JP2009164380A - 熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】保持部2に保持された基板Wに向けて、第1光照射部3から光を照射して予備加熱処理を行い、第2光照射部4から閃光を照射してフラッシュ加熱処理を行う。吐出供給部6は、光照射部3,4と保持部2との間の空間(熱空間V)に窒素ガスを吐出供給する。吐出供給部6の備える気体吐出ノズル61の姿勢は、吐出方向変更機構67によって変更可能とされており、これにより気体の吐出方向を調整することができる。例えば、基板Wの特定の位置に高温領域(ホットスポット)が生じている場合、当該領域に向けて気体を吐出することによって、この温度不均一領域を消滅させることができる。
【選択図】図1
Description
はじめに、この発明の実施の形態に係る熱処理装置の全体構成について、図1〜図3を参照しながら説明する。図1は、熱処理装置100の構成を示す側断面図である。図2および図3は、熱処理装置100を図1の矢印Q1方向および矢印Q2方向からそれぞれみた縦断面図である。
次に、吐出供給部6の構成について、図1、図3を参照しながら具体的に説明する。この実施の形態に係る熱処理装置100は、図1に示すように、2個の吐出供給部6を備える。すなわち、保持部2と第1光照射部3との間に設けられ、保持部2と第1光照射部3との間の熱空間Vに所定の気体(窒素ガス)を吐出供給する吐出供給部6(第1の吐出供給部6a)と、保持部2と第2光照射部4との間に設けられ、保持部2と第2光照射部4との間の熱空間Vに所定の気体を吐出供給する吐出供給部6(第2の吐出供給部6b)とを備える。以下においては、第2の吐出供給部6bについて説明するが、第1の吐出供給部6aもこれと同様の構成を有している。また、第1の吐出供給部6aと第2の吐出供給部6bとを特に区別しない場合は、単に「吐出供給部6」と示す。
次に、熱処理装置100における基板Wの処理手順について図4を参照しながら説明する。図4は、熱処理装置100にて実行される処理の流れを示す図である。ここで処理対象となる基板Wはイオン注入法により不純物が添加された半導体基板であり、添加された不純物の活性化が熱処理装置100による熱処理により行われる。なお、以下の処理動作は、制御部91が所定のタイミングで各構成を制御することによって行われる。
例えば、熱空間V内の任意の座標位置に向く方向に所定の時間(例えば、数秒程度)窒素ガスを吐出することによって、基板Wの温度分布を安定させることができる。熱空間Vの特定の方向に向けて気体を吐出供給すると、たとえ吐出された気体の量がほんの僅かであっても、それをきっかけとして熱空間V内には特定の方向の対流が形成される。基板Wに対する熱処理(後述するステップS3およびステップS4の処理)を熱空間V内に特定の方向の対流が形成された状態にて行えば、偶然的に形成される対流に起因して基板Wに予測不可能な温度不均一領域が生じることを防止することができる。すなわち、熱処理における基板W上の温度分布を安定させて、基板W上の温度分布の面内均一性を向上させることができる。また、複数枚の基板Wのそれぞれに対して、同じ対流の下での熱処理を行うことができるので、熱処理の再現性を高めることができる。
また例えば、熱空間V内の適切な方向に窒素ガスを吐出して、熱空間Vに適切な方向に流れる対流を形成することによって、基板W上に温度分布の偏りが生じることを防止することができる。例えば、各種の要因(例えば、ハロゲンランプ31やフラッシュランプ41の配光特性(特定の方向について偏った光度分布を与える性格)や保持部2の非対称性等)に起因して、熱処理において基板W上に特定の方向に沿った温度勾配が生じることが判明している場合、適切な方向に向けて気体を吐出供給すれば、当該方向に沿って温度勾配を打ち消す向きの対流を熱空間V内に形成することができる。これによって、基板W上に特定の方向に沿った温度勾配が生じることを未然に防止することができる。
また例えば、保持部2に保持された基板Wの特定の表面領域に向けて窒素ガスを吐出することによって、基板W上に温度不均一領域が生じることを防止することができる。熱処理を受ける基板Wの特定の表面領域に向けて気体を吐出供給しておくと、当該領域は熱処理において昇温しにくくなる。したがって、熱処理において基板W上の一部領域にホットスポットが生じやすいことが判明している場合、当該領域に向けて気体を吐出供給すれば、当該領域にホットスポットが生じることを未然に防止することができる。なお、この場合、窒素ガスの吐出供給を開始するタイミングは、熱処理(後述するステップS3,ステップS4)を開始した後であってもよい。
上記の実施の形態に係る熱処理装置100は、熱空間Vに所定の気体(窒素ガス)を吐出供給する吐出供給部6を備えており、この吐出供給部6は、気体吐出ノズル61の姿勢を変更することによって気体の吐出方向を変更する吐出方向変更機構67を備えている。すなわち、熱処理装置100においては、気体の吐出方向をオペレータが所望する任意の方向へ調整することができる。適切な方向に向けて気体を吐出供給することによって、上述の通り、基板Wの温度分布を安定させること、温度分布の偏りを解消させること、および温度不均一領域を消滅させることが可能となる。また、熱処理後の基板Wを冷却することも可能となる。
上記の実施の形態に係る熱処理装置100において、熱空間V内であって保持部2に保持された基板Wと気体吐出ノズル61との間に、所定の挿入体を挿入する構成としてもよい。気体吐出ノズル61からこの挿入体へ向けて気体を吐出供給することによって、挿入体を冷却することができる。これによって、保持部2に保持された基板Wを、熱空間Vを介して間接的に冷却することができる。ただし、挿入体は光透過性の部材(例えば石英)により形成する必要がある。
2 保持部
3 第1光照射部
4 第2光照射部
5 チャンバー
6 吐出供給部
61 気体吐出ノズル
62 気体供給ライン
63 バルブ
64 流量調整部
65 窒素供給源
66 気体温調部
67 吐出方向変更機構
7 挿入体
100 熱処理装置
W 基板
Claims (8)
- 基板に対して光を照射することによって当該基板を加熱処理する熱処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板と所定の距離だけ離間した位置から前記基板に向けて光を照射する1以上の光照射手段と、
前記1以上の光照射手段のそれぞれと前記保持手段に保持される基板との間に形成される熱空間へ所定の気体を吐出供給する吐出供給手段と、
を備え、
前記吐出供給手段が、
前記所定の気体の吐出方向を変更する吐出方向変更手段と、
前記吐出方向変更手段を制御して前記所定の気体の吐出方向を調整する吐出方向制御手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1に記載の熱処理装置であって、
前記吐出方向制御手段が、
前記熱空間内に所定の対流が形成されるように、前記吐出方向を調整することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1に記載の熱処理装置であって、
前記吐出方向制御手段が、
前記保持手段に保持された基板の所定の表面領域に向けて前記所定の気体が吐出されるように、前記吐出方向を調整することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から3のいずれかに記載の熱処理装置であって、
前記吐出方向制御手段が、
前記加熱処理が行われた後において、前記加熱処理後の基板に向けて前記所定の気体が吐出されるように、前記吐出方向を調整することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から3のいずれかに記載の熱処理装置であって、
前記吐出方向制御手段が、
前記加熱処理が行われた後において、前記保持手段に向けて前記所定の気体が吐出されるように、前記吐出方向を調整することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から3のいずれかに記載の熱処理装置であって、
前記熱空間に挿入される挿入体、
を備え、
前記吐出方向制御手段が、
前記加熱処理が行われた後において、前記挿入体に向けて前記所定の気体が吐出されるように、前記吐出方向を調整することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から6のいずれかに記載の熱処理装置であって、
前記1以上の光照射手段の1つが、
閃光を照射するフラッシュランプ、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から7のいずれかに記載の熱処理装置であって、
前記1以上の光照射手段の少なくとも1つが、
ハロゲンランプ、
を備えることを特徴とする熱処理装置。
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