
基板２は基板移載ハンド５によって真空容器７に移さ
れ、ここでエッチング処理が行われる。
【００１７】エッチング処理が行われた後、基板２は基
板移載ハンド５によって、再度、ロードロック室６に移
される。一方、真空容器７では、ガス排気装置９を動作
することで、エッチング処理時に使用したガスを完全に
排気する。更に、ガス供給装置１１を切り替え、アッシ
ングガスを導入できるようにする。真空容器７でアッシ
ング処理の準備ができると、ロードロック室６に一時待
機させていた基板２は、基板移載ハンド５を介して真空
容器７に移され、アッシング処理が行われる。
板移載ハンド５によって、再度、ロードロック室６に移
される。一方、真空容器７では、ガス排気装置９を動作
することで、エッチング処理時に使用したガスを完全に
排気する。更に、ガス供給装置１１を切り替え、アッシ
ングガスを導入できるようにする。真空容器７でアッシ
ング処理の準備ができると、ロードロック室６に一時待
機させていた基板２は、基板移載ハンド５を介して真空
容器７に移され、アッシング処理が行われる。
【００１８】なお、本実施形態では、ドライエッチング
処理を行う真空容器と、アッシング処理を行う真空容器
とを、同一容器とする例で説明しているが、アッシング
処理を行う真空容器を別構成としてもよい。
処理を行う真空容器と、アッシング処理を行う真空容器
とを、同一容器とする例で説明しているが、アッシング
処理を行う真空容器を別構成としてもよい。
【００１９】以降、アッシング処理を具体的に説明す
る。
る。
【００２０】まず、真空容器７内にガス供給装置１１か
らアッシングガスとしてＯ2ガスとＣＦ4ガスの混合ガス
を導入し、同時にガス排気装置９で真空容器７の排気を
行う。更に、真空容器７内を所定の圧力に制御しなが
ら、高周波電源１３から基板保持台１２に高周波電力を
供給することで、真空容器７内にプラズマが発生し、こ
のプラズマの作用によって、基板保持台１２上に載置さ
れた基板２をアッシング処理する。
らアッシングガスとしてＯ2ガスとＣＦ4ガスの混合ガス
を導入し、同時にガス排気装置９で真空容器７の排気を
行う。更に、真空容器７内を所定の圧力に制御しなが
ら、高周波電源１３から基板保持台１２に高周波電力を
供給することで、真空容器７内にプラズマが発生し、こ
のプラズマの作用によって、基板保持台１２上に載置さ
れた基板２をアッシング処理する。
【００２１】アッシング終了後は、ガス排気装置９を動
作させることで、アッシングガスを真空引きした後、ガ
ス供給装置１１を切り替えることで、Ｈｅガスを真空容
器７に導入する。このとき、高周波電源１３から基板保
持台１２に印加する高周波電力は、Ｏ2ガスとＣＦ4ガス
の混合ガスでアッシング処理した際の高周波電力よりも
低いパワーで供給することで、真空容器７内にプラズマ
が発生させ、基板２表面の帯電除去を行った後、突き上
げ機構（図示せず）を作動させることで、基板２を基板
保持台１２から離脱させる。
作させることで、アッシングガスを真空引きした後、ガ
ス供給装置１１を切り替えることで、Ｈｅガスを真空容
器７に導入する。このとき、高周波電源１３から基板保
持台１２に印加する高周波電力は、Ｏ2ガスとＣＦ4ガス
の混合ガスでアッシング処理した際の高周波電力よりも
低いパワーで供給することで、真空容器７内にプラズマ
が発生させ、基板２表面の帯電除去を行った後、突き上
げ機構（図示せず）を作動させることで、基板２を基板
保持台１２から離脱させる。
【００２２】そして、再び基板２は基板移載ハンド５に
よってロードロック室６に搬送され、ロードロック室６
を大気圧まで排気することで一連のプラズマ処理工程が
完了する。
よってロードロック室６に搬送され、ロードロック室６
を大気圧まで排気することで一連のプラズマ処理工程が
完了する。
【００２３】上記処理工程の中で、１）アッシング処理
終了後、基板２が基板保持台１２に載置されている状態
と、２）基板２を基板保持台１２から離脱した状態にお
ける基板２表面の帯電量を電位に換算して測定したとこ
ろ、１）アッシング処理終了後における電位は−１０Ｖ
程度で、２）基板４を基板保持台１２から離脱した場合
では−２０Ｖ程度であり、表１のように本実施形態にお
ける方法は、従来技術に比べ効果が高いことが分かる。
終了後、基板２が基板保持台１２に載置されている状態
と、２）基板２を基板保持台１２から離脱した状態にお
ける基板２表面の帯電量を電位に換算して測定したとこ
ろ、１）アッシング処理終了後における電位は−１０Ｖ
程度で、２）基板４を基板保持台１２から離脱した場合
では−２０Ｖ程度であり、表１のように本実施形態にお
ける方法は、従来技術に比べ効果が高いことが分かる。
【００２４】
【表１】
【００２５】この結果は、基板２に帯電する電位は所望
の設定値（半導体や液晶などの部品の歩留まりを高める
ことが可能な限界値）である±１００Ｖの範囲内である
ことから、有効な結果であると言える。
の設定値（半導体や液晶などの部品の歩留まりを高める
ことが可能な限界値）である±１００Ｖの範囲内である
ことから、有効な結果であると言える。
【００２６】なお、本実施形態では、特に、図２のよう
な真空容器７内に一対の電極が配置されるプラズマ処理
装置を一例として説明したが、図４のように真空容器７
の外側にコイル１５を有し、このコイル１５に高周波電
力１６を印加することで電磁界を発生させ、導入窓１７
を介して前記電磁界を真空容器７内に導入させること
で、プラズマを発生させる誘導結合型プラズマ処理装置
であってもよい。
な真空容器７内に一対の電極が配置されるプラズマ処理
装置を一例として説明したが、図４のように真空容器７
の外側にコイル１５を有し、このコイル１５に高周波電
力１６を印加することで電磁界を発生させ、導入窓１７
を介して前記電磁界を真空容器７内に導入させること
で、プラズマを発生させる誘導結合型プラズマ処理装置
であってもよい。
【００２７】以上のように、アッシング終了後、Ｈｅガ
スを反応室内に導入することで、前記基板に帯電する帯
電量を低減させることが可能となる。
スを反応室内に導入することで、前記基板に帯電する帯
電量を低減させることが可能となる。
【００２８】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理方法によれば、ア
ッシング処理終了後、反応室内に不活性ガスを導入する
ことで、基板に帯電する帯電量を低減させることがで
き、基板の生産性を損なわず歩留まりを高めることが可
能となる。
ッシング処理終了後、反応室内に不活性ガスを導入する
ことで、基板に帯電する帯電量を低減させることがで
き、基板の生産性を損なわず歩留まりを高めることが可
能となる。
【図１】本発明の実施形態を説明するプラズマ処理装置
の全体構成図
の全体構成図
【図２】一般的なプラズマ処理装置の基本構成図
【図３】スパーク放電の様子を示す図
【図４】本発明の実施形態に係る誘導結合型プラズマ処
理装置の概略図
理装置の概略図
２ 基板
６ ロードロック室
７ 真空容器
９ ガス排気装置
１１ ガス導入装置
Claims (2)
- 【請求項１】 真空容器内にＯ2ガス、Ｈ2Ｏガスの少な
くとも一方のガスを含有するガスを供給しつつ排気し、
真空容器内を所定の圧力に制御しながら、基板を載置す
る基板保持台に高周波電力を印加することにより、真空
容器内にプラズマを発生させ、基板をアッシング処理す
るプラズマ処理方法であって、 アッシング処理が終了した後、不活性ガスを導入するこ
とで、前記基板の帯電除去を行うことを特徴とするプラ
ズマ処理方法。 - 【請求項２】 真空容器内に導入する不活性ガスがヘリ
ウムガスであることを特徴とする請求項１記載のプラズ
マ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001312139A JP2003124186A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001312139A JP2003124186A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | プラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124186A true JP2003124186A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19130845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001312139A Pending JP2003124186A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003124186A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004140153A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
2001
- 2001-10-10 JP JP2001312139A patent/JP2003124186A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004140153A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041012 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050701 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050810 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050816 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060328 |