JP2009170671A - 半導体装置の製造方法およびそれにより製造される半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高耐圧の横型MOSトランジスタが形成されてなり、同じ半導体基板に制御回路部等も形成可能で、低コストで製造することのできる半導体装置の製造方法およびそれにより製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】埋め込み酸化膜22を有するSOI基板20のSOI層23に、横型MOSトランジスタが形成され、前記横型MOSトランジスタが、埋め込み酸化膜22に達する分離絶縁トレンチ40により取り囲まれて、周囲から絶縁分離されてなり、SOI層23の表層部に形成されたソース領域25とドレイン領域27の間にあるLOCOS酸化膜30の直下に、先端が埋め込み酸化膜22に達していない障壁絶縁トレンチ50が配置されてなる半導体装置100の製造方法であって、分離絶縁トレンチ40と障壁絶縁トレンチ50を、同じ絶縁トレンチ形成工程で形成する。
【選択図】図1
【解決手段】埋め込み酸化膜22を有するSOI基板20のSOI層23に、横型MOSトランジスタが形成され、前記横型MOSトランジスタが、埋め込み酸化膜22に達する分離絶縁トレンチ40により取り囲まれて、周囲から絶縁分離されてなり、SOI層23の表層部に形成されたソース領域25とドレイン領域27の間にあるLOCOS酸化膜30の直下に、先端が埋め込み酸化膜22に達していない障壁絶縁トレンチ50が配置されてなる半導体装置100の製造方法であって、分離絶縁トレンチ40と障壁絶縁トレンチ50を、同じ絶縁トレンチ形成工程で形成する。
【選択図】図1
Description
本発明は、横型MOSトランジスタが形成されてなる半導体装置の製造方法およびそれによって製造される半導体装置に関する。
高耐圧で低オン抵抗の横型MOSトランジスタ(以下、LDMOS(Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor)と略記)およびその製造方法が、例えば、特開平8−97411号公報(特許文献1)に開示されている。
図7は、特許文献1に開示された従来のLDMOS90の要部断面図である。
図7のLDMOS90では、p型基板1の表面層に、ロジック部のpウェルと共通のディメンションのpウェル領域2が形成されている。このpウェル領域2の拡散深さ(xj)は、3μmである。そのpウェル領域2の表面層に、pベース領域8とnソース領域9とが二重拡散により、セルフアラインで形成されている。pウェル領域2の表面層に、pベース領域8から少し離して、幅1μm、深さ1μmのトレンチ3が形成され、そのトレンチ3の側面および底面にnドレインドリフト領域4が形成され、内部には、例えば酸化膜の絶縁膜5が充填されている。nソース領域9からトレンチ3上に0.5μm張り出して、基板1の表面上に、ゲート酸化膜6を介してポリシリコンからなるゲート電極7が設けられている。ゲート電極7直下のpベース領域8およびnドレインドリフト領域4の表面層には、pチャネル領域10が形成されている。トレンチ3のpベース領域8と反対側のpウェル領域2の表面層には、nドレイン領域11が形成され、ドレイン電極15が接触している。nソース領域9の表面上にはソース電極14が接触している。
図7のLDMOS90では、nドレインドリフト領域4内に表面からトレンチ3を設けることによって、ドレインドリフト長を確保し、高耐圧化が図れる。また、nドレインドリフト領域4のnソース領域9側の端で、オン時に電流経路が狭まらないため、オン抵抗が小さくできる。
特開平8−97411号公報
近年、例えば車載用の半導体装置においては、電気自動車(EV)やハイブリッド(HEV)車等の自動車用モータのパワーを制御するため、図7のLDMOS90のような高耐圧LDMOSが求められている。また、該半導体装置を小型化するため、高耐圧LDMOSと共に制御回路部も同じ半導体基板に形成することが求められている。
そこで本発明は、高耐圧の横型MOSトランジスタが形成されてなる半導体装置の製造方法およびそれにより製造される半導体装置であって、同じ半導体基板に制御回路部等も形成可能で、低コストで製造することのできる半導体装置の製造方法およびそれにより製造される半導体装置を提供することを目的としている。
請求項1に記載の発明は、埋め込み酸化膜を有するSOI基板のSOI層に、横型MOSトランジスタが形成され、前記横型MOSトランジスタが、前記埋め込み酸化膜に達する分離絶縁トレンチにより取り囲まれて、周囲から絶縁分離されてなり、前記SOI層の表層部に形成されたソース領域とドレイン領域の間にあるLOCOS酸化膜の直下に、先端が前記埋め込み酸化膜に達していない障壁絶縁トレンチが配置されてなる半導体装置の製造方法であって、前記分離絶縁トレンチと前記障壁絶縁トレンチを、同じ絶縁トレンチ形成工程で形成することを特徴としている。
上記半導体装置の製造方法は、SOI基板からなる半導体基板に横型MOSトランジスタが形成されてなる半導体装置の製造方法である。上記半導体装置に形成する横型MOSトランジスタは、分離絶縁トレンチにより取り囲まれて、周囲から絶縁分離される。このため、上記半導体装置では、絶縁分離された該横型MOSトランジスタの周囲に、制御回路部等も形成可能である。また、絶縁分離された該横型MOSトランジスタは、ソース領域とドレイン領域の間にあるLOCOS酸化膜の直下に障壁絶縁トレンチが配置されているため、高耐圧の横型MOSトランジスタとすることができる。
ここで、上記半導体装置の製造方法では、上記分離絶縁トレンチと障壁絶縁トレンチを、同じ絶縁トレンチ形成工程で形成するようにしている。これにより、分離絶縁トレンチと障壁絶縁トレンチを別工程で形成する場合に較べて、横型MOSトランジスタ内に障壁絶縁トレンチを形成することによる製造コストの増大を大幅に抑制することができる。
以上のようにして、上記半導体装置の製造方法は、高耐圧の横型MOSトランジスタが形成されてなる半導体装置の製造方法であって、同じ半導体基板に制御回路部等も形成可能で、低コストで製造することのできる半導体装置の製造方法とすることができる。
上記半導体装置における分離絶縁トレンチは、埋め込み酸化膜に達するように形成する。一方、上記半導体装置における障壁絶縁トレンチは、先端が埋め込み酸化膜に達しないように形成する。
ここで、深さの異なる分離絶縁トレンチと障壁絶縁トレンチを上述したように同じ絶縁トレンチ形成工程で形成するため、例えば請求項2に記載のように、前記絶縁トレンチ形成工程の前工程で、前記障壁絶縁トレンチの配置位置の前記SOI層上に、選択的に酸化膜を形成しておくことが好ましい。
これによれば、該酸化膜の膜厚を適宜設定することで分離絶縁トレンチより浅い任意深さの障壁絶縁トレンチを形成することができ、製造コストの増大も極力抑制することができる。
この場合、該酸化膜の酸化シリコン(SiO2)と半導体基板のシリコン(Si)とのエッチング選択比が一般的に1:10〜100であるため、SOI層の一般的な厚さを考慮すると、請求項3に記載のように、前記酸化膜の膜厚を、1μm以下とすることが好ましい。
また、深さの異なる分離絶縁トレンチと障壁絶縁トレンチを同じ絶縁トレンチ形成工程で形成する別の方法として、幅が広いトレンチほどエッチングレートが遅くなることを利用し、請求項4に記載のように、前記障壁絶縁トレンチの幅を、前記分離絶縁トレンチの幅に較べて広く設定してもよい。
これによれば、障壁絶縁トレンチの幅と深さに一定の制約があるものの、分離絶縁トレンチより浅い障壁絶縁トレンチを形成するための特別な追加工程がないため、製造コストの増加もなくすことができる。
この場合、一般的なセルサイズと分離絶縁トレンチの幅を考慮すると、請求項5に記載のように、前記障壁絶縁トレンチの幅を、0.5μm以上、10μm以下に設定することが好ましい。
上記半導体装置の製造方法においては、該半導体装置に形成する横型MOSトランジスタの耐圧および同時形成する分離絶縁トレンチと障壁絶縁トレンチの形成容易性を考慮して、請求項6に記載のように、前記障壁絶縁トレンチの先端深さを、前記SOI層の厚さの1/2以上に設定することが好ましい。
