JP2009192666A - 電気光学装置、駆動回路および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】容量線１３２の電圧を変化させる構成において表示むらを抑える。
【解決手段】容量線１３２は、１〜３２０行のそれぞれに対応して設けられ、容量線駆動
回路１５０は、１〜３２０行のそれぞれにおいてＴＦＴ１５１、１５２、１５３、１５４
、１７１の組を有する。各走査線は予備書込および本書込のために２回選択される。ここ
で、ｉ行目の走査線１１２が選択されるとき、ｉ行目のＴＦＴ１５１がオン、ＴＦＴ１５
２がオフし、当該走査線の選択が終了した後にＴＦＴ１５１をオフ、ＴＦＴ１５２をオン
させてｉ行目の容量線１３２を電圧変化させる。ｉ行目の走査線１１２が選択されるとき
、ｉ行目のＴＦＴ１７１がオンしてｉ行目の容量線１３２は検出線に接続される。このと
き、容量信号出力回路は、検出線の電圧が目標信号の電圧となるように制御した容量信号
Ｖc1を第１給電線１８１に供給する。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶などの電気光学装置において容量線の電圧を変化させる場合に、横方向
に発生する表示むらを抑える技術に関する。

液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量が設けら
れる。この画素容量を駆動するに際し、データ線に供給されるデータ信号の電圧振幅を狭
めるために、画素容量に並列して蓄積容量を設けるとともに、各行において蓄積容量を共
通接続した容量線を、走査線の選択に同期させて２値電圧で駆動することにより、データ
信号の電圧振幅を狭める技術が提案されている（特許文献１参照）。
特開２００１−８３９４３号公報参照

ところで、この技術では、画素容量への電圧書き込み時において、容量線の電圧が、ノ
イズ等の重畳によって所定の電圧から乖離してしまうと、当該容量線に対応した画素は、
目的とする階調とならなくなる。１行の容量線には多数の画素に対応しており、これらの
画素がすべて目標とする階調にならなくなるので、表示ムラが容量線・走査線の延在方向
である横方向に沿って現れることになる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的の１つは、容量線を２値
電圧で駆動する構成において、横方向に発生する表示むらを抑える技術を提供することに
ある。

上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数の走査線と
、複数のデータ線と、前記複数の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、前記複数
の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一端が前記データ
線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間でオン状
態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、
他端がコモン電極に接続された画素容量と、前記画素容量の一端と前記走査線に対応して
設けられた容量線との間に電気的に介挿された蓄積容量と、を含む画素と、を有する電気
光学装置の駆動回路であって、前記複数の走査線のうち、１行を予備書込のために、他の
１行を本書込のために、それぞれ選択するとともに、選択する２行の走査線を順番に移行
させる走査線駆動回路と、前記容量線の各々に対応して第１トランジスタ、第２トランジ
スタ、および検出トランジスタの組を有し、一の容量線に対応する前記第１トランジスタ
のソース電極は、第１給電線または第２給電線のいずれか一方に接続され、前記一の容量
線に対応する前記第２トランジスタのソース電極は、前記第１給電線または前記第２給電
線のいずれか他方に接続され、前記一の容量線に対応する前記第１トランジスタおよび前
記第２のトランジスタのドレイン電極同士が当該一の容量線に接続され、前記一の容量線
に対応する前記検出トランジスタは、そのゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線
に接続され、そのソース電極が当該一の容量線に接続され、そのドレイン電極が検出線に
接続され、前記一の容量線に対応する一の走査線が前記本書込のために選択される期間に
、前記第１または第２トランジスタのいずれか一方がオン状態になり、当該一の走査線に
おける本書込のための選択が終了した後に、前記第１トランジスタまたは前記第２トラン
ジスタのいずれか他方がオン状態になって、当該一の容量線を所定値だけ電圧変化させる
容量線駆動回路と、前記一の容量線に対応する一の走査線が選択されたときに、前記検出
線の信号により前記一の容量線が目標信号の電圧となるように当該一の容量線の電圧を制
御する容量信号出力回路と、本書込のために選択された走査線に対応する画素に対し、当
該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動
回路と、を具備することを特徴とする。
この発明によれば、一の容量線は、自身に対応する走査線が終了すると、第１または第
２電圧の一方から他方へと電圧変化する。このときに、蓄積容量に蓄積された電荷が画素
容量に再配分されるので、画素容量に対して、データ信号に応じた値以上の電圧を保持さ
せることができる。

本発明において、前記容量線駆動回路は、前記容量線の各々に対応して、さらに第３お
よび第４トランジスタを有し、前記一の容量線に対応する前記第３トランジスタは、その
ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、そのソース電極が前記第２ト
ランジスタをオフさせる電圧が給電されるオフ電圧給電線に接続され、前記一の容量線に
対応する前記第４トランジスタは、そのゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線か
ら所定行離間した走査線に接続され、そのソース電極が前記第２トランジスタをオンさせ
る電圧が給電されるオン電圧給電線に接続され、前記一の容量線に対応する前記第３およ
び第４のトランジスタのドレイン電極同士が当該一の容量線に対応する第２トランジスタ
のゲート電極に接続された構成としても良い。
また、本発明において、一の容量線に対応する第１トランジスタのソース電極は、前記
第１給電線に接続され、前記一の容量線に対応する第２トランジスタのソース電極は、前
記第２給電線に接続され、前記容量信号出力回路は、前記一の容量線に対応する一の走査
線が選択されたときに、前記検出線の信号により前記一の容量線が目標信号の電圧となる
ように当該一の容量線の電圧を制御した容量信号を、前記第１給電線に供給する構成とし
ても良い。
この構成において、前記容量信号出力回路は、前記目標信号が非反転入力端に供給され
、出力端が前記第１給電線に接続されたオペアンプと、前記オペアンプの出力端と前記オ
ペアンプの反転入力端との間に電気的に介挿されるとともに、本書込のために走査線が選
択される期間のうち、時間的に前方の第１期間においてオンし、時間的に後方の第２期間
においてオフする第１スイッチと、前記検出線と前記オペアンプの反転入力端との間に電
気的に介挿され、前記第１期間においてオフし、前記第２期間においてオンする第２スイ
ッチと、を含む構成としても良い。この構成において第１期間では目標信号がバッファリ
ングされて第１給電線に供給される一方、第２期間では、検出線の電圧が目標信号となる
ように負帰還制御された容量信号が第１給電線に供給される。

本発明において、前記容量線駆動回路は、前記容量線の各々に対応した補助トランジス
タを有し、奇数行の容量線に対応する第１トランジスタのソース電極は、前記第１給電線
に接続され、前記奇数行の容量線に対応する第２トランジスタのソース電極は、前記第２
給電線に接続され、偶数行の容量線に対応する第１トランジスタのソース電極は、前記第
２給電線に接続され、前記偶数行の容量線に対応する第２トランジスタのソース電極は、
前記第１給電線に接続され、前記一の走査線が本書込のために選択される期間にオン状態
となる前記第１、第２トランジスタは、前記一の走査線の選択毎に交互に切り替えられ、
前記補助トランジスタは、そのゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され
、そのソース電極が第３給電線に接続され、そのドレイン電極が当該一の容量線に接続さ
れ、前記容量信号出力回路は、前記一の容量線に対応する一の走査線が選択されたときに
、前記検出線の信号により前記一の容量線が目標信号の電圧となるように制御した容量信
号を、前記第３給電線に供給する構成としても良い。さらに、前記容量線駆動回路は、前
記走査線の各々に対応した第５乃至第８トランジスタを有し、前記一の走査線に対応する
第５乃至第８トランジスタのゲート電極は、当該一の走査線に共通接続され、前記第５ト
ランジスタおよび第７トランジスタのソース電極は、論理レベルが一方である信号線に接
続され、前記第６トランジスタおよび第８トランジスタのソース電極は、前記論理レベル
の反転レベルである反転信号線に接続され、前記一の容量線に対応する前記第１トランジ
スタは、そのゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線よりも所定数だけ一方向に離
間した走査線に対応する前記第８トランジスタのドレイン電極、および、当該一の容量線
に対応する走査線よりも所定数だけ他方向に離間した走査線に対応する第５トランジスタ
のドレイン電極に接続され、前記一の容量線に対応する前記第２トランジスタは、そのゲ
ート電極が当該一の容量線に対応する走査線よりも所定数だけ一方向に離間した走査線に
対応する第７トランジスタのドレイン電極、および、当該一の容量線に対応する走査線よ
りも所定数だけ他方向に離間した走査線に対応する第６トランジスタのドレイン電極に接
続された構成としても良い。この構成によれば、走査線の選択方向が一方向および多方向
の双方向に対応することができる。
一方、前記容量線駆動回路は、前記走査線の各々に対応した第７および第８トランジス
タを有し、前記一の走査線に対応する第７および第８トランジスタのゲート電極は、当該
一の走査線に共通接続され、前記第７トランジスタのソース電極は、論理レベルが一方で
ある信号線に接続され、前記第８トランジスタのソース電極は、前記論理レベルの反転レ
ベルである反転信号線に接続され、前記一の容量線に対応する前記第１トランジスタのゲ
ート電極は、当該一の容量線に対応する走査線よりも所定数だけ一方向に離間した走査線
に対応する第８トランジスタのドレイン電極に接続され、前記一の容量線に対応する前記
第２トランジスタのゲート電極は、当該一の容量線に対応する走査線よりも所定数だけ一
方向に離間した走査線に対応する第７トランジスタのドレイン電極に接続された構成とし
ても良い。この構成によれば、走査線の選択方向が一方向のみとなるが、第５および第６
トランジスタが不要となるので、構成の簡略化を図ることができる。
なお、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、電気光学装置としても、さらに
は、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る
電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００の周辺に、走査線駆動
回路１４０や、容量線駆動回路１５０、データ線駆動回路１９０などが配置するとともに
、制御回路２０が、これらの各部をそれぞれ制御する構成となっている。

表示領域１００は、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、１行目から３
２１行目までの計３２１行の走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在するように設けられ、ま
た、２４０列のデータ線１１４が列（Ｙ）方向に延在するように設けられている。そして
、図１において最も下の３２１行目を除いた１〜３２０行目の走査線１１２と１〜２４０
列目のデータ線１１４との交差に対応して、画素１１０がそれぞれ配列している。
したがって、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００において縦３２０行×横２
４０列でマトリクス状に配列することになる。ただし、本発明をこの配列に限定する趣旨
ではない。

３２１行目の走査線１１２は、画素１１０に対応していないので、ダミー走査線として
機能する。このため、３２１行目の走査線１１２は、表示領域１００の垂直走査（走査線
に順番に選択電圧を印加する動作）において、選択されても画素１１０に対する電圧書込
にはなんら寄与しない。
なお、図１において、３２１行目の走査線１１２は、説明のために表示領域１００まで
延在されているが、延在されなくても良い。
また、１〜３２０行目の走査線１１２に対応して、それぞれ容量線１３２がＸ方向に延
在して設けられている。このため、本実施形態において、容量線１３２については、ダミ
ーとなる３２１行目の走査線１１２を除いた１〜３２０行目の走査線１１２に対応してそ
れぞれ設けられることになる。

ここで、画素１１０の詳細な構成について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す
図であり、ｉ行目及びこれに下方向で隣接する（ｉ＋１）行目と、ｊ列目及びこれに右方
向で隣接する（ｊ＋１）列目との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されてい
る。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって
、１以上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的
に示す場合の記号であって、１以上２４０以下の整数である。ここで、ｉ、（ｉ＋１）に
ついては、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合には、１以上３２０以下の整数で
あるが、走査線１１２の行を説明する場合には、ダミーである３２１行目を含める場合が
あるので１以上３２１以下の整数となる。

