JP2009203217A - ケイ素化合物の製造方法 - Google Patents
ケイ素化合物の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009203217A JP2009203217A JP2008177903A JP2008177903A JP2009203217A JP 2009203217 A JP2009203217 A JP 2009203217A JP 2008177903 A JP2008177903 A JP 2008177903A JP 2008177903 A JP2008177903 A JP 2008177903A JP 2009203217 A JP2009203217 A JP 2009203217A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- general formula
- silicon compound
- carbon atoms
- integer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
【課題】簡便な工程で高い収率の生成物を得ることができるケイ素化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】ケイ素化合物の製造方法は、下記一般式（４）で表されるケイ素化合物を製造する方法であって、下記一般式（１）で表される有機マグネシウム化合物と、下記一般式（２）で表される有機シラン化合物とを、下記一般式（３）で表される炭化水素を含む溶媒中で反応させる工程を含む。
ＲＭｇＸ・・・（１）
（式中、Ｒは１価の有機基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
Ｒ４ ｍＳｉ（ＯＲ５）４−ｍ・・・（２）
（式中、Ｒ４は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍは０から２の整数を示す。）
ＣｘＨｙ・・・（３）
（式中、ｘは４から２０の整数を示し、ｙは６から４２の整数を示す。）
【選択図】なし
【解決手段】ケイ素化合物の製造方法は、下記一般式（４）で表されるケイ素化合物を製造する方法であって、下記一般式（１）で表される有機マグネシウム化合物と、下記一般式（２）で表される有機シラン化合物とを、下記一般式（３）で表される炭化水素を含む溶媒中で反応させる工程を含む。
ＲＭｇＸ・・・（１）
（式中、Ｒは１価の有機基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
Ｒ４ ｍＳｉ（ＯＲ５）４−ｍ・・・（２）
（式中、Ｒ４は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍは０から２の整数を示す。）
ＣｘＨｙ・・・（３）
（式中、ｘは４から２０の整数を示し、ｙは６から４２の整数を示す。）
【選択図】なし
Description
本発明は、ケイ素化合物の製造方法に関する。
近年、大規模半導体集積回路（ＵＬＳＩ）は、増大する情報処理量や機能の複雑さに対応するため、さらなる高速処理が強く望まれている。ＵＬＳＩの高速化は、チップ内素子の微細化・高集積化や膜の多層化により実現されてきている。しかしながら、素子の微細化に伴い配線抵抗や配線間寄生容量が増大し、配線遅延がデバイス全体の信号遅延の支配的要因となりつつある。この問題を回避するために、低抵抗率配線材料や低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁膜材料の導入が必須の技術となっている。
配線材料としては、Ａｌに代わり抵抗率の低い金属であるＣｕの使用が検討され、実用化されている。一方、層間絶縁膜材料は、化学的気相成長（ＣＶＤ）法などの真空プロセスにより形成されたシリカ（ＳｉＯ２）膜が多用されているが、層間絶縁膜の低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）化に対しては、種々の提案がなされている。
低誘電率の層間絶縁膜としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）の膜密度を低下させたポーラスシリカ膜、Ｆをドープしたシリカ膜であるＦＳＧ、ＣをドープしたＳｉＯＣ膜等の無機系層間絶縁膜や、ポリイミド、ポリアリーレン、ポリアリーレンエーテル等の有機系層間絶縁膜が挙げられる。
また、より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、ＳＯＧ膜と呼ばれるテトラアルコキシシランの加水分解縮合生成物を主成分とする塗布型の層間絶縁膜や、有機アルコキシシランを加水分解縮合して得られるポリシロキサンからなる有機ＳＯＧ膜が提案されている。
ここで、層間絶縁膜の形成方法について話題を転換する。層間絶縁膜の形成方法については、大別して２つの方法に分類できる。一つは、スピンコーター等を用いて絶縁膜形成用ポリマー溶液を塗布して成膜を行う塗布法（またはスピンコート法）であり、もう一つは、反応ガスをチャンバー内に送り込み気相中での反応を利用して膜を堆積させる化学気相成長（ＣＶＤ）法である。
塗布法および化学気相成長法のいずれにおいても、無機系材料および有機系材料の提案がなされている。一般的に、塗布法では膜の均一性が良好であるものの、基板やバリアメタルとの密着性が劣る場合が多い。一方、化学気相成長法では、膜の均一性が課題となったり、膜の低誘電率化が不十分である場合が多いことが指摘されているが、汎用されている層間絶縁膜の多くがＣＶＤ法によって成膜されているため、操作上優位であったり、基板との密着性が良好であるといった利点が勝っており、成膜手法としては優位性がある。
したがって、化学的気相成長法による提案が多数なされている。とりわけ、反応に使用するシラン化合物に特徴があるものが多数提案されている。例えば、ジアルコキシシランを用いたもの（特開平１１−２８８９３１号公報、特開２００２−３２９７１８号公報）、環状シラン化合物を用いたもの（特表２００２−５０３８７９号公報、特表２００５−５１３７６６号公報）、第３級炭素または第２級炭素とＳｉとが結合したシラン化合物を用いたもの（特開２００４−６６０７号公報、特開２００５−５１１９２号公報）が提案されている。このような材料を用いることで、低誘電率でかつバリアメタル等との密着性が十分確保された膜が得られるとしている。
しかしながら、これらのシラン化合物は、化学的に安定であるため化学的気相成長法による成膜時に極度な条件を必要とするものや、逆に化学的に不安定であり、チャンバー内に供給する配管中で反応を起こすものや、さらにはシラン化合物自身の貯蔵安定性が悪いものが存在する。また、実際の半導体装置の製造工程においては、層間絶縁膜をＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）を用いて加工する工程が多く用いられており、このＲＩＥの際に膜の誘電率が上昇する問題や、その後の洗浄工程で用いられるフッ素酸系の薬液により層間絶縁膜にダメージが入る問題が存在しており、加工耐性が高い層間絶縁膜が求められている。
この課題に対して本願出願人は、炭素鎖と結合された１つのケイ素原子を含み、そのケイ素原子にアルコキシ基が結合したケイ素化合物を提案し、これを用いて得られた絶縁膜が薬液耐性に優れていることを示している（例えば特開２００５−３５０６５３公報参照）。
さて、これらの化合物を合成するためにはグリニャール反応を用いることが有用であるが、いくつか問題がある。一つには、グリニャール反応剤とアルコキシシランのカップリング反応の速度が遅いことが挙げられる。従来用いられていた反応溶媒では、反応が完結するまでに十数時間以上かかることもあり工業生産上好ましくない。
また、カップリング反応の後には、副生成物のマグネシウム塩を除去する必要がある。このマグネシウム塩の除去工程において、主生成物であるケイ素化合物が加水分解性を示すため、水や酸性の水溶液を用いた液相抽出を用いることができない。そのため塩の分離には、ろ過あるいは傾斜法・上澄み抜き取り等の方法を経る必要がある。ろ過による方法は大量合成の際、処理する塩の量も膨大になり煩雑である。一方、傾斜法・上澄み抜き取り等の方法は前者に比べ簡便ではあるが、従来の溶媒を用いて合成した場合、副生したマグネシウム塩の分散度が高いため一般的には遠心分離などの手法を用いた沈降操作が不可欠であった。
なお、グリニャール反応におけるマグネシウム塩除去を、非水溶液系を用いた液相抽出について行う方法については既に公知である（特許３６５６１６８号）。しかしながら、当該事例は比較的極性溶媒に溶解しやすいハロゲン化マグネシウムの除去を開示するものであって、アルコキシ化マグネシウムについてはその難溶性から適用が困難であり、また有機溶剤同士の液相抽出であるため目的物の非極性溶媒相への分配比が小さく、その回収には大量の非極性溶媒を要することも課題であった。
特開平１１−２８８９３１号公報
特開２００２−３２９７１８号公報
特表２００２−５０３８７９号公報
特表２００５−５１３７６６号公報
特開２００４−６６０７号公報
特開２００５−５１１９２号公報
特開２００５−３５０６５３公報
特許３６５６１６８号公報
本発明は、簡便な工程で高い収率の生成物を得ることができるケイ素化合物の製造方法を提供する。
本発明の一態様にかかるケイ素化合物の製造方法は、
下記一般式（４）で表されるケイ素化合物を製造する方法であって、
下記一般式（１）で表される有機マグネシウム化合物と、下記一般式（２）で表される有機シラン化合物とを、下記一般式（３）で表される化合物からなる溶媒の下で反応させる工程を含む。
下記一般式（４）で表されるケイ素化合物を製造する方法であって、
下記一般式（１）で表される有機マグネシウム化合物と、下記一般式（２）で表される有機シラン化合物とを、下記一般式（３）で表される化合物からなる溶媒の下で反応させる工程を含む。
ＲＭｇＸ ・・・（１）
（式中、Ｒは１価の有機基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
Ｒ４ ｍＳｉ（ＯＲ５）４−ｍ ・・・（２）
（式中、Ｒ４は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍは０から２の整数を示す。）
ＣｘＨｙ ・・・（３）
（式中、ｘは４から２０の整数を示し、ｙは６から４２の整数を示す。）
（式中、Ｒは１価の有機基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
Ｒ４ ｍＳｉ（ＯＲ５）４−ｍ ・・・（２）
（式中、Ｒ４は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍは０から２の整数を示す。）
ＣｘＨｙ ・・・（３）
（式中、ｘは４から２０の整数を示し、ｙは６から４２の整数を示す。）
（式中、Ｒは１価の有機基を示し、Ｒ４は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍは０から２の整数を示す。）
上記ケイ素化合物の製造方法において、前記有機マグネシウム化合物および前記有機シラン化合物を溶解させた他の溶媒の少なくとも一部を前記炭化水素で置換して、前記溶媒を調製する工程をさらに含むことができる。
上記ケイ素化合物の製造方法において、前記炭化水素は、脂肪族炭化水素および芳香族炭化水素から選ばれる少なくとも１種であることができる。
上記ケイ素化合物の製造方法において、前記一般式（１）で表される有機マグネシウム化合物は、下記一般式（５）で表される有機マグネシウム化合物であり、前記一般式（４）で表されるケイ素化合物は、下記一般式（６）で表されるケイ素化合物であることができる。
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、フェニル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アセトキシ基、フェノキシ基、またはアルコキシ基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ｎは１から３の整数を示す。）
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、フェニル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アセトキシ基、フェノキシ基、またはアルコキシ基を示し、Ｒ４は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍは０から２の整数を示し、ｎは１から３の整数を示す。）
この場合、前記一般式（５）および前記一般式（６）において、ｎは１であることができる。
上記ケイ素化合物の製造方法において、下記一般式（７）で表されるハロゲン化アルキルをマグネシウムと反応させて、前記一般式（１）で表される有機マグネシウム化合物を生成する工程をさらに含むことができる。
ＲＸ ・・・・・（７）
（式中、Ｒは１価の有機基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
（式中、Ｒは１価の有機基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
上記ケイ素化合物の製造方法によれば、上記一般式（３）で表される炭化水素を含む溶媒を用いて、上記一般式（１）および（２）で表される化合物をグリニャール反応させるため、副生成物であるマグネシウム塩を簡便な工程で除去することができる。
以下に、本発明について具体的に説明する。
１．ケイ素化合物の製造方法
１．１．製造方法
本実施の形態にかかるケイ素化合物の製造方法は、下記一般式（１）で示される有機マグネシウム化合物と下記一般式（２）で示される有機シラン化合物とを、下記一般式（３）で示される溶媒の下で反応させて、下記一般式（４）で示されるケイ素化合物を製造することができる。
１．１．製造方法