上記半導体装置の製造方法における前記分離絶縁トレンチと前記障壁絶縁トレンチは、例えば請求項7に記載のように、トレンチに形成された側壁酸化膜と該トレンチ内に埋め込まれた多結晶シリコンとからなるように構成することができる。
請求項8〜16に記載の発明は、上記半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の発明である。
請求項8に記載の半導体装置は、埋め込み酸化膜を有するSOI基板のSOI層に、横型MOSトランジスタが形成されてなる半導体装置であって、前記横型MOSトランジスタが、前記埋め込み酸化膜に達する分離絶縁トレンチにより取り囲まれて、周囲から絶縁分離されてなり、前記SOI層の表層部に形成されたソース領域とドレイン領域の間にあるLOCOS酸化膜の直下に、前記分離絶縁トレンチと同じ絶縁トレンチ形成工程で形成された、先端が前記埋め込み酸化膜に達していない障壁絶縁トレンチが配置されてなることを特徴としている。
上記半導体装置は、先の製造方法において説明したように、高耐圧の横型MOSトランジスタが形成されてなる半導体装置であって、同じ半導体基板に制御回路部等も形成できるため小型化が可能で、低コストで製造することができ安価な半導体装置とすることができる。
請求項9〜12に記載の半導体装置の効果についても、先の製造方法において説明したとおりであり、その詳細説明は省略する。
上記半導体装置において、請求項13に記載のように、前記SOI層の表層部に、該SOI層と同じ導電型で、不純物濃度が該SOI層と前記ドレイン領域の中間にあるドリフト領域が形成され、前記ドレイン領域が、前記ドリフト領域の表層部に形成されてなる場合には、前記障壁絶縁トレンチの先端深さが、前記ドリフト領域より深く設定され、該障壁絶縁トレンチが、前記ドリフト領域の前記ソース領域側の端部に掛かるように配置されてなるようにすることが、該半導体装置に形成する横型MOSトランジスタの高耐圧化のために好ましい構成である。
上記半導体装置における前記ソース領域とドレイン領域は、例えば請求項14に記載のように、ストライプの繰り返しパターン形状に形成されてなる構成とすることができる。また、請求項15に記載のように、前記ソース領域とドレイン領域が、市松模様パターン形状に形成されてなり、前記障壁絶縁トレンチが、前記ソース領域とドレイン領域を取り囲むように配置されてなる構成としてもよい。
上記半導体装置は、高耐圧の横型MOSトランジスタが形成され、小型化が可能で安価であるため、請求項16に記載のように、電気自動車(EV)やハイブリッド(HEV)車等の自動車用モータのパワーを制御するための車載用の半導体装置として好適である。
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図に基づいて説明する。
本発明は、横型MOSトランジスタが形成されてなる半導体装置の製造方法およびそれによって製造される半導体装置に関する。図1は、本発明の一例である半導体装置100の要部を示した模式的な断面図である。
図1に示す半導体装置100は、埋め込み酸化膜22を有するSOI(Silicon On Insulator)基板20のSOI層23に、横型MOSトランジスタ(以下、LDMOS(Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor)と略記)が形成されてなる半導体装置である。すなわち、半導体装置100においては、N型(N−)のSOI層23の表層部にP型(P)のベース領域24が形成され、該ベース領域24の表層部には、N型(N+)のソース領域25が形成されている。尚、ベース領域24の表層部に形成されているP型(P+)の拡散領域28は、ベース領域24の電位を固定するためのコンタクト領域である。また、ベース領域24を間に挟んで、ソース領域25の反対側におけるSOI層23の表層部に、N型(N)でSOI層23より高濃度のドリフト領域26が形成され、該ドリフト領域26の表層部には、N型(N+)でドリフト領域26より高濃度のドレイン領域27が形成されている。尚、SOI基板20の支持基板21は、P型(P)のシリコン基板からなり、埋め込み酸化膜22に当接して、SOI層23の低部にN型(N+)の埋め込み拡散層29が形成されている。また、SOI層23上には、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)酸化膜30と、図示を省略したゲート酸化膜を介してゲート電極31とが形成されている。
