JP2017152516A - Optical element chip, optical print head, image forming apparatus, and method for manufacturing optical element chip - Google Patents

Optical element chip, optical print head, image forming apparatus, and method for manufacturing optical element chip Download PDF

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英介 黒木
Eisuke Kuroki
英介 黒木
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent stray light from a lateral face of a lens element in an optical element chip.SOLUTION: An LED array chip (optical element chip) 10 comprises: a substrate 15; a plurality of LEDs (optical elements) 11 that are arranged on the substrate 15; a microlens (lens element) 12 that is arranged on the LEDs 11; and a light shielding wall 13 that is provided on the substrate 15 and surrounds the microlens 12 from an outer periphery side. The light shielding wall 13 projects from an end 15e of the substrate 15.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

この発明は、光学素子を備えた光学素子チップおよびその製造方法、並びに、光学素子チップを用いた光プリントヘッドおよび画像形成装置に関する。   The present invention relates to an optical element chip including an optical element, a manufacturing method thereof, an optical print head using the optical element chip, and an image forming apparatus.

従来より、基板上にLEDとレンズとを設けたLEDアレイチップ(光学素子チップ)が知られている。LEDアレイチップの製造工程では、複数のLEDを配列した基板の表面に材料層(ドライフィルムレジストなど)を形成し、フォトリソグラフィによって材料層をパターニングすることにより、各LED上にレンズを形成する。   Conventionally, an LED array chip (optical element chip) in which an LED and a lens are provided on a substrate is known. In the LED array chip manufacturing process, a material layer (such as a dry film resist) is formed on the surface of a substrate on which a plurality of LEDs are arranged, and a lens is formed on each LED by patterning the material layer by photolithography.

また、レンズの側面からの迷光を防止するため、隣り合うレンズの間にブラックレジストなどの遮光材料を充填する(例えば、特許文献1参照)。   Further, in order to prevent stray light from the side surface of the lens, a light shielding material such as a black resist is filled between adjacent lenses (see, for example, Patent Document 1).

特開2013−157419号公報(図8および図9参照)JP 2013-157419 A (refer to FIG. 8 and FIG. 9)

しかしながら、LEDを高密度に配列した高精細LEDアレイチップでは、列の端に配置されたLEDから基板の端部(チップ端部)までの距離が短い。そのため、列の端に配置されたLED上のレンズのチップ端部側に遮光材料を形成することが難しく、当該レンズの側面から迷光が発生して印刷品質を低下させる可能性がある。   However, in a high-definition LED array chip in which LEDs are arranged at high density, the distance from the LED arranged at the end of the column to the end of the substrate (chip end) is short. Therefore, it is difficult to form a light-shielding material on the chip end side of the lens on the LED arranged at the end of the row, and stray light may be generated from the side surface of the lens, which may reduce the print quality.

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、光学素子チップにおいてレンズ要素の側面からの迷光を防止することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to prevent stray light from the side surface of a lens element in an optical element chip.

本発明の光学素子チップは、基板と、基板に配列された複数の光学素子と、複数の光学素子上に配置された複数のレンズ要素と、基板に設けられ、複数のレンズ要素を外周側から囲む遮光壁とを備える。遮光壁は、基板の端部から突出している。   An optical element chip according to the present invention is provided on a substrate, a plurality of optical elements arranged on the substrate, a plurality of lens elements arranged on the plurality of optical elements, and the plurality of lens elements from the outer peripheral side. A surrounding light shielding wall. The light shielding wall protrudes from the end of the substrate.

本発明の光学素子チップは、また、基板と、基板に配列された複数の光学素子と、複数の光学素子上に配置された複数のレンズ要素と、基板に設けられ、複数のレンズ要素を外周側から囲む遮光壁とを備える。レンズ要素は、基板に遮光壁を形成してから、遮光壁の開口部内に形成されたものである。   The optical element chip of the present invention is also provided on a substrate, a plurality of optical elements arranged on the substrate, a plurality of lens elements arranged on the plurality of optical elements, and a plurality of lens elements arranged on the outer periphery. And a light-shielding wall surrounding from the side. The lens element is formed in the opening of the light shielding wall after the light shielding wall is formed on the substrate.

本発明の光プリントヘッドは、上記の光学素子チップを備えている。   The optical print head of the present invention includes the optical element chip described above.

本発明の画像形成装置は、上記の光プリントヘッドを備えている。   An image forming apparatus of the present invention includes the optical print head described above.

本発明の光学素子チップの製造方法は、主面に複数の光学素子を配列した基板を用意する工程と、基板に溝を形成する工程と、基板に、光学素子を覆うように第1の材料層を形成する工程と、第1の材料層に開口部を形成することにより、遮光壁を形成する工程と、遮光壁を覆うように第2の材料層を形成し、第2の材料層の一部を開口部に入り込ませる工程と、第2の材料層をパターニングしてレンズ要素を形成する工程とを有する。   The optical element chip manufacturing method of the present invention includes a step of preparing a substrate having a plurality of optical elements arranged on a main surface, a step of forming a groove in the substrate, and a first material so as to cover the optical element on the substrate. A step of forming a layer, a step of forming a light shielding wall by forming an opening in the first material layer, a second material layer is formed so as to cover the light shielding wall, A step of partially entering the opening and a step of patterning the second material layer to form a lens element.

本発明によれば、光学素子を高密度に配列した光学素子チップにおいても、レンズ要素の側面に遮光壁を設け、迷光の発生を抑制することができる。そのため、光学素子チップを例えば画像形成装置に用いた場合には、印刷品質を向上させることができる。   According to the present invention, even in an optical element chip in which optical elements are arranged at high density, a light shielding wall can be provided on the side surface of the lens element to suppress the generation of stray light. Therefore, when the optical element chip is used in, for example, an image forming apparatus, the print quality can be improved.

第1の実施の形態の光学素子チップを有する発光デバイスを示す断面図(A)および平面図(B)である。It is sectional drawing (A) and top view (B) which show the light-emitting device which has the optical element chip | tip of 1st Embodiment. 第1の実施の形態のLEDアレイチップを示す断面図(A)および平面図(B)である。It is sectional drawing (A) and top view (B) which show the LED array chip of 1st Embodiment. 第1の実施の形態のLEDアレイチップの製造方法で用いる基板を説明するための断面図(A)および平面図(B)である。It is sectional drawing (A) and a top view (B) for demonstrating the board | substrate used with the manufacturing method of the LED array chip of 1st Embodiment. 第1の実施の形態のLEDアレイチップの製造方法における基板の溝形成工程を説明するための断面図(A)および平面図(B)である。It is sectional drawing (A) and a top view (B) for demonstrating the groove | channel formation process of the board | substrate in the manufacturing method of the LED array chip of 1st Embodiment. 第1の実施の形態のLEDアレイチップの製造方法における遮光壁材料層の形成工程を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the formation process of the light-shielding wall material layer in the manufacturing method of the LED array chip | tip of 1st Embodiment. 第1の実施の形態のLEDアレイチップの製造方法における遮光壁材料層の露光工程を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the exposure process of the light-shielding wall material layer in the manufacturing method of the LED array chip | tip of 1st Embodiment. 第1の実施の形態のLEDアレイチップの製造方法における遮光壁材料層の現像工程を説明するための断面図(A)および平面図(B)である。It is sectional drawing (A) and a top view (B) for demonstrating the image development process of the light-shielding wall material layer in the manufacturing method of the LED array chip | tip of 1st Embodiment. 第1の実施の形態のLEDアレイチップの製造方法におけるレンズ材料層の形成工程を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the formation process of the lens material layer in the manufacturing method of the LED array chip of 1st Embodiment. 第1の実施の形態のLEDアレイチップの製造方法におけるレンズ材料層の露光工程を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the exposure process of the lens material layer in the manufacturing method of the LED array chip | tip of 1st Embodiment. 第1の実施の形態のLEDアレイチップの製造方法におけるレンズ材料層の現像工程を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the image development process of the lens material layer in the manufacturing method of the LED array chip | tip of 1st Embodiment. 第1の実施の形態のLEDアレイチップの製造方法における基板の分離工程を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the isolation | separation process of the board | substrate in the manufacturing method of the LED array chip of 1st Embodiment. 第1の実施の形態のLEDアレイチップにおけるマイクロレンズの形状の他の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other example of the shape of the microlens in the LED array chip of 1st Embodiment. 第1の実施の形態の変形例のLEDアレイチップを示す断面図(A)および平面図(B)である。It is sectional drawing (A) and the top view (B) which show the LED array chip | tip of the modification of 1st Embodiment. 第1の実施の形態の変形例のLEDアレイチップの製造方法を説明するための断面図(A)、(B)である。It is sectional drawing (A) for demonstrating the manufacturing method of the LED array chip | tip of the modification of 1st Embodiment. 第2の実施の形態のLEDアレイチップを示す断面図(A)および平面図(B)である。It is sectional drawing (A) and top view (B) which show the LED array chip of 2nd Embodiment. 第2の実施の形態のLEDアレイチップの製造方法で用いる基板を説明するための断面図(A)および平面図(B)である。It is sectional drawing (A) and a top view (B) for demonstrating the board | substrate used with the manufacturing method of the LED array chip of 2nd Embodiment. 第2の実施の形態のLEDアレイチップの製造方法を説明するための断面図(A)〜(D)である。It is sectional drawing (A)-(D) for demonstrating the manufacturing method of the LED array chip | tip of 2nd Embodiment. 第2の実施の形態の発光デバイスにおけるLEDアレイチップの配置例を示す平面図である。It is a top view which shows the example of arrangement | positioning of the LED array chip in the light-emitting device of 2nd Embodiment. 第3の実施の形態のLEDアレイチップを示す平面図である。It is a top view which shows the LED array chip of 3rd Embodiment. 第3の実施の形態のLEDアレイチップの製造方法を説明するための断面面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the LED array chip of 3rd Embodiment. 第3の実施の形態の第1の変形例のLEDアレイチップを示す平面図である。It is a top view which shows the LED array chip of the 1st modification of 3rd Embodiment. 第3の実施の形態の第2の変形例のLEDアレイチップを示す平面図である。It is a top view which shows the LED array chip of the 2nd modification of 3rd Embodiment. 各実施の形態のLEDアレイチップを有する発光デバイスを適用した光プリントヘッドを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the optical print head to which the light emitting device which has the LED array chip of each embodiment is applied. 図23の光プリントヘッドを備えた画像形成装置を示す図である。It is a figure which shows the image forming apparatus provided with the optical print head of FIG.

第1の実施の形態.
<発光デバイスの構成>
図1(A)および(B)は、本発明の第1の実施の形態のLEDアレイチップ10(光学素子チップ)を有する発光デバイス1(光学素子装置)の断面図および平面図である。発光デバイス1は、複数のLEDアレイチップ10を、ベース部材51上に配列し、例えば接着により固定したものである。なお、図1では、ベース部材51上に2つのLEDアレイチップ10を配列しているが、LEDアレイチップ10の数は2つ以上であればよい。
First embodiment.
<Configuration of light emitting device>
1A and 1B are a cross-sectional view and a plan view of a light emitting device 1 (optical element device) having the LED array chip 10 (optical element chip) according to the first embodiment of the present invention. The light emitting device 1 includes a plurality of LED array chips 10 arranged on a base member 51 and fixed by, for example, adhesion. In FIG. 1, two LED array chips 10 are arranged on the base member 51, but the number of LED array chips 10 may be two or more.