図２に示されるように、各画素１１０は、画素スイッチング素子として機能するｎチャ
ネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１
１６と、画素容量（液晶容量）１２０と、蓄積容量１３０とを有する。各画素１１０につ
いては互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行
ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続さ
れる一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は画
素容量１２０の一端たる画素電極１１８に接続されている。
また、画素容量１２０の他端はコモン電極１０８に接続されている。このコモン電極１
０８は、図１に示されるように全ての画素１１０にわたって共通であり、コモン信号Ｖco
mが制御回路２０から供給される。なお、本実施形態においてコモン信号Ｖcomは、時間的
に電圧ＬＣcomで一定である。
図２において、Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に
供給される走査信号を示し、また、Ｃｉ、Ｃ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目
の容量線１３２の電圧を示している。

表示領域１００は、画素電極１１８が形成された素子基板とコモン電極１０８が形成さ
れた対向基板との一対の基板同士を、電極形成面が互いに対向するように一定の間隙を保
って貼り合わせるとともに、この間隙に液晶１０５を封止した構成となっている。このた
め、画素容量１２０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とによって誘電体の一種であ
る液晶１０５を挟持したものとなり、画素電極１１８とコモン電極１０８との差電圧を保
持することになる。このような構成の画素容量１２０では、その透過光量が当該保持電圧
の実効値に応じて変化する。
なお、本実施形態では説明の便宜上、画素容量１２０において保持される電圧実効値が
ゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくな
るにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリー
ホワイトモードとする。

また、ｉ行ｊ列の画素１１０における蓄積容量１３０は、一端が画素電極１１８（ＴＦ
Ｔ１１６のドレイン電極）に接続されるとともに、他端がｉ行目の容量線１３２に接続さ
れている。ここで、画素容量１２０および蓄積容量１３０における容量値を、それぞれＣ
pixおよびＣsとする。

説明を再び図１に戻すと、制御回路２０は、各種の制御信号を出力して電気光学装置１
０における各部の制御等をするとともに、目標信号Ｖc1refを出力するとともに、第２容
量信号Ｖc2を第２給電線１８２に供給し、さらにコモン信号Ｖcomをコモン電極１０８に
供給する。
なお、制御信号や目標信号Ｖc1ref、第２容量信号Ｖc2については後述する。

表示領域１００の周辺には、上述したように、走査線駆動回路１４０や、容量線駆動回
路１５０、データ線駆動回路１９０などの周辺回路が設けられている。このうち、走査線
駆動回路１４０は、制御回路２０による制御にしたがって、１フレームの期間において、
走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１を、それぞれ１、２、３、…、３２
０、３２１行目の走査線１１２に供給するものである。
詳細には、走査線駆動回路１４０は、図５に示されるように、デューティ比５０％のク
ロック信号Ｃlyの半周期に相当するパルスを２発、Ｌレベルとなる期間を挟んだスタート
パルスＤyを、当該クロック信号Ｃlyの論理レベルが変化する毎に順次シフトして、走査
信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１として出力する。
このため、ある走査線への走査信号は、１フレームの期間において１回目のＨレベルを
迎えると、クロック信号Ｃlyの半周期の期間にわたってＬレベルとなり、次に２回目のＨ
レベルを迎えることになる。

なお、ある走査線でみたとき、当該走査線への走査信号が１フレームにおいて、１回目
にＨレベルとなる期間が予備書込のための期間であり、２回目にＨレベルとなる期間が本
書込のための期間である。ここで、予備書込とは、本書込となる前に、予め当該本書込と
同極性の電圧を書き込んでおくことをいい、本書込とは、正極性または負極性であって階
調に応じた電圧を書き込むことをいう。
また、当該走査信号がＬレベルとなる期間が非選択期間である。このため、１行の走査
線に対する本書込期間は、クロック信号Ｃlyの半周期であり、これが、当該行に対する水
平走査期間（Ｈ）に相当する。
本実施形態において１フレームの期間には、本書込のために走査信号Ｙ１がＨレベルに
なってから走査信号Ｙ３２０がＬレベルになるまでの有効走査期間Ｆaのほか、それ以外
の垂直帰線期間が含まれる。
一方、走査信号においてＨレベルは選択電圧Ｖddであり、Ｌレベルは非選択電圧Ｖssで
ある。

制御回路２０が出力する制御信号等のうち、スタートパルスＤy、クロック信号Ｃly以
外の信号について説明する。
まず、ラッチパルスＬpは、図５に示されるように、クロック信号Ｃlyの論理レベルが
変化するタイミングで出力される。上述したように、走査線駆動回路１４０は、スタート
パルスＤyをクロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすることによって、走査信号Ｙ１
、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１を出力するので、ラッチパルスＬpの出力
タイミングは、いずれかの走査信号がＨレベルとなるタイミングである。

次に、極性指定信号Ｐolは、画素容量１２０における書込極性を指定する信号である。
本実施形態において、極性指定信号Ｐolは、Ｈレベルとなったときに正極性書込を指定し
、Ｌレベルとなったときに負極性書込を指定する。
ここで、極性指定信号Ｐolは、第１実施形態では、図５に示されるように、ある１フレ
ームの期間（「ｎフレーム」と表記）において、奇数（１、３、５、…、３１９）行の本
書込期間においてＨレベルとなり、偶数（２、４、６、…、３２０）行の本書込期間にお
いてＬレベルとなる。このため、画素への書込極性が走査線毎に反転する走査線反転（ラ
イン反転）方式となる。

なお、極性指示信号Ｐolは、次の（ｎ＋１）フレームでは、奇数行の本書込期間におい
てＬレベルとなり、偶数行の本書込期間においてＨレベルとなるので、ｎフレームと比較
して各行について書込極性が反転する。このように書込極性を反転する理由は、直流成分
の印加による液晶の劣化を防止するためである。
また、本実施形態における書込極性については、画素容量１２０に対して電圧を保持さ
せる際に、コモン電極１０８に供給するコモン信号Ｖcomの電圧ＬＣcomよりも画素電極１
１８の電位を高位側とする場合を正極性といい、低位側とする場合を負極性という。
電圧については、特に説明のない限り、図示しない電源の接地電位を電圧ゼロの基準と
している。

信号Ｈfは、図５に示されるように水平走査期間（Ｈ）の２倍の期間毎に論理レベルが
反転する信号であって、奇数行と、この奇数に続く偶数行との本書込期間において同一論
理レベルとなる。詳細には、１、２、５、６、９、１０、……、３１７、３１８行目の本
書込期間においてＨレベルとなり、３、４、７、８、１１、１２、……、３１９、３２０
行目の本書込期間においてＬレベルとなる。
また、期間指定信号Ｈsは、各水平走査期間（Ｈ）の前半期間においてＨレベルとなり
、後半期間においてＬレベルとなる信号である。
したがって、信号Ｈfおよび期間指定信号Ｈsは、いずれも極性指定信号Ｐolによって指
定される書込極性とは無関係である。

続いて、目標信号Ｖc1refは、図５に示されるように、極性指定信号ＰolがＨレベルで
あるとき（すなわち正極性書込が指定されるとき）電圧Ｖslとなり、極性指定信号Ｐolが
Ｌレベルであるとき（すなわち負極性書込が指定されるとき）電圧Ｖshとなる。第２容量
信号Ｖc2は、電圧ＬＣcomで一定であって、第２給電線１８２に供給される。
ここで、電圧Ｖsl、Ｖshは、（Ｖss≦）Ｖsl＜（ＬＣcom）＜Ｖsh（≦Ｖdd）という関
係にあり、電圧Ｖslが、電圧Ｖshよりも相対的に低い電圧となっている。また、本実施形
態では、電圧Ｖslと電圧ＬＣcomとの差、および、電圧ＬＣcomと電圧Ｖshとの差をそれぞ
れΔＶとしている。このため、低位側の電圧Ｖsl、高位側のＶshとは、電圧ＬＣco mを基
準にして対称の関係にある。

なお、制御回路２０は、信号Ｖoffをオフ電圧給電線１６１に、信号Ｖonをオン電圧給
電線１６２に、それぞれ供給する。ここで、信号Ｖoff、Ｖonの波形については特に図示
しないが、信号Ｖoffは論理レベルのＬレベルで一定であって、後述するＴＦＴのゲート
電極に印加されても当該ＴＦＴがオフとなる電圧である。また、信号Ｖonは論理レベルの
Ｈレベルで一定であり、ＴＦＴのゲート電極に印加されると、当該ＴＦＴがオンとなる電
圧である。

次に、容量線駆動回路１５０について図３を参照して説明する。図３は、容量線駆動回
路１５０の構成を示す図である。
この図に示されるように、容量線駆動回路１５０は、本実施形態では、１〜３２０行の
容量線の各々に対応して設けられたｎチャネル型のＴＦＴ１５１〜１５４、１７１の組か
ら構成される。

各行の構成についてはＴＦＴ１７１のドレイン電極の接続先を除くと、互いに共通なの
で、ｉ行目で代表して説明すると、当該ｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５１（
第１トランジスタ）については、そのゲート電極が当該ｉ行目の走査線１１２に接続され
、そのソース電極が第１給電線１８１に接続され、また、当該ｉ行目のＴＦＴ１５２（第
２トランジスタ）については、そのソース電極が第２給電線１８２に接続されている。そ
して、ｉ行目のＴＦＴ１５１、１５２のドレイン電極同士がｉ行目の容量線１３２に共通
接続されている。

ｉ行目のＴＦＴ１５３（第３トランジスタ）については、そのゲート電極が当該ｉ行目
の走査線１１２に接続され、そのソース電極がオフ電圧給電線１６１に接続され、また、
ｉ行目のＴＦＴ１５４（第４トランジスタ）については、そのゲート電極が当該（ｉ＋１
行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極がオン電圧給電線１６２に接続されて、
当該ＴＦＴ１５３、１５４のドレイン電極同士が、ｉ行目のＴＦＴ１５２のゲート電極に
接続されている。

また、ｉ行目のＴＦＴ１７１（検出トランジスタ）については、そのゲート電極が当該
ｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極がｉ行目の容量線１３２に接続されて
いる。
なお、各行のＴＦＴ１７１のドレイン電極は、１、２、５、６、９、１０、……、３１
７、３１８行目については、検出線１９５ａに接続され、３、４、７、８、１１、１２、
……、３１９、３２０行目については、検出線１９５ｂに接続されている。すなわち、Ｔ
ＦＴ１７１のドレイン電極は、検出線１９５ａ、１９５ｂのいずれかに２行毎に交互に接
続されている。

このような構成において、ｉ行目の走査線１１２が選択されて、Ｈレベルとなると、当
該ｉ行目のＴＦＴ１５１のゲート電極にはオン電圧が印加される一方、ｉ行目のＴＦＴ１
５３、１５４がそれぞれオン、オフして、ｉ行目のＴＦＴ１５２のゲート電極にはオフ電
圧が印加されるので、当該ＴＦＴ１５１、１５２がそれぞれオン、オフする。このため、
ｉ行目の容量線１３２は第１給電線１８１に接続される。
次に、（ｉ＋１）行目の走査線１１２が選択されて、Ｈレベルとなると、ｉ行目のＴＦ
Ｔ１５１がオフする一方、ｉ行目のＴＦＴ１５３、１５４がそれぞれオフ、オンして、ｉ
行目のＴＦＴ１５２のゲート電極にはオン電圧が印加されるので、当該ＴＦＴ１５１、１
５２がそれぞれオフ、オンに切り替わる。このため、ｉ行目の容量線１３２は第２給電線
１８２に接続される。
また、ｉ行目の走査線１１２が選択されて、Ｈレベルとなると、当該ｉ行目のＴＦＴ１
７１がオンするので、ｉ行目の容量線１３２における実際の電圧が、検出線１９５ａ、１
９５ｂのうち、ドレイン電極が接続された方に現れる。

図１において、スイッチ４０は、双投型であり、一方の端子が検出線１９５ａに、他方
の端子が検出線１９５ｂに、それぞれ接続されている。また、共通端子は、検出線１９５
に接続されている。スイッチ４０は、信号ＨfがＨレベルであれば検出線１９５ａを選択
し、信号ＨfがＬレベルであれば検出線１９５ｂを選択して、それぞれ選択した検出線を
さらに検出線１９５に接続する。

次に、容量信号出力回路３０について図４を参照して説明する。図４は、容量信号出力
回路３０の構成を示す図である。
この図に示されるように、容量信号出力回路３０は、オペアンプ３００と、スイッチ３
１１、３１２と、ＮＯＴ回路３１５と、抵抗素子３１６とを有する。
オペアンプ３００の出力端は、第１給電線１８１およびスイッチ３１１の一端に接続さ
れ、検出線１９５がスイッチ３１２の一端に接続されている。スイッチ３１１、３１２の
他端は、オペアンプ３００の反転入力端（−）にそれぞれ共通接続されている。換言すれ
ば、スイッチ３１１（第１スイッチ）は、オペアンプ３００の出力端（第１給電線１８１
）と反転入力端（−）との間に電気的に介挿され、スイッチ３１２（第２スイッチ）は、
検出線１９５と反転入力端（−）との間に電気的に介挿されている。

一方、オペアンプ３００の非反転入力端（＋）には、制御回路２０からの目標信号Ｖc1
refが供給される。オペアンプ３００の出力端と反転入力端（−）との間にはスイッチ３
１１のほか、抵抗素子３１６が挿入されている。
スイッチ３１１、３１２は、制御回路２０から供給される期間指定信号Ｈsの論理レベ
ルに応じて互いに排他的にオンオフする。詳細には、スイッチ３１１、３１２は、期間指
定信号ＨsがＨレベルであれば、それぞれオン、オフし、期間指定信号ＨsがＬレベルであ
れば、それぞれオフ、オンする。

上述したように期間指定信号Ｈsは、１行の走査線に選択電圧が印加される水平走査期
間Ｈのうち、前方の期間ＨaにおいてＨレベルとなる。期間指定信号ＨsがＨレベルとなる
と、スイッチ３１１、３１２がそれぞれオン、オフするので、オペアンプ３００は、ボル
テージフォロワ回路となる。このため、期間Ｈaにおいて容量信号出力回路３０は、目標
信号Ｖc1refの電圧をそのままバッファリングして第１容量信号Ｖc1として、第１給電線
１８１に出力することになる。
次に、期間指定信号Ｈsは、水平走査期間Ｈのうち、後半の期間ＨbにおいてＬレベルと
なる。期間指定信号ＨsがＬレベルとなると、スイッチ３１１、３１２がそれぞれオフ、
オンして、検出線１９５の電圧がオペアンプ３００の反転入力端（−）に帰還される。こ
のため、期間Ｈbにおいて、容量信号出力回路３０は、検出線１９５の電圧が、言い換え
れば、当該容量線１３２の電圧が目標信号Ｖc 1refの電圧となるように制御した第１容量
信号Ｖc1を出力することになる。

詳細には、ｉ行目の本書込期間では、ｉ行目の走査線がＨレベルとなるので、ｉ行目の
ＴＦＴ１７１がオンする。ここで、ｉが１、２、５、６、９、１０、……、３１７、３１
８であれば、当該ｉ行目の容量線１３２が検出線１９５ａに接続されるとともに、信号Ｈ
fがＨレベルとなるので、スイッチ４０によって検出線１９５ａが検出線１９５に接続さ
れる。このため、当該ｉ行目の本書込期間において、検出線１９５にはｉ行目の容量線１
３２における実際の電圧が現れるので、容量信号出力回路３０は、当該本書込期間のうち
、後半期間Ｈbにわたって、ｉ行目の容量線１３２が目標信号Ｖc1refの電圧となるように
負帰還制御することになる。
一方、ｉが３、４、７、８、１１、１２、……、３１９、３２０であれば、当該ｉ行目
の容量線１３２が検出線１９５ｂに接続されるとともに、信号ＨfがＬレベルとなるので
、スイッチ４０によって検出線１９５ｂが検出線１９５に接続される。このため、当該ｉ
行目の本書込期間の後半期間Ｈbにわたって、容量信号出力回路３０は、ｉ行目の走査線
が選択される水平走査期間のうち、ｉ行目の容量線１３２が目標信号Ｖc1refの電圧とな
るように負帰還制御することになる。

データ線駆動回路１９０は、原則として、走査線駆動回路１４０によって走査信号がＨ
レベルとなる走査線のうち、本書込期間となる走査線に位置する画素１１０に対して、階
調レベルに応じた電圧であって、かつ、極性指示信号Ｐolで指定された極性に応じた電圧
（この電圧の詳細については後述する）のデータ信号をデータ線１１４に供給するもので
ある。
ただし、データ線駆動回路１９０は、例外として、１、２行目の走査線が本書込期間と
なる前であって、１、２行目の走査線の予備書込期間においては、事後の本書込期間にお
ける同一の階調レベルおよび同一極性の電圧信号を、データ信号としてデータ線１１４に
供給する。なお、１、２行目の走査線の予備書込期間においては、事後の本書込期間にお
ける他の階調レベルであって、同一極性の電圧信号をデータ信号としてデータ線１１４に
供給しても良い。
ここで、データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応
した記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１０の階調
レベル（明るさ）を指定する表示データＤaが記憶される。各記憶領域に記憶される表示
データＤaは、表示内容に変更が生じた場合に、制御回路２０によって変更後の表示デー
タＤaが供給されて記憶領域の内容が書き換えられる。
データ線駆動回路１９０は、選択走査線に位置する画素１１０の表示データＤaを記憶
領域から１行分読み出すとともに、当該読み出した表示データで指定された階調レベルお
よび指定された極性に応じた電圧のデータ信号に変換し、データ線１１４に供給する動作
を、選択走査線位置する１〜２４０列のそれぞれについて実行する。
なお、データ線駆動回路１９０は、ラッチパルスＬpを１フレームの期間にわたってカ
ウントし続けることによって何行目の走査信号がＨレベルとなるのか、および、ラッチパ
ルスＬpの供給タイミングによってＨレベルとなる期間の開始タイミングを知る。

次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
各フレームにおいて、走査線駆動回路１４０は、走査信号Ｙ１、Ｙ２を順番にＨレベル
とした後、Ｙ３およびＹ１の組、Ｙ４およびＹ２の組、…、Ｙ３２１およびＹ３１９の組
を順番に同時にＨレベルとし、さらにＹ３２０、Ｙ３２１を順番にＨレベルとする。
このため、１、２、３、…、３２０行の順番で予備書込がそれぞれ実行されるとともに
、予備書込の後、水平走査期間（Ｈ）をおいて本書込が順番で実行される。

そこで、ｎフレームにおける１〜３２０行目の動作について、一般的なｉ行目に着目し
て、このｉ行目の画素への書込動作について説明する。なお便宜的にｉを奇数とすると、
ｎフレームにおいて奇数ｉ行目については予備書込期間および本書込期間において極性指
定信号がＨレベルとなるので、いずれの期間においても正極性書込が指定される。

まず、ｉ行目では予備書込が実行される。このため、走査信号ＹｉがＨレベルとなる。
走査信号ＹｉがＨレベルになると、ｉ行目のＴＦＴ１５１、１５３および１７１がオンす
るので、ｉ行目の容量線１３２が第１給電線１８１に接続される。このとき、第１給電線
１８１に供給される第１容量信号Ｖc1は、走査信号ＹｉがＨレベルとなる期間のうち前半
期間では目標信号Ｖc1refの電圧Ｖslをバッファリングした電圧であり、後半期間ではｉ
行目の容量線１３２が目標信号Ｖc1refの電圧Ｖslとなるように負帰還制御した電圧であ
るから、走査信号ＹｉがＨレベルとなる期間においてｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは
電圧Ｖslになると考えて良い。
なお、走査信号ＹｉがＨレベルであると、ｉ行１列〜ｉ行２４０列の画素におけるＴＦ
Ｔ１１６がオンする。ただし、ｉ行目は予備書込であって、本書込は、２行上の（ｉ−２
）行目で実行されるので、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０は、（ｉ−２）行１列〜（ｉ−２）
行２４０列の画素の階調レベルに応じた正極性の電圧となる。

次に、ｉ行目の本書込の前に、一旦、走査信号ＹｉがＬレベルになるとともに、（ｉ＋
１）行目の予備書込のために走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとなる。走査信号ＹｉがＬ
レベルになると、ｉ行目のＴＦＴ１５１、１５３および１７１がオフし、走査信号Ｙ（ｉ
＋１）がＨレベルになると、ｉ行目のＴＦＴ１５４がオンする。このため、ｉ行目の容量
線１３２が第２給電線１８２に接続されて、電圧ＬＣcomとなる。
なお、走査信号ＹｉがＬレベルであると、ｉ行１列〜ｉ行２４０列の画素におけるＴＦ
Ｔ１１６がオフするので、電荷が再配分される。ただし、この直後に本書込がなされるの
で、ｉ行目とは無関係な電圧の書き込みおよび再配分による影響は、無視している。
また、（ｉ＋１）行目の予備書込は、（ｉ−１）行目の本書込と同時に実行されるが、
（ｉ−１）行目の走査線の選択は、ｉ行目の容量線になんら影響を与えない。

続いて、ｉ行目では本書込が実行される。このため、走査信号ＹｉがＨレベルとなる。
走査信号ＹｉがＨレベルとなる期間においてｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、上述し
た予備書込と同様な理由から、電圧Ｖslになる。
一方、ｉ行目の本書込期間において、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０は、ｉ行１列〜ｉ行２
４０列の画素の階調レベルに応じた正極性の電圧となる。走査信号ＹｉがＨレベルになる
と、ｉ行１列〜ｉ行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンする。このため、ｉ行ｊ
列の画素においては、正極性のデータ信号Ｘｊが画素容量１２０の一端（画素電極１１８
）と蓄積容量１３０の一端とにそれぞれ印加される。コモン電極１０８は電圧ＬＣcomで
あり、ｉ行目の容量線１３２は電圧Ｖslであるので、このときのデータ信号Ｘｊの電圧を
Ｖｊとすれば、走査信号ＹｉがＨレベルとなる期間において、図６（ａ）に示されるよう
に、ｉ行ｊ列の画素容量１２０に電圧（Ｖｊ−ＬＣcom）が充電され、蓄積容量１３０に
電圧（Ｖｊ−Ｖsl）が充電される。
なお、ｉ行目の本書込は、（ｉ＋２）行目の予備書込と同時に実行される。（ｉ＋２）
行目の予備書込はｉ行目の本書込の影響を受けるが、その逆に、ｉ行目の本書込は（ｉ＋
２）行目の予備書込の影響を受けない。

次に、ｉ行目の本書込の後に、走査信号ＹｉがＬレベルになるとともに、（ｉ＋１）行
目の本書込のために走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとなる。走査信号ＹｉがＬレベルに
なると、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、上述した予備書込と同様な理由から、電圧
Ｖslから電圧ＬＣcomになって、電圧ΔＶだけ上昇する。
このため、ｉ行ｊ列の画素では、図６（ｂ）に示されるように、画素容量１２０と蓄積
容量１３０との直列接続において、画素容量１２０の他端（コモン電極）が電圧ＬＣcom
に保たれたまま、蓄積容量１３０の他端が電圧Ｖslから電圧Ｖshに電圧ΔＶだけ上昇する
ので、電荷の再配分により画素電極１１８の電圧も上昇する。

詳細には、当該直列の接続点である画素電極１１８の電圧は、
Ｖｊ＋｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝・ΔＶ
となり、走査信号ＹｉがＨレベルであったときのデータ信号の電圧Ｖｊよりも、ｉ行目
の容量線１３２の電圧変化分ΔＶに、画素容量１２０および蓄積容量１３０の容量比｛Ｃ
s／（Ｃs＋Ｃpix）｝を乗じた値だけ上昇することになる。
換言すれば、ｉ行目の容量線１３２の電圧ＣｉがΔＶだけ上昇すると、画素電極１１８
の電圧は、走査信号ＹｉがＨレベルであったときに書き込まれたデータ信号の電圧Ｖｊよ
りも、｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝・ΔＶ（＝ΔＶpixとする）だけ上昇することになる。
なお、各部の寄生容量は無視している。
また、（ｉ＋１）行目の本書込は、（ｉ＋３）行目の予備書込と同時に実行されるが、
（ｉ＋３）行目の予備書込はｉ行目になんら影響を与えない。

そして、（ｉ＋２）行目の本書込のために、走査信号Ｙ（ｉ＋２）がＨレベルとなり、
走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＬレベルになる。走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＬレベルになると、ｉ
行目のＴＦＴ１５４がオフする。このため、ｉ行目のＴＦＴ１５２のゲート電極は、電気
的にどの部分にも接続されないハイ・インピーダンス状態となるが、寄生容量によって、
直前のオン電圧を保持するので、ｉ行目のＴＦＴ１５２はオンを維持する。これにより、
ｉ行目の容量線１３２は、第２給電線１８２に接続された状態を保つので、ｉ行目の容量
線１３２の電圧Ｃｉは、第２容量信号Ｖc2の電圧ＬＣcomを維持することになる。
以後、本実施形態においてｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、再度、走査信号Ｙｉが
Ｈレベルとなるまで、電圧ＬＣcomに維持されるので、画素容量１２０によって保持され
る電圧は、電圧ΔＶpixだけ上昇した画素電極１１８の電圧とコモン電極１０８の電圧Ｌ
Ｃcomとの差電圧ということになる。

ここで、データ線駆動回路１９０は、正極性の本書込が指定されたときのデータ信号Ｘ
ｊを、画素電極１１８が電圧ΔＶpixだけ上昇することを見越した電圧とする。すなわち
、データ線駆動回路１９０は、データ信号Ｘｊを、上昇後の画素電極１１８の電圧がコモ
ン電極１０８の電圧ＬＣcomよりも高位であって両者の差電圧がｉ行ｊ列の階調に応じた
値となるような電圧とする。
詳細には、図７に示されるように、電圧ΔＶpixだけ上昇したときに、画素電極は、白
色ｗに相当する電圧Ｖw(+)から黒色ｂに相当する電圧Ｖb(+)までの範囲ｃであって、階調
が低く（暗く）なるにつれて電圧Ｖw(+)から高位側の電圧となるので、電圧ΔＶpixだけ
上昇する前に画素電極に印加すべきデータ信号は、範囲ｃをΔＶpixだけ下降させた範囲
ｄであって、低い階調を指定するにつれて高位側とした電圧となる。

このように、ｎフレームにおいて、ｉ行目でみたときに、当該ｉ行目の容量線１３２の
電圧Ｃｉは、予備書込期間において電圧Ｖslとなり、予備書込期間の後であって本書込期
間の前において電圧ＬＣcomとなり、本書込期間において再び電圧Ｖslとなり、本書込期
間の後において電圧ＬＣcomを維持する。

次に、同じｎフレームにおいて、ｉ行目に続く（ｉ＋１）行目に着目して、この（ｉ＋
１）行目の画素への書込動作について説明する。便宜的にｉを奇数としているから、（ｉ
＋１）は偶数となる。このため、ｎフレームにおいて偶数（ｉ＋１）行目については予備
書込期間および本書込期間において極性指定信号がＬレベルとなるので、いずれの期間に
おいても負極性書込が指定されることになる。

したがって、（ｉ＋１）行目でみたときに、ｉ行目から極性反転するので、当該（ｉ＋
１）行目の容量線１３２の電圧Ｃ（ｉ＋１）は、予備書込期間において電圧Ｖshとなり、
予備書込期間の後であって本書込期間の前において電圧ＬＣcomとなり、本書込期間にお
いて電圧Ｖshとなり、本書込期間の後において電圧ＬＣcomを維持する。
このうち、（ｉ＋１）行目の本書込期間および当該本書込期間の後の状態について説明
すると、まず、（ｉ＋１）行目の本書込期間において、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０は、（
ｉ＋１）行１列〜（ｉ＋１）行２４０列の画素の階調レベルに応じた負極性の電圧となる
。走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになると、（ｉ＋１）行１列〜（ｉ＋１）行２４０列
の画素におけるＴＦＴ１１６がオンする。このため、ｉ行ｊ列の画素においては、負極性
のデータ信号Ｘｊが画素容量１２０の一端（画素電極１１８）と蓄積容量１３０の一端と
にそれぞれ印加される。コモン電極１０８は電圧ＬＣcomであり、（ｉ＋１）行目の容量
線１３２は電圧Ｖshであるので、このときのデータ信号Ｘｊの電圧をＶｊとすれば、走査
信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとなる期間においては、図６（ｃ）に示されるように、ｉ行
ｊ列の画素容量１２０に電圧（ＬＣcom−Ｖｊ）が充電され、蓄積容量１３０に電圧（Ｖs
h−Ｖｊ）が充電される。

次に、（ｉ＋１）行目の本書込期間の後において、（ｉ＋２）行目の走査信号がＨレベ
ルになると、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＬレベルとなるから、（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１１
６がオフし、（ｉ＋１）行目の容量線１３２の電圧Ｃ（ｉ＋１）は、電圧Ｖshから電圧Ｌ
Ｃcomとなって、電圧ΔＶだけ下降する。
このため、（ｉ＋１）行ｊ列の画素では、図６（ｄ）に示されるように、画素容量１２
０と蓄積容量１３０との直列接続において、画素容量１２０の他端（コモン電極）が電圧
ＬＣc omに保たれたまま、蓄積容量１３０の他端が電圧ΔＶだけ下降するので、電荷の再
配分により画素電極１１８の電圧も下降する。

詳細には、当該直列の接続点である画素電極１１８の電圧は、
Ｖｊ−｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝・ΔＶ
となり、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルであったときのデータ信号の電圧Ｖｊよりも
、ｉ行目の容量線１３２の電圧変化分ΔＶに、画素容量１２０および蓄積容量１３０の容
量比｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝を乗じた値だけ下降することになる。
換言すれば、（ｉ＋１）行目の容量線１３２の電圧Ｃ（ｉ＋１）がΔＶだけ下降すると
、画素電極１１８の電圧は、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルであったときに書き込まれ
たデータ信号の電圧Ｖｊよりも、ΔＶpixだけ下降することになる。
以後、本実施形態において（ｉ＋１）行目の容量線１３２の電圧Ｃ（ｉ＋１）は、再度
、走査信号ＹｉがＨレベルとなるまで、電圧ＬＣcomに維持されるので、画素容量１２０
によって保持される電圧は、電圧ΔＶpixだけ下降した画素電極１１８の電圧とコモン電
極１０８の電圧ＬＣcomとの差電圧ということになる。

ここで、データ線駆動回路１９０は、負極性書込が指定されたときのデータ信号Ｘｊを
、画素電極１１８が電圧ΔＶpixだけ下降することを見越した電圧とする。すなわち、デ
ータ線駆動回路１９０は、データ信号Ｘｊを、下降後の画素電極１１８の電圧がコモン電
極１０８の電圧ＬＣcomよりも高位であって両者の差電圧が（ｉ＋１）行ｊ列の階調に応
じた値となるような電圧とする。詳細には、図７に示されるように、電圧ΔＶpixだけ下
降したときに、画素電極は、白色ｗに相当する電圧Ｖw(-)から黒色ｂに相当する電圧Ｖb(
-)までの範囲ｅであって、階調が低く（暗く）なるにつれて電圧Ｖw(-)から低位側の電圧
となるので、電圧ΔＶpixだけ下降する前に画素電極に印加すべきデータ信号は、範囲ｅ
をΔＶpixだけ上昇させた範囲ｆであって、低い階調を指定するにつれて低位側とした電
圧となる。

図８は、走査信号と容量線と画素電極との電圧関係を示す図であり、ｉ行ｊ列の画素電
極１１８の電圧をＰix（i,j)で示し、ｉ行（ｊ＋１）列の画素電極１１８の電圧をＰix（
i+1,j)で示している。
この図に示されるように、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、ｉ行目に正極性書込が
指定されたときに、走査信号ＹｉがＨレベルとなる予備書込期間および本書込期間で電圧
Ｖslとなり、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになると、電圧ＬＣcomとなって電圧ΔＶ
だけ上昇する。
また、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、ｉ行目に負極性書込が指定されたときに、
走査信号ＹｉがＨレベルとなる予備書込期間および本書込期間で電圧Ｖshとなり、走査信
号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになると、電圧ΔＶだけ上昇する。
一方、ｉ行ｊ列の画素電極１１８の電圧Ｐix（i,j)は、電圧Ｃｉが電圧ΔＶだけ上昇し
たときに、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに書き込まれたデータ信号Ｘｊが電圧Δ
Ｖpixだけ上昇したものとなり、電圧Ｃｉが電圧ΔＶだけ下降したときに、走査信号Ｙｉ
がＨレベルとなったときに書き込まれたデータ信号Ｘｊが電圧ΔＶpixだけ下降したもの
となる。
ここで、正極性または負極性の一方の電圧を保持した状態において、正極性または負極
性の他方の電圧を１度に書き込む構成であると、一方から他方への電圧書き込みの際の差
が大きいことから、ノイズの発生源となりやすい。
これに対し、本実施形態では、予備書込によって本書込と同極性の電圧を予め書き込ん
でおき、本書込によって階調に応じた電圧を正確に書き込むので、本書込における電圧書
込量が少なくて済み、ノイズの大きさも減少する。このため、ノイズによる表示品位の低
下や、容量信号出力回路３０による安定化能力も小さくて済む。

なお、ｉ行目に正極性書込が指定されたときに（ｉ＋１）行目には負極性書込が指定さ
れるので、（ｉ＋１）行目の容量線１３２の電圧Ｃ（ｉ＋１）は、走査信号Ｙ（ｉ＋１）
がＨレベルとなる予備書込期間および本書込期間で電圧Ｖshとなり、走査信号Ｙ（ｉ＋１
）がＨレベルになると、電圧ＬＣcomとなって電圧ΔＶだけ下降する。また、ｉ行目に負
極性書込が指定されたときに（ｉ＋１）行目には正極性書込が指定されるので、電圧Ｃ（
ｉ＋１）は、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとなる予備書込期間および本書込期間で電
圧Ｖslとなり、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになると、電圧ＬＣcomとなって電圧Δ
Ｖだけ上昇する。

ここでは、ｉ行目、および、これに続く（ｉ＋１）行目に着目して、その書き込み動作
について説明したが、このような予備書込、本書込、容量線の電圧シフトの各動作は、ｎ
フレームにおいて、１、２、３、４、…、３１９、３２０行目の順番で実行される。
これにより、ｎフレームにおいて、奇数１、３、５、…、３１９行目の画素容量１２０
には、容量線１３２の電圧ΔＶの上昇後に階調に応じた正極性電圧が保持される一方、偶
数２、４、６、…、３２０行目の画素容量１２０には、容量線１３２の電圧ΔＶの下降後
に階調に応じた負極性電圧が保持されることになる。
次の（ｎ＋１）フレームでも同様な動作が繰り返されるが、各行の書込極性が反転され
るので、奇数行目の画素容量１２０には、容量線１３２の電圧ΔＶの下降後に階調に応じ
た負極性電圧が保持される一方、偶数行目の画素容量１２０には、容量線１３２の電圧Δ
Ｖの上昇後に階調に応じた正極性電圧が保持されることになる。

画素容量１２０の交流駆動では、電圧ＬＣcomに一定に保たれたコモン電極１０８に対
して、画素電極１１８に正極性および負極性の電圧を交互に印加するので、画素電極１１
８の電圧は、ノーマリーホワイトモードであれば、図７に示されるように、負極性の黒色
に相当する電圧Ｖb(-)から正極性の黒色に相当する電圧Ｖb(+)までの範囲Ｐにわたる。
ここで、本実施形態では、画素電極を正極性の電圧範囲ｃとする場合には、データ線を
介して印加するデータ信号の電圧を容量線の電圧シフトにより電圧ΔＶpixだけ上昇させ
る一方、画素電極を電圧範囲ｅとする場合には、データ信号の電圧を容量線の電圧シフト
により電圧ΔＶpixだけ下降させるので、データ信号の電圧範囲は狭くて済む。
このため、本実施形態によれば、データ線駆動回路１９０を構成する素子の耐圧が低く
抑えられるだけでなく、データ線の寄生容量により無駄に消費される電力も少なくて済む
ことになる。

ところで、１〜３２０行の容量線のうち、例えばｉ行目の容量線１３２は、ｉ行目の走
査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、ｉ行目のＴＦＴ１５１のオンによって第１給電線
１８１に接続され、走査信号ＹｉがＬレベルになるとともに走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレ
ベルとなったときに、電圧ΔＶの変化を与えるべく、第２給電線１８２に接続される。た
だし実際には、各行の容量線１３２には、様々な容量が寄生するとともに、ＴＦＴ１５１
のオン抵抗によって、一種の積分回路が形成されるので、走査信号がＨレベルとなったと
きの電圧Ｖslまたは電圧Ｖshへの変化は、理想的にパルス的ではなく、積分波形的となっ
て波形鈍りが生じる。
さらに、１〜３２０行目の容量線１３２は、それぞれ１〜２４０列目のデータ線１１４
と電気的な絶縁を保ちつつ交差するので、各列のデータ線１１４と容量を介して結合する
。このため、各行の容量線１３２は、データ線１１４の電圧変化の影響も受けることにも
なる。
ＴＦＴ１５１のオン抵抗による波形鈍りや、データ線の電圧変化による影響によって、
ｉ行目の容量線１３２は、特に本書込のために走査信号ＹｉがＨレベルとなる期間の終了
時までに電圧Ｖsl、Ｖshに収束していない事態が発生し得る。走査信号ＹｉがＨレベルと
なる期間の終了時までに、ｉ行目の容量線１３２が電圧Ｖsl、Ｖshに収束していないと、
走査信号がＬレベルとなったときに、正確に電圧ΔＶだけ変化しないことになり、ｉ行目
の画素容量１２０における電荷の再配分量が設計値からずれてしまうので、表示むらの原
因となる。この表示むらは、ｉ行目の容量線の１列目から２４０列目まで一斉に、容量線
毎に発生するので、横方向に沿う形となる。
この横方向の表示むらの発生を抑えるために、本実施形態では、例えばｉ行目の容量線
１３２を、特にｉ行目の本書込期間において、ｉ行目に対し正極性書込が指定されていれ
ば電圧Ｖslに、負極性書込が指定されていれば電圧Ｖshに、それぞれ負帰還制御する。こ
れにより、本実施形態によれば、ｉ行目の容量線を、本書込期間の終了後に正確に電圧Δ
Ｖだけ変化するので、上記横方向の表示むらを抑えることが可能となる。

さらに、このような負帰還制御において、例えばｉ行目の容量線１３２は、走査信号Ｙ
ｉがＨレベルとなった直後では電圧ＬＣcomに近いので、電圧Ｖslまたは電圧Ｖshとの差
が大きい。このため、走査信号ＹｉがＨレベルとなる期間の全域にわたってｉ行目の容量
線１３２（検出線１９５）が電圧Ｖslまたは電圧Ｖshとなるように負帰還制御する構成で
は、走査信号ＹｉがＨレベルとなった直後において、オペアンプ３００で消費される電流
が大きくなったり、オペアンプ３００が発振したりする可能性がある。しかしながら、本
実施形態では、走査信号ＹｉがＨレベルとなった直後の前半期間Ｈaでは、負帰還制御で
はなく、単なるボルテージフォロワ回路として機能するので、そのような可能性は極めて
小さい。

＜第１実施形態の応用・変形＞
上述した第１実施形態では、ｉ行目を本書込とするときに、それよりも２行下の（ｉ＋
２）行目を予備書込とする構成とした。このような構成とした理由は、走査線反転方式に
おいて、本書込をする行に対し２の倍数行だけ下の行が、本書込と同極性となるためであ
る。
したがって、ｉ行目を本書込とするときに、例えば４行下の（ｉ＋４）行目を予備書込
とする構成としても良い。ただし、本書込の行と予備書込の行との間があくと、予備書込
による電圧を保持する期間、すなわち、その行で表示すべき内容とは無関係な電圧を保持
する期間が長くなる。

また一方で、走査線反転方式ではなく、１フレームにおいてすべての同極性とする面反
転方式とするならば、ｉ行目を本書込とするときに、例えば直下の（ｉ＋１）行目を予備
書込とする構成としても良い。ただし、このように互いに隣接するｉ行目と（ｉ＋１）行
目とを選択する構成では、当該２行のＴＦＴ１７１が同時にオンする。図３に示した構成
では、例えば１、２行目が同時に選択されたときに、本書込である１行目の容量線の電圧
を検出することができなくなるので、同時に選択される２行に対応する検出線を分離する
とともに、分離した２行の検出線のうち、本書込となる容量線に接続された検出線をスイ
ッチ４０で選択する必要がある。
逆にいえば、第１実施形態のようにｉ行目と（ｉ＋２）行目とを同時に選択する構成に
おいて、ＴＦＴ１７１のドレイン電極を２行毎に検出線１９５ａ、１９５ｂの交互に接続
した理由は、このように２行毎の交互接続によって、同時に選択される２行に対応する検
出線を分離できるとともに、分離した２つの検出線のうち、本書込となる容量線に接続さ
れた検出線をスイッチ４０で選択することができるためである。

また、第１実施形態では、ｉ行目のＴＦＴ１５４のゲート電極を１行下の（ｉ＋１）行
目の走査線に接続して、（ｉ＋１）行目の走査線が選択されたときに、ｉ行目のＴＦＴ１
５２、１５４をオンさせて、ｉ行目の容量線を第２給電線１８２に接続して電圧ΔＶだけ
変化させる構成としたが、ｉ行目のＴＦＴ１５４のゲート電極については、（ｉ＋１）行
目のみならず、（ｉ＋２）行目以降の走査線１１２に接続する構成でも良い。

上述した第１実施形態では、水平走査期間の前半期間Ｈaにおいて目標信号Ｖc1refを、
正極性書込が指定されていれば電圧Ｖslとし、負極性書込が指定されていれば電圧Ｖshと
して、収束させる電圧と同一としたが、上記波形鈍りや、データ線の電圧変化等にによる
影響を考慮して、変化方向に過剰に振った電圧としても良い。すなわち、水平走査期間の
前半期間Ｈaにおいて目標信号Ｖc1refを、正極性書込が指定されていれば電圧（Ｖsl−Ｖ
a）とし、負極性書込が指定されていれば電圧（Ｖsh＋Ｖa）として、電圧ＬＣcomから電
圧Ｖsl、Ｖshへの変化方向に電圧Ｖaだけ過剰に振った電圧としても良い。このように目
標信号Ｖc1refを、変化方向に過剰に振った電圧に設定すると、水平走査期間の前半期間
Ｈaにおいて、より迅速に容量線を電圧Ｖsl、Ｖshに近づけることができる。なお、目標
信号Ｖc1refを、変化方向に過剰に振った電圧に設定したときであったも、後半期間Ｈbに
おいては負帰還制御して正確に電圧Ｖsl、Ｖshに追い込む構成が望ましい。

＜第２実施形態＞
上述した第１実施形態では、走査線を上から下方向に向かって順番に選択したが、表示
領域１００が回動可能な構成である場合には、走査線の選択方向を下方向のみならず、上
方向にも対応可能とした、いわゆる双方向に対応する必要がある。
そこで、双方向の選択に対応した第２実施形態に係る電気光学装置について説明する。

図９は、第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
第２実施形態に係る電気光学装置は、主に次の点において図１に示した第１実施形態と
相違する。すなわち、第１に、画素１１０の配列に対応した１〜３２０行目の走査線１１
２のほかに、上および下にそれぞれ３行目のダミー走査線が設けられている点、第２に、
極性指定信号Ｐolおよびそれを論理反転した信号／Ｐolが容量線駆動回路１５０に供給さ
れる点、第３に、制御回路２０が信号Ｖoff、Ｖonを給電しないとともに、目標信号Ｖc3r
efを出力する点、第１容量信号Ｖc1、第２容量信号Ｖc2の電圧・波形が異なる点、第４に
、容量信号出力回路３０の代わりに容量信号出力回路３２が設けられている点、および、
第５に、容量線駆動回路１５０の構成が変更された点、などである。
このため、第２実施形態については、これらの相違点を中心に説明することにする。

まず、第１の点について説明すると、第２実施形態では、１〜３２０行目の上および下
に、それぞれ３行のダミーの走査線１１２が設けられている。ここで、説明の便宜上、上
３行のダミーの走査線１１２を、上から順に（−２）行目、（−１）行目、０行目と称し
、下３行のダミーの走査線１１２を、上から順に３２１行目、３２２行目、３２３行目と
称することにする。
なお、第２実施形態にかかる走査線駆動回路１４０は、下方向の選択の場合には、図１
１に示されるように、走査信号Ｙ（−２）、Ｙ（−１）を順番にＨレベルとした後、Ｙ０
およびＹ（−２）の組、Ｙ１およびＹ（−１）の組、Ｙ２およびＹ０の組、…、Ｙ３２３
およびＹ３２１の組を順番に同時にＨレベルとし、さらにＹ３２２、Ｙ３２３を順番にＨ
レベルとする。
このため、各行において、１、２、３、…、３２０行の順番で予備書込がそれぞれ実行
されるとともに、予備書込の後、水平走査期間（Ｈ）をおいて本書込が同じ順番でそれぞ
れ実行される点は、第１実施形態と同様である。
一方、走査線駆動回路１４０は、上方向の選択の場合には、図１２に示されるように、
走査信号Ｙ３２３、Ｙ３２２を順番にＨレベルとした後、Ｙ３２１およびＹ３２３の組、
Ｙ３２０よびＹ３２２の組、…、Ｙ（−２）およびＹ０の組を順番に同時にＨレベルとし
、さらにＹ（−１）、Ｙ（−２）を順番にＨレベルとする。このため、３２０、３１９、
３１８、…、１行の順番で予備書込がそれぞれ実行されるとともに、予備書込の後、水平
走査期間（Ｈ）をおいて本書込が同じ順番で実行される。

次に、第２の点について説明すると、第２実施形態では、極性指定信号Ｐolの意味およ
び波形が第１実施形態と相違する。詳細には、第２実施形態において極性指定信号Ｐolは
、Ｈレベルとなったときに、奇数（１、３、５、…、３１９）行の画素に対して正極性書
込を指定し、偶数（２、４、６、…、３２０）行の画素に対して負極性書込を指定する一
方、Ｌレベルとなったときに、奇数行の画素に対して負極性書込を指定し、偶数行の画素
に対して正極性書込を指定する信号である。第２実施形態において極性指定信号Ｐolは、
図１１に示されるように、ｎフレームにわたってＨレベルとなるので、画素への書込極性
が、第１実施形態と同様に走査線毎に反転する走査線反転方式となる。なお、極性指示信
号Ｐolは、次の（ｎ＋１）フレームでは、Ｌレベルとなって、ｎフレームと比較して各行
について書込極性が反転する。
また、極性指定信号Ｐolは、ＮＯＴ回路５０によって論理反転された信号／Ｐolととも
に、容量線駆動回路１５０に供給される。

第３の点について説明する。第１容量信号Ｖc1が第１給電線１８１に、第２容量信号Ｖ
c2が第２給電線１８２に、それぞれ供給される点は、第１実施形態と同様であるが、第１
容量信号Ｖc1は、容量制御回路によって制御された信号ではなく、また、制御回路２０か
ら出力される。さらに、第２実施形態では、第１容量信号Ｖc1および第２容量信号Ｖc2の
電圧が第１実施形態と比べると異なっている。詳細には、図１１に示されるように、第１
容量信号Ｖc1は低位側の電圧Ｖslで一定である。第２容量信号Ｖc2は高位側の電圧Ｖshで
一定である。ただし、第２実施形態では、電圧Ｖshと電圧Ｖslとの差がΔＶとなるように
設定されているので、第１実施形態と比較すると、その差は半分である。
なお、第２実施形態では、電圧Ｖshと電圧Ｖslとの中心を電圧ＬＣcomとしているが、
中心としなくても良い。また、目標信号Ｖc3refは、同図に示されるように、正極性書
込が指定される水平走査期間（Ｈ）にわたって電圧Ｖslとなり、負極性書込が指定される
水平走査期間（Ｈ）にわたって電圧Ｖshとなる信号である。

第４の点について説明する。容量信号出力回路３２は、図４の括弧書で示したように、
オペアンプ３０の非反転入力端（＋）に目標信号Ｖc3refが供給されるとともに、オペア
ンプ３０の出力端が第３給電線１８３に接続された点を除くと、容量信号出力回路３０と
同様である。
なお、第２実施形態においてオペアンプ３０が第３給電線１８３に供給する信号を第３
容量信号Ｖc3とする。

続いて、第５の点について説明する。図１０は、第２実施形態にかかる容量線駆動回路
１５０の構成のうち、（ｉ−４）行目から（ｉ＋５）行目までを示す図である。
この図に示されるように、第２実施形態にかかる容量線駆動回路１５０は、各行に対応
して設けられたｎチャネル型のＴＦＴ１５１、１５２、１５７、１７１、１６３〜１６６
の組から構成される。ただし、図１０では示していないが、ダミーとなる（−２）行目、
（−１）行目、０行目、３２１行目、３２２行目および３２３行目については、ＴＦＴ１
５１、１５２、１５７、１７１が設けられず、ＴＦＴ１６３〜１６６のみが設けられる。
なお、ここでは、説明便宜のため、ｉを奇数（１、３、５、…、３１９）とし、（ｉ＋
１）をｉに続く偶数（２、４、６、…、３２０）とする。

まず、奇数ｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５１、１５２について説明すると
、当該ＴＦＴ１５１のソース電極は、第１給電線１８１に接続され、また、ＴＦＴ１５２
のソース電極は、第２給電線１８２に接続されている。そして、ＴＦＴ１５１、１５２の
ドレイン電極同士が対応するｉ行目の容量線１３２に共通接続されている。
一方、偶数（ｉ＋１）行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５１、１５２については
、ソース電極の接続先が奇数行と反対になっており、ＴＦＴ１５１のソース電極が第２給
電線１８２に接続され、ＴＦＴ１５２のソース電極が第１給電線１８１に接続されている
。なお、偶数（ｉ＋１）行目のＴＦＴ１５１、１５２のドレイン電極同士が、対応する（
ｉ＋１）行目の容量線１３２に共通接続されている点は、奇数行目と同様である。

次に、各行のＴＦＴ１６３〜１６６について説明する。同一行に属するＴＦＴ１６３〜
１６６のゲート電極は、当該行の走査線１１２に共通接続されている。ここで、ある行の
ＴＦＴ１６３（第５トランジスタ）のソース電極は、極性指定信号Ｐolが供給される信号
線に接続され、当該行のＴＦＴ１６４（第６トランジスタ）のソース電極は、極性指定信
号ＰolをＮＯＴ回路５０によって論理反転した信号／Ｐolが供給される信号線に接続され
ている。また、当該行のＴＦＴ１６５（第７トランジスタ）のソース電極は、極性指定信
号Ｐolが供給される信号線に接続され、当該行のＴＦＴ１６６（第８トランジスタ）のソ
ース電極は、信号／Ｐolが供給される信号線に接続されている。

ＴＦＴ１６３〜１６６のドレイン電極は、ＴＦＴ１５１、１５２のゲート電極に、次の
ような関係で接続されている。すなわち、第２実施形態では、ある行のＴＦＴ１６３のド
レイン電極と、当該行よりも６行下のＴＦＴ１６６のドレイン電極とは、当該行よりも３
行下のＴＦＴ１５１のゲート電極に接続され、また、ある行のＴＦＴ１６４のドレイン電
極と、当該行よりも６行下のＴＦＴ１６５のドレイン電極とは、当該行よりも３行下のＴ
ＦＴ１５２のゲート電極に接続されている。
基準をｉ行目に移して換言すると、当該ｉ行におけるＴＦＴ１５１のゲート電極は、当
該ｉ行よりも３行上のＴＦＴ１６３のドレイン電極およびｉ行よりも３行下のＴＦＴ１６
６のドレイン電極に接続され、ｉ行におけるＴＦＴ１５２のゲート電極は、当該ｉ行より
も３行上のＴＦＴ１６４のドレイン電極およびｉ行よりも３行下のＴＦＴ１６５のドレイ
ン電極に接続されていることになる。

なお、（−２）、（−１）、０、１、２行目については、いずれも３行上にダミーでな
い有効な行の走査線が存在しないので、これらの行において、ＴＦＴ１６５、１６６は実
際には不要である。反対に、３１９、３２０、３２１、３２２、３２３行目については、
それぞれ３行下に有効な行の走査線が存在しないので、これらの行については、ＴＦＴ１
６３、１６４は実際には不要である。ただし、これらの実際には不要であるＴＦＴは、回
路の対称性を確保するために設けても良い。

１〜３２０行目に対応してそれぞれ設けられるＴＦＴ１５７（補助トランジスタ）につ
いては、ゲート電極が、対応する走査線１１２に接続され、ソース電極が第３給電線１８
３に接続され、ドレイン電極が、対応する容量線１３２に接続されている。
また、１〜３２０行目に対応してそれぞれ設けられるＴＦＴ１７１（検出トランジスタ
）については、ゲート電極が、対応する走査線１１２に接続され、ソース電極が対応する
容量線１３２に接続されている。ＴＦＴ１７１のドレイン電極は、図３に示した構成と同
様に、１、２、５、６、９、１０、……、３１７、３１８行目については、検出線１９５
ａに接続され、３、４、７、８、１１、１２、……、３１９、３２０行目については、検
出線１９５ｂに接続されている。

このような構成における動作について説明する。
奇数ｉ行目を基準とした下方向選択の場合について説明する。ｎフレームにおいて、容
量線駆動回路１５０では、基準とするｉ行目よりも３行上の（ｉ−３）行目の走査線が予
備書込のために選択されたときに、（ｉ−３）行目のＴＦＴ１６３、１６４のオンによっ
てｉ行目のＴＦＴ１５１がオンし、同じｉ行目のＴＦＴ１５２がオフするので、ｉ行目の
容量線１３２が第１給電線１８１に接続される。このため、ｉ行目の容量線１３２は、電
圧Ｖslである。なお、（ｉ−３）行目の走査線が予備書込のために選択されたときに、同
時に（ｉ−５）行目の走査線が本書込のために選択されるが、ｉ行目の容量線に影響を与
えることはない。

次に、（ｉ−２）行目の走査線が予備書込のために選択されたとき、（ｉ−３）行目の
ＴＦＴ１６３、１６４がオフして、ｉ行目のＴＦＴ１５１、１５２のゲート電極がハイ・
インピーダンス状態となるが、寄生容量によって直前状態に保持されるので、ｉ行目にお
いてＴＦＴ１５１、１５２のオン、オフ状態は維持される。このため、ｉ行目の容量線１
３２は電圧Ｖslである。なお、（ｉ−２）行目の走査線が予備書込のために選択されたと
きに、同時に（ｉ−４）行目の走査線が本書込のために選択されるが、ｉ行目の容量線に
影響を与えることはない。

１行上の（ｉ−１）行目の走査線が予備書込のために選択されたとき、同時に（ｉ−３
）行目の走査線が本予備書込のために選択される。このため、再び（ｉ−３）行目のＴＦ
Ｔ１６３、１６４がオンするが、ｉ行目においてＴＦＴ１５１、１５２のオン、オフ状態
に変更はないので、ｉ行目の容量線は電圧Ｖslである。

続いて、ｉ行目の走査線が予備書込のために選択されたとき、ｉ行目のＴＦＴ１５７が
オンする。また、（ｉ−３）行目のＴＦＴ１６３、１６４がオフして、ｉ行目のＴＦＴ１
５１、１５２のゲート電極が再びハイ・インピーダンス状態となるが、直前状態に保持さ
れるので、ＴＦＴ１５１、１５２のオン、オフ状態は維持される。
このため、ｉ行目の容量線１３２が第１給電線１８１のみならず、第３給電線１８３に
も接続される。ただし、ｎフレームにおいてｉ行目が選択されたときに、目標信号Ｖc3re
fは、第１給電線１８１に供給される電圧と同じ電圧Ｖslであり、第３給電線１８３に供
給される第３容量信号Ｖc3は、ｉ行目の容量線１３２が電圧Ｖslとなるように制御した電
圧である。したがって、ｉ行目の容量線１３２は、第１給電線１８１および第３給電線１
８３の双方に接続されても、電圧Ｖslである、と考えて良い。
なお、ｉ行目の走査線が予備書込のために選択されたときに、同時に（ｉ−２）行目の
走査線が本書込のために選択されるが、ｉ行目の容量線に影響を与えることはない。

次に、（ｉ＋１）行目の走査線が予備書込のために選択されたとき、同時に（ｉ−１）
行目の走査線が本書込のために選択される。ただし、ｉ行目において、ＴＦＴ１５７がオ
フし、ＴＦＴ１５１、１５２のオン、オフ状態が維持されるので、ｉ行目の容量線は依然
として電圧Ｖslである。
続いて、（ｉ＋２）行目の走査線が予備書込のために選択されたとき、同時にｉ行目の
走査線が本書込のために選択される。このため、再びｉ行目のＴＦＴ１５７がオンする。
また、ｉ行目においてＴＦＴ１５１、１５２のオン、オフ状態は維持される。このため、
ｉ行目の容量線１３２は、第１給電線１８１および第３給電線１８３に接続されるので、
電圧Ｖslとして考えて良い。

そして、ｉ行目よりも３行下の（ｉ＋３）行目の走査線が予備書込のために選択された
ときに、当該（ｉ＋３）行目のＴＦＴ１６５、１６５がオンするので、ｉ行目のＴＦＴ１
５１がオフに、同じｉ行目のＴＦＴ１５２がオンに切り替わる。このため、ｉ行目の容量
線１３２は、第２給電線１８２に接続される結果、電圧Ｖslから電圧Ｖshに変化して、電
圧ΔＶだけ上昇する。なお、（ｉ＋３）行目の走査線が予備書込のために選択されたとき
に、同時に（ｉ＋１）行目の走査線が本書込のために選択されるが、ｉ行目の容量線に影
響を与えることはない。

次に、（ｉ＋４）行目の走査線が予備書込のために選択されたとき、（ｉ＋３）行目の
ＴＦＴ１６５、１６６がオフして、ｉ行目のＴＦＴ１５１、１５２のゲート電極がハイ・
インピーダンス状態となるが、直前状態に保持されるので、ｉ行目においてＴＦＴ１５１
、１５２がオフ、オンに切り替わった状態は維持される。このため、ｉ行目の容量線１３
２は電圧Ｖshである。なお、（ｉ＋４）行目の走査線が予備書込のために選択されたとき
に、同時に（ｉ＋２）行目の走査線が本書込のために選択されるが、ｉ行目の容量線に影
響を与えることはない。
（ｉ＋５）行目の走査線が予備書込のために選択されたとき、同時に（ｉ＋３）行目の
走査線が本予備書込のために選択されるので、再び（ｉ＋３）行目のＴＦＴ１６５、１６
６がオンするが、ｉ行目においてＴＦＴ１５１、１５２のオフ、オン状態に変更はないの
で、ｉ行目の容量線は電圧Ｖshである。

そして、（ｉ＋６）行目の走査線が予備書込のために選択されたとき、（ｉ＋３）行目
のＴＦＴ１６５、１６６が再びオフして、ｉ行目のＴＦＴ１５１、１５２のゲート電極が
ハイ・インピーダンス状態となるが、直前状態に保持されるので、ｉ行目においてＴＦＴ
１５１、１５２のオフ、オン状態は維持される。
このため、ｉ行目の容量線は、以降次の（ｎ＋１）フレームにおいて（ｉ−３）行目の
走査線が再び選択されるまで、電圧Ｖshを維持する。もっとも（ｎ＋１）フレームにおい
ては、極性指定信号Ｐol（信号／Ｐol）が反転するので、（ｎ＋１）フレームにおいて（
ｉ−３）行目の走査線が選択されたときであっても、ｉ行目の容量線は電圧Ｖshを選択す
る。したがって、正確にいえば、ｉ行目の容量線は、次の（ｎ＋１）フレームにおいて（
ｉ＋３）行目の走査線が予備書込のために選択されるまで、すなわち、ｉ行目の走査線が
本書込のために選択されるまで、電圧Ｖshを維持することになる。

なお、ここではｎフレームにおける奇数ｉ行目の動作について説明したが、偶数（ｉ＋
１）行目においては、ＴＦＴ１５１、１５２のソース電極の接続先が奇数ｉ行目と反対に
なっている。このため、偶数（ｉ＋１）行目の容量線は、当該（ｉ＋１）行目よりも３行
下の（ｉ＋４）行目の走査線が予備書込のために選択されたときに、電圧Ｖshから電圧Ｖ
slに変化して、電圧ΔＶだけ下降することになる。
また、次の（ｎ＋１）フレームでは、極性指定信号Ｐol（信号／Ｐol）が反転するので
、奇数ｉ行目の容量線においては、（ｉ＋３）行目の走査線が予備書込のために選択され
るときに、電圧Ｖshから電圧Ｖslに変化して電圧ΔＶだけ下降し、偶数（ｉ＋１）行目の
容量線においては、（ｉ＋４）行目の走査線が予備書込のために選択されるときに、電圧
Ｖslから電圧Ｖshに変化して電圧ΔＶだけ上昇することになる。
さらに、ここでは下方向選択の場合について説明したが、回路の対称性から明らかのよ
うに上方向選択の場合でも同様となる。
したがって、第２実施形態では、本書込の後に容量線が電圧ΔＶだけ変化する点におい
て同等であるので、第１実施形態と同様な効果を、双方向に対応可能とした上で奏するこ
とが可能となる。

なお、図１２は、第２実施形態において下方向選択のとき、走査信号と容量線と画素電
極との電圧関係を示す図である。
第１実施形態における図８と比較すると判るように、第２実施形態では予備書込の際に
容量線の電圧が変化しないので、予備書込直後の電圧変化によって瞬間的に無関係な表示
がなされるのを防止することができる。

ところで、第２実施形態において各行のＴＦＴ１５１、１５２は、１フレームに相当す
る期間毎に交代でオンし続けるので、動作期間のうち、オンとなる期間の比率が互いに５
０％となる。他のトランジスタ、例えばＴＦＴ１６３〜１６４がオンとなる期間は、１フ
レームに相当する期間のうち、予備書込と本書込のための選択期間に過ぎないから、ＴＦ
Ｔ１５１、１５２がオンとなる期間の比率は、他のトランジスタと比べると、圧倒的に高
い。
ここで、本願発明者らの研究によると、オンとなる期間の比率が高い状態でトランジス
タを駆動すると、当該トランジスタの特性が劣化する、具体的には、しきい値電圧の上昇
によりオン抵抗が徐々に高くなることが判っている。ＴＦＴ１５１、１５２のオン抵抗が
高くなると、データ線等の電圧変化によってノイズ等が容量線に重畳されたときに、当該
容量線が電圧Ｖsl、Ｖshに戻るまで、それだけ時間が長くなることになる。このため、走
査線の選択によってデータ信号を画素電極１１８の一端および蓄積容量１３０の一端に書
き込む際に、ノイズ等の重畳によって当該走査線に対応する容量線が電圧Ｖsl、Ｖshに収
束せずに、ずれてしまう可能性がある。容量線が電圧Ｖsl、Ｖshからずれた状態で、デー
タ信号を書き込んでしまうと、書き込み後に当該容量線が電圧ΔＶだけ正しく変化しない
ことになるので、再び上記表示むらを招くことになる。

第２実施形態では、１〜３２０行の各々にＴＦＴ１５７をそれぞれ設けて、走査線の選
択によってデータ信号を書き込むときにＴＦＴ１５７をオンさせて当該走査線に対応する
容量線に対して書込極性に応じた電圧Ｖslまたは電圧Ｖshを給電する。ＴＦＴ１５７がオ
ンとなる期間は、他のトランジスタと同様に予備書込と本書込のための選択期間に過ぎな
いから、ＴＦＴ１５１、１５２のようにオン抵抗が高くなることはない。
このため、本書込によってデータ信号を書き込むときにノイズ等が重畳されても、さら
に、ＴＦＴ１５１、１５２のオン抵抗が高くなっていても、オン抵抗が高くなりにくいＴ
ＦＴ１５７を介して、当該走査線に対応する容量線に電圧Ｖsl、Ｖshを給電するので、書
き込み後に当該容量線が、電圧ΔＶだけ正しく変化する。したがって、本実施形態によれ
ば、上記表示むらの発生を抑えることができるのである。
また、ＴＦＴ１５１、１５２のオン抵抗が高くなっても良い、ということは、言い換え
れば、ある行のＴＦＴ１５１、１５２については、当該行の非選択期間において容量線１
３２を電圧Ｖsl、Ｖshに維持するだけの機能を有していれば良い、ということである。こ
のため、本実施形態において、ＴＦＴ１５１、１５２については、小さなトランジスタサ
イズで済ませることも可能となる。

＜第２実施形態の応用・変形＞
第２実施形態では、ｉ行目のＴＦＴ１５１、１５２のゲート電極を、３行上の（ｉ−３
）行目のＴＦＴ１６３、１６４のドレイン電極、および、３行下の（ｉ＋３）行目のＴＦ
Ｔ１６５、１６５のドレイン電極に接続した構成としたが、このような構成とした理由に
ついて説明する。
まず一般的に、ｉ行目のＴＦＴ１５１、１５２のゲート電極を、ｎ行上の（ｉ−ｎ）行
目のＴＦＴ１６３、１６４のドレイン電極、および、ｎ行下の（ｉ＋ｎ）行目のＴＦＴ１
６５、１６５のドレイン電極に接続する構成を想定する。このような構成において、ｉ行
目の本書込が終了した後に、ｉ行目から一定の行数ｎだけ離間した行の予備書込によって
、ｉ行目からｎ行だけ離間した行のＴＦＴ１６３、１６４、または、ＴＦＴ１６５、１６
６がオンし、これによりｉ行目のＴＦＴ１５１、１５２のオンオフが切り替えられて、ｉ
行目の容量線が電圧ΔＶだけ変化することが条件となる。第２実施形態では走査線反転方
式としているので、ｉ行目を本書込とするときに、それよりも２行手前の行、すなわち、
下方向選択であれば、２行した下の（ｉ＋２）行目が予備書込となり、上方向選択であれ
ば、２行した上の（ｉ−２）行目を予備書込となるので、上記条件を満たすｎの最低値は
「３」となる。このため、第２実施形態では、ｎを「３」とした構成を採用したのである
。
換言すれば、予備書込と本書込との離間行数に対して、上記条件を満たすｎであれば、
良いわけである。

また、第２実施形態における容量線駆動回路１５０を単方向、例えば下方向選択に限定
するのであれば、図１４に示される構成としても良い。この図に示される構成は、図１０
の各行におけるＴＦＴ１６３、１６４を除去したものである。
この構成によれば、ｉ行目の容量線１３２は、当該ｉ行目が走査線が本書込ために選択
されるときに、当該ｉ行目のＴＦＴ１５７がオンすることによって、第３給電線１８３に
よる電圧Ｖsl、Ｖshの一方で定まる。次に、当該ｉ行目の走査線の選択が終了して、次の
（ｉ＋１）行目の走査線が本書込のために選択されるときに、同時に（ｉ＋３）行目の走
査線が予備書込のために選択されるので、（ｉ＋３）行目のＴＦＴ１６５、１６６のオン
によってＴＦＴ１５１、１５２のいずれ一方がオンし、他方がオフし、これによって、ｉ
行目の容量線１３２は、電圧Ｖsl、Ｖshの一方から他方へと切り替わる。
したがって、この構成では、単方向に限定されるもののの、図１０の構成を簡略化した
上で上記表示むらの発生を抑えることができるのである。

＜第１および第２実施形態の関連事項＞
また、実施形態では、１フレームにおいて画素への書込極性を走査線毎に反転させる走
査線反転方式としたので、ＴＦＴ１５１、１５２のソース電極の接続先を奇数行と偶数行
とで入れ替えたが、例えば１フレームにわたって書込極性を揃えるフレーム反転方式とす
るのであれば、ＴＦＴ１５１、１５２のソース電極の接続先を奇数行と偶数行とで入れ替
える必要がなくなる。

また、各実施形態では、画素容量１２０として画素電極１１８とコモン電極１０８とで
液晶１０５を挟持して、液晶にかかる電界方向を基板面垂直方向とした構成としたが、画
素電極、絶縁層およびコモン電極とを積層して、液晶にかかる電界方向を基板面水平方向
とした構成としても良い。
さらに、画素容量１２０はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態におい
て暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、画素容量１２０は透過
型に限られず、反射型であっても良いし、透過型および反射型の両者を組み合わせた、い
わゆる半透過半反射型としても良い。
くわえて、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示
を行うとしても良いし、さらに、例えばＧを、ＹＧ（黄緑）およびＥＧ（エメラルドグリ
ーン）に分けて、これらの４色の画素で１ドットを構成して、広色帯化を図った構成とし
ても良い。

上述した説明では、書込極性の基準を、画素容量の他端であるコモン電極１０８の電圧
ＬＣcomとしているが、これは、画素１１０におけるＴＦＴ１１６が理想的なスイッチと
して機能する場合であり、実際には、ＴＦＴ１１６のゲート・ドレイン間の寄生容量に起
因して、オンからオフ状態が変化するときにドレイン電極（画素電極１１８）の電位が低
下する現象（プッシュダウン、突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれる）が発生する
。このプッシュダウンによる電位低下量は、ＴＦＴ１１６のオン時に書き込む電圧が低く
なるにつれて、大きくなるので、負極性書込による画素容量１２０の電圧実効値が、正極
性書込による実効値よりも若干大きくなってしまう（ＴＦＴ１１６がｎチャネルの場合）
。このため、プッシュダウンの影響が相殺されるように、書込極性の基準電圧を、電圧Ｌ
Ｃcomよりも高位側にオフセットして設定するようにしても良い。
さらに、蓄積容量１３０は、直流的には絶縁されているので、電圧Ｖsl、Ｖshの差が上
述の関係となっていれば良いので、例えば電圧ＬＣcomとの電位差は何ボルトであっても
構わない。

＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器につ
いて説明する。図１５は、いずれかの実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話
１２００の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受
話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである
。なお、電気光学装置１０のうち、表示領域１００に相当する部分の構成要素については
外観としては現れない。

なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１５に示される携帯電話の
他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（
またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳
、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、フォトスト
レージビューワ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種
電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うまで
もない。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。 同電気光学装置における画素の構成を示す図である。 同電気光学装置における容量線駆動回路の構成を示す図である。 同電気光学装置における容量信号出力回路の構成を示す図である。 同電気光学装置の動作を説明するための図である。 同電気光学装置の書き込みを説明するための図である。 同電気光学装置のデータ信号の電圧と画素電極の電圧との関係を示す図である。 同電気光学装置の動作を説明するための電圧波形図である。 本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。 同電気光学装置における容量線駆動回路の構成を示す図である。 同電気光学装置の動作を説明するための図である。 同電気光学装置の動作を説明するための図である。 同電気光学装置の動作を説明するための電圧波形図である。 第２実施形態に係る容量線駆動回路の別構成を示す図である。 実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話を示す図である。

符号の説明

１０…電気光学装置、２０…制御回路、３０、３２…容量線出力回路、４０…スイッチ、
５０…ＮＯＴ回路、１００…表示領域、１０８…コモン電極、１１０…画素、１１２…走
査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１３０…蓄積容量、１３
２…容量線、１４０…走査線駆動回路、１５０…容量線駆動回路、１５１、１５２、１６
３〜１６６、１７１…ＴＦＴ、１８１…第１給電線、１８２…第２給電線、１８３、１８
３ａ、１８３ｂ…第３給電線、１９５…検出線、１２００…携帯電話

Claims (9)

1. 複数の走査線と、
   複数のデータ線と、
   前記複数の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、
   前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、
   一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と
   他端との間でオン状態となる画素スイッチング素子と、
   一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続された画
   素容量と、
   前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に電気的に介挿さ
   れた蓄積容量と、
   を含む画素と、
   を有する電気光学装置の駆動回路であって、
   前記複数の走査線のうち、１行を予備書込のために、他の１行を本書込のために、それ
   ぞれ選択するとともに、選択する２行の走査線を順番に移行させる走査線駆動回路と、
   前記容量線の各々に対応して第１トランジスタ、第２トランジスタ、および検出トラン
   ジスタの組を有し、
   一の容量線に対応する前記第１トランジスタのソース電極は、第１給電線または第２給
   電線のいずれか一方に接続され、
   前記一の容量線に対応する前記第２トランジスタのソース電極は、前記第１給電線また
   は前記第２給電線のいずれか他方に接続され、
   前記一の容量線に対応する前記第１トランジスタおよび前記第２のトランジスタのドレ
   イン電極同士が当該一の容量線に接続され、
   前記一の容量線に対応する前記検出トランジスタは、そのゲート電極が当該一の容量線
   に対応する走査線に接続され、そのソース電極が当該一の容量線に接続され、そのドレイ
   ン電極が検出線に接続され、
   前記一の容量線に対応する一の走査線が前記本書込のために選択される期間に、前記第
   １または第２トランジスタのいずれか一方がオン状態になり、
   当該一の走査線における本書込のための選択が終了した後に、前記第１トランジスタま
   たは前記第２トランジスタのいずれか他方がオン状態になって、当該一の容量線を所定値
   だけ電圧変化させる容量線駆動回路と、
   前記一の容量線に対応する一の走査線が選択されたときに、前記検出線の信号により前
   記一の容量線が目標信号の電圧となるように当該一の容量線の電圧を制御する容量信号出
   力回路と、
   本書込のために選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧
   のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
   を具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
2. 前記容量線駆動回路は、
   前記容量線の各々に対応して、さらに第３トランジスタおよび第４トランジスタを有し
   、
   前記一の容量線に対応する前記第３トランジスタは、
   そのゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、そのソース電極が前記
   第２トランジスタをオフさせる電圧が給電されるオフ電圧給電線に接続され、
   前記一の容量線に対応する前記第４トランジスタは、
   そのゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線から所定行離間した走査線に接続さ
   れ、そのソース電極が前記第２トランジスタをオンさせる電圧が給電されるオン電圧給電
   線に接続され、
   前記一の容量線に対応する前記第３トランジスタおよび前記第４のトランジスタのドレ
   イン電極同士が当該一の容量線に対応する第２トランジスタのゲート電極に接続された
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
3. 一の容量線に対応する第１トランジスタのソース電極は、前記第１給電線に接続され、
   前記一の容量線に対応する第２トランジスタのソース電極は、前記第２給電線に接続さ
   れ、
   前記容量信号出力回路は、
   前記一の容量線に対応する一の走査線が選択されたときに、前記検出線の信号により前
   記一の容量線が目標信号の電圧となるように当該一の容量線の電圧を制御した容量信号を
   、前記第１給電線に供給する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
4. 前記容量信号出力回路は、
   前記目標信号が非反転入力端に供給され、出力端が前記第１給電線に接続されたオペア
   ンプと、
   前記オペアンプの出力端と前記オペアンプの反転入力端との間に電気的に介挿されると
   ともに、本書込のために走査線が選択される期間のうち、時間的に前方の第１期間におい
   てオンし、時間的に後方の第２期間においてオフする第１スイッチと、
   前記検出線と前記オペアンプの反転入力端との間に電気的に介挿され、前記第１期間に
   おいてオフし、前記第２期間においてオンする第２スイッチと、
   を含む
   ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の駆動回路。
5. 前記容量線駆動回路は、前記容量線の各々に対応した補助トランジスタを有し、
   奇数行の容量線に対応する第１トランジスタのソース電極は、前記第１給電線に接続さ
   れ、前記奇数行の容量線に対応する第２トランジスタのソース電極は、前記第２給電線に
   接続され、
   偶数行の容量線に対応する第１トランジスタのソース電極は、前記第２給電線に接続さ
   れ、前記偶数行の容量線に対応する第２トランジスタのソース電極は、前記第１給電線に
   接続され、
   前記一の走査線が本書込のために選択される期間にオン状態となる前記第１、第２トラ
   ンジスタは、前記一の走査線の選択毎に交互に切り替えられ、
   前記補助トランジスタは、そのゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続さ
   れ、そのソース電極が第３給電線に接続され、そのドレイン電極が当該一の容量線に接続
   され、
   前記容量信号出力回路は、
   前記一の容量線に対応する一の走査線が選択されたときに、前記検出線の信号により前
   記一の容量線が目標信号の電圧となるように制御した容量信号を、前記第３給電線に供給
   する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
6. 前記容量線駆動回路は、
   前記走査線の各々に対応した第５乃至第８トランジスタを有し、
   前記一の走査線に対応する第５乃至第８トランジスタのゲート電極は、当該一の走査線
   に共通接続され、
   前記第５トランジスタおよび第７トランジスタのソース電極は、論理レベルが一方であ
   る信号線に接続され、
   前記第６トランジスタおよび第８トランジスタのソース電極は、前記論理レベルの反転
   レベルである反転信号線に接続され、
   前記一の容量線に対応する前記第１トランジスタは、
   そのゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線よりも所定数だけ一方向に離間した
   走査線に対応する前記第８トランジスタのドレイン電極、および、当該一の容量線に対応
   する走査線よりも所定数だけ他方向に離間した走査線に対応する第５トランジスタのドレ
   イン電極に接続され、
   前記一の容量線に対応する前記第２トランジスタは、
   そのゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線よりも所定数だけ一方向に離間した
   走査線に対応する第７トランジスタのドレイン電極、および、当該一の容量線に対応する
   走査線よりも所定数だけ他方向に離間した走査線に対応する第６トランジスタのドレイン
   電極に接続された
   ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の駆動回路。
7. 前記容量線駆動回路は、
   前記走査線の各々に対応した第７および第８トランジスタを有し、
   前記一の走査線に対応する第７および第８トランジスタのゲート電極は、当該一の走査
   線に共通接続され、
   前記第７トランジスタのソース電極は、論理レベルが一方である信号線に接続され、
   前記第８トランジスタのソース電極は、前記論理レベルの反転レベルである反転信号線
   に接続され、
   前記一の容量線に対応する前記第１トランジスタのゲート電極は、当該一の容量線に対
   応する走査線よりも所定数だけ一方向に離間した走査線に対応する第８トランジスタのド
   レイン電極に接続され、
   前記一の容量線に対応する前記第２トランジスタのゲート電極は、当該一の容量線に対
   応する走査線よりも所定数だけ一方向に離間した走査線に対応する第７トランジスタのド
   レイン電極に接続された
   ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の駆動回路。
8. 複数の走査線と、
   複数のデータ線と、
   前記複数の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、
   前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、
   一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と
   他端との間でオン状態となる画素スイッチング素子と、
   一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続された画
   素容量と、
   前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に電気的に介挿さ
   れた蓄積容量と、
   を含む画素と、
   前記複数の走査線のうち、１行を予備書込のために、他の１行を本書込のために、それ
   ぞれ選択するとともに、選択する２行の走査線を順番に移行させる走査線駆動回路と、
   前記容量線の各々に対応して第１トランジスタ、第２トランジスタ、および検出トラン
   ジスタの組を有し、
   一の容量線に対応する前記第１トランジスタのソース電極は、第１給電線または第２給
   電線のいずれか一方に接続され、
   前記一の容量線に対応する前記第２トランジスタのソース電極は、前記第１給電線また
   は前記第２給電線のいずれか他方に接続され、
   前記一の容量線に対応する前記第１トランジスタおよび前記第２のトランジスタのドレ
   イン電極同士が当該一の容量線に接続され、
   前記一の容量線に対応する前記検出トランジスタは、そのゲート電極が当該一の容量線
   に対応する走査線に接続され、そのソース電極が当該一の容量線に接続され、そのドレイ
   ン電極が検出線に接続され、
   前記一の容量線に対応する一の走査線が前記本書込のために選択される期間に、前記第
   １または第２トランジスタのいずれか一方がオン状態になり、
   当該一の走査線における本書込のための選択が終了した後に、前記第１トランジスタま
   たは前記第２トランジスタのいずれか他方がオン状態になって、当該一の容量線を所定値
   だけ電圧変化させる容量線駆動回路と、
   前記一の容量線に対応する一の走査線が選択されたときに、前記検出線の信号により前
   記一の容量線が目標信号の電圧となるように当該一の容量線の電圧を制御する容量信号出
   力回路と、
   本書込のために選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧
   のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
   を具備することを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項８に記載の電気光学装置を有する
   ことを特徴とする電子機器。

Images