JP2007294876A - Light emitting element array - Google Patents

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卓 木下
Takahiro Hashimoto
隆寛 橋本
Seiji Ono
誠治 大野
Kenjiro Hamanaka
賢二郎 浜中
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting element array which reduces the occurrence of stray light and leakage light, prevents the cutting of bonding wire at a chip corner, and makes a covering process of a protect film unnecessary. <P>SOLUTION: Resin patterns 52, 64 are formed on a chip surface. An upper surface of a base layer is roughened. A stray light preventing wall 52 is arranged, and side surface thereof is roughened. The light emitted from the light emitter is shaded by the preventing wall, and is scattered by the preventing wall and the roughened surface of the base layer. Consequently, the occurrence of stray light and leakage light can be reduced. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光素子アレイ、特に迷光,漏れ光を低減した発光素子アレイチップに関する。   The present invention relates to a light emitting element array, and more particularly to a light emitting element array chip with reduced stray light and leakage light.

光プリンタ,ファクシミリ,複写機の光書込みヘッドに用いられる発光素子アレイには、図1に示すように、発光素子アレイの各発光素子10のボンディングパッド12にワイヤ(金線)14が接続されている。なお図中、16は発光素子の発光部を示している。発光部から出た光は、例えばロッドレンズアレイによって感光ドラムに集光される。   As shown in FIG. 1, in a light emitting element array used for an optical writing head of an optical printer, a facsimile machine, or a copying machine, a wire (gold wire) 14 is connected to a bonding pad 12 of each light emitting element 10 of the light emitting element array. Yes. In the figure, reference numeral 16 denotes a light emitting portion of the light emitting element. The light emitted from the light emitting unit is condensed on the photosensitive drum by, for example, a rod lens array.

このような各発光素子毎にワイヤを接続する発光素子アレイでは、ボンディングパッドの存在の故に、発光部のピッチを小さくすることには限界がある。本出願人は、ボンディングパッドの個数を少なくして発光素子アレイの配列ピッチを小さくしたものとしてpnpn構造の発光サイリスタを用いた自己走査型発光素子アレイを提案している(特許文献1参照)。なお、自己走査型発光素子アレイを、SLED(Self−scanning Light−emitting Device)と略記することがある。   In such a light emitting element array in which wires are connected to each light emitting element, there is a limit to reducing the pitch of the light emitting portions because of the presence of bonding pads. The present applicant has proposed a self-scanning light-emitting element array using a light-emitting thyristor having a pnpn structure as the number of bonding pads is reduced and the arrangement pitch of the light-emitting element array is reduced (see Patent Document 1). Note that the self-scanning light-emitting element array may be abbreviated as SLED (Self-scanning Light-emitting Device).

図2にSLEDチップの等価回路を示す。このSLEDチップは、シフト部アレイ20と発光部アレイ26を分離したタイプのものである。このSLEDチップは、転送素子T,T,T,・・・、発光素子L,L,L・・・からなる。転送素子および発光素子のいずれも3端子発光サイリスタが用いられる。転送素子のゲート電極間は、ダイオードD,D,・・・で結合されている。VGAは電源(通常−5V)であり、VGAライン23から負荷抵抗Rを経て各転送素子のゲート電極に接続されている。また、転送素子のゲート電極は、対応する発光素子のゲート電極にも接続される。転送素子のカソード電極は、交互に転送用クロックパルスφ1,φ2配線21,22を経て、クロックパルス端子φ1、φ2に接続されている。抵抗R1,R2は配線21,22にそれぞれ挿入された電流制限用抵抗である。また、発光素子のカソード電極は、発光素子給電線24を経て、発光素子給電端子φに接続されている。抵抗Rは、配線24に装入された電流制限用抵抗である。 FIG. 2 shows an equivalent circuit of the SLED chip. This SLED chip is of a type in which the shift section array 20 and the light emitting section array 26 are separated. This SLED chip includes transfer elements T 1 , T 2 , T 3 ,..., And light emitting elements L 1 , L 2 , L 3 . A three-terminal light-emitting thyristor is used for both the transfer element and the light-emitting element. The gate electrodes of the transfer elements are coupled by diodes D 1 , D 2 ,. V GA is a power source (usually −5 V), and is connected from the V GA line 23 to the gate electrode of each transfer element via the load resistance RL . The gate electrode of the transfer element is also connected to the gate electrode of the corresponding light emitting element. The cathode electrode of the transfer element is connected to clock pulse terminals φ1 and φ2 via transfer clock pulse φ1 and φ2 wirings 21 and 22 alternately. The resistors R1 and R2 are current limiting resistors inserted in the wirings 21 and 22, respectively. A cathode electrode of the light emitting element passes through the light-emitting element feed line 24, is connected to the light emitting element feed terminal phi I. Resistor R I is a current limiting resistor that is charged to line 24.

このSLEDチップによれば、図3に示すように、1個のチップの片端に4個のボンディングパッド12を設けるだけですむ。
特開平2−263668号公報
According to this SLED chip, as shown in FIG. 3, it is only necessary to provide four bonding pads 12 at one end of one chip.
JP-A-2-263668

しかしながら、従来の発光素子アレイでは、印刷された画像が、発光部以外からの光、すなわち迷光や漏れ光の影響を受けやすいという問題点がある。   However, the conventional light emitting element array has a problem that a printed image is easily affected by light from other than the light emitting portion, that is, stray light or leakage light.

まず、第一に、迷光について説明する。ボンディングへのワイヤの接続は、通常アルミボンディングパッドに金のボールを接合させるボールボンディングと、ワイヤーフレームやプリント配線基板の端子に金線を押し付けて接合させるステッチボンディングとで行われる。まず、ボールボンディングを行い、続いてステッチボンディングを行い、金線を切断する。   First, stray light will be described. Wire connection to bonding is usually performed by ball bonding in which a gold ball is bonded to an aluminum bonding pad and stitch bonding in which a gold wire is pressed and bonded to a terminal of a wire frame or a printed wiring board. First, ball bonding is performed, then stitch bonding is performed, and the gold wire is cut.

図1に示す発光素子アレイのように、発光素子1個につきワイヤが1本ある場合、図4に示すように、ある発光部16から出た光が、その発光部付近のワイヤ14や金ボール18に反射されて迷光となる場合がある。特に、ワイヤのループの形状にばらつきがある場合は、迷光の発生は、重大な問題となる。   When there is one wire for each light emitting element as in the light emitting element array shown in FIG. 1, as shown in FIG. 4, the light emitted from a certain light emitting part 16 is converted into a wire 14 or a gold ball near the light emitting part. 18 may be reflected as stray light. In particular, when there are variations in the shape of the wire loop, the generation of stray light becomes a serious problem.

ワイヤ14のループ形状にばらつきが無ければ、迷光が生じても、ワイヤは均一に存在しているため、印刷された画像においては、迷光の影響はあまり目立たない。   If there is no variation in the loop shape of the wire 14, even if stray light is generated, the wire exists uniformly, so that the influence of the stray light is not so noticeable in the printed image.

しかし、ワイヤがまばらに存在する図3のSLEDチップの場合は、ワイヤやボールのある場所に限って迷光が強くなっているため、印刷された画像において迷光の影響が非常に目立つ。このようにSLEDチップの構造の場合は、迷光の問題がさらに重大となる。   However, in the case of the SLED chip of FIG. 3 where the wires are sparsely present, stray light is strong only in the place where the wires and balls are present, and therefore the influence of stray light is very conspicuous in the printed image. Thus, in the case of the structure of the SLED chip, the problem of stray light becomes more serious.

SLEDチップ20は、図5に示すように千鳥配列されて、光書込みヘッドの光源を構成する。このようにSLEDチップ20が千鳥配列されたヘッドでは、主走査方向(チップの配列方向)に見てチップの端部が重なっている。例えば、1チップあたりのボンディングパッド12の配列間隔を100μm、チップ長さを6mmとした場合、8本のワイヤが1mm程度の範囲に集中した箇所が12mm毎に現れることとなり、印刷された画像において迷光の影響が非常に目立つ。迷光は、ワイヤの立ち上がったループの50μm以上の高さの部分での反射、およびボール表面での反射によって主に起こっていることが解っている。   As shown in FIG. 5, the SLED chips 20 are arranged in a staggered manner to constitute the light source of the optical writing head. As described above, in the head in which the SLED chips 20 are arranged in a staggered manner, the ends of the chips overlap in the main scanning direction (chip arrangement direction). For example, when the arrangement interval of the bonding pads 12 per chip is 100 μm and the chip length is 6 mm, a location where eight wires are concentrated in a range of about 1 mm appears every 12 mm. The effect of stray light is very noticeable. It has been found that stray light is mainly caused by reflection at a portion of the loop where the wire stands up to a height of 50 μm or more and reflection at the ball surface.

次に、漏れ光について説明する。例えばSLEDチップでは、シフト部アレイおよび発光部アレイに発光サイリスタを用いているので、シフト部アレイの発光サイリスタからも光が出る。   Next, leakage light will be described. For example, in the SLED chip, since the light emitting thyristors are used for the shift portion array and the light emitting portion array, light is also emitted from the light emitting thyristors of the shift portion array.

図6に、発光部アレイのサイリスタおよびシスト部アレイのサイリスタの断面図を示す。発光部アレイのサイリスタは、p層30,n層32,p層34,n層36,カソード電極38により構成される。シフト部アレイのサイリスタは、p層30,n層32,p層34,n層36,カソード電極40により構成される。   FIG. 6 shows a cross-sectional view of the thyristor of the light emitting section array and the thyristor of the cyst section array. The thyristor of the light emitting section array includes a p layer 30, an n layer 32, a p layer 34, an n layer 36, and a cathode electrode 38. The thyristor of the shift unit array includes a p layer 30, an n layer 32, a p layer 34, an n layer 36, and a cathode electrode 40.

絶縁層42に設けられたコンタクトホールを介して、カソード電極38は配線24に接続され、カソード電極40は、配線21または22に接続されている。   The cathode electrode 38 is connected to the wiring 24 and the cathode electrode 40 is connected to the wiring 21 or 22 through a contact hole provided in the insulating layer 42.

このような構造においては、横方向へのキャリア再結合領域44の染み出しによる漏れ光、およびキャリア再結合の起こるpn接合面46からの漏れ光、pn接合面での発光が半導体層を多重反射することにより漏れ光が発生する。   In such a structure, leakage light due to leakage of the carrier recombination region 44 in the lateral direction, leakage light from the pn junction surface 46 where carrier recombination occurs, and light emission at the pn junction surface are multiple reflected on the semiconductor layer. As a result, leakage light is generated.

このような漏れ光を遮光するために、半導体層上に金系材料を成膜することが考えられるが、金系材料は非常に高価であることから、コスト面での問題がある。   In order to block such leakage light, it is conceivable to form a gold-based material on the semiconductor layer. However, since the gold-based material is very expensive, there is a problem in terms of cost.

また、従来の発光素子アレイチップでは、図4に示したワイヤがチップの角部に接触し、ワイヤの切断を生じるおそれがある。   Further, in the conventional light emitting element array chip, the wire shown in FIG. 4 may come into contact with the corner of the chip, and the wire may be cut.

さらに、従来の発光素子アレイチップは、表面に保護膜を形成しているが、保護膜の被覆工程がコストアップになると共に、保護膜の被覆工程での熱処理が、コンタクトホールの劣化を早めるという問題がある。   Furthermore, the conventional light emitting element array chip has a protective film formed on the surface, but the process of coating the protective film increases the cost, and the heat treatment in the process of coating the protective film accelerates the deterioration of the contact hole. There's a problem.

本発明の目的は、これらの問題点を解決した発光素子アレイチップを提供することにある。   An object of the present invention is to provide a light emitting element array chip that solves these problems.

1.金ワイヤおよび金ボールでの反射による迷光についての解決手段
(1)チップ表面の発光部とワイヤボンディングパッドとの間に、樹脂パターンを設け、発光部から出てワイヤあるいはボールに到達する光量を減らす。これにより、ワイヤあるいはボールでの反射による迷光を減らすことができる。
1. Solution to stray light due to reflection on gold wire and gold ball (1) A resin pattern is provided between the light emitting part on the chip surface and the wire bonding pad to reduce the amount of light that comes out of the light emitting part and reaches the wire or ball. . Thereby, the stray light by reflection with a wire or a ball can be reduced.

(2)特にSLEDチップのように千鳥状に配置する場合は、側面が粗面である樹脂パターンを、発光部と隣のチップのワイヤボンディングパッドとの間に設けることによって、発光部から出た光は樹脂パターンで反射されるだけでなく、これを透過した光は、粗面を通過するときに散乱されるので、迷光はさらに減少する。
樹脂パターン側面の粗面は、次のようにして作成する。すなわち、ウェハの切断によってチップ化する際、切断機のブレード(刃)は、チップとチップの間のダイシングラインを通るが、このライン上に樹脂を設けておくことで、樹脂の切断面がブレードとの接触によって表面凹凸が粗い面となり、発光部からの光がワイヤの方向に樹脂を透過して出て行くとき、粗い面で散乱されるので、ワイヤおよびボールに届く光量が低減される。
(2) In particular, when arranged in a staggered manner like an SLED chip, a resin pattern having a rough side surface is provided between the light emitting part and the wire bonding pad of the adjacent chip, thereby coming out of the light emitting part. Not only is the light reflected by the resin pattern, but the light transmitted through it is scattered when passing through the rough surface, so stray light is further reduced.
The rough surface of the resin pattern side is created as follows. That is, when the wafer is cut into chips, the blade (blade) of the cutting machine passes through a dicing line between the chips. By providing resin on this line, the cut surface of the resin is a blade. The surface unevenness becomes a rough surface due to contact with the light, and when the light from the light emitting portion passes through the resin in the direction of the wire and is emitted, it is scattered by the rough surface, so that the amount of light reaching the wire and the ball is reduced.

(3)発光部とワイヤボンディングパッドとの間に、スタンパにより樹脂を設ける際に、スタンパの凹部によって、発光部よりも高い遮光用の樹脂の壁(以下、迷光防止壁と呼ぶ)を作成する。迷光防止壁は、ボンディングパッドと、そのパッドを持つチップと接している隣のチップの発光部との間に設けられる。 (3) When a resin is provided by a stamper between the light emitting part and the wire bonding pad, a light shielding resin wall (hereinafter referred to as a stray light preventing wall) higher than the light emitting part is created by the recess of the stamper. . The stray light prevention wall is provided between the bonding pad and the light emitting portion of the adjacent chip in contact with the chip having the pad.

迷光防止壁のチップ外側の側面は、切断機によって切られてできる切断面である。樹脂の切断面は、隣のチップの発光部からの光線を散乱させ、かつ乱反射させるのに十分な粗さをもっているため、ワイヤおよびボールで反射をして迷光となるような光線の光量を低減できる。   The side surface outside the chip of the stray light prevention wall is a cut surface formed by being cut by a cutting machine. The cut surface of the resin has sufficient roughness to scatter and diffusely reflect the light from the light emitting part of the adjacent chip, reducing the amount of light that is reflected by the wire and ball and becomes stray light it can.

2.漏れ光と反射による迷光についての解決手段
樹脂パターンを少なくともボンディングパッド部を除く、チップ全域に被覆させる(全域でなくても良い)ことで、漏れ光を低減することができる。樹脂パターン成形時に用いるスタンパの表面(レンズ・ベースを作成する面)に、細かい凹凸をつけておくと、少なくともボンディングパッド部を除くチップ全域に被覆された樹脂パターンの表面において、下から出てくる漏れ光を散乱させて、ロッドレンズアレイに到達する分の光量を低減することができる。また、ベース表面が粗い面であることにより、さらにワイヤの方向への光量が低減される。
2. Solution to Leakage Light and Stray Light due to Reflection Leakage light can be reduced by covering the entire resin chip with the resin pattern at least excluding the bonding pad portion. If the surface of the stamper used to mold the resin pattern (the surface on which the lens and base are created) has fine irregularities, it will come out from below at least on the surface of the resin pattern that covers the entire chip area except the bonding pad. The amount of light that reaches the rod lens array can be reduced by scattering the leaked light. Further, since the base surface is a rough surface, the amount of light in the direction of the wire is further reduced.

3.ワイヤの切断を防止する解決手段
チップ端に樹脂を被覆することにより、ワイヤの切断を防止する。
3. Solution for preventing cutting of wire By cutting the chip end with resin, cutting of the wire is prevented.

4.保護膜形工程を不要とする解決手段
ボンディングパッドを除く全面に成形によって樹脂被膜を形成することにより、保護膜形成工程を不要にする。
4). Solution that eliminates the need for a protective film forming step By forming a resin film by molding on the entire surface excluding the bonding pad, the protective film forming step becomes unnecessary.

本発明の一態様として、千鳥配列された発光素子アレイチップにおいて、樹脂パターンを、一方のチップの発光部から他方のチップのボンディングパッド上のワイヤに入射する光を遮蔽する樹脂パターンの一部(即ち、迷光防止壁)、マイクロレンズ及びマイクロレンズの周囲部分の樹脂面とから構成させ、チップの表面における迷光防止壁及び樹脂面の双方が占める面積が、マイクロレンズが占める面積より大きくなるように構成する。これにより、従来に比べ、チップの表面における樹脂の割合を増大させることができ、余剰となる樹脂の洗浄を容易にさせ、且つ、余剰の樹脂がマイクロレンズに付着することによる発光素子アレイの光量ばらつきを低減できる。   As one aspect of the present invention, in a staggered light emitting element array chip, a resin pattern is part of a resin pattern that blocks light incident on a wire on a bonding pad of the other chip from a light emitting portion of one chip ( That is, the area occupied by both the stray light preventing wall and the resin surface on the surface of the chip is larger than the area occupied by the micro lens. Constitute. As a result, the ratio of the resin on the surface of the chip can be increased as compared to the conventional case, the excess resin can be easily washed, and the light amount of the light emitting element array due to the excess resin adhering to the microlens. Variations can be reduced.

更に、樹脂パターンの一部(即ち、迷光防止壁)は、レンチキュラ状又はマイクロレンズと同一形状で形成する。特に、マイクロレンズと同一形状で迷光防止壁を形成すれば、チップの製造工程における樹脂パターンの作成を簡略化することができる。   Furthermore, a part of the resin pattern (that is, the stray light prevention wall) is formed in the same shape as the lenticular shape or the microlens. In particular, if the stray light prevention wall is formed in the same shape as the microlens, the creation of the resin pattern in the chip manufacturing process can be simplified.

以下、発明の実施例を図面を参照して説明する。   Embodiments of the invention will be described below with reference to the drawings.

本実施例は、発光部から射出した光の利用効率を上げるために、発光部上にマイクロレンズを形成した種類のSLEDチップにおいて、同時に迷光防止および漏れ光防止等のための樹脂パターンを形成するものである。   In this embodiment, in order to increase the utilization efficiency of the light emitted from the light emitting part, a resin pattern for preventing stray light and preventing leaked light is formed at the same time in an SLED chip of a type in which a microlens is formed on the light emitting part. Is.

マイクロレンズは、SLEDを形成したウェハにスタンパを用いて樹脂を発光部上に成形することにより作成される。スタンパは、石英ガラス基板をエッチングすることにより、作成されるが、石英ガラス基板には、マイクロレンズ形成用の凹部以外に、深さ19μmの迷光防止壁用の凹部を形成する。さらに、レンズ形成用、迷光防止壁形成用の凹部以外のベース部分を作るスタンパ表面を研磨によって粗い面とした。その表面粗さRaは、0.05μm以上とするのが好ましい。   The microlens is created by molding a resin on a light emitting portion using a stamper on a wafer on which an SLED is formed. The stamper is formed by etching the quartz glass substrate. In addition to the recess for forming the microlens, a recess for the stray light prevention wall having a depth of 19 μm is formed on the quartz glass substrate. Further, the surface of the stamper for forming the base portion other than the concave portions for forming the lens and forming the stray light preventing wall was roughened by polishing. The surface roughness Ra is preferably 0.05 μm or more.

図7は、このようなスタンパを用いて、千鳥配列された隣接するチップA,チップBに、成形した樹脂パターンを示す。図7(A)は平面図を、図7(B)は図7(A)のL−L線断面図を示している。   FIG. 7 shows a resin pattern formed on adjacent chips A and B arranged in a staggered manner using such a stamper. 7A is a plan view, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line LL in FIG. 7A.

チップAの発光部上のマイクロレンズ50の中心と、チップBのボール18の中心との間の水平距離の最小値は、94μmである。チップBのボンディングパッド12と、チップAとの境界の間には、パッド12からの配線パターンがあるが、ここに、迷光防止壁52を形成した。ワイヤ14のループ部の素子基板表面からの高さの最大値は90μmである。迷光防止壁52のチップA側の側面54は、ウェハ切断工程で切断されてできる粗い面であり、この面の最上部から、チップAの発光部の中心までの水平距離は、16μmである。迷光防止壁52の素子基板表面からの高さは、25μm、すなわち、厚さ6μmのベース表面からの高さは19μmである。   The minimum value of the horizontal distance between the center of the microlens 50 on the light emitting part of the chip A and the center of the ball 18 of the chip B is 94 μm. There is a wiring pattern from the pad 12 between the bonding pad 12 of the chip B and the boundary between the chip A, and the stray light prevention wall 52 is formed here. The maximum value of the height of the loop portion of the wire 14 from the surface of the element substrate is 90 μm. The side surface 54 on the chip A side of the stray light prevention wall 52 is a rough surface formed by cutting in the wafer cutting process, and the horizontal distance from the top of this surface to the center of the light emitting portion of the chip A is 16 μm. The height of the stray light prevention wall 52 from the element substrate surface is 25 μm, that is, the height from the base surface having a thickness of 6 μm is 19 μm.

実際には、迷光防止壁52が発光部上のマイクロレンズ50の頂上から、ワイヤ14の頂上部に到達する光を遮蔽するためには、素子基板表面からの高さが23μmあれば良いので、迷光防止壁として十分な高さである。   Actually, in order for the stray light prevention wall 52 to shield the light reaching the top of the wire 14 from the top of the microlens 50 on the light emitting portion, the height from the surface of the element substrate may be 23 μm. It is high enough as a stray light prevention wall.

また、マイクロレンズ50以外の部分56の樹脂面は、粗い面にしたスタンパ表面形状を転写するので、粗面となる。粗面の粗さRaは、0.05μm以上とするのが好ましい。粗面によって、漏れ光を散乱させることができる。   Further, the resin surface of the portion 56 other than the microlens 50 is a rough surface because it transfers the rough stamper surface shape. The roughness Ra of the rough surface is preferably 0.05 μm or more. The rough surface can scatter leaked light.

また、樹脂をチップの角部まで被覆すれば、ワイヤ14のチップ角部への接触による切断を防止することができる。   If the resin is covered up to the corner of the chip, the wire 14 can be prevented from being cut by contact with the chip corner.

実施例1において、チップの切断面は、ダイボンディングされる水平面の法線に対して、5°傾いている。これは、チップA,Bをダイボンディングしたときに、チップ表面をできるだけ接近させるためであるが、迷光防止壁52の傾きも、水平面の法線に対して、5°傾いている。   In Example 1, the cut surface of the chip is inclined 5 ° with respect to the normal line of the horizontal plane to be die-bonded. This is to make the chip surfaces as close as possible when the chips A and B are die-bonded, but the inclination of the stray light prevention wall 52 is also inclined by 5 ° with respect to the normal line of the horizontal plane.

本実施例では、図8に示すように、さらにこの傾きを10°とすることで、迷光防止壁のチップ外側の粗面54の傾きθを大きくした。これによって、発光部からマイクロレンズ50を経て、迷光防止壁52の粗い側面54で散乱された散乱光60が、上部のロッドレンズアレイに到達する確率を低減することができる。ただし、角度8は、5°,10°以外に、任意の角度に設定することができる。   In this embodiment, as shown in FIG. 8, the inclination θ of the rough surface 54 outside the chip of the stray light prevention wall is increased by further setting the inclination to 10 °. Accordingly, it is possible to reduce the probability that the scattered light 60 scattered by the rough side surface 54 of the stray light prevention wall 52 from the light emitting unit through the microlens 50 reaches the upper rod lens array. However, the angle 8 can be set to any angle other than 5 ° and 10 °.

チップAの発光部上の樹脂について、図9に示すように、スタンパ表面を粗い面とすることによって、ベース層64の表面62を粗い面とし、さらに、ベース層64を従来よりもダイシングラインの方に延ばして形成することにより、切断機の刃がベース層を切るようにした。これにより、ベース層側面66はチップ切断面と同一面となり、粗い面となった。このとき、ベース層表面62から出て行く光線と、ベース層側面66から出て行く光線を減らすことで、ワイヤ14およびボール12に到達する光量を低減し、迷光を抑制することができる。   For the resin on the light emitting part of chip A, as shown in FIG. 9, the surface 62 of the base layer 64 is made rougher by making the surface of the stamper rougher, and the base layer 64 is made of a dicing line than before. The blade of the cutting machine cuts the base layer by forming the base layer. Thereby, the base layer side surface 66 became the same surface as the chip cut surface, and became a rough surface. At this time, the amount of light reaching the wire 14 and the ball 12 can be reduced and stray light can be suppressed by reducing the light rays coming out from the base layer surface 62 and the light rays coming out from the base layer side surface 66.

本実施例は、マイクロレンズを設けないSLEDチップに、図10に示すように、迷光防止壁52を設け、さらに、ボンディングパッド12と発光部16を除くすべての領域に、ベース層64を被覆した。図7と同様に、迷光防止壁52の側面、及びベース層64の表面は、粗面とした。   In this embodiment, as shown in FIG. 10, an SLED chip without a microlens is provided with a stray light prevention wall 52, and a base layer 64 is covered in all regions except the bonding pad 12 and the light emitting portion 16. . As in FIG. 7, the side surfaces of the stray light prevention wall 52 and the surface of the base layer 64 are rough surfaces.

発光素子アレイで、発光部16とワイヤボンディングパッド12の間に、樹脂パターン68を設けた。図11(A)は、SLEDチップの場合を、図11(B)は、図1に示した種類の発光素子アレイチップの場合を示す。   In the light emitting element array, a resin pattern 68 is provided between the light emitting portion 16 and the wire bonding pad 12. FIG. 11A shows the case of an SLED chip, and FIG. 11B shows the case of a light emitting element array chip of the type shown in FIG.

特に千鳥配列されたSLEDチップの場合は、ダイシングによってできる粗面を側面とする樹脂パターンとしても良い。   In particular, in the case of SLED chips arranged in a staggered manner, a resin pattern having a rough surface formed by dicing as a side surface may be used.

前述した実施例1〜5に関連して、迷光防止壁52を樹脂で形成する際に、マイクロレンズ50及びマイクロレンズ50の周囲部分の樹脂面56を形成することが更なる効果を生じさせる。図12(A)に、SLEDチップを形成し、上部に樹脂パターンを成形したウェハの概略図を示す。図12(B)は、図12(A)の一部(A視)における、SLEDチップの概観を示す一例の拡大図である。図12(C)は、図12(A)の一部(A視)における、SLEDチップの概観を示す別の一例の拡大図である。尚、本実施例の説明において、図12(B)及び(C)では、マイクロレンズ50を代表的に円形レンズ(即ち、球面レンズ)として示しているが、非球面レンズ(即ち、複合レンズ又は楕円レンズなど)でもよい。   In connection with Examples 1-5 mentioned above, when forming the stray light prevention wall 52 with resin, forming the resin surface 56 of the peripheral part of the micro lens 50 and the micro lens 50 produces a further effect. FIG. 12A shows a schematic view of a wafer in which an SLED chip is formed and a resin pattern is formed on the top. FIG. 12B is an enlarged view of an example showing an overview of the SLED chip in part (view A) of FIG. FIG. 12C is an enlarged view of another example showing an overview of the SLED chip in part (view A) of FIG. In the description of this embodiment, in FIGS. 12B and 12C, the microlens 50 is typically shown as a circular lens (ie, a spherical lens), but an aspherical lens (ie, a compound lens or An elliptic lens may be used.

図12(B)において、迷光防止壁52、マイクロレンズ50及びマイクロレンズ50の周囲部分の樹脂面56は、同一の光硬化性樹脂で形成され、ボンディングパッド12及びその周囲には、樹脂を形成させていない。図12(C)において、迷光防止壁52、マイクロレンズ50及びマイクロレンズ50の周囲部分の樹脂面56は、同一の光硬化性樹脂で形成され、ボンディングパッド12及びその周囲には、樹脂を形成させていない。図12(B)及び図12(C)に示すSLEDチップでは、マイクロレンズ50における周囲部分の樹脂面56の面積において相違する。   In FIG. 12B, the stray light prevention wall 52, the microlens 50, and the resin surface 56 around the microlens 50 are formed of the same photocurable resin, and resin is formed around the bonding pad 12 and the periphery thereof. I have not let it. In FIG. 12C, the stray light prevention wall 52, the microlens 50, and the resin surface 56 around the microlens 50 are formed of the same photocurable resin, and resin is formed around the bonding pad 12 and the periphery thereof. I have not let it. In the SLED chip shown in FIGS. 12B and 12C, the area of the resin surface 56 in the peripheral portion of the microlens 50 is different.

ここで、樹脂パターンをSLEDチップ表面に形成する技術について説明する。例えば、まずウェハ全面に紫外線硬化する光硬化性樹脂(エポキシ系又はアクリル系の光硬化性樹脂がある)を形成する。次に、樹脂を残す領域と取り除く領域とを区別するパターンを有する遮光膜(例えば、Cr膜)をウェハ全面に設けるとともに、紫外線照射して、樹脂を残す領域のみ樹脂を硬化させる。次に、紫外線硬化しなかった領域(即ち、樹脂を取り除く領域)を、専用の溶媒で洗浄することで、所望の樹脂パターンをSLED表面に形成させることができる。以下、紫外線硬化しなかった樹脂を未硬化樹脂と称する。   Here, a technique for forming a resin pattern on the surface of the SLED chip will be described. For example, first, a photo-curing resin (an epoxy-based or acrylic-based photo-curing resin) is formed on the entire surface of the wafer. Next, a light-shielding film (for example, a Cr film) having a pattern for distinguishing between a region where the resin is to be removed and a region where the resin is to be removed is provided on the entire surface of the wafer, and the resin is cured only in the region where the resin is left. Next, a desired resin pattern can be formed on the surface of the SLED by washing the region that has not been UV-cured (that is, the region from which the resin is removed) with a dedicated solvent. Hereinafter, a resin that has not been cured by ultraviolet light is referred to as an uncured resin.

一方、所望の樹脂パターンをSLED表面に形成させる際に、未硬化樹脂の残留物を確実に取り除くことが重要になる。例えば、ボンディングパッド上に未硬化樹脂が残留すると導電不良の原因となり、未硬化樹脂がマイクロレンズ50に付着残留した場合には、光量ばらつき又は光量アップ率の低下の原因にもなるためである。   On the other hand, when forming a desired resin pattern on the surface of the SLED, it is important to reliably remove the residue of the uncured resin. For example, if the uncured resin remains on the bonding pad, it may cause a conduction failure, and if the uncured resin adheres to the microlens 50, it may cause a variation in the light amount or a decrease in the light amount increase rate.

しかしながら、洗浄すべき未硬化樹脂の残留物を確実に取り除くためには、細心の洗浄調整が必要とされる。一般的には、洗浄時間を細かく制御することによって未硬化樹脂を除去することになる(例えば、分単位で制御する)。従って、未硬化樹脂の影響を軽減するには、SLED上において、洗浄すべき未硬化樹脂の面積をより少なくすることが好適となる。即ち、図12(B)及び図12(C)にそれぞれ示すSLEDチップにおいて、図12(B)に示すSLEDチップは、図12(C)に示すSLEDチップに対して、洗浄すべき領域が少なくなる。更には、図12(C)に示すSLEDチップは、マイクロレンズ50のみを形成したSLEDチップ(図示せず)に対して、洗浄すべき領域が少なくなる。洗浄すべき領域が少ないことは、洗浄される樹脂量が少ないことを意味し、洗浄を容易にさせるという効果を生じさせる。   However, in order to reliably remove the uncured resin residue to be cleaned, careful cleaning adjustment is required. Generally, the uncured resin is removed by finely controlling the cleaning time (for example, controlled in minutes). Therefore, in order to reduce the influence of the uncured resin, it is preferable to reduce the area of the uncured resin to be cleaned on the SLED. That is, in the SLED chips shown in FIGS. 12B and 12C, the SLED chip shown in FIG. 12B has less area to be cleaned than the SLED chip shown in FIG. Become. Furthermore, the SLED chip shown in FIG. 12C requires less area to be cleaned than the SLED chip (not shown) in which only the microlens 50 is formed. A small area to be cleaned means that the amount of resin to be cleaned is small, and the effect of facilitating cleaning is produced.

また、実際に、図12(B)及び図12(C)にそれぞれ示すSLEDチップを、洗浄時間3分として形成したところ、図12(B)に示すSLEDチップは、図12(C)に示すSLEDチップと比較して、光量ばらつき(PRNU)として30%改善することを確かめた。換言すれば、洗浄時間を比較的短くすると、未硬化樹脂の残留物がマイクロレンズ50に付着してしまい、光量ばらつきの原因になっていることが確かめられた。従って、洗浄すべき領域が少ないことは、洗浄すべき時間を短縮させ、製造コストを低下させるという効果を生じさせる。   Moreover, when the SLED chip shown in FIGS. 12B and 12C was actually formed with a cleaning time of 3 minutes, the SLED chip shown in FIG. 12B is shown in FIG. Compared to the SLED chip, it was confirmed that the light quantity variation (PRNU) was improved by 30%. In other words, it was confirmed that when the cleaning time was made relatively short, the residue of the uncured resin adhered to the microlens 50, causing variations in the amount of light. Therefore, the fact that the area to be cleaned is small has the effect of shortening the time to be cleaned and reducing the manufacturing cost.

洗浄すべき領域が少なくとも従来の1/2以下とするために、千鳥配列されたSLEDチップでは、樹脂パターンは、一方のSLEDチップの発光部16から他方のSLEDチップのボンディングパッド12上のワイヤに入射する光を遮蔽する迷光防止壁52、マイクロレンズ50及びマイクロレンズ50の周囲部分の樹脂面56から構成させ、各SLEDチップの表面における迷光防止壁52及び樹脂面56の双方が占める面積は、マイクロレンズ50が占める面積より大きくすることが好適となる。   In the staggered SLED chip, the resin pattern is transferred from the light emitting portion 16 of one SLED chip to the wire on the bonding pad 12 of the other SLED chip so that the area to be cleaned is at least 1/2 of the conventional area. The area occupied by both the stray light prevention wall 52 and the resin surface 56 on the surface of each SLED chip is composed of the stray light prevention wall 52 that blocks incident light, the microlens 50, and the resin surface 56 around the microlens 50. It is preferable to make it larger than the area occupied by the microlens 50.

前述した実施例6に関連して、迷光防止壁52を樹脂で形成する、具体的な幾つかの例を説明する。図13は、SLEDチップ表面の迷光防止壁52を樹脂面56と略同一の高さで形成した場合の平面図である。同様な構成要素には、同一の参照番号を付して説明する。   Several specific examples in which the stray light prevention wall 52 is formed of resin will be described in relation to the above-described sixth embodiment. FIG. 13 is a plan view when the stray light prevention wall 52 on the surface of the SLED chip is formed at substantially the same height as the resin surface 56. Similar components will be described with the same reference numerals.

これに対し、図14は、迷光防止壁52としてのレンチキュラ状のダミーレンズを、マイクロレンズ50の並び上に設けた例を示している。図15は、迷光防止壁52としてのレンチキュラ状のダミーレンズを、マイクロレンズ50の並び上からSLEDチップ断面上にずらして形成し(ボンディングパッド領域12から遠くなる方向)、後にチップ切断した例を示している。このように、レンチキュラ状のダミーレンズの頂点となる主走査方向の中心軸を、マイクロレンズ50の並び上からSLEDチップ切断軸上にずらすことにより、迷光防止壁52の高さ及び位置を好適に合わせることができ、そのような好適な高さ及び位置については、後述の説明で明らかになる。図15に関連して、レンチキュラ状のダミーレンズ(迷光防止壁52)の頂点となる主走査方向の中心軸は、SLEDチップ切断軸上と一致させることが好適である。   On the other hand, FIG. 14 shows an example in which a lenticular dummy lens as the stray light prevention wall 52 is provided on the micro lens 50 side by side. FIG. 15 shows an example in which a lenticular dummy lens as the stray light prevention wall 52 is formed by shifting from the arrangement of the microlenses 50 on the cross section of the SLED chip (in the direction away from the bonding pad region 12) and cutting the chip later. Show. In this way, the height and position of the stray light prevention wall 52 are suitably adjusted by shifting the central axis in the main scanning direction, which is the apex of the lenticular dummy lens, from the arrangement of the microlenses 50 to the SLED chip cutting axis. Such suitable heights and positions will be apparent from the description below. In relation to FIG. 15, it is preferable that the central axis in the main scanning direction, which is the apex of the lenticular dummy lens (stray light prevention wall 52), coincide with the SLED chip cutting axis.

また、実際に、図15に示すSLEDチップについて、レンチキュラ状のダミーレンズ(迷光防止壁52)の高さを25μm、表面粗さRaを0.5μm以上として形成した。このSLEDチップを用いて千鳥配列の発光素子アレイをステッチボンディングで構成させたところ、迷光は検出されなくなることを確かめた。   Actually, the SLED chip shown in FIG. 15 was formed with the height of the lenticular dummy lens (stray light prevention wall 52) being 25 μm and the surface roughness Ra being 0.5 μm or more. When this SLED chip was used to form a staggered light emitting element array by stitch bonding, it was confirmed that stray light was not detected.

図16は、マイクロレンズと同一形状のダミーレンズを迷光防止壁52として、マイクロレンズ50の並び上に設けた例を示している。また、図17は、マイクロレンズと同一形状の迷光防止壁52を、マイクロレンズ50の並び上からSLEDチップ断面上にずらして形成し(ボンディングパッド領域12から遠くなる方向)、後にチップ切断した例を示している。このように、レンチキュラ状ではなく、マイクロレンズ形状で構成させることにより、製造工程における樹脂パターンの作成を簡略化することができる。   FIG. 16 shows an example in which dummy lenses having the same shape as the microlenses are provided on the arrangement of the microlenses 50 as stray light prevention walls 52. FIG. 17 shows an example in which the stray light prevention wall 52 having the same shape as that of the microlens is formed by shifting the microlens 50 from the arrangement of the microlenses 50 on the cross section of the SLED chip (in the direction away from the bonding pad region 12). Is shown. As described above, by forming the microlens shape instead of the lenticular shape, the creation of the resin pattern in the manufacturing process can be simplified.

図18は、マイクロレンズと同一形状のダミーレンズを迷光防止壁52として、マイクロレンズ50の並び上に設ける際に、マイクロレンズ50の周囲部分の樹脂面56を重ねて形成した例を示している。   FIG. 18 shows an example in which a dummy lens having the same shape as the microlens is provided as a stray light prevention wall 52 on the arrangement of the microlenses 50, and the resin surface 56 around the microlenses 50 is overlapped. .

また、図13〜18にそれぞれ示す例から様々な変形例を構成させることができることは明らかである。尚、図13〜18において、マイクロレンズ50を代表的に円形レンズ(即ち、球面レンズ)として示しているが、非球面レンズ(即ち、複合レンズ又は楕円レンズなど)でもよい。   It is obvious that various modifications can be made from the examples shown in FIGS. In FIGS. 13 to 18, the micro lens 50 is typically shown as a circular lens (that is, a spherical lens), but may be an aspheric lens (that is, a compound lens or an elliptic lens).

次に、如何にして迷光防止壁52の高さ及び位置を好適に合わせるかについて説明する。図19(A)は、ステッチボンディング78を用いた千鳥配列の発光素子アレイの一例を示す断面図である。図19(B)は、ボールボンディング18を用いた千鳥配列の発光素子アレイの一例を示す断面図である。まず、千鳥配列の発光素子アレイの場合、迷光の主原因は、ボンディングワイヤの反射による場合が多い。従って、発光部16から照射される光が、直接ボンディングワイヤを照射することがないように、迷光防止壁52を設けることが好ましい。   Next, how to adjust the height and position of the stray light prevention wall 52 appropriately will be described. FIG. 19A is a cross-sectional view showing an example of a staggered light emitting element array using the stitch bonding 78. FIG. 19B is a cross-sectional view showing an example of a staggered light emitting element array using the ball bonding 18. First, in the case of a staggered light emitting element array, the main cause of stray light is often due to reflection of bonding wires. Therefore, it is preferable to provide the stray light prevention wall 52 so that the light emitted from the light emitting unit 16 does not directly irradiate the bonding wire.

図19(A)及び図19(B)に示す各SLEDチップは、例えば1200dpi(約21.16μm)の主走査方向の発光部ピッチに対し、2倍となる42.3μmを互いに向き合うSLEDチップの発光部の距離とした場合の例である(図5参照)。尚、互いに向き合うSLEDチップの発光部の距離は、発光素子アレイを用いる画像書込装置などで設計上要求される値であり、一般的には主走査方向の発光部ピッチに対し整数倍にする。この際、図19(A)及び図19(B)に示すように、SLEDチップ端面から発光部中心までの距離が27μmとなる。ボンディングの高さは、図19(A)では50μm、図19(B)では100μmとして例示したが、発光素子アレイの構成上、必要される高さとして規定されるものである。ステッチボンディングの場合(図19(A))、迷光防止壁52の高さは、15μm以上が好適となり、ボールボンディングの場合(図19(B))、迷光防止壁52の高さは、30μm以上が好適となる。   Each of the SLED chips shown in FIGS. 19A and 19B is an SLED chip facing 42.3 μm, which is twice as large as the light emitting portion pitch in the main scanning direction of 1200 dpi (about 21.16 μm), for example. This is an example in which the distance of the light emitting unit is used (see FIG. 5). Note that the distance between the light emitting portions of the SLED chips facing each other is a value required by design in an image writing device using a light emitting element array, and is generally an integer multiple of the light emitting portion pitch in the main scanning direction. . At this time, as shown in FIGS. 19A and 19B, the distance from the end surface of the SLED chip to the center of the light emitting portion is 27 μm. The bonding height is exemplified as 50 μm in FIG. 19A and 100 μm in FIG. 19B, but is defined as a required height in terms of the structure of the light emitting element array. In the case of stitch bonding (FIG. 19A), the height of the stray light prevention wall 52 is preferably 15 μm or more. In the case of ball bonding (FIG. 19B), the height of the stray light prevention wall 52 is 30 μm or more. Is preferred.

従って、図20に示すように、発光部からボンディングワイヤを見上げた角度(仰角θs)は、互いに向き合うSLEDチップの発光部の距離として所定の値が要求される場合に、迷光防止壁52として必要とされる高さが定まることになる。このように、SLEDチップに樹脂パターンを設けるための成形型を、極めて容易に構成させることができる。   Therefore, as shown in FIG. 20, the angle (elevation angle θs) when looking up the bonding wire from the light emitting portion is necessary as the stray light prevention wall 52 when a predetermined value is required as the distance between the light emitting portions of the SLED chips facing each other. The height is determined. Thus, the mold for providing the resin pattern on the SLED chip can be configured very easily.

以上の各実施例は、発光素子アレイチップについて説明した。本実施例は、このような発光素子アレイチップを用いた光書込みヘッドについて説明する。   In each of the above embodiments, the light emitting element array chip has been described. In this embodiment, an optical writing head using such a light emitting element array chip will be described.

図21に、本発明の発光素子アレイを用いた光書込みヘッドの一例を示す。光書込みヘッド100のチップ実装基板70上に、発光素子を列状に配置した複数個の発光素子アレイチップ71が、主走査方向に実装され、この発光素子アレイチップ20の発光素子が発光する光の光路上には、主走査方向に長尺な正立等倍のロッドレンズアレイ72が、樹脂ハウジング73により固定されている。ロッドレンズアレイ72上には、感光ドラム74が設けられる。また、チップ実装基板70の下地には発光素子アレイチップ20の熱を放出するためのヒートシンク75が設けられ、ハウジング73とヒートシンク75は、チップ実装基板70を間に挟んで止め金具76により固定されている。   FIG. 21 shows an example of an optical writing head using the light emitting element array of the present invention. A plurality of light emitting element array chips 71 in which light emitting elements are arranged in a row are mounted on the chip mounting substrate 70 of the optical writing head 100 in the main scanning direction, and light emitted from the light emitting elements of the light emitting element array chip 20 is emitted. An erecting equal-magnification rod lens array 72 long in the main scanning direction is fixed by a resin housing 73 on the optical path. A photosensitive drum 74 is provided on the rod lens array 72. Further, a heat sink 75 for releasing heat of the light emitting element array chip 20 is provided on the base of the chip mounting substrate 70, and the housing 73 and the heat sink 75 are fixed by a fastener 76 with the chip mounting substrate 70 interposed therebetween. ing.

次に、このような光書込みヘッドを用いた光プリンタについて説明する。光プリンタの基本構造を、図22に示す。光プリンタには、光書込みヘッド100が設置される。円筒形の感光ドラム102の表面に、アモルファスSi等の光導電性を持つ材料(感光体)が作られている。このドラムは、プリントの速度で回転している。回転しているドラムの感光体表面を、帯電器104で一様に帯電させる。そして、光書込みヘッド100で、印字するドットイメージの光を感光体上に照射し、光の当たったところの帯電を中和し、潜像を形成する。続いて、現像器106で感光体上の帯電状態にしたがって、トナーを感光体上につける。そして、転写器108でカセット110中から送られてきた用紙112上に、トナーを転写する。用紙は、定着器114にて熱等を加えられ定着され、スタッカ116に送られる。一方、転写の終了したドラムは、消去ランプ118で帯電が全面にわたって中和され、清掃器120で残ったトナーが除去される。   Next, an optical printer using such an optical writing head will be described. The basic structure of the optical printer is shown in FIG. An optical writing head 100 is installed in the optical printer. A photoconductive material (photosensitive member) such as amorphous Si is formed on the surface of the cylindrical photosensitive drum 102. The drum rotates at the printing speed. The surface of the photosensitive drum of the rotating drum is uniformly charged by the charger 104. Then, the optical writing head 100 irradiates the photosensitive member with the light of the dot image to be printed, neutralizes the charge where the light hits, and forms a latent image. Subsequently, the developing device 106 applies toner to the photoconductor according to the charged state on the photoconductor. The transfer device 108 transfers the toner onto the paper 112 sent from the cassette 110. The sheet is heated and fixed by the fixing device 114 and sent to the stacker 116. On the other hand, the drum that has been transferred is neutralized by the erasing lamp 118 over the entire surface, and the remaining toner is removed by the cleaner 120.

このような光書込みヘッドは、プリンタのみならずファクシミリ、複写機にも利用することができる。図23は、ファクシミリまたは複写機の基本構造を示す。図22と同一の構成要素には、同一の参照番号を付して示す。   Such an optical writing head can be used not only for printers but also for facsimile machines and copying machines. FIG. 23 shows the basic structure of a facsimile or copying machine. The same components as those in FIG. 22 are denoted by the same reference numerals.

紙送りローラ130で搬送される読取り原稿122に光源124から光を照射し、反射光を結像レンズ126を介して、イメージセンサ128で受光する。イメージセンサ128の出力に基づいて、光書込みヘッド100の発光素子アレイ(発光素子アレイチップ20を含む)が点灯し、ロッドレンズアレイ72を介して感光ドラム102に照射される。用紙112への印字は、光プリンタで説明したとおりである。   Light is emitted from the light source 124 to the read original 122 conveyed by the paper feed roller 130, and the reflected light is received by the image sensor 128 through the imaging lens 126. Based on the output of the image sensor 128, the light emitting element array (including the light emitting element array chip 20) of the optical writing head 100 is turned on and irradiated to the photosensitive drum 102 via the rod lens array 72. Printing on the paper 112 is as described for the optical printer.

従来の発光素子アレイチップのワイヤボンディングを示す図である。It is a figure which shows the wire bonding of the conventional light emitting element array chip. 自己走査型発光素子アレイの等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of a self-scanning light emitting element array. 自己走査型発光素子アレイチップのワイヤボンディングを示す図である。It is a figure which shows the wire bonding of a self-scanning light emitting element array chip. 迷光の発生を示す図である。It is a figure which shows generation | occurrence | production of a stray light. SLEDチップの千鳥配列を示す図である。It is a figure which shows the staggered arrangement of an SLED chip. 漏れ光の発生を示す図である。It is a figure which shows generation | occurrence | production of leak light. 本発明の発光素子アレイチップの一実施例を示す図である。It is a figure which shows one Example of the light emitting element array chip | tip of this invention. 本発明の発光素子アレイチップの一実施例を示す図である。It is a figure which shows one Example of the light emitting element array chip | tip of this invention. 本発明の発光素子アレイチップの一実施例を示す図である。It is a figure which shows one Example of the light emitting element array chip | tip of this invention. 本発明の発光素子アレイチップの一実施例を示す図である。It is a figure which shows one Example of the light emitting element array chip | tip of this invention. 本発明の発光素子アレイチップの一実施例を示す図である。It is a figure which shows one Example of the light emitting element array chip | tip of this invention. 本発明による一実施例の発光素子アレイチップを形成したウェハの概略図である。It is the schematic of the wafer in which the light emitting element array chip | tip of one Example by this invention was formed. 本発明による一実施例の発光素子アレイチップを示す図である。1 is a view showing a light emitting device array chip according to an embodiment of the present invention. 本発明による一実施例の発光素子アレイチップを示す図である。1 is a view showing a light emitting device array chip according to an embodiment of the present invention. 本発明による一実施例の発光素子アレイチップを示す図である。1 is a view showing a light emitting device array chip according to an embodiment of the present invention. 本発明による一実施例の発光素子アレイチップを示す図である。1 is a view showing a light emitting device array chip according to an embodiment of the present invention. 本発明による一実施例の発光素子アレイチップを示す図である。1 is a view showing a light emitting device array chip according to an embodiment of the present invention. 本発明による一実施例の発光素子アレイチップを示す図である。1 is a view showing a light emitting device array chip according to an embodiment of the present invention. 本発明による一実施例の発光素子アレイチップを示す図である。1 is a view showing a light emitting device array chip according to an embodiment of the present invention. 発光部からボンディングワイヤを見上げた角度と迷光防止壁の高さとの間の関係を表す図である。It is a figure showing the relationship between the angle which looked up at the bonding wire from the light emission part, and the height of a stray light prevention wall. 光書込みヘッドの構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of an optical writing head. 光プリンタの基本構造を示す図である。It is a figure which shows the basic structure of an optical printer. ファクシミリまたは複写機の基本構造を示す図である。It is a figure which shows the basic structure of a facsimile or a copying machine.

符号の説明Explanation of symbols

12 ボンディングパッド
14 金ワイヤ
16 発光部
18 金ボール
50 マイクロレンズ
52 迷光防止壁
54 迷光防止壁の側面
64 ベース層
66 ベース層の側面
100 光書込みヘッド
12 Bonding pad 14 Gold wire 16 Light emitting portion 18 Gold ball 50 Micro lens 52 Stray light prevention wall 54 Side surface 64 of stray light prevention wall Side surface 100 of base layer Optical writing head

Claims (15)

ボンディングパッドを含むチップの表面の少なくとも一部分が樹脂パターンで被覆されている、発光素子アレイチップ。   A light emitting element array chip, wherein at least a part of a surface of a chip including a bonding pad is covered with a resin pattern. 前記樹脂パターンは、前記ボンディングパッド以外のチップ表面を被覆している、請求項1に記載の発光素子アレイチップ。   The light emitting element array chip according to claim 1, wherein the resin pattern covers a chip surface other than the bonding pads. 前記樹脂パターンの少なくとも1つの側面が粗面になっている、請求項1または2に記載の発光素子アレイチップ。   The light emitting element array chip according to claim 1, wherein at least one side surface of the resin pattern is a rough surface. 前記樹脂パターンの上面が粗面になっている、請求項1,2または3に記載の発光素子アレイチップ。   The light emitting element array chip according to claim 1, wherein an upper surface of the resin pattern is a rough surface. チップの発光部上の前記樹脂パターンの一部が、マイクロレンズを形成している、請求項1〜4のいずれかに記載の発光素子アレイチップ。   The light emitting element array chip according to any one of claims 1 to 4, wherein a part of the resin pattern on the light emitting portion of the chip forms a microlens. 前記樹脂パターンの一部は、チップの発光部と前記ボンディングパッドとの間に設けられ、前記発光部からの光が前記ボンディングパッド上に形成されたボールおよびワイヤへ入射するのを遮蔽する高さを有する請求項1に記載の発光素子アレイチップ。   A part of the resin pattern is provided between a light emitting portion of a chip and the bonding pad, and is a height that shields light from the light emitting portion from entering a ball and a wire formed on the bonding pad. The light emitting element array chip according to claim 1, comprising: 自己走査型発光素子アレイチップである、請求項1に記載の発光素子アレイチップ。   The light emitting element array chip according to claim 1, which is a self-scanning light emitting element array chip. 自己走査型発光素子アレイチップが千鳥配列され、隣接する一方のチップの発光部に他方のチップのボンディングパッドとが対向する場合に、他方のチップには、前記発光部と前記ボンディングパッドとの間に前記樹脂パターンの一部は、前記発光部からの光が前記ボンディングパッド上に形成されたボールおよびワイヤへの入射するのを遮蔽する高さを有する、請求項7に記載の発光素子アレイチップ。   When the self-scanning light emitting element array chips are arranged in a staggered manner and the bonding pad of the other chip faces the light emitting part of one adjacent chip, the other chip has a space between the light emitting part and the bonding pad. 8. The light emitting element array chip according to claim 7, wherein a part of the resin pattern has a height that blocks light from the light emitting part from being incident on a ball and a wire formed on the bonding pad. 9. . 前記発光部と前記ボンディングパッドとの間に設けられた前記樹脂パターン一部の側面が粗面になっており、前記発光部からの光を散乱させる、請求項8に記載の発光素子アレイチップ。   The light emitting element array chip according to claim 8, wherein a side surface of a part of the resin pattern provided between the light emitting unit and the bonding pad is a rough surface and scatters light from the light emitting unit. 前記他方のチップの樹脂パターンは、前記発光部から前記ボンディングパッド上のワイヤに入射する光を遮蔽する前記樹脂パターンの一部、前記マイクロレンズ及び前記マイクロレンズの周囲部分に位置する樹脂面からなり、各チップの表面における前記樹脂パターンの一部及び前記樹脂面の双方が占める面積は、前記マイクロレンズが占める面積より大きいことを特徴とする、請求項8に記載の発光素子アレイチップ。   The resin pattern of the other chip is composed of a part of the resin pattern that shields light incident on the wire on the bonding pad from the light emitting part, the resin surface located in the peripheral part of the microlens and the microlens. 9. The light emitting device array chip according to claim 8, wherein an area occupied by both a part of the resin pattern and the resin surface on the surface of each chip is larger than an area occupied by the microlens. 前記樹脂パターンの一部は、レンチキュラ状又は前記マイクロレンズと同一形状で形成することを特徴とする請求項10に記載の発光素子アレイチップ。   The light emitting device array chip according to claim 10, wherein a part of the resin pattern is formed in a lenticular shape or the same shape as the microlens. 請求項1〜11のいずれかに記載の発光素子アレイチップを有する光書込みヘッド。   An optical writing head comprising the light emitting element array chip according to claim 1. 請求項12に記載の光書込みヘッドを備える光プリンタ。   An optical printer comprising the optical writing head according to claim 12. 請求項12に記載の光書込みヘッドを備えるファクシミリ。   A facsimile comprising the optical writing head according to claim 12. 請求項12に記載の光書込みヘッドを備える複写機。   A copying machine comprising the optical writing head according to claim 12.
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