JP6017396B2
(ja )
2016-11-02
薄膜形成方法および薄膜形成装置
JP2010267925A5
(ja )
2012-06-14
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JP2015053445A5
(cg-RX-API-DMAC10.html )
2015-07-23
JP2010171128A5
(cg-RX-API-DMAC10.html )
2012-03-08
JP6013313B2
(ja )
2016-10-25
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JP2019508883A5
(cg-RX-API-DMAC10.html )
2020-02-27
JP2011097029A5
(cg-RX-API-DMAC10.html )
2013-09-19
JP2008140864A
(ja )
2008-06-19
シリコン窒化膜の形成方法、形成装置、形成装置の処理方法及びプログラム
JP2011029637A5
(cg-RX-API-DMAC10.html )
2012-02-09
CN104541362A
(zh )
2015-04-22
用于在较低温度下使用远程等离子体源进行选择性氧化的设备和方法
JP2011035389A5
(cg-RX-API-DMAC10.html )
2013-08-08
KR101498496B1
(ko )
2015-03-04
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TW201308427A
(zh )
2013-02-16
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JP2013080907A5
(cg-RX-API-DMAC10.html )
2015-09-10
CN103594365A
(zh )
2014-02-19
Pmos晶体管的形成方法
TW200727346A
(en )
2007-07-16
Method for manufacturing semiconductor device and plasma oxidation method
JP2014195066A5
(ja )
2017-03-30
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KR20150016102A
(ko )
2015-02-11
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JP2008091409A5
(cg-RX-API-DMAC10.html )
2009-07-30
US20150243496A1
(en )
2015-08-27
Method and Apparatus of Forming Carbon-Containing Silicon Film
KR20140118815A
(ko )
2014-10-08
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JP2009188349A5
(cg-RX-API-DMAC10.html )
2011-03-17
JP4640800B2
(ja )
2011-03-02
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JP2008066483A
(ja )
2008-03-21
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(ko )
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