JP2009188237A - Manufacturing method of light emitting element array chip, microlens mold, light emitting element head, and image forming apparatus - Google Patents

Manufacturing method of light emitting element array chip, microlens mold, light emitting element head, and image forming apparatus Download PDF

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均 高橋
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method etc., of a light emitting element array chip in which mold releasability of a microlens mold is good by suppressing projection of a light-curing resin when microlenses are formed on LEDs by hardening the light-curing resin. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the light emitting array chip 100 is characterized in that the microlenses 103 are formed on the LEDs 102 by including the steps of: housing the light-curing resin 302 in a plurality of hole portions 205 and recessed portions 202 by pressing the microlens mold 200, having a substrate, the plurality of hole portions 205 formed on a surface of the substrate and having a transfer shape of the shape of a microlens 103 and the recessed portions 202, each formed in an outer circumferential region of a hole portion 205 and having a chromium film 203 formed on a bottom part, against the light-curing resin 302; irradiating the light-curing resin 302 housed in the hole portion 205 with light to harden it, and not to harden the light-curing resin 302 housed in the recessed portion 202 because of the chromium film 203 serving as a light shield film; and removing the unhardened light-curing resin 302. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光素子アレイチップの製造方法等に関し、特に発光素子にマイクロレンズを形成した発光素子アレイチップの製造方法等に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting element array chip, and more particularly to a method for manufacturing a light emitting element array chip in which a microlens is formed on a light emitting element.

電子写真方式を採用した、プリンタや複写機、ファクシミリ等の画像形成装置では、一様に帯電された感光体上に、画像情報を光記録手段によって照射することにより静電潜像を得た後、この静電潜像にトナーを付加して可視化し、記録紙上に転写して定着することによって画像形成が行なわれる。かかる光記録手段として、レーザを用いて主走査方向にレーザ光を走査させて露光する光走査方式の他、近年では、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)アレイ光源を主走査方向に多数、配列してなるLEDヘッドを用いた光記録手段が採用されている。   In image forming apparatuses such as printers, copiers, and facsimiles that employ an electrophotographic method, after obtaining an electrostatic latent image by irradiating image information onto a uniformly charged photoreceptor by optical recording means The electrostatic latent image is visualized by adding toner, and the image is formed by transferring and fixing on the recording paper. As such optical recording means, in addition to an optical scanning method in which a laser is used to scan and expose a laser beam in the main scanning direction, in recent years, a large number of LED (Light Emitting Diode) array light sources are arranged in the main scanning direction. An optical recording means using an LED head is employed.

このLEDアレイ光源を用いた画像形成装置は、光走査方式の画像形成装置に比べて、スキャンする空間が不要となり、駆動系が不要となることから、画像形成装置全体が小型化し、信頼性が向上するという利点がある。また、振動や熱による光学系の変形に強いという利点もある。   The image forming apparatus using the LED array light source does not require a scanning space and does not require a drive system, as compared with an optical scanning type image forming apparatus, so that the entire image forming apparatus is downsized and reliable. There is an advantage of improvement. In addition, there is an advantage that it is resistant to deformation of the optical system due to vibration and heat.

一方、LEDアレイ光源における各LED素子は、光の放射角が広いので感光ドラムに対して、効率よく光を入射させにくい。この点を解決するため、特許文献1では、各LED素子に対応させたマイクロレンズ等のレンズを組み込んだマイクロレンズアレイが提案されている。   On the other hand, since each LED element in the LED array light source has a wide light emission angle, it is difficult for light to efficiently enter the photosensitive drum. In order to solve this point, Patent Document 1 proposes a microlens array in which a lens such as a microlens corresponding to each LED element is incorporated.

このマイクロレンズアレイの作製方法は、種々提案されており、例えば、特許文献2では、発光素子アレイが形成された発光素子基板上に透明樹脂層を形成し、透明樹脂層に各発光素子に対応する位置に凸状(又は凹状)の段差を形成し、段差が形成された透明樹脂層を加熱することで各段差部分を非球面性の高いレンズ形状に変形させてマイクロレンズアレイを一体に形成する方法が提案されている。
また特許文献3では、凹部群を形成した成形面の上に高屈折樹脂を塗布し、ガラス基板を押しつけ展開させ、高屈折樹脂を硬化させることでマイクロレンズアレイを製造する方法が提案されている。
そして特許文献4では、スペーサ付き成形型を用いたマイクロレンズアレイの製造方法が提案されている。
Various methods for producing the microlens array have been proposed. For example, in Patent Document 2, a transparent resin layer is formed on a light emitting element substrate on which the light emitting element array is formed, and the transparent resin layer corresponds to each light emitting element. A convex (or concave) step is formed at the position to be heated, and the transparent resin layer on which the step is formed is heated to transform each step into a highly aspherical lens shape, thereby forming a microlens array integrally. A method has been proposed.
Further, Patent Document 3 proposes a method of manufacturing a microlens array by applying a high refractive resin on a molding surface on which concave portions are formed, pressing and unfolding a glass substrate, and curing the high refractive resin. .
And in patent document 4, the manufacturing method of the micro lens array using the shaping | molding die with a spacer is proposed.

特開平6−24042号公報Japanese Patent Laid-Open No. 6-24042 特開平11−202103号公報JP-A-11-202103 特開平11−123771号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-123771 特開2006−327182号公報JP 2006-327182 A

樹脂を成形型を利用して成形することにより発光素子にマイクロアレイレンズを形成する方式では、樹脂のはみ出しを抑制すると共に成形型の離型を簡単に行うことも求められる。
本発明の目的は、成形時の樹脂のはみ出しを抑制すると共に成形型の離型を簡単に行うことができる発光素子アレイチップの製造方法等を提供することにある。
In a system in which a microarray lens is formed on a light-emitting element by molding a resin using a mold, it is also required to suppress the protrusion of the resin and to easily release the mold.
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a light-emitting element array chip and the like that can prevent the resin from protruding during molding and can easily release the mold.

請求項1に係る発明は、基板と、当該基板の表面に形成されマイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され底部に遮光膜が形成された凹部とを有するマイクロレンズ成形型を光硬化性樹脂に押圧することで、当該孔部および当該凹部に当該光硬化性樹脂を収容する工程と、光を照射し、前記孔部に収容した光硬化性樹脂は硬化させ、前記凹部に収容した光硬化性樹脂は前記遮光膜により未硬化にする工程と、未硬化の前記光硬化性樹脂を除去する工程と、を含むことで発光素子にマイクロレンズを形成することを特徴とする発光素子アレイチップの製造方法である。   According to the first aspect of the present invention, a substrate, a plurality of holes having a transfer shape in the shape of a microlens formed on the surface of the substrate, and a light-shielding film is formed in the outer peripheral region of the hole. The step of accommodating the photocurable resin in the hole and the recess by pressing the microlens mold having the recess on the photocurable resin, and the photocuring stored in the hole by irradiating the light. The light curable resin is cured, and the light curable resin accommodated in the recess includes a step of uncured by the light shielding film and a step of removing the uncured photo curable resin. Is a method for manufacturing a light-emitting element array chip.

請求項2に係る発明は、前記凹部は、前記マイクロレンズ成形型の一の端部から他の端部に貫通する溝形状をなすことを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
請求項3に係る発明は、前記凹部は、複数の異なる方向に対し設けられることを特徴とする請求項2に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
請求項4に係る発明は、前記除去は、前記凹部に洗浄液を供給し、当該凹部を洗浄することにより行うことを特徴とする請求項2に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
請求項5に係る発明は、前記凹部は、前記マイクロレンズ成形型を前記光硬化性樹脂に押圧する際に前記発光素子アレイチップのボンディングパッドの位置に対応する位置に形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
請求項6に係る発明は、前記凹部は、前記マイクロレンズ成形型を前記光硬化性樹脂に押圧する際に前記発光素子が形成されたウエハの端部に対応する位置に形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
請求項7に係る発明は、前記発光素子アレイチップは、自己走査型発光素子アレイチップであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
According to a second aspect of the present invention, in the light emitting element array chip according to the first aspect, the concave portion has a groove shape penetrating from one end portion of the microlens mold to the other end portion. It is a manufacturing method.
The invention according to claim 3 is the method for manufacturing the light-emitting element array chip according to claim 2, wherein the recess is provided in a plurality of different directions.
The invention according to claim 4 is the method of manufacturing the light-emitting element array chip according to claim 2, wherein the removal is performed by supplying a cleaning liquid to the recess and cleaning the recess.
The invention according to claim 5 is characterized in that the recess is formed at a position corresponding to a position of a bonding pad of the light emitting element array chip when the microlens mold is pressed against the photocurable resin. The method of manufacturing a light emitting element array chip according to claim 1.
The invention according to claim 6 is characterized in that the concave portion is formed at a position corresponding to an end portion of the wafer on which the light emitting element is formed when the microlens mold is pressed against the photocurable resin. A method for manufacturing a light-emitting element array chip according to claim 1.
The invention according to claim 7 is the light emitting element array chip manufacturing method according to claim 1, wherein the light emitting element array chip is a self-scanning light emitting element array chip.