本実施の形態にかかるケイ素化合物の製造方法は、下記一般式（１）で示される有機マグネシウム化合物と下記一般式（２）で示される有機シラン化合物とを、下記一般式（３）で示される溶媒の下で反応させて、下記一般式（４）で示されるケイ素化合物を製造することができる。
ＲＭｇＸ ・・・（１）
（式中、Ｒは１価の有機基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
Ｒ４ ｍＳｉ（ＯＲ５）４−ｍ ・・・（２）
（式中、Ｒ４は、同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍは０から２の整数を示す。）
ＣｘＨｙ ・・・（３）
（式中、ｘは４から２０の整数を示し、ｙは６から４２の整数を示す。）
（式中、Ｒは１価の有機基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
Ｒ４ ｍＳｉ（ＯＲ５）４−ｍ ・・・（２）
（式中、Ｒ４は、同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍは０から２の整数を示す。）
ＣｘＨｙ ・・・（３）
（式中、ｘは４から２０の整数を示し、ｙは６から４２の整数を示す。）
（式中、Ｒは１価の有機基を示し、Ｒ４は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍは０から２の整数を示す。）
具体的には以下のとおりである。
まず、下記一般式（７）で表されるハロゲン化アルキルをマグネシウムと反応させて、上記一般式（１）で表される有機マグネシウム化合物を生成する。この反応は、反応を容易に進行できる点で、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのエーテル系溶媒中で行うことが好ましい。
ハロゲン化アルキルとマグネシウムとの混合比は、ハロゲン化アルキル１モルに対してマグネシウムが０．７〜１．５モルであることが好ましい。マグネシウムが０．７モル未満だと原料の消費が少なすぎてしまい、マグネシウムが１．５モルより多いと未反応のマグネシウムが大量に残ってしまうからである。
また、このときの反応温度は０〜１００℃が好ましい。温度が０℃未満だと反応が進みにくくなり、１００℃より高いと反応が制御できず暴走してしまう恐れがあるからである。
ＲＸ ・・・・・（７）
（式中、Ｒは１価の有機基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
ついで、上記溶媒中に生成されたグリニャール試薬としての有機マグネシウム化合物に、上記一般式（２）で表される有機シラン化合物を加え、上述した一般式（３）で表される溶媒下で反応させる。
（式中、Ｒは１価の有機基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
ついで、上記溶媒中に生成されたグリニャール試薬としての有機マグネシウム化合物に、上記一般式（２）で表される有機シラン化合物を加え、上述した一般式（３）で表される溶媒下で反応させる。
有機マグネシウム化合物と有機シラン化合物との混合比は、有機マグネシウム化合物１モルに対して有機シラン化合物が０．７〜１０モルであることが好ましく、０．８〜３モルであることがさらに好ましい。また、このときの反応温度は０〜２５０℃が好ましく、４０〜１５０℃がさらに好ましい。
１．２．有機マグネシウム化合物
上記工程で用いられる各材料および生成物について以下に説明する。
上記工程で用いられる各材料および生成物について以下に説明する。
本実施の形態にかかるケイ素化合物の製造方法で用いられる有機マグネシウム化合物としては、上記一般式（１）で表されるもののうち、少なくとも１つ以上の水素または炭化水素基が結合したケイ素を含む化合物であることが好ましく、より具体的には下記一般式（５）で表される有機マグネシウム化合物であることが好ましい。
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、フェニル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アセトキシ基、フェノキシ基、またはアルコキシ基を示し、Ｘはハロゲン原子を、ｎは１から３の整数を示す。）
式（５）中、アルコキシ基としては、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数３〜１０であることがさらに好ましい。
かかる有機マグネシウム化合物としては、たとえば以下のものが挙げられる。
１．３．有機シラン化合物
本実施の形態にかかるケイ素化合物の製造方法で用いられる有機シラン化合物は、上記一般式（２）で表される。
本実施の形態にかかるケイ素化合物の製造方法で用いられる有機シラン化合物は、上記一般式（２）で表される。
上記一般式（２）において、置換基Ｒ４としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ビニル基、アリール基等が挙げられる。
また、上記一般式（２）において、置換基ＯＲ５としては、メトキシ基、エトキシ基、ビニルオキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、フェノキシ基等が挙げられる。
上記一般式（２）で表される有機シラン化合物としては、たとえばメチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリノルマルプロポキシシラン、メチルトリイソブトキシシラン、メチルトリノルマルブトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリイソプロポキシシラン、トリノルマルプロポキシシラン、トリイソブトキシシラン、トリノルマルブトキシシラン、トリアセトキシシラン、トリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジイソプロポキシシラン、ジメチルジノルマルプロポキシシラン、ジメチルジイソブトキシシラン、ジメチルジノルマルブトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジメチルジフェノキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、メチルジイソプロポキシシラン、メチルジノルマルプロポキシシラン、メチルジイソブトキシシラン、メチルジノルマルブトキシシラン、メチルジアセトキシシラン、メチルジフェノキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン、メチルフェニルジイソプロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラノルマルプロポキシシラン、テトライソブトキシシラン、テトラノルマルブトキシシラン、テトラアセトキシシラン、テトラフェノキシシラン等が挙げられる。
１．４．溶媒