半導体装置100に形成されている上記LDMOSは、埋め込み酸化膜22に達する分離絶縁トレンチ40により取り囲まれて、周囲から絶縁分離されている。該分離絶縁トレンチ40は、トレンチT1に形成された側壁酸化膜41とトレンチT1内に埋め込まれた高抵抗の多結晶シリコン42とからなる。尚、図1はLDMOSの一方の端部付近を模式的に示したもので、半導体装置100におけるソース領域25とドレイン領域27(ソースセルSとドレインセルD)は、紙面に垂直なストライプの繰り返しパターン形状に形成されている。このように、半導体装置100では、LDMOSが分離絶縁トレンチ40により取り囲まれて周囲から絶縁分離されるため、絶縁分離された該LDMOSの周囲に、制御回路部等も形成可能である。
また、図1の半導体装置100では、SOI層23の表層部に形成されたソース領域25とドレイン領域27の間にあるLOCOS酸化膜30の直下に、先端が埋め込み酸化膜22に達していない障壁絶縁トレンチ50が配置されている。該障壁絶縁トレンチ50も、分離絶縁トレンチ40と同様に、トレンチT2に形成された側壁酸化膜41とトレンチT2内に埋め込まれた多結晶シリコン42とからなる。該障壁絶縁トレンチ50の配置により、ソース領域25からベース領域24を通過してSOI層23に出たキャリアのドレイン領域27までのドリフト距離を長くすることができるため、高耐圧のLDMOSとすることができる。
図1にあるように、半導体装置100における分離絶縁トレンチ40は、埋め込み酸化膜22に達するように形成する。一方、半導体装置100における障壁絶縁トレンチ50は、先端が埋め込み酸化膜22に達しないように形成する。しかしながら、このように深さの異なる半導体装置100の分離絶縁トレンチ40と障壁絶縁トレンチ50は、次に示すように、同じ絶縁トレンチ形成工程で形成される。
図2〜図5は、半導体装置100の製造方法の一例を示す図で、半導体装置100の製造工程別の断面図である。
最初に、図2(a)に示すように、支持基板21,埋め込み酸化膜22,埋め込み拡散層29およびSOI層23からなるSOI基板(ウエハ)20を準備する。該SOI基板20は、一般的な半導体基板貼り合わせ技術を用いて製造される。
次に、図2(b)に示すように、SOI層23の表面を酸化して、SOI層23上に酸化膜60を形成する。
次に、図2(c)に示すように、該酸化膜60をホトリソグラフィとエッチングによりパターニングして酸化膜60aとし、図1の半導体装置100における障壁絶縁トレンチ50の配置位置のSOI層23上に、選択的に酸化膜60aを形成しておく。
次に、図3(a)に示すように、図1の半導体装置100における分離絶縁トレンチ40と障壁絶縁トレンチ50を形成するためのマスクとなる、窒化膜61と酸化膜62をSOI層23上に順次形成する。
次に、図1の半導体装置100における分離絶縁トレンチ40と障壁絶縁トレンチ50のトレンチT1,T2を形成するため、図3(b)に示すように、所定の開口部K1,K2を、窒化膜61と酸化膜62にホトリソグラフィと同時エッチングにより形成する。該同時エッチングによって、開口部K1ではSOI層23の表面が露出し、開口部K2では酸化膜60aの表面が露出するようになる。
次に、図3(c)に示すように、開口部K1,K2が形成された窒化膜61と酸化膜62をマスクとして同時エッチングを継続し、トレンチT1において埋め込み酸化膜22が露出した時点でエッチングを終了する。この時、トレンチT2は、酸化膜60aが形成されていた分だけエッチングが遅れ、先端が埋め込み酸化膜22に達しないように浅く形成される。
次に、図4(a)に示すように、熱酸化によりトレンチT1,T2に側壁酸化膜41を形成した後、トレンチT1,T2内に高抵抗の多結晶シリコン42を埋め込む。以上に示した絶縁トレンチ形成工程によって、図1の半導体装置100における分離絶縁トレンチ40と障壁絶縁トレンチ50が同時形成される。
次に、図4(b)に示すように、SOI基板20の表面を研削・研磨して窒化膜61,酸化膜62および酸化膜60aを除去し、SOI層23の表面を平坦化する。次に、レジストマスク(図示省略)を用いてN型不純物を選択的にイオン注入し、図1の半導体装置100におけるドリフト領域26を形成する。
次に、図4(c)に示すように、一般的なLOCOS酸化の方法により、分離絶縁トレンチ40と障壁絶縁トレンチ50を蓋するようにして、LOCOS酸化膜30を形成する。
次に、図5に示すように、レジストマスク(図示省略)を用いて選択的にイオン注入し、ベース領域24,拡散領域28,ソース領域25およびドレイン領域27を形成する。次に、SOI基板20上にゲート酸化膜とゲート電極となる多結晶シリコン膜を順次形成し、ホトリソグラフィとエッチングにより所定形状にパターニングしてゲート電極31とする。
以上の図2〜図5で示した工程により、図1の半導体装置100を製造することができる。
図2〜図5で示した半導体装置100の製造方法では、上述したように、分離絶縁トレンチ40と障壁絶縁トレンチ50を、同じ絶縁トレンチ形成工程で形成するようにしている。これにより、分離絶縁トレンチ40と障壁絶縁トレンチ50を別工程で形成する場合に較べて、LDMOS内に障壁絶縁トレンチ50を形成することによる製造コストの増大を大幅に抑制することができる。
以上のようにして、図2〜図5で示した半導体装置100の製造方法は、高耐圧のLDMOSが形成されてなる半導体装置の製造方法であって、同じ半導体基板20に制御回路部等も形成可能で、低コストで製造することのできる半導体装置の製造方法となっている。
図2〜図5で示した半導体装置100の製造方法では、図2(c)に示す酸化膜60aの膜厚t1を適宜設定することで分離絶縁トレンチ40より浅い任意深さの障壁絶縁トレンチ50を形成することができ、製造コストの増大も極力抑制することができる。
この場合、該酸化膜60aの酸化シリコン(SiO2)とSOI基板20(SOI層23)のシリコン(Si)とのエッチング選択比が一般的に1:10〜100であるため、SOI層23の一般的な厚さを考慮すると、酸化膜60aの膜厚を、1μm以下とすることが好ましい。
また、深さの異なる分離絶縁トレンチ40と障壁絶縁トレンチ50を同じ絶縁トレンチ形成工程で形成する別の方法として、酸化膜60aを形成する代わりに、図1に示す障壁絶縁トレンチ50の幅w2を、分離絶縁トレンチ40の幅w1に較べて広く設定してもよい。この方法は、幅が広いトレンチほどエッチングレートが遅くなることを利用するものである。この方法によれば、障壁絶縁トレンチ50の幅w2と深さd2に一定の制約があるものの、分離絶縁トレンチ40より浅い障壁絶縁トレンチ50を形成するための図2(b),(c)に示した特別な追加工程がないため、製造コストの増加もなくすことができる。
この場合、一般的なセルサイズと分離絶縁トレンチ40の幅を考慮すると、障壁絶縁トレンチ50の幅を、0.5μm以上、10μm以下に設定することが好ましい。
また、上記した半導体装置100の製造方法においては、該半導体装置100に形成するLDMOSの耐圧および同時形成する分離絶縁トレンチ40と障壁絶縁トレンチ50の形成容易性を考慮して、図1に示す障壁絶縁トレンチ50の先端深さd2を、SOI層23の厚さの1/2以上に設定することが好ましい。
また、図1の半導体装置100のように、SOI層23の表層部に、SOI層23と同じN型(N)で、不純物濃度が該SOI層23とドレイン領域27の中間にあるドリフト領域26が形成され、ドレイン領域27が、ドリフト領域26の表層部に形成されている場合には、障壁絶縁トレンチ50の先端深さd2が、ドリフト領域26の深さd3より深く設定され、該障壁絶縁トレンチ50が、ドリフト領域26のソース領域25側の端部に掛かるように配置されてなるようにすることが、該半導体装置100に形成するLDMOSトランジスタの高耐圧化のために好ましい構成である。
図6は、図1に示した半導体装置100の変形例で、図6(a)は、半導体装置101の模式的な平面図であり、図6(b)は、半導体装置101の断面図である。尚、図6(b)は、図6(a)における一点鎖線A−Aでの断面に対応しており、図6(a)は、図6(b)における一点鎖線B−Bでの断面に対応している。図6は、半導体装置101に形成されているLDMOSの中央部付近を模式的に示したものである。尚、図6の半導体装置101において、図1の半導体装置100と同様の部分については、同じ符号を付した。
図1の半導体装置100に形成されているLDMOSは、前述したように、ソース領域25とドレイン領域27(ソースセルSとドレインセルD)が、紙面に垂直なストライプの繰り返しパターン形状に形成されていた。これに対して、図6の半導体装置101に形成されているLDMOSは、ソース領域25aとドレイン領域27a(ソースセルSとドレインセルD)およびドリフト領域26aが、市松模様パターン形状に形成されており、障壁絶縁トレンチ50aが、ソース領域25aとドレイン領域27aを取り囲むように配置されている。尚、図6の半導体装置101ではソースセルSとドレインセルDが正方形状であるが、これに限らず、例えば六角形状であってもよい。
図6の半導体装置101に形成されているLDMOSについても、図1の半導体装置100に形成されているLDMOSと同様に、埋め込み酸化膜22に達する分離絶縁トレンチ40により取り囲まれて周囲から絶縁分離されており、障壁絶縁トレンチ50aが分離絶縁トレンチ40と同じ絶縁トレンチ形成工程で同時形成される。従って、図6の半導体装置101についても、図1の半導体装置100と同様に、高耐圧のLDMOSが形成されてなる半導体装置であって、同じ半導体基板に制御回路部等も形成できるため小型化が可能で、低コストで製造することができ安価な半導体装置とすることができる。
以上の図1と図6に例示した半導体装置100,101は、上記したように、いずれも高耐圧のLDMOSが形成され、小型化が可能で安価であるため、電気自動車(EV)やハイブリッド(HEV)車等の自動車用モータのパワーを制御するための車載用の半導体装置として好適である。
100,101 半導体装置
20 SOI基板(半導体基板)
22 埋め込み酸化膜
23 SOI層
25,25a ソース領域(N+)
26,26a ドリフト領域(N)
27,27a ドレイン領域(N+)
30 LOCOS酸化膜
40 分離絶縁トレンチ
50,50a 障壁絶縁トレンチ
60,60a 酸化膜
T1,T2 トレンチ
20 SOI基板(半導体基板)
22 埋め込み酸化膜
23 SOI層
25,25a ソース領域(N+)
26,26a ドリフト領域(N)
27,27a ドレイン領域(N+)
30 LOCOS酸化膜
40 分離絶縁トレンチ
50,50a 障壁絶縁トレンチ
60,60a 酸化膜
T1,T2 トレンチ
Claims (16)
- 埋め込み酸化膜を有するSOI基板のSOI層に、横型MOSトランジスタが形成され、
前記横型MOSトランジスタが、前記埋め込み酸化膜に達する分離絶縁トレンチにより取り囲まれて、周囲から絶縁分離されてなり、
前記SOI層の表層部に形成されたソース領域とドレイン領域の間にあるLOCOS酸化膜の直下に、先端が前記埋め込み酸化膜に達していない障壁絶縁トレンチが配置されてなる半導体装置の製造方法であって、
前記分離絶縁トレンチと前記障壁絶縁トレンチを、同じ絶縁トレンチ形成工程で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁トレンチ形成工程の前工程で、
前記障壁絶縁トレンチの配置位置の前記SOI層上に、選択的に酸化膜を形成しておくことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記酸化膜の膜厚を、1μm以下とすることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記障壁絶縁トレンチの幅を、前記分離絶縁トレンチの幅に較べて広く設定することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記障壁絶縁トレンチの幅を、0.5μm以上、10μm以下に設定することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記障壁絶縁トレンチの先端深さを、前記SOI層の厚さの1/2以上に設定することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記分離絶縁トレンチと前記障壁絶縁トレンチが、トレンチに形成された側壁酸化膜と該トレンチ内に埋め込まれた多結晶シリコンとからなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 埋め込み酸化膜を有するSOI基板のSOI層に、横型MOSトランジスタが形成されてなる半導体装置であって、
前記横型MOSトランジスタが、前記埋め込み酸化膜に達する分離絶縁トレンチにより取り囲まれて、周囲から絶縁分離されてなり、
前記SOI層の表層部に形成されたソース領域とドレイン領域の間にあるLOCOS酸化膜の直下に、前記分離絶縁トレンチと同じ絶縁トレンチ形成工程で形成された、先端が前記埋め込み酸化膜に達していない障壁絶縁トレンチが配置されてなることを特徴とする半導体装置。 - 前記障壁絶縁トレンチの幅が、前記分離絶縁トレンチの幅に較べて広く設定されてなることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。
- 前記障壁絶縁トレンチの幅が、0.5μm以上、10μm以下に設定されてなることを特徴とする請求項8または9に記載の半導体装置。
- 前記障壁絶縁トレンチの先端深さが、前記SOI層の厚さの1/2以上に設定されてなることを特徴とする請求項8乃至10のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記分離絶縁トレンチと前記障壁絶縁トレンチが、トレンチに形成された側壁酸化膜と該トレンチ内に埋め込まれた多結晶シリコンと
からなることを特徴とする請求項8乃至11のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記SOI層の表層部に、
該SOI層と同じ導電型で、不純物濃度が該SOI層と前記ドレイン領域の中間にあるドリフト領域が形成され、
前記ドレイン領域が、前記ドリフト領域の表層部に形成されてなり、
前記障壁絶縁トレンチの先端深さが、前記ドリフト領域より深く設定され、
該障壁絶縁トレンチが、前記ドリフト領域の前記ソース領域側の端部に掛かるように配置されてなることを特徴とする請求項8乃至12のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記ソース領域とドレイン領域が、ストライプの繰り返しパターン形状に形成されてなることを特徴とする請求項8乃至13のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記ソース領域とドレイン領域が、市松模様パターン形状に形成されてなり、
前記障壁絶縁トレンチが、前記ソース領域とドレイン領域を取り囲むように配置されてなることを特徴とする請求項8乃至13のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体装置が、車載用の半導体装置であることを特徴とする請求項8乃至15のいずれか一項に記載の半導体装置。
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