JP2009182286A - 基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理室2に原料ガスと触媒ガスを供給する第1の工程と、前記処理室2から前記原料ガスと前記触媒ガスを除去する第2の工程と、前記処理室2に酸化性ガスと触媒ガスを供給する第3の工程と、前記処理室2から前記酸化性ガスと前記触媒ガスを除去する第4の工程とを少なくとも備え、前記第1〜第4の工程が複数回繰返し実行され、前記触媒ガスには脱水処理が施されたガスを使用する。
【選択図】図1
Description
2 処理室
3 反応管
5 ガス供給ノズル
7 ピリジン供給源
8 純水供給源
9 ヘキサクロロジシラン供給源
11 サポートガス供給ライン
12 窒素ガス供給源
13 キャリアガスライン
14 原料排出ライン
Claims (1)
- 処理室内に収納された基板表面に所望の厚さの膜を形成する基板処理方法であって、前記処理室に原料ガスと触媒ガスを供給する第1の工程と、前記処理室から前記原料ガスと前記触媒ガスを除去する第2の工程と、前記処理室に酸化性ガスと触媒ガスを供給する第3の工程と、前記処理室から前記酸化性ガスと前記触媒ガスを除去する第4の工程とを少なくとも備え、前記第1〜第4の工程が複数回繰返し実行され、前記触媒ガスには脱水処理が施されたガスを使用することを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008022317A JP5341358B2 (ja) | 2008-02-01 | 2008-02-01 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置及び基板処理方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008022317A JP5341358B2 (ja) | 2008-02-01 | 2008-02-01 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置及び基板処理方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013094007A Division JP2013179332A (ja) | 2013-04-26 | 2013-04-26 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009182286A true JP2009182286A (ja) | 2009-08-13 |
JP2009182286A5 JP2009182286A5 (ja) | 2011-01-27 |
JP5341358B2 JP5341358B2 (ja) | 2013-11-13 |
Family
ID=41035984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008022317A Active JP5341358B2 (ja) | 2008-02-01 | 2008-02-01 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置及び基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5341358B2 (ja) |
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-
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- 2008-02-01 JP JP2008022317A patent/JP5341358B2/ja active Active
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US10032626B2 (en) | 2014-09-19 | 2018-07-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device by forming a film on a substrate, substrate processing apparatus, and recording medium |
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CN110265298A (zh) * | 2015-07-10 | 2019-09-20 | 株式会社国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置 |
CN110265298B (zh) * | 2015-07-10 | 2023-07-11 | 株式会社国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置 |
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JP5341358B2 (ja) | 2013-11-13 |
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