JP2009194337A - 光半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光半導体パッケージ10は、キャンパッケージ12と、円筒状の樹脂からなるハウジング14と、ハウジング14を構成する材料と異なる材料で形成されハウジング14内に収容されるレンズ部材16とを有する。ハウジング14の第1の端部14aには、VCSEL30を含むキャンパッケージ12が結合され、第2の端部14bには、光ファイバ20が結合される。レンズ部材16は、ハウジング14の内壁14h、14iに接着剤等より固定されている。パッケージが高温になると、ハウジング14とレンズ部材16の熱膨張率の差により生じた熱応力がレンズ部材16に与えられ、レンズ部材16の屈折率が大きくなる。これにより、光ファイバ20の光結合の損失が抑制され、パッケージからの光出力の低下が抑制される。
【選択図】図1
Description
14:ハウジング 14a:第1の端部
14b:第2の端部 14c:内部空間
14d:第1の開口 14e:第2の開口
14f:段差面 14g:係止部
14h:内壁 14i:内壁
16:レンズ部材 18:フェルール
20:光ファイバ 20a:コア
30:VCSEL 32:ステム
34:キャップ 34a:平板ガラス
36:リード端子 40:入射面
42:平坦な面 44:第1の接触面
46:第2の接触面 48:第3の接触面
50:出射面 52、54:突出部
60:樹脂パッケージ 62:樹脂
64:出射面 66:外周面
Claims (10)
- 第1の熱膨張係数を有する第1の樹脂から形成され、第1の端部と当該第1の端部と対向する第2の端部とを有し、第1および第2の端部にはそれぞれ第1および第2の開口部が形成され、第1の端部と第2の端部の間には内部空間が形成されているハウジングと、
半導体レーザ素子を支持する支持部材と、
第1の熱膨張係数と異なる第2の熱膨張係数を有する光透過性の第2の樹脂から形成され、前記ハウジングの内壁の一部と接触するように前記内部空間内に配されたレンズ部材とを有し、
前記支持部材は、前記半導体レーザ素子が前記第1の開口部内に位置するように前記第1の端部に結合され、
前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光はレンズ部材を透過して前記第2の開口部へ導かれる、光半導体パッケージ。 - 前記レンズ部材は、前記支持部材上の半導体レーザ素子を封止する、請求項1に記載の光半導体パッケージ。
- 前記第1の樹脂は、エポキシ樹脂であり、前記第2の樹脂は、ポリカーボネートである、請求項1または2に記載の光半導体パッケージ。
- 前記第1の樹脂は、シリコーン樹脂であり、前記第2の樹脂は、ポリカーボネートである、請求項1または2に記載の光半導体パッケージ。
- 前記第1の樹脂の第1の熱膨張係数は、前記第2の樹脂の第2の熱膨張係数よりも大きく、前記ハウジングと前記レンズ部材の熱膨張係数の差により前記レンズ部材に応力が与えられたとき、前記第2の樹脂の屈折率は大きくなる、請求項1または2に記載の光半導体パッケージ。
- 前記第2の樹脂は、光弾性係数が30×10−12/Pa以上であり、屈折率の変化は、0.003以上である、請求項5に記載の光半導体パッケージ。
- 前記レンズ部材は、前記半導体レーザ素子からのレーザ光を入射する入射面と、当該入射面に対向する出射面と、前記入射面と前記出射面とを連結する外周面とを含み、前記外周面は、前記ハウジングの内壁の一部と接触する、請求項1または2に記載の光半導体パッケージ。
- 前記外周面は、前記内壁の一部に接着剤により固着されている、請求項7に記載の光半導体パッケージ。
- 前記第2の開口部には、光ファイバが結合される、請求項1または2に記載の光半導体パッケージ。
- 前記半導体レーザ素子は、マルチモードのレーザ光を出射する面発光型半導体レーザである、請求項1ないし9いずれか1つに記載の光半導体パッケージ。
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---|---|---|---|---|
JP2016130669A (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 株式会社リコー | 光学センサ、光学検査装置、及び光学特性検出方法 |
WO2017038534A1 (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 株式会社村田製作所 | 送信側光通信モジュール及び光通信装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08313774A (ja) * | 1995-05-18 | 1996-11-29 | Nec Corp | プラスチック製コリメートレンズを有するコリメ ート装置 |
JPH11174282A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Micro Opt:Kk | 光モジュール |
JP2001188151A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-07-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光モジュール |
JP2005165088A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 光半導体装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08313774A (ja) * | 1995-05-18 | 1996-11-29 | Nec Corp | プラスチック製コリメートレンズを有するコリメ ート装置 |
JPH11174282A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Micro Opt:Kk | 光モジュール |
JP2001188151A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-07-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光モジュール |
JP2005165088A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 光半導体装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016130669A (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 株式会社リコー | 光学センサ、光学検査装置、及び光学特性検出方法 |
WO2017038534A1 (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 株式会社村田製作所 | 送信側光通信モジュール及び光通信装置 |
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