図2(A)および(B)は、第1の実施の形態のLEDアレイチップ(光学素子チップ)10を示す断面図および平面図である。ここでは、2つのLEDアレイチップ10を示している。LEDアレイチップ10は、基板15と、基板15上に配列された複数の光学素子としてのLED(発光ダイオード)11と、LED11を覆うように形成されたレンズ要素としてのマイクロレンズ12と、マイクロレンズ12の周囲に形成された遮光壁13とを有している。   2A and 2B are a cross-sectional view and a plan view showing the LED array chip (optical element chip) 10 according to the first embodiment. Here, two LED array chips 10 are shown. The LED array chip 10 includes a substrate 15, LEDs (light emitting diodes) 11 as a plurality of optical elements arranged on the substrate 15, microlenses 12 as lens elements formed so as to cover the LEDs 11, and microlenses 12 and a light shielding wall 13 formed around 12.

基板15は、例えばSi、GaAs、GaP、InP、GaNまたはZnOなどの半導体基板で構成することができる。また、基板15は、AlN若しくはAlなどのセラミック基板、ガラス基板、またはガラスエポキシ基板で構成してもよい。また、基板15は、Cu若しくはA1などの金属基板、またはプラスチック基板で構成してもよい。 The substrate 15 can be composed of a semiconductor substrate such as Si, GaAs, GaP, InP, GaN, or ZnO. The substrate 15 may be made of a ceramic substrate such as AlN or Al 2 O 3 , a glass substrate, or a glass epoxy substrate. The substrate 15 may be made of a metal substrate such as Cu or A1, or a plastic substrate.

ここでは、基板15は、一方向(図中左右方向)に長い形状を有している。LED11は、基板15の長手方向に一列に配列されている。基板15の長さは、例えば9mmである。1つの基板15に、例えば26個のLED11が配列される。但し、基板15のサイズおよびLED11の数は、上記の例に限られず、任意に設定することができる。   Here, the board | substrate 15 has a shape long in one direction (left-right direction in the figure). The LEDs 11 are arranged in a line in the longitudinal direction of the substrate 15. The length of the substrate 15 is, for example, 9 mm. For example, 26 LEDs 11 are arranged on one substrate 15. However, the size of the substrate 15 and the number of LEDs 11 are not limited to the above example, and can be arbitrarily set.

以下では、基板15の長手方向(LED11の配列方向)を、X方向とする。基板15の表面(主面15a)に平行で、且つX方向に直交する方向(幅方向)を、Y方向とする。X方向およびY方向に直交する方向(基板15の主面15aに直交する方向)を、Z方向とする。   Below, let the longitudinal direction (arrangement direction of LED11) of the board | substrate 15 be X direction. A direction (width direction) parallel to the surface (main surface 15a) of the substrate 15 and orthogonal to the X direction is defined as a Y direction. A direction orthogonal to the X direction and the Y direction (a direction orthogonal to the main surface 15a of the substrate 15) is defined as a Z direction.

ベース部材51(図1(B))上では、複数のLEDアレイチップ10がX方向に配列されている。隣り合うLEDアレイチップ10の基板15のX方向の端部(端縁)15eは、例えば7μmの隙間Gを挟んで互いに対向している。なお、基板15の端部15eは、チップ端とも称する。   On the base member 51 (FIG. 1B), a plurality of LED array chips 10 are arranged in the X direction. End portions (edges) 15e in the X direction of the substrates 15 of the adjacent LED array chips 10 are opposed to each other with a gap G of 7 μm, for example. The end 15e of the substrate 15 is also referred to as a chip end.

LED11は、例えば、図示しない成長基板(例えばSi、GaAs、SiCまたはGaN)上に成長させたエピタキシャルフィルムを、成長基板から分離して基板15の主面15aに接合したものである。エピタキシャルフィルムの厚さは、例えば数μmである。基板15上に配列されたLED11の列は、LEDアレイ(光学素子アレイ)とも称する。   The LED 11 is, for example, an epitaxial film grown on a growth substrate (not shown) (for example, Si, GaAs, SiC, or GaN) separated from the growth substrate and bonded to the main surface 15 a of the substrate 15. The thickness of the epitaxial film is, for example, several μm. The row of LEDs 11 arranged on the substrate 15 is also referred to as an LED array (optical element array).

マイクロレンズ12は、LED11毎に設けられており、各LED11の出射側を覆うように形成されている。ここでは、マイクロレンズ12は、Z方向を軸とする円筒状の側面(外周面)12aを有し、且つ、上方(基板15と反対側の面)に半球状の凸面12bを有している。   The microlens 12 is provided for each LED 11 and is formed so as to cover the emission side of each LED 11. Here, the microlens 12 has a cylindrical side surface (outer peripheral surface) 12a with the Z direction as an axis, and a hemispherical convex surface 12b on the upper side (surface opposite to the substrate 15). .

なお、ここでは1つのマイクロレンズ12が1つのLED11を覆っているが、1つのマイクロレンズ12が複数(例えば2つ)のLED11を覆うように構成してもよい。基板15上に配列されたマイクロレンズ12の列は、マイクロレンズアレイ(またはレンズアレイ)とも称する。   Here, one microlens 12 covers one LED 11, but one microlens 12 may be configured to cover a plurality of (for example, two) LEDs 11. The row of microlenses 12 arranged on the substrate 15 is also referred to as a microlens array (or lens array).

マイクロレンズ12は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミドまたはアミドイミドなどを主成分とする材料で構成される。このマイクロレンズ12は、半球状の凸面12bの屈折作用により、LED11から出射された光を集光する作用を有する。   The microlens 12 is made of a material mainly composed of an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, polyimide, amideimide, or the like. The microlens 12 has a function of condensing the light emitted from the LED 11 by the refraction action of the hemispherical convex surface 12b.

遮光壁13は、基板15上に、各マイクロレンズ12を外周側から囲むように形成されている。遮光壁13は、マイクロレンズ12の側面12aに接する内周面を有する略円筒状の開口部13aを有している。遮光壁13は、例えばエポキシ樹脂を主成分とするドライフィルムレジストで形成されている。   The light shielding wall 13 is formed on the substrate 15 so as to surround each microlens 12 from the outer peripheral side. The light shielding wall 13 has a substantially cylindrical opening 13 a having an inner peripheral surface in contact with the side surface 12 a of the microlens 12. The light shielding wall 13 is made of, for example, a dry film resist mainly composed of an epoxy resin.

ここでは、遮光壁13は、基板15上のLED11の配列方向、すなわちX方向に長く形成されている。また、遮光壁13のX方向の端部13eは、基板15の端部(チップ端)15eよりも、所定の突出量Aだけ突出している。突出量Aは、例えば1μmである。   Here, the light shielding wall 13 is formed long in the arrangement direction of the LEDs 11 on the substrate 15, that is, in the X direction. Further, the end 13e in the X direction of the light shielding wall 13 protrudes by a predetermined protrusion amount A from the end (chip end) 15e of the substrate 15. The protrusion amount A is, for example, 1 μm.

また、図1(B)に示すようにベース部材51上に固定された状態で、隣り合うLEDアレイチップ10の遮光壁13の端部13eの間隔C(すなわち上述したチップ端15eの間隔G−突出量A×2)は、例えば5μmである。   Further, as shown in FIG. 1B, in the state of being fixed on the base member 51, the interval C between the end portions 13e of the light shielding walls 13 of the adjacent LED array chips 10 (that is, the interval G− between the chip ends 15e described above). The protrusion amount A × 2) is, for example, 5 μm.

ここでは、遮光壁13は、基板15の主面15aのY方向中央部に形成されているが、Y方向中央部に限らず、例えばY方向端部に形成されていてもよい。   Here, the light shielding wall 13 is formed at the center portion in the Y direction of the main surface 15a of the substrate 15. However, the light shielding wall 13 is not limited to the center portion in the Y direction, and may be formed at an end portion in the Y direction, for example.

遮光壁13は、LED11から発せられてマイクロレンズ12の側面から出射される光を遮光する。この遮光壁13は、あるLED11上のマイクロレンズ12の側面から出射されて隣のマイクロレンズ12に侵入する光(すなわち迷光)を抑制する。   The light shielding wall 13 shields light emitted from the LED 11 and emitted from the side surface of the microlens 12. The light shielding wall 13 suppresses light (that is, stray light) emitted from the side surface of the microlens 12 on a certain LED 11 and entering the adjacent microlens 12.

<発光デバイスの製造方法>
次に、本実施の形態の発光デバイス1の製造方法について説明する。図3(A)および(B)は、LED11が配列された基板15を示す断面図および平面図である。図3(A)および(B)に示すように、基板15は、分離(切断)される前の状態であり、その主面15aに素子形成領域15bと溝形成領域15cとを有している。
<Method for manufacturing light-emitting device>
Next, a method for manufacturing the light emitting device 1 of the present embodiment will be described. 3A and 3B are a cross-sectional view and a plan view showing the substrate 15 on which the LEDs 11 are arranged. As shown in FIGS. 3A and 3B, the substrate 15 is in a state before being separated (cut), and has an element formation region 15b and a groove formation region 15c on its main surface 15a. .

基板15の主面15aの素子形成領域15bに、1または複数(ここでは複数)のLED11を配列する。LED11は、例えば、図示しない成長基板(ウエハ)上に成長させたエピタキシャルフィルム(LEDエピタキシャルフィルム)を、成長基板から分離して基板15の主面15aに接合したものである。LED11と基板15とは、例えば分子間力により接合される。   One or a plurality of (here, a plurality of) LEDs 11 are arranged in the element formation region 15 b of the main surface 15 a of the substrate 15. The LED 11 is, for example, an epitaxial film (LED epitaxial film) grown on a growth substrate (wafer) (not shown) separated from the growth substrate and bonded to the main surface 15 a of the substrate 15. The LED 11 and the substrate 15 are bonded by, for example, intermolecular force.

各LED11は、上面視で正方形であり、1辺の長さは、例えば10μmである。また、LED11の配列ピッチ(隣り合うLED11の中心間のX方向距離)は、例えば21μmであり、これは1200dpiに相当する。   Each LED 11 is square in a top view, and the length of one side is, for example, 10 μm. The arrangement pitch of the LEDs 11 (X-direction distance between the centers of adjacent LEDs 11) is, for example, 21 μm, which corresponds to 1200 dpi.

図4(A)および(B)は、基板15の溝形成工程を説明するための断面図および平面図である。図4(A)および(B)に示すように、例えばダイシングブレードを用いて、基板15の溝形成領域15cを主面15a側からダイシングする。   FIGS. 4A and 4B are a cross-sectional view and a plan view for explaining a groove forming step of the substrate 15. As shown in FIGS. 4A and 4B, the groove forming region 15c of the substrate 15 is diced from the main surface 15a side using, for example, a dicing blade.

ダイシング深さDは、基板15の最終厚みT(図2(A))よりも深く、且つ、基板15の裏面15gに到達しない程度(すなわち基板15を完全に分割しない程度)の深さである。これにより、基板15には、溝15dが形成される。溝15dにより、溝15dの両側の2つのLEDアレイチップ10が電気的に分割される。溝15dのX方向両側の壁面は、上述したチップ端15eを構成する。なお、溝15dの幅(X方向の長さ)は、例えば0.01〜0.2mm程度であるが、各図面では、構成を分かり易くするため、溝15dの幅を広く示している。   The dicing depth D is deeper than the final thickness T (FIG. 2A) of the substrate 15 and does not reach the back surface 15 g of the substrate 15 (that is, the substrate 15 is not completely divided). . Thereby, a groove 15 d is formed in the substrate 15. The two LED array chips 10 on both sides of the groove 15d are electrically divided by the groove 15d. Wall surfaces on both sides in the X direction of the groove 15d constitute the chip end 15e described above. Note that the width of the groove 15d (the length in the X direction) is, for example, about 0.01 to 0.2 mm. However, in each drawing, the width of the groove 15d is shown wide to facilitate understanding of the configuration.

ここでは、LEDアレイチップ10のLED11のうち、溝15dに最も近い(すなわち列の端に配置された)LED11を端部LED111とする。端部LED111の側面からチップ端15eまでの距離Bは、例えば2μmとする。   Here, among the LEDs 11 of the LED array chip 10, the LED 11 closest to the groove 15 d (that is, disposed at the end of the column) is defined as the end LED 111. The distance B from the side surface of the end LED 111 to the chip end 15e is, for example, 2 μm.

なお、溝15dの形成は、ダイシングブレードによるダイシングに限らず、例えば塩素系ガスまたはフッ素系ガスを用いたドライエッチングを用いてもよい。   The formation of the groove 15d is not limited to dicing with a dicing blade, and dry etching using, for example, a chlorine-based gas or a fluorine-based gas may be used.

図5は、遮光壁材料層16の形成工程を説明するための断面図である。図5に示すように、基板15の主面15aに、LED11を覆うように、テンティング可能なドライフィルムレジストである遮光壁材料層16(第1の材料層)を、テンティング状態でラミネートする。テンティングとは、基板15の溝15dを、テントを張るように覆うことを言う。   FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a process of forming the light shielding wall material layer 16. As shown in FIG. 5, a light shielding wall material layer 16 (first material layer) that is a tenting dry film resist is laminated on the main surface 15 a of the substrate 15 so as to cover the LEDs 11 in a tenting state. . Tenting means covering the groove 15d of the substrate 15 so as to stretch the tent.

遮光壁材料層16を構成するドライフィルムレジストは、例えばエポキシ樹脂などで構成される。遮光壁材料層16の厚さは、例えば10μmとする。また、ここで用いるドライフィルムレジストは、ネガ型とする。   The dry film resist constituting the light shielding wall material layer 16 is made of, for example, an epoxy resin. The thickness of the light shielding wall material layer 16 is, for example, 10 μm. The dry film resist used here is a negative type.

図6は、遮光壁材料層16の露光工程を説明するための断面図である。図6に示すように、フォトマスク17を用いて、遮光壁材料層16を露光する。フォトマスク17は、遮光壁13(図2(B))の形成位置に対応した位置に開口部(パターン)を有している。露光には、紫外線露光装置を用いる。また、光源としては、超高圧水銀灯、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプまたは遠紫外線灯などを用いる。   FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining an exposure process of the light shielding wall material layer 16. As shown in FIG. 6, the light shielding wall material layer 16 is exposed using a photomask 17. The photomask 17 has an opening (pattern) at a position corresponding to the formation position of the light shielding wall 13 (FIG. 2B). An ultraviolet exposure device is used for the exposure. As the light source, an ultra-high pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a deep ultraviolet lamp, or the like is used.

遮光壁材料層16において、フォトマスク17を介して露光された部分は、硬化し、後述する現像液に溶出しないものとなる。また、必要に応じて、露光後にベークを行って、遮光壁材料層16の露光部分の硬化を促進させてもよい。   In the light shielding wall material layer 16, a portion exposed through the photomask 17 is cured and does not elute into the developer described later. Further, if necessary, baking may be performed after exposure to promote curing of the exposed portion of the light shielding wall material layer 16.

図7(A)および(B)は、遮光壁材料層16の現像工程を説明するための断面図および平面図である。現像液(アルカリ水溶液または溶剤)を用いて、遮光壁材料層16の未硬化部分を溶出させる。これにより、図7(A)および(B)に示すように、開口部13aを有する遮光壁13が形成され、それ以外の遮光壁材料層16は除去される。開口部13aは、LED11を囲むように形成される。必要に応じて後乾燥としてポストベーク(熱焼成)を行い、遮光壁13の硬化を促進させてもよい。   FIGS. 7A and 7B are a cross-sectional view and a plan view for explaining the developing process of the light shielding wall material layer 16. The uncured portion of the light shielding wall material layer 16 is eluted using a developer (alkaline aqueous solution or solvent). Thereby, as shown in FIGS. 7A and 7B, the light shielding wall 13 having the opening 13a is formed, and the other light shielding wall material layer 16 is removed. The opening 13 a is formed so as to surround the LED 11. If necessary, post-baking (thermal baking) may be performed as post-drying to promote curing of the light shielding wall 13.

硬化後の遮光壁13のX方向の端部13eは、チップ端15eよりも溝15d側に、例えば1μmせり出すように形成する。また、遮光壁13の開口部13aの内周面は、LED11からの最小距離が0.5μm程度となるように形成する。開口部13aの形状は、ここでは略円筒状であるが、これに限定されるものではない。以上のように、遮光壁13は、フォトリソグラフィによって形成される。   The end 13e in the X direction of the light-shielding wall 13 after curing is formed so as to protrude, for example, by 1 μm to the groove 15d side from the chip end 15e. The inner peripheral surface of the opening 13a of the light shielding wall 13 is formed so that the minimum distance from the LED 11 is about 0.5 μm. The shape of the opening 13a is substantially cylindrical here, but is not limited thereto. As described above, the light shielding wall 13 is formed by photolithography.

図8は、レンズ材料層18の形成工程を説明するための断面図である。図8に示すように、基板15の主面15aに、LED11および遮光壁13を覆うように、テンティング可能なドライフィルムレジストであるレンズ材料層18(第2の材料層)を、テンティング状態でラミネートする。   FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a process of forming the lens material layer 18. As shown in FIG. 8, a lens material layer 18 (second material layer), which is a dry film resist that can be tented, is applied to the main surface 15a of the substrate 15 so as to cover the LED 11 and the light shielding wall 13. Laminate with.

レンズ材料層18を構成するドライフィルムレジストは、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミドまたはアミドイミドなどを主成分とする材料で形成されるが、LED11が出射する光に対する透過率が高い材料が好ましい。また、経年変化による、LED11が出射する光に対する透過率の低下が少ない材料が好ましい。レンズ材料層18の厚さは、例えば20μmとする。また、ここで用いるドライフィルムレジストは、ネガ型とする。   The dry film resist constituting the lens material layer 18 is formed of a material mainly composed of, for example, epoxy resin, acrylic resin, silicone resin, polyimide, or amideimide, but a material having high transmittance with respect to light emitted from the LED 11 is used. preferable. Moreover, a material with little decrease in transmittance with respect to light emitted from the LED 11 due to secular change is preferable. The thickness of the lens material layer 18 is, for example, 20 μm. The dry film resist used here is a negative type.

図9は、レンズ材料層18の露光工程を説明するための断面図である。図9に示すように、フォトマスク19を用いて、レンズ材料層18を露光する。フォトマスク19は、基板15上のマイクロレンズ12(図2(B))の形成位置に対応した位置に開口部(パターン)を有している。露光には、紫外線露光装置を用いる。また、光源としては、超高圧水銀灯、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプまたは遠紫外線灯などを用いる。   FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the exposure process of the lens material layer 18. As shown in FIG. 9, the lens material layer 18 is exposed using a photomask 19. The photomask 19 has an opening (pattern) at a position corresponding to the formation position of the microlens 12 (FIG. 2B) on the substrate 15. An ultraviolet exposure device is used for the exposure. As the light source, an ultra-high pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a deep ultraviolet lamp, or the like is used.

レンズ材料層18において、フォトマスク19を介して露光された部分は、硬化し、後述する現像液に溶出しないものとなる。紫外線露光装置の露光条件は、所望のレンズ形状が得られるように適宜設定する。必要に応じて、露光後にベークを行って、レンズ材料層18の露光部分の硬化を促進させてもよい。   In the lens material layer 18, the portion exposed through the photomask 19 is cured and does not elute into the developer described later. The exposure conditions of the ultraviolet exposure apparatus are set as appropriate so that a desired lens shape can be obtained. If necessary, baking may be performed after exposure to promote curing of the exposed portion of the lens material layer 18.

図10は、レンズ材料層18の現像工程を説明するための断面図である。現像液(アルカリ水溶液または溶剤)を用いて、レンズ材料層18の未硬化部分を溶出させる。これにより、図10に示すように、マイクロレンズ12が形成され、それ以外のレンズ材料層18は除去される。必要に応じてポストベーク(熱焼成)を行い、マイクロレンズ12の硬化を促進させてもよい。以上のように、マイクロレンズ12は、フォトリソグラフィによって形成される。   FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining the developing process of the lens material layer 18. The uncured portion of the lens material layer 18 is eluted using a developer (alkaline aqueous solution or solvent). Thereby, as shown in FIG. 10, the microlens 12 is formed, and the other lens material layer 18 is removed. If necessary, post-baking (thermal baking) may be performed to accelerate the curing of the microlens 12. As described above, the microlens 12 is formed by photolithography.

図11は、基板15を分離する工程を説明するための断面図である。基板15の主面15a側に保護用の粘着テープ20を貼り付け、基板15を裏面15g側から研磨する。基板15を、目標のチップ厚さT(図2(A))になるまで研磨することにより、個々のLEDアレイチップ10に分離する。   FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining a process of separating the substrate 15. A protective adhesive tape 20 is attached to the main surface 15a side of the substrate 15, and the substrate 15 is polished from the back surface 15g side. The substrate 15 is polished into a target chip thickness T (FIG. 2A) to separate the individual LED array chips 10.

これにより、図2(A)に示したように、基板15上にLED11、マイクロレンズ12および遮光壁13が形成されたLEDアレイチップ10(光学素子チップ)が製造される。   Thereby, as shown in FIG. 2A, the LED array chip 10 (optical element chip) in which the LED 11, the microlens 12, and the light shielding wall 13 are formed on the substrate 15 is manufactured.

その後、各LEDアレイチップ10を、図1(B)に示すように、ベース部材51上に配列し、接着により固定する。これにより、発光デバイス1(光学素子装置)が製造される。上述したように、隣り合うLEDアレイチップ10のチップ端15eの間隔Gは、例えば7μmであり、遮光壁13の端部13e同士の間隔Cは、例えば5μmである。   Thereafter, as shown in FIG. 1B, the LED array chips 10 are arranged on the base member 51 and fixed by adhesion. Thereby, the light emitting device 1 (optical element device) is manufactured. As described above, the gap G between the chip ends 15e of the adjacent LED array chips 10 is, for example, 7 μm, and the gap C between the end portions 13e of the light shielding walls 13 is, for example, 5 μm.

上記の例では、遮光壁材料層16およびレンズ材料層18として、テンティング可能なネガ型ドライフィルムレジストを用いたが、テンティング可能なポジ型のドライフィルムレジストを用いてもよい。   In the above example, the tenting negative dry film resist is used as the light shielding wall material layer 16 and the lens material layer 18. However, a tenting positive dry film resist may be used.

<第1の実施の形態の効果>
本発明の第1の実施の形態では、基板15上に遮光壁13を形成したのち、遮光壁13の開口部13aにマイクロレンズ12を形成するため、LED11を高密度に集積した場合であっても、マイクロレンズ12の側面に遮光壁13を形成することができる。
<Effect of the first embodiment>
In the first embodiment of the present invention, after the light shielding wall 13 is formed on the substrate 15, the microlenses 12 are formed in the openings 13 a of the light shielding wall 13. Alternatively, the light shielding wall 13 can be formed on the side surface of the microlens 12.

また、遮光壁13の端部13eがチップ端15eから突出しているため、列の端に配置されたLED111とチップ端15eとの間隔が狭い場合であっても、当該LED111の側面に遮光壁13を形成することができる。従って、マイクロレンズ12の側面からの迷光を遮光壁13で遮光することができる。そのため、発光デバイス1を画像形成装置100(図24参照)の光プリントヘッドに用いた場合には、印刷品質を向上することができる。   Further, since the end portion 13e of the light shielding wall 13 protrudes from the chip end 15e, even if the distance between the LED 111 arranged at the end of the row and the chip end 15e is narrow, the light shielding wall 13 is formed on the side surface of the LED 111. Can be formed. Accordingly, stray light from the side surface of the microlens 12 can be shielded by the light shielding wall 13. Therefore, when the light emitting device 1 is used for the optical print head of the image forming apparatus 100 (see FIG. 24), the print quality can be improved.

また、マイクロレンズ12を形成する前に遮光壁13を形成するため、遮光壁13を任意の形状および高さに形成することができる。   Further, since the light shielding wall 13 is formed before the microlens 12 is formed, the light shielding wall 13 can be formed in an arbitrary shape and height.

遮光壁13の開口部13aにマイクロレンズ12を形成するため、マイクロレンズ12(オンチップレンズ)の側面すなわち外周面を、遮光壁13の開口部13aの内周面で支える構成が得られる。   Since the microlens 12 is formed in the opening 13 a of the light shielding wall 13, a configuration in which the side surface, that is, the outer peripheral surface of the microlens 12 (on-chip lens) is supported by the inner peripheral surface of the opening 13 a of the light shielding wall 13 is obtained.

また、遮光壁13を形成する前に基板15上にマイクロレンズ12を形成すると、マイクロレンズ12を周囲から支えるものがないため、マイクロレンズ12の光軸方向の長さが長い場合には、マイクロレンズ12の倒れや傾きが生じる可能性がある。これに対し、本実施の形態では、遮光壁13を形成した後に遮光壁13の開口部13aにマイクロレンズ12を形成するため、マイクロレンズ12を周囲から支えることができ、倒れおよび傾きを防止することができる。   Further, if the microlens 12 is formed on the substrate 15 before the light shielding wall 13 is formed, there is nothing to support the microlens 12 from the surroundings. Therefore, if the length of the microlens 12 in the optical axis direction is long, the microlens 12 There is a possibility that the lens 12 falls or tilts. On the other hand, in the present embodiment, since the microlens 12 is formed in the opening 13a of the light shielding wall 13 after the light shielding wall 13 is formed, the microlens 12 can be supported from the surroundings, and falling and tilting are prevented. be able to.

また、遮光壁13を形成した後に遮光壁13の開口部13aにマイクロレンズ12を形成するため、例えば図12に一例を示すように、遮光壁13の開口部13aの内径D2よりも最大外径D1が大きいマイクロレンズ12を形成することも可能であり、光を有効に利用することができる。図12に示した形状のマイクロレンズ12は、図9に示した露光工程における露光条件を適宜設定することにより形成可能である。このように、マイクロレンズ12の種々の形状に対応することができる。   Since the microlens 12 is formed in the opening 13a of the light shielding wall 13 after the light shielding wall 13 is formed, for example, as shown in FIG. 12, for example, the maximum outer diameter is larger than the inner diameter D2 of the opening 13a of the light shielding wall 13. It is also possible to form the microlens 12 having a large D1, and the light can be used effectively. The microlens 12 having the shape shown in FIG. 12 can be formed by appropriately setting the exposure conditions in the exposure process shown in FIG. Thus, it can respond to various shapes of the microlens 12.

また、基板15に溝15dを形成した後に遮光壁13を形成するため、例えば、ダイシングによる遮光壁13の欠け(チッピング)若しくは飛び、またはドライエッチングによる遮光壁13の損傷を防止することができる。   In addition, since the light shielding wall 13 is formed after the groove 15d is formed in the substrate 15, for example, chipping or jumping of the light shielding wall 13 due to dicing, or damage to the light shielding wall 13 due to dry etching can be prevented.

また、基板15に溝15dを形成した後に遮光壁13を形成するため、簡単な工程で、遮光壁13をチップ端15eから突出した形状に形成することができる。   Further, since the light shielding wall 13 is formed after forming the groove 15d in the substrate 15, the light shielding wall 13 can be formed in a shape protruding from the chip end 15e by a simple process.

変形例.
図13(A)および(B)は、第1の実施の形態の変形例のLEDアレイチップ10Aを示す断面図および平面図である。上記の第1の実施の形態では、遮光壁13の端部13eがチップ端15eから突出する構成について説明したが、この変形例では、図13(A)および(B)に示すように、遮光壁13の端部13eとチップ端15eとが一致している。
Modified example.
FIGS. 13A and 13B are a cross-sectional view and a plan view showing an LED array chip 10A according to a modification of the first embodiment. In the first embodiment described above, the configuration in which the end portion 13e of the light shielding wall 13 protrudes from the chip end 15e has been described. However, in this modified example, as shown in FIGS. The end 13e of the wall 13 and the tip end 15e coincide.

このようなLEDアレイチップ10Aを製造する場合、図6を参照して説明した遮光壁材料層16の露光工程において、使用するフォトマスク17のパターンを変更し、図14(A)に示すように、遮光壁13の端部13eを、基板15の溝15dの壁面と一致させる。   When manufacturing such an LED array chip 10A, the pattern of the photomask 17 to be used is changed in the exposure process of the light shielding wall material layer 16 described with reference to FIG. 6, and as shown in FIG. The end portion 13e of the light shielding wall 13 is made to coincide with the wall surface of the groove 15d of the substrate 15.

その後、図14(B)に示すように、基板15上の遮光壁13を覆うようにレンズ材料層18を形成し、その後、第1の実施の形態と同様にフォトマスク19を介して露光し、マイクロレンズ12を形成する。そして、基板15を裏面15g側から研磨することにより、図13(A)および(B)に示したように、遮光壁13の端部13eとチップ端15eとが一致したLEDアレイチップ10Aが得られる。   Thereafter, as shown in FIG. 14B, a lens material layer 18 is formed so as to cover the light shielding wall 13 on the substrate 15, and then exposed through the photomask 19 in the same manner as in the first embodiment. The microlens 12 is formed. Then, by polishing the substrate 15 from the back surface 15g side, as shown in FIGS. 13A and 13B, an LED array chip 10A in which the end portion 13e of the light shielding wall 13 and the chip end 15e coincide is obtained. It is done.

第2の実施の形態.
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図15(A)および(B)は、第2の実施の形態のLEDアレイチップ10Bを示す断面図および平面図である。上記の第1の実施の形態では、遮光壁13の長手方向(X方向)の端部13eが、チップ端15eから突出していたが、この第2の実施の形態では、図15(A)および(B)に示すように、遮光壁23の幅方向(Y方向)の端部23fが、基板15のY方向の端部(チップ端)15fから突出している。
Second embodiment.
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIGS. 15A and 15B are a cross-sectional view and a plan view showing the LED array chip 10B of the second embodiment. In the first embodiment, the end portion 13e in the longitudinal direction (X direction) of the light shielding wall 13 protrudes from the chip end 15e. In the second embodiment, FIG. As shown in FIG. 5B, the end portion 23f in the width direction (Y direction) of the light shielding wall 23 projects from the end portion (chip end) 15f in the Y direction of the substrate 15.

図16(A)および(B)は、第2の実施の形態で用いる基板15を示す断面図および平面図である。第2の実施の形態では、基板15上の溝形成領域15cの片側に、溝形成領域15cに沿って複数のLED11をY方向に配列する。   16A and 16B are a cross-sectional view and a plan view showing the substrate 15 used in the second embodiment. In the second embodiment, a plurality of LEDs 11 are arranged in the Y direction along the groove forming region 15 c on one side of the groove forming region 15 c on the substrate 15.

図17(A)〜(D)は、第2の実施の形態のLEDアレイチップ10Bの製造方法を説明するための工程毎の断面図である。図17(A)に示すように、基板15の主面15aに、LED11を覆うように遮光壁材料層16(ドライフィルムレジスト)をテンティング状態でラミネートする。遮光壁材料層16は、第1の実施の形態で説明したとおりである。   FIGS. 17A to 17D are cross-sectional views for each step for explaining the method of manufacturing the LED array chip 10B of the second embodiment. As shown in FIG. 17A, a light shielding wall material layer 16 (dry film resist) is laminated on the main surface 15a of the substrate 15 so as to cover the LEDs 11 in a tenting state. The light shielding wall material layer 16 is as described in the first embodiment.

その後、フォトマスク17を介して遮光壁材料層16を露光する。フォトマスク17は、基板15上の遮光壁23の形成位置に対応した位置に開口部を有している。遮光壁材料層16において、フォトマスク17を介して露光された部分は、硬化する。   Thereafter, the light shielding wall material layer 16 is exposed through the photomask 17. The photomask 17 has an opening at a position corresponding to the position where the light shielding wall 23 is formed on the substrate 15. In the light shielding wall material layer 16, a portion exposed through the photomask 17 is cured.

次に、現像液(アルカリ水溶液または溶剤)を用いて、遮光壁材料層16の未硬化部分を溶出させる。これにより、図17(B)に示すように、開口部23aを有する遮光壁23が形成され、それ以外の遮光壁材料層16は除去される。このとき、遮光壁23のY方向の端部23fは、チップ端15fよりも溝15d側に、例えば1μmせり出している。   Next, the uncured portion of the light shielding wall material layer 16 is eluted using a developer (alkaline aqueous solution or solvent). Thereby, as shown in FIG. 17B, the light shielding wall 23 having the opening 23a is formed, and the other light shielding wall material layer 16 is removed. At this time, the end portion 23f in the Y direction of the light shielding wall 23 protrudes, for example, by 1 μm to the groove 15d side from the chip end 15f.

その後、図17(C)に示すように、基板15の主面15aに、LED11および遮光壁23を覆うように、テンティング可能なレンズ材料層18(ドライフィルムレジスト)を、テンティング状態でラミネートする。レンズ材料層18は、第1の実施の形態で説明したとおりである。   Thereafter, as shown in FIG. 17C, a lens material layer 18 (dry film resist) that can be tented is laminated on the main surface 15a of the substrate 15 so as to cover the LED 11 and the light shielding wall 23 in a tenting state. To do. The lens material layer 18 is as described in the first embodiment.

次に、フォトマスク19を介してレンズ材料層18を露光する。フォトマスク19は、基板15上のマイクロレンズ12の形成位置に対応した位置に開口部を有している。   Next, the lens material layer 18 is exposed through the photomask 19. The photomask 19 has an opening at a position corresponding to the formation position of the microlens 12 on the substrate 15.

その後、現像液(アルカリ水溶液または溶剤)を用いて、レンズ材料層18の未硬化部分を溶出させる。これにより、図17(D)に示すように、遮光壁23の開口部23aにマイクロレンズ12が形成され、それ以外のレンズ材料層18は除去される。   Thereafter, the uncured portion of the lens material layer 18 is eluted using a developer (alkaline aqueous solution or solvent). As a result, as shown in FIG. 17D, the microlens 12 is formed in the opening 23a of the light shielding wall 23, and the other lens material layer 18 is removed.

その後、基板15を裏面15g側から研磨することにより、図15(A)および(B)に示したように、遮光壁23のY方向の端部23fがチップ端15fから突出したLEDアレイチップ10Bが得られる。   Thereafter, by polishing the substrate 15 from the back surface 15g side, as shown in FIGS. 15A and 15B, the LED array chip 10B in which the end portion 23f of the light shielding wall 23 in the Y direction protrudes from the chip end 15f. Is obtained.

図18は、ベース部材51(図1)上に複数のLEDアレイチップ10Bを配列した発光デバイスの構成例を示す図である。第2の実施の形態のLEDアレイチップ10Bは、図18に示すように千鳥状に配列することができる。上記の通り、LEDアレイチップ10Bは遮光壁23のY方向の端部23fがチップ端15fから突出した形状を有しているため、各LEDアレイチップ10BをY方向に密に配置することができる。   FIG. 18 is a diagram illustrating a configuration example of a light emitting device in which a plurality of LED array chips 10B are arranged on the base member 51 (FIG. 1). The LED array chips 10B of the second embodiment can be arranged in a staggered manner as shown in FIG. As described above, since the LED array chip 10B has a shape in which the end portion 23f in the Y direction of the light shielding wall 23 protrudes from the chip end 15f, the LED array chips 10B can be densely arranged in the Y direction. .

本発明の第2の実施の形態によれば、遮光壁23の幅方向(Y方向)の端部23fがチップ端15fから突出しているため、LED11とチップ端15fとの間隔が狭い場合であっても、LED11の側面に遮光壁23を形成することができる。従って、マイクロレンズ12の側面からの迷光を遮光壁23で遮光することができる。   According to the second embodiment of the present invention, since the end portion 23f in the width direction (Y direction) of the light shielding wall 23 protrudes from the chip end 15f, the distance between the LED 11 and the chip end 15f is narrow. However, the light shielding wall 23 can be formed on the side surface of the LED 11. Therefore, stray light from the side surface of the microlens 12 can be shielded by the light shielding wall 23.

また、各LED11を基板15のY方向の端部(チップ端)15fの近傍に配置することができるため、複数のLEDアレイチップ10Bを千鳥状に配置した場合(図18参照)に、各LEDアレイチップ10BのLED11をY方向に密に配置することができる。   Further, since each LED 11 can be arranged in the vicinity of the end portion (chip end) 15f in the Y direction of the substrate 15, when the plurality of LED array chips 10B are arranged in a staggered manner (see FIG. 18), each LED The LEDs 11 of the array chip 10B can be densely arranged in the Y direction.

第3の実施の形態.
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。図19は、第3の実施の形態のLEDアレイチップ10Cを示す平面図である。この第3の実施の形態のLEDアレイチップ10Cは、遮光壁33に溝部(第1の溝部33bおよび第2の溝部33c)を形成したものである。
Third embodiment.
Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 19 is a plan view showing an LED array chip 10C according to the third embodiment. The LED array chip 10C according to the third embodiment is obtained by forming groove portions (first groove portion 33b and second groove portion 33c) in the light shielding wall 33.

遮光壁33は、第1の実施の形態の遮光壁13と同様に、基板15上のLED11に対応する位置に開口部33aを有している。遮光壁33は、さらに、開口部33aのY方向両側に設けられてX方向に延在する一対の第1の溝部33bと、各第1の溝部33bと開口部33aとを連通する複数の第2の溝部33cとを有している。第1の溝部33bは、いずれも遮光壁33のX方向の両端部33eに達している。   The light shielding wall 33 has an opening 33a at a position corresponding to the LED 11 on the substrate 15, similarly to the light shielding wall 13 of the first embodiment. The light shielding wall 33 is further provided on both sides of the opening 33a in the Y direction and extends in the X direction, and a plurality of first grooves 33b and the openings 33a communicate with each other. 2 grooves 33c. All of the first groove portions 33b reach both end portions 33e of the light shielding wall 33 in the X direction.

すなわち、第3の実施の形態の遮光壁33では、開口部33aの内部と遮光壁33の外部とが、第1の溝部33bおよび第2の溝部33cによって連通している。   That is, in the light shielding wall 33 of the third embodiment, the inside of the opening 33a and the outside of the light shielding wall 33 are communicated with each other by the first groove portion 33b and the second groove portion 33c.

また、第2の溝部33cが直線状に延在して遮光壁33のY方向の端部に到達するように構成した場合、LED11の光が第2の溝部33cから遮光壁33の外部に漏れる可能性がある。この第3の実施の形態では、第1の溝部33bおよび第2の溝部33cを介して開口部33aの内部と遮光壁33の外部とを連通しているため、LED11の光が遮光壁33の外部に漏れることが防止される。   Further, when the second groove portion 33c extends linearly and reaches the end portion in the Y direction of the light shielding wall 33, the light of the LED 11 leaks from the second groove portion 33c to the outside of the light shielding wall 33. there is a possibility. In the third embodiment, the inside of the opening 33a and the outside of the light shielding wall 33 are communicated with each other through the first groove portion 33b and the second groove portion 33c. Leakage to the outside is prevented.

遮光壁33は、第1の実施の形態の遮光壁13と同様、X方向の端部33eがチップ端15eから突出している。但し、第2の実施の形態で説明したように遮光壁33のY方向の端部33fがチップ端15fから突出する構成を採用してもよい。   As in the light shielding wall 13 of the first embodiment, the light shielding wall 33 has an end 33e in the X direction protruding from the chip end 15e. However, as described in the second embodiment, a configuration in which the end portion 33f of the light shielding wall 33 in the Y direction protrudes from the chip end 15f may be employed.

第3の実施の形態のLEDアレイチップ10Cの他の構成、およびLEDアレイチップ10Cを用いた発光デバイスの構成は、第1の実施の形態のLEDアレイチップ10および発光デバイス1と同様である。   Other configurations of the LED array chip 10C of the third embodiment and the configuration of the light emitting device using the LED array chip 10C are the same as those of the LED array chip 10 and the light emitting device 1 of the first embodiment.

第3の実施の形態の製造工程は、遮光壁33を形成する工程が、第1の実施の形態と異なる。図20は、第3の実施の形態における遮光壁33の形成工程を説明するための断面図である。第1の実施の形態で説明したように、基板15の主面15aに溝15dを形成したのち、LED11を覆うように、遮光壁材料層16(ドライフィルムレジスト)をラミネートする。遮光壁材料層16は、第1の実施の形態で説明したとおりである。   The manufacturing process of the third embodiment is different from the first embodiment in the process of forming the light shielding wall 33. FIG. 20 is a cross-sectional view for explaining a process of forming the light shielding wall 33 in the third embodiment. As described in the first embodiment, after forming the groove 15d on the main surface 15a of the substrate 15, the light shielding wall material layer 16 (dry film resist) is laminated so as to cover the LEDs 11. The light shielding wall material layer 16 is as described in the first embodiment.

この遮光壁材料層16を、フォトマスク27を介して露光する。このフォトマスク27は、遮光壁33の開口部33a、第1の溝部33bおよび第2の溝部33cを除く部分に対応する開口部が形成されている。遮光壁材料層16において、フォトマスク27を介して露光された部分は、硬化する。   The light shielding wall material layer 16 is exposed through a photomask 27. In the photomask 27, openings corresponding to portions excluding the opening 33a, the first groove 33b, and the second groove 33c of the light shielding wall 33 are formed. In the light shielding wall material layer 16, a portion exposed through the photomask 27 is cured.

その後、現像を行って遮光壁材料層16の未硬化部分を除去する。これにより、基板15上に、開口部33a、第1の溝部33bおよび第2の溝部33cを有する遮光壁33が形成される。   Thereafter, development is performed to remove an uncured portion of the light shielding wall material layer 16. As a result, the light shielding wall 33 having the opening 33a, the first groove 33b, and the second groove 33c is formed on the substrate 15.

その後、第1の実施の形態と同様に、基板15の主面15aにLED11と遮光壁33とを覆うようにレンズ材料層18(図8)をラミネートし、露光および現像工程を経て、遮光壁33の開口部33a内にマイクロレンズ12を形成する。そして、基板15を裏面15g側から研磨して切断することにより、LEDアレイチップ10を得る。   Thereafter, as in the first embodiment, the lens material layer 18 (FIG. 8) is laminated on the main surface 15a of the substrate 15 so as to cover the LED 11 and the light shielding wall 33, and after the exposure and development steps, the light shielding wall is obtained. The microlens 12 is formed in the opening 33 a of the 33. Then, the LED array chip 10 is obtained by polishing and cutting the substrate 15 from the back surface 15g side.

本発明の第3の実施の形態によれば、遮光壁33の開口部33aが第1の溝部33bおよび第2の溝部33cを介して外部と連通しているため、レンズ材料層18をラミネートする際に、開口部33a内の空気が第1の溝部33bおよび第2の溝部33cを経て遮光壁33の外部に排出される。そのため、マイクロレンズ12内における空気の混入を防止することができる。   According to the third embodiment of the present invention, since the opening 33a of the light shielding wall 33 communicates with the outside through the first groove 33b and the second groove 33c, the lens material layer 18 is laminated. At this time, the air in the opening 33a is discharged to the outside of the light shielding wall 33 through the first groove 33b and the second groove 33c. Therefore, air can be prevented from being mixed in the microlens 12.

第1の変形例.
図21は、第3の実施の形態の第1の変形例におけるLEDアレイチップ10Dを示す平面図である。第1の変形例におけるLEDアレイチップ10Dでは、遮光壁33Aが、開口部33a、第1の溝部33bおよび第2の溝部33cに加えて、さらに、第3の溝部33dを有している。
First modification.
FIG. 21 is a plan view showing an LED array chip 10D in a first modification of the third embodiment. In the LED array chip 10D in the first modification, the light shielding wall 33A has a third groove portion 33d in addition to the opening portion 33a, the first groove portion 33b, and the second groove portion 33c.

第3の溝部33dは、一対の第1の溝部33bのY方向両側に配置され、各第1の溝部33bから遮光壁33AのY方向の端部33fまで延在している。すなわち、開口部33aの内部と遮光壁33Aの外部とが、第1の溝部33b、第2の溝部33cおよび第3の溝部33dによって連通されている。ここでは、第3の溝部33dは、X方向において、隣り合う第2の溝部33cの中間に配置されているが、このような配置に限定されるものではなく、第2の溝部33cと第3の溝部33dとがX方向において互いにずれた位置に配置されていればよい。   The third groove portions 33d are arranged on both sides in the Y direction of the pair of first groove portions 33b, and extend from the first groove portions 33b to the end portions 33f of the light shielding wall 33A in the Y direction. That is, the inside of the opening 33a and the outside of the light shielding wall 33A are communicated with each other by the first groove 33b, the second groove 33c, and the third groove 33d. Here, the third groove portion 33d is disposed in the middle of the adjacent second groove portions 33c in the X direction, but is not limited to such an arrangement, and the second groove portion 33c and the third groove portion The groove portion 33d may be disposed at a position shifted from each other in the X direction.

この第1の変形例では、第3の溝部33dによって、遮光壁33Aが長手方向(X方向)に複数に分割されている。遮光壁33Aを構成する樹脂(ドライフィルムレジスト)は、硬化時に収縮する場合があり、遮光壁33Aが収縮すると、遮光壁33Aの中央側に向かう応力が発生し、基板15の反りを生じる可能性がある。しかしながら、この第1の変形例では、遮光壁33Aが第3の溝部33dによって長手方向に複数に分割されているため、遮光壁33Aの収縮による応力が分散され、基板15の反りを防止することができる。   In the first modification, the light shielding wall 33A is divided into a plurality of portions in the longitudinal direction (X direction) by the third groove portion 33d. The resin (dry film resist) constituting the light shielding wall 33A may shrink during curing, and when the light shielding wall 33A shrinks, stress toward the center side of the light shielding wall 33A is generated, and the substrate 15 may be warped. There is. However, in the first modification, the light shielding wall 33A is divided into a plurality of portions in the longitudinal direction by the third groove portion 33d, so that the stress due to the contraction of the light shielding wall 33A is dispersed and the warpage of the substrate 15 is prevented. Can do.

また、第2の溝部33cと第3の溝部33dとが一直線上に並んでいると、LED11の光が第2の溝部33cと第3の溝部33dを通って外部に漏れる可能性がある。しかしながら、この第1の変形例では、第2の溝部33cと第3の溝部33dとがX方向において互いにずれた位置に形成されているため、LED11の光が遮光壁33Aの外部に漏れることが防止される。   Further, if the second groove portion 33c and the third groove portion 33d are aligned in a straight line, the light of the LED 11 may leak outside through the second groove portion 33c and the third groove portion 33d. However, in the first modification, the second groove portion 33c and the third groove portion 33d are formed at positions shifted from each other in the X direction, so that the light of the LED 11 may leak to the outside of the light shielding wall 33A. Is prevented.

なお、図21に示した例では、遮光壁33AのX方向の端部33eがチップ端15eから突出しているが、第2の実施の形態で説明したように遮光壁33のY方向の端部33fがチップ端15fから突出する構成を採用してもよい。   In the example shown in FIG. 21, the end portion 33e in the X direction of the light shielding wall 33A protrudes from the chip end 15e. However, as described in the second embodiment, the end portion in the Y direction of the light shielding wall 33 A configuration in which 33f protrudes from the tip end 15f may be employed.

第2の変形例.
図22は、第3の実施の形態の第2の変形例におけるLEDアレイチップ10Eを示す平面図である。第2の変形例におけるLEDアレイチップ10Eは、遮光壁43に溝部(第1の溝部43bおよび第2の溝部43c)を形成したものである。
Second modification.
FIG. 22 is a plan view showing an LED array chip 10E according to a second modification of the third embodiment. The LED array chip 10E in the second modified example is obtained by forming groove portions (first groove portion 43b and second groove portion 43c) in the light shielding wall 43.

遮光壁43は、第1の実施の形態の遮光壁13と同様に、基板15上のLED11に対応する位置に開口部43aを有している。遮光壁43は、さらに、X方向に隣り合う2つの開口部43aに対して、1つの第1の溝部43bと、2つの第2の溝部43cとが設けられている。   The light shielding wall 43 has an opening 43a at a position corresponding to the LED 11 on the substrate 15, similarly to the light shielding wall 13 of the first embodiment. The light shielding wall 43 is further provided with one first groove 43b and two second grooves 43c with respect to two openings 43a adjacent in the X direction.

第1の溝部43bは、遮光壁43のY方向の端部43fから遮光壁43の内部にY方向に延在している。第1の溝部43bの終端と、その第1の溝部43bのX方向両側の2つの開口部43aとの間には、Y方向に対して傾斜した方向に延在する一対の第2の溝部43cが形成されている。   The first groove 43 b extends in the Y direction from the end 43 f of the light shielding wall 43 in the Y direction to the inside of the light shielding wall 43. A pair of second groove portions 43c extending in a direction inclined with respect to the Y direction between the terminal end of the first groove portion 43b and the two opening portions 43a on both sides in the X direction of the first groove portion 43b. Is formed.

すなわち、第2の変形例の遮光壁43では、開口部43aの内部と遮光壁43の外部とが、第1の溝部43bおよび第2の溝部43cによって連通している。   That is, in the light shielding wall 43 of the second modification, the inside of the opening 43a and the outside of the light shielding wall 43 are communicated with each other by the first groove portion 43b and the second groove portion 43c.

また、この第2の変形例では、互いに傾斜している第1の溝部43bおよび第2の溝部43cを介して、開口部43aの内部と遮光壁43の外部とを連通している。そのため、LED11の光が遮光壁43の外部に漏れることが防止される。   In the second modification, the inside of the opening 43a and the outside of the light shielding wall 43 are communicated with each other through the first groove 43b and the second groove 43c that are inclined to each other. Therefore, the light from the LED 11 is prevented from leaking outside the light shielding wall 43.

また、遮光壁43は、第2の実施の形態の遮光壁23と同様、Y方向の端部43fがチップ端15fから突出している。但し、第1の実施の形態で説明したように遮光壁43のX方向の端部43eがチップ端15eから突出する構成を採用してもよい。   Further, in the light shielding wall 43, as in the light shielding wall 23 of the second embodiment, an end portion 43f in the Y direction protrudes from the chip end 15f. However, as described in the first embodiment, a configuration in which the end portion 43e in the X direction of the light shielding wall 43 protrudes from the chip end 15e may be employed.

この第2の変形例によれば、上述した第3の実施の形態と同様、レンズ材料層18をラミネートする際に、開口部43a内の空気を溝部43b,43cを介して外部に排出することができる。そのため、マイクロレンズ12内における空気の混入を防止することができる。また、溝部43b,43cの長さも比較的短くて済む。   According to the second modification, as in the third embodiment described above, when the lens material layer 18 is laminated, the air in the opening 43a is discharged to the outside through the grooves 43b and 43c. Can do. Therefore, air can be prevented from being mixed in the microlens 12. Further, the length of the groove portions 43b and 43c can be relatively short.

なお、第3の実施の形態と、その第1の変形例および第2の変形例では、遮光壁33(33A,43)に形成する溝の構成例について説明したが、上記の構成例に限らず、開口部33a(33A,43a)内の空気を外部に排出することができ、また、LED11の光を遮光壁33(33A,43)の外部に漏れないように遮る形状を有する溝部であればよい。   In the third embodiment and the first and second modified examples thereof, the configuration example of the groove formed in the light shielding wall 33 (33A, 43) has been described. However, the configuration example is not limited thereto. The groove portion has a shape capable of discharging the air in the opening 33a (33A, 43a) to the outside and blocking the light of the LED 11 from leaking to the outside of the light shielding wall 33 (33A, 43). That's fine.

<光プリントヘッドの構成>
次に、各実施の形態の発光デバイス1を適用した光プリントヘッド(光学ヘッド)40について説明する。図23は、各実施の形態で説明した発光デバイスを適用した光プリントヘッド50を示す模式図である。
<Configuration of optical print head>
Next, an optical print head (optical head) 40 to which the light emitting device 1 of each embodiment is applied will be described. FIG. 23 is a schematic diagram showing an optical print head 50 to which the light emitting device described in each embodiment is applied.

光プリントヘッド50は、ベース部材51と、ベース部材51に固定されたLEDアレイチップ10と、LEDアレイチップ10の出射側(図中上側)に配置されたロッドレンズアレイ52と、ロッドレンズアレイ52を支持するホルダ53とを有する。ベース部材51は、図中下側から支持部材54によって支えられており、ホルダ53と支持部材54とは、クランパ55によって一体に保持されている。   The optical print head 50 includes a base member 51, an LED array chip 10 fixed to the base member 51, a rod lens array 52 disposed on the emission side (upper side in the drawing) of the LED array chip 10, and a rod lens array 52. And a holder 53 for supporting The base member 51 is supported by a support member 54 from the lower side in the figure, and the holder 53 and the support member 54 are integrally held by a clamper 55.

ベース部材51には、LEDアレイチップ10に加えて、LEDアレイチップ10の各LED11(図1)を発光させるためのICチップ(図示せず)が実装されている。ロッドレンズアレイ52は、屈折率分布型の柱状のレンズ要素(ロッドレンズ)を多数配列したものである。LEDアレイチップ10のLED11から出射された光は、マイクロレンズ12によって集光作用を受け、ロッドレンズアレイ52のロッドレンズによって結像面(例えば感光体ドラムの表面)に正立等倍像を形成する。   In addition to the LED array chip 10, an IC chip (not shown) for causing each LED 11 (FIG. 1) of the LED array chip 10 to emit light is mounted on the base member 51. The rod lens array 52 includes a large number of gradient index columnar lens elements (rod lenses). The light emitted from the LED 11 of the LED array chip 10 is condensed by the microlens 12 and forms an erecting equal-magnification image on the imaging surface (for example, the surface of the photosensitive drum) by the rod lens of the rod lens array 52. To do.

光プリントヘッド50は、図24に示す電子写真方式の画像形成装置100(プリンタ、複写機、ファクシミリ装置など)の露光装置として用いられる。なお、各実施の形態の発光デバイス1が適用される光プリントヘッドの構成は、図23に示された構成には限定されない。また、LED11の代わりに受光素子を用いることで、読取ヘッドを構成することもできる。   The optical print head 50 is used as an exposure device of the electrophotographic image forming apparatus 100 (printer, copying machine, facsimile machine, etc.) shown in FIG. Note that the configuration of the optical print head to which the light emitting device 1 of each embodiment is applied is not limited to the configuration shown in FIG. Moreover, a read head can also be comprised by using a light receiving element instead of LED11.

<画像形成装置>
次に、各実施の形態の発光デバイス1を適用した光プリントヘッド50を備えた画像形成装置100について説明する。
<Image forming apparatus>
Next, the image forming apparatus 100 including the optical print head 50 to which the light emitting device 1 of each embodiment is applied will be described.

図24は、画像形成装置100の構成を示す図である。画像形成装置100は、イエロー(Y)、マゼンタ(M)、シアン(C)およびブラック(K)の画像を形成するプロセスユニット(画像形成ユニット)60Y,60M,60C,60Kを備えたタンデム型のカラープリンタである。プロセスユニット60Y,60M,60C,60Kは、記録媒体Pの搬送路に沿って上流側から下流側(ここでは右側から左側)に配列されている。   FIG. 24 is a diagram illustrating a configuration of the image forming apparatus 100. The image forming apparatus 100 is a tandem type equipped with process units (image forming units) 60Y, 60M, 60C, and 60K that form yellow (Y), magenta (M), cyan (C), and black (K) images. It is a color printer. The process units 60Y, 60M, 60C, and 60K are arranged along the conveyance path of the recording medium P from the upstream side to the downstream side (here, from the right side to the left side).

プロセスユニット60Y,60M,60C,60Kの各感光体ドラム61(後述)の上側には、光学ヘッドとしての光プリントヘッド50Y,50M,50C,50K(露光装置)が配置されている。光プリントヘッド50Y,50M,50C,50Kは、各色の画像データに従い、感光体ドラム61の表面を露光して静電潜像を形成する。   Optical print heads 50Y, 50M, 50C, and 50K (exposure devices) as optical heads are disposed above the respective photosensitive drums 61 (described later) of the process units 60Y, 60M, 60C, and 60K. The optical print heads 50Y, 50M, 50C, and 50K expose the surface of the photosensitive drum 61 according to the image data of each color to form an electrostatic latent image.

画像形成装置100の下部には、記録媒体P(例えば印刷用紙)を収容する媒体収容部としての媒体カセット70と、媒体カセット70に収容された記録媒体Pを一枚ずつ搬送路に送り出すホッピングローラ71とが備えられている。媒体カセット70から送り出された記録媒体Pの搬送路に沿って、記録媒体Pをスキューを矯正しながら搬送するレジストローラ対72と、当該記録媒体Pをプロセスユニット60Y,60M,60C,60Kに搬送する搬送ローラ対73とが配設されている。   Below the image forming apparatus 100, a medium cassette 70 serving as a medium accommodating portion for accommodating a recording medium P (for example, printing paper), and a hopping roller for feeding the recording medium P accommodated in the medium cassette 70 to the conveyance path one by one. 71. A pair of registration rollers 72 that conveys the recording medium P while correcting the skew along the conveyance path of the recording medium P delivered from the medium cassette 70, and conveys the recording medium P to the process units 60Y, 60M, 60C, and 60K. A conveying roller pair 73 is disposed.

プロセスユニット60Y,60M,60C,60Kは、使用するトナーを除いて共通の構成を有しているため、以下では「プロセスユニット60」として説明する。また、光プリントヘッド50Y,50M,50C,50Kは、「光プリントヘッド50」として説明する。   Since the process units 60Y, 60M, 60C, and 60K have a common configuration except for the toner to be used, the process units 60Y, 60M, 60C, and 60K are described as “process units 60” below. The optical print heads 50Y, 50M, 50C, and 50K will be described as “optical print head 50”.

プロセスユニット60は、静電潜像担持体としての感光体ドラム61と、帯電部材としての帯電ローラ62と、現像剤担持体としての現像ローラ63と、現像剤供給部材としての供給ローラ64と、現像剤規制部材としての現像ブレード65と、現像剤収容体としてのトナーカートリッジ66と、クリーニング部材としてのクリーニングブレード67とを備えている。   The process unit 60 includes a photosensitive drum 61 as an electrostatic latent image carrier, a charging roller 62 as a charging member, a developing roller 63 as a developer carrier, a supply roller 64 as a developer supply member, A developing blade 65 as a developer regulating member, a toner cartridge 66 as a developer container, and a cleaning blade 67 as a cleaning member are provided.

感光体ドラム61は、金属製の円筒部材の表面に感光層(電荷発生層および電荷輸送層)を積層したものである。感光体ドラム61は、図示しない駆動源とギア列とからなる駆動機構によって、図中時計周りに回転する。   The photosensitive drum 61 is obtained by laminating a photosensitive layer (a charge generation layer and a charge transport layer) on the surface of a metal cylindrical member. The photosensitive drum 61 is rotated clockwise in the figure by a drive mechanism including a drive source and a gear train (not shown).

帯電ローラ62は、感光体ドラム61に接触するように配置され、感光体ドラム61に追従して回転する。帯電ローラ62は、帯電電圧を付与され、感光体ドラム61の表面を一様に帯電させる。現像ローラ63は、感光体ドラム61に接触するように配置され、感光体ドラム61と反対方向に回転する。現像ローラ63は、現像電圧を付与され、感光体ドラム61の表面に形成された静電潜像にトナー(現像剤)を付着させて現像し、トナー像(現像剤像)を形成する。   The charging roller 62 is disposed so as to contact the photosensitive drum 61 and rotates following the photosensitive drum 61. The charging roller 62 is given a charging voltage and uniformly charges the surface of the photosensitive drum 61. The developing roller 63 is disposed so as to be in contact with the photosensitive drum 61 and rotates in the opposite direction to the photosensitive drum 61. The developing roller 63 is given a development voltage, and attaches and develops toner (developer) to the electrostatic latent image formed on the surface of the photosensitive drum 61 to form a toner image (developer image).

供給ローラ64は、現像ローラ63に対向するように配置され、現像ローラ63と同方向に回転する。供給ローラ64は、供給電圧を付与され、トナーカートリッジ66から補給されたトナーを現像ローラ63に供給する。現像ブレード65は、金属製の長尺状の板部材を屈曲させたものであり、その屈曲部分を現像ローラ63の表面に押し当てている。現像ブレード65は、現像ローラ63の表面のトナー層の厚さを規制する。   The supply roller 64 is disposed so as to face the developing roller 63 and rotates in the same direction as the developing roller 63. The supply roller 64 is supplied with a supply voltage and supplies the toner replenished from the toner cartridge 66 to the developing roller 63. The developing blade 65 is formed by bending a long metal plate member and presses the bent portion against the surface of the developing roller 63. The developing blade 65 regulates the thickness of the toner layer on the surface of the developing roller 63.

トナーカートリッジ66は、プロセスユニット60に着脱可能に取り付けられ、トナーを収容している。トナーカートリッジ66は、現像ローラ63および供給ローラ64にトナーを補給する。クリーニングブレード67は、転写後に感光体ドラム61の表面に残留したトナーを除去する。   The toner cartridge 66 is detachably attached to the process unit 60 and contains toner. The toner cartridge 66 supplies toner to the developing roller 63 and the supply roller 64. The cleaning blade 67 removes the toner remaining on the surface of the photosensitive drum 61 after the transfer.

各プロセスユニット60の下側には、感光体ドラム61に対向するように、転写部材としての転写ローラ68が配置されている。転写ローラ68は、転写電圧を付与され、感光体ドラム61の表面のトナー像を、感光体ドラム61と転写ローラ68との間を通過する記録媒体Pに転写する。   A transfer roller 68 serving as a transfer member is disposed below each process unit 60 so as to face the photosensitive drum 61. The transfer roller 68 is applied with a transfer voltage, and transfers the toner image on the surface of the photosensitive drum 61 to the recording medium P that passes between the photosensitive drum 61 and the transfer roller 68.

記録媒体Pの搬送方向においてプロセスユニット60Y,60M,60C,60Kの下流側(図中左側)には、定着ユニット74が配置されている。定着ユニット74は、記録媒体Pに転写されたトナー像を熱および圧力により記録媒体Pに定着させる定着ローラ75および加圧ローラ76を備えている。   A fixing unit 74 is disposed downstream of the process units 60Y, 60M, 60C, and 60K (left side in the drawing) in the conveyance direction of the recording medium P. The fixing unit 74 includes a fixing roller 75 and a pressure roller 76 that fix the toner image transferred to the recording medium P to the recording medium P by heat and pressure.

また、記録媒体Pの搬送方向において定着ユニット74の下流側には、定着が完了した記録媒体Pを画像形成装置100外に排出するための排出ローラ対77,78が設けられている。また、画像形成装置100の上部には、排出された記録媒体Pを載置するスタッカ79が設けられている。   Further, on the downstream side of the fixing unit 74 in the conveyance direction of the recording medium P, a pair of discharge rollers 77 and 78 for discharging the recording medium P that has been fixed out of the image forming apparatus 100 is provided. In addition, a stacker 79 on which the discharged recording medium P is placed is provided on the upper part of the image forming apparatus 100.

なお、画像形成装置100には、両面印刷モードにおいて、表面へのトナー像の転写および定着が完了した記録媒体Pを、表裏を反転させてレジストローラ対72まで搬送する両面印刷ユニット69(図24に破線で示す)が設けられている。この両面印刷ユニット69については、説明を省略する。   In the image forming apparatus 100, in the double-sided printing mode, the double-sided printing unit 69 (FIG. 24) transports the recording medium P, on which the transfer and fixing of the toner image to the front surface, are reversed to the registration roller pair 72. Are indicated by broken lines). Description of the duplex printing unit 69 is omitted.

このように構成された画像形成装置100の光プリントヘッド50として、各実施の形態の発光デバイス1を適用した光プリントヘッド50(図23)を用いることができる。   As the optical print head 50 of the image forming apparatus 100 configured as described above, the optical print head 50 (FIG. 23) to which the light emitting device 1 of each embodiment is applied can be used.

画像形成装置100の基本的な動作は、以下の通りである。画像形成装置100は、パーソナルコンピュータなどの上位装置から印刷コマンドおよび印刷データを受信すると、画像形成動作を実行する。まず、ホッピングローラ71が回転し、媒体カセット70に収容された記録媒体Pを一枚ずつ搬送路に送り出す。搬送路に送り出された記録媒体Pは、レジストローラ対72および搬送ローラ対73によって、プロセスユニット60Y,60M,60C,60Kに搬送される。   The basic operation of the image forming apparatus 100 is as follows. When the image forming apparatus 100 receives a print command and print data from a host device such as a personal computer, the image forming apparatus 100 executes an image forming operation. First, the hopping roller 71 rotates to feed the recording media P stored in the media cassette 70 one by one to the transport path. The recording medium P sent to the conveyance path is conveyed to the process units 60Y, 60M, 60C, and 60K by the registration roller pair 72 and the conveyance roller pair 73.

各プロセスユニット60では、感光体ドラム61の表面が帯電ローラ62によって一様に帯電したのち、光プリントヘッド50によって感光体ドラム61の表面が露光され、静電潜像が形成される。また、トナーカートリッジ66から供給されたトナーは、供給ローラ64によって現像ローラ63に供給され、現像ブレード65によって現像ローラ63の表面に均一な厚さのトナー像が形成される。感光体ドラム61の表面に形成された静電潜像は、現像ローラ63によって現像されてトナー像となる。感光体ドラム61の表面に形成されたトナー像は、感光体ドラム61と転写ローラ68との間を通過する記録媒体Pに転写される。記録媒体Pがプロセスユニット60Y,60M,60C,60Kを通過することにより、記録媒体Pの表面に、イエロー、マゼンタ、シアンおよびブラックのトナー像が転写される。   In each process unit 60, after the surface of the photosensitive drum 61 is uniformly charged by the charging roller 62, the surface of the photosensitive drum 61 is exposed by the optical print head 50 to form an electrostatic latent image. Further, the toner supplied from the toner cartridge 66 is supplied to the developing roller 63 by the supply roller 64, and a toner image having a uniform thickness is formed on the surface of the developing roller 63 by the developing blade 65. The electrostatic latent image formed on the surface of the photosensitive drum 61 is developed by the developing roller 63 to become a toner image. The toner image formed on the surface of the photosensitive drum 61 is transferred to the recording medium P that passes between the photosensitive drum 61 and the transfer roller 68. As the recording medium P passes through the process units 60Y, 60M, 60C, and 60K, yellow, magenta, cyan, and black toner images are transferred to the surface of the recording medium P.

トナー像が転写された記録媒体Pは、定着ユニット74に搬送され、定着ローラ75および加圧ローラ76によって熱および圧力が加えられ、トナー像が記録媒体Pに定着する。トナー像が定着した記録媒体Pは、排出ローラ対77,78によって、画像形成装置100の外部に排出され、スタッカ79に積載される。これにより画像形成動作が完了する。   The recording medium P to which the toner image has been transferred is conveyed to the fixing unit 74, and heat and pressure are applied by the fixing roller 75 and the pressure roller 76, and the toner image is fixed to the recording medium P. The recording medium P on which the toner image is fixed is discharged to the outside of the image forming apparatus 100 by discharge roller pairs 77 and 78 and is stacked on the stacker 79. This completes the image forming operation.

なお、ここでは、画像形成装置100の一例として、光プリントヘッド50Y,50M,50C,50Kを備えたタンデム型のカラープリンタについて説明したが、本発明は、タンデム型以外のカラープリンタまたはモノクロプリンタにも適用することができる。また、プリンタに限らず、複写機、ファクシミリ装置、またはプリンタおよび複写機の機能を有する複合機に適用することもできる。   Here, as an example of the image forming apparatus 100, the tandem type color printer including the optical print heads 50Y, 50M, 50C, and 50K has been described. However, the present invention is applicable to a color printer or a monochrome printer other than the tandem type. Can also be applied. Further, the present invention can be applied not only to a printer but also to a copying machine, a facsimile machine, or a multifunction machine having functions of a printer and a copying machine.

また、上記の各実施の形態では、光学素子としてLED(発光素子)を用いたLEDアレイチップについて説明したが、光学素子として受光素子を用いてもよい。この場合、基板上に受光素子を配列し、その受光素子を覆うようにマイクロレンズ(レンズ要素)を設け、マイクロレンズの周囲に遮光壁を設けることにより、ラインセンサを構成することができる。   In each of the above embodiments, an LED array chip using LEDs (light emitting elements) as optical elements has been described, but a light receiving element may be used as an optical element. In this case, a line sensor can be configured by arranging light receiving elements on a substrate, providing a microlens (lens element) so as to cover the light receiving element, and providing a light shielding wall around the microlens.

1 発光デバイス(光学素子装置)、 10,10A,10B,10C,10D,10E LEDアレイチップ(光学素子チップ)、 11 LED(光学素子)、 111 端部のLED(光学素子)、 12 マイクロレンズ(レンズ要素)、 12a 側面、 12b 凸面、 13 遮光壁、 13a 開口部、 13e,13f 端部、 15 基板、 15a 主面、 15b 素子形成領域、 15c 溝形成領域、 15d 溝部、 15e,15f 端部、 15g 裏面、 16 遮光壁材料層(第1の材料層)、 17,27 フォトマスク、 18 レンズ材料層(第2の材料層)、 19 フォトマスク、 23 遮光壁、 23a 開口部、 23b 第1の溝部、 23c 第2の溝部、 23f 端部、 33,33A 遮光壁、 33a 開口部、 33b 第1の溝部、 33c 第2の溝部、 33d 第3の溝部、 43 遮光壁、 43a 開口部、 43b 第1の溝部、 43c 第2の溝部、 43e,43f 端部、 50,50Y,50M,50C,50K 光プリントヘッド(光学ヘッド)、 51 ベース部材、 52 ロッドレンズアレイ、 53 ホルダ、 54 支持部材、 55 クランパ、 60,60Y,60M,60C,60K プロセスユニット(画像形成ユニット)、 61 感光体ドラム(像担持体)、 62 帯電ローラ(帯電部材)、 63 現像ローラ(現像剤担持体)、 64 供給ローラ(供給部材)、 65 現像ブレード(現像剤規制部材)、 66 トナーカートリッジ(現像剤補給部材)、 68 帯電ローラ(帯電部材)、 70 媒体カセット(媒体収容部)、 74 定着ユニット、 100 画像形成装置、 P 記録媒体。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light emitting device (optical element apparatus) 10, 10, A, 10B, 10C, 10D, 10E LED array chip (optical element chip), 11 LED (optical element), 111 End LED (optical element), 12 Micro lens ( Lens element), 12a side surface, 12b convex surface, 13 light shielding wall, 13a opening, 13e, 13f end, 15 substrate, 15a main surface, 15b element forming region, 15c groove forming region, 15d groove, 15e, 15f end, 15g Back surface, 16 Light-shielding wall material layer (first material layer), 17, 27 Photomask, 18 Lens material layer (second material layer), 19 Photomask, 23 Light-shielding wall, 23a Opening, 23b First Groove portion, 23c second groove portion, 23f end portion, 33, 33A light shielding wall, 33a opening 33b 1st groove part, 33c 2nd groove part, 33d 3rd groove part, 43 light-shielding wall, 43a opening part, 43b 1st groove part, 43c 2nd groove part, 43e, 43f end part, 50, 50Y, 50M , 50C, 50K optical print head (optical head), 51 base member, 52 rod lens array, 53 holder, 54 support member, 55 clamper, 60, 60Y, 60M, 60C, 60K process unit (image forming unit), 61 photosensitive Body drum (image carrier), 62 charging roller (charging member), 63 developing roller (developer carrier), 64 supply roller (supply member), 65 developing blade (developer regulating member), 66 toner cartridge (developer) Replenishment member), 68 charging roller (charging member), 70 medium cassette (medium Accommodating portion), 74 fixing unit, 100 image forming apparatus, P recording medium.

Claims (17)

基板と、
前記基板に配列された複数の光学素子と、
前記複数の光学素子上に配置された複数のレンズ要素と、
前記基板に設けられ、前記複数のレンズ要素を外周側から囲む遮光壁と
を備え、
前記遮光壁は、前記基板の端部から突出していること
を特徴とする光学素子チップ。
A substrate,
A plurality of optical elements arranged on the substrate;
A plurality of lens elements disposed on the plurality of optical elements;
A light shielding wall provided on the substrate and surrounding the plurality of lens elements from the outer peripheral side,
The optical element chip, wherein the light shielding wall protrudes from an end of the substrate.
前記基板に、複数の前記光学素子が所定の配列方向に配列され、
前記遮光壁の前記配列方向における端部が、前記基板の端部から突出していること
を特徴とする請求項1に記載の光学素子チップ。
A plurality of the optical elements are arranged in a predetermined arrangement direction on the substrate,
The optical element chip according to claim 1, wherein an end portion of the light shielding wall in the arrangement direction protrudes from an end portion of the substrate.
前記基板に、複数の前記光学素子が所定の配列方向に配列され、
前記遮光壁の前記配列方向に直交する方向における端部が、前記基板の端部から突出していること
を特徴とする請求項1に記載の光学素子チップ。
A plurality of the optical elements are arranged in a predetermined arrangement direction on the substrate,
The optical element chip according to claim 1, wherein an end portion of the light shielding wall in a direction orthogonal to the arrangement direction protrudes from an end portion of the substrate.
前記遮光壁は、前記光学素子を囲む開口部を有し、
前記開口部内に、前記レンズ要素が形成されていること
を特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の光学素子チップ。
The light shielding wall has an opening surrounding the optical element,
The optical element chip according to any one of claims 1 to 3, wherein the lens element is formed in the opening.
前記遮光壁は、前記開口部から前記遮光壁の端部まで達する溝部を有していることを特徴とする請求項4に記載の光学素子チップ。   5. The optical element chip according to claim 4, wherein the light shielding wall has a groove portion reaching from the opening to an end of the light shielding wall. 前記遮光壁は、一方向に長く、
前記溝部は、前記遮光壁の長手方向に延在する第1の溝部と、前記開口部から前記第1の溝部まで延在する第2の溝部とを有することを特徴とする請求項5に記載の光学素子チップ。
The light shielding wall is long in one direction,
The said groove part has the 1st groove part extended in the longitudinal direction of the said light-shielding wall, and the 2nd groove part extended from the said opening part to the said 1st groove part, The Claim 6 characterized by the above-mentioned. Optical element chip.
前記溝部は、さらに、前記第1の溝部から前記遮光壁の幅方向端部まで延在する第3の溝部を有することを特徴とする請求項6に記載の光学素子チップ。   The optical element chip according to claim 6, wherein the groove portion further includes a third groove portion extending from the first groove portion to a width direction end portion of the light shielding wall. 前記遮光壁は、一方向に長く、
前記溝部は、前記開口部から、前記遮光壁の長手方向に対して傾斜する方向に延在し、前記遮光壁の幅方向端部まで延在していることを特徴とする請求項5に記載の光学素子チップ。
The light shielding wall is long in one direction,
The said groove part is extended in the direction inclined with respect to the longitudinal direction of the said light shielding wall from the said opening part, and is extended to the width direction edge part of the said light shielding wall. Optical element chip.
基板と、
前記基板に配列された複数の光学素子と、
前記複数の光学素子上に配置された複数のレンズ要素と、
前記基板に設けられ、前記複数のレンズ要素を外周側から囲む遮光壁と
を備え、
前記レンズ要素は、前記基板に前記遮光壁を形成してから、前記遮光壁の開口部内に形成されたものであること
を特徴とする光学素子チップ。
A substrate,
A plurality of optical elements arranged on the substrate;
A plurality of lens elements disposed on the plurality of optical elements;
A light shielding wall provided on the substrate and surrounding the plurality of lens elements from the outer peripheral side,
The optical element chip, wherein the lens element is formed in the opening of the light shielding wall after the light shielding wall is formed on the substrate.
前記遮光壁は、前記基板の端部から突出していることを特徴とする請求項9に記載の光学素子チップ。   The optical element chip according to claim 9, wherein the light shielding wall protrudes from an end portion of the substrate. 前記遮光壁の端部と、前記基板の端部とが一致していることを特徴とする請求項9に記載の光学素子チップ。   The optical element chip according to claim 9, wherein an end of the light shielding wall and an end of the substrate coincide with each other. 請求項1から11までのいずれか1項に記載の光学素子チップを用いたことを特徴とする光プリントヘッド。   An optical print head using the optical element chip according to any one of claims 1 to 11. 請求項12に記載の光プリントヘッドを備えたことを特徴とする画像形成装置。   An image forming apparatus comprising the optical print head according to claim 12. 表面に複数の光学素子を配列した基板を用意する工程と、
前記基板に溝を形成する工程と、
前記基板に、前記光学素子を覆うように第1の材料層を形成する工程と、
前記第1の材料層に開口部を形成することにより、遮光壁を形成する工程と、
前記遮光壁を覆うように第2の材料層を形成し、前記第2の材料層の一部を前記開口部に入り込ませる工程と、
前記第2の材料層をパターニングしてレンズ要素を形成する工程と
を有することを特徴とする光学素子チップの製造方法。
Preparing a substrate having a plurality of optical elements arranged on the surface;
Forming a groove in the substrate;
Forming a first material layer on the substrate so as to cover the optical element;
Forming a light shielding wall by forming an opening in the first material layer;
Forming a second material layer so as to cover the light shielding wall, and allowing a part of the second material layer to enter the opening;
And a step of patterning the second material layer to form a lens element.
前記基板の前記表面に溝を形成したのち、前記基板に前記第1の材料層を形成することを特徴とする請求項14に記載の光学素子チップの製造方法。   15. The method of manufacturing an optical element chip according to claim 14, wherein the first material layer is formed on the substrate after forming a groove on the surface of the substrate. 前記第1の材料層は、ドライフィルムレジストであることを特徴とする請求項14または15に記載の光学素子チップの製造方法。   16. The method of manufacturing an optical element chip according to claim 14, wherein the first material layer is a dry film resist. 前記第2の材料層は、ドライフィルムレジストであることを特徴とする請求項14から16までの何れか1項に記載の光学素子チップの製造方法。   The method of manufacturing an optical element chip according to any one of claims 14 to 16, wherein the second material layer is a dry film resist.
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