JP2009194253A - Method of manufacturing light-emitting element array chip, micro-lens molding die, light-emitting element head, and image forming apparatus - Google Patents

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恭久 太田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a light-emitting element array chip, and the like, in which high precision is achieved with respect to thickness, protrusion of a transparent resin is suppressed and a micro-lens including a suitable pattern can be formed in a light emitting element. <P>SOLUTION: The method of manufacturing a light-emitting element array chip 100 is characterized in that a micro-lens 103 is formed in an LED 102 by pressing a micro-lens molding die 200 onto a light-curing resin 302, measuring thickness of the micro-lens 103 by means of a spacer 205a and curing a light-curing resin 302, the micro-lens molding die 200 including a substrate; a plurality of holes 204 formed on a surface of the substrate and having a transferred shape of the micro-lens 103; and the spacer 205a formed in an outer circumferential area of the holes 204 and constituted of a metal thin film. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光素子アレイチップの製造方法等に関し、特に発光素子にマイクロレンズを形成した発光素子アレイチップの製造方法等に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting element array chip, and more particularly to a method for manufacturing a light emitting element array chip in which a microlens is formed on a light emitting element.

電子写真方式を採用した、プリンタや複写機、ファクシミリ等の画像形成装置では、一様に帯電された感光体上に、画像情報を光記録手段によって照射することにより静電潜像を得た後、この静電潜像にトナーを付加して可視化し、記録紙上に転写して定着することによって画像形成が行なわれる。かかる光記録手段として、レーザを用いて主走査方向にレーザ光を走査させて露光する光走査方式の他、近年では、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)アレイ光源を主走査方向に多数、配列してなるLEDヘッドを用いた光記録手段が採用されている。   In image forming apparatuses such as printers, copiers, and facsimiles that employ an electrophotographic method, after obtaining an electrostatic latent image by irradiating image information onto a uniformly charged photoreceptor by optical recording means The electrostatic latent image is visualized by adding toner, and the image is formed by transferring and fixing on the recording paper. As such an optical recording means, in addition to an optical scanning method in which laser light is scanned in the main scanning direction for exposure and in recent years, a number of LED (Light Emitting Diode) array light sources are arranged in the main scanning direction in recent years. An optical recording means using the LED head thus formed is employed.

このLEDアレイ光源を用いた画像形成装置は、光走査方式の画像形成装置に比べて、スキャンする空間が不要となり、駆動系が不要となることから、画像形成装置全体が小型化し、信頼性が向上するという利点がある。また、振動や熱による光学系の変形に強いという利点もある。   The image forming apparatus using the LED array light source does not require a scanning space and does not require a drive system, as compared with an optical scanning type image forming apparatus, so that the entire image forming apparatus is downsized and reliable. There is an advantage of improvement. In addition, there is an advantage that it is resistant to deformation of the optical system due to vibration and heat.

一方、LEDアレイ光源における各LED素子は、光の放射角が広いので感光ドラムに対して、効率よく光を入射させにくい。この点を解決するため、例えば特許文献1では、各LED素子に対応させたマイクロレンズを組み込んだ発光素子アレイが提案されている。   On the other hand, since each LED element in the LED array light source has a wide light emission angle, it is difficult for light to efficiently enter the photosensitive drum. In order to solve this point, for example, Patent Document 1 proposes a light emitting element array in which a microlens corresponding to each LED element is incorporated.

このマイクロレンズを成形する際に、マイクロレンズを形成する樹脂等の厚さは、高い精度が要求される。この精度を実現するための方法として、例えば特許文献2では、スタンパ型、樹脂材料、光照射装置を用いて光学基材上に回折格子となるレリーフパターン転写面と外周部に樹脂の流出可能な隙間を持つ第1の成形支持部と、外周部で樹脂の流出を抑止可能な第2の成形支持部を第1の成形支持部より僅か数μm高く構成してレプリカ成形し、基板上の第1の成形支持部上を覆うようにリング状部材を配置して、特に第1の成形支持部上は強固な部材と二体構成とし、平坦化圧力を付与する光学素子の製造方法が開示されている。   When molding the microlens, high accuracy is required for the thickness of the resin or the like forming the microlens. As a method for realizing this accuracy, for example, in Patent Document 2, a stamper mold, a resin material, and a light irradiation device can be used to allow a resin to flow out to a relief pattern transfer surface that becomes a diffraction grating on an optical substrate and an outer peripheral portion. The first molding support part having a gap and the second molding support part capable of suppressing the outflow of the resin at the outer peripheral part are configured to be only a few μm higher than the first molding support part, and replica molding is performed. An optical element manufacturing method is disclosed in which a ring-shaped member is disposed so as to cover one molding support portion, and in particular, the first molding support portion is configured as a two-body structure with a strong member and applies a flattening pressure. ing.

また、特許文献3では、凹曲面を有する複数の凹部が形成された透明基板と、かかる透明基板の凹部が設けられた面に樹脂層を介して接合された表層と、樹脂層の厚みを規定する球状粒子で構成されているスペーサーとを有するマイクロレンズ基板を使用し、そして、樹脂層では、凹部内に充填された樹脂によりマイクロレンズが形成されるマイクロレンズ基板が開示されている。   In Patent Document 3, a transparent substrate having a plurality of concave portions having a concave curved surface, a surface layer bonded to the surface of the transparent substrate provided with the concave portions via a resin layer, and the thickness of the resin layer are defined. A microlens substrate having a spacer made of spherical particles is used, and in the resin layer, a microlens substrate is disclosed in which a microlens is formed by a resin filled in a recess.

特開平6−24042号公報Japanese Patent Laid-Open No. 6-24042 特開2006−95722号公報JP 2006-95722 A 特開2001−188107号公報JP 2001-188107 A

マイクロレンズを形成する樹脂の厚みを規定するのにスペーサを用いる方式では、そのスペーサの厚さに高い精度が求められると共に樹脂のはみ出しを防止する機能も求められる。
本発明の目的は、厚さに対し高い精度を有し、また樹脂のはみ出しを抑制して適切なパターンを有するマイクロレンズを発光素子に形成することができる発光素子アレイチップの製造方法等を提供することにある。
In the method using a spacer to define the thickness of the resin forming the microlens, high accuracy is required for the thickness of the spacer and a function for preventing the resin from protruding is required.
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a light-emitting element array chip and the like that can form a microlens having an appropriate pattern on the light-emitting element with high accuracy with respect to the thickness and suppressing protrusion of resin. There is to do.

請求項1に係る発明は、
基板と、当該基板の表面に形成されマイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され金属薄膜からなるスペーサ部とを有するマイクロレンズ成形型を透明樹脂に押圧し、
前記スペーサ部により前記マイクロレンズの厚さを規定し、
前記透明樹脂を硬化させることで、発光素子に前記マイクロレンズを形成することを特徴とする発光素子アレイチップの製造方法である。
The invention according to claim 1
A microlens mold having a substrate, a plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a transfer shape in the shape of a microlens, and a spacer formed of a metal thin film formed in an outer peripheral region of the hole is a transparent resin. Press to
The spacer portion defines the thickness of the microlens,
A method of manufacturing a light-emitting element array chip, wherein the microlens is formed on a light-emitting element by curing the transparent resin.

請求項2に係る発明は、
前記マイクロレンズ成形型は矩形形状をなし、
前記孔部は、前記矩形の長辺に沿って直線状に配列し、
前記スペーサ部は、直線状に配列する前記孔部の端部であって、前記矩形の短辺側に配されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
請求項3に係る発明は、
前記孔部は、前記矩形の一方の長辺側に配列し、
前記スペーサ部は、前記矩形の他方の長辺側に更に配されることを特徴とする請求項2に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
請求項4に係る発明は、
前記スペーサ部は、複数の領域に分割して配されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
請求項5に係る発明は、
前記基板は、前記孔部の外周領域に更に凹部を有し、
前記スペーサ部は、前記凹部に配されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
請求項6に係る発明は、
前記透明樹脂は、光硬化性樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
請求項7に係る発明は、
前記発光素子アレイチップは、自己走査型発光素子アレイチップであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
The invention according to claim 2
The microlens mold has a rectangular shape,
The holes are arranged linearly along the long side of the rectangle,
2. The method of manufacturing a light emitting element array chip according to claim 1, wherein the spacer part is an end part of the hole part arranged in a straight line and is arranged on a short side of the rectangle. 3. .
The invention according to claim 3
The holes are arranged on one long side of the rectangle,
The method of manufacturing a light emitting element array chip according to claim 2, wherein the spacer portion is further arranged on the other long side of the rectangle.
The invention according to claim 4
The method of manufacturing a light emitting element array chip according to claim 1, wherein the spacer portion is divided into a plurality of regions.
The invention according to claim 5
The substrate further has a recess in the outer peripheral region of the hole,
The method of manufacturing a light emitting element array chip according to claim 1, wherein the spacer portion is disposed in the concave portion.
The invention according to claim 6
The method for manufacturing a light-emitting element array chip according to claim 1, wherein the transparent resin is a photocurable resin.
The invention according to claim 7 provides:
2. The method of manufacturing a light emitting element array chip according to claim 1, wherein the light emitting element array chip is a self-scanning light emitting element array chip.

請求項8に係る発明は、
基板と、
前記基板の表面に形成され、マイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、
前記孔部の外周領域に形成され、前記マイクロレンズの厚さを規定する金属薄膜からなるスペーサ部と、
を有することを特徴とするマイクロレンズ成形型である。
The invention according to claim 8 provides:
A substrate,
A plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a microlens-shaped transfer shape;
A spacer portion formed of a metal thin film that is formed in an outer peripheral region of the hole portion and defines a thickness of the microlens;
It is a microlens shaping | molding die characterized by having.

請求項9に係る発明は、
前記マイクロレンズ成形型は矩形形状をなし、
前記スペーサ部は、前記矩形の短辺側に沿って配されることを特徴とする請求項8に記載のマイクロレンズ成形型である。
The invention according to claim 9 is:
The microlens mold has a rectangular shape,
The microlens molding die according to claim 8, wherein the spacer portion is disposed along a short side of the rectangle.

請求項10に係る発明は、
発光素子アレイチップを主走査方向に複数配列してなる発光素子アレイと、
前記発光素子アレイの光出力を結像させる光学素子と、を有し、
前記発光素子アレイチップは、
基板と、当該基板の表面に形成され、マイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され金属薄膜からなるスペーサ部とを有するマイクロレンズ成形型を透明樹脂に押圧し、当該スペーサ部により当該マイクロレンズの厚さを規定し、当該透明樹脂を硬化させることで形成したマイクロレンズを有する発光素子を備えることを特徴とする発光素子ヘッドである。
The invention according to claim 10 is:
A light emitting element array in which a plurality of light emitting element array chips are arranged in the main scanning direction;
An optical element for imaging the light output of the light emitting element array,
The light emitting element array chip is:
Transparent microlens mold having a substrate, a plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a transfer shape in the shape of a microlens, and a spacer formed of a metal thin film formed in an outer peripheral region of the hole A light-emitting element head comprising a light-emitting element having a microlens formed by pressing a resin, defining a thickness of the microlens by the spacer portion, and curing the transparent resin.

請求項11に係る発明は、
トナー像を形成させるトナー像形成手段と、
前記トナー像を記録媒体に転写する転写手段と、
前記トナー像を記録媒体に定着する定着手段と、を有し、
前記トナー像形成手段は、
基板と、当該基板の表面に形成され、マイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され金属薄膜からなるスペーサ部とを有するマイクロレンズ成形型を透明樹脂に押圧し、当該スペーサ部により当該マイクロレンズの厚さを規定し、当該透明樹脂を硬化させることで、発光素子にマイクロレンズを形成した発光素子ヘッドを備えることを特徴とする画像形成装置である。
The invention according to claim 11 is:
Toner image forming means for forming a toner image;
Transfer means for transferring the toner image to a recording medium;
Fixing means for fixing the toner image to a recording medium,
The toner image forming unit includes:
Transparent microlens mold having a substrate, a plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a transfer shape in the shape of a microlens, and a spacer formed of a metal thin film formed in an outer peripheral region of the hole An image forming apparatus comprising a light emitting element head in which a microlens is formed on a light emitting element by pressing the resin, defining the thickness of the microlens by the spacer portion, and curing the transparent resin. is there.

請求項1の発明によれば、スペーサ部を金属薄膜とすることで、樹脂のはみ出しを抑制し適切なパターンを有するマイクロレンズを発光素子に形成した発光素子アレイチップを製造できる。
請求項2の発明によれば、矩形状のマイクロレンズ成形型の短辺側にスペーサ部を配することで、ボンディングパッド等へのはみ出しを抑制し、より適切なパターンを有するマイクロレンズを発光素子に形成することができる。
請求項3の発明によれば、矩形状のマイクロレンズ成形型の一方の長辺側にスペーサ部を配することで、厚さに対しより高い精度を有するマイクロレンズを発光素子に形成することができる。
請求項4の発明によれば、スペーサ部を分割して配することで、より自由度の高いスペーサ部を配置することができ、これにより厚さに対しより高い精度を有するマイクロレンズが形成できる。また、より発光素子の占有面積を大きくすることができる発光素子アレイチップを製造することができる。
請求項5の発明によれば、スペーサ部を基板に形成した凹部に配することで、スペーサ部の厚さを薄くでき、よってより薄い厚さを有するマイクロレンズを形成することができる。
請求項6の発明によれば、透明樹脂として光硬化性樹脂を使用することで、より簡単にマイクロレンズを発光素子に形成することができる。
請求項7の発明によれば、発光素子アレイチップを自己走査型発光素子アレイチップとすることで、よりその大きさが小さい発光素子アレイチップを製造することができる。
請求項8の発明によれば、スペーサ部を金属薄膜で形成することにより、厚さに対しより精度が高く、また樹脂のはみ出しを抑制して適切なパターンを有するマイクロレンズを形成することができ、そして、より設計の自由度の高いスペーサ部を配置することができるマイクロレンズ成形型を実現することができる。
請求項9の発明によれば、矩形状のマイクロレンズ成形型の短辺側に沿ってスペーサ部を配することで、より簡単に樹脂のはみ出しを抑制して適切なパターンを有するマイクロレンズを形成することができる。
請求項10の発明によれば、厚さに対しより精度の高いマイクロレンズを発光素子に形成することができるため、より光出力の強度が大きい発光素子ヘッドが実現できる。
請求項11の発明によれば、より光出力の強度が大きい発光素子ヘッドを備えることができるため、より高い画質を有する画像形成装置が実現できる。
According to the first aspect of the present invention, it is possible to manufacture a light emitting element array chip in which microlenses having an appropriate pattern are formed on a light emitting element by suppressing the protrusion of the resin by using a metal thin film as the spacer portion.
According to the second aspect of the present invention, by arranging the spacer portion on the short side of the rectangular microlens molding die, the protrusion to the bonding pad or the like is suppressed, and the microlens having a more appropriate pattern is formed as the light emitting element. Can be formed.
According to the invention of claim 3, by providing the spacer portion on one long side of the rectangular microlens molding die, a microlens having higher accuracy with respect to the thickness can be formed in the light emitting element. it can.
According to the invention of claim 4, by dividing the spacer portion, the spacer portion having a higher degree of freedom can be arranged, thereby forming a microlens having higher accuracy with respect to the thickness. . In addition, it is possible to manufacture a light emitting element array chip that can further increase the area occupied by the light emitting elements.
According to the invention of claim 5, by arranging the spacer portion in the concave portion formed in the substrate, the thickness of the spacer portion can be reduced, and thus a microlens having a thinner thickness can be formed.
According to the sixth aspect of the present invention, the microlens can be easily formed on the light emitting element by using the photocurable resin as the transparent resin.
According to the seventh aspect of the present invention, a light emitting element array chip having a smaller size can be manufactured by using the light emitting element array chip as a self-scanning light emitting element array chip.
According to the invention of claim 8, by forming the spacer portion with a metal thin film, it is possible to form a microlens having an appropriate pattern with higher accuracy with respect to the thickness and suppressing protrusion of the resin. In addition, it is possible to realize a microlens mold in which a spacer portion with a higher degree of design freedom can be arranged.
According to the ninth aspect of the present invention, by arranging the spacer portion along the short side of the rectangular microlens molding die, the microlens having an appropriate pattern can be formed more easily by suppressing the protrusion of the resin. can do.
According to the invention of claim 10, since the microlens with higher accuracy with respect to the thickness can be formed on the light emitting element, a light emitting element head with higher light output intensity can be realized.
According to the eleventh aspect of the present invention, it is possible to provide a light emitting element head having a higher intensity of light output, so that an image forming apparatus having higher image quality can be realized.

以下、本発明を実施するための最良の形態(実施の形態)について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。また、使用する図面は、本実施の形態を説明するために使用するものであり、実際の大きさを表すものではない。   Hereinafter, the best mode (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and can be implemented with various modifications within the scope of the gist. Further, the drawings used are used for explaining the present embodiment, and do not represent actual sizes.

図1は本実施の形態が適用される画像形成装置の全体構成を示した図である。
図1に示す画像形成装置1は、一般にタンデム型と呼ばれる画像形成装置であって、各色の階調データに対応して画像形成を行う画像プロセス系10、画像プロセス系10を制御する画像出力制御部30、例えばパーソナルコンピュータ(PC)2や画像読取装置(IIT:Image Input Terminal)3に接続され、これらから受信された画像データに対して所定の画像処理を施す画像処理部(IPS:Image Processing System)40を備えている。
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an image forming apparatus to which the exemplary embodiment is applied.
An image forming apparatus 1 shown in FIG. 1 is an image forming apparatus generally called a tandem type, and performs image formation corresponding to gradation data of each color, and image output control for controlling the image process system 10. An image processing unit (IPS: Image Processing) which is connected to a unit 30, for example, a personal computer (PC) 2 or an image reading device (IIT: Image Input Terminal) 3 and performs predetermined image processing on image data received therefrom. System) 40.

画像プロセス系10は、水平方向に一定の間隔を置いて並列的に配置される複数のエンジンからなるトナー像形成手段の一例としての画像形成ユニット11を備えている。この画像形成ユニット11は、イエロー(Y)、マゼンタ(M)、シアン(C)、黒(K)の4つの画像形成ユニット11Y,11M,11C,11Kから構成されており、夫々、静電潜像を形成してトナー像を形成させる像保持体(感光体)である感光体ドラム12、感光体ドラム12の表面を一様に帯電する帯電器13、帯電器13によって帯電された感光体ドラム12を露光する発光装置である発光素子ヘッド14、発光素子ヘッド14によって得られた潜像を現像する現像器15を備えている。また、画像プロセス系10は、各画像形成ユニット11Y,11M,11C,11Kの感光体ドラム12にて画像形成された各色のトナー像を記録媒体の一例としての記録用紙に多重転写させるために、この記録用紙を搬送する用紙搬送ベルト21、用紙搬送ベルト21を駆動させるロールである駆動ロール22、感光体ドラム12のトナー像を記録用紙に転写させる転写手段の一例としての転写ロール23を備えている。   The image processing system 10 includes an image forming unit 11 as an example of a toner image forming unit including a plurality of engines arranged in parallel at a constant interval in the horizontal direction. The image forming unit 11 is composed of four image forming units 11Y, 11M, 11C, and 11K of yellow (Y), magenta (M), cyan (C), and black (K). A photosensitive drum 12 which is an image holding member (photosensitive member) for forming an image by forming an image, a charger 13 for uniformly charging the surface of the photosensitive drum 12, and a photosensitive drum charged by the charger 13 The light emitting device head 14 is a light emitting device that exposes a light source 12, and a developing device 15 that develops a latent image obtained by the light emitting device head 14. Further, the image process system 10 multiplex-transfers each color toner image formed on the photosensitive drum 12 of each image forming unit 11Y, 11M, 11C, 11K onto a recording sheet as an example of a recording medium. A sheet conveying belt 21 that conveys the recording sheet, a driving roll 22 that is a roll for driving the sheet conveying belt 21, and a transfer roll 23 as an example of a transfer unit that transfers the toner image on the photosensitive drum 12 to the recording sheet are provided. Yes.

各画像形成ユニット11Y,11M,11C,11Kは、現像器15に収納されたトナーを除き、ほぼ同様な構成を備えている。PC2やIIT3から入力された画像信号は、画像処理部40によって画像処理が施され、インタフェースを介して各画像形成ユニット11Y,11M,11C,11Kに供給される。画像プロセス系10は、画像出力制御部30から供給された同期信号等の制御信号に基づいて動作する。まず、イエローの画像形成ユニット11Yでは、帯電器13により帯電された感光体ドラム12の表面に、画像処理部40から得られた画像信号に基づき、発光素子ヘッド14によって静電潜像を形成する。形成された静電潜像に対して現像器15によってイエローのトナー像を形成し、形成されたイエローのトナー像は、図の矢印方向に回動する用紙搬送ベルト21上の記録用紙に転写ロール23を用いて転写される。同様にして、マゼンタ、シアン、黒のトナー像が各々の感光体ドラム12上に形成され、用紙搬送ベルト21上の記録用紙に転写ロール23を用いて多重転写される。多重転写された記録用紙上のトナー像は、定着手段の一例としての定着器24に搬送されて、熱および圧力によって記録用紙に定着される。   The image forming units 11Y, 11M, 11C, and 11K have substantially the same configuration except for the toner stored in the developing device 15. Image signals input from the PC 2 or IIT 3 are subjected to image processing by the image processing unit 40 and supplied to the image forming units 11Y, 11M, 11C, and 11K through the interface. The image process system 10 operates based on a control signal such as a synchronization signal supplied from the image output control unit 30. First, in the yellow image forming unit 11Y, an electrostatic latent image is formed by the light emitting element head 14 on the surface of the photosensitive drum 12 charged by the charger 13 based on the image signal obtained from the image processing unit 40. . A yellow toner image is formed on the formed electrostatic latent image by the developing device 15, and the formed yellow toner image is transferred to a recording sheet on a sheet conveying belt 21 that rotates in the direction of the arrow in the figure. 23 is transferred. Similarly, magenta, cyan, and black toner images are formed on the respective photosensitive drums 12 and are multiple-transferred onto the recording paper on the paper transport belt 21 using the transfer roll 23. The multiple transferred toner image on the recording paper is conveyed to a fixing device 24 as an example of a fixing unit, and is fixed on the recording paper by heat and pressure.

図2は、本実施の形態が適用される発光素子ヘッド14の構成を示した図である。
発光素子ヘッド14は、記録素子(発光素子)として多数のLEDが配列された発光素子アレイ51、発光素子アレイ51を支持すると共に発光素子アレイ51の駆動を制御するための回路が形成されたプリント基板52、各LEDから出射された光出力を感光体ドラム12上に結像させる光学素子であるセルフォックレンズアレイ(SLA:登録商標)53を備え、プリント基板52およびセルフォックレンズアレイ53は、ハウジング54に保持されている。発光素子アレイ51は、LEDが主走査方向に画素数分、配列されたものからなる。例えば、A3サイズの短手(297mm)を主走査方向とする場合、600dpiの解像度では、約42.3μm毎に7040個のLEDが配列されることになる。なお、本実施の形態では、LEDが一直線上に並べられており、実際にはサイドレジずれ等を考慮して7680個のLEDが配列されている。
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the light emitting element head 14 to which the exemplary embodiment is applied.
The light emitting element head 14 supports the light emitting element array 51 in which a large number of LEDs are arranged as a recording element (light emitting element), and a print on which a circuit for controlling the driving of the light emitting element array 51 is formed. The substrate 52 includes a SELFOC lens array (SLA: registered trademark) 53 that is an optical element that forms an image of the light output emitted from each LED on the photosensitive drum 12, and the printed circuit board 52 and the SELFOC lens array 53 include: It is held by the housing 54. The light emitting element array 51 includes LEDs arranged in the number of pixels in the main scanning direction. For example, when an A3 size short (297 mm) is used as the main scanning direction, 7040 LEDs are arranged at intervals of about 42.3 μm at a resolution of 600 dpi. In the present embodiment, the LEDs are arranged in a straight line, and in fact, 7680 LEDs are arranged in consideration of a side registration shift or the like.

図3は、発光素子アレイ51の構造を説明した概略図である。
図3に示した発光素子アレイ51は、複数の発光素子アレイチップ100が主走査方向に千鳥状に配列する。
発光素子アレイチップ100は、矩形形状であり両側に配線等を行うスペースであるボンディングパッド101を備える。このようにボンディングパッド101を配すれば、ほぼボンディングパッド101自体が必要とする幅までチップ幅を小さくできる利点がある。
また発光素子アレイチップ100において両側のボンディングパッド101に挟まれる領域には、発光素子であるLED102が主走査方向である矩形の長辺に沿って直線状に等間隔で配列する。ここで、LED102は、発光素子アレイチップ100の長辺の一方に寄せて配置される。そして奇数番の発光素子アレイチップ100と偶数番の発光素子アレイチップ100とは、LED102が向かい合わせになるように、また、ボンディングパッド101を重ねるようにして配置される。このような配置により全てのLED102を、主走査方向に対し等間隔に並べて配置することができる。
また各LED102上には図示しないマイクロレンズ103が取り付けられている。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the structure of the light emitting element array 51.
In the light emitting element array 51 shown in FIG. 3, a plurality of light emitting element array chips 100 are arranged in a staggered pattern in the main scanning direction.
The light emitting element array chip 100 has a rectangular shape and includes bonding pads 101 which are spaces for wiring and the like on both sides. By providing the bonding pad 101 in this way, there is an advantage that the chip width can be reduced to a width almost required by the bonding pad 101 itself.
In the region between the bonding pads 101 on both sides of the light emitting element array chip 100, the LEDs 102 as light emitting elements are arranged linearly at equal intervals along the long side of the rectangle in the main scanning direction. Here, the LED 102 is arranged close to one of the long sides of the light emitting element array chip 100. The odd-numbered light-emitting element array chip 100 and the even-numbered light-emitting element array chip 100 are arranged so that the LEDs 102 face each other and the bonding pads 101 are overlapped. With this arrangement, all the LEDs 102 can be arranged at equal intervals in the main scanning direction.
A microlens 103 (not shown) is attached on each LED 102.

図4(a)〜(b)は、発光素子アレイチップ100の構造を説明した図である。
図4(a)は、発光素子アレイチップ100をLED102の光が出射する方向から見た図である。また図4(b)は、図4(a)のA−A断面図である。
上述の通り、発光素子アレイチップ100には、その両側にボンディングパッド101が配され、また両側のボンディングパッド101に挟まれる領域には、LED102が直線状に等間隔に配されている。そして、それぞれのLED102には光が出射する側にマイクロレンズ103が形成されている。このマイクロレンズ103は、LED102から出射した光を集光し、感光体ドラム12(図2参照)に対して、効率よく光を入射させることができる。
このマイクロレンズ103は、光硬化性樹脂等の透明樹脂からなり、より効率よく光を集光するためその表面は非球面形状をとることが好ましい。また、マイクロレンズ103の大きさ、厚さ、焦点距離等は、使用されるLED102の波長、使用される光硬化性樹脂の屈折率等により適宜決定される。
4A and 4B are diagrams illustrating the structure of the light emitting element array chip 100. FIG.
FIG. 4A is a view of the light emitting element array chip 100 as seen from the direction in which the light of the LED 102 is emitted. Moreover, FIG.4 (b) is AA sectional drawing of Fig.4 (a).
As described above, the bonding pads 101 are arranged on both sides of the light emitting element array chip 100, and the LEDs 102 are arranged linearly at equal intervals in a region sandwiched between the bonding pads 101 on both sides. Each LED 102 is formed with a microlens 103 on the light emitting side. The microlens 103 condenses the light emitted from the LED 102 and can efficiently make the light incident on the photosensitive drum 12 (see FIG. 2).
The microlens 103 is made of a transparent resin such as a photocurable resin, and the surface thereof preferably has an aspherical shape in order to collect light more efficiently. Further, the size, thickness, focal length, and the like of the microlens 103 are appropriately determined depending on the wavelength of the LED 102 used, the refractive index of the photocurable resin used, and the like.

なお、本実施の形態では、発光素子アレイチップ100として自己走査型発光素子アレイを使用するのが好ましい。自己走査型発光素子アレイは、発光素子アレイの構成要素としてpnpn構造を持つ発光サイリスタを用い、発光素子の自己走査が実現できるように構成したものであり、特開平1−238962号公報、特開平2−14584号公報、特開平2−92650号公報、特開平2−92651号公報に開示されている。また、特開平2−263668号公報には、転送素子アレイを転送部として、発光部である発光素子アレイと分離した構造の自己走査型発光素子アレイが開示されている。   In the present embodiment, it is preferable to use a self-scanning light emitting element array as the light emitting element array chip 100. The self-scanning light-emitting element array uses a light-emitting thyristor having a pnpn structure as a constituent element of the light-emitting element array, and is configured to realize self-scanning of the light-emitting element. No. 2-14584, JP-A-2-92650, and JP-A-2-92651. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-263668 discloses a self-scanning light emitting element array having a structure separated from a light emitting element array as a light emitting part using the transfer element array as a transfer part.

図5は、分離タイブの自己走査型発光素子アレイの等価回路図である。この自己走査
型発光素子アレイは、転送用サイリスタT,T,T,…、書込み用発光サイリスタL,L,L,…からなる。転送部の構成は、ダイオード接続を用いている。VGKは電源(通常5V)であり、電源ライン72から各負荷抵抗Rを経て各転送用サイリスタのゲート電極G,G,G,…に接続されている。また、転送用サイリスタのゲート電極G,G,G,…は、書込み用発光サイリスタのゲート電極にも接続される。転送用サイリスタTのゲート電極にはスタートパルスφが加えられ、転送用サイリスタのアノード電極には、交互に転送用クロックパルスφ1,φ2が加えられる。これらクロックパルスφ1,φ2は、クロックパルスライン74,76を経て供給される。書込み用発光サイリスタのアノード電極には、信号ライン78を経て、書込み信号φが加えられている。
FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of a self-scanning light emitting element array of a separate type. This self-scanning light emitting element array includes transfer thyristors T 1 , T 2 , T 3 ,... And write light emitting thyristors L 1 , L 2 , L 3 ,. The configuration of the transfer unit uses a diode connection. V GK is a power supply (usually 5 V), and is connected to the gate electrodes G 1 , G 2 , G 3 ,... Of each transfer thyristor through the load resistance RL from the power line 72. Further, the gate electrodes G 1 , G 2 , G 3 ,... Of the transfer thyristor are also connected to the gate electrode of the write light-emitting thyristor. The gate electrode of the transfer thyristor T 1 is the start pulse phi S is applied to the anode electrode of the transfer thyristor, transfer clock pulses φ1 alternately, .phi.2 is applied. These clock pulses φ 1 and φ 2 are supplied via clock pulse lines 74 and 76. The anode electrode of the write light emitting thyristor, via a signal line 78, a write signal phi I is added.

次に動作を簡単に説明する。まず転送用クロックパルスφ1の電圧がハイレベルで転送用サイリスタTがオン状態であるとする。このとき、ゲート電極Gの電位はVGKの5Vからほぼ0Vにまで低下する。この電位降下の影響はダイオードDによってゲート電極Gに伝えられ、その電位を約1V(ダイオードDの順方向立上り電圧(拡散電位に等しい))に設定する。しかし、ダイオードDは逆バイアス状態であるためゲート電極Gへの電位の接続は行われず、ゲート電極Gの電位は5Vのままとなる。書込み用発光サイリスタのオン電位は、ゲート電極電位+pn接合の拡散電位(約1V)で近似されるから、次の転送用クロックパルスφ2のHレベル電圧は約2V(転送用サイリスタTをオンさせるために必要な電圧)以上でありかつ約4V(転送用サイリスタTをオンさせるために必要な電圧)以下に設定しておけば転送用サイリスタTのみがオンし、これ以外の転送用サイリスタはオフのままにすることができる。従って2本の転送用クロックパルスでオン状態が転送されることになる。 Next, the operation will be briefly described. First voltage of the transfer clock pulses φ1 to the transfer thyristor T 2 at the high level is on. At this time, the potential of the gate electrode G 2 is lowered to approximately 0V from 5V to V GK. The effect of this potential drop is transmitted by the diode D 2 to the gate electrode G 3, and sets the potential of about 1V (forward threshold voltage of the diode D 2 (equal to the diffusion potential)). However, the connection of the potential of the gate electrode G 1 for the diode D 1 is reverse biased state is not performed, the potential of the gate electrode G 1 remains at 5V. ON potential of the write light emitting thyristor, since is approximated by a diffusion potential of the gate electrode potential + pn junction (approximately 1V), H-level voltage of the next transfer clock pulse φ2 turns on about 2V (the transfer thyristor T 3 and a voltage) than necessary and about 4V (only the transfer thyristor T 3 by setting the voltage) or less necessary to turn on the transfer thyristor T 4 is turned on, other than the transfer thyristor for Can be left off. Therefore, the ON state is transferred by two transfer clock pulses.

スタートパルスφは、このような転送動作を開始させるためのパルスであり、スタートパルスφをLレベル(約0V)にすると同時に転送用クロックパルスφ2をHレベル(約2〜約4V)とし、転送用サイリスタTをオンさせる。その後すぐ、スタートパルスφはHレベルに戻される。 The start pulse φ S is a pulse for starting such a transfer operation. At the same time, the start pulse φ S is set to L level (about 0 V), and at the same time, the transfer clock pulse φ 2 is set to H level (about 2 to about 4 V). , to turn on the transfer thyristor T 1. Shortly thereafter, a start pulse φ S is returned to the H level.

いま、転送用サイリスタTがオン状態にあるとすると、ゲート電極Gの電位は、VGK(ここでは5Vと想定する)より低下し、ほぼ0Vとなる。したがって、書込み信号φの電圧が、pn接合の拡散電位(約1V)以上であれば、書込み用発光サイリスタLを発光状態とすることができる。 Assuming that the transfer thyristor T 2 is in the ON state, the potential of the gate electrode G 2 is, lower than V GK (here assumed to 5V), becomes substantially 0V. Accordingly, the voltage of the write signal phi I is, if the diffusion potential of the pn junction (approximately 1V) above, it is possible to write for the light-emitting thyristors L 2 and the light-emitting state.

これに対し、ゲート電極Gは約5Vであり、ゲート電極Gは約1Vとなる。したがって、書込み用発光サイリスタLの書込み電圧は約6V、書込み用発光サイリスタLの書込み電圧は約2Vとなる。これから、書込み用発光サイリスタLのみに書き込める書込み信号φの電圧は、1〜2Vの範囲となる。書込み用発光サイリスタLがオン、すなわち発光状態に入ると、発光強度は書込み信号φに流す電流量で決められ、任意の強度にて画像書込みが可能となる。また、発光状態を次の書込み用発光サイリスタに転送するためには、書込み信号φラインの電圧を一度0Vまでおとし、発光している書込み用発光サイリスタをいったんオフにしておく必要がある。 In contrast, the gate electrode wherein G 1 is about 5V, the gate electrode G 3 are approximately 1V. Accordingly, the write voltage of the write light-emitting thyristor L 1 of about 6V, the write voltage of the write light-emitting thyristor L 3 is about 2V. Now, the voltage of the write signal phi I can write only to the write light-emitting thyristor L 2 is a range of 1 to 2 V. When the write light-emitting thyristor L 2 is turned on, i.e., enters the emission state, the light emission intensity is decided to the amount of current flowing to the write signal phi I, it is possible to image writing at any intensity. Further, in order to transfer the light-emitting state to the next writing-emitting thyristor is dropped to 0V the voltage of the write signal phi I line once, once it is necessary to turn off the write light emitting thyristor emits light.

次にマイクロレンズ103を形成する方法について説明するが、まず、従来の方法について説明を行う。
図6(a)〜(e)および図7(a)〜(e)は、LED102にマイクロレンズ103を形成し、発光素子アレイチップ100を製造する工程の従来の例について説明した図である。
この工程は、大きく分けてマイクロレンズ103を形成するためのマイクロレンズ成形型200を作成する工程(図6(a)〜(e))と、そのマイクロレンズ成形型200を使用して、実際にLED102にマイクロレンズ103を形成し、発光素子アレイチップ100を作成する工程(図7(a)〜(e))とからなる。
Next, a method for forming the microlens 103 will be described. First, a conventional method will be described.
FIGS. 6A to 6E and FIGS. 7A to 7E are diagrams illustrating a conventional example of a process of forming the light emitting element array chip 100 by forming the microlens 103 on the LED 102. FIG.
This process is roughly divided into a process of creating a microlens mold 200 for forming the microlens 103 (FIGS. 6A to 6E), and the microlens mold 200 is actually used. The process includes the steps of forming the microlens 103 on the LED 102 and forming the light emitting element array chip 100 (FIGS. 7A to 7E).

最初にマイクロレンズ成形型200を作成する工程について説明を行う。
まず石英ガラスからなる基板201にクロム膜202を形成する。このクロム膜202は、蒸着等の方法で成膜することができ、厚さは0.2μm〜1μm程度とするのが好ましい(図6(a))。
First, the process of creating the microlens mold 200 will be described.
First, a chromium film 202 is formed on a substrate 201 made of quartz glass. The chromium film 202 can be formed by a method such as vapor deposition, and the thickness is preferably about 0.2 μm to 1 μm (FIG. 6A).

次に、クロム膜202に開口部203を設ける(図6(b))。この開口部203の中央部の間隔は、マイクロレンズ103(図4参照)の中央部の間隔と同一であり、例えば約42.3μmとすることができる。開口部203を設けるには、フォトリソグラフィ法により行うことができる。即ち、開口部203に対応したレジスト層を形成させ、このレジスト層をマスクとして、ドライエッチングやウェットエッチングによりクロム層202の開口部203に相当する部分を除去する。ドライエッチングとしては、反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)や誘導結合プラズマエッチング法が利用でき、またウェットエッチングとしては、希塩酸や希硫酸への浸漬を行う方法などが利用できる。そして、残ったレジスト層をレジスト除去液等を利用することにより除去すると開口部203が形成される。   Next, an opening 203 is provided in the chromium film 202 (FIG. 6B). The interval between the central portions of the openings 203 is the same as the interval between the central portions of the microlenses 103 (see FIG. 4), and can be, for example, about 42.3 μm. The opening 203 can be provided by a photolithography method. That is, a resist layer corresponding to the opening 203 is formed, and using this resist layer as a mask, a portion corresponding to the opening 203 of the chromium layer 202 is removed by dry etching or wet etching. As dry etching, reactive ion etching (RIE) or inductively coupled plasma etching can be used. As wet etching, a method of immersing in dilute hydrochloric acid or dilute sulfuric acid can be used. Then, when the remaining resist layer is removed by using a resist removing solution or the like, an opening 203 is formed.

次に、基板201のウェットエッチングを行う。エッチング液としては、フッ酸水溶液等が使用できる。このときクロム膜202は、マスクとして機能し、開口部203の部分が等方的にエッチングされる。その結果、石英ガラスの基板201に略半球形状の孔部204が形成される(図6(c))。この略半球形状の孔部204の形状は、マイクロレンズ103の転写形状である。   Next, wet etching of the substrate 201 is performed. As the etchant, a hydrofluoric acid aqueous solution or the like can be used. At this time, the chromium film 202 functions as a mask, and the portion of the opening 203 is isotropically etched. As a result, a substantially hemispherical hole 204 is formed in the quartz glass substrate 201 (FIG. 6C). The shape of the substantially hemispherical hole 204 is a transfer shape of the microlens 103.

次に、クロム膜202を部分的に除去する(図6(d))。クロム膜202の除去には、上記の反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)や誘導結合プラズマエッチング法等のドライエッチング法や、希塩酸や希硫酸への浸漬を行うウェットエッチング法が利用できるが、例えば粘着テープを貼りつけ、それを剥ぎ取る方法でも除去可能である。
そして、マイクロレンズ103を形成する際にマイクロレンズ成形型200との離型性をよりよくするため、離型処理をし、マイクロレンズ103を形成する際にマイクロレンズ成形型200を所定の位置に規定するためのスペーサ205を形成する(図6(e))。
この離型処理は、例えば、テフロン(登録商標)等のフッ素樹脂等をコーティングすることで離型膜206を形成させるような方法により行うことができる。また、スペーサ205は、プラスチック等からなる10μm前後の粒径を有する球状のビーズを1層塗布することにより形成させることができる。
以上のような一連の工程によりマイクロレンズ成形型200が作成できる。
Next, the chromium film 202 is partially removed (FIG. 6D). For the removal of the chromium film 202, a dry etching method such as the above-described reactive ion etching (RIE) or inductively coupled plasma etching method or a wet etching method in which the film is immersed in dilute hydrochloric acid or dilute sulfuric acid can be used. For example, it can also be removed by applying an adhesive tape and peeling it off.
Then, in order to improve the releasability from the microlens mold 200 when forming the microlens 103, a mold release process is performed, and when forming the microlens 103, the microlens mold 200 is placed at a predetermined position. A spacer 205 for defining is formed (FIG. 6E).
This mold release treatment can be performed, for example, by a method in which a mold release film 206 is formed by coating a fluororesin such as Teflon (registered trademark). The spacer 205 can be formed by applying a single layer of spherical beads made of plastic or the like and having a particle size of about 10 μm.
The microlens mold 200 can be created by the series of steps as described above.

次に上記のようにして作成したマイクロレンズ成形型200を使用し、LED102にマイクロレンズ103を作成する工程について説明を行う。
まず、LED102を形成した発光素子アレイチップ301に紫外線(UV:Ultra Violet)により硬化する光硬化性樹脂302を滴下する(図7(a))。またこの際に、スピンコート等を行うことにより光硬化性樹脂302が発光素子アレイチップ301上で均一になるようにしてもよい。使用される光硬化性樹脂としては、LED102から出射された光を透過するものであれば、特に限定されるものではないが、一般的なエポキシ系の光硬化性樹脂やアクリル系の光硬化性樹脂が使用できる。
Next, a process of creating the microlens 103 on the LED 102 using the microlens mold 200 created as described above will be described.
First, a photocurable resin 302 that is cured by ultraviolet (UV) is dropped onto the light emitting element array chip 301 on which the LEDs 102 are formed (FIG. 7A). At this time, the photocurable resin 302 may be made uniform on the light emitting element array chip 301 by performing spin coating or the like. The photo-curing resin used is not particularly limited as long as it transmits light emitted from the LED 102, but is not limited to a general epoxy-based photo-curing resin or acrylic photo-curing resin. Resin can be used.

次に、マイクロレンズ成形型200を発光素子アレイチップ301に押付けることにより光硬化性樹脂302を展開させ、水平方向および高さ方向に対し、微少位置合せを行う(図7(b))。このとき、光硬化性樹脂302は、マイクロレンズ成形型200に形成された孔部204に侵入し、マイクロレンズ103の形状となる。
高さ方向の位置合せは、マイクロレンズ成形型200を発光素子アレイチップ301に所定の圧力で押圧を行い、発光素子アレイチップ301とスペーサ205とを接触させることにより行う。マイクロレンズ成形型200の高さ方向の位置は、スペーサ205により規定され、光硬化性樹脂302の厚さを全体で均一にすることができる。また、水平方向への位置合せは、図示しない所定のマーカに位置合せをする方法で行うことができる。
Next, the photocurable resin 302 is developed by pressing the microlens molding die 200 against the light emitting element array chip 301, and fine alignment is performed in the horizontal direction and the height direction (FIG. 7B). At this time, the photocurable resin 302 enters the hole 204 formed in the microlens mold 200 and becomes the shape of the microlens 103.
The alignment in the height direction is performed by pressing the microlens molding die 200 against the light emitting element array chip 301 with a predetermined pressure and bringing the light emitting element array chip 301 and the spacer 205 into contact with each other. The position in the height direction of the microlens mold 200 is defined by the spacer 205, and the thickness of the photocurable resin 302 can be made uniform as a whole. Further, the alignment in the horizontal direction can be performed by a method of aligning with a predetermined marker (not shown).

マイクロレンズ成形型200の位置合せの完了後、紫外線を照射し、光硬化性樹脂302を硬化させる。このときクロム膜202が遮光膜としての機能を果たし、必要な部分のみを選択的に硬化させる(図7(c))。
光硬化性樹脂302の硬化後、マイクロレンズ成形型200を離型させる(図7(d))。そして、硬化させなかった光硬化性樹脂302を洗浄により除去すると、LED102上に硬化した光硬化性樹脂302よりなるマイクロレンズ103が形成された発光素子アレイチップ100が製造できる(図7(e))。
After the alignment of the microlens mold 200 is completed, the ultraviolet ray is irradiated to cure the photocurable resin 302. At this time, the chromium film 202 functions as a light-shielding film, and selectively cures only necessary portions (FIG. 7C).
After the photocurable resin 302 is cured, the microlens mold 200 is released (FIG. 7D). Then, by removing the uncured photocurable resin 302 by washing, the light emitting element array chip 100 in which the microlens 103 made of the cured photocurable resin 302 is formed on the LED 102 can be manufactured (FIG. 7E). ).

上記製造方法によれば、図7(c)において、光硬化性樹脂302を選択的に硬化させる際、クロム膜202により光の照射部分を選択し、硬化範囲を選択している。しかしながら、高さ制御方法として用いられているスペーサ205として球状のビーズを用いる場合、光硬化性樹脂302が展開する領域が細部まで制御できず、クロム膜202の外からの光がクロム膜202の下部にある光硬化性樹脂302と反応し、目的として硬化させる部分以外の部分で光硬化性樹脂の硬化が進むという問題がある。即ち、スペーサ205として球状のビーズを塗布して使用する方法では、図7(b)で示したように、光硬化性樹脂302が、クロム膜202の下側にも入り込む。そして、図7(c)で示したように、光硬化性樹脂302を硬化させるために紫外線を照射した際に、紫外線がスペーサ205を構成する球状のビーズ間の隙間を通し、クロム膜202の下側にも回り込む。その結果、図7(d)〜(e)で示したように本来光硬化性樹脂302を硬化させたくない部分についても光硬化性樹脂302の硬化が生じ、余分なはみ出し部303が形成されることになる。
また、微細な形状のスペーサ205が設計できない事から、スペーサ205の厚さにばらつきが生じ、そのためマイクロレンズ103を均一な厚さで作成できないという問題もある。
According to the above manufacturing method, in FIG. 7C, when the photocurable resin 302 is selectively cured, the irradiated portion is selected by the chromium film 202 and the curing range is selected. However, when a spherical bead is used as the spacer 205 used as a height control method, the region where the photocurable resin 302 is developed cannot be controlled in detail, and light from the outside of the chromium film 202 is not emitted from the chromium film 202. There is a problem that the photocurable resin reacts with the photocurable resin 302 at the lower portion and the photocurable resin is cured at a portion other than the portion to be cured. That is, in the method of applying spherical beads as the spacers 205, the photocurable resin 302 enters the lower side of the chromium film 202 as shown in FIG. 7B. Then, as shown in FIG. 7C, when ultraviolet rays are irradiated to cure the photocurable resin 302, the ultraviolet rays pass through the gaps between the spherical beads constituting the spacer 205, and the chromium film 202 Go around the bottom. As a result, as shown in FIGS. 7D to 7E, the photocurable resin 302 is cured also in the portion where the photocurable resin 302 is not originally cured, and an extra protruding portion 303 is formed. It will be.
In addition, since the spacer 205 having a fine shape cannot be designed, the thickness of the spacer 205 varies, so that the microlens 103 cannot be formed with a uniform thickness.

そこで、本実施の形態では、スペーサ205として、金属薄膜を用いたものを使用している。
図8は、本実施の形態が適用されるマイクロレンズ成形型の第1の例を説明した図である。
図8に示したマイクロレンズ成形型200は、矩形形状のマイクロレンズ成形型200の2つの短辺側にそれぞれ金属薄膜によるスペーサ205aを設けた例である。この金属は、例えば、クロムであり、スパッタ、メッキ等の方法により成膜が可能である。また、膜厚は、スパッタやメッキを行う時間等により精度良く制御することができる。
このように金属薄膜によるスペーサ205aを設けることで、前述した図7(b)において生じた光硬化性樹脂302の入り込みを抑制し、光硬化性樹脂302が展開する領域を細部まで制御できることができる。即ち、スパッタやメッキを行い、スペーサ205aを形成するときに、精度良くその位置を決定することができ、光硬化性樹脂302が所定の位置からはみ出しにくくなる。
Therefore, in the present embodiment, a spacer using a metal thin film is used as the spacer 205.
FIG. 8 is a diagram illustrating a first example of a microlens mold to which the present embodiment is applied.
The microlens mold 200 shown in FIG. 8 is an example in which spacers 205a made of metal thin films are provided on the two short sides of the rectangular microlens mold 200, respectively. This metal is, for example, chromium, and can be formed by a method such as sputtering or plating. The film thickness can be accurately controlled by the time for performing sputtering or plating.
By providing the spacer 205a made of a metal thin film in this manner, it is possible to suppress the entry of the photocurable resin 302 generated in FIG. 7B and to control the area where the photocurable resin 302 is developed in detail. . That is, when sputtering or plating is performed to form the spacer 205a, the position can be determined with high accuracy, and the photocurable resin 302 is unlikely to protrude from a predetermined position.

図9(a)〜(e)は、図8に示したマイクロレンズ成形型200を用いて、LED102にマイクロレンズ103を形成し、発光素子アレイチップ100を製造する工程を説明した図である。
図9(a)〜(e)に示した工程は、図7(a)〜(e)に示した工程にそれぞれ対応し、行う作業も同様のことを行う。但し、スペーサとして金属薄膜によるスペーサ205aを用いたマイクロレンズ成形型200を使用しているため、図9(b)において、図7(b)に示したような、クロム膜202の下への光硬化性樹脂302の入り込みは生じにくい。また、スペーサ205aは金属薄膜により構成されているので、図9(c)において、ビーズを使用した際に生じるビーズ間の隙間を通した紫外線の回り込みも生じにくい。よって光硬化性樹脂302を本来硬化させたい部分について選択的に硬化させやすく、図9(d)〜(e)に示したように、図7(d)〜(e)に生じたはみ出し部303も形成されにくい。
FIGS. 9A to 9E are diagrams illustrating a process of manufacturing the light emitting element array chip 100 by forming the microlens 103 on the LED 102 using the microlens mold 200 shown in FIG.
The processes shown in FIGS. 9A to 9E correspond to the processes shown in FIGS. 7A to 7E, respectively, and the work to be performed is the same. However, since the microlens molding die 200 using the spacer 205a made of a metal thin film is used as the spacer, in FIG. 9B, the light below the chromium film 202 as shown in FIG. 7B. The entry of the curable resin 302 hardly occurs. In addition, since the spacer 205a is formed of a metal thin film, in FIG. 9C, ultraviolet rays are not easily circulated through the gaps between the beads that are generated when the beads are used. Therefore, it is easy to selectively cure the portion where the photo-curable resin 302 is originally to be cured, and as shown in FIGS. 9D to 9E, the protruding portion 303 generated in FIGS. 7D to 7E. Is also difficult to form.

図10(a)〜(b)は、図8に示したマイクロレンズ成形型200を使用して、マイクロレンズ103を形成した発光素子アレイチップ100の例を説明した図である。
図10(a)は、発光素子アレイチップ100をLED102の光が出射する方向から見た図である。また図10(b)は、図10(a)のB−B断面図である。
図10(a)〜(b)に示した発光素子アレイチップ100において、矩形状の発光アレイチップ100の両端には、前述の通りボンディングパッド101が配置されており、両端のボンディングパッド101にはさまれた領域にはLED102が配置されている。そして、その領域全域に硬化させた光硬化性樹脂302を被覆しマイクロレンズ103を形成している。この際に、ボンディングパッド101の部分には光硬化性樹脂302は被覆されないことが好ましい。図8に示したマイクロレンズ成形型200を使用することで、このボンディングパッド101に光硬化性樹脂302がはみ出し硬化するのを抑制しやすくなる。
FIGS. 10A and 10B are diagrams illustrating an example of a light emitting element array chip 100 in which the microlens 103 is formed using the microlens mold 200 shown in FIG.
FIG. 10A is a view of the light emitting element array chip 100 as seen from the direction in which the light of the LED 102 is emitted. Moreover, FIG.10 (b) is BB sectional drawing of Fig.10 (a).
In the light emitting element array chip 100 shown in FIGS. 10A and 10B, the bonding pads 101 are disposed at both ends of the rectangular light emitting array chip 100 as described above, and the bonding pads 101 at both ends are disposed on the bonding pads 101 at both ends. The LED 102 is arranged in the sandwiched area. Then, the microlens 103 is formed by covering the entire region with the cured photocurable resin 302. At this time, it is preferable that the portion of the bonding pad 101 is not covered with the photocurable resin 302. By using the microlens mold 200 shown in FIG. 8, it is easy to suppress the photocurable resin 302 from protruding and curing to the bonding pad 101.

図11は、本実施の形態が適用されるマイクロレンズ成形型の第2の例を説明した図である。
図11に示したマイクロレンズ成形型200は、矩形形状のマイクロレンズ成形型200の2つの短辺側にそれぞれ金属薄膜によるスペーサ205bを設けている。またマイクロレンズ成形型200の孔部204が設けられている長辺側とは逆側の長辺側にスペーサ205cを設けている。スペーサ205bの他にスペーサ205cを設けることで、前述の図7(b)においてマイクロレンズ103を成形する際にマイクロレンズ成形型200が自重や押圧により変形するのを抑制することが可能である。
また、スペーサ205bは、図8で示したスペーサ205aに対しその大きさを小さくしている。スパッタ、メッキ等の方法で成膜できる金属薄膜をスペーサとして使用することで、その位置や大きさに対し自由な設計が可能であるので、微細な形状のスペーサを設計できる。そのためLED102(図4参照)の占有面積を大きくすることができる発光素子アレイチップ100を製造することができる。また、このような微細な形状のスペーサは、厚さのばらつきが小さくなる。そのためマイクロレンズ103を成形する際にもその厚さのばらつきが生じにくくなる。よって、マイクロレンズ103の焦点距離等の特性も一様にそろうことになる。
FIG. 11 is a diagram illustrating a second example of a microlens mold to which the present embodiment is applied.
A microlens mold 200 shown in FIG. 11 is provided with spacers 205b made of a metal thin film on the two short sides of the rectangular microlens mold 200, respectively. Further, a spacer 205c is provided on the long side opposite to the long side where the hole 204 of the microlens mold 200 is provided. By providing the spacer 205c in addition to the spacer 205b, it is possible to prevent the microlens molding die 200 from being deformed by its own weight or pressure when the microlens 103 is molded in FIG. 7B described above.
The spacer 205b is smaller in size than the spacer 205a shown in FIG. By using a metal thin film that can be formed by a method such as sputtering or plating as a spacer, it is possible to design freely for its position and size, so that a spacer having a fine shape can be designed. Therefore, the light emitting element array chip 100 that can increase the area occupied by the LEDs 102 (see FIG. 4) can be manufactured. In addition, such a finely shaped spacer has a small variation in thickness. Therefore, even when the microlens 103 is molded, the thickness variation is less likely to occur. Therefore, the characteristics such as the focal length of the microlens 103 are uniform.

図12は、本実施の形態が適用されるマイクロレンズ成形型の第3の例を説明した図である。
図12に示したマイクロレンズ成形型200は、矩形形状のマイクロレンズ成形型200の2つの短辺側にそれぞれ金属薄膜によるスペーサ205dを設けた例である。
図8に示したスペーサ205aに比べ、スペーサ205dは、2分割されている。またその大きさは、スペーサ205aに比べ、小さくしている。このような形状のスペーサ205dを採用することで、スペーサ205dを配置する位置がより自由になり、マイクロレンズ103の設計の自由度をより高くすることができる。
FIG. 12 is a diagram illustrating a third example of a microlens mold to which the present embodiment is applied.
A microlens mold 200 shown in FIG. 12 is an example in which spacers 205d made of a metal thin film are provided on the two short sides of the rectangular microlens mold 200, respectively.
Compared to the spacer 205a shown in FIG. 8, the spacer 205d is divided into two parts. The size is smaller than that of the spacer 205a. By adopting the spacer 205d having such a shape, the position where the spacer 205d is disposed becomes more free, and the degree of freedom in designing the microlens 103 can be further increased.

図13は、本実施の形態が適用されるマイクロレンズ成形型の第4の例を説明した図である。
図13に示したマイクロレンズ成形型200は、矩形形状のマイクロレンズ成形型200の2つの短辺側にそれぞれ凹部である溝207を設け、そこにスペーサ205eを形成させた例である。
このような構造を採ることで、例えば、設計上マイクロレンズ103の厚さを非常に薄くしなければならず、よってスペーサを薄くしなければならないものの、そのように薄くスペーサを形成しにくいような場合に有効である。つまり、凹部を設けることにより、その分だけ薄くスペーサを形成できることになる。
FIG. 13 is a diagram illustrating a fourth example of a microlens mold to which the present embodiment is applied.
The microlens mold 200 shown in FIG. 13 is an example in which grooves 207 that are concave portions are provided on two short sides of the rectangular microlens mold 200, and spacers 205e are formed there.
By adopting such a structure, for example, the thickness of the microlens 103 must be very thin by design, and thus the spacer must be thinned, but it is difficult to form the spacer so thinly. It is effective in the case. That is, by providing the concave portion, the spacer can be formed so thin.

図14は、本実施の形態が適用されるマイクロレンズ成形型の第5の例を説明した図である。
矩形形状のマイクロレンズ成形型200の2つの短辺側にそれぞれ凹部である溝207を設け、そこにスペーサ205eを形成させるという点では図13と同様の構成であるが、それに加え、図14に示したマイクロレンズ成形型200は、矩形形状のマイクロレンズ成形型200の孔部204が設けられている長辺側とは逆側の長辺側にも溝207を設け、スペーサ205fを設けている。このようにすることで前述の図7(b)においてマイクロレンズ成形型200が自重や押圧により変形するのを抑制しやすくなる。
FIG. 14 is a diagram illustrating a fifth example of a microlens molding die to which the present embodiment is applied.
The rectangular microlens molding die 200 has the same configuration as that of FIG. 13 in that grooves 207 that are concave portions are provided on the two short sides, and a spacer 205e is formed therein, but in addition to that, FIG. The illustrated microlens mold 200 is provided with a groove 207 on the long side opposite to the long side where the hole 204 of the rectangular microlens mold 200 is provided, and a spacer 205f. . This makes it easy to suppress the deformation of the microlens molding die 200 due to its own weight or pressure in FIG.

本実施の形態が適用される画像形成装置の全体構成を示した図である。1 is a diagram illustrating an overall configuration of an image forming apparatus to which the exemplary embodiment is applied. 本実施の形態が適用される発光素子ヘッドの構成を示した図である。It is the figure which showed the structure of the light emitting element head to which this Embodiment is applied. 発光素子アレイの構造を説明した概略図である。It is the schematic explaining the structure of the light emitting element array. 発光素子アレイチップの構造を説明した図である。It is a figure explaining the structure of the light emitting element array chip. 分離タイブの自己走査型発光素子アレイの等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of a self-scanning light emitting element array of a separation type. マイクロレンズを形成するためのマイクロレンズ成形型を作成する工程を説明した図である。It is a figure explaining the process of creating the microlens shaping | molding die for forming a microlens. マイクロレンズ成形型を使用して、マイクロレンズを形成し、発光素子アレイチップを製造する工程の従来の例について説明した図である。It is the figure explaining the conventional example of the process of forming a microlens using a microlens shaping | molding die and manufacturing a light emitting element array chip. 本実施の形態が適用されるマイクロレンズ成形型の第1の例を説明した図である。It is a figure explaining the 1st example of the microlens shaping | molding die to which this Embodiment is applied. 図8に示したマイクロレンズ成形型を用いて、LEDにマイクロレンズを形成し、発光素子アレイチップを製造する工程を説明した図である。It is the figure explaining the process of forming a microlens in LED using the microlens shaping | molding die shown in FIG. 8, and manufacturing a light emitting element array chip. 図8に示したマイクロレンズ成形型を使用して、マイクロレンズを形成した発光素子アレイチップの例を説明した図である。It is the figure explaining the example of the light emitting element array chip | tip which formed the micro lens using the micro lens shaping | molding die shown in FIG. 本実施の形態が適用されるマイクロレンズ成形型の第2の例を説明した図である。It is a figure explaining the 2nd example of the microlens shaping | molding die with which this Embodiment is applied. 本実施の形態が適用されるマイクロレンズ成形型の第3の例を説明した図である。It is a figure explaining the 3rd example of the microlens shaping | molding die with which this Embodiment is applied. 本実施の形態が適用されるマイクロレンズ成形型の第4の例を説明した図である。It is a figure explaining the 4th example of the microlens shaping | molding die with which this Embodiment is applied. 本実施の形態が適用されるマイクロレンズ成形型の第5の例を説明した図である。It is a figure explaining the 5th example of the microlens shaping | molding die to which this Embodiment is applied.

符号の説明Explanation of symbols

1…画像形成装置、11K,11C,11M,11Y…画像形成ユニット、14…発光素子ヘッド、23…転写ロール、24…定着器、51…発光素子アレイ、53…セルフォックレンズアレイ、100…発光素子アレイチップ、101…ボンディングパッド、102…LED、103…マイクロレンズ、200…マイクロレンズ成形型、201…基板、204…孔部、205…スペーサ、302…光硬化性樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Image forming apparatus, 11K, 11C, 11M, 11Y ... Image forming unit, 14 ... Light emitting element head, 23 ... Transfer roll, 24 ... Fixing device, 51 ... Light emitting element array, 53 ... Selfoc lens array, 100 ... Light emission Element array chip, 101 ... bonding pad, 102 ... LED, 103 ... microlens, 200 ... microlens mold, 201 ... substrate, 204 ... hole, 205 ... spacer, 302 ... photocurable resin

Claims (11)

基板と、当該基板の表面に形成されマイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され金属薄膜からなるスペーサ部とを有するマイクロレンズ成形型を透明樹脂に押圧し、
前記スペーサ部により前記マイクロレンズの厚さを規定し、
前記透明樹脂を硬化させることで、発光素子に前記マイクロレンズを形成することを特徴とする発光素子アレイチップの製造方法。
A microlens mold having a substrate, a plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a transfer shape in the shape of a microlens, and a spacer formed of a metal thin film formed in an outer peripheral region of the hole is a transparent resin. Press to
The spacer portion defines the thickness of the microlens,
A method of manufacturing a light-emitting element array chip, wherein the microlens is formed on a light-emitting element by curing the transparent resin.
前記マイクロレンズ成形型は矩形形状をなし、
前記孔部は、前記矩形の長辺に沿って直線状に配列し、
前記スペーサ部は、直線状に配列する前記孔部の端部であって、前記矩形の短辺側に配されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法。
The microlens mold has a rectangular shape,
The holes are arranged linearly along the long side of the rectangle,
2. The method of manufacturing a light emitting element array chip according to claim 1, wherein the spacer portion is an end portion of the hole portion arranged in a straight line and is disposed on a short side of the rectangle.
前記孔部は、前記矩形の一方の長辺側に配列し、
前記スペーサ部は、前記矩形の他方の長辺側に更に配されることを特徴とする請求項2に記載の発光素子アレイチップの製造方法。
The holes are arranged on one long side of the rectangle,
The method of manufacturing a light emitting element array chip according to claim 2, wherein the spacer portion is further disposed on the other long side of the rectangle.
前記スペーサ部は、複数の領域に分割して配されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法。   The method of manufacturing a light emitting element array chip according to claim 1, wherein the spacer portion is divided into a plurality of regions. 前記基板は、前記孔部の外周領域に更に凹部を有し、
前記スペーサ部は、前記凹部に配されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法。
The substrate further has a recess in the outer peripheral region of the hole,
The method of manufacturing a light emitting element array chip according to claim 1, wherein the spacer portion is disposed in the recess.
前記透明樹脂は、光硬化性樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法。   The method for manufacturing a light-emitting element array chip according to claim 1, wherein the transparent resin is a photocurable resin. 前記発光素子アレイチップは、自己走査型発光素子アレイチップであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法。   The method of manufacturing a light emitting element array chip according to claim 1, wherein the light emitting element array chip is a self-scanning light emitting element array chip. 基板と、
前記基板の表面に形成され、マイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、
前記孔部の外周領域に形成され、前記マイクロレンズの厚さを規定する金属薄膜からなるスペーサ部と、
を有することを特徴とするマイクロレンズ成形型。
A substrate,
A plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a microlens-shaped transfer shape;
A spacer portion formed of a metal thin film that is formed in an outer peripheral region of the hole portion and defines a thickness of the microlens;
A microlens molding die comprising:
前記マイクロレンズ成形型は矩形形状をなし、
前記スペーサ部は、前記矩形の短辺側に沿って配されることを特徴とする請求項8に記載のマイクロレンズ成形型。
The microlens mold has a rectangular shape,
The microlens molding die according to claim 8, wherein the spacer portion is disposed along a short side of the rectangle.
発光素子アレイチップを主走査方向に複数配列してなる発光素子アレイと、
前記発光素子アレイの光出力を結像させる光学素子と、を有し、
前記発光素子アレイチップは、
基板と、当該基板の表面に形成され、マイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され金属薄膜からなるスペーサ部とを有するマイクロレンズ成形型を透明樹脂に押圧し、当該スペーサ部により当該マイクロレンズの厚さを規定し、当該透明樹脂を硬化させることで形成したマイクロレンズを有する発光素子を備えることを特徴とする発光素子ヘッド。
A light emitting element array in which a plurality of light emitting element array chips are arranged in the main scanning direction;
An optical element for imaging the light output of the light emitting element array,
The light emitting element array chip is:
Transparent microlens mold having a substrate, a plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a transfer shape in the shape of a microlens, and a spacer formed of a metal thin film formed in an outer peripheral region of the hole A light-emitting element head comprising: a light-emitting element having a microlens formed by pressing against a resin, defining a thickness of the microlens by the spacer portion, and curing the transparent resin.
トナー像を形成させるトナー像形成手段と、
前記トナー像を記録媒体に転写する転写手段と、
前記トナー像を記録媒体に定着する定着手段と、を有し、
前記トナー像形成手段は、
基板と、当該基板の表面に形成され、マイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され金属薄膜からなるスペーサ部とを有するマイクロレンズ成形型を透明樹脂に押圧し、当該スペーサ部により当該マイクロレンズの厚さを規定し、当該透明樹脂を硬化させることで、発光素子にマイクロレンズを形成した発光素子ヘッドを備えることを特徴とする画像形成装置。
Toner image forming means for forming a toner image;
Transfer means for transferring the toner image to a recording medium;
Fixing means for fixing the toner image to a recording medium,
The toner image forming unit includes:
Transparent microlens mold having a substrate, a plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a transfer shape in the shape of a microlens, and a spacer formed of a metal thin film formed in an outer peripheral region of the hole An image forming apparatus comprising a light emitting element head in which a microlens is formed on a light emitting element by pressing the resin, defining the thickness of the microlens by the spacer portion, and curing the transparent resin.
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