請求項8に係る発明は、基板と、前記基板の表面に形成され、マイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、前記孔部の外周領域に形成され、底部に遮光膜が形成された凹部と、を有することを特徴とするマイクロレンズ成形型である。   According to an eighth aspect of the present invention, a substrate, a plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a transfer shape in the shape of a microlens, and an outer peripheral region of the hole, a light shielding film is formed on the bottom. A microlens mold having a concave portion.

請求項9に係る発明は、前記凹部は、前記基板の一の端部から他の端部に貫通することを特徴とする請求項8に記載のマイクロレンズ成形型である。   The invention according to claim 9 is the microlens mold according to claim 8, wherein the recess penetrates from one end of the substrate to the other end.

請求項10に係る発明は、発光素子アレイチップを主走査方向に複数配列してなる発光素子アレイと、前記発光素子アレイの光出力を結像させる光学素子と、を有し、前記発光素子アレイチップは、基板と、当該基板の表面に形成されマイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され底部に遮光膜が形成された凹部とを有するマイクロレンズ成形型を光硬化性樹脂に押圧し、光を照射して当該マイクロレンズ成形型に遮光膜が形成されていない部分に収容された当該光硬化性樹脂は硬化させ、当該マイクロレンズ成形型の遮光膜が形成されている部分に収容された当該光硬化性樹脂は未硬化として除去することで、発光素子にマイクロレンズを有する発光素子を備えることを特徴とする発光素子ヘッドである。   The invention according to claim 10 has a light emitting element array in which a plurality of light emitting element array chips are arranged in the main scanning direction, and an optical element that forms an image of the light output of the light emitting element array, and the light emitting element array The chip is a micro having a substrate, a plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a transfer shape in the shape of a microlens, and a recess formed in the outer peripheral region of the hole and having a light shielding film formed on the bottom. The lens mold is pressed against the photocurable resin, irradiated with light to cure the photocurable resin contained in the portion where the light shielding film is not formed on the microlens mold, and the microlens mold A light-emitting element head comprising a light-emitting element having a microlens in a light-emitting element by removing the photocurable resin contained in a portion where a light-shielding film is formed as uncured A.

請求項11に係る発明は、トナー像を形成させるトナー像形成手段と、前記トナー像を記録媒体に転写する転写手段と、前記トナー像を記録媒体に定着する定着手段と、を有し、前記トナー像形成手段は、基板と、当該基板の表面に形成されマイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され底部に遮光膜が形成された凹部とを有するマイクロレンズ成形型を光硬化性樹脂に押圧し、光を照射して当該マイクロレンズ成形型に遮光膜が形成されていない部分に収容された当該光硬化性樹脂は硬化させ、当該マイクロレンズ成形型の遮光膜が形成されている部分に収容された当該光硬化性樹脂は未硬化として除去することで、発光素子にマイクロレンズを形成した発光素子ヘッドを備えることを特徴とする画像形成装置である。   The invention according to claim 11 includes a toner image forming unit that forms a toner image, a transfer unit that transfers the toner image to a recording medium, and a fixing unit that fixes the toner image to the recording medium. The toner image forming means includes a substrate, a plurality of holes having a transfer shape in the shape of a microlens formed on the surface of the substrate, a recess formed in the outer peripheral region of the hole and having a light shielding film formed on the bottom. The microlens molding die having a pressure is pressed against the photocurable resin, irradiated with light to cure the photocurable resin accommodated in the portion where the light shielding film is not formed on the microlens molding die, and the microlens The photo-curable resin accommodated in the portion of the mold where the light-shielding film is formed is provided with a light-emitting element head in which a microlens is formed on the light-emitting element by removing it as uncured. An image forming apparatus.

請求項1の発明によれば、底部に遮光膜が形成された凹部を設けたマイクロレンズ成形型を使用しマイクロレンズを成形することで、樹脂のはみ出しを抑制し、マイクロレンズ成形型の離型性に優れた発光素子アレイチップの製造方法が実現できる。
請求項2の発明によれば、凹部をマイクロレンズ成形型の一の端部から他の端部へ貫通する溝形状とすることで、マイクロレンズ成形型の離型性が向上するため、より生産性の高い発光素子アレイチップの製造方法が実現できる。
請求項3の発明によれば、凹部を複数の異なる方向に設けることで、更にマイクロレンズ成形型の離型性に優れた発光素子アレイチップの製造方法が実現できる。
請求項4の発明によれば、凹部に洗浄液を供給し凹部を洗浄することで、より簡単に光硬化性樹脂の除去ができるため、より生産性が高い発光素子アレイチップの製造方法が実現できる。
請求項5の発明によれば、ボンディングパッドに対応する位置に凹部を設けることで、ボンディングパッドの位置には、光硬化性樹脂が残存しない発光素子アレイチップの製造方法が実現できる。
請求項6の発明によれば、発光素子が形成されたウエハの端部に対応する位置に凹部を設けることで、この部分が離型開始点となるため、マイクロレンズ成形型の離型性がより優れた発光素子アレイチップの製造方法が実現できる。
請求項7の発明によれば、発光素子アレイチップを自己走査型発光素子アレイチップとすることで、より小さい発光素子アレイチップを製造することができる。
請求項8の発明によれば、底部に遮光膜が形成された凹部を設けることで、マイクロレンズを成形する際に樹脂のはみ出しを抑制することができ、また離型性に優れたマイクロレンズ成形型を実現できる。
請求項9の発明によれば、凹部を基板の一の端部から他の端部へ貫通する溝形状とすることで、より離型性に優れたマイクロレンズ成形型を実現できる。
請求項10の発明によれば、より精度の高いマイクロレンズを形成することができるため、より光出力の強度が大きい発光素子ヘッドが実現できる。
請求項11の発明によれば、本構成を採用しない場合に比較して、より光出力の強度が大きい発光素子ヘッドを備えるため、より高い画質を有する画像形成装置が実現できる。
According to the first aspect of the present invention, the microlens is molded by using the microlens molding die provided with the concave portion in which the light shielding film is formed at the bottom, thereby suppressing the protrusion of the resin, and releasing the microlens molding die. A method of manufacturing a light emitting element array chip excellent in performance can be realized.
According to the invention of claim 2, since the recess is formed in a groove shape penetrating from one end of the microlens mold to the other end, the releasability of the microlens mold is improved, so that the production is more A method for manufacturing a light emitting element array chip with high performance can be realized.
According to invention of Claim 3, the manufacturing method of the light emitting element array chip | tip which was further excellent in the mold release property of a microlens shaping | molding die is realizable by providing a recessed part in several different directions.
According to the invention of claim 4, since the photocurable resin can be removed more easily by supplying the cleaning liquid to the recesses and cleaning the recesses, a method for manufacturing a light-emitting element array chip with higher productivity can be realized. .
According to the invention of claim 5, by providing the concave portion at a position corresponding to the bonding pad, it is possible to realize a method of manufacturing a light emitting element array chip in which no photocurable resin remains at the position of the bonding pad.
According to the sixth aspect of the present invention, since the concave portion is provided at a position corresponding to the end portion of the wafer on which the light emitting element is formed, this portion becomes the mold release start point. A more excellent light emitting element array chip manufacturing method can be realized.
According to the invention of claim 7, a smaller light emitting element array chip can be manufactured by using the light emitting element array chip as a self-scanning light emitting element array chip.
According to the invention of claim 8, by providing the recess having the light shielding film formed at the bottom, it is possible to suppress the protrusion of the resin when the microlens is molded, and the microlens molding excellent in releasability. A mold can be realized.
According to the ninth aspect of the present invention, a microlens mold that is more excellent in releasability can be realized by forming the recess into a groove shape penetrating from one end of the substrate to the other end.
According to the tenth aspect of the present invention, since a microlens with higher accuracy can be formed, a light emitting element head having a higher light output intensity can be realized.
According to the eleventh aspect of the present invention, since the light emitting element head having higher light output intensity is provided as compared with the case where this configuration is not adopted, an image forming apparatus having higher image quality can be realized.

以下、本発明の実施の形態について説明する。ただし、本発明は、以下の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。また、使用する図面は、本実施の形態を説明するために使用するものであり、実際の大きさを表すものではない。   Embodiments of the present invention will be described below. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and can be implemented with various modifications within the scope of the gist. Further, the drawings used are used for explaining the present embodiment, and do not represent actual sizes.

図1は本実施の形態が適用される画像形成装置の全体構成を示した図である。
図1に示す画像形成装置1は、一般にタンデム型と呼ばれる画像形成装置であって、各色の階調データに対応して画像形成を行う画像プロセス系10、画像プロセス系10を制御する画像出力制御部30、例えばパーソナルコンピュータ(PC)2や画像読取装置(IIT:Image Input Terminal)3に接続され、これらから受信された画像データに対して所定の画像処理を施す画像処理部(IPS:Image Processing System)40を備えている。
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an image forming apparatus to which the exemplary embodiment is applied.
An image forming apparatus 1 shown in FIG. 1 is an image forming apparatus generally called a tandem type, and performs image formation corresponding to gradation data of each color, and image output control for controlling the image process system 10. An image processing unit (IPS: Image Processing) that is connected to a unit 30, for example, a personal computer (PC) 2 or an image reading device (IIT: Image Input Terminal) 3, and performs predetermined image processing on image data received from these units System) 40.

画像プロセス系10は、水平方向に一定の間隔を置いて並列的に配置される複数のエンジンからなるトナー像形成手段の一例としての画像形成ユニット11を備えている。この画像形成ユニット11は、イエロー(Y)、マゼンタ(M)、シアン(C)、黒(K)の4つの画像形成ユニット11Y,11M,11C,11Kから構成されており、夫々、静電潜像を形成してトナー像を形成させる像保持体(感光体)である感光体ドラム12、感光体ドラム12の表面を一様に帯電する帯電器13、帯電器13によって帯電された感光体ドラム12を露光する発光装置である発光素子ヘッド14、発光素子ヘッド14によって得られた潜像を現像する現像器15を備えている。また、画像プロセス系10は、各画像形成ユニット11Y,11M,11C,11Kの感光体ドラム12にて画像形成された各色のトナー像を記録媒体の一例としての記録用紙に多重転写させるために、この記録用紙を搬送する用紙搬送ベルト21、用紙搬送ベルト21を駆動させるロールである駆動ロール22、感光体ドラム12のトナー像を記録用紙に転写させる転写手段の一例としての転写ロール23を備えている。   The image processing system 10 includes an image forming unit 11 as an example of a toner image forming unit including a plurality of engines arranged in parallel at a constant interval in the horizontal direction. The image forming unit 11 is composed of four image forming units 11Y, 11M, 11C, and 11K of yellow (Y), magenta (M), cyan (C), and black (K). A photosensitive drum 12 that is an image carrier (photosensitive member) that forms an image by forming an image, a charger 13 that uniformly charges the surface of the photosensitive drum 12, and a photosensitive drum that is charged by the charger 13. The light emitting device head 14 is a light emitting device that exposes a light source 12, and a developing device 15 that develops a latent image obtained by the light emitting device head 14. Further, the image process system 10 multiplex-transfers each color toner image formed on the photosensitive drum 12 of each image forming unit 11Y, 11M, 11C, 11K onto a recording sheet as an example of a recording medium. A sheet conveying belt 21 that conveys the recording sheet, a driving roll 22 that is a roll for driving the sheet conveying belt 21, and a transfer roll 23 as an example of a transfer unit that transfers the toner image on the photosensitive drum 12 to the recording sheet are provided. Yes.

PC2やIIT3から入力された画像信号は、画像処理部40によって画像処理が施され、インタフェースを介して各画像形成ユニット11Y,11M,11C,11Kに供給される。画像プロセス系10は、画像出力制御部30から供給された同期信号等の制御信号に基づいて動作する。まず、イエローの画像形成ユニット11Yでは、帯電器13により帯電された感光体ドラム12の表面に、画像処理部40から得られた画像信号に基づき、発光素子ヘッド14によって静電潜像を形成する。形成された静電潜像に対して現像器15によってイエローのトナー像を形成し、形成されたイエローのトナー像は、図の矢印方向に回動する用紙搬送ベルト21上の記録用紙に転写ロール23を用いて転写される。同様にして、マゼンタ、シアン、黒のトナー像が各々の感光体ドラム12上に形成され、用紙搬送ベルト21上の記録用紙に転写ロール23を用いて多重転写される。多重転写された記録用紙上のトナー像は、定着手段の一例としての定着器24に搬送されて、熱および圧力によって記録用紙に定着される。   Image signals input from the PC 2 or IIT 3 are subjected to image processing by the image processing unit 40 and supplied to the image forming units 11Y, 11M, 11C, and 11K through the interface. The image process system 10 operates based on a control signal such as a synchronization signal supplied from the image output control unit 30. First, in the yellow image forming unit 11Y, an electrostatic latent image is formed by the light emitting element head 14 on the surface of the photosensitive drum 12 charged by the charger 13 based on the image signal obtained from the image processing unit 40. . A yellow toner image is formed on the formed electrostatic latent image by the developing device 15, and the formed yellow toner image is transferred to a recording sheet on a sheet conveying belt 21 that rotates in the direction of the arrow in the figure. 23 is transferred. Similarly, magenta, cyan, and black toner images are formed on the respective photosensitive drums 12 and are multiple-transferred onto the recording paper on the paper transport belt 21 using the transfer roll 23. The multiple transferred toner image on the recording paper is conveyed to a fixing device 24 as an example of a fixing unit, and is fixed on the recording paper by heat and pressure.

図2は、本実施の形態が適用される発光素子ヘッド14の構成を示した図である。発光素子ヘッド14は、記録素子(発光素子)として多数のLEDが配列された発光素子アレイ51、発光素子アレイ51を支持すると共に発光素子アレイ51の駆動を制御するための回路が形成されたプリント基板52、各LEDから出射された光出力を感光体ドラム12上に結像させる光学素子であるセルフォックレンズアレイ(SLA:登録商標)53を備え、プリント基板52およびセルフォックレンズアレイ53は、ハウジング54に保持されている。発光素子アレイ51は、LEDが主走査方向に画素数分、配列されたものからなる。例えば、A3サイズの短手(297mm)を主走査方向とする場合、600dpiの解像度では、約42.3μm毎に7040個のLEDが配列されることになる。なお、本実施の形態では、LEDが一直線上に並べられており、実際にはサイドレジずれ等を考慮して7680個のLEDが配列されている。   FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the light emitting element head 14 to which the exemplary embodiment is applied. The light emitting element head 14 supports a light emitting element array 51 in which a large number of LEDs are arranged as recording elements (light emitting elements), and a print on which a circuit for controlling the driving of the light emitting element array 51 is formed. The substrate 52 includes a SELFOC lens array (SLA: registered trademark) 53 that is an optical element that forms an image of the light output emitted from each LED on the photosensitive drum 12, and the printed circuit board 52 and the SELFOC lens array 53 include: It is held by the housing 54. The light emitting element array 51 includes LEDs arranged in the number of pixels in the main scanning direction. For example, when the A3 size short (297 mm) is used as the main scanning direction, 7040 LEDs are arranged every 42.3 μm at a resolution of 600 dpi. In the present embodiment, the LEDs are arranged in a straight line, and in fact, 7680 LEDs are arranged in consideration of a side registration shift or the like.

図3は、発光素子アレイ51の構造を説明した概略図である。
図3に示した発光素子アレイ51は、複数の発光素子アレイチップ100が主走査方向に千鳥状に配列する。
発光素子アレイチップ100は、矩形形状であり両側に配線等を行うスペースであるボンディングパッド101を備える。このようにボンディングパッド101を配すれば、ほぼボンディングパッド101自体が必要とする幅までチップ幅を小さくできる利点がある。
また発光素子アレイチップ100において両側のボンディングパッド101に挟まれる領域には、発光素子であるLED102が主走査方向である矩形の長辺に沿って直線状に等間隔で配列する。ここで、LED102は、発光素子アレイチップ100の長辺の一方に寄せて配置される。そして奇数番目の発光素子アレイチップ100と偶数番目の発光素子アレイチップ100とは、LED102が向かい合わせになるように、また、ボンディングパッド101を重ねるようにして配置される。このような配置により全てのLED102を、主走査方向に対し等間隔に並べて配置することができる。
また各LED102上には図示しないマイクロレンズ103が取り付けられている。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the structure of the light emitting element array 51.
In the light emitting element array 51 shown in FIG. 3, a plurality of light emitting element array chips 100 are arranged in a staggered pattern in the main scanning direction.
The light emitting element array chip 100 has a rectangular shape and includes bonding pads 101 which are spaces for wiring and the like on both sides. By providing the bonding pad 101 in this way, there is an advantage that the chip width can be reduced to a width almost required by the bonding pad 101 itself.
In the region between the bonding pads 101 on both sides of the light emitting element array chip 100, the LEDs 102 as light emitting elements are arranged linearly at equal intervals along the long side of the rectangle in the main scanning direction. Here, the LED 102 is arranged close to one of the long sides of the light emitting element array chip 100. The odd-numbered light-emitting element array chip 100 and the even-numbered light-emitting element array chip 100 are arranged so that the LEDs 102 face each other and the bonding pads 101 are overlapped. With this arrangement, all the LEDs 102 can be arranged at equal intervals in the main scanning direction.
A microlens 103 (not shown) is attached on each LED 102.

図4(a)〜(b)は、発光素子アレイチップ100の構造を説明した図である。
図4(a)は、発光素子アレイチップ100をLED102の光が出射する方向から見た図である。また図4(b)は、図4(a)のA−A断面図である。
上述の通り、発光素子アレイチップ100には、その両側にボンディングパッド101が配され、また両側のボンディングパッド101に挟まれる領域には、LED102が直線状に等間隔に配されている。それぞれのLED102には光が出射する側にマイクロレンズ103が形成されている。このマイクロレンズ103は、LED102から出射した光を集光し、感光体ドラム12(図2参照)に対して、効率よく光を入射させることができる。
このマイクロレンズ103は、光硬化性樹脂等の透明樹脂からなり、より効率よく光を集光するためその表面は非球面形状をとることが好ましい。また、マイクロレンズ103の大きさ、厚さ、焦点距離等は、使用されるLED102の波長、使用される光硬化性樹脂の屈折率等により適宜決定される。
4A and 4B are diagrams illustrating the structure of the light emitting element array chip 100. FIG.
FIG. 4A is a view of the light emitting element array chip 100 as seen from the direction in which the light of the LED 102 is emitted. Moreover, FIG.4 (b) is AA sectional drawing of Fig.4 (a).
As described above, the bonding pads 101 are arranged on both sides of the light emitting element array chip 100, and the LEDs 102 are arranged linearly at equal intervals in a region sandwiched between the bonding pads 101 on both sides. Each LED 102 is formed with a microlens 103 on the light emitting side. The microlens 103 condenses the light emitted from the LED 102 and can efficiently make the light incident on the photosensitive drum 12 (see FIG. 2).
The microlens 103 is made of a transparent resin such as a photocurable resin, and the surface thereof preferably has an aspherical shape in order to collect light more efficiently. Further, the size, thickness, focal length, and the like of the microlens 103 are appropriately determined depending on the wavelength of the LED 102 used, the refractive index of the photocurable resin used, and the like.

なお、本実施の形態では、発光素子アレイチップ100として自己走査型発光素子アレイを使用するのが好ましい。自己走査型発光素子アレイは、発光素子アレイの構成要素としてpnpn構造を持つ発光サイリスタを用い、発光素子の自己走査が実現できるように構成したものであり、特開平1−238962号公報、特開平2−14584号公報、特開平2−92650号公報、特開平2−92651号公報に開示されている。また、特開平2−263668号公報には、転送素子アレイを転送部として、発光部である発光素子アレイと分離した構造の自己走査型発光素子アレイが開示されている。   In the present embodiment, it is preferable to use a self-scanning light emitting element array as the light emitting element array chip 100. The self-scanning light-emitting element array uses a light-emitting thyristor having a pnpn structure as a constituent element of the light-emitting element array, and is configured to realize self-scanning of the light-emitting element. No. 2-14584, JP-A-2-92650, and JP-A-2-92651. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-263668 discloses a self-scanning light emitting element array having a structure separated from a light emitting element array as a light emitting part using the transfer element array as a transfer part.

図5は、分離タイブの自己走査型発光素子アレイの等価回路図である。この自己走査
型発光素子アレイは、転送用サイリスタT,T,T,…、書込み用発光サイリスタL,L,L,…からなる。転送部の構成は、ダイオード接続を用いている。VGKは電源(通常5V)であり、電源ライン72から各負荷抵抗Rを経て各転送用サイリスタのゲート電極G,G,G,…に接続されている。また、転送用サイリスタのゲート電極G,G,G,…は、書込み用発光サイリスタのゲート電極にも接続される。転送用サイリスタTのゲート電極にはスタートパルスφが加えられ、転送用サイリスタのアノード電極には、交互に転送用クロックパルスφ1,φ2が加えられる。これらクロックパルスφ1,φ2は、クロックパルスライン74,76を経て供給される。書込み用発光サイリスタのアノード電極には、信号ライン78を経て、書込み信号φが加えられている。
FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of a self-scanning light emitting element array of a separate type. This self-scanning light emitting element array includes transfer thyristors T 1 , T 2 , T 3 ,... And write light emitting thyristors L 1 , L 2 , L 3 ,. The configuration of the transfer unit uses a diode connection. V GK is a power supply (usually 5 V), and is connected to the gate electrodes G 1 , G 2 , G 3 ,... Of each transfer thyristor through the load resistance RL from the power line 72. Further, the gate electrodes G 1 , G 2 , G 3 ,... Of the transfer thyristor are also connected to the gate electrode of the write light-emitting thyristor. The gate electrode of the transfer thyristor T 1 is the start pulse phi S is applied to the anode electrode of the transfer thyristor, transfer clock pulses φ1 alternately, .phi.2 is applied. These clock pulses φ 1 and φ 2 are supplied via clock pulse lines 74 and 76. The anode electrode of the write light emitting thyristor, via a signal line 78, a write signal phi I is added.

次に動作を簡単に説明する。まず転送用クロックパルスφ1の電圧がハイレベルで転送用サイリスタTがオン状態であるとする。このとき、ゲート電極Gの電位はVGKの5Vからほぼ0Vにまで低下する。この電位降下の影響はダイオードDによってゲート電極Gに伝えられ、その電位を約1Vに(ダイオードDの順方向立上り電圧(拡散電位に等しい))に設定する。しかし、ダイオードDは逆バイアス状態であるためゲート電極Gへの電位の接続は行われず、ゲート電極Gの電位は5Vのままとなる。発光サイリスタのオン電位は、ゲート電極電位+pn接合の拡散電位(約1V)で近似されるから、次の転送用クロックパルスφ2のHレベル電圧は約2V(転送用サイリスタTをオンさせるために必要な電圧)以上でありかつ約4V(転送用サイリスタTをオンさせるために必要な電圧)以下に設定しておけば転送用サイリスタTのみがオンし、これ以外の転送用サイリスタはオフのままにすることができる。従って2本の転送用クロックパルスでオン状態が転送されることになる。 Next, the operation will be briefly described. First voltage of the transfer clock pulses φ1 to the transfer thyristor T 2 at the high level is on. At this time, the potential of the gate electrode G 2 is lowered to approximately 0V from 5V to V GK. The effect of this potential drop is transmitted by the diode D 2 to the gate electrode G 3, it is set to the potential of about 1V (forward threshold voltage of the diode D 2 (equal to the diffusion potential)). However, the connection of the potential of the gate electrode G 1 for the diode D 1 is reverse biased state is not performed, the potential of the gate electrode G 1 remains at 5V. ON potential of the light-emitting thyristor, since is approximated by a diffusion potential of the gate electrode potential + pn junction (approximately 1V), to the H-level voltage of the next transfer clock pulse φ2 for turning on the approximately 2V (the transfer thyristor T 3 required voltage) or more and and about 4V (only the transfer thyristor T 3 by setting the voltage) or less necessary to turn on the transfer thyristor T 4 is turned on, other than the transfer thyristor off Can be left. Therefore, the ON state is transferred by two transfer clock pulses.

