JP2009166386A - セラミックス押出成形用金型 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】供給端部22に設けられた、坏土が供給される複数の裏孔9と、押出端部21に設けられた、複数の裏孔9と連通して坏土がセラミックス成形体として押出されるスリット8と、を有した口金1と、口金1の供給端部21の外周側に配置され坏土の供給量を調整する裏押さえ板12及び裏間座13と、口金1の押出端部21の外周側に配置されセラミックス成形体の形状及びサイズを規定する押さえ板11及び間座10と、を備え、口金1の少なくとも供給端部22の裏押さえ板12と重なる部分が平坦化され、表面粗さ(Ra)が0.05μm〜10μmの範囲であるセラミックス押出成形用金型である。
【選択図】図1
Description
(比較例1)
ハニカム成形用の口金を作成する工程で、口金のステンレス製基材に対してECM加工を実施すると供給端部22の複数の裏孔が形成された表面に100μm程度の凹凸が生じる。この口金の平坦化処理を行わず、Niめっき膜(Niを成分として80(質量%)以上含む厚さ40μmの被膜)と更にこの上にW3C膜(W3Cを成分として70(質量%)以上含む厚さ10μmの被膜)をコートし、上記のセラミックス坏土を押出成形し、良否判定を行った。結果を表1に示す。上記Niめっき膜の表面粗さ(Ra)と、W3C膜とはステンレス製基材の表面粗さ(Ra)と等しいものであった。
ハニカム成形用の口金を作成する工程で、口金のステンレス製基材に対してECM加工を実施すると供給端部22の複数の裏孔が形成された表面に100μm程度の凹凸が生じる。この凹凸を削り取るため、研削加工により表面の凹凸を100μm程度除去し、平坦な面を出す。このときの凹凸の高低差は5μm程度となる。この状態では表面粗さ(Ra)は0.01μmRa程度となる口金表面が得られる。その後Niめっき膜(Niを成分として80(質量%)以上含む厚さ40μmの被膜)と更にこの上にW3C膜(W3Cを成分として70(質量%)以上含む厚さ10μmの被膜)をコートした。上記のセラミックス坏土を押出成形し、良否判定を行った。結果を表1に示す。上記Niめっき膜の表面粗さ(Ra)と、W3C膜とはステンレス製基材の表面粗さ(Ra)と等しいものであった。
ハニカム成形用の口金を作成する工程で、口金のステンレス製基材に対してECM加工を実施すると供給端部22の複数の裏孔が形成された表面に100μm程度の凹凸が生じる。この凹凸を削り取るため、研削加工により表面の凹凸を100μm程度除去し、平坦な面を出す。このときの凹凸の高低差は5μm程度となる。この状態では表面粗さ(Ra)は0.01μmRa程度となる口金表面が得られる。この表面をブラスト番手♯36により表面粗さ(Ra)を12μmとし、その後Niめっき膜(Niを成分として80(質量%)以上含む厚さ40μmの被膜)と更にこの上にW3C膜(W3Cを成分として70(質量%)以上含む厚さ10μmの被膜)をコートした。上記のセラミックス坏土を押出成形し、良否判定を行った。結果を表1に示す。上記Niめっき膜の表面粗さ(Ra)と、W3C膜とはステンレス製基材の表面粗さ(Ra)と等しいものであった。
ハニカム成形用の口金を作成する工程で、口金のステンレス製基材に対してECM加工を実施すると供給端部22の複数の裏孔が形成された表面に100μm程度の凹凸が生じる。この凹凸を削り取るため、研削加工により表面の凹凸を100μm程度除去し、平坦な面を出す。このときの凹凸の高低差は5μm程度となる。この状態では表面粗さ(Ra)は0.01μm程度となる口金表面が得られる。この表面をブラスト番手♯1000により表面粗さ(Ra)を0.05μmとし、その後Niめっき膜(Niを成分として80(質量%)以上含む厚さ40μmの被膜)と更にこの上にW3C膜(W3Cを成分として70(質量%)以上含む厚さ10μmの被膜)をコートした。上記のセラミックス坏土を押出成形し、良否判定を行った。結果を表1に示す。上記Niめっき膜の表面粗さと、W3C膜とはステンレス製基材の表面粗さ(Ra)と等しいものであった。
口金表面の表面粗さ(Ra)以外は実施例1と同様にして上記のセラミックス坏土を押出成形し、良否判定を行った。結果を表1に示す。各実施例の表面粗さ(Ra)は以下の通りである。
実施例2:ブラスト番手♯600によりステンレス製基材の表面粗さ(Ra)を0.5μmとし、その後Niめっき及びW3C膜をコートした。上記Niめっき膜の表面粗さ(Ra)と、W3C膜とはステンレス製基材の表面粗さ(Ra)と等しいものであった。
実施例3:ブラスト番手♯300によりステンレス製基材の表面粗さ(Ra)を1.0μmとし、その後Niめっき及びW3C膜をコートした。上記Niめっき膜の表面粗さ(Ra)と、W3C膜とはステンレス製基材の表面粗さ(Ra)と等しいものであった。
実施例5:ブラスト番手♯46によりステンレス製基材の表面粗さ(Ra)を10μmとし、その後Niめっき及びW3C膜をコートした。上記Niめっき膜の表面粗さ(Ra)と、W3C膜とはステンレス製基材の表面粗さ(Ra)と等しいものであった。
(実施例4)
ハニカム成形用口金を作成する工程で、口金のステンレス製基材に対してECM加工を実施すると供給端部22の複数の裏孔が形成された表面に100μm程度の凹凸が生じる。この凹凸を削り取るため、ワイヤー放電加工により表面の凹凸を200μm程度除去し、平坦な面を出す。このときの凹凸の高低差は20μm程度となる。ワイヤー放電加工を用いると、表面粗さ(Ra)は2.0μm程度となる口金表面が得られる。その後Niめっき膜(Niを成分として80(質量%)以上含む厚さ40μmの被膜)と更にこの上にW3C膜(W3Cを成分として70(質量%)以上含む厚さ10μmの被膜)をコートした。上記のセラミックス坏土を押出成形し、良否判定を行った。結果を表1に示す。上記Niめっき膜の表面粗さ(Ra)と、W3C膜とはステンレス製基材の表面粗さ(Ra)と等しいものであった。
Claims (6)
- 供給端部に設けられた、坏土が供給される複数の裏孔と、押出端部に設けられた、前記複数の裏孔と連通して前記坏土がセラミックス成形体として押出されるスリットと、を有した口金と、
前記口金の前記供給端部の外周側に配置され前記坏土の供給量を調整する裏押さえ板及び裏間座と、
前記口金の前記押出端部の外周側に配置され前記セラミックス成形体の形状及びサイズを規定する押さえ板及び間座と、を備え、
前記口金の少なくとも前記供給端部の前記裏押さえ板と重なる部分は平坦化され、表面粗さ(Ra)が0.05μm〜10μmの範囲であるセラミックス押出成形用金型。 - 前記口金はステンレス製基材上にNiを主成分とする第1被覆膜と前記第1被覆膜の上に更にW3Cを主成分とする第2被覆膜とで被覆されてなる請求項1に記載のセラミックス押出成形用金型。
- 前記口金の前記ステンレス製基材の表面粗さ(Ra)が0.05μm〜10μmの範囲にある請求項1または2に記載のセラミックス押出成形用金型。
- 前記口金の前記第1被覆膜の表面粗さ(Ra)が0.05μm〜10μmの範囲にある請求項1〜3のいずれか1項に記載のセラミックス押出成形用金型。
- 前記口金の前記第2被覆膜の表面粗さ(Ra)が0.05μm〜10μmの範囲にある請求項1〜4のいずれか1項に記載のセラミックス押出成形用金型。
- 前記セラミックス押出成形用金型が、セラミックスハニカム構造体の押出成形に用いられる請求項1〜5のいずれか1項に記載のセラミックス押出成型用金型。
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