本実施の形態にかかる上記一般式（４）で表されるケイ素化合物の製造方法では、上記一般式（３）で表される炭化水素を含む溶媒として用いる。上記一般式（３）において、ｘは４から２０の整数であることが好ましく（より好ましくは５から１０の整数）、ｙは６から４２の整数であることが好ましい（より好ましくは１２から２２の整数）。
本実施の形態にかかる上記一般式（４）で表されるケイ素化合物の製造方法では、上記一般式（３）で表される炭化水素を含む溶媒として用いる。上記一般式（３）において、ｘは４から２０の整数であることが好ましく（より好ましくは５から１０の整数）、ｙは６から４２の整数であることが好ましい（より好ましくは１２から２２の整数）。
また、上記一般式（３）で表される炭化水素は２５℃で液体であるものが好ましい。なお、上記一般式（３）で表される炭化水素は、１種単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
本実施形態にかかるケイ素化合物の製造方法では、上記一般式（１）で表される有機マグネシウム化合物および上記一般式（２）で表される有機シラン化合物を溶解させた他の溶媒の少なくとも一部を前記炭化水素で置換して調製された溶媒を使用することが好ましい。この場合、置換は例えば、エバポレーション装置を用いた蒸留により行うことができる。
上記一般式（３）で表される炭化水素を含む溶媒として用いることにより、副生するマグネシウム塩の沈降を促進させることができるが、その理由は、前記炭化水素の極性や立体構造によるものと推察される。
上記一般式（３）で表される炭化水素は、脂肪族炭化水素および芳香族炭化水素から選ばれる少なくとも１種であることができ、例えば以下のものが挙げられる。
脂肪族炭化水素としては、例えば炭素数５〜１０のものが好ましく、具体的には、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｉ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｉ−ヘプタン、２，２，４−トリメチルペンタン、ｎ−オクタン、ｉ−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの脂肪族飽和炭化水素や、ペンテン、ヘキセン、ヘプテン、ペンタジエン、オクテン、ヘキサジエン、ヘプタジエン、オクタジエンなどの脂肪族不飽和炭化水素が挙げられる。
芳香族炭化水素としては、例えば炭素数６〜１０のものが好ましく、具体的には、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、ｎ−プロピルベンセン、ｉ−プロピルベンセン、ジエチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼンなどが挙げられる。これらは、１種あるいは２種以上を混合して使用することができる。
１．５．ケイ素化合物
本実施の形態にかかるケイ素化合物の製造方法によって製造されるケイ素化合物は、上記一般式（４）で表される。そして、反応物である有機マグネシウム化合物として上記一般式（５）で表されるケイ素化合物を用いた場合、下記一般式（６）で表されるケイ素化合物が得られる。
本実施の形態にかかるケイ素化合物の製造方法によって製造されるケイ素化合物は、上記一般式（４）で表される。そして、反応物である有機マグネシウム化合物として上記一般式（５）で表されるケイ素化合物を用いた場合、下記一般式（６）で表されるケイ素化合物が得られる。
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、フェニル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アセトキシ基、フェノキシ基、またはアルコキシ基を示し、Ｒ４は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍは０から２の整数を示し、ｎは１から３の整数を示す。）
上記一般式（６）において、Ｒ１〜Ｒ３は、同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、フェニル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アセトキシ基、フェノキシ基、またはアルコキシ基を示す。炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基を挙げることができる。
Ｒ１〜Ｒ３としては、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、フェニル基であることが好ましく、水素原子、メチル基、ビニル基であることが特に好ましい。
また、上記一般式（６）において、Ｒ４は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、フェニル基を示す。ここで、炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、上記Ｒ１〜Ｒ４として例示したものと同様のアルキル基を挙げることができる。Ｒ４としては水素原子、メチル基、ビニル基であることが特に好ましい。
また、上記一般式（６）において、Ｒ５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示す。ここで、炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、上記Ｒ１〜Ｒ３として例示したものと同様のアルキル基を挙げることができる。Ｒ５としては、メチル基、エチル基が特に好ましい。
上記一般式（６）において、ｎ＝１でかつｍ＝１のケイ素化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。
上記一般式（６）において、ｎ＝１でかつｍ＝２のケイ素化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。
上記一般式（６）において、ｎ＝２でかつｍ＝２のケイ素化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。
上記一般式（６）において、ｎ＝２でかつｍ＝１のケイ素化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。
上記一般式（６）において、ｎ＝３でかつｍ＝１のケイ素化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。
上記一般式（６）において、ｎ＝３でかつｍ＝２のケイ素化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。
上記一般式（６）で表されるケイ素化合物において、合成および精製の容易性、取り扱いの容易性の観点から、Ｒ１〜Ｒ４において水素原子の総数が０〜２であるのが好ましく、０〜１であるのがより好ましい。