スタートパルスφは、このような転送動作を開始させるためのパルスであり、スタートパルスφをLレベル(約0V)にすると同時に転送用クロックパルスφ2をHレベル(約2〜約4V)とし、転送用サイリスタTをオンさせる。その後すぐ、スタートパルスφはHレベルに戻される。 The start pulse φ S is a pulse for starting such a transfer operation. At the same time, the start pulse φ S is set to L level (about 0 V), and at the same time, the transfer clock pulse φ 2 is set to H level (about 2 to about 4 V). , to turn on the transfer thyristor T 1. Shortly thereafter, a start pulse φ S is returned to the H level.

いま、転送用サイリスタTがオン状態にあるとすると、ゲート電極Gの電位は、VGK(ここでは5Vと想定する)より低下し、ほぼ0Vとなる。したがって、書込み信号φの電圧が、pn接合の拡散電位(約1V)以上であれば、書込み用発光サイリスタLを発光状態とすることができる。 Assuming that the transfer thyristor T 2 is in the ON state, the potential of the gate electrode G 2 is, lower than V GK (here assumed to 5V), becomes substantially 0V. Accordingly, the voltage of the write signal phi I is, if the diffusion potential of the pn junction (approximately 1V) above, it is possible to write for the light-emitting thyristors L 2 and the light-emitting state.

これに対し、ゲート電極Gは約5Vであり、ゲート電極Gは約1Vとなる。したがって、書込み用発光サイリスタLの書込み電圧は約6V、書込み用発光サイリスタLの書込み電圧は約2Vとなる。これから、書込み用発光サイリスタLのみに書き込める書込み信号φの電圧は、1〜2Vの範囲となる。書込み用発光サイリスタLがオン、すなわち発光状態に入ると、発光強度は書込み信号φに流す電流量で決められ、任意の強度にて画像書込みが可能となる。また、発光状態を次の発光素子に転送するためには、書込み信号φラインの電圧を一度0Vまでおとし、発光している発光素子をいったんオフにしておく必要がある。 In contrast, the gate electrode wherein G 1 is about 5V, the gate electrode G 3 are approximately 1V. Accordingly, the write voltage of the write light-emitting thyristor L 1 of about 6V, the write voltage of the write light-emitting thyristor L 3 is about 2V. Now, the voltage of the write signal phi I can write only to the write light-emitting thyristor L 2 is a range of 1 to 2 V. When the write light-emitting thyristor L 2 is turned on, i.e., enters the emission state, the light emission intensity is decided to the amount of current flowing to the write signal phi I, it is possible to image writing at any intensity. Further, in order to transfer the light-emitting state to the next light emitting element is dropped to 0V the voltage of the write signal phi I line once, it is necessary to once turn off the light-emitting element that emits light.

次にLED102上にマイクロレンズ103を形成し、発光素子アレイチップ100を製造する方法について説明する。
図6(a)〜(f)および図7(a)〜(e)は、LED102上にマイクロレンズ103を形成し、発光素子アレイチップ100を製造する工程を説明した図である。
この工程は、大きく分けてマイクロレンズ103を形成するためのマイクロレンズ成形型200を作成する工程(図6(a)〜(f))と、そのマイクロレンズ成形型200を使用して、実際にマイクロレンズ103を形成し、発光素子アレイチップ100を作成する工程(図7(a)〜(e))とからなる。
Next, a method for forming the light emitting element array chip 100 by forming the microlens 103 on the LED 102 will be described.
FIGS. 6A to 6F and FIGS. 7A to 7E are diagrams illustrating a process of forming the light emitting element array chip 100 by forming the microlens 103 on the LED 102.
This process is roughly divided into a process of creating a microlens mold 200 (FIGS. 6A to 6F) for forming the microlens 103, and the microlens mold 200 is actually used. The process includes forming the microlens 103 and forming the light emitting element array chip 100 (FIGS. 7A to 7E).

最初にマイクロレンズ成形型200を作成する工程について説明を行う。
まず石英ガラスからなる基板201に凹部202を形成する(図6(a))。この凹部202は、機械的な加工で作成することができる。
First, the process of creating the microlens mold 200 will be described.
First, a recess 202 is formed in a substrate 201 made of quartz glass (FIG. 6A). The recess 202 can be created by mechanical processing.

次に、凹部202が形成された基板201にクロム膜203を形成する。このクロム膜203は、蒸着等の方法で成膜することができ、厚さは0.2μm〜1μm程度とするのが好ましい。この際に、クロム膜203は、基板201の表面全体および凹部202の底部にも成膜される(図6(b))。   Next, a chromium film 203 is formed on the substrate 201 in which the concave portion 202 is formed. The chromium film 203 can be formed by a method such as vapor deposition, and the thickness is preferably about 0.2 μm to 1 μm. At this time, the chromium film 203 is also formed on the entire surface of the substrate 201 and the bottom of the recess 202 (FIG. 6B).

次に、クロム膜203に開口部204を設ける(図6(c))。この開口部204の中央部の間隔は、マイクロレンズ103(図4参照)の中央部の間隔と同一であり、例えば約42.3μmとすることができる。開口部204を設けるには、フォトリソグラフィ法により行うことができる。即ち、開口部204に対応したレジスト層を形成させ、このレジスト層をマスクとして、ドライエッチングやウェットエッチングによりクロム膜203の開口部204に相当する部分を除去する。ドライエッチングとしては、反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)や誘導結合プラズマエッチング法が利用でき、またウェットエッチングとしては、希塩酸や希硫酸への浸漬を行う方法などが利用できる。そして、残ったレジスト層をレジスト除去液等を利用することにより除去すると開口部204が形成される。   Next, an opening 204 is provided in the chromium film 203 (FIG. 6C). The interval between the central portions of the openings 204 is the same as the interval between the central portions of the microlenses 103 (see FIG. 4), and can be set to, for example, about 42.3 μm. The opening 204 can be provided by a photolithography method. That is, a resist layer corresponding to the opening 204 is formed, and a portion corresponding to the opening 204 of the chromium film 203 is removed by dry etching or wet etching using the resist layer as a mask. As dry etching, reactive ion etching (RIE) or inductively coupled plasma etching can be used. As wet etching, a method of immersing in dilute hydrochloric acid or dilute sulfuric acid can be used. Then, when the remaining resist layer is removed by using a resist removing solution or the like, an opening 204 is formed.

次に、基板201のウェットエッチングを行う。エッチング液としては、フッ酸水溶液等が使用できる。このときクロム膜203は、マスクとして機能し、開口部204の部分が等方的にエッチングされる。その結果、石英ガラスの基板201に略半球形状の孔部205が形成される(図6(d))。この略半球形状の孔部205の形状は、マイクロレンズ103の転写形状である。   Next, wet etching of the substrate 201 is performed. As the etchant, a hydrofluoric acid aqueous solution or the like can be used. At this time, the chromium film 203 functions as a mask, and the portion of the opening 204 is isotropically etched. As a result, a substantially hemispherical hole 205 is formed in the quartz glass substrate 201 (FIG. 6D). The shape of the substantially hemispherical hole 205 is a transfer shape of the microlens 103.

次に、クロム膜203を部分的に除去する(図6(e))。クロム膜203の除去には、上記の反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)や誘導結合プラズマエッチング法等のドライエッチング法や、希塩酸や希硫酸への浸漬を行うウェットエッチング法が利用できるが、例えば粘着テープを貼りつけ、それを剥ぎ取る方法でも除去可能である。
そして、マイクロレンズ103を形成する際にマイクロレンズ成形型200との離型性をよりよくするため、離型処理をする(図6(f))。
この離型処理は、例えば、テフロン(登録商標)等のフッ素樹脂等をコーティングすることで離型膜207を形成させるような方法により行うことができる。またマイクロレンズ103を形成する際にマイクロレンズ成形型200を所定の位置に規定するための図示しないスペーサを形成するのが好ましい。スペーサは、例えば、プラスチック等からなる10μm前後の粒径を有する球状のビーズを1層塗布することにより形成させることができる。
このような一連の工程によりマイクロレンズ成形型200が作成できる。
Next, the chromium film 203 is partially removed (FIG. 6E). For the removal of the chromium film 203, a dry etching method such as the above-described reactive ion etching (RIE) or inductively coupled plasma etching method or a wet etching method in which the film is immersed in dilute hydrochloric acid or dilute sulfuric acid can be used. For example, it can also be removed by applying an adhesive tape and peeling it off.
Then, when the microlens 103 is formed, a mold release process is performed in order to improve the mold releasability from the microlens mold 200 (FIG. 6F).
This mold release treatment can be performed, for example, by a method in which a mold release film 207 is formed by coating a fluororesin such as Teflon (registered trademark). Further, it is preferable to form a spacer (not shown) for defining the microlens mold 200 at a predetermined position when the microlens 103 is formed. The spacer can be formed, for example, by applying one layer of spherical beads made of plastic or the like and having a particle size of around 10 μm.
The microlens mold 200 can be created through such a series of steps.

次に上記のようにして作成したマイクロレンズ成形型200を使用し、マイクロレンズ103を作成する工程について説明を行う。
まず、ボンディングパッド101およびLED102を形成したLEDウエハ301に紫外線(UV:Ultra Violet)により硬化する光硬化性樹脂302を滴下する(図7(a))。またこの際に、スピンコート等を行うことにより光硬化性樹脂302がLEDウエハ301上で均一になるようにするのが好ましい。使用される光硬化性樹脂302としては、LED102から出射された光を透過するものであれば、特に限定されるものではないが、一般的なエポキシ系の光硬化性樹脂やアクリル系の光硬化性樹脂が使用できる。
Next, the process of creating the microlens 103 using the microlens mold 200 created as described above will be described.
First, a photocurable resin 302 that is cured by ultraviolet (UV) is dropped onto the LED wafer 301 on which the bonding pads 101 and the LEDs 102 are formed (FIG. 7A). At this time, it is preferable to make the photocurable resin 302 uniform on the LED wafer 301 by performing spin coating or the like. The photocurable resin 302 to be used is not particularly limited as long as it transmits the light emitted from the LED 102, but a general epoxy-based photocurable resin or an acrylic photocuring is used. Resin can be used.

次に、マイクロレンズ成形型200をLEDウエハ301に押付けることにより光硬化性樹脂302を展開させ、水平方向および厚さ方向に対し、微少位置合せを行う(図7(b))。このとき、光硬化性樹脂302は、マイクロレンズ成形型200に形成された孔部205に侵入し、マイクロレンズ103の形状となる。
また、孔部205に収容しきれない光硬化性樹脂302は、凹部202に収容される。このように凹部202に余分な光硬化性樹脂302を収容することで、光硬化性樹脂302のはみ出しを抑制することができる。そしてこの際に凹部202には、光硬化性樹脂302が全て満たされず、余分な空間が生じる程度である方が光硬化性樹脂302のはみ出しを抑制する観点から好ましい。
厚さ方向の位置合せは、マイクロレンズ成形型200をLEDウエハ301に所定の圧力で押圧を行い、LEDウエハ301と図示しないスペーサとを接触させることにより行うことができる。マイクロレンズ成形型200の厚さ方向の位置は、スペーサにより規定され、光硬化性樹脂302の厚さを全体で均一にすることができる。よって形成されるマイクロレンズ103の焦点距離も一様にそろうことになる。また、水平方向への位置合せは、図示しない所定のマーカに位置合せをする方法で行うことができる。
Next, the photocurable resin 302 is developed by pressing the microlens mold 200 against the LED wafer 301, and fine alignment is performed in the horizontal direction and the thickness direction (FIG. 7B). At this time, the photocurable resin 302 enters the hole 205 formed in the microlens mold 200 and becomes the shape of the microlens 103.
The photocurable resin 302 that cannot be accommodated in the hole 205 is accommodated in the recess 202. Thus, by accommodating the excess photocurable resin 302 in the recessed part 202, the protrusion of the photocurable resin 302 can be suppressed. At this time, it is preferable from the viewpoint of suppressing the protrusion of the photocurable resin 302 that the recess 202 is not filled with all of the photocurable resin 302 and an extra space is generated.
The alignment in the thickness direction can be performed by pressing the microlens mold 200 against the LED wafer 301 with a predetermined pressure and bringing the LED wafer 301 into contact with a spacer (not shown). The position in the thickness direction of the microlens mold 200 is defined by a spacer, and the thickness of the photocurable resin 302 can be made uniform as a whole. Therefore, the focal lengths of the formed microlenses 103 are also uniform. Further, the alignment in the horizontal direction can be performed by a method of aligning with a predetermined marker (not shown).

マイクロレンズ成形型200の位置合せの完了後、紫外線を照射し、光硬化性樹脂302を硬化させる。このときクロム膜203の部分が遮光膜として機能し、紫外線が遮光され、このクロム膜203の下側にある光硬化性樹脂302は、未硬化のままとなる(図7(c))。
なおここで光硬化性樹脂302が未硬化であるとは、後の図7(e)の工程で洗浄により除去できる程度に硬化していない程度であれば足り、硬化が全く進行していない状態であることを意味するものではない。
After the alignment of the microlens mold 200 is completed, the ultraviolet ray is irradiated to cure the photocurable resin 302. At this time, the portion of the chromium film 203 functions as a light shielding film, the ultraviolet rays are shielded, and the photocurable resin 302 below the chromium film 203 remains uncured (FIG. 7C).
Here, it is sufficient that the photocurable resin 302 is uncured as long as it is not cured to the extent that it can be removed by washing in the subsequent step of FIG. 7E, and curing is not progressing at all. It does not mean that.

光硬化性樹脂302の硬化後、マイクロレンズ成形型200を離型させる(図7(d))。そして、硬化させなかった光硬化性樹脂302を洗浄により除去し、LEDウエハ301のダイシングを行うと、LED102上に硬化した光硬化性樹脂302よりなるマイクロレンズ103が形成された発光素子アレイチップ100が製造できる(図7(e))。   After the photocurable resin 302 is cured, the microlens mold 200 is released (FIG. 7D). Then, when the photocurable resin 302 that has not been cured is removed by washing and the LED wafer 301 is diced, the light emitting element array chip 100 in which the microlens 103 made of the photocurable resin 302 cured on the LED 102 is formed. Can be manufactured (FIG. 7E).

ここで、上述した凹部202について更に詳しく説明を行う。
図8(a)〜(b)は、凹部202の第1の例について説明した図である。
図8(a)〜(b)に示した工程は、上述した図7(b)の工程に対応し、LED102を多数形成したLEDウエハ301にマイクロレンズ成形型200を押し付け、光硬化性樹脂302をマイクロレンズ103の形状にする工程についての全体図である。そして、図8(a)はマイクロレンズ成形型200をLEDウエハ301に押付ける方向から見た図であり、図8(b)は、図8(a)のB−B断面図である。
Here, the concave portion 202 described above will be described in more detail.
FIGS. 8A and 8B are diagrams illustrating a first example of the recess 202.
The process shown in FIGS. 8A and 8B corresponds to the process shown in FIG. 7B described above. The microlens mold 200 is pressed against the LED wafer 301 on which a large number of LEDs 102 are formed, and a photocurable resin 302 is obtained. FIG. 6 is an overall view of a process of forming the shape of the microlens 103. 8A is a view of the microlens molding die 200 as viewed from the direction in which it is pressed against the LED wafer 301, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 8A.

この工程においてLEDウエハ301には、既にLED102が形成されている。またマイクロレンズ成形型200には、溝形状を有する複数の凹部202が図8(a)における縦方向に平行に形成されている。マイクロレンズ成形型200で凹部202が形成されている位置は、LEDウエハ301でLED102の位置に対応する位置には形成されず、ボンディングパッド101の位置に対応する位置に形成される。また凹部202は、マイクロレンズ成形型200の一の端部から他の端部へ貫通して形成されている。   In this process, the LED 102 is already formed on the LED wafer 301. Further, in the microlens mold 200, a plurality of recesses 202 having a groove shape are formed in parallel to the vertical direction in FIG. The position where the concave portion 202 is formed in the microlens mold 200 is not formed at a position corresponding to the position of the LED 102 on the LED wafer 301 but is formed at a position corresponding to the position of the bonding pad 101. The recess 202 is formed so as to penetrate from one end of the microlens mold 200 to the other end.

マイクロレンズ成形型200をLEDウエハ301に押し付けると、図7(b)において説明したのと同様に光硬化性樹脂302は、マイクロレンズ成形型200に形成された孔部205に侵入してその中に収容され、それと共に孔部205に収容しきれない光硬化性樹脂302は、凹部202に収容される。そして、図7(c)において説明したようにその後紫外線を照射し、光硬化性樹脂302を硬化させるが、溝形状の凹部202には、遮光膜としてのクロム膜203をその底部に有するので、光が照射されず、光硬化性樹脂302は、未硬化となる。よってLED102の部分には、マイクロレンズ103(図7(e)参照)が形成されるが、その他の部分は、未硬化の光硬化性樹脂302を除去することができる。溝形状の凹部202の位置は、LEDウエハ301のボンディングパッド101の位置に対応する位置であるので、ボンディングパッド101の箇所には、光硬化性樹脂302は残存せず、この部分を露出させることができる。   When the microlens mold 200 is pressed against the LED wafer 301, the photocurable resin 302 penetrates into the hole 205 formed in the microlens mold 200 as described in FIG. The photo-curable resin 302 that is accommodated in the hole 205 and cannot be accommodated in the hole 205 is accommodated in the recess 202. Then, as described in FIG. 7C, ultraviolet rays are then irradiated to cure the photocurable resin 302. However, since the groove-shaped recess 202 has a chromium film 203 as a light shielding film at its bottom, The light is not irradiated and the photocurable resin 302 becomes uncured. Therefore, although the micro lens 103 (refer FIG.7 (e)) is formed in the part of LED102, uncured photocurable resin 302 can be removed in another part. Since the position of the groove-shaped recess 202 corresponds to the position of the bonding pad 101 of the LED wafer 301, the photocurable resin 302 does not remain at the position of the bonding pad 101, and this portion is exposed. Can do.

この光硬化性樹脂302の除去は、図7(e)で示したようにマイクロレンズ成形型200の離型後に行ってもよいが、離型前に行うこともできる。即ち、溝形状の凹部202に、洗浄液を供給し、この洗浄液により未硬化の光硬化性樹脂302を除去することができる。具体的には、エタノール、イソプロピルアルコール(IPA:Isopropyl alcohol)などの有機溶剤を入れた図示しない洗浄槽に浸漬させ、揺動させる。凹部202は貫通した溝形状であるため、その端部から洗浄液が侵入し、凹部202の洗浄を行うことができる。
このように離型前に洗浄を行うと、凹部202の部分に未硬化の光硬化性樹脂302が存在していた部分は空隙となり、マイクロレンズ成形型200の離型をより簡単に行うことができる。
The removal of the photocurable resin 302 may be performed after the microlens mold 200 is released as shown in FIG. 7E, but can also be performed before the mold release. That is, a cleaning liquid can be supplied to the groove-shaped recess 202, and the uncured photocurable resin 302 can be removed by the cleaning liquid. Specifically, it is immersed in a washing tank (not shown) containing an organic solvent such as ethanol or isopropyl alcohol (IPA) and rocked. Since the concave portion 202 has a through-groove shape, the cleaning liquid enters from the end portion of the concave portion 202 so that the concave portion 202 can be cleaned.
When cleaning is performed before the mold release in this manner, the portion where the uncured photocurable resin 302 was present in the concave portion 202 becomes a void, and the microlens molding die 200 can be released more easily. it can.

また、図9(a)〜(b)は、凹部202の第2の例について説明した図である。
図9(a)〜(b)に示した工程は、図8(a)〜(b)で説明した場合と同様に、上述した図7(b)に対応し、LED102を多数形成したLEDウエハ301にマイクロレンズ成形型200を押し付け、光硬化性樹脂302をマイクロレンズ103の形状にする工程についての全体図である。そして、図9(a)はマイクロレンズ成形型200をLEDウエハ301に押付ける方向から見た図であり、図9(b)は、図9(a)のC−C断面図である。
FIGS. 9A to 9B are diagrams illustrating a second example of the recess 202.
The process shown in FIGS. 9A to 9B corresponds to the above-described FIG. 7B as in the case described with reference to FIGS. 8A to 8B, and an LED wafer on which a large number of LEDs 102 are formed. FIG. 3 is an overall view of a process of pressing a microlens molding die 200 against 301 to make a photocurable resin 302 into the shape of a microlens 103. 9A is a view of the microlens molding die 200 as viewed from the direction in which the microlens mold 200 is pressed against the LED wafer 301, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 9A.

図9(a)〜(b)に示した工程では、図8(a)〜(b)に示した場合に対し、マイクロレンズ成形型200のLEDウエハ301の端部に対応する位置に凹部202を更に設けている。この凹部202は、LEDウエハ301の端部を覆うように形成されることが好ましい。このように凹部202を設けることで、この部分の光硬化性樹脂302は、未硬化となり、洗浄を行うことで除去することができる。LEDウエハ301の端部において光硬化性樹脂302を除去した状態で離型を行うと、この部分が離型開始点となり、マイクロレンズ成形型200の離型をより簡単に行うことができる。   In the steps shown in FIGS. 9A to 9B, the concave portion 202 is formed at a position corresponding to the end portion of the LED wafer 301 of the microlens mold 200, as compared with the case shown in FIGS. Is further provided. The recess 202 is preferably formed so as to cover the end of the LED wafer 301. By providing the concave portion 202 in this manner, the photocurable resin 302 in this portion becomes uncured and can be removed by washing. When mold release is performed with the photocurable resin 302 removed at the end of the LED wafer 301, this part becomes the mold release start point, and the mold release of the microlens mold 200 can be performed more easily.

そして、図10(a)〜(b)は、凹部202の第3の例について説明した図である。
図10(a)〜(b)に示した工程は、図8(a)〜(b)で説明した場合と同様に、上述した図7(b)に対応し、LED102を多数形成したLEDウエハ301にマイクロレンズ成形型200を押し付け、光硬化性樹脂302をマイクロレンズ103の形状にする工程についての全体図である。そして、図10(a)はマイクロレンズ成形型200をLEDウエハ301に押付ける方向から見た図であり、図10(b)は、図10(a)のD−D断面図である。
10A to 10B are diagrams illustrating a third example of the recess 202. FIG.
The process shown in FIGS. 10A to 10B corresponds to the above-described FIG. 7B, as in the case described with reference to FIGS. 8A to 8B, and an LED wafer on which a large number of LEDs 102 are formed. FIG. 3 is an overall view of a process of pressing a microlens molding die 200 against 301 to make a photocurable resin 302 into the shape of a microlens 103. 10A is a view of the microlens molding die 200 as viewed from the direction in which the microlens mold 200 is pressed against the LED wafer 301, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. 10A.

図10(a)〜(b)に示した工程では、図9(a)〜(b)に示したマイクロレンズ成形型200に対し、図10(a)における縦方向に溝形状の凹部202を設けただけではなく、横方向にも溝形状の凹部202を設けている。
このように複数の異なる方向に凹部202を設けると、離型前に凹部202の洗浄を行い、未硬化の光硬化性樹脂302を除去することにより、更に、空隙となる部分が増えることになる。よって、光硬化性樹脂302とLEDウエハ301との接触面積をより小さくできるため、マイクロレンズ成形型200の離型性を更に向上させることができる。
10 (a) to 10 (b), a groove-shaped recess 202 is formed in the vertical direction in FIG. 10 (a) with respect to the microlens mold 200 shown in FIGS. 9 (a) to 9 (b). In addition to being provided, a groove-shaped recess 202 is also provided in the lateral direction.
When the recesses 202 are provided in a plurality of different directions as described above, the recesses 202 are cleaned before release, and the uncured photo-curable resin 302 is removed, thereby further increasing the number of portions that become voids. . Therefore, since the contact area between the photocurable resin 302 and the LED wafer 301 can be further reduced, the releasability of the microlens mold 200 can be further improved.

本実施の形態が適用される画像形成装置の全体構成を示した図である。1 is a diagram illustrating an overall configuration of an image forming apparatus to which the exemplary embodiment is applied. 本実施の形態が適用される発光素子ヘッドの構成を示した図である。It is the figure which showed the structure of the light emitting element head to which this Embodiment is applied. 発光素子アレイの構造を説明した概略図である。It is the schematic explaining the structure of the light emitting element array. 発光素子アレイチップの構造を説明した図である。It is a figure explaining the structure of the light emitting element array chip. 分離タイブの自己走査型発光素子アレイの等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of a self-scanning light emitting element array of a separation type. マイクロレンズを形成するためのマイクロレンズ成形型を作成する工程を説明した図である。It is a figure explaining the process of creating the microlens shaping | molding die for forming a microlens. マイクロレンズ成形型を使用して、マイクロレンズを形成し、発光素子アレイチップを作成する工程を説明した図である。It is the figure explaining the process of forming a microlens using a microlens shaping | molding die and creating a light emitting element array chip. 凹部の第1の例について説明した図である。It is a figure explaining the 1st example of a crevice. 凹部の第2の例について説明した図である。It is a figure explaining the 2nd example of a crevice. 凹部の第3の例について説明した図である。It is a figure explaining the 3rd example of a crevice.

符号の説明Explanation of symbols

1…画像形成装置、11K,11C,11M,11Y…画像形成ユニット、14…発光素子ヘッド、23…転写ロール、24…定着器、51…発光素子アレイ、53…セルフォックレンズアレイ、100…発光素子アレイチップ、101…ボンディングパッド、102…LED、103…マイクロレンズ、200…マイクロレンズ成形型、201…基板、202…凹部、203…クロム膜、205…孔部、301…LEDウエハ、302…光硬化性樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Image forming apparatus, 11K, 11C, 11M, 11Y ... Image forming unit, 14 ... Light emitting element head, 23 ... Transfer roll, 24 ... Fixing device, 51 ... Light emitting element array, 53 ... Selfoc lens array, 100 ... Light emission Element array chip, 101 ... bonding pad, 102 ... LED, 103 ... microlens, 200 ... microlens mold, 201 ... substrate, 202 ... recess, 203 ... chrome film, 205 ... hole, 301 ... LED wafer, 302 ... Photo curable resin

Claims (11)

基板と、当該基板の表面に形成されマイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され底部に遮光膜が形成された凹部とを有するマイクロレンズ成形型を光硬化性樹脂に押圧することで、当該孔部および当該凹部に当該光硬化性樹脂を収容する工程と、
光を照射し、前記孔部に収容した光硬化性樹脂は硬化させ、前記凹部に収容した光硬化性樹脂は前記遮光膜により未硬化にする工程と、
未硬化の前記光硬化性樹脂を除去する工程と、
を含むことで発光素子にマイクロレンズを形成することを特徴とする発光素子アレイチップの製造方法。
A microlens mold having a substrate, a plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a transfer shape in the shape of a microlens, and a recess formed in the outer peripheral region of the hole and having a light shielding film formed on the bottom By pressing the photocurable resin into the hole and the recess,
Irradiating light, curing the photocurable resin accommodated in the hole, and making the photocurable resin accommodated in the recess uncured by the light shielding film;
Removing the uncured photocurable resin;
A method for manufacturing a light-emitting element array chip, comprising: forming a microlens on the light-emitting element.
前記凹部は、前記マイクロレンズ成形型の一の端部から他の端部に貫通する溝形状をなすことを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法。   2. The method of manufacturing a light emitting element array chip according to claim 1, wherein the concave portion has a groove shape penetrating from one end portion of the microlens mold to another end portion. 前記凹部は、複数の異なる方向に対し設けられることを特徴とする請求項2に記載の発光素子アレイチップの製造方法。   The method of manufacturing a light emitting element array chip according to claim 2, wherein the recess is provided in a plurality of different directions. 前記除去は、前記凹部に洗浄液を供給し、当該凹部を洗浄することにより行うことを特徴とする請求項2に記載の発光素子アレイチップの製造方法。   The method of manufacturing a light emitting element array chip according to claim 2, wherein the removal is performed by supplying a cleaning liquid to the concave portion and cleaning the concave portion. 前記凹部は、前記マイクロレンズ成形型を前記光硬化性樹脂に押圧する際に前記発光素子アレイチップのボンディングパッドの位置に対応する位置に形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法。   2. The light emitting device according to claim 1, wherein the concave portion is formed at a position corresponding to a position of a bonding pad of the light emitting element array chip when the microlens mold is pressed against the photocurable resin. A method for manufacturing an element array chip. 前記凹部は、前記マイクロレンズ成形型を前記光硬化性樹脂に押圧する際に前記発光素子が形成されたウエハの端部に対応する位置に形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法。   The said recessed part is formed in the position corresponding to the edge part of the wafer in which the said light emitting element was formed, when pressing the said microlens shaping | molding die to the said photocurable resin. Manufacturing method of light emitting element array chip. 前記発光素子アレイチップは、自己走査型発光素子アレイチップであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法。   The method of manufacturing a light emitting element array chip according to claim 1, wherein the light emitting element array chip is a self-scanning light emitting element array chip. 基板と、
前記基板の表面に形成され、マイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、
前記孔部の外周領域に形成され、底部に遮光膜が形成された凹部と、
を有することを特徴とするマイクロレンズ成形型。
A substrate,
A plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a microlens-shaped transfer shape;
A recess formed in the outer peripheral region of the hole and having a light shielding film formed on the bottom;
A microlens molding die comprising:
前記凹部は、前記基板の一の端部から他の端部に貫通することを特徴とする請求項8に記載のマイクロレンズ成形型。   The microlens molding die according to claim 8, wherein the recess penetrates from one end of the substrate to the other end. 発光素子アレイチップを主走査方向に複数配列してなる発光素子アレイと、
前記発光素子アレイの光出力を結像させる光学素子と、を有し、
前記発光素子アレイチップは、
基板と、当該基板の表面に形成されマイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され底部に遮光膜が形成された凹部とを有するマイクロレンズ成形型を光硬化性樹脂に押圧し、光を照射して当該マイクロレンズ成形型に遮光膜が形成されていない部分に収容された当該光硬化性樹脂は硬化させ、当該マイクロレンズ成形型の遮光膜が形成されている部分に収容された当該光硬化性樹脂は未硬化として除去することで、発光素子にマイクロレンズを有する発光素子を備えることを特徴とする発光素子ヘッド。
A light emitting element array in which a plurality of light emitting element array chips are arranged in the main scanning direction;
An optical element for imaging the light output of the light emitting element array,
The light emitting element array chip is:
A microlens mold having a substrate, a plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a transfer shape in the shape of a microlens, and a recess formed in the outer peripheral region of the hole and having a light shielding film formed on the bottom Is pressed against the photocurable resin, and the photocurable resin contained in the portion where the light shielding film is not formed on the microlens mold is cured by irradiating light, and the light shielding film of the microlens mold is formed. A light-emitting element head comprising: a light-emitting element having a microlens in a light-emitting element by removing the photocurable resin contained in a formed portion as uncured.
トナー像を形成させるトナー像形成手段と、
前記トナー像を記録媒体に転写する転写手段と、
前記トナー像を記録媒体に定着する定着手段と、を有し、
前記トナー像形成手段は、
基板と、当該基板の表面に形成されマイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され底部に遮光膜が形成された凹部とを有するマイクロレンズ成形型を光硬化性樹脂に押圧し、光を照射して当該マイクロレンズ成形型に遮光膜が形成されていない部分に収容された当該光硬化性樹脂は硬化させ、当該マイクロレンズ成形型の遮光膜が形成されている部分に収容された当該光硬化性樹脂は未硬化として除去することで、発光素子にマイクロレンズを形成した発光素子ヘッドを備えることを特徴とする画像形成装置。
Toner image forming means for forming a toner image;
Transfer means for transferring the toner image to a recording medium;
Fixing means for fixing the toner image to a recording medium,
The toner image forming unit includes:
A microlens mold having a substrate, a plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a transfer shape in the shape of a microlens, and a recess formed in the outer peripheral region of the hole and having a light shielding film formed on the bottom Is pressed against the photocurable resin, irradiated with light to cure the photocurable resin contained in the portion where the light shielding film is not formed on the microlens molding die, and the light shielding film of the microlens molding die is An image forming apparatus comprising: a light emitting element head in which a microlens is formed on a light emitting element by removing the photocurable resin contained in a formed portion as uncured.
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