JP2009188237A - Manufacturing method of light emitting element array chip, microlens mold, light emitting element head, and image forming apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光素子アレイチップの製造方法等に関し、特に発光素子にマイクロレンズを形成した発光素子アレイチップの製造方法等に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting element array chip, and more particularly to a method for manufacturing a light emitting element array chip in which a microlens is formed on a light emitting element.
電子写真方式を採用した、プリンタや複写機、ファクシミリ等の画像形成装置では、一様に帯電された感光体上に、画像情報を光記録手段によって照射することにより静電潜像を得た後、この静電潜像にトナーを付加して可視化し、記録紙上に転写して定着することによって画像形成が行なわれる。かかる光記録手段として、レーザを用いて主走査方向にレーザ光を走査させて露光する光走査方式の他、近年では、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)アレイ光源を主走査方向に多数、配列してなるLEDヘッドを用いた光記録手段が採用されている。 In image forming apparatuses such as printers, copiers, and facsimiles that employ an electrophotographic method, after obtaining an electrostatic latent image by irradiating image information onto a uniformly charged photoreceptor by optical recording means The electrostatic latent image is visualized by adding toner, and the image is formed by transferring and fixing on the recording paper. As such optical recording means, in addition to an optical scanning method in which a laser is used to scan and expose a laser beam in the main scanning direction, in recent years, a large number of LED (Light Emitting Diode) array light sources are arranged in the main scanning direction. An optical recording means using an LED head is employed.
このLEDアレイ光源を用いた画像形成装置は、光走査方式の画像形成装置に比べて、スキャンする空間が不要となり、駆動系が不要となることから、画像形成装置全体が小型化し、信頼性が向上するという利点がある。また、振動や熱による光学系の変形に強いという利点もある。 The image forming apparatus using the LED array light source does not require a scanning space and does not require a drive system, as compared with an optical scanning type image forming apparatus, so that the entire image forming apparatus is downsized and reliable. There is an advantage of improvement. In addition, there is an advantage that it is resistant to deformation of the optical system due to vibration and heat.
一方、LEDアレイ光源における各LED素子は、光の放射角が広いので感光ドラムに対して、効率よく光を入射させにくい。この点を解決するため、特許文献1では、各LED素子に対応させたマイクロレンズ等のレンズを組み込んだマイクロレンズアレイが提案されている。 On the other hand, since each LED element in the LED array light source has a wide light emission angle, it is difficult for light to efficiently enter the photosensitive drum. In order to solve this point, Patent Document 1 proposes a microlens array in which a lens such as a microlens corresponding to each LED element is incorporated.
このマイクロレンズアレイの作製方法は、種々提案されており、例えば、特許文献2では、発光素子アレイが形成された発光素子基板上に透明樹脂層を形成し、透明樹脂層に各発光素子に対応する位置に凸状(又は凹状)の段差を形成し、段差が形成された透明樹脂層を加熱することで各段差部分を非球面性の高いレンズ形状に変形させてマイクロレンズアレイを一体に形成する方法が提案されている。
また特許文献3では、凹部群を形成した成形面の上に高屈折樹脂を塗布し、ガラス基板を押しつけ展開させ、高屈折樹脂を硬化させることでマイクロレンズアレイを製造する方法が提案されている。
そして特許文献4では、スペーサ付き成形型を用いたマイクロレンズアレイの製造方法が提案されている。
Various methods for producing the microlens array have been proposed. For example, in
Further,
And in patent document 4, the manufacturing method of the micro lens array using the shaping | molding die with a spacer is proposed.
樹脂を成形型を利用して成形することにより発光素子にマイクロアレイレンズを形成する方式では、樹脂のはみ出しを抑制すると共に成形型の離型を簡単に行うことも求められる。
本発明の目的は、成形時の樹脂のはみ出しを抑制すると共に成形型の離型を簡単に行うことができる発光素子アレイチップの製造方法等を提供することにある。
In a system in which a microarray lens is formed on a light-emitting element by molding a resin using a mold, it is also required to suppress the protrusion of the resin and to easily release the mold.
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a light-emitting element array chip and the like that can prevent the resin from protruding during molding and can easily release the mold.
請求項1に係る発明は、基板と、当該基板の表面に形成されマイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され底部に遮光膜が形成された凹部とを有するマイクロレンズ成形型を光硬化性樹脂に押圧することで、当該孔部および当該凹部に当該光硬化性樹脂を収容する工程と、光を照射し、前記孔部に収容した光硬化性樹脂は硬化させ、前記凹部に収容した光硬化性樹脂は前記遮光膜により未硬化にする工程と、未硬化の前記光硬化性樹脂を除去する工程と、を含むことで発光素子にマイクロレンズを形成することを特徴とする発光素子アレイチップの製造方法である。 According to the first aspect of the present invention, a substrate, a plurality of holes having a transfer shape in the shape of a microlens formed on the surface of the substrate, and a light-shielding film is formed in the outer peripheral region of the hole. The step of accommodating the photocurable resin in the hole and the recess by pressing the microlens mold having the recess on the photocurable resin, and the photocuring stored in the hole by irradiating the light. The light curable resin is cured, and the light curable resin accommodated in the recess includes a step of uncured by the light shielding film and a step of removing the uncured photo curable resin. Is a method for manufacturing a light-emitting element array chip.
請求項2に係る発明は、前記凹部は、前記マイクロレンズ成形型の一の端部から他の端部に貫通する溝形状をなすことを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
請求項3に係る発明は、前記凹部は、複数の異なる方向に対し設けられることを特徴とする請求項2に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
請求項4に係る発明は、前記除去は、前記凹部に洗浄液を供給し、当該凹部を洗浄することにより行うことを特徴とする請求項2に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
請求項5に係る発明は、前記凹部は、前記マイクロレンズ成形型を前記光硬化性樹脂に押圧する際に前記発光素子アレイチップのボンディングパッドの位置に対応する位置に形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
請求項6に係る発明は、前記凹部は、前記マイクロレンズ成形型を前記光硬化性樹脂に押圧する際に前記発光素子が形成されたウエハの端部に対応する位置に形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
請求項7に係る発明は、前記発光素子アレイチップは、自己走査型発光素子アレイチップであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップの製造方法である。
According to a second aspect of the present invention, in the light emitting element array chip according to the first aspect, the concave portion has a groove shape penetrating from one end portion of the microlens mold to the other end portion. It is a manufacturing method.
