JP2009198761A - 発光装置、電子機器、およびリファレンス電圧設定方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡易且つ確実な方法で黒表示を最適化する。
【解決手段】制御回路50は、黒階調を指定する画像データをデータ線駆動回路24に与えるとともに、メモリ70からリファレンス電圧Vrefの初期値を読み出して当該初期値を示す制御信号をリファレンス電圧発生回路60に供給する。データ線駆動回路24は、画像データDATAとリファレンス電圧発生回路60から出力されるリファレンス電圧Vrefの値とに基づいて、リファレンス電圧Vrefを示すデータ信号を生成して各単位回路Uに供給する。駆動トランジスタTdrのゲートにリファレンス電圧Vrefに応じた電位が印加されると、駆動電流Ielが発光素子Eを流れる。電流検出部30は、駆動電流Ielの電流値を測定させる。
【選択図】図1
【解決手段】制御回路50は、黒階調を指定する画像データをデータ線駆動回路24に与えるとともに、メモリ70からリファレンス電圧Vrefの初期値を読み出して当該初期値を示す制御信号をリファレンス電圧発生回路60に供給する。データ線駆動回路24は、画像データDATAとリファレンス電圧発生回路60から出力されるリファレンス電圧Vrefの値とに基づいて、リファレンス電圧Vrefを示すデータ信号を生成して各単位回路Uに供給する。駆動トランジスタTdrのゲートにリファレンス電圧Vrefに応じた電位が印加されると、駆動電流Ielが発光素子Eを流れる。電流検出部30は、駆動電流Ielの電流値を測定させる。
【選択図】図1
Description
本発明は、有機発光ダイオード(以下「OLED(Organic Light Emitting Diode)」という)素子など発光素子を備えた発光装置、電子機器、およびリファレンス電圧設定方法に関する。
近年、有機発光ダイオードなどの発光素子を用いた表示装置が普及しつつある。この表示装置は、複数の単位回路(画素回路)を備え、各単位回路には、発光素子とこれを駆動する駆動トランジスタなどが形成される。発光素子は駆動トランジスタから供給された駆動電流の大きさに応じた輝度で発光する自発光型素子である。駆動電流の大きさは画像データで指定された階調に基づいて定まり、画像データが指定する階調がゼロ(黒表示)である場合、駆動電流の大きさは最小とされる。
特許文献1には、駆動トランジスタと発光素子との間にスイッチング素子を介挿することにより発光素子に流れる電流を遮断し、発光素子を非発光状態とし、上記黒表示を実現する技術が開示されている。その図1と図3に示すように、このスイッチング素子をオン状態またはオフ状態とするための個別信号線(ゲート信号線2)が設けられる。
特開2003−122304号公報
特許文献1には、駆動トランジスタと発光素子との間にスイッチング素子を介挿することにより発光素子に流れる電流を遮断し、発光素子を非発光状態とし、上記黒表示を実現する技術が開示されている。その図1と図3に示すように、このスイッチング素子をオン状態またはオフ状態とするための個別信号線(ゲート信号線2)が設けられる。
ところで、駆動トランジスタのゲートに印加された電位に対してソース−ドレイン間を流れる電流量はトランジスタの特性によりばらつく。よって、ゼロ階調を指定する画像データに対応した電位をゲートに供給しても、駆動電流を最小とすることができない場合がある。このため、従来から輝度計を用いて黒表示の輝度が所定値以下になるように設定したり、暗室にて目視で設定する等の方法によりゼロ階調の電位(以下、「リファレンス電圧」という)の最適化を行っていた。特許文献1に記載の技術は、発光素子に流れる電流を遮断するから、簡単に黒表示状態を作り出すことができる。しかし、発光素子を流れる電流を遮断するためには上述の個別信号線を各単位回路ごとに設ける必要がある。結果として回路規模が肥大し、製造工程が複雑となる。
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、回路規模を過度に肥大させることなく、且つ、製造工程を複雑化させることなく、簡易且つ確実な方法で黒表示を最適化することが可能な発光装置、電子機器、およびリファレンス電圧設定方法を提供することを解決課題とする。
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、回路規模を過度に肥大させることなく、且つ、製造工程を複雑化させることなく、簡易且つ確実な方法で黒表示を最適化することが可能な発光装置、電子機器、およびリファレンス電圧設定方法を提供することを解決課題とする。
本発明に係る発光装置は、前記複数の単位回路を備え、複数の単位回路の各々は駆動電流に応じた光量で発光する発光素子とデータ信号に応じた大きさの前記駆動電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタを備え、前記各発光素子は画像データの指示する階調で発光する発光装置であって、前記画像データの指示する階調がゼロである場合の前記駆動電流の大きさを規定するリファレンス電圧を出力するリファレンス電圧発生手段と、前記画像データと前記リファレンス電圧とに基づいて前記データ信号を生成するデータ信号生成手段と、前記駆動電流を検出する電流検出手段と、前記電流検出手段の出力信号に基づいて、前記駆動電流の大きさが最小となるように前記リファレンス電圧の大きさを制御する制御手段とを備える。
本発明の発光装置は、発光素子を発光させる駆動電流の大きさを検出する電流検出手段を有するので、電流検出手段の出力信号に基づいて、駆動電流の大きさが最小となるようにリファレンス電圧の大きさを制御することが可能である。よって、輝度計を用いて黒表示の輝度を設定したり、暗室にて目視で設定するといった作業が不要となり、黒階調の最適化が簡易に且つ確実に行うことができる。したがって、黒階調の設定に関わる手間が軽減され、且つ、測定者による設定のバラツキの問題も解消される。なお、制御手段によって制御または調整された大きさのリファレンス電圧の値(設定値)を記憶する記憶手段を備え、データ信号生成手段は、記憶手段に記憶されたリファレンス電圧の値と画像データに基づいて、データ信号を生成することが好ましい。さらに、データ信号生成手段は、画像データの指示する階調がゼロである場合は、リファレンス電圧をデータ信号として出力し、画像データの指示する階調がゼロでない場合は画像データの指示する階調に応じた電圧をデータ信号として出力することが好ましい。
本発明の好適な態様において、前記複数の単位回路の各々は、高電源電位と低電源電位との供給を受けて動作し、前記複数の単位回路の総てに前記高電源電位を供給する第1電源線と、前記複数の単位回路の総てに前記低電源電位を供給する第2電源線とを備え、前記電流検出手段は、前記第1電源線と前記第2電源線のうち一方の電源線に設けられる。発光素子が第1電極(例えば、陽極)と第2電極(例えば、陰極)に挟まれているとした場合に、高電源電位を供給する第1電源線に電流検出手段が設けられた場合には、発光素子の第1電極側において駆動電流を検出することが可能である。この態様は実施形態の図13に例示される。低電源電位を供給する第2電源線に電流検出手段が設けられた場合には、発光素子の第2電極側において駆動電流を検出することが可能である。この態様は実施形態の図1に例示される。どちらの場合も、単一の電流検出手段を用いて、総ての画素回路に流れる駆動電流の総和を検出することができるので、構成を簡素化することが可能となる。
本発明の別の好適な態様において、前記発光装置は、前記リファレンス電圧を設定する設定状態と、前記画像データに基づく画像を表示する通常状態で動作し、前記電流検出手段は、前記一方の電源線に流れる電流を検出する検出部と、前記検出部を前記一方の電源線に介挿するか分離するかを切り替える切替部とを備え、前記制御手段は、前記設定状態においてゼロの階調を示す前記画像データを前記データ信号生成手段に供給すると共に前記検出部を前記一方の電源線に介挿し、前記通常状態において前記一方の電源線から前記検出部を分離するように前記切替部を制御すると共に入力される画像データを前記データ信号生成手段に供給する。本態様によれば、電流検出手段は、切替部により、電流を検出する検出部を第1電源線または第2電源線に介挿するか分離するかを切り替えるので、リファレンス電圧を設定する設定状態にあるときにだけ検出部を介挿することができ、通常状態にあるときに、電流が検出部を無用に流れることがない。よって、通常状態においては、検出部自体が有する抵抗の影響を排除することが可能となる。
加えて、本発明は、複数の単位回路を備え、前記複数の単位回路の各々は駆動電流に応じた光量で発光する発光素子と、データ信号に応じた大きさの前記駆動電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタを備え、前記各発光素子は画像データの指示する階調で発光する発光装置において、前記画像データの指示する階調がゼロである場合の前記駆動電流の大きさを規定するリファレンス電圧を設定するリファレンス電圧設定方法であって、前記リファレンス電圧を前記データ信号として前記複数の単位回路に供給するステップと、前記複数の単位回路に流れる前記駆動電流の大きさを検出するステップと、前記複数の単位回路に流れる前記駆動電流の大きさが最小になるように前記リファレンス電圧の大きさを調整して、当該リファレンス電圧を記憶するステップとを備えるリファレンス電圧設定方法としても把握される。本発明によれば、駆動電流を検出することによりリファレンス電圧の大きさを最適値に調整するので、黒階調の輝度の最適化を、簡易且つ確実に行うことが可能となる。
本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、本発明の発光装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソナルコンピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置(露光ヘッド)、液晶装置の背面側に配置されてこれを照明する装置(バックライト)、あるいは、スキャナなどの画像読取装置に搭載されて原稿を照明する装置など各種の照明装置など、様々な用途に本発明の発光装置を適用することができる。
<1.実施形態>
図1は、本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示すブロック図である。同図に例示された発光装置Dは、画像を表示する手段として各種の電子機器に搭載される発光装置であり、そのパネル部Aには、複数の単位回路(画素回路)Uが面状に配列された素子アレイ部10と、各単位回路Uを駆動するための走査線駆動回路22及びデータ線駆動回路24とが配設される。なお、走査線駆動回路22及びデータ線駆動回路24は、素子アレイ部10とともに基板上に形成されたトランジスタによって構成されてもよいしICチップの形態で実装されてもよい。
図1は、本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示すブロック図である。同図に例示された発光装置Dは、画像を表示する手段として各種の電子機器に搭載される発光装置であり、そのパネル部Aには、複数の単位回路(画素回路)Uが面状に配列された素子アレイ部10と、各単位回路Uを駆動するための走査線駆動回路22及びデータ線駆動回路24とが配設される。なお、走査線駆動回路22及びデータ線駆動回路24は、素子アレイ部10とともに基板上に形成されたトランジスタによって構成されてもよいしICチップの形態で実装されてもよい。
図2は、各単位回路Uの具体的な構成を示す図である。図2に示すように、単位回路Uは、第1電源線401と低電源電位VCTとの間に介在する発光素子Eを含む。発光素子Eは、これに供給される駆動電流Ielに応じた階調(輝度)となる電流駆動型の被駆動素子である。本実施形態における発光素子Eは、有機EL(ElectroLuminescent)材料からなる発光層を陽極(第1電極)と陰極(第2電極)との間に介在させたOLED素子(発光素子)である。画像データが指定する階調がゼロ(画素が黒表示)である場合、駆動電流Ielの大きさは最小とされる(以下、「駆動電流I0」という)。
図1および図2に示されるように、素子アレイ部10には、X方向に延在するm本の走査線12と、X方向に直交するY方向に延在するn本のデータ線14とが形成される(m及びnはともに自然数)。各単位回路Uは、走査線12とデータ線14との交差に対応する各位置に配置される。したがって、これらの単位回路Uは縦m行×横n列のマトリクス状に配列する。各単位回路Uには、第1電源線401を介して高位側の高電源電位VELが供給され、第2電源線402を介して低位側の低電位電源VCTが供給される。
走査線駆動回路22は、複数の走査線12の各々を順番に選択するための回路である。データ線駆動回路24は、走査線駆動回路22が選択する走査線12に接続された1行分(n個)の単位回路Uの各々に対応するデータ信号X[1]〜X[n]を生成して各データ線14に出力する。第i行(iは1≦i≦mを満たす整数)の走査線12が選択される期間(後述するデータ書込期間P2)にて第j列目(jは1≦j≦nを満たす整数)のデータ線14に供給されるデータ信号X[j]は、第i行に属する第j列目の単位回路Uに指定された階調に応じた電位となる。各単位回路Uの階調は、外部から供給される画像データDATAによって指定される。
図2に示すように、図1において便宜的に1本の配線として図示された走査線12は、実際には4本の配線(第1制御線121・第2制御線122・第3制御線123・第4制御線124)を含む。各配線には走査線駆動回路22から所定の信号が供給される。さらに詳述すると、第i行目の走査線12を構成する第1制御線121には走査信号GWRT[i]が供給される。同様に、第2制御線122には初期化信号GPRE[i]が供給され、第3制御線123には補償制御信号GINI[i]が供給され、第4制御線124には発光制御信号GEL[i]が供給される。なお、各信号の具体的な波形やこれに応じた単位回路Uの動作については後述する。
図2に示すように、第1電源線401から発光素子Eの陽極に至る経路上にはpチャネル型の駆動トランジスタTdrが介挿される。駆動トランジスタTdrのソース(S)は第1電源線401に接続される。この駆動トランジスタTdrは、ソース(S)とドレイン(D)との導通状態(ソース−ドレイン間の抵抗値)がゲートの電位(以下「ゲート電位」という)Vgに応じて変化することで当該ゲート電位Vgに応じた駆動電流Ielを生成する手段である。すなわち、発光素子Eは、駆動トランジスタTdrの導通状態に応じて駆動される。
駆動トランジスタTdrのドレインと発光素子Eの陽極との間には両者の電気的な接続を制御するnチャネル型のトランジスタ(以下「発光制御トランジスタ」という)Telが介在する。この発光制御トランジスタTelのゲートは第4制御線124に接続される。したがって、発光制御信号GEL[i]がハイレベルに遷移すると発光制御トランジスタTelがオン状態に変化して発光素子Eに対する駆動電流Ielの供給が可能となる。これに対し、発光制御信号GEL[i]がローレベルである場合には発光制御トランジスタTelがオフ状態を維持するから、駆動電流Ielの経路が遮断されて発光素子Eは消灯する。
図2に示すように、本実施形態の単位回路Uは、3個の容量素子(C1・C2・C3)と、nチャネル型の4個のトランジスタ(Tr1・Tr2・Tr3・Tr4)とを含む。第1容量素子C1は、電極Ea1と電極Ea2との間隙に誘電体が介挿された素子であり、その容量値はCh1である。同様に、第2容量素子C2は、電極Eb1と電極Eb2との間隙に誘電体が介挿された素子であり、その容量値はCh2である。第3容量素子C3は、電極Ec1と電極Ec2との間隙に誘電体が介挿された素子であり、その容量値はCcである。第1容量素子C1の電極Ea2及び第2容量素子C2の電極Eb2は第1電源線401に接続される。一方、第1容量素子C1の電極Ea1は第3容量素子C3の電極Ec1に接続され、第2容量素子C2の電極Eb1は第3容量素子C3の電極Ec2に接続される。
トランジスタTr1は、ノードZ1(第3容量素子C3の電極Ec1)とデータ線14との間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。トランジスタTr1のゲートは第1制御線121と接続され、走査信号GWRT[i]が供給される。また、トランジスタTr4は、初期化電位VSTが供給される電位線(図示略)と駆動トランジスタTdrのドレインとの間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。トランジスタTr4のゲートは第2制御線122と接続され、初期化信号GPRE[i]が供給される。トランジスタTr2は、ノードZ1と初期化電位VSTが供給される電位線(第2電源線)との間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。トランジスタTr2のゲートは第3制御線123と接続され、補償制御信号GINI[i]が供給される。トランジスタTr3は、ノードZ2(第3容量素子C3の電極Ec2)と駆動トランジスタTdrのドレインとの間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。トランジスタTr3のゲートは第3制御線123と接続され、補償制御信号GINI[i]が供給される。
なお、図2においては、第i行目と第j列目のひとつの単位回路Uのみが図示されているが、その他の単位回路Uも同様の構成である。
なお、図2においては、第i行目と第j列目のひとつの単位回路Uのみが図示されているが、その他の単位回路Uも同様の構成である。
次に、図3を参照して、発光装置Dで利用される各信号の具体的な波形を説明する。同図に示すように、走査信号GWRT[1]〜GWRT[m]は各フレーム期間F内の所定の期間(以下「データ書込期間」という)P2ごとに順番にハイレベルとなる信号である。すなわち、走査信号GWRT[i]は、ひとつのフレーム期間Fのうち第i番目のデータ書込期間P2にてハイレベルを維持するとともにそれ以外の期間にてローレベルを維持する。走査信号GWRT[i]のハイレベルへの遷移は第i行の選択を意味する。
図3に示すように、走査信号GWRT[i]のハイレベルとなる水平走査期間1Hより以前の補償期間P1(この例では、直前の水平走査期間1H及びその前の水平走査期間1H)において、補償制御信号GINI[i]がハイレベルとなる。補償期間P1では駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vthが第2容量素子C2に充電される。なお、この例では、補償期間P1の開始前の所定の期間に初期化期間P0が割り当てられる。データ書込期間P2は、外部から供給される階調データによって単位回路Uに指定される階調に応じた電圧Vdataを第2容量素子C2に保持させるための期間である。駆動期間P3においては、第2容量素子C2に保持された電圧に基づいて発光素子Eが駆動される。以下、図4ないし図6を参照しながら、第i行に属する第j列目の単位回路Uの動作の詳細を初期化期間P0、補償期間P1、データ書込期間P2、及び駆動期間P3とに区分して説明する。
(A)初期化期間P0
図4に初期化信号GPRE[i]がハイレベルとなる初期化期間P0における単位回路Uの様子を示す。この状態では、初期化信号GPRE[i]及び補償制御信号GINI[i]がハイレベルとなるので、トランジスタTr2、トランジスタTr3、及びトランジスタTr4がオン状態となる。このため、第3容量素子C3の電極Ec1及び電極Ec2に蓄積された電荷が放電され、それらの電位が初期化電位VSTに設定される。また、初期化期間P0では、走査信号GWRT[i]及び発光制御信号GEL[i]がローレベルとなり、トランジスタTr1及び発光制御トランジスタTelがオフ状態となる。
図4に初期化信号GPRE[i]がハイレベルとなる初期化期間P0における単位回路Uの様子を示す。この状態では、初期化信号GPRE[i]及び補償制御信号GINI[i]がハイレベルとなるので、トランジスタTr2、トランジスタTr3、及びトランジスタTr4がオン状態となる。このため、第3容量素子C3の電極Ec1及び電極Ec2に蓄積された電荷が放電され、それらの電位が初期化電位VSTに設定される。また、初期化期間P0では、走査信号GWRT[i]及び発光制御信号GEL[i]がローレベルとなり、トランジスタTr1及び発光制御トランジスタTelがオフ状態となる。
(B)補償期間P1
図5に補償期間P1における単位回路Uの様子を示す。この状態では、初期化信号GPRE[i]がハイレベルからローレベルに遷移する一方、補償制御信号GINI[i]がハイレベルとなる。このため、トランジスタTr4がオン状態からオフ状態へ遷移し、トランジスタTr2及びTr3がオン状態を維持する。このとき、第3容量素子C3の電極Ec1の電位は初期化電位VSTに固定される。また、駆動トランジスタTdrがダイオード接続される。駆動トランジスタTdrのソースからドレインに電流が流れ込む。これによって、駆動トランジスタTdrのゲート・ソース間電圧は閾値電圧Vthに漸近するので、駆動トランジスタTdrのゲート電位Vgは「VEL−Vth」に収束する。第2容量素子C2は閾値電圧Vthを保持する。補償期間P1の時間が短いと、ゲート電位Vgを「VEL−Vth」に収束させることができない。本実施形態では、データ書込期間P2と補償期間P1とを独立して設定することができるので、両者を1水平走査期間1Hに設ける必要はない。このため、補償期間P1をデータ書込期間P2が設定される水平走査期間と別の水平走査期間に設けることができる。この例では、図3に示すように2個の水平走査期間に跨って補償期間P1を設ける。この結果、閾値電圧Vthの補償を十分行うことが可能となる。