本実施形態に係るケイ素化合物は、ケイ素、炭素、酸素、および水素を含む絶縁膜を形成するために用いることができる。このような絶縁膜は、半導体製造工程中の洗浄工程で汎用されているフッ酸系の薬液に対して高い耐性を有するため、加工耐性が高いという特徴を有する。上記一般式（６）で表されるケイ素化合物を絶縁膜材料として用いる場合には、ケイ素含有膜の機械的強度の観点から、ｍ＝０，１であることがより好ましい。また、同様に上記一般式（６）で表されるケイ素化合物を絶縁膜材料として用いる場合には、ｎ＝１、２であるのが好ましく、ｎ＝１であることがより好ましい。
また、本実施形態に係るケイ素化合物は、絶縁膜形成用材料として使用する場合、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素（以下、「不純物」ともいう。）の含有量が１０ｐｐｂ未満であり、かつ含水分量が１００ｐｐｍ未満であることものが好ましい。このような絶縁膜形成用材料を用いて絶縁膜を形成することにより、低比誘電率でかつ加工耐性に優れた絶縁膜を収率良く得ることができる。
２．実施例および比較例
以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例および比較例中の「％」は、特記しない限り、それぞれ重量％であることを示している。
以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例および比較例中の「％」は、特記しない限り、それぞれ重量％であることを示している。
２．１．評価方法
各種の評価は、次のようにして行った。
各種の評価は、次のようにして行った。
２．１．１．副生塩の沈降度測定
各反応において、合成終了後の反応液を、磁気撹拌子を用いて分速１０００回転の速度で撹拌したのち、室温に放置した。この後３０分、１時間、３時間後の塩の沈降度合いを上澄み層と沈殿層との高さ比で計測し、沈降度の指標とした。
各反応において、合成終了後の反応液を、磁気撹拌子を用いて分速１０００回転の速度で撹拌したのち、室温に放置した。この後３０分、１時間、３時間後の塩の沈降度合いを上澄み層と沈殿層との高さ比で計測し、沈降度の指標とした。
２．１．２．傾斜法試験
上記沈降度測定を開始してから２４時間後、反応液の上澄み部の分離を傾斜法にて実施した。具体的には、反応液の入った容器を傾けて上澄み液だけを流し出すことで上澄み部の分離を実施した。この際、その様子により以下の判定を行った。
Ａ：沈殿が落ちることなく、上澄みを回収することができた。
Ｂ：傾斜と同時に沈殿も流れたため、傾斜法による上澄みの分離は困難だった。
上記沈降度測定を開始してから２４時間後、反応液の上澄み部の分離を傾斜法にて実施した。具体的には、反応液の入った容器を傾けて上澄み液だけを流し出すことで上澄み部の分離を実施した。この際、その様子により以下の判定を行った。
Ａ：沈殿が落ちることなく、上澄みを回収することができた。
Ｂ：傾斜と同時に沈殿も流れたため、傾斜法による上澄みの分離は困難だった。
２．２．ケイ素化合物の合成
上述したケイ素化合物の製造方法を適用してケイ素化合物を合成した。具体的には以下のとおりである。
上述したケイ素化合物の製造方法を適用してケイ素化合物を合成した。具体的には以下のとおりである。
２．２．１．実施例１
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム２０ｇおよびテトラヒドロフラン５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）トリメチルシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）トリメチルシラン５５ｇを３０分かけて加えて、有機マグネシウム塩として（クロロメチル）トリメチルシランを得た。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、トルエンを１０００ｍｌ加え、エバポレーターを用いて反応液の総量が４５０ｇとなるまで溶媒を蒸留留去して、溶媒置換を行った。次いで、濃縮後の反応液が入ったフラスコに、トルエン１５０ｍｌおよびメチルトリメトキシシラン８９ｇの混合液を２時間かけて滴下した。続いて、６０℃で１６時間加熱還流させた。反応後の液において、マグネシウム塩の副生による白濁析出が確認された。生成したマグネシウム塩および未反応のマグネシウムを濾別し、濾液を分留することで、[(トリメチルシリル)メチル]メチルジメトキシシラン８０ｇを得た。なお、分留後の生成物の収率は６７％、純度は９９．５％であった。
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム２０ｇおよびテトラヒドロフラン５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）トリメチルシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）トリメチルシラン５５ｇを３０分かけて加えて、有機マグネシウム塩として（クロロメチル）トリメチルシランを得た。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、トルエンを１０００ｍｌ加え、エバポレーターを用いて反応液の総量が４５０ｇとなるまで溶媒を蒸留留去して、溶媒置換を行った。次いで、濃縮後の反応液が入ったフラスコに、トルエン１５０ｍｌおよびメチルトリメトキシシラン８９ｇの混合液を２時間かけて滴下した。続いて、６０℃で１６時間加熱還流させた。反応後の液において、マグネシウム塩の副生による白濁析出が確認された。生成したマグネシウム塩および未反応のマグネシウムを濾別し、濾液を分留することで、[(トリメチルシリル)メチル]メチルジメトキシシラン８０ｇを得た。なお、分留後の生成物の収率は６７％、純度は９９．５％であった。
２．２．２．実施例２
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム２０ｇおよびテトラヒドロフラン５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）トリメチルシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）トリメチルシラン５５ｇを３０分かけて加えて、有機マグネシウム塩として（クロロメチル）トリメチルシランを得た。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、ヘプタンを１０００ｍｌ加え、エバポレーターを用いて反応液の総量が４５０ｇとなるまで溶媒を蒸留留去して、溶媒置換を行った。次いで、濃縮後の反応液が入ったフラスコに、ヘプタン１５０ｍｌおよびビニルトリメトキシシラン９６ｇの混合液を２時間かけて滴下した。続いて、６０℃で１６時間加熱還流させた。反応後の液において、マグネシウム塩の副生による白濁析出が確認された。生成したマグネシウム塩および未反応のマグネシウムを濾別し、濾液を分留することで、[(トリメチルシリル)メチル]ビニルジメトキシシラン８３ｇを得た。なお、分留後の生成物の収率は６５％、純度は９９．５％であった。
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム２０ｇおよびテトラヒドロフラン５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）トリメチルシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）トリメチルシラン５５ｇを３０分かけて加えて、有機マグネシウム塩として（クロロメチル）トリメチルシランを得た。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、ヘプタンを１０００ｍｌ加え、エバポレーターを用いて反応液の総量が４５０ｇとなるまで溶媒を蒸留留去して、溶媒置換を行った。次いで、濃縮後の反応液が入ったフラスコに、ヘプタン１５０ｍｌおよびビニルトリメトキシシラン９６ｇの混合液を２時間かけて滴下した。続いて、６０℃で１６時間加熱還流させた。反応後の液において、マグネシウム塩の副生による白濁析出が確認された。生成したマグネシウム塩および未反応のマグネシウムを濾別し、濾液を分留することで、[(トリメチルシリル)メチル]ビニルジメトキシシラン８３ｇを得た。なお、分留後の生成物の収率は６５％、純度は９９．５％であった。
２．２．３．実施例３
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム２０ｇおよびテトラヒドロフラン５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）メチルジイソプロポキシシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）メチルジイソプロポキシシラン１１５ｇを液温が３０℃を超えないようにしながら３０分かけて加えて、有機マグネシウム塩として（クロロメチル）メチルジイソプロポキシシランを得た。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、トルエンを１０００ｍｌ加え、エバポレーターを用いて反応液の総量が４５０ｇとなるまで溶媒を蒸留留去して、溶媒置換を行った。次いで、濃縮後の反応液が入ったフラスコに、トルエン１５０ｍｌおよびメチルトリメトキシシラン９０ｇの混合液を２時間かけて滴下した。続いて、６０℃で１６時間加熱還流させた。反応後の液において、マグネシウム塩の副生による白濁析出が確認された。生成したマグネシウム塩および未反応のマグネシウムを濾別し、濾液を分留することで、［（メチルジイソプロポキシシリル）メチル］メチルジメトキシシラン１５０ｇを得た。なお、分留後の生成物の収率は８１％、純度は９９．１％であった。
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム２０ｇおよびテトラヒドロフラン５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）メチルジイソプロポキシシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）メチルジイソプロポキシシラン１１５ｇを液温が３０℃を超えないようにしながら３０分かけて加えて、有機マグネシウム塩として（クロロメチル）メチルジイソプロポキシシランを得た。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、トルエンを１０００ｍｌ加え、エバポレーターを用いて反応液の総量が４５０ｇとなるまで溶媒を蒸留留去して、溶媒置換を行った。次いで、濃縮後の反応液が入ったフラスコに、トルエン１５０ｍｌおよびメチルトリメトキシシラン９０ｇの混合液を２時間かけて滴下した。続いて、６０℃で１６時間加熱還流させた。反応後の液において、マグネシウム塩の副生による白濁析出が確認された。生成したマグネシウム塩および未反応のマグネシウムを濾別し、濾液を分留することで、［（メチルジイソプロポキシシリル）メチル］メチルジメトキシシラン１５０ｇを得た。なお、分留後の生成物の収率は８１％、純度は９９．１％であった。
２．２．４．比較例１
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム２０ｇおよびテトラヒドロフラン５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）トリメチルシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）トリメチルシラン５５ｇを３０分かけて加えて、有機マグネシウム塩として（クロロメチル）トリメチルシランを得た。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、フラスコにテトラヒドロフラン２５０ｍｌおよびメチルトリメトキシシラン８９ｇの混合液を２時間かけて滴下した。続いて、７０℃で１６時間加熱還流させた。反応後の液において、マグネシウム塩の副生による白濁析出が確認された。生成したマグネシウム塩および未反応のマグネシウムを濾別し、濾液を分留することで、[(トリメチルシリル)メチル]メチルジメトキシシラン７７ｇを得た。なお、分留後の生成物の収率は６２％、純度は９９．３％であった。
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム２０ｇおよびテトラヒドロフラン５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）トリメチルシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）トリメチルシラン５５ｇを３０分かけて加えて、有機マグネシウム塩として（クロロメチル）トリメチルシランを得た。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、フラスコにテトラヒドロフラン２５０ｍｌおよびメチルトリメトキシシラン８９ｇの混合液を２時間かけて滴下した。続いて、７０℃で１６時間加熱還流させた。反応後の液において、マグネシウム塩の副生による白濁析出が確認された。生成したマグネシウム塩および未反応のマグネシウムを濾別し、濾液を分留することで、[(トリメチルシリル)メチル]メチルジメトキシシラン７７ｇを得た。なお、分留後の生成物の収率は６２％、純度は９９．３％であった。
２．２．５．比較例２
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム２０ｇおよびＴＨＦ５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）メチルジイソプロポキシシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）メチルジイソプロポキシシラン１１５ｇを液温が３０℃を超えないようにしながら３０分かけて加えて、有機マグネシウム塩として（クロロメチル）メチルジイソプロポキシシランを得た。滴下終了後、フラスコにＴＨＦ２５０ｍｌおよびメチルトリメトキシシラン９０ｇの混合液を２時間かけて滴下した。続いて、７０℃で１６時間加熱還流させた。反応後の液において、マグネシウム塩の副生による白濁析出が確認された。生成したマグネシウム塩および未反応のマグネシウムを濾別し、濾液を分留することで、［（メチルジイソプロポキシシリル）メチル］メチルジメトキシシラン１４０ｇを得た。なお、分留後の生成物の収率は７６％、純度は９８．７％であった。
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム２０ｇおよびＴＨＦ５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）メチルジイソプロポキシシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）メチルジイソプロポキシシラン１１５ｇを液温が３０℃を超えないようにしながら３０分かけて加えて、有機マグネシウム塩として（クロロメチル）メチルジイソプロポキシシランを得た。滴下終了後、フラスコにＴＨＦ２５０ｍｌおよびメチルトリメトキシシラン９０ｇの混合液を２時間かけて滴下した。続いて、７０℃で１６時間加熱還流させた。反応後の液において、マグネシウム塩の副生による白濁析出が確認された。生成したマグネシウム塩および未反応のマグネシウムを濾別し、濾液を分留することで、［（メチルジイソプロポキシシリル）メチル］メチルジメトキシシラン１４０ｇを得た。なお、分留後の生成物の収率は７６％、純度は９８．７％であった。
２．３．評価結果
副生塩の沈降度測定および傾斜法試験の結果を表１に示す。表１は、静置時間毎の上澄み層と沈殿層の高さ比（％）および傾斜法試験の評価を示す。
副生塩の沈降度測定および傾斜法試験の結果を表１に示す。表１は、静置時間毎の上澄み層と沈殿層の高さ比（％）および傾斜法試験の評価を示す。
表１によれば、実施例１〜３においては、上記一般式（４）で表されるケイ素化合物の製造工程において、上記一般式（３）で表される炭化水素を含む溶媒を使用したため、溶媒としてテトラヒドロフランを使用した比較例１および２と比べてマグネシウム塩の沈降速度が高く、塩と上澄みの分離が容易で上澄みの回収を効率よく行うことできることが確認された。したがって、上記一般式（４）で表されるケイ素化合物の製造工程において、上記一般式（３）で表される炭化水素を含む溶媒を用いることにより、後処理の過程を容易に行うことができることが示された。
Claims (6)
- 下記一般式（４）で表されるケイ素化合物を製造する方法であって、
下記一般式（１）で表される有機マグネシウム化合物と、下記一般式（２）で表される有機シラン化合物とを、下記一般式（３）で表される炭化水素を含む溶媒中で反応させる工程を含む、ケイ素化合物の製造方法。
ＲＭｇＸ ・・・（１）
（式中、Ｒは１価の有機基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
Ｒ４ ｍＳｉ（ＯＲ５）４−ｍ ・・・（２）
（式中、Ｒ４は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍは０から２の整数を示す。）
ＣｘＨｙ ・・・（３）
（式中、ｘは４から２０の整数を示し、ｙは６から４２の整数を示す。）
（式中、Ｒは１価の有機基を示し、Ｒ４は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍは０から２の整数を示す。） - 前記有機マグネシウム化合物および前記有機シラン化合物を溶解させた他の溶媒の少なくとも一部を前記炭化水素で置換して、前記溶媒を調製する工程をさらに含む、請求項１に記載のケイ素化合物の製造方法。
- 前記炭化水素は、脂肪族炭化水素および芳香族炭化水素から選ばれる少なくとも１種である、請求項１または２に記載のケイ素化合物の製造方法。
- 前記一般式（１）で表される有機マグネシウム化合物は、下記一般式（５）で表される有機マグネシウム化合物であり、
前記一般式（４）で表されるケイ素化合物は、下記一般式（６）で表されるケイ素化合物である、請求項１ないし３のいずれかに記載のケイ素化合物の製造方法。
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、フェニル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アセトキシ基、フェノキシ基、またはアルコキシ基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ｎは１から３の整数を示す。）
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、フェニル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アセトキシ基、フェノキシ基、またはアルコキシ基を示し、Ｒ４は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍは０から２の整数を示し、ｎは１から３の整数を示す。） - 前記一般式（５）および前記一般式（６）において、ｎは１である、請求項４に記載のケイ素化合物の製造方法。
- 下記一般式（７）で表されるハロゲン化アルキルをマグネシウムと反応させて、前記一般式（１）で表される有機マグネシウム化合物を生成する工程をさらに含む、請求項１ないし５のいずれかに記載のケイ素化合物の製造方法。
ＲＸ ・・・・・（７）
（式中、Ｒは１価の有機基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008177903A JP2009203217A (ja) | 2008-01-31 | 2008-07-08 | ケイ素化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008020298 | 2008-01-31 | ||
| JP2008177903A JP2009203217A (ja) | 2008-01-31 | 2008-07-08 | ケイ素化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009203217A true JP2009203217A (ja) | 2009-09-10 |
Family