The invention according to
The invention according to claim 4 is the method of manufacturing the light-emitting element array chip according to
The invention according to claim 5 is characterized in that the recess is formed at a position corresponding to a position of a bonding pad of the light emitting element array chip when the microlens mold is pressed against the photocurable resin. The method of manufacturing a light emitting element array chip according to claim 1.
The invention according to claim 6 is characterized in that the concave portion is formed at a position corresponding to an end portion of the wafer on which the light emitting element is formed when the microlens mold is pressed against the photocurable resin. A method for manufacturing a light-emitting element array chip according to claim 1.
The invention according to claim 7 is the light emitting element array chip manufacturing method according to claim 1, wherein the light emitting element array chip is a self-scanning light emitting element array chip.
請求項8に係る発明は、基板と、前記基板の表面に形成され、マイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、前記孔部の外周領域に形成され、底部に遮光膜が形成された凹部と、を有することを特徴とするマイクロレンズ成形型である。 According to an eighth aspect of the present invention, a substrate, a plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a transfer shape in the shape of a microlens, and an outer peripheral region of the hole, a light shielding film is formed on the bottom. A microlens mold having a concave portion.
請求項9に係る発明は、前記凹部は、前記基板の一の端部から他の端部に貫通することを特徴とする請求項8に記載のマイクロレンズ成形型である。 The invention according to claim 9 is the microlens mold according to claim 8, wherein the recess penetrates from one end of the substrate to the other end.
請求項10に係る発明は、発光素子アレイチップを主走査方向に複数配列してなる発光素子アレイと、前記発光素子アレイの光出力を結像させる光学素子と、を有し、前記発光素子アレイチップは、基板と、当該基板の表面に形成されマイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され底部に遮光膜が形成された凹部とを有するマイクロレンズ成形型を光硬化性樹脂に押圧し、光を照射して当該マイクロレンズ成形型に遮光膜が形成されていない部分に収容された当該光硬化性樹脂は硬化させ、当該マイクロレンズ成形型の遮光膜が形成されている部分に収容された当該光硬化性樹脂は未硬化として除去することで、発光素子にマイクロレンズを有する発光素子を備えることを特徴とする発光素子ヘッドである。
The invention according to
請求項11に係る発明は、トナー像を形成させるトナー像形成手段と、前記トナー像を記録媒体に転写する転写手段と、前記トナー像を記録媒体に定着する定着手段と、を有し、前記トナー像形成手段は、基板と、当該基板の表面に形成されマイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され底部に遮光膜が形成された凹部とを有するマイクロレンズ成形型を光硬化性樹脂に押圧し、光を照射して当該マイクロレンズ成形型に遮光膜が形成されていない部分に収容された当該光硬化性樹脂は硬化させ、当該マイクロレンズ成形型の遮光膜が形成されている部分に収容された当該光硬化性樹脂は未硬化として除去することで、発光素子にマイクロレンズを形成した発光素子ヘッドを備えることを特徴とする画像形成装置である。 The invention according to claim 11 includes a toner image forming unit that forms a toner image, a transfer unit that transfers the toner image to a recording medium, and a fixing unit that fixes the toner image to the recording medium. The toner image forming means includes a substrate, a plurality of holes having a transfer shape in the shape of a microlens formed on the surface of the substrate, a recess formed in the outer peripheral region of the hole and having a light shielding film formed on the bottom. The microlens molding die having a pressure is pressed against the photocurable resin, irradiated with light to cure the photocurable resin accommodated in the portion where the light shielding film is not formed on the microlens molding die, and the microlens The photo-curable resin accommodated in the portion of the mold where the light-shielding film is formed is provided with a light-emitting element head in which a microlens is formed on the light-emitting element by removing it as uncured. An image forming apparatus.
請求項1の発明によれば、底部に遮光膜が形成された凹部を設けたマイクロレンズ成形型を使用しマイクロレンズを成形することで、樹脂のはみ出しを抑制し、マイクロレンズ成形型の離型性に優れた発光素子アレイチップの製造方法が実現できる。
請求項2の発明によれば、凹部をマイクロレンズ成形型の一の端部から他の端部へ貫通する溝形状とすることで、マイクロレンズ成形型の離型性が向上するため、より生産性の高い発光素子アレイチップの製造方法が実現できる。
請求項3の発明によれば、凹部を複数の異なる方向に設けることで、更にマイクロレンズ成形型の離型性に優れた発光素子アレイチップの製造方法が実現できる。
請求項4の発明によれば、凹部に洗浄液を供給し凹部を洗浄することで、より簡単に光硬化性樹脂の除去ができるため、より生産性が高い発光素子アレイチップの製造方法が実現できる。
請求項5の発明によれば、ボンディングパッドに対応する位置に凹部を設けることで、ボンディングパッドの位置には、光硬化性樹脂が残存しない発光素子アレイチップの製造方法が実現できる。
請求項6の発明によれば、発光素子が形成されたウエハの端部に対応する位置に凹部を設けることで、この部分が離型開始点となるため、マイクロレンズ成形型の離型性がより優れた発光素子アレイチップの製造方法が実現できる。
請求項7の発明によれば、発光素子アレイチップを自己走査型発光素子アレイチップとすることで、より小さい発光素子アレイチップを製造することができる。
請求項8の発明によれば、底部に遮光膜が形成された凹部を設けることで、マイクロレンズを成形する際に樹脂のはみ出しを抑制することができ、また離型性に優れたマイクロレンズ成形型を実現できる。
請求項9の発明によれば、凹部を基板の一の端部から他の端部へ貫通する溝形状とすることで、より離型性に優れたマイクロレンズ成形型を実現できる。
請求項10の発明によれば、より精度の高いマイクロレンズを形成することができるため、より光出力の強度が大きい発光素子ヘッドが実現できる。
請求項11の発明によれば、本構成を採用しない場合に比較して、より光出力の強度が大きい発光素子ヘッドを備えるため、より高い画質を有する画像形成装置が実現できる。
According to the first aspect of the present invention, the microlens is molded by using the microlens molding die provided with the concave portion in which the light shielding film is formed at the bottom, thereby suppressing the protrusion of the resin, and releasing the microlens molding die. A method of manufacturing a light emitting element array chip excellent in performance can be realized.
According to the invention of
According to invention of
According to the invention of claim 4, since the photocurable resin can be removed more easily by supplying the cleaning liquid to the recesses and cleaning the recesses, a method for manufacturing a light-emitting element array chip with higher productivity can be realized. .
According to the invention of claim 5, by providing the concave portion at a position corresponding to the bonding pad, it is possible to realize a method of manufacturing a light emitting element array chip in which no photocurable resin remains at the position of the bonding pad.
According to the sixth aspect of the present invention, since the concave portion is provided at a position corresponding to the end portion of the wafer on which the light emitting element is formed, this portion becomes the mold release start point. A more excellent light emitting element array chip manufacturing method can be realized.
According to the invention of claim 7, a smaller light emitting element array chip can be manufactured by using the light emitting element array chip as a self-scanning light emitting element array chip.
According to the invention of claim 8, by providing the recess having the light shielding film formed at the bottom, it is possible to suppress the protrusion of the resin when the microlens is molded, and the microlens molding excellent in releasability. A mold can be realized.
According to the ninth aspect of the present invention, a microlens mold that is more excellent in releasability can be realized by forming the recess into a groove shape penetrating from one end of the substrate to the other end.
According to the tenth aspect of the present invention, since a microlens with higher accuracy can be formed, a light emitting element head having a higher light output intensity can be realized.
According to the eleventh aspect of the present invention, since the light emitting element head having higher light output intensity is provided as compared with the case where this configuration is not adopted, an image forming apparatus having higher image quality can be realized.
以下、本発明の実施の形態について説明する。ただし、本発明は、以下の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。また、使用する図面は、本実施の形態を説明するために使用するものであり、実際の大きさを表すものではない。 Embodiments of the present invention will be described below. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and can be implemented with various modifications within the scope of the gist. Further, the drawings used are used for explaining the present embodiment, and do not represent actual sizes.
図1は本実施の形態が適用される画像形成装置の全体構成を示した図である。
図1に示す画像形成装置1は、一般にタンデム型と呼ばれる画像形成装置であって、各色の階調データに対応して画像形成を行う画像プロセス系10、画像プロセス系10を制御する画像出力制御部30、例えばパーソナルコンピュータ(PC)2や画像読取装置(IIT:Image Input Terminal)3に接続され、これらから受信された画像データに対して所定の画像処理を施す画像処理部(IPS:Image Processing System)40を備えている。
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an image forming apparatus to which the exemplary embodiment is applied.
An image forming apparatus 1 shown in FIG. 1 is an image forming apparatus generally called a tandem type, and performs image formation corresponding to gradation data of each color, and image output control for controlling the
画像プロセス系10は、水平方向に一定の間隔を置いて並列的に配置される複数のエンジンからなるトナー像形成手段の一例としての画像形成ユニット11を備えている。この画像形成ユニット11は、イエロー(Y)、マゼンタ(M)、シアン(C)、黒(K)の4つの画像形成ユニット11Y,11M,11C,11Kから構成されており、夫々、静電潜像を形成してトナー像を形成させる像保持体(感光体)である感光体ドラム12、感光体ドラム12の表面を一様に帯電する帯電器13、帯電器13によって帯電された感光体ドラム12を露光する発光装置である発光素子ヘッド14、発光素子ヘッド14によって得られた潜像を現像する現像器15を備えている。また、画像プロセス系10は、各画像形成ユニット11Y,11M,11C,11Kの感光体ドラム12にて画像形成された各色のトナー像を記録媒体の一例としての記録用紙に多重転写させるために、この記録用紙を搬送する用紙搬送ベルト21、用紙搬送ベルト21を駆動させるロールである駆動ロール22、感光体ドラム12のトナー像を記録用紙に転写させる転写手段の一例としての転写ロール23を備えている。
The
PC2やIIT3から入力された画像信号は、画像処理部40によって画像処理が施され、インタフェースを介して各画像形成ユニット11Y,11M,11C,11Kに供給される。画像プロセス系10は、画像出力制御部30から供給された同期信号等の制御信号に基づいて動作する。まず、イエローの画像形成ユニット11Yでは、帯電器13により帯電された感光体ドラム12の表面に、画像処理部40から得られた画像信号に基づき、発光素子ヘッド14によって静電潜像を形成する。形成された静電潜像に対して現像器15によってイエローのトナー像を形成し、形成されたイエローのトナー像は、図の矢印方向に回動する用紙搬送ベルト21上の記録用紙に転写ロール23を用いて転写される。同様にして、マゼンタ、シアン、黒のトナー像が各々の感光体ドラム12上に形成され、用紙搬送ベルト21上の記録用紙に転写ロール23を用いて多重転写される。多重転写された記録用紙上のトナー像は、定着手段の一例としての定着器24に搬送されて、熱および圧力によって記録用紙に定着される。
Image signals input from the
図2は、本実施の形態が適用される発光素子ヘッド14の構成を示した図である。発光素子ヘッド14は、記録素子(発光素子)として多数のLEDが配列された発光素子アレイ51、発光素子アレイ51を支持すると共に発光素子アレイ51の駆動を制御するための回路が形成されたプリント基板52、各LEDから出射された光出力を感光体ドラム12上に結像させる光学素子であるセルフォックレンズアレイ(SLA:登録商標)53を備え、プリント基板52およびセルフォックレンズアレイ53は、ハウジング54に保持されている。発光素子アレイ51は、LEDが主走査方向に画素数分、配列されたものからなる。例えば、A3サイズの短手(297mm)を主走査方向とする場合、600dpiの解像度では、約42.3μm毎に7040個のLEDが配列されることになる。なお、本実施の形態では、LEDが一直線上に並べられており、実際にはサイドレジずれ等を考慮して7680個のLEDが配列されている。
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the light emitting
図3は、発光素子アレイ51の構造を説明した概略図である。
図3に示した発光素子アレイ51は、複数の発光素子アレイチップ100が主走査方向に千鳥状に配列する。
発光素子アレイチップ100は、矩形形状であり両側に配線等を行うスペースであるボンディングパッド101を備える。このようにボンディングパッド101を配すれば、ほぼボンディングパッド101自体が必要とする幅までチップ幅を小さくできる利点がある。
また発光素子アレイチップ100において両側のボンディングパッド101に挟まれる領域には、発光素子であるLED102が主走査方向である矩形の長辺に沿って直線状に等間隔で配列する。ここで、LED102は、発光素子アレイチップ100の長辺の一方に寄せて配置される。そして奇数番目の発光素子アレイチップ100と偶数番目の発光素子アレイチップ100とは、LED102が向かい合わせになるように、また、ボンディングパッド101を重ねるようにして配置される。このような配置により全てのLED102を、主走査方向に対し等間隔に並べて配置することができる。
また各LED102上には図示しないマイクロレンズ103が取り付けられている。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the structure of the light emitting
In the light emitting
The light emitting
In the region between the
A microlens 103 (not shown) is attached on each
図4(a)〜(b)は、発光素子アレイチップ100の構造を説明した図である。
図4(a)は、発光素子アレイチップ100をLED102の光が出射する方向から見た図である。また図4(b)は、図4(a)のA−A断面図である。
上述の通り、発光素子アレイチップ100には、その両側にボンディングパッド101が配され、また両側のボンディングパッド101に挟まれる領域には、LED102が直線状に等間隔に配されている。それぞれのLED102には光が出射する側にマイクロレンズ103が形成されている。このマイクロレンズ103は、LED102から出射した光を集光し、感光体ドラム12(図2参照)に対して、効率よく光を入射させることができる。
このマイクロレンズ103は、光硬化性樹脂等の透明樹脂からなり、より効率よく光を集光するためその表面は非球面形状をとることが好ましい。また、マイクロレンズ103の大きさ、厚さ、焦点距離等は、使用されるLED102の波長、使用される光硬化性樹脂の屈折率等により適宜決定される。
4A and 4B are diagrams illustrating the structure of the light emitting
FIG. 4A is a view of the light emitting
As described above, the
The
なお、本実施の形態では、発光素子アレイチップ100として自己走査型発光素子アレイを使用するのが好ましい。自己走査型発光素子アレイは、発光素子アレイの構成要素としてpnpn構造を持つ発光サイリスタを用い、発光素子の自己走査が実現できるように構成したものであり、特開平1−238962号公報、特開平2−14584号公報、特開平2−92650号公報、特開平2−92651号公報に開示されている。また、特開平2−263668号公報には、転送素子アレイを転送部として、発光部である発光素子アレイと分離した構造の自己走査型発光素子アレイが開示されている。
In the present embodiment, it is preferable to use a self-scanning light emitting element array as the light emitting
図5は、分離タイブの自己走査型発光素子アレイの等価回路図である。この自己走査
型発光素子アレイは、転送用サイリスタT1,T2,T3,…、書込み用発光サイリスタL1,L2,L3,…からなる。転送部の構成は、ダイオード接続を用いている。VGKは電源(通常5V)であり、電源ライン72から各負荷抵抗RLを経て各転送用サイリスタのゲート電極G1,G2,G3,…に接続されている。また、転送用サイリスタのゲート電極G1,G2,G3,…は、書込み用発光サイリスタのゲート電極にも接続される。転送用サイリスタT1のゲート電極にはスタートパルスφSが加えられ、転送用サイリスタのアノード電極には、交互に転送用クロックパルスφ1,φ2が加えられる。これらクロックパルスφ1,φ2は、クロックパルスライン74,76を経て供給される。書込み用発光サイリスタのアノード電極には、信号ライン78を経て、書込み信号φIが加えられている。
FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of a self-scanning light emitting element array of a separate type. This self-scanning light emitting element array includes transfer thyristors T 1 , T 2 , T 3 ,... And write light emitting thyristors L 1 , L 2 , L 3 ,. The configuration of the transfer unit uses a diode connection. V GK is a power supply (usually 5 V), and is connected to the gate electrodes G 1 , G 2 , G 3 ,... Of each transfer thyristor through the load resistance RL from the
次に動作を簡単に説明する。まず転送用クロックパルスφ1の電圧がハイレベルで転送用サイリスタT2がオン状態であるとする。このとき、ゲート電極G2の電位はVGKの5Vからほぼ0Vにまで低下する。この電位降下の影響はダイオードD2によってゲート電極G3に伝えられ、その電位を約1Vに(ダイオードD2の順方向立上り電圧(拡散電位に等しい))に設定する。しかし、ダイオードD1は逆バイアス状態であるためゲート電極G1への電位の接続は行われず、ゲート電極G1の電位は5Vのままとなる。発光サイリスタのオン電位は、ゲート電極電位+pn接合の拡散電位(約1V)で近似されるから、次の転送用クロックパルスφ2のHレベル電圧は約2V(転送用サイリスタT3をオンさせるために必要な電圧)以上でありかつ約4V(転送用サイリスタT4をオンさせるために必要な電圧)以下に設定しておけば転送用サイリスタT3のみがオンし、これ以外の転送用サイリスタはオフのままにすることができる。従って2本の転送用クロックパルスでオン状態が転送されることになる。 Next, the operation will be briefly described. First voltage of the transfer clock pulses φ1 to the transfer thyristor T 2 at the high level is on. At this time, the potential of the gate electrode G 2 is lowered to approximately 0V from 5V to V GK. The effect of this potential drop is transmitted by the diode D 2 to the gate electrode G 3, it is set to the potential of about 1V (forward threshold voltage of the diode D 2 (equal to the diffusion potential)). However, the connection of the potential of the gate electrode G 1 for the diode D 1 is reverse biased state is not performed, the potential of the gate electrode G 1 remains at 5V. ON potential of the light-emitting thyristor, since is approximated by a diffusion potential of the gate electrode potential + pn junction (approximately 1V), to the H-level voltage of the next transfer clock pulse φ2 for turning on the approximately 2V (the transfer thyristor T 3 required voltage) or more and and about 4V (only the transfer thyristor T 3 by setting the voltage) or less necessary to turn on the transfer thyristor T 4 is turned on, other than the transfer thyristor off Can be left. Therefore, the ON state is transferred by two transfer clock pulses.
スタートパルスφSは、このような転送動作を開始させるためのパルスであり、スタートパルスφSをLレベル(約0V)にすると同時に転送用クロックパルスφ2をHレベル(約2〜約4V)とし、転送用サイリスタT1をオンさせる。その後すぐ、スタートパルスφSはHレベルに戻される。
The start pulse φ S is a pulse for starting such a transfer operation. At the same time, the start pulse φ S is set to L level (about 0 V), and at the same time, the transfer
いま、転送用サイリスタT2がオン状態にあるとすると、ゲート電極G2の電位は、VGK(ここでは5Vと想定する)より低下し、ほぼ0Vとなる。したがって、書込み信号φIの電圧が、pn接合の拡散電位(約1V)以上であれば、書込み用発光サイリスタL2を発光状態とすることができる。 Assuming that the transfer thyristor T 2 is in the ON state, the potential of the gate electrode G 2 is, lower than V GK (here assumed to 5V), becomes substantially 0V. Accordingly, the voltage of the write signal phi I is, if the diffusion potential of the pn junction (approximately 1V) above, it is possible to write for the light-emitting thyristors L 2 and the light-emitting state.
これに対し、ゲート電極G1は約5Vであり、ゲート電極G3は約1Vとなる。したがって、書込み用発光サイリスタL1の書込み電圧は約6V、書込み用発光サイリスタL3の書込み電圧は約2Vとなる。これから、書込み用発光サイリスタL2のみに書き込める書込み信号φIの電圧は、1〜2Vの範囲となる。書込み用発光サイリスタL2がオン、すなわち発光状態に入ると、発光強度は書込み信号φIに流す電流量で決められ、任意の強度にて画像書込みが可能となる。また、発光状態を次の発光素子に転送するためには、書込み信号φIラインの電圧を一度0Vまでおとし、発光している発光素子をいったんオフにしておく必要がある。 In contrast, the gate electrode wherein G 1 is about 5V, the gate electrode G 3 are approximately 1V. Accordingly, the write voltage of the write light-emitting thyristor L 1 of about 6V, the write voltage of the write light-emitting thyristor L 3 is about 2V. Now, the voltage of the write signal phi I can write only to the write light-emitting thyristor L 2 is a range of 1 to 2 V. When the write light-emitting thyristor L 2 is turned on, i.e., enters the emission state, the light emission intensity is decided to the amount of current flowing to the write signal phi I, it is possible to image writing at any intensity. Further, in order to transfer the light-emitting state to the next light emitting element is dropped to 0V the voltage of the write signal phi I line once, it is necessary to once turn off the light-emitting element that emits light.
次にLED102上にマイクロレンズ103を形成し、発光素子アレイチップ100を製造する方法について説明する。
図6(a)〜(f)および図7(a)〜(e)は、LED102上にマイクロレンズ103を形成し、発光素子アレイチップ100を製造する工程を説明した図である。
この工程は、大きく分けてマイクロレンズ103を形成するためのマイクロレンズ成形型200を作成する工程(図6(a)〜(f))と、そのマイクロレンズ成形型200を使用して、実際にマイクロレンズ103を形成し、発光素子アレイチップ100を作成する工程(図7(a)〜(e))とからなる。
Next, a method for forming the light emitting
FIGS. 6A to 6F and FIGS. 7A to 7E are diagrams illustrating a process of forming the light emitting
This process is roughly divided into a process of creating a microlens mold 200 (FIGS. 6A to 6F) for forming the
最初にマイクロレンズ成形型200を作成する工程について説明を行う。
まず石英ガラスからなる基板201に凹部202を形成する(図6(a))。この凹部202は、機械的な加工で作成することができる。
First, the process of creating the
First, a
次に、凹部202が形成された基板201にクロム膜203を形成する。このクロム膜203は、蒸着等の方法で成膜することができ、厚さは0.2μm〜1μm程度とするのが好ましい。この際に、クロム膜203は、基板201の表面全体および凹部202の底部にも成膜される(図6(b))。
Next, a
次に、クロム膜203に開口部204を設ける(図6(c))。この開口部204の中央部の間隔は、マイクロレンズ103(図4参照)の中央部の間隔と同一であり、例えば約42.3μmとすることができる。開口部204を設けるには、フォトリソグラフィ法により行うことができる。即ち、開口部204に対応したレジスト層を形成させ、このレジスト層をマスクとして、ドライエッチングやウェットエッチングによりクロム膜203の開口部204に相当する部分を除去する。ドライエッチングとしては、反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)や誘導結合プラズマエッチング法が利用でき、またウェットエッチングとしては、希塩酸や希硫酸への浸漬を行う方法などが利用できる。そして、残ったレジスト層をレジスト除去液等を利用することにより除去すると開口部204が形成される。
Next, an
次に、基板201のウェットエッチングを行う。エッチング液としては、フッ酸水溶液等が使用できる。このときクロム膜203は、マスクとして機能し、開口部204の部分が等方的にエッチングされる。その結果、石英ガラスの基板201に略半球形状の孔部205が形成される(図6(d))。この略半球形状の孔部205の形状は、マイクロレンズ103の転写形状である。
Next, wet etching of the
次に、クロム膜203を部分的に除去する(図6(e))。クロム膜203の除去には、上記の反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)や誘導結合プラズマエッチング法等のドライエッチング法や、希塩酸や希硫酸への浸漬を行うウェットエッチング法が利用できるが、例えば粘着テープを貼りつけ、それを剥ぎ取る方法でも除去可能である。
そして、マイクロレンズ103を形成する際にマイクロレンズ成形型200との離型性をよりよくするため、離型処理をする(図6(f))。
この離型処理は、例えば、テフロン(登録商標)等のフッ素樹脂等をコーティングすることで離型膜207を形成させるような方法により行うことができる。またマイクロレンズ103を形成する際にマイクロレンズ成形型200を所定の位置に規定するための図示しないスペーサを形成するのが好ましい。スペーサは、例えば、プラスチック等からなる10μm前後の粒径を有する球状のビーズを1層塗布することにより形成させることができる。
このような一連の工程によりマイクロレンズ成形型200が作成できる。
Next, the
Then, when the
This mold release treatment can be performed, for example, by a method in which a
The
次に上記のようにして作成したマイクロレンズ成形型200を使用し、マイクロレンズ103を作成する工程について説明を行う。
まず、ボンディングパッド101およびLED102を形成したLEDウエハ301に紫外線(UV:Ultra Violet)により硬化する光硬化性樹脂302を滴下する(図7(a))。またこの際に、スピンコート等を行うことにより光硬化性樹脂302がLEDウエハ301上で均一になるようにするのが好ましい。使用される光硬化性樹脂302としては、LED102から出射された光を透過するものであれば、特に限定されるものではないが、一般的なエポキシ系の光硬化性樹脂やアクリル系の光硬化性樹脂が使用できる。
Next, the process of creating the
First, a
次に、マイクロレンズ成形型200をLEDウエハ301に押付けることにより光硬化性樹脂302を展開させ、水平方向および厚さ方向に対し、微少位置合せを行う(図7(b))。このとき、光硬化性樹脂302は、マイクロレンズ成形型200に形成された孔部205に侵入し、マイクロレンズ103の形状となる。
また、孔部205に収容しきれない光硬化性樹脂302は、凹部202に収容される。このように凹部202に余分な光硬化性樹脂302を収容することで、光硬化性樹脂302のはみ出しを抑制することができる。そしてこの際に凹部202には、光硬化性樹脂302が全て満たされず、余分な空間が生じる程度である方が光硬化性樹脂302のはみ出しを抑制する観点から好ましい。
厚さ方向の位置合せは、マイクロレンズ成形型200をLEDウエハ301に所定の圧力で押圧を行い、LEDウエハ301と図示しないスペーサとを接触させることにより行うことができる。マイクロレンズ成形型200の厚さ方向の位置は、スペーサにより規定され、光硬化性樹脂302の厚さを全体で均一にすることができる。よって形成されるマイクロレンズ103の焦点距離も一様にそろうことになる。また、水平方向への位置合せは、図示しない所定のマーカに位置合せをする方法で行うことができる。
Next, the
The
The alignment in the thickness direction can be performed by pressing the
マイクロレンズ成形型200の位置合せの完了後、紫外線を照射し、光硬化性樹脂302を硬化させる。このときクロム膜203の部分が遮光膜として機能し、紫外線が遮光され、このクロム膜203の下側にある光硬化性樹脂302は、未硬化のままとなる(図7(c))。
なおここで光硬化性樹脂302が未硬化であるとは、後の図7(e)の工程で洗浄により除去できる程度に硬化していない程度であれば足り、硬化が全く進行していない状態であることを意味するものではない。
After the alignment of the
Here, it is sufficient that the
光硬化性樹脂302の硬化後、マイクロレンズ成形型200を離型させる(図7(d))。そして、硬化させなかった光硬化性樹脂302を洗浄により除去し、LEDウエハ301のダイシングを行うと、LED102上に硬化した光硬化性樹脂302よりなるマイクロレンズ103が形成された発光素子アレイチップ100が製造できる(図7(e))。
After the
ここで、上述した凹部202について更に詳しく説明を行う。
図8(a)〜(b)は、凹部202の第1の例について説明した図である。
図8(a)〜(b)に示した工程は、上述した図7(b)の工程に対応し、LED102を多数形成したLEDウエハ301にマイクロレンズ成形型200を押し付け、光硬化性樹脂302をマイクロレンズ103の形状にする工程についての全体図である。そして、図8(a)はマイクロレンズ成形型200をLEDウエハ301に押付ける方向から見た図であり、図8(b)は、図8(a)のB−B断面図である。
Here, the
FIGS. 8A and 8B are diagrams illustrating a first example of the
The process shown in FIGS. 8A and 8B corresponds to the process shown in FIG. 7B described above. The
この工程においてLEDウエハ301には、既にLED102が形成されている。またマイクロレンズ成形型200には、溝形状を有する複数の凹部202が図8(a)における縦方向に平行に形成されている。マイクロレンズ成形型200で凹部202が形成されている位置は、LEDウエハ301でLED102の位置に対応する位置には形成されず、ボンディングパッド101の位置に対応する位置に形成される。また凹部202は、マイクロレンズ成形型200の一の端部から他の端部へ貫通して形成されている。
In this process, the
マイクロレンズ成形型200をLEDウエハ301に押し付けると、図7(b)において説明したのと同様に光硬化性樹脂302は、マイクロレンズ成形型200に形成された孔部205に侵入してその中に収容され、それと共に孔部205に収容しきれない光硬化性樹脂302は、凹部202に収容される。そして、図7(c)において説明したようにその後紫外線を照射し、光硬化性樹脂302を硬化させるが、溝形状の凹部202には、遮光膜としてのクロム膜203をその底部に有するので、光が照射されず、光硬化性樹脂302は、未硬化となる。よってLED102の部分には、マイクロレンズ103(図7(e)参照)が形成されるが、その他の部分は、未硬化の光硬化性樹脂302を除去することができる。溝形状の凹部202の位置は、LEDウエハ301のボンディングパッド101の位置に対応する位置であるので、ボンディングパッド101の箇所には、光硬化性樹脂302は残存せず、この部分を露出させることができる。
When the
この光硬化性樹脂302の除去は、図7(e)で示したようにマイクロレンズ成形型200の離型後に行ってもよいが、離型前に行うこともできる。即ち、溝形状の凹部202に、洗浄液を供給し、この洗浄液により未硬化の光硬化性樹脂302を除去することができる。具体的には、エタノール、イソプロピルアルコール(IPA:Isopropyl alcohol)などの有機溶剤を入れた図示しない洗浄槽に浸漬させ、揺動させる。凹部202は貫通した溝形状であるため、その端部から洗浄液が侵入し、凹部202の洗浄を行うことができる。
このように離型前に洗浄を行うと、凹部202の部分に未硬化の光硬化性樹脂302が存在していた部分は空隙となり、マイクロレンズ成形型200の離型をより簡単に行うことができる。
The removal of the
When cleaning is performed before the mold release in this manner, the portion where the uncured
また、図9(a)〜(b)は、凹部202の第2の例について説明した図である。
図9(a)〜(b)に示した工程は、図8(a)〜(b)で説明した場合と同様に、上述した図7(b)に対応し、LED102を多数形成したLEDウエハ301にマイクロレンズ成形型200を押し付け、光硬化性樹脂302をマイクロレンズ103の形状にする工程についての全体図である。そして、図9(a)はマイクロレンズ成形型200をLEDウエハ301に押付ける方向から見た図であり、図9(b)は、図9(a)のC−C断面図である。
FIGS. 9A to 9B are diagrams illustrating a second example of the
The process shown in FIGS. 9A to 9B corresponds to the above-described FIG. 7B as in the case described with reference to FIGS. 8A to 8B, and an LED wafer on which a large number of
図9(a)〜(b)に示した工程では、図8(a)〜(b)に示した場合に対し、マイクロレンズ成形型200のLEDウエハ301の端部に対応する位置に凹部202を更に設けている。この凹部202は、LEDウエハ301の端部を覆うように形成されることが好ましい。このように凹部202を設けることで、この部分の光硬化性樹脂302は、未硬化となり、洗浄を行うことで除去することができる。LEDウエハ301の端部において光硬化性樹脂302を除去した状態で離型を行うと、この部分が離型開始点となり、マイクロレンズ成形型200の離型をより簡単に行うことができる。
In the steps shown in FIGS. 9A to 9B, the
そして、図10(a)〜(b)は、凹部202の第3の例について説明した図である。
図10(a)〜(b)に示した工程は、図8(a)〜(b)で説明した場合と同様に、上述した図7(b)に対応し、LED102を多数形成したLEDウエハ301にマイクロレンズ成形型200を押し付け、光硬化性樹脂302をマイクロレンズ103の形状にする工程についての全体図である。そして、図10(a)はマイクロレンズ成形型200をLEDウエハ301に押付ける方向から見た図であり、図10(b)は、図10(a)のD−D断面図である。
10A to 10B are diagrams illustrating a third example of the
The process shown in FIGS. 10A to 10B corresponds to the above-described FIG. 7B, as in the case described with reference to FIGS. 8A to 8B, and an LED wafer on which a large number of
図10(a)〜(b)に示した工程では、図9(a)〜(b)に示したマイクロレンズ成形型200に対し、図10(a)における縦方向に溝形状の凹部202を設けただけではなく、横方向にも溝形状の凹部202を設けている。
このように複数の異なる方向に凹部202を設けると、離型前に凹部202の洗浄を行い、未硬化の光硬化性樹脂302を除去することにより、更に、空隙となる部分が増えることになる。よって、光硬化性樹脂302とLEDウエハ301との接触面積をより小さくできるため、マイクロレンズ成形型200の離型性を更に向上させることができる。
10 (a) to 10 (b), a groove-shaped
When the
1…画像形成装置、11K,11C,11M,11Y…画像形成ユニット、14…発光素子ヘッド、23…転写ロール、24…定着器、51…発光素子アレイ、53…セルフォックレンズアレイ、100…発光素子アレイチップ、101…ボンディングパッド、102…LED、103…マイクロレンズ、200…マイクロレンズ成形型、201…基板、202…凹部、203…クロム膜、205…孔部、301…LEDウエハ、302…光硬化性樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Image forming apparatus, 11K, 11C, 11M, 11Y ... Image forming unit, 14 ... Light emitting element head, 23 ... Transfer roll, 24 ... Fixing device, 51 ... Light emitting element array, 53 ... Selfoc lens array, 100 ... Light emission Element array chip, 101 ... bonding pad, 102 ... LED, 103 ... microlens, 200 ... microlens mold, 201 ... substrate, 202 ... recess, 203 ... chrome film, 205 ... hole, 301 ... LED wafer, 302 ... Photo curable resin
Claims (11)
光を照射し、前記孔部に収容した光硬化性樹脂は硬化させ、前記凹部に収容した光硬化性樹脂は前記遮光膜により未硬化にする工程と、
未硬化の前記光硬化性樹脂を除去する工程と、
を含むことで発光素子にマイクロレンズを形成することを特徴とする発光素子アレイチップの製造方法。 A microlens mold having a substrate, a plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a transfer shape in the shape of a microlens, and a recess formed in the outer peripheral region of the hole and having a light shielding film formed on the bottom By pressing the photocurable resin into the hole and the recess,
Irradiating light, curing the photocurable resin accommodated in the hole, and making the photocurable resin accommodated in the recess uncured by the light shielding film;
Removing the uncured photocurable resin;
A method for manufacturing a light-emitting element array chip, comprising: forming a microlens on the light-emitting element.
前記基板の表面に形成され、マイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、
前記孔部の外周領域に形成され、底部に遮光膜が形成された凹部と、
を有することを特徴とするマイクロレンズ成形型。 A substrate,
A plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a microlens-shaped transfer shape;
A recess formed in the outer peripheral region of the hole and having a light shielding film formed on the bottom;
A microlens molding die comprising:
前記発光素子アレイの光出力を結像させる光学素子と、を有し、
前記発光素子アレイチップは、
基板と、当該基板の表面に形成されマイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され底部に遮光膜が形成された凹部とを有するマイクロレンズ成形型を光硬化性樹脂に押圧し、光を照射して当該マイクロレンズ成形型に遮光膜が形成されていない部分に収容された当該光硬化性樹脂は硬化させ、当該マイクロレンズ成形型の遮光膜が形成されている部分に収容された当該光硬化性樹脂は未硬化として除去することで、発光素子にマイクロレンズを有する発光素子を備えることを特徴とする発光素子ヘッド。 A light emitting element array in which a plurality of light emitting element array chips are arranged in the main scanning direction;
An optical element for imaging the light output of the light emitting element array,
The light emitting element array chip is:
A microlens mold having a substrate, a plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a transfer shape in the shape of a microlens, and a recess formed in the outer peripheral region of the hole and having a light shielding film formed on the bottom Is pressed against the photocurable resin, and the photocurable resin contained in the portion where the light shielding film is not formed on the microlens mold is cured by irradiating light, and the light shielding film of the microlens mold is formed. A light-emitting element head comprising: a light-emitting element having a microlens in a light-emitting element by removing the photocurable resin contained in a formed portion as uncured.
前記トナー像を記録媒体に転写する転写手段と、
前記トナー像を記録媒体に定着する定着手段と、を有し、
前記トナー像形成手段は、
基板と、当該基板の表面に形成されマイクロレンズの形状の転写形状を有する複数の孔部と、当該孔部の外周領域に形成され底部に遮光膜が形成された凹部とを有するマイクロレンズ成形型を光硬化性樹脂に押圧し、光を照射して当該マイクロレンズ成形型に遮光膜が形成されていない部分に収容された当該光硬化性樹脂は硬化させ、当該マイクロレンズ成形型の遮光膜が形成されている部分に収容された当該光硬化性樹脂は未硬化として除去することで、発光素子にマイクロレンズを形成した発光素子ヘッドを備えることを特徴とする画像形成装置。 Toner image forming means for forming a toner image;
Transfer means for transferring the toner image to a recording medium;
Fixing means for fixing the toner image to a recording medium,
The toner image forming unit includes:
A microlens mold having a substrate, a plurality of holes formed on the surface of the substrate and having a transfer shape in the shape of a microlens, and a recess formed in the outer peripheral region of the hole and having a light shielding film formed on the bottom Is pressed against the photocurable resin, irradiated with light to cure the photocurable resin contained in the portion where the light shielding film is not formed on the microlens molding die, and the light shielding film of the microlens molding die is An image forming apparatus comprising: a light emitting element head in which a microlens is formed on a light emitting element by removing the photocurable resin contained in a formed portion as uncured.
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102130225A (en) * | 2010-12-14 | 2011-07-20 | 黄金鹿 | Packaging method for improving light efficiency of integrated LED light source |
WO2011132805A1 (en) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 우리엘에스티 주식회사 | Method for coating an led |
US10115767B2 (en) | 2016-04-11 | 2018-10-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Dual light emission member, display apparatus having the same and lighting apparatus having the same |
US10446724B2 (en) | 2015-08-31 | 2019-10-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and manufacturing method thereof |
US10969686B2 (en) * | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
US10969677B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask |
US11029596B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
US20210197504A1 (en) * | 2018-05-25 | 2021-07-01 | Dexerials Corporation | Resin laminated optical body, light source unit, optical unit, light irradiation device, image display device, method for manufacturing resin laminated optical body, and method for manufacturing light source unit |
CN113921681A (en) * | 2020-07-10 | 2022-01-11 | 广州市鸿利显示电子有限公司 | Mini LED pressing die, preparation method and Mini LED assembly |
CN116544329A (en) * | 2023-07-07 | 2023-08-04 | 南昌凯迅光电股份有限公司 | LED chip with ITO film with microlens array structure and preparation method thereof |
-
2008
- 2008-02-07 JP JP2008027534A patent/JP2009188237A/en active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011132805A1 (en) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 우리엘에스티 주식회사 | Method for coating an led |
CN102130225A (en) * | 2010-12-14 | 2011-07-20 | 黄金鹿 | Packaging method for improving light efficiency of integrated LED light source |
US11616177B2 (en) | 2015-08-31 | 2023-03-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and manufacturing method thereof |
US10446724B2 (en) | 2015-08-31 | 2019-10-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and manufacturing method thereof |
US10971664B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-04-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and manufacturing method thereof |
US10969677B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask |
US10969686B2 (en) * | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
US11029596B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
US10115767B2 (en) | 2016-04-11 | 2018-10-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Dual light emission member, display apparatus having the same and lighting apparatus having the same |
US20210197504A1 (en) * | 2018-05-25 | 2021-07-01 | Dexerials Corporation | Resin laminated optical body, light source unit, optical unit, light irradiation device, image display device, method for manufacturing resin laminated optical body, and method for manufacturing light source unit |
CN113921681A (en) * | 2020-07-10 | 2022-01-11 | 广州市鸿利显示电子有限公司 | Mini LED pressing die, preparation method and Mini LED assembly |
CN116544329A (en) * | 2023-07-07 | 2023-08-04 | 南昌凯迅光电股份有限公司 | LED chip with ITO film with microlens array structure and preparation method thereof |
CN116544329B (en) * | 2023-07-07 | 2023-11-07 | 南昌凯迅光电股份有限公司 | LED chip with ITO film with microlens array structure and preparation method thereof |
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