図5に補償期間P1における単位回路Uの様子を示す。この状態では、初期化信号GPRE[i]がハイレベルからローレベルに遷移する一方、補償制御信号GINI[i]がハイレベルとなる。このため、トランジスタTr4がオン状態からオフ状態へ遷移し、トランジスタTr2及びTr3がオン状態を維持する。このとき、第3容量素子C3の電極Ec1の電位は初期化電位VSTに固定される。また、駆動トランジスタTdrがダイオード接続される。駆動トランジスタTdrのソースからドレインに電流が流れ込む。これによって、駆動トランジスタTdrのゲート・ソース間電圧は閾値電圧Vthに漸近するので、駆動トランジスタTdrのゲート電位Vgは「VEL−Vth」に収束する。第2容量素子C2は閾値電圧Vthを保持する。補償期間P1の時間が短いと、ゲート電位Vgを「VEL−Vth」に収束させることができない。本実施形態では、データ書込期間P2と補償期間P1とを独立して設定することができるので、両者を1水平走査期間1Hに設ける必要はない。このため、補償期間P1をデータ書込期間P2が設定される水平走査期間と別の水平走査期間に設けることができる。この例では、図3に示すように2個の水平走査期間に跨って補償期間P1を設ける。この結果、閾値電圧Vthの補償を十分行うことが可能となる。
なお、初期化電位VSTは、「VEL−Vth」より低い電位に設定されている。このため、補償動作を開始する時点で駆動トランジスタTdrのゲート電位Vgは十分低いので、発光素子Eに電流を流してゲート電位Vgを下げる必要がない。このため、補償期間P1では、ローレベルの発光制御信号GEL[i]によって発光制御トランジスタTelがオフ状態を維持し、発光素子Eに対する駆動電流Ielの供給が遮断される。
(C)データ書込期間P2
図6に走査信号GWRT[i]がハイレベルであるデータ書込期間P2における単位回路Uの様子を示す。データ書込期間P2では、トランジスタTr1がオン状態となる一方、トランジスタTr2〜Tr4、及び発光制御トランジスタTelがオフ状態となる。この状態で、第3容量素子C3の電極Ec1はデータ線14に電気的に接続される。このとき、データ線14にはデータ信号X[j]として、電位(VST−α・Vdata)が供給される。したがって、第3容量素子C3の電極Ec1の電位は、初期化電位VSTから電位(VST−α・Vdata)に変化する。この変化分をΔV1とすれば、ΔV1は以下の式(1)で与えられる。
ΔV1=−α・Vdata……(1)
但し、αは係数であり、α=(Cc+Ch2)/Ch2である。
第3容量素子C3はカップリング容量として機能するので、駆動トランジスタTdrのゲート電位Vgは、ΔV1を第3容量素子C3と第2容量素子C2で分圧した電圧だけ変化する。この変化分をΔV2とすれば、ΔV2は以下の式(1)で与えられる。
ΔV2=ΔV1・Ch2/(Cc+Ch2)
=−Vdata……(2)
さらに、初期化期間P0の終了時点のゲート電位Vgは、Vg=VEL−Vthであるから、データ書込期間P2が終了した時点におけるゲート電位Vgは、以下に示す式(3)で与えられる。
Vg=VEL−Vth+ΔV2
=VEL−Vth−Vdata……(3)
図6に走査信号GWRT[i]がハイレベルであるデータ書込期間P2における単位回路Uの様子を示す。データ書込期間P2では、トランジスタTr1がオン状態となる一方、トランジスタTr2〜Tr4、及び発光制御トランジスタTelがオフ状態となる。この状態で、第3容量素子C3の電極Ec1はデータ線14に電気的に接続される。このとき、データ線14にはデータ信号X[j]として、電位(VST−α・Vdata)が供給される。したがって、第3容量素子C3の電極Ec1の電位は、初期化電位VSTから電位(VST−α・Vdata)に変化する。この変化分をΔV1とすれば、ΔV1は以下の式(1)で与えられる。
ΔV1=−α・Vdata……(1)
但し、αは係数であり、α=(Cc+Ch2)/Ch2である。
第3容量素子C3はカップリング容量として機能するので、駆動トランジスタTdrのゲート電位Vgは、ΔV1を第3容量素子C3と第2容量素子C2で分圧した電圧だけ変化する。この変化分をΔV2とすれば、ΔV2は以下の式(1)で与えられる。
ΔV2=ΔV1・Ch2/(Cc+Ch2)
=−Vdata……(2)
さらに、初期化期間P0の終了時点のゲート電位Vgは、Vg=VEL−Vthであるから、データ書込期間P2が終了した時点におけるゲート電位Vgは、以下に示す式(3)で与えられる。
Vg=VEL−Vth+ΔV2
=VEL−Vth−Vdata……(3)
(D)駆動期間P3
図7に駆動期間P3における単位回路Uの様子を示す。この状態では、走査信号GWRT[i]、初期化信号GPRE[i]、及び補償制御信号GINI[i]がローレベルになる。したがって、トランジスタTr1がオフ状態となり、第3容量素子C3の電極Ec1がデータ線14から電気的に分離される。また、トランジスタTr2〜Tr4がオフ状態となる。一方、駆動期間P3では発光制御信号GEL[i]がハイレベルになり、トランジスタTelがオン状態に変化して駆動トランジスタTdrからゲート電位Vgに応じた大きさの駆動電流Ielが発光素子Eに供給される。駆動トランジスタTdrが飽和領域にて動作すると仮定すると、駆動電流Ielは以下の式(4)で表現される電流値となる。式(4)における「β」は駆動トランジスタTdrの利得係数である。
Iel=(β/2)(Vgs−Vth)2……(4)
図7に駆動期間P3における単位回路Uの様子を示す。この状態では、走査信号GWRT[i]、初期化信号GPRE[i]、及び補償制御信号GINI[i]がローレベルになる。したがって、トランジスタTr1がオフ状態となり、第3容量素子C3の電極Ec1がデータ線14から電気的に分離される。また、トランジスタTr2〜Tr4がオフ状態となる。一方、駆動期間P3では発光制御信号GEL[i]がハイレベルになり、トランジスタTelがオン状態に変化して駆動トランジスタTdrからゲート電位Vgに応じた大きさの駆動電流Ielが発光素子Eに供給される。駆動トランジスタTdrが飽和領域にて動作すると仮定すると、駆動電流Ielは以下の式(4)で表現される電流値となる。式(4)における「β」は駆動トランジスタTdrの利得係数である。
Iel=(β/2)(Vgs−Vth)2……(4)
駆動トランジスタTdrのソースは第1電源線401に接続されているから、式(4)における電圧Vgsはゲート電位Vgと高電源電位VELとの差分値(Vgs=VEL−Vg)である。駆動期間P3においてゲート電位Vgが式(3)で与えられることを考慮すると、式(4)は式(5)に変形される。
Iel=(β/2){VEL−(VEL−Vth−Vdata)−Vth}2
=(β/2)(Vdata)2 ……(5)
式(2)から理解されるように、駆動電流Ielは電位Vdataによって決定され、駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vthには依存しない。したがって、各単位回路Uにおける駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vthのバラツキを補償して各発光素子Eの階調(輝度)のムラを抑制することができる。
Iel=(β/2){VEL−(VEL−Vth−Vdata)−Vth}2
=(β/2)(Vdata)2 ……(5)
式(2)から理解されるように、駆動電流Ielは電位Vdataによって決定され、駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vthには依存しない。したがって、各単位回路Uにおける駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vthのバラツキを補償して各発光素子Eの階調(輝度)のムラを抑制することができる。
図1に示されるように、発光装置Dは、さらに、その駆動信号生成部Bに、各種電源を生成して単位回路Uに供給する電源回路40と、発光素子Eの駆動電流Ielの大きさを検出するための電流検出部30と、リファレンス電圧Vref(後述)を出力するリファレンス電圧発生回路60と、リファレンス電圧Vrefの設定値や各種データを記憶するメモリ70と、外部から入力された画像データDATAをデータ線駆動回路24に供給するとともに電源検出部30からの出力信号に基づいてリファレンス電圧Vrefを最適化する制御回路50とを備える。
電源回路40は、高電位電源VEL、低電位電源VCT、および初期化電位VSTを単位回路Uに供給する。電流検出部30は、電源回路40から延びて単位回路Uに低電位電源VCTを供給するための第2電源線402上に設けられ、発光素子Eの駆動電流Ielの大きさを検出する。図1に示されるように、電流検出部30は、検出回路301と、2つのスイッチング素子Tc1およびTc2を備えた切替部302とを有する。発光装置Dは、リファレンス電圧Vrefを設定する設定状態と、画像データDATAに基づく画像を表示する通常状態とで動作する。制御回路50は、設定状態において切替部302のスイッチング素子Tc1にローレベルの信号を供給してオフ状態とする一方、スイッチング素子Tc2にハイレベルの信号を供給してオン状態とする。すなわち、検出回路301を第2電源線402に介挿させる。これに対し、通常状態において、制御回路50は、切替部302のスイッチング素子Tc1にハイレベルの信号を供給してオン状態とする一方、スイッチング素子Tc2にローレベルの信号を供給してオフ状態とする。すなわち、検出回路301を第2電源線402から分離させる。
図8は、検出回路301の電気的な構成を示す回路図である。図8に示されるように、検出回路301は、差動増幅回路301aとA/D変換器301bとを備え、高電位側のノードn1と低電位側のノードn2との電位差RLを増幅してデジタル信号として出力する。この出力信号は制御回路50に供給される。
リファレンス電圧発生回路60は、画像データの指示する階調がゼロである場合の駆動電流I0の大きさを規定するリファレンス電圧Vrefを出力して、データ線駆動回路24に与える。メモリ70は、書き換え可能な不揮発性のメモリであり、例えば、EEPROM(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory)を用いることができる。メモリ70には、リファレンス電圧Vrefの初期値または設定値が記憶されている。この初期値は、例えば、単位回路Uに供給される高電位電源VELと同程度に設定される。設定値とは、初期値に基づいてリファレンス電圧Vrefを調整した後または当該調整の過程において設定された値である。
図9はリファレンス電圧発生回路60の電気的な構成を示す回路図である。図9に示されるように、リファレンス電圧発生回路60は増幅回路60aとD/A変換器60bとを備える。制御回路50は、メモリ70からリファレンス電圧Vrefの初期値または設定値を読み出し、読み出した値を示すデジタル信号を制御信号としてリファレンス電圧発生回路60に与える。リファレンス電圧発生回路60は、制御回路50から入力された制御信号をアナログ信号に変換し増幅させてリファレンス電圧Vrefとして出力する。
制御回路50は、リファレンス電圧発生回路60に制御信号を与えるとともに、画像データDATAを、クロック信号等の制御信号により指示されたタイミングでデータ線駆動回路24に対して供給する。データ線駆動回路24は、リファレンス電圧発生回路60から与えられたリファレンス電圧Vrefと画像データDATAとに基づいてデータ信号を生成する。駆動トランジスタTdrは、このデータ信号に応じた大きさの駆動電流Ielを発光素子Eに供給する。
図10は、Pチャンネルのトランジスタにおいて、ゲートに印加されたゲート電圧Vgsとソース−ドレイン間を流れる電流Idsとの関係を示したグラフである。図10から理解されるように、電流Idsが最小となるゲート電圧Vgsはトランジスタの特性のバラツキによって異なる。よって、階調がゼロ(黒表示)の場合の表示輝度が装置によってばらつく。また、ソース−ドレイン間にはトランジスタから漏出するリーク電流が常に流れるため電流Idsはゼロになることはなく、発光素子Eがその電流Idsに応じて発光してしまう。このため、従来から、任意のゼロ階調電圧(リファレンス電圧Vref)が駆動トランジスタTdrのゲートに印加された場合の発光素子の輝度を輝度計によって測定し、輝度が所定値以下となるゲート電圧Vgsを探して最適値として設定したり、暗室にて測定者が目視にて最適な輝度となるゲート電圧Vgsを最適値として設定するといったことが行われてきた。そこで、本実施形態では、発光素子Eの陰極側である第2電源線402上に電流検出部30を設ける構成とした。これにより、リファレンス電圧Vrefが任意の値に設定されたときのリーク電流も含めた駆動電流Ielの大きさを検出することができる。そして、制御回路50は、電流検出部30の出力値に基づいてゼロ階調電圧の最適値を調整することが可能となる。このように、本実施形態によれば、従来の方法と比較して、簡易且つ確実な方法でゼロ階調電圧の最適化を行うことができる。
図11は、データ線駆動回路24に入力された画像データDATAにより指定された階調と、その階調に応じて出力された出力電圧との関係を示す図である。この例では、8ビットの画像データDATAを想定している。画像データDATAは最小の階調である「0」(黒表示)から最大の階調である「255」(白表示)を指定する。図11に示されるように、階調「1」から階調「255」までは、階調と出力電圧の関係が比例関係にあり直線的に変化している。一方、階調「0」に相当する出力電圧V0(リファレンス電圧Vref)は、階調「1」〜階調「255」とは独立して設定される。より具体的には、データ線駆動回路24は画像データDATAの指定する階調「0」であることを検出して、データ信号X[1]〜X[n]としてリファレンス電圧Vrefを出力する一方、画像データDATAの指定する階調が「1」〜「255」である場合には、DA変換器(データ線駆動回路24に内蔵)を用いてアナログ信号に変換された電圧をデータ信号X[1]〜X[n]として出力する。
次に、図12を参照して、本実施形態においてリファレンス電圧を設定する動作の流れについて説明する。リファレンス電圧の設定は、通常、製品の出荷時に実行され、その結果が、不揮発性のメモリ70に記憶される。
まず、ステップS1では、制御回路50は黒階調「0」を指定する画像データDATAを出力してデータ線駆動回路24に与える。この画像データDATAは、素子アレイ部10の総ての画素に対して黒階調を指定するものであり、例えば、8個の「0」から成る8ビットのデータである。画像データDATAは外部から制御回路50に入力される。制御回路50は、外部から入力される画像データDATAをそのままデータ線駆動回路24に出力するものであるが、リファレンス電圧を設定時においては、外部から画像データDATAが供給されなくても、黒階調を指定する画像データDATA(各ビットが「0」)を生成し、これをデータ線駆動回路24に供給するようにしてもよい。この場合には、外部から画像データDATAを入力せずとも、各画素に黒階調を強制的に表示させることができる。
まず、ステップS1では、制御回路50は黒階調「0」を指定する画像データDATAを出力してデータ線駆動回路24に与える。この画像データDATAは、素子アレイ部10の総ての画素に対して黒階調を指定するものであり、例えば、8個の「0」から成る8ビットのデータである。画像データDATAは外部から制御回路50に入力される。制御回路50は、外部から入力される画像データDATAをそのままデータ線駆動回路24に出力するものであるが、リファレンス電圧を設定時においては、外部から画像データDATAが供給されなくても、黒階調を指定する画像データDATA(各ビットが「0」)を生成し、これをデータ線駆動回路24に供給するようにしてもよい。この場合には、外部から画像データDATAを入力せずとも、各画素に黒階調を強制的に表示させることができる。
次に、ステップS3において、制御回路50は、メモリ70からリファレンス電圧Vrefの初期値を読み出して当該初期値を示す制御信号をリファレンス電圧発生回路60に供給する。データ線駆動回路24は、画像データDATAとリファレンス電圧発生回路60から出力されるリファレンス電圧Vrefの初期値とに基づいて、リファレンス電圧Vrefを示すデータ信号を生成して各単位回路Uに供給する。この結果、駆動トランジスタTdrのゲートにリファレンス電圧Vrefに応じた電位が印加され、対応する電流Ielが発光素子Eを流れる。
次に、ステップS5において、制御回路50は、電流検出部30の切替部302のスイッチング素子Tc1にローレベルの信号を供給してオフ状態とする一方、スイッチング素子Tc2にハイレベルの信号を供給してオン状態とする。すなわち、検出回路301を第2電源線402に介挿させ、検出回路301に、発光素子Eの陰極から流れた電流の電流値を測定させる。次いで、制御回路50は、検出回路301の出力値が最小となるようにリファレンス電圧Vrefの設定値を調整し(ステップS7)、調整した設定値をメモリ70に記憶する(ステップS9)。
なお、実際には、ステップS7における調整は、異なる値のリファレンス電圧VrefについてステップS1〜S5の過程と検出回路301の出力値を取得する過程を繰り返すことにより行われる。
なお、実際には、ステップS7における調整は、異なる値のリファレンス電圧VrefについてステップS1〜S5の過程と検出回路301の出力値を取得する過程を繰り返すことにより行われる。
<2.変形例>
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
(1)変形例1
上記実施形態では、電流検出部30は、発光素子Eの陰極側の電源線(第2電源線402)に介挿される態様について説明したが、陽極側の電源線(第1電源線401)に介挿される構成としてもよい。
図13に、変形例1に係る発光装置の回路構成を示す。本変形例の発光装置D1において、リファレンス電圧Vrefの設定時には、トランジスタTc3がオン状態となる一方、トランジスタTc4がオフ状態となる。また、画像の表示時にはトランジスタTc4がオン状態となる一方、トランジスタTc3がオフ状態となる。これにより、検出回路301を第1電源線401に介挿するか否かを切り替えることができる。
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
(1)変形例1
上記実施形態では、電流検出部30は、発光素子Eの陰極側の電源線(第2電源線402)に介挿される態様について説明したが、陽極側の電源線(第1電源線401)に介挿される構成としてもよい。
図13に、変形例1に係る発光装置の回路構成を示す。本変形例の発光装置D1において、リファレンス電圧Vrefの設定時には、トランジスタTc3がオン状態となる一方、トランジスタTc4がオフ状態となる。また、画像の表示時にはトランジスタTc4がオン状態となる一方、トランジスタTc3がオフ状態となる。これにより、検出回路301を第1電源線401に介挿するか否かを切り替えることができる。
(2)変形例2
単位回路Uの具体的な構成は以上の例示に限定されない。例えば、単位回路Uを構成する各トランジスタの導電型は適宜に変更される。また、発光制御トランジスタTelは適宜に省略される。
図14に、本変形例に関わる発光装置の回路構成を示す。図14に示されるように、本変形例の発光装置D2は、単位回路Uの代わりに単位回路U2を有する点で上記発光装置Dと異なる。単位回路Uはしきい値補償型であるのに対し、単位回路U2は2つのトランジスタとキャパシタだけから成る単純なアクティブマトリックス型の回路である。よって、初期化電圧VSTを供給する必要がない。このため、この例の電源回路40は初期化電圧VSTを生成しない。
図15は発光装置Dにおける単位回路U2の構成を示す回路図である。図15に示されるように、本変形例に係る単位回路U2においては、上記実施形態と同様に、第1電源線401から発光素子Eの陽極に至る経路上にはpチャネル型の駆動トランジスタTdr2が介挿される。この駆動トランジスタTdr2は、キャパシタC21に保持されたデータ(電圧値)に応じた駆動電流Ielを発光素子Eに供給する。さらに、単位回路UはトランジスタTr21を有する。そのドレインは駆動トランジスタTdr2のゲートに接続され、ソースはデータ線14に接続され、ゲートは走査線12に接続される。走査線12が選択されてトランジスタTr21がオン状態となると、データ線14からのデータ(電圧値)はトランジスタTr21を介してキャパシタC21に保持される。
単位回路Uの具体的な構成は以上の例示に限定されない。例えば、単位回路Uを構成する各トランジスタの導電型は適宜に変更される。また、発光制御トランジスタTelは適宜に省略される。
図14に、本変形例に関わる発光装置の回路構成を示す。図14に示されるように、本変形例の発光装置D2は、単位回路Uの代わりに単位回路U2を有する点で上記発光装置Dと異なる。単位回路Uはしきい値補償型であるのに対し、単位回路U2は2つのトランジスタとキャパシタだけから成る単純なアクティブマトリックス型の回路である。よって、初期化電圧VSTを供給する必要がない。このため、この例の電源回路40は初期化電圧VSTを生成しない。
図15は発光装置Dにおける単位回路U2の構成を示す回路図である。図15に示されるように、本変形例に係る単位回路U2においては、上記実施形態と同様に、第1電源線401から発光素子Eの陽極に至る経路上にはpチャネル型の駆動トランジスタTdr2が介挿される。この駆動トランジスタTdr2は、キャパシタC21に保持されたデータ(電圧値)に応じた駆動電流Ielを発光素子Eに供給する。さらに、単位回路UはトランジスタTr21を有する。そのドレインは駆動トランジスタTdr2のゲートに接続され、ソースはデータ線14に接続され、ゲートは走査線12に接続される。走査線12が選択されてトランジスタTr21がオン状態となると、データ線14からのデータ(電圧値)はトランジスタTr21を介してキャパシタC21に保持される。
(3)変形例3
上述した実施形態では、リファレンス電圧Vrefの調整時の一例として、製品の出荷時を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ユーザーに製品が渡った後に実行できるようにしてもよい。例えば、発光装置に調整ボタンを設け、これがユーザーに押下げられた時に、リファレンス電圧Vrefを設定するようにしてもよい。この場合は、駆動トランジスタTdrの特性が経時変化した場合にも、リファレンス電圧Vrefを適宜調整することが可能となる。
上述した実施形態では、リファレンス電圧Vrefの調整時の一例として、製品の出荷時を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ユーザーに製品が渡った後に実行できるようにしてもよい。例えば、発光装置に調整ボタンを設け、これがユーザーに押下げられた時に、リファレンス電圧Vrefを設定するようにしてもよい。この場合は、駆動トランジスタTdrの特性が経時変化した場合にも、リファレンス電圧Vrefを適宜調整することが可能となる。
(4)変形例4
上述した実施形態では、リファレンス電圧Vrefを記憶するメモリ70を駆動信号生成部Bに設けたが、これをパネル部Aに設けてもよい。また、検出部30をパネル部Aに設けてもよい。さらに、リファレンス電圧発生回路60をパネル部Aに設けてもよい。リファレンス電圧Vrefは駆動トランジスタTdrの特性により変動するものであるため、製造されたパネル部Aごとにその値が変わる。これをパネル部A自体に保持することによって、例えば、駆動信号生成部Bが故障して交換した場合にも、再度、リファレンス電圧Vrefの設定を実行することなく、正常に動作させることが可能となる。さらに、リファレンス電圧発生回路60および検出部30をパネル部Aに組み込むことによって、パネル部Aだけでリファレンス電圧Vrefを調整することができる。この結果、調整済みのパネル部Aを出荷して、他の工場で駆動信号生成部Bと組み合わせて発光装置を完成させることも可能となる。
上述した実施形態では、リファレンス電圧Vrefを記憶するメモリ70を駆動信号生成部Bに設けたが、これをパネル部Aに設けてもよい。また、検出部30をパネル部Aに設けてもよい。さらに、リファレンス電圧発生回路60をパネル部Aに設けてもよい。リファレンス電圧Vrefは駆動トランジスタTdrの特性により変動するものであるため、製造されたパネル部Aごとにその値が変わる。これをパネル部A自体に保持することによって、例えば、駆動信号生成部Bが故障して交換した場合にも、再度、リファレンス電圧Vrefの設定を実行することなく、正常に動作させることが可能となる。さらに、リファレンス電圧発生回路60および検出部30をパネル部Aに組み込むことによって、パネル部Aだけでリファレンス電圧Vrefを調整することができる。この結果、調整済みのパネル部Aを出荷して、他の工場で駆動信号生成部Bと組み合わせて発光装置を完成させることも可能となる。
(5)変形例5
上述した実施形態において、発光素子EとしてOLED素子を例示したが、本発明の発光装置に採用される電気光学素子(被駆動素子)はこれに限定されない。例えば、OLED素子に代えて、無機EL素子や、フィールド・エミッション(FE)素子、表面導電型エミッション(SE:Surface-conduction Electron-emitter)素子、弾道電子放出(BS:Ballistic electron Surface emitting)素子、LED(Light Emitting Diode)素子といった様々な自発光素子を利用することができる。また、本発明は、バイオチップなどのセンシング装置にも適用され得る。
上述した実施形態において、発光素子EとしてOLED素子を例示したが、本発明の発光装置に採用される電気光学素子(被駆動素子)はこれに限定されない。例えば、OLED素子に代えて、無機EL素子や、フィールド・エミッション(FE)素子、表面導電型エミッション(SE:Surface-conduction Electron-emitter)素子、弾道電子放出(BS:Ballistic electron Surface emitting)素子、LED(Light Emitting Diode)素子といった様々な自発光素子を利用することができる。また、本発明は、バイオチップなどのセンシング装置にも適用され得る。
<3.応用例>
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図16ないし図18には、以上に説明した何れかの形態に係る発光装置D,D1,D2を表示装置として採用した電子機器の形態が図示されている。
図16は、以上の各形態に係る発光装置D,D1,D2を採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、各種の画像を表示する発光装置D,D1,D2と、電源スイッチ2001やキーボード2002が設置された本体部2010とを具備する。発光装置D,D1,D2はOLED素子を発光素子Eとして使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図16ないし図18には、以上に説明した何れかの形態に係る発光装置D,D1,D2を表示装置として採用した電子機器の形態が図示されている。
図16は、以上の各形態に係る発光装置D,D1,D2を採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、各種の画像を表示する発光装置D,D1,D2と、電源スイッチ2001やキーボード2002が設置された本体部2010とを具備する。発光装置D,D1,D2はOLED素子を発光素子Eとして使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
図17に、以上の各形態に係る発光装置D,D1,D2を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン3002と、各種の画像を表示する発光装置D,D1,D2とを備える。スクロールボタン3002を操作することによって、発光装置D,D1,D2に表示される画面がスクロールされる。
図18に、以上の各形態に係る発光装置D,D1,D2を適用した携帯情報端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001及び電源スイッチ4002と、各種の画像を表示する発光装置D,D1,D2とを備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が発光装置D,D1,D2に表示される。
図18に、以上の各形態に係る発光装置D,D1,D2を適用した携帯情報端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001及び電源スイッチ4002と、各種の画像を表示する発光装置D,D1,D2とを備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が発光装置D,D1,D2に表示される。
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図16から図18に示した機器のほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光書込み型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置においては、用紙などの記録材に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する書込みヘッドが使用されるが、この種の書込みヘッドとしても本発明の発光装置は利用され得る。
10……素子アレイ部、12……走査線、121……第1制御線、122……第2制御線、123……第3制御線、124……第4制御線、125……第5制御線、14……データ線、22……走査線駆動回路、24……データ線駆動回路、30……電流検出部、40……電源回路、50……制御回路、60……リファレンス電圧発生回路、60a……増幅回路、60b……D/A変換器、70……メモリ、301……検出回路、301a……差動増幅回路、301b……A/D変換器、302……切替部、401……第1電源線、402……第2電源線、A……パネル部、B……駆動信号生成部、C1……第1容量素子、C2……第2容量素子、C3……第3容量素子、D,D1,D2……発光装置、E……電気光学素子、Ea1,Ea2,Eb1,Eb2,Ec1,Ec2……電極、Iel……駆動電流、Tdr,Tdr2……駆動トランジスタ、Tel……発光制御トランジスタ、Tc1,Tc2,Tc3,Tc4,Tr1,Tr2,Tr3,Tr4,T1……トランジスタ、U,U1……単位回路、P0……初期化期間、P1……補償期間、P2……データ書込期間、P3……駆動期間、Vref……リファレンス電圧。
Claims (7)
- 複数の単位回路を備え、前記複数の単位回路の各々は駆動電流に応じた光量で発光する発光素子とデータ信号に応じた大きさの前記駆動電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタを備え、前記各発光素子は画像データの指示する階調で発光する発光装置であって、
前記画像データの指示する階調がゼロである場合の前記駆動電流の大きさを規定するリファレンス電圧を出力するリファレンス電圧発生手段と、
前記画像データと前記リファレンス電圧とに基づいて前記データ信号を生成するデータ信号生成手段と、
前記駆動電流を検出する電流検出手段と、
前記電流検出手段の出力信号に基づいて、前記駆動電流の大きさが最小となるように前記リファレンス電圧の大きさを制御する制御手段と、
を備えた発光装置。 - 前記制御手段によって制御された大きさのリファレンス電圧の値を記憶する記憶手段を備え、
前記データ信号生成手段は、前記記憶手段に記憶された前記リファレンス電圧の値と前記画像データに基づいて、前記データ信号を生成する、
請求項1に記載の発光装置。 - 前記データ信号生成手段は、前記画像データの指示する階調がゼロである場合は、前記リファレンス電圧を前記データ信号として出力し、前記画像データの指示する階調がゼロでない場合は前記画像データの指示する階調に応じた電圧を前記データ信号として出力する、
請求項1又は請求項2に記載の発光装置。 - 前記複数の単位回路の各々は、高電源電位と低電源電位との供給を受けて動作し、
前記複数の単位回路の総てに前記高電源電位を供給する第1電源線と、
前記複数の単位回路の総てに前記低電源電位を供給する第2電源線とを備え、
前記電流検出手段は、前記第1電源線と前記第2電源線のうち一方の電源線に設けられる、
請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記発光装置は、前記リファレンス電圧を設定する設定状態と、前記画像データに基づく画像を表示する通常状態で動作し、
前記電流検出手段は、前記一方の電源線に流れる電流を検出する検出部と、前記検出部を前記一方の電源線に介挿するか分離するかを切り替える切替部とを備え、
前記制御手段は、前記設定状態においてゼロの階調を示す前記画像データを前記データ信号生成手段に供給すると共に前記検出部を前記一方の電源線に介挿し、前記通常状態において前記一方の電源線から前記検出部を分離するように前記切替部を制御すると共に入力される画像データを前記データ信号生成手段に供給する、
請求項4に記載の発光装置。 - 請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
- 複数の単位回路を備え、前記複数の単位回路の各々は駆動電流に応じた光量で発光する発光素子と、データ信号に応じた大きさの前記駆動電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスタを備え、前記各発光素子は画像データの指示する階調で発光する発光装置において、前記画像データの指示する階調がゼロである場合の前記駆動電流の大きさを規定するリファレンス電圧を設定するリファレンス電圧設定方法であって、
前記リファレンス電圧を前記データ信号として前記複数の単位回路に供給するステップと、
前記複数の単位回路に流れる前記駆動電流の大きさを検出するステップと、
前記複数の単位回路に流れる前記駆動電流の大きさが最小になるように前記リファレンス電圧の大きさを調整して、当該リファレンス電圧を記憶するステップとを、
備えるリファレンス電圧設定方法。
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2008
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