ID=41145829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008177903A Pending JP2009203217A (ja) | 2008-01-31 | 2008-07-08 | ケイ素化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009203217A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63250388A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | モノアルコキシシラン化合物の製造方法 |
| JPH06345781A (ja) * | 1993-06-07 | 1994-12-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | オルガノアルコキシシラン化合物の製造方法 |
| JP2002179687A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-26 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | オルガノアルコキシシランの製造方法 |
| JP3656168B2 (ja) * | 1995-06-12 | 2005-06-08 | 日東化成株式会社 | ハロゲン原子の結合したケイ素化合物の製造方法 |
-
2008
- 2008-07-08 JP JP2008177903A patent/JP2009203217A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63250388A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | モノアルコキシシラン化合物の製造方法 |
| JPH06345781A (ja) * | 1993-06-07 | 1994-12-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | オルガノアルコキシシラン化合物の製造方法 |
| JP3656168B2 (ja) * | 1995-06-12 | 2005-06-08 | 日東化成株式会社 | ハロゲン原子の結合したケイ素化合物の製造方法 |
| JP2002179687A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-26 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | オルガノアルコキシシランの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100651993B1 (ko) | 실리카 또는 금속 규산염 필름을 위한 전구체 | |
| JP2004161877A (ja) | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置 | |
| KR20090116751A (ko) | 규소를 주성분으로 하는 반사 방지 코팅 조성물 | |
| TW201307372A (zh) | 矽氧烷單體的合成方法及其用途 | |
| JP2010519397A5 (ja) | ||
| TWI683817B (zh) | 含六氟異丙醇基之矽化合物及其製造方法 | |
| JP4180417B2 (ja) | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置 | |
| JP5170445B2 (ja) | ケイ素含有膜形成用材料、ならびにケイ素含有絶縁膜およびその形成方法 | |
| CN108473684B (zh) | 硅氧烷聚合物的制造方法 | |
| TW200423256A (en) | Insulating film material containing an organic silane compound, its production method and semiconductor device | |
| JP2004256479A (ja) | 有機シラン化合物を含んでなる絶縁膜用材料、その製造方法および半導体デバイス | |
| WO2019167771A1 (ja) | 珪素含有層形成組成物およびそれを用いたパターン付き基板の製造方法 | |
| JP2795135B2 (ja) | オルガノアルコキシシラン化合物の製造方法 | |
| JPWO2008020592A1 (ja) | 膜形成用材料、ならびにケイ素含有絶縁膜およびその形成方法 | |
| TW200528501A (en) | Composition for film formation, method for preparing the composition, and method for forming insulating film | |
| TWI234787B (en) | Silica-based coating film on substrate and coating solution therefor | |
| JP3128193B2 (ja) | アルコキシシラン化合物の製造方法 | |
| JP2004307692A (ja) | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜及び半導体装置 | |
| JP2009203217A (ja) | ケイ素化合物の製造方法 | |
| JP2012229186A (ja) | 低分子量シロキサン化合物の製造方法 | |
| JP5861618B2 (ja) | オルガノポリシロキサン及びその製造方法 | |
| JP2004269692A (ja) | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置 | |
| JP2009203215A (ja) | ケイ素化合物の製造方法 | |
| KR101868430B1 (ko) | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막 | |
| JP2004161876A (ja) | 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD07 | Notification of extinguishment of power of attorney |
Effective date: 20100817 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7427 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20110128 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20130327 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20130724 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |