JP5167872B2 - Light emitting element array chip, light emitting element array chip manufacturing method, light emitting element head, and image forming apparatus - Google Patents
Light emitting element array chip, light emitting element array chip manufacturing method, light emitting element head, and image forming apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP5167872B2 JP5167872B2 JP2008061047A JP2008061047A JP5167872B2 JP 5167872 B2 JP5167872 B2 JP 5167872B2 JP 2008061047 A JP2008061047 A JP 2008061047A JP 2008061047 A JP2008061047 A JP 2008061047A JP 5167872 B2 JP5167872 B2 JP 5167872B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- element array
- array chip
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
本発明は、発光素子アレイチップ等に関し、特に発光素子にマイクロレンズを形成した発光素子アレイチップ等に関する。 The present invention relates to a light emitting element array chip and the like, and more particularly to a light emitting element array chip in which a microlens is formed on a light emitting element.
電子写真方式を採用した、プリンタや複写機、ファクシミリ等の画像形成装置では、一様に帯電された感光体上に、画像情報を光記録手段によって照射することにより静電潜像を得た後、この静電潜像にトナーを付加して可視化し、記録紙上に転写して定着することによって画像形成が行なわれる。かかる光記録手段として、レーザを用いて主走査方向にレーザ光を走査させて露光する光走査方式の他、近年では、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)アレイ光源を主走査方向に多数、配列してなるLEDヘッドを用いた光記録手段が採用されている。 In image forming apparatuses such as printers, copiers, and facsimiles that employ an electrophotographic method, after obtaining an electrostatic latent image by irradiating image information onto a uniformly charged photoreceptor by optical recording means The electrostatic latent image is visualized by adding toner, and the image is formed by transferring and fixing on the recording paper. As such an optical recording means, in addition to an optical scanning method in which a laser beam is scanned in a main scanning direction using a laser for exposure, in recent years, a large number of LED (Light Emitting Diode) array light sources are arranged in the main scanning direction. An optical recording means using an LED head is employed.
このLEDアレイ光源を用いた画像形成装置は、光走査方式の画像形成装置に比べて、スキャンする空間が不要となり、駆動系が不要となることから、画像形成装置全体が小型化し、信頼性が向上するという利点がある。また、振動や熱による光学系の変形に強いという利点もある。 The image forming apparatus using the LED array light source does not require a scanning space and does not require a drive system, as compared with an optical scanning type image forming apparatus, so that the entire image forming apparatus is downsized and reliable. There is an advantage of improvement. In addition, there is an advantage that it is resistant to deformation of the optical system due to vibration and heat.
一方、LEDアレイ光源における各LED素子は、光の放射角が広いので感光体ドラムに対して、効率よく光を入射させにくい。
例えば、特許文献1では、光学素子基板にその面内方向断面形状が発光素子アレイ側が先細のテーパ形状とされた開口部を各発光素子に対応させて直線状に配列して形成した微小反射光学素子アレイが提案されている。
On the other hand, since each LED element in the LED array light source has a wide light emission angle, it is difficult for light to efficiently enter the photosensitive drum.
For example, in
また特許文献2では、各LEDアレイに対応させたマイクロレンズアレイを形成し、LEDアレイからの出射光はマイクロレンズアレイを通過することで拡がり角を小さくし、ロッドレンズアレイを使用して感光体に結像させるLEDプリンタヘッドが提案されている。 In Patent Document 2, a microlens array corresponding to each LED array is formed, and the light emitted from the LED array passes through the microlens array to reduce the divergence angle. There has been proposed an LED printer head that forms an image.
発光素子アレイチップを発光素子ヘッドに組み込む際には、実装する位置について高い精度が求められる。
本発明の目的は、発光素子アレイチップを発光素子ヘッドに組み込むときに使用する治具でハンドリングする際に、片あたりを生じにくくすることで、高い位置精度で実装することができ、そして、効率よく発光素子ヘッドの生産を行うことができる発光素子アレイチップ等を提供することにある。
When incorporating the light emitting element array chip into the light emitting element head, high accuracy is required for the mounting position.
It is an object of the present invention to make it possible to mount with high positional accuracy by making it difficult to generate contact when handling with a jig used when a light emitting element array chip is incorporated into a light emitting element head, and efficiency. The object is to provide a light emitting element array chip or the like that can often produce light emitting element heads.
請求項1に係る発明は、矩形形状を有する基板と、前記基板上に形成され、前記矩形の一方の長辺側に直線状に配列する発光素子と、前記発光素子上に形成され、透明樹脂からなるマイクロレンズと、前記基板上に形成され、前記矩形の前記発光素子が配列されていない他方の長辺側に配される凸部と、を備え、前記凸部の前記矩形の短辺と平行に切断したときの最大断面形状と前記マイクロレンズの当該矩形の短辺と平行に切断したときの最大断面形状とは、線対称の関係にあることを特徴とする発光素子アレイチップである。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate having a rectangular shape, a light emitting element formed on the substrate and arranged linearly on one long side of the rectangle, a light emitting element formed on the light emitting element, and a transparent resin And a convex portion formed on the substrate and disposed on the other long side where the rectangular light emitting elements are not arranged, and the rectangular short side of the convex portion, The light-emitting element array chip is characterized in that the maximum cross-sectional shape when cut in parallel and the maximum cross-sectional shape when cut in parallel with the short side of the rectangle of the microlens are in a line-symmetric relationship .
請求項2に係る発明は、前記凸部は、複数の領域に分割して配されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイチップである。
請求項3に係る発明は、矩形形状を有する基板と、前記基板上に形成され、前記矩形の一方の長辺側に直線状に配列する発光素子と、前記発光素子上に形成され、透明樹脂からなるマイクロレンズと、前記基板上に形成され、前記矩形の前記発光素子が配列されていない他方の長辺側に配される凸部と、を備え、前記凸部の形状と前記マイクロレンズの形状とは、略同一であることを特徴とする発光素子アレイチップである。
請求項4に係る発明は、矩形形状を有する基板と、前記基板上に形成され、前記矩形の一方の長辺側に直線状に配列する発光素子と、前記発光素子上に形成され、透明樹脂からなるマイクロレンズと、前記基板上に形成され、前記矩形の前記発光素子が配列されていない他方の長辺側に配される凸部と、を備え、前記凸部は、前記透明樹脂とは異なる材料により形成されることを特徴とする発光素子アレイチップである。
請求項5に係る発明は、矩形形状を有する基板の当該矩形の一方の長辺側に直線状に発光素子を形成する工程と、前記発光素子に透明樹脂からなるマイクロレンズを形成する工程と、前記矩形の前記発光素子が配列されていない他方の長辺側に凸部を形成する工程と、を含み、前記凸部は、前記透明樹脂とは異なる材料により形成されることを特徴とする発光素子アレイチップの製造方法である。
The invention according to claim 2 is the light emitting element array chip according to
According to a third aspect of the present invention, there is provided a substrate having a rectangular shape, a light emitting element formed on the substrate and arranged linearly on one long side of the rectangle, a transparent resin formed on the light emitting element, And a convex portion formed on the substrate and disposed on the other long side where the rectangular light emitting elements are not arranged, and the shape of the convex portion and the microlens The shape is a light emitting element array chip characterized by being substantially the same.
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate having a rectangular shape, a light emitting element formed on the substrate and arranged linearly on one long side of the rectangle, a transparent resin formed on the light emitting element, And a convex part formed on the substrate and arranged on the other long side where the rectangular light emitting elements are not arranged, the convex part being the transparent resin The light emitting element array chip is formed of different materials.
The invention according to claim 5 includes a step of linearly forming a light emitting element on one long side of the rectangular substrate, and a step of forming a microlens made of a transparent resin on the light emitting element. look including a step of forming a convex portion on the other long side of the light emitting element of the rectangular are not arranged, the convex portion may be formed from a material different from that of the said transparent resin It is a manufacturing method of a light emitting element array chip.
請求項6に係る発明は、発光素子アレイチップを主走査方向に複数配列してなる発光素子アレイと、前記発光素子アレイの光出力を結像させる光学素子と、を有し、前記発光素子アレイチップは、矩形形状を有する基板と、当該基板上に形成され当該矩形の一方の長辺側に直線状に配列する発光素子と、当該発光素子上に形成され透明樹脂からなるマイクロレンズと、当該基板上に形成され当該矩形の当該発光素子が配列されていない他方の長辺側に配される凸部と、を備え、前記凸部の前記矩形の短辺と平行に切断したときの最大断面形状と前記マイクロレンズの当該矩形の短辺と平行に切断したときの最大断面形状とは、線対称の関係にあることを特徴とする発光素子ヘッドである。 The invention according to claim 6 includes: a light emitting element array in which a plurality of light emitting element array chips are arranged in a main scanning direction; and an optical element that forms an image of a light output of the light emitting element array. The chip includes a substrate having a rectangular shape, a light emitting element formed on the substrate and linearly arranged on one long side of the rectangle, a microlens made of a transparent resin and formed on the light emitting element, A convex portion formed on the substrate and disposed on the other long side where the rectangular light emitting elements are not arranged, and a maximum cross section when cut parallel to the rectangular short side of the convex portion The light emitting element head is characterized in that the shape and the maximum cross-sectional shape when cut in parallel with the short side of the rectangle of the microlens are in a line-symmetric relationship .
請求項7に係る発明は、前記発光素子アレイチップは、自己走査型発光素子アレイチップであることを特徴とする請求項6に記載の発光素子ヘッドである。 The invention according to claim 7, wherein the light emitting element array chip is a light-emitting element head according to claim 6, characterized in that a self-scanning light-emitting device array chips.
請求項8に係る発明は、トナー像を形成させるトナー像形成手段と、前記トナー像を記録媒体に転写する転写手段と、前記トナー像を記録媒体に定着する定着手段と、を有し、前記トナー像形成手段は、矩形形状を有する基板と、当該基板上に形成され当該矩形の一方の長辺側に直線状に配列する発光素子と、当該発光素子上に形成され透明樹脂からなるマイクロレンズと、当該基板上に形成され当該矩形の当該発光素子が配列されていない他方の長辺側に配される凸部と、を形成した発光素子アレイチップを備え、前記凸部の前記矩形の短辺と平行に切断したときの最大断面形状と前記マイクロレンズの当該矩形の短辺と平行に切断したときの最大断面形状とは、線対称の関係にあることを特徴とする画像形成装置である。 The invention according to claim 8 includes a toner image forming unit that forms a toner image, a transfer unit that transfers the toner image to a recording medium, and a fixing unit that fixes the toner image to the recording medium. The toner image forming unit includes a substrate having a rectangular shape, a light emitting element formed on the substrate and linearly arranged on one long side of the rectangle, and a microlens made of a transparent resin formed on the light emitting element. A light emitting element array chip formed on the substrate and formed on the other long side where the rectangular light emitting elements are not arranged, and the rectangular short of the convex part. In the image forming apparatus, the maximum cross-sectional shape when cut in parallel with the side and the maximum cross-sectional shape when cut in parallel with the short side of the rectangle of the microlens are in a line-symmetric relationship. .
請求項1の発明によれば、発光素子ヘッドに組み込むときに使用する治具でハンドリングする際に、片あたりを生じにくくすることができ、そのため、より高い位置精度で発光素子ヘッドに実装することができる発光素子アレイチップが実現できる。
請求項2の発明によれば、位置合せのためのアライメントマークを発光素子アレイチップの中央部付近に配置したい場合でも容易に対応することができる。
請求項3の発明によれば、発光素子ヘッドに組み込むときに使用する治具でハンドリングする際に、片あたりを生じにくくすることができ、そのため、より高い位置精度で発光素子ヘッドに実装することができるとともに、凸部の形状をマイクロレンズの形状と略同一にすることで、より簡単に凸部の設計を行うことができる発光素子アレイチップが実現できる。
請求項4の発明によれば、発光素子ヘッドに組み込むときに使用する治具でハンドリングする際に、片あたりを生じにくくすることができ、そのため、より高い位置精度で発光素子ヘッドに実装することができるとともに、凸部に使用する材料について自由度を高くすることができる発光素子アレイチップが実現できる。
請求項5の発明によれば、マイクロレンズを形成した後に凸部をアドオンで形成することができ、また、凸部の修正が容易であるとともに、凸部に使用する材料について自由度を高くすることができる発光素子アレイチップの製造方法が提供できる。
請求項6の発明によれば、本構成を採用しない場合に比較して、発光素子アレイチップを発光素子ヘッドにより高い位置精度で実装することができるため、より出射する光の光量のばらつきが小さい発光素子ヘッドが実現できる。
請求項7の発明によれば、発光素子アレイチップを自己走査型発光素子アレイチップとすることで、より小さい発光素子ヘッドが実現できる。
請求項8の発明によれば、本構成を採用しない場合に比較して、より出射する光の光量のばらつきが小さい発光素子ヘッドを備えるため、より高い画質を有する画像形成装置が実現できる。
According to the first aspect of the present invention, when handling with a jig used for incorporation into the light emitting element head, it is possible to make it difficult to produce a single contact, and therefore mounting on the light emitting element head with higher positional accuracy. The light emitting element array chip which can be realized is realizable.
According to the invention of claim 2, even when it is desired to arrange an alignment mark for alignment in the vicinity of the central portion of the light emitting element array chip, it can be easily dealt with.
According to the invention of claim 3, when handling with a jig used when incorporating into a light emitting element head, it is possible to make it difficult to produce a piece per piece, and therefore mounting to the light emitting element head with higher positional accuracy. In addition, by making the shape of the convex portion substantially the same as the shape of the microlens, it is possible to realize a light emitting element array chip capable of designing the convex portion more easily.
According to invention of Claim 4 , when handling with the jig | tool used when incorporating in a light emitting element head, it can make it hard to produce per piece, Therefore, it mounts in a light emitting element head with higher positional accuracy. In addition, a light emitting element array chip that can increase the degree of freedom of the material used for the convex portion can be realized .
According to invention of Claim 5 , after forming a micro lens, a convex part can be formed by add-on, and while correction of a convex part is easy, freedom degree is made high about the material used for a convex part. The manufacturing method of the light emitting element array chip which can be provided can be provided.
According to the invention of claim 6 , since the light emitting element array chip can be mounted with higher positional accuracy by the light emitting element head than in the case where this configuration is not adopted, the variation in the amount of emitted light is smaller. A light emitting element head can be realized.
According to the invention of claim 7 , a smaller light emitting element head can be realized by using the self-scanning light emitting element array chip as the light emitting element array chip.
According to the eighth aspect of the present invention, since the light emitting element head having a smaller variation in the amount of emitted light is provided as compared with the case where this configuration is not adopted, an image forming apparatus having higher image quality can be realized.
以下、本発明の実施の形態について説明する。ただし、本発明は、以下の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。また、使用する図面は、本実施の形態を説明するために使用するものであり、実際の大きさを表すものではない。 Embodiments of the present invention will be described below. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and can be implemented with various modifications within the scope of the gist. Also, the drawings used are used to describe the present embodiment and do not represent the actual size.
図1は本実施の形態が適用される画像形成装置の全体構成を示した図である。
図1に示す画像形成装置1は、一般にタンデム型と呼ばれる画像形成装置であって、各色の階調データに対応して画像形成を行う画像プロセス系10、画像プロセス系10を制御する画像出力制御部30、例えばパーソナルコンピュータ(PC)2や画像読取装置(IIT:Image Input Terminal)3に接続され、これらから受信された画像データに対して所定の画像処理を施す画像処理部(IPS:Image Processing System)40を備えている。
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an image forming apparatus to which the exemplary embodiment is applied.
An
画像プロセス系10は、水平方向に一定の間隔を置いて並列的に配置される複数のエンジンからなるトナー像形成手段の一例としての画像形成ユニット11を備えている。この画像形成ユニット11は、イエロー(Y)、マゼンタ(M)、シアン(C)、黒(K)の4つの画像形成ユニット11Y,11M,11C,11Kから構成されており、夫々、静電潜像を形成してトナー像を形成させる像保持体(感光体)である感光体ドラム12、感光体ドラム12の表面を一様に帯電する帯電器13、帯電器13によって帯電された感光体ドラム12を露光する発光装置である発光素子ヘッド14、発光素子ヘッド14によって得られた潜像を現像する現像器15を備えている。また、画像プロセス系10は、各画像形成ユニット11Y,11M,11C,11Kの感光体ドラム12にて画像形成された各色のトナー像を記録媒体の一例としての記録用紙に多重転写させるために、この記録用紙を搬送する用紙搬送ベルト21、用紙搬送ベルト21を駆動させるロールである駆動ロール22、感光体ドラム12のトナー像を記録用紙に転写させる転写手段の一例としての転写ロール23を備えている。
The
PC2やIIT3から入力された画像信号は、画像処理部40によって画像処理が施され、インタフェースを介して各画像形成ユニット11Y,11M,11C,11Kに供給される。画像プロセス系10は、画像出力制御部30から供給された同期信号等の制御信号に基づいて動作する。まず、イエローの画像形成ユニット11Yでは、帯電器13により帯電された感光体ドラム12の表面に、画像処理部40から得られた画像信号に基づき、発光素子ヘッド14によって静電潜像を形成する。形成された静電潜像に対して現像器15によってイエローのトナー像を形成し、形成されたイエローのトナー像は、図の矢印方向に回動する用紙搬送ベルト21上の記録用紙に転写ロール23を用いて転写される。同様にして、マゼンタ、シアン、黒のトナー像が各々の感光体ドラム12上に形成され、用紙搬送ベルト21上の記録用紙に転写ロール23を用いて多重転写される。多重転写された記録用紙上のトナー像は、定着手段の一例としての定着器24に搬送されて、熱および圧力によって記録用紙に定着される。
Image signals input from the PC 2 or IIT 3 are subjected to image processing by the
図2は、本実施の形態が適用される発光素子ヘッド14の構成を示した図である。発光素子ヘッド14は、記録素子(発光素子)として多数のLEDが配列された発光素子アレイ51、発光素子アレイ51を支持すると共に発光素子アレイ51の駆動を制御するための回路が形成されたプリント基板52、各LEDから出射された光出力を感光体ドラム12上に結像させる光学素子であるセルフォックレンズアレイ(SLA:登録商標)53を備え、プリント基板52およびセルフォックレンズアレイ53は、ハウジング54に保持されている。発光素子アレイ51は、LEDが主走査方向に画素数分、配列されたものからなる。例えば、A3サイズの短手(297mm)を主走査方向とする場合、600dpiの解像度では、約42.3μm毎に7040個のLEDが配列されることになる。なお、本実施の形態では、LEDが一直線上に並べられており、実際にはサイドレジずれ等を考慮して7680個のLEDが配列されている。
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the light
図3は、発光素子アレイ51の構造を説明した概略図である。
図3に示した発光素子アレイ51は、複数の発光素子アレイチップ100が主走査方向に千鳥状に配列する。
発光素子アレイチップ100は、基板105上に矩形形状であり両側に配線等を行うスペースであるボンディングパッド101を備える。このようにボンディングパッド101を配すれば、ほぼボンディングパッド101自体が必要とする幅までチップ幅を小さくできる利点がある。
また発光素子アレイチップ100において両側のボンディングパッド101に挟まれる領域には、発光素子であるLED102が主走査方向である矩形の長辺に沿って直線状に等間隔で配列する。ここで、LED102は、発光素子アレイチップ100の長辺の一方に寄せて配置される。そして奇数番目の発光素子アレイチップ100と偶数番目の発光素子アレイチップ100とは、LED102が向かい合わせになるように、また、ボンディングパッド101を重ねるようにして配置される。このような配置により全てのLED102を、主走査方向に対し等間隔に並べて配置することができる。
また各LED102上には図示しないマイクロレンズ103が取り付けられている。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating the structure of the light emitting
In the light emitting
The light emitting
In the region between the
A microlens 103 (not shown) is attached on each
図4(a)〜(b)は、本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100の第1の例を説明した図である。ここで、図4(a)は、発光素子アレイチップ100をLED102の光が出射する方向から見た図である。また図4(b)は、図4(a)のA−A断面図である。
FIGS. 4A to 4B are diagrams illustrating a first example of the light emitting
上述の通り、発光素子アレイチップ100には、基板105の両側にボンディングパッド101が配され、また両側のボンディングパッド101に挟まれる領域には、LED102が矩形状の発光素子アレイチップ100の一方の長辺側に直線状に、かつ等間隔に配されている。それぞれのLED102には光が出射する側にマイクロレンズ103が形成されている。また、矩形状の発光素子アレイチップ100のLED102が配列されていない他方の長辺側には、凸部104が形成されている。
As described above, in the light emitting
マイクロレンズ103は、LED102から出射した光を集光し、感光体ドラム12(図2参照)に対して、効率よく光を入射させることができる。
このマイクロレンズ103は、光硬化性樹脂等の透明樹脂からなり、より効率よく光を集光するためその表面は非球面形状をとることが好ましい。また、マイクロレンズ103の大きさ、厚さ、焦点距離等は、使用されるLED102の波長、使用される光硬化性樹脂の屈折率等により適宜決定される。
The
The
凸部104は、図4(a)〜(b)に示した例では、マイクロレンズ103と略同一の形状を有するダミーレンズとしている。このダミーレンズは、マイクロレンズ103と線対称の関係にあり、基板105からの高さは同じとなる。
この凸部104を形成すると、発光素子ヘッド14(図2参照)に発光素子アレイチップ100を組み込むときに高い位置精度で実装することができ、実装ずれが生じにくくなる。
In the example shown in FIGS. 4A and 4B, the
When this
図5(a)〜(b)は、発光素子アレイチップに凸部104を形成した場合と、形成しなかった場合とで、発光素子アレイチップを実装のためハンドリングするときの差異を説明した図である。
ここで、図5(a)では、発光素子アレイチップに凸部104を形成しなかった場合に、コレットと呼ばれる実装用の治具を利用して、発光素子アレイチップをハンドリングするときの状態を図示している。このコレット110は、図示しない吸引口を有し、この吸引口を通して真空引きをして、コレット110に形成されている凹部111を減圧状態にすることができる。そして凹部111を減圧状態にすることで発光素子アレイチップを吸引してハンドリングし、運ぶことができる。
FIGS. 5A and 5B are diagrams illustrating a difference between the case where the
Here, in FIG. 5A, when the
ここで、発光素子アレイチップに凸部104がないと、発光素子アレイチップの吸引を行う際にマイクロレンズ103があるため、図5(a)に示したように発光素子アレイチップとコレット110とがいわゆる片あたりを起こし、所定の基準面に対し、水平に保持できないときがある。この場合、発光素子アレイチップを発光素子ヘッド14(図2参照)に組み込む際に、所定の基準面に対し、傾いた状態で実装されやすくその位置精度が悪くなる。そして、そのまま発光素子ヘッド14を製造した場合には、発光素子ヘッド14から出射する光の光量のばらつきが大きくなるという問題が生じる。
Here, if the light emitting element array chip does not have the
一方、図5(b)は、凸部104を形成した発光素子アレイチップ100を、コレット110を使用して実装のためハンドリングを行う場合を図示している。発光素子アレイチップ100に凸部104があるために、図5(a)で説明したような発光素子アレイチップ100とコレット110との片あたりが生じず、発光素子アレイチップ100を、所定の基準面に対し、水平に保持したまま運びやすくなる。この状態で、発光素子アレイチップ100を発光素子ヘッド14に組み込むと発光素子アレイチップ100を高い位置精度で実装しやすくなる。
On the other hand, FIG. 5B illustrates a case where the light emitting
上述の図4(a)〜(b)に示した例では、凸部104は、マイクロレンズ103と略同一の形状を有するダミーレンズであったが、凸部104の形状は、これに限られるものではない。
In the example shown in FIGS. 4A to 4B described above, the
図6(a)〜(b)は、本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100の第2の例を説明した図である。ここで、図6(a)は、発光素子アレイチップ100をLED102の光が出射する方向から見た図である。また図6(b)は、図6(a)のB−B断面図である。
FIGS. 6A to 6B are diagrams illustrating a second example of the light emitting
図6(a)〜(b)に示した例では、凸部104として図4(a)〜(b)に示したダミーレンズの替りにレンチキュラーレンズ形状のものを採用している。この凸部104は、図6(b)に示すように凸部104を矩形状の発光素子アレイチップ100の短辺と平行に切断したときに、マイクロレンズ103の最大断面形状と凸部104の最大断面形状とが線対称の関係となっている。この形状を採ることにより、上述のダミーレンズを凸部104として形成した場合と同様に、コレット110(図5参照)で発光素子アレイチップ100をハンドリングする際に、片あたりが生じにくい。よって発光素子アレイチップ100を、所定の基準面に対し、水平に保持したまま運びやすくなり、発光素子アレイチップ100を高い位置精度で実装することができる。
In the example shown in FIGS. 6A to 6B, a lenticular lens shape is adopted as the
また、図7(a)〜(b)は、本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100の第3の例を説明した図である。ここで、図7(a)は、発光素子アレイチップ100をLED102の光が出射する方向から見た図である。また図7(b)は、図7(a)のC−C断面図である。
FIGS. 7A to 7B are diagrams illustrating a third example of the light emitting
図7(a)〜(b)に示した例では、凸部104として、図4(a)〜(b)に示した場合と同様にダミーレンズを使用するが、その個数を2個としている。コレット110(図5参照)で発光素子アレイチップ100をハンドリングする際に、片あたりを生じにくくするという目的を達成するために、最低2個あれば足りるためである。この形態を採ることでダミーレンズにより形成され、複数の領域に形成された凸部104は、その間に隙間を取ることができる。そのため例えば、位置合せのためのアライメントマークを発光素子アレイチップ100の中央部付近に配置したい場合でも容易に対応できる。
In the example shown in FIGS. 7A to 7B, dummy lenses are used as the
また更に、図8(a)〜(d)は、本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100の第4〜第6の例を説明した図である。ここで、図8(a)〜(c)は、発光素子アレイチップ100をLED102の光が出射する方向から見た図である。また、図8(d)は、図8(a)〜(c)に示した発光素子アレイチップ100のD−D断面図である。
Further, FIGS. 8A to 8D are diagrams illustrating fourth to sixth examples of the light emitting
図8(a)〜(d)に示した例では、マイクロレンズ103として略半球形状のものではなく、コの字形状のマイクロレンズを使用している。マイクロレンズ103をこのような形状にすることで、より効率よくLED102から出射した光を集光することができる。そして、この形状のマイクロレンズ103を採用した場合でもコレット110(図5参照)によりハンドリングする際に略半球形状のマイクロレンズ103を採用したのと同様の片あたりの問題が生じる。よって、マイクロレンズ103を形成する一方の長辺側とは異なる他方の長辺側に凸部104を設けることにより、片あたりが生じにくくなる。
In the example shown in FIGS. 8A to 8D, a U-shaped microlens is used as the
このうち、図8(a)に示した本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100の第4の例では、凸部104としてコの字形状のマイクロレンズ103と略同一の形状を有するダミーレンズを配置している。また、図8(b)に示した本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100の第5の例では、凸部104としてレンチキュラーレンズ形状のものを形成している。この凸部104の最大断面形状は、コの字形状のマイクロレンズ103の最大断面形状と線対称の関係となっている。そして、図8(c)に示した本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100の第6の例では、図8(a)に示した場合と同様に凸部104としてダミーレンズを使用するが、その個数を2個としている。
Among these, in the fourth example of the light emitting
凸部104を形成する材料としては、マイクロレンズ103と同様の材料である透明樹脂でもよいし、異なる材料であってもよい。
そして、マイクロレンズ103と同様の透明樹脂により凸部104を形成する場合は、凸部104をマイクロレンズ103と一体に成形することもできる。
As a material for forming the
And when forming the
図9(a)〜(d)は、凸部104をマイクロレンズ103と一体に成形する場合の好ましい形態を説明した図であり、本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100の第7〜第9の例を示した。ここで、図9(a)〜(c)は、発光素子アレイチップ100をLED102の光が出射する方向から見た図である。また、図9(d)は、図9(a)〜(c)に示した発光素子アレイチップ100のE−E断面図である。
FIGS. 9A to 9D are views for explaining a preferable form when the
図9(a)に示した本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100の第7の例では、図4(a)〜(b)に示した例と同様にマイクロレンズ103と略同一の形状を有するダミーレンズを形成し、凸部104としている。また、図9(b)に示した本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100の第8の例では、図6(a)〜(b)に示した例と同様にレンチキュラーレンズ形状のものを形成し、凸部104としている。また更に、図9(c)に示した本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100の第9の例では、図7(a)〜(b)に示した例と同様にダミーレンズを2個形成し、凸部104としている。
In the seventh example of the light-emitting
一方、図9(a)〜(d)に示した発光素子アレイチップ100は、図4(a)〜(b)、図6(a)〜(b)、図7(a)〜(b)に示した例とは異なり、マイクロレンズ103の成形を行う際にマイクロレンズ103と凸部104との間を透明樹脂で埋め、一体化させる構造を採っている。マイクロレンズ103と凸部104とを一体成形することにより、工程条件が容易になると共に、透明樹脂による保護膜としての効果が期待できる。
On the other hand, the light-emitting
また、図10(a)〜(b)は、凸部104をマイクロレンズ103とは異なる材料で、形成する形態を説明した図であり、本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100の第10の例を示した。ここで、図10(a)は、発光素子アレイチップ100をLED102の光が出射する方向から見た図である。また図10(b)は、図10(a)のF−F断面図である。
FIGS. 10A to 10B are diagrams illustrating a form in which the
図10(a)〜(b)に示した本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100は、図4(a)〜(b)に示した例と同様にマイクロレンズ103と略同一の形状を有するダミーレンズを形成し、凸部104としている。一方、図4(a)〜(b)で説明した例とは異なり、凸部104をマイクロレンズ103を形成する透明樹脂とは異なる樹脂により形成している。この場合は、凸部104をマイクロレンズ103の成形後にアドオンで形成することができる。このため凸部104の修正が容易であり、材料の制限も特にないため、コストの安い材料等を使用するなど材料の選択の自由度が高くなる。なお本実施の形態では好ましい形態として樹脂を使用しているが、樹脂を使用する場合は、透明樹脂である必要はない。また紫外線硬化性樹脂、自然硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の種々の樹脂が使用可能である。例えば、ポリカーボネート樹脂を使用することができる。
The light emitting
また、図11(a)〜(c)も、凸部104をマイクロレンズ103とは異なる材料で、形成する形態を説明した図であり、本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100の第11〜12の例を示した。ここで、図11(a)〜(b)は、発光素子アレイチップ100をLED102の光が出射する方向から見た図である。また図11(c)は、図11(a)〜(b)のG−G断面図である。
FIGS. 11A to 11C also illustrate the form in which the
図11(a)に示した本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100の第11の例では、レンチキュラーレンズ形状のものを形成し、凸部104としている。この際に凸部104およびマイクロレンズ103がコレット110(図5参照)と接触する部分の基板105からの高さを一致するようにしている。このようにすることで発光素子アレイチップ100を、所定の基準面に対し、水平に保持したまま運びやすくなり、発光素子アレイチップ100を位置精度よく実装することができる。
また更に、図11(b)に示した本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100の第12の例では、凸部104を2つの領域に分割して配置している。この場合においても、凸部104およびマイクロレンズ103がコレット110(図5参照)と接触する部分の基板105からの高さは一致するようにする。
In the eleventh example of the light emitting
Furthermore, in the twelfth example of the light emitting
また更に、図12(a)〜(b)は、本実施の形態が適用される発光素子アレイチップ100の第13の例である。ここで、図12(a)は、発光素子アレイチップ100をLED102の光が出射する方向から見た図である。また図12(b)は、図12(a)のH−H断面図である。
12A to 12B show a thirteenth example of the light emitting
図12(a)〜(b)に示した発光素子アレイチップ100は、凸部104をマイクロレンズ103を形成する透明樹脂とは異なる樹脂により形成するのは、上述の図10(a)〜(b)、図11(a)〜(c)に挙げた例と同様である。しかし、凸部104の下部を透明樹脂により形成し、その上にマイクロレンズ103を形成する透明樹脂とは異なる樹脂を積層し、凸部104としている。このような構成を採ることにより、上述の図10(a)〜(b)で説明した利点の他に、図9(a)〜(c)で説明した透明樹脂による保護膜としての効果が期待できる。
なお、図12(a)〜(b)では、ダミーレンズを2個形成し、凸部104としているが、上述したように3個以上にしてもよく、レンチキュラーレンズ形状のものを使用してもよい。
In the light emitting
In FIGS. 12A to 12B, two dummy lenses are formed to form the
次にLED102にマイクロレンズ103および凸部104を形成し、発光素子アレイチップ100を製造する方法について説明する。
図13(a)〜(e)および図14(a)〜(e)は、LED102にマイクロレンズ103を形成し、発光素子アレイチップ100を製造する工程を説明した図である。
この工程は、大きく分けてマイクロレンズ103を形成するためのマイクロレンズ成形型200を作成する工程(図13(a)〜(e))と、そのマイクロレンズ成形型200を使用して、実際にLED102にマイクロレンズ103を形成し、発光素子アレイチップ100を作成する工程(図14(a)〜(e))とからなる。そして、本実施の形態では、図10〜図12で説明を行った、凸部104をマイクロレンズ103の成形後に形成する場合を例として説明を行う。
Next, a method for manufacturing the light emitting
FIGS. 13A to 13E and FIGS. 14A to 14E are diagrams illustrating a process of manufacturing the light emitting
This process is roughly divided into a process of creating a
最初にマイクロレンズ成形型200を作成する工程について説明を行う。
まず石英ガラスからなる基板201にクロム膜202を形成する。このクロム膜202は、蒸着等の方法で成膜することができ、厚さは0.2μm〜1μm程度とするのが好ましい(図13(a))。
First, the process of creating the
First, a
次に、クロム膜202に開口部203を設ける(図13(b))。この開口部203の中央部の間隔は、マイクロレンズ103(図4参照)の中央部の間隔と同一であり、例えば約42.3μmとすることができる。開口部203を設けるには、フォトリソグラフィ法により行うことができる。即ち、開口部203に対応したレジスト層を形成させ、このレジスト層をマスクとして、ドライエッチングやウェットエッチングによりクロム膜202の開口部203に相当する部分を除去する。ドライエッチングとしては、反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)や誘導結合プラズマエッチング法が利用でき、またウェットエッチングとしては、希塩酸や希硫酸への浸漬を行う方法などが利用できる。そして、残ったレジスト層をレジスト除去液等を利用することにより除去すると開口部203が形成される。
Next, an
次に、基板201のウェットエッチングを行う。エッチング液としては、フッ酸水溶液等が使用できる。このときクロム膜202は、マスクとして機能し、開口部203の部分が等方的にエッチングされる。その結果、石英ガラスの基板201に略半球形状の孔部204が形成される(図13(c))。この略半球形状の孔部204の形状は、マイクロレンズ103の転写形状である。
Next, wet etching of the
次に、クロム膜202を部分的に除去する(図13(d))。クロム膜202の除去には、上記の反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)や誘導結合プラズマエッチング法等のドライエッチング法や、希塩酸や希硫酸への浸漬を行うウェットエッチング法が利用できるが、例えば粘着テープを貼りつけ、それを剥ぎ取る方法でも除去可能である。
そして、マイクロレンズ103を形成する際にマイクロレンズ成形型200との離型性をよりよくするため、離型処理をし、マイクロレンズ103を形成する際にマイクロレンズ成形型200を所定の位置に規定するためのスペーサ205を形成する(図13(e))。
この離型処理は、例えば、テフロン(登録商標)等のフッ素樹脂等をコーティングすることで離型膜206を形成させるような方法により行うことができる。また、スペーサ205は、例えば、プラスチック等からなる10μm前後の粒径を有する球状のビーズを1層塗布することにより形成させることができる。
以上のような一連の工程によりマイクロレンズ成形型200が作成できる。
Next, the
Then, in order to improve the releasability from the
This mold release treatment can be performed, for example, by a method in which a
The
次に上記のようにして作成したマイクロレンズ成形型200を使用し、LED102にマイクロレンズ103を作成する工程について説明を行う。
まず、LED102が形成され、マイクロレンズ103を形成する前の発光素子アレイチップである発光素子アレイチップ301に紫外線(UV:Ultra Violet)により硬化する光硬化性樹脂302を滴下する(図14(a))。またこの際に、スピンコート等を行うことにより光硬化性樹脂302が発光素子アレイチップ301上で均一になるようにしてもよい。使用される光硬化性樹脂としては、LED102から出射された光を透過するものであれば、特に限定されるものではないが、一般的なエポキシ系の光硬化性樹脂やアクリル系の光硬化性樹脂が使用できる。
Next, a process of creating the
First, a photo-curing
次に、マイクロレンズ成形型200を発光素子アレイチップ301に押付けることにより光硬化性樹脂302を展開させ、水平方向および高さ方向に対し、微少位置合せを行う(図14(b))。このとき、光硬化性樹脂302は、マイクロレンズ成形型200に形成された孔部204に侵入し、マイクロレンズ103の形状となる。
高さ方向の位置合せは、マイクロレンズ成形型200を発光素子アレイチップ301に所定の圧力で押圧を行い、発光素子アレイチップ301とスペーサ205とを接触させることにより行う。マイクロレンズ成形型200の高さ方向の位置は、スペーサ205により規定され、光硬化性樹脂302の厚さを全体で均一にすることができる。また、水平方向への位置合せは、図示しない所定のマーカに位置合せをする方法で行うことができる。
Next, the
The alignment in the height direction is performed by pressing the microlens molding die 200 against the light emitting
マイクロレンズ成形型200の位置合せの完了後、紫外線を照射し、光硬化性樹脂302を硬化させる。このときクロム膜202が遮光膜としての機能を果たし、必要な部分のみを選択的に硬化させる(図14(c))。
光硬化性樹脂302の硬化後、マイクロレンズ成形型200を離型させる(図14(d))。そして、硬化させなかった光硬化性樹脂302を洗浄により除去すると、LED102上に硬化した光硬化性樹脂302よりなるマイクロレンズ103が形成される(図14(e))。
After the alignment of the
After the
そして次に、凸部104の形成を行うと本実施の形態の発光素子アレイチップ100が製造できる。この場合、凸部104の形成は、凸部104を形成する樹脂を塗布し、凸部104を形成するための成形型を押しつけることにより成形をする等の方法により行うことができる。
Then, when the
なお、凸部104をマイクロレンズ103と一体に成形する場合は、上述の図13(a)〜(e)工程において、凸部104に対応する位置及び大きさの孔部をマイクロレンズ成形型200に形成する。そして、このマイクロレンズ成形型200を使用して上述の図14(a)〜(e)の工程で説明した作業を行うと、硬化した光硬化性樹脂302によりマイクロレンズ103が形成されると共に凸部104を形成することができる。
In the case where the
本実施の形態では、発光素子アレイチップ100として自己走査型発光素子アレイを使用するのが好ましい。自己走査型発光素子アレイは、発光素子アレイの構成要素としてpnpn構造を持つ発光サイリスタを用い、発光素子の自己走査が実現できるように構成したものであり、特開平1−238962号公報、特開平2−14584号公報、特開平2−92650号公報、特開平2−92651号公報に開示されている。また、特開平2−263668号公報には、転送素子アレイを転送部として、発光部である発光素子アレイと分離した構造の自己走査型発光素子アレイが開示されている。
In the present embodiment, it is preferable to use a self-scanning light emitting element array as the light emitting
図15は、分離タイプの自己走査型発光素子アレイの等価回路図である。この自己走査
型発光素子アレイは、転送用サイリスタT1,T2,T3,…、書込み用発光サイリスタL1,L2,L3,…からなる。転送部の構成は、ダイオード接続を用いている。VGKは電源(通常5V)であり、電源ライン72から各負荷抵抗RLを経て各転送用サイリスタのゲート電極G1,G2,G3,…に接続されている。また、転送用サイリスタのゲート電極G1,G2,G3,…は、書込み用発光サイリスタのゲート電極にも接続される。転送用サイリスタT1のゲート電極にはスタートパルスφSが加えられ、転送用サイリスタのアノード電極には、交互に転送用クロックパルスφ1,φ2が加えられる。これら転送用クロックパルスφ1,φ2は、クロックパルスライン74,76を経て供給される。書込み用発光サイリスタのアノード電極には、信号ライン78を経て、書込み信号φIが加えられている。
FIG. 15 is an equivalent circuit diagram of a separation type self-scanning light emitting element array. This self-scanning light emitting element array includes transfer thyristors T 1 , T 2 , T 3 ,... And write light emitting thyristors L 1 , L 2 , L 3 ,. The configuration of the transfer unit uses a diode connection. V GK is a power supply (usually 5 V), and is connected to the gate electrodes G 1 , G 2 , G 3 ,... Of each transfer thyristor through the load resistance RL from the power line 72. Further, the gate electrodes G 1 , G 2 , G 3 ,... Of the transfer thyristor are also connected to the gate electrode of the write light-emitting thyristor. The gate electrode of the transfer thyristor T 1 is the start pulse phi S is applied to the anode electrode of the transfer thyristor, transfer clock pulses φ1 alternately, .phi.2 is applied. These transfer clock pulses φ 1 and φ 2 are supplied via
次に動作を簡単に説明する。まず転送用クロックパルスφ1の電圧がハイレベルで転送用サイリスタT2がオン状態であるとする。このとき、ゲート電極G2の電位はVGKの5Vからほぼ0Vにまで低下する。この電位降下の影響はダイオードD2によってゲート電極G3に伝えられ、その電位を約1V(ダイオードD2の順方向立上り電圧(拡散電位に等しい))に設定する。しかし、ダイオードD1は逆バイアス状態であるためゲート電極G1への電位の接続は行われず、ゲート電極G1の電位は5Vのままとなる。書込み用発光サイリスタのオン電位は、ゲート電極電位+pn接合の拡散電位(約1V)で近似されるから、次の転送用クロックパルスφ2のHレベル電圧は約2V(転送用サイリスタT3をオンさせるために必要な電圧)以上でありかつ約4V(転送用サイリスタT4をオンさせるために必要な電圧)以下に設定しておけば転送用サイリスタT3のみがオンし、これ以外の転送用サイリスタはオフのままにすることができる。従って2本の転送用クロックパルスでオン状態が転送されることになる。 Next, the operation will be briefly described. First voltage of the transfer clock pulses φ1 to the transfer thyristor T 2 at the high level is on. At this time, the potential of the gate electrode G 2 is lowered to approximately 0V from 5V to V GK. The effect of this potential drop is transmitted by the diode D 2 to the gate electrode G 3, and sets the potential of about 1V (forward threshold voltage of the diode D 2 (equal to the diffusion potential)). However, the connection of the potential of the gate electrode G 1 for the diode D 1 is reverse biased state is not performed, the potential of the gate electrode G 1 remains at 5V. ON potential of the write light emitting thyristor, since is approximated by a diffusion potential of the gate electrode potential + pn junction (approximately 1V), H-level voltage of the next transfer clock pulse φ2 turns on about 2V (the transfer thyristor T 3 and a voltage) than necessary and about 4V (only the transfer thyristor T 3 by setting the voltage) or less necessary to turn on the transfer thyristor T 4 is turned on, other than the transfer thyristor for Can be left off. Therefore, the ON state is transferred by two transfer clock pulses.
スタートパルスφSは、このような転送動作を開始させるためのパルスであり、スタートパルスφSをLレベル(約0V)にすると同時に転送用クロックパルスφ2をHレベル(約2〜約4V)とし、転送用サイリスタT1をオンさせる。その後すぐ、スタートパルスφSはHレベルに戻される。 The start pulse φ S is a pulse for starting such a transfer operation. At the same time, the start pulse φ S is set to L level (about 0 V), and at the same time, the transfer clock pulse φ 2 is set to H level (about 2 to about 4 V). , to turn on the transfer thyristor T 1. Shortly thereafter, a start pulse φ S is returned to the H level.
いま、転送用サイリスタT2がオン状態にあるとすると、ゲート電極G2の電位は、VGK(ここでは5Vと想定する)より低下し、ほぼ0Vとなる。したがって、書込み信号φIの電圧が、pn接合の拡散電位(約1V)以上であれば、書込み用発光サイリスタL2を発光状態とすることができる。 Assuming that the transfer thyristor T 2 is in the ON state, the potential of the gate electrode G 2 is, lower than V GK (here assumed to 5V), becomes substantially 0V. Accordingly, the voltage of the write signal phi I is, if the diffusion potential of the pn junction (approximately 1V) above, it is possible to write for the light-emitting thyristors L 2 and the light-emitting state.
これに対し、ゲート電極G1は約5Vであり、ゲート電極G3は約1Vとなる。したがって、書込み用発光サイリスタL1の書込み電圧は約6V、書込み用発光サイリスタL3の書込み電圧は約2Vとなる。これから、書込み用発光サイリスタL2のみに書き込める書込み信号φIの電圧は、1〜2Vの範囲となる。書込み用発光サイリスタL2がオン、すなわち発光状態に入ると、発光強度は書込み信号φIに流す電流量で決められ、任意の強度にて画像書込みが可能となる。また、発光状態を次の書込み用発光サイリスタに転送するためには、書込み信号φIラインの電圧を一度0Vまでおとし、発光している書込み用発光サイリスタをいったんオフにしておく必要がある。 In contrast, the gate electrode wherein G 1 is about 5V, the gate electrode G 3 are approximately 1V. Accordingly, the write voltage of the write light-emitting thyristor L 1 of about 6V, the write voltage of the write light-emitting thyristor L 3 is about 2V. Now, the voltage of the write signal phi I can write only to the write light-emitting thyristor L 2 is a range of 1 to 2 V. When the write light-emitting thyristor L 2 is turned on, i.e., enters the emission state, the light emission intensity is decided to the amount of current flowing to the write signal phi I, it is possible to image writing at any intensity. Further, in order to transfer the light-emitting state to the next writing-emitting thyristor is dropped to 0V the voltage of the write signal phi I line once, once it is necessary to turn off the write light emitting thyristor emits light.
1…画像形成装置、11Y,11M,11C,11K…画像形成ユニット、14…発光素子ヘッド、23…転写ロール、24…定着器、51…発光素子アレイ、53…セルフォックレンズアレイ、100…発光素子アレイチップ、101…ボンディングパッド、102…LED、103…マイクロレンズ、104…凸部、105…基板
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記発光素子上に形成され、透明樹脂からなるマイクロレンズと、
前記基板上に形成され、前記矩形の前記発光素子が配列されていない他方の長辺側に配される凸部と、
を備え、
前記凸部の前記矩形の短辺と平行に切断したときの最大断面形状と前記マイクロレンズの当該矩形の短辺と平行に切断したときの最大断面形状とは、線対称の関係にあることを特徴とする発光素子アレイチップ。 A substrate having a rectangular shape, and a light emitting element formed on the substrate and arranged linearly on one long side of the rectangle;
A microlens formed on the light emitting element and made of a transparent resin;
A convex part formed on the substrate and arranged on the other long side where the rectangular light emitting elements are not arranged,
Equipped with a,
The maximum cross-sectional shape when the convex portion is cut parallel to the short side of the rectangle and the maximum cross-sectional shape when the micro lens is cut parallel to the short side of the rectangle are in a line-symmetric relationship. A featured light emitting element array chip.
前記発光素子上に形成され、透明樹脂からなるマイクロレンズと、
前記基板上に形成され、前記矩形の前記発光素子が配列されていない他方の長辺側に配される凸部と、
を備え、
前記凸部の形状と前記マイクロレンズの形状とは、略同一であることを特徴とする発光素子アレイチップ。 A substrate having a rectangular shape, and a light emitting element formed on the substrate and arranged linearly on one long side of the rectangle;
A microlens formed on the light emitting element and made of a transparent resin;
A convex part formed on the substrate and arranged on the other long side where the rectangular light emitting elements are not arranged,
With
The light emitting element array chip, wherein the shape of the convex portion and the shape of the microlens are substantially the same.
前記発光素子上に形成され、透明樹脂からなるマイクロレンズと、
前記基板上に形成され、前記矩形の前記発光素子が配列されていない他方の長辺側に配される凸部と、
を備え、
前記凸部は、前記透明樹脂とは異なる材料により形成されることを特徴とする発光素子アレイチップ。 A substrate having a rectangular shape, and a light emitting element formed on the substrate and arranged linearly on one long side of the rectangle;
A microlens formed on the light emitting element and made of a transparent resin;
A convex part formed on the substrate and arranged on the other long side where the rectangular light emitting elements are not arranged,
With
The light emitting element array chip, wherein the convex portion is formed of a material different from the transparent resin.
前記発光素子に透明樹脂からなるマイクロレンズを形成する工程と、
前記矩形の前記発光素子が配列されていない他方の長辺側に凸部を形成する工程と、
を含み、
前記凸部は、前記透明樹脂とは異なる材料により形成されることを特徴とする発光素子アレイチップの製造方法。 Forming a light emitting element linearly on one long side of the rectangle of the substrate having a rectangular shape;
Forming a microlens made of a transparent resin on the light emitting element;
Forming a convex part on the other long side where the rectangular light emitting elements are not arranged;
Only including,
The method for manufacturing a light-emitting element array chip, wherein the convex portion is formed of a material different from the transparent resin .
前記発光素子アレイの光出力を結像させる光学素子と、を有し、
前記発光素子アレイチップは、
矩形形状を有する基板と、当該基板上に形成され当該矩形の一方の長辺側に直線状に配列する発光素子と、当該発光素子上に形成され透明樹脂からなるマイクロレンズと、当該基板上に形成され当該矩形の当該発光素子が配列されていない他方の長辺側に配される凸部と、
を備え、
前記凸部の前記矩形の短辺と平行に切断したときの最大断面形状と前記マイクロレンズの当該矩形の短辺と平行に切断したときの最大断面形状とは、線対称の関係にあることを特徴とする発光素子ヘッド。 A light emitting element array in which a plurality of light emitting element array chips are arranged in the main scanning direction;
An optical element for imaging the light output of the light emitting element array,
The light emitting element array chip is:
A substrate having a rectangular shape, a light emitting element formed on the substrate and linearly arranged on one long side of the rectangle, a microlens made of a transparent resin formed on the light emitting element, and the substrate A convex portion formed on the other long side where the rectangular light emitting elements are not arranged;
Equipped with a,
The maximum cross-sectional shape when the convex portion is cut parallel to the short side of the rectangle and the maximum cross-sectional shape when the micro lens is cut parallel to the short side of the rectangle are in a line-symmetric relationship. A light emitting element head characterized by the above.
前記トナー像を記録媒体に転写する転写手段と、
前記トナー像を記録媒体に定着する定着手段と、を有し、
前記トナー像形成手段は、
矩形形状を有する基板と、当該基板上に形成され当該矩形の一方の長辺側に直線状に配列する発光素子と、当該発光素子上に形成され透明樹脂からなるマイクロレンズと、当該基板上に形成され当該矩形の当該発光素子が配列されていない他方の長辺側に配される凸部と、を形成した発光素子アレイチップを備え、
前記凸部の前記矩形の短辺と平行に切断したときの最大断面形状と前記マイクロレンズの当該矩形の短辺と平行に切断したときの最大断面形状とは、線対称の関係にあることを特徴とする画像形成装置。 Toner image forming means for forming a toner image;
Transfer means for transferring the toner image to a recording medium;
Fixing means for fixing the toner image to a recording medium,
The toner image forming unit includes:
A substrate having a rectangular shape, a light emitting element formed on the substrate and linearly arranged on one long side of the rectangle, a microlens made of a transparent resin formed on the light emitting element, and the substrate A light emitting element array chip formed with a convex portion arranged on the other long side where the light emitting elements of the rectangular shape are not arranged ,
The maximum cross-sectional shape when the convex portion is cut parallel to the short side of the rectangle and the maximum cross-sectional shape when the micro lens is cut parallel to the short side of the rectangle are in a line-symmetric relationship. An image forming apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008061047A JP5167872B2 (en) | 2008-03-11 | 2008-03-11 | Light emitting element array chip, light emitting element array chip manufacturing method, light emitting element head, and image forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008061047A JP5167872B2 (en) | 2008-03-11 | 2008-03-11 | Light emitting element array chip, light emitting element array chip manufacturing method, light emitting element head, and image forming apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009214442A JP2009214442A (en) | 2009-09-24 |
JP5167872B2 true JP5167872B2 (en) | 2013-03-21 |
Family
ID=41186843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008061047A Active JP5167872B2 (en) | 2008-03-11 | 2008-03-11 | Light emitting element array chip, light emitting element array chip manufacturing method, light emitting element head, and image forming apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5167872B2 (en) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4244672B2 (en) * | 2003-03-24 | 2009-03-25 | 富士ゼロックス株式会社 | Light emitting element array chip |
JP5050370B2 (en) * | 2006-03-08 | 2012-10-17 | 富士ゼロックス株式会社 | Design method of optical writing head |
JP4992268B2 (en) * | 2006-03-29 | 2012-08-08 | 富士ゼロックス株式会社 | Light emitting element array chip and optical writing head |
JP2007294876A (en) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Fuji Xerox Co Ltd | Light emitting element array |
JP4952028B2 (en) * | 2006-04-04 | 2012-06-13 | 富士ゼロックス株式会社 | Light emitting element array chip with microlens and optical writing head |
-
2008
- 2008-03-11 JP JP2008061047A patent/JP5167872B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009214442A (en) | 2009-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009188237A (en) | Manufacturing method of light emitting element array chip, microlens mold, light emitting element head, and image forming apparatus | |
JP5157896B2 (en) | Light emitting element array with microlens and optical writing head | |
JP7052508B2 (en) | Optical writing device and image forming device | |
JP2009194253A (en) | Method of manufacturing light-emitting element array chip, micro-lens molding die, light-emitting element head, and image forming apparatus | |
JP2008152040A (en) | Method of manufacturing microlens array, microlens array, organic electroluminescence line head and image forming apparatus using the microlens array | |
JP2010072557A (en) | Lens array unit, optical head and information apparatus | |
JP2008152038A (en) | Method of manufacturing microlens array, microlens array, organic electroluminescence line head and image forming apparatus using the microlens array | |
JP2006327182A (en) | Mold for molding with spacer and its manufacturing process, and method of manufacturing lens array using mold for molding with spacer | |
US8253767B2 (en) | Line head and image forming apparatus | |
JP5167872B2 (en) | Light emitting element array chip, light emitting element array chip manufacturing method, light emitting element head, and image forming apparatus | |
US8179416B2 (en) | Line head and image forming apparatus | |
JP2017152516A (en) | Optical element chip, optical print head, image forming apparatus, and method for manufacturing optical element chip | |
JP4972976B2 (en) | Self-scanning light-emitting element array chip, method for manufacturing self-scanning light-emitting element array chip, and optical writing head | |
JP7003490B2 (en) | A method for manufacturing a driven element chip, an exposure device, an image forming device, and a driven element chip. | |
JP4552665B2 (en) | LIGHT EMITTING DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, IMAGE FORMING DEVICE, AND IMAGE READING DEVICE | |
JP2009196345A (en) | Line head and image forming apparatus | |
JP2010072558A (en) | Lens array unit, optical head and information apparatus | |
JP4127533B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT ARRAY, OPTICAL WRITE UNIT AND IMAGE FORMING APPARATUS PROVIDED WITH THE LIGHT EMITTING ELEMENT ARRAY, AND METHOD FOR PRODUCING THE LIGHT EMITTING ELEMENT ARRAY | |
JP5428672B2 (en) | WRITE APPARATUS, MOUNTED BOARD COMPONENT, AND MANUFACTURING METHOD FOR WRITE APPARATUS | |
JP2016186580A (en) | Lens array unit, image forming apparatus, and manufacturing method of lens array unit | |
JP2008201121A (en) | Line head and image forming apparatus using the line head | |
JP2015226249A (en) | Semiconductor device, image forming apparatus using semiconductor device, and image reading device | |
JP2009218269A (en) | Manufacturing method of light-emitting element array chip, light-emitting element head, and image formation device | |
JP2014116430A (en) | Light emitting component, print head, image forming apparatus and manufacturing method for light emitting component | |
JP2009186981A (en) | Line head and image forming apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120821 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121019 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5167872 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |