JP2009164217A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】多数キャリアの移動度を向上させたSBSIデバイスを実現可能とした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】Si基板1上にSiGe層を形成する工程と、SiGe層上にSi層5を形成する工程と、Si層5及びSiGe層をエッチングして、Si層5及びSiGe層を貫く支持体穴を形成する工程と、支持体穴に支持体11、12を形成する工程と、Si層5をエッチングして、SiGe層を露出させる溝H1、H2を形成する工程と、溝H1、H2を介してSiGe層をエッチングすることにより、Si層5とSi基板1との間に空洞部を形成する工程と、空洞部にSiO2膜23を形成する工程と、引っ張り応力を有する埋め込み膜31を溝H1、H2に形成する工程と、を含む。支持体11には引っ張り応力を有する絶縁膜を用い、支持体12には圧縮応力を有する絶縁膜を用いる。
【選択図】図10
【解決手段】Si基板1上にSiGe層を形成する工程と、SiGe層上にSi層5を形成する工程と、Si層5及びSiGe層をエッチングして、Si層5及びSiGe層を貫く支持体穴を形成する工程と、支持体穴に支持体11、12を形成する工程と、Si層5をエッチングして、SiGe層を露出させる溝H1、H2を形成する工程と、溝H1、H2を介してSiGe層をエッチングすることにより、Si層5とSi基板1との間に空洞部を形成する工程と、空洞部にSiO2膜23を形成する工程と、引っ張り応力を有する埋め込み膜31を溝H1、H2に形成する工程と、を含む。支持体11には引っ張り応力を有する絶縁膜を用い、支持体12には圧縮応力を有する絶縁膜を用いる。
【選択図】図10
Description
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関し、特に、半導体基板上にいわゆるSOI(Silicon On Insulator)構造を部分的に形成する技術に関する。
SOI基板上に形成された電界効果型トランジスタは、素子分離の容易性、ラッチアップフリー、ソース/ドレイン接合容量が小さいなどの点から、その有用性が注目されている。特に、完全空乏型SOIトランジスタは、低消費電力かつ高速動作が可能で、低電圧駆動が容易なため、SOIトランジスタを完全空乏モードで動作させるための研究が盛んに行われている。SOI基板としては、例えば、SIMOX(Separation by Implanted Oxygen)基板や貼り合わせ基板などが用いられているが、いずれもその製造法が特殊であり、通常のCMOSプロセスでは作ることができない。
このため、普通のバルクシリコンウェハから、通常のCMOSプロセスでSOI構造を作る方法であるSBSI(Separation by Bonding Silicon Island)法が知られている(例えば、非特許文献1参照)。以下、SBSI法について図を参照しながら説明する。
図11〜図13は、従来例に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図11〜図13において、(a)は平面図、(b)は(a)をX11−X´11〜X13−X´13線でそれぞれ切断したときの断面図である。
図11〜図13は、従来例に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図11〜図13において、(a)は平面図、(b)は(a)をX11−X´11〜X13−X´13線でそれぞれ切断したときの断面図である。
図11(a)及び(b)に示すように、まず始めに、シリコン(Si)基板101上にシリコンゲルマニウム(SiGe)層111とSi層113とを順次成膜し、そこに支持体用の溝h´1を形成する。Si層113とSiGe層111はエピタキシャル成長法で形成し、支持体用の溝h´1はドライエッチングで形成する。次に、Si基板101上の全面に支持体膜を成膜した後、支持体膜をドライエッチングして、図12(a)及び(b)に示すような支持体122を形成し、さらに、支持体122下から露出しているSi層113/SiGe層111もドライエッチングする。この状態で、SiGe層111を図12(a)の矢印の方向からフッ硝酸溶液でエッチングすると、支持体122にSi層113がぶらさがった形でSi層113の下に空洞部125が形成される。
次に、図13(a)及び(b)に示すように、Si基板101を熱酸化して空洞部125内にSiO2膜131を形成する(BOX酸化工程)。このようにして、SiO2膜131とSi層113とからなるSOI構造をバルクのSi基板(即ち、バルクシリコンウェハ)101上に形成する。SiO2膜131はBOX層ともいい、Si層113はSOI層ともいう。SOI構造を形成した後は、CVD(Chemical Vapor Deposition)によってSi基板101上の全面にSiO2膜(図示せず)を成膜する。そして、SiO2膜と支持体122とをCMPで平坦化し、さらにHF系溶液でウェットエッチング(即ち、HFエッチ)することで、Si層113の表面を露出させる。
T.Sakai et al."Separation by BondingSi Islands(SBSI) for LSI Application",Second International SiGe Technology and Device Meeting,Meeting Abstract,pp.230−231,May(2004) 手塚勉、他7名、「高移動度チャネルを有するひずみSi−on−insulator/ひずみSiGe−on insulator デュアルチャネルCMOSの作成と電気特性」、IEEJ Trans.EIS,VOl.126,Nov,2006 p.1332−1339. A.V−Y.Thean et al."Uniaxial−Biaxial Stress Hybridization For Super−Critical Strained−Si Directly On Insulator(SC−SSOI)PMOS With Different Channel Orientation",IEDM05−515
T.Sakai et al."Separation by BondingSi Islands(SBSI) for LSI Application",Second International SiGe Technology and Device Meeting,Meeting Abstract,pp.230−231,May(2004) 手塚勉、他7名、「高移動度チャネルを有するひずみSi−on−insulator/ひずみSiGe−on insulator デュアルチャネルCMOSの作成と電気特性」、IEEJ Trans.EIS,VOl.126,Nov,2006 p.1332−1339. A.V−Y.Thean et al."Uniaxial−Biaxial Stress Hybridization For Super−Critical Strained−Si Directly On Insulator(SC−SSOI)PMOS With Different Channel Orientation",IEDM05−515
上記のように、SBSI法は、SOI層に形成されるデバイス(以下、SOIデバイスという。)を低コストで提供できる点、及び、バルクのSi基板に直接形成されるデバイス(以下、バルクSiデバイスという。)とSOIデバイスとを同一基板に容易に混載できるという点、で非常に有効な技術である。ただし、SBSI法で形成されるSOIデバイスと、SOIウエーハから形成される一般的なSOIデバイスとを比較した場合、性能の面では差が無い。そのため、SBSI法で形成されるSOIデバイスの性能をSBSIプロセス独特の構造を利用して高めていくことが、SBSI法のメリットをさらに向上させる観点から望まれていた。
一方、現在の一般的な半導体デバイスでは、微細化を進めることで高速化や小型化などの性能向上を果たしている。しかしながら、そういった微細化による性能向上も限界が見え始めたため、さまざまな企業や研究機関において微細化以外の方法によってデバイス性能向上が図られている。その高性能化手段の一つに、チャネルとなる領域(以下、チャネル領域という。)に応力を印加してキャリアの移動度を向上させる技術、いわゆる歪みSiチャネル技術がある(例えば、非特許文献2参照)。歪みSiチャネル技術は、SGOI(SiGe On Insulator)や、SSOI(Strained Silicon On Insulator)などに代表されるグローバル歪み技術と、窒化膜等を使用したローカル歪み技術に大別されるが、一般的に知られている事実として、図14(a)に示すように、平面視でチャネルと略平行な方向(以下、チャネル平行方向という。)に引っ張り応力を与え、平面視でチャネルと略垂直な方向(以下、チャネル垂直方向という。)に引っ張り応力を与えると電子の移動度が向上する。また、同事実として、図14(b)に示すように、チャネル平行方向に圧縮応力を与え、チャネル垂直方向に引っ張り応力を与えると正孔の移動度がそれぞれ向上する(例えば、非特許文献3参照)。
ここで、図11〜図13に示したように、SBSI法は、支持体の形成工程や、空洞部の形成工程、空洞部の埋め込み工程など独特のプロセスを有する。また、このようなプロセスにより形成されるSOIデバイス(以下、SBSIデバイスという。)では、SOI層は平面視で部分的(即ち、島状)に形成される。このため、SBSI法については、SGOIやSSOIなどの従来の歪み技術を適用することができず、チャネル領域に歪を持たせて電子の移動度を向上させたSBSIデバイス(即ち、SBSI法により形成されるSOIデバイス)を実現することはできていなかった。
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、多数キャリアの移動度を向上させたSBSIデバイスを実現可能とした半導体装置の製造方法及び半導体装置の提供を目的とする。
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、多数キャリアの移動度を向上させたSBSIデバイスを実現可能とした半導体装置の製造方法及び半導体装置の提供を目的とする。
〔発明1、2〕 上記問題点を解決するために、発明1の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1半導体層を形成する工程と、前記第1半導体層上に第2半導体層を形成する工程と、前記第2半導体層及び前記第1半導体層をエッチングして、前記第2半導体層及び前記第1半導体層を貫く第1溝を形成する工程と、前記第1溝に引っ張り応力を有する第1支持体を形成する工程と、前記第2半導体層をエッチングして、前記第1半導体層を露出させる第2溝を形成する工程と、前記第2溝を介して前記第1半導体層をエッチングすることにより、前記第2半導体層と前記半導体基板との間に空洞部を形成する工程と、前記空洞部に絶縁膜を形成する工程と、前記第2溝に引っ張り応力を有する埋め込み膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
発明2の半導体装置の製造方法は、発明1の半導体装置の製造方法において、前記第2半導体層上に第1ゲート絶縁膜を介して第1ゲート電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とするものである。
ここで、本発明の「半導体基板」は例えばバルクのシリコン(Si)基板であり、「第1半導体層」は例えば単結晶のシリコンゲルマニウム(SiGe)層であり、「第2半導体層」は例えば単結晶のSi層である。SiGe層及びSi層は、例えばエピタキシャル成長法によって形成することができる。また、本発明の「第1支持体」と「埋め込み膜」は例えばシリコン酸化(SiO2)膜又はシリコン窒化(Si3N4)膜などの絶縁膜からなる。
ここで、本発明の「半導体基板」は例えばバルクのシリコン(Si)基板であり、「第1半導体層」は例えば単結晶のシリコンゲルマニウム(SiGe)層であり、「第2半導体層」は例えば単結晶のSi層である。SiGe層及びSi層は、例えばエピタキシャル成長法によって形成することができる。また、本発明の「第1支持体」と「埋め込み膜」は例えばシリコン酸化(SiO2)膜又はシリコン窒化(Si3N4)膜などの絶縁膜からなる。
発明1、2の半導体装置の製造方法によれば、引っ張り応力を有する第1支持体を第2半導体層の側面に隣接して形成することにより、第2半導体層に外側へ引っ張られる力(即ち、引っ張り応力)を与えることができる。また、引っ張り応力を有する埋め込み膜を第2半導体層の側面に隣接して形成することにより、第2半導体層に引っ張り応力を与えることができる。従って、例えば、NMOSトランジスタが形成される領域の第2半導体層に対して、チャネル平行方向に引っ張り応力を与えると共に、チャネル垂直方向に引っ張り応力を与えることができる。そして、このような応力の付与により、チャネル領域の第2半導体層に歪を持たせて電子の移動度を向上させることができる。
〔発明3、4〕 発明3の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1半導体層を形成する工程と、前記第1半導体層上に第2半導体層を形成する工程と、前記第2半導体層及び前記第1半導体層をエッチングして、前記第2半導体層及び前記第1半導体層を貫く第1溝を形成する工程と、前記第1溝に圧縮応力を有する第2支持体を形成する工程と、前記第2半導体層をエッチングして、前記第1半導体層を露出させる第2溝を形成する工程と、前記第2溝を介して前記第1半導体層をエッチングすることにより、前記第2半導体層と前記半導体基板との間に空洞部を形成する工程と、前記空洞部に絶縁膜を形成する工程と、前記第2溝に引っ張り応力を有する埋め込み膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
発明4の半導体装置の製造方法は、発明3の半導体装置の製造方法において、前記第2半導体層上に第2ゲート絶縁膜を介して第2ゲート電極を形成する工程をさらに含み、前記第2ゲート電極を形成する工程では、前記第2支持体から前記第2半導体層に力が作用する方向とチャネル平行方向とが略一致し、且つ、前記埋め込み膜から前記第2半導体層に力が作用する方向とチャネル垂直方向とが略一致するように、前記第2ゲート電極を配置することを特徴とするものである。
発明3、4の半導体装置の製造方法によれば、圧縮応力を有する第2支持体を第2半導体層の側面に隣接して形成することにより、第2半導体層に内側へ圧縮される力(即ち、圧縮応力)を与えることができる。また、引っ張り応力を有する埋め込み膜を第2半導体層の側面に隣接して形成することにより、第2半導体層に引っ張り応力を与えることができる。従って、例えば、PMOSトランジスタが形成される領域の第2半導体層に対して、チャネル平行方向に圧縮応力を与えると共に、チャネル垂直方向に引っ張り応力を与えることができる。そして、このような応力の付与により、チャネル領域の第2半導体層に歪を持たせて正孔の移動度を向上させることができる。
〔発明5、6〕 発明5の半導体装置の製造方法は、NMOSトランジスタが形成される第1領域と、PMOSトランジスタが形成される第2領域とを有する半導体基板上に第1半導体層を形成する工程と、前記第1半導体層上に第2半導体層を形成する工程と、前記第2半導体層及び前記第1半導体層をエッチングして、前記第2半導体層及び前記第1半導体層を貫く第1溝を前記第1領域の周辺と前記第2領域の周辺とに形成する工程と、前記第1領域の周辺に形成された前記第1溝に引っ張り応力を有する第1支持体を形成する工程と、前記第2領域の周辺に形成された前記第1溝に圧縮応力を有する第2支持体を形成する工程と、前記第2半導体層をエッチングして、前記第1半導体層を露出させる第2溝を前記第1領域の周辺と前記第2領域の周辺とに形成する工程と、前記第2溝を介して前記第1半導体層をエッチングすることにより、前記第1領域の前記半導体基板と前記第2半導体層との間、及び、前記第2領域の前記半導体基板と前記第2半導体層との間に空洞部を形成する工程と、前記第1領域に形成された前記空洞部と、前記第2領域に形成された前記空洞部とに絶縁膜を形成する工程と、前記第1領域の周辺に形成された前記第2溝と、前記第2領域の周辺に形成された前記第2溝とに引っ張り応力を有する埋め込み膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
発明6の半導体装置の製造方法は、発明5の半導体装置の製造方法において、前記第1領域の前記第2半導体層上に第1ゲート絶縁膜を介して第1ゲート電極を形成する工程と、前記第2領域の前記第2半導体層上に第2ゲート絶縁膜を介して第2ゲート電極を形成する工程と、をさらに含み、前記第2ゲート電極を形成する工程では、前記第2支持体から前記第2半導体層に力が作用する方向とチャネル平行方向とが略一致し、且つ、前記埋め込み膜から前記第2半導体層に力が作用する方向とチャネル垂直方向とが略一致するように、前記第2ゲート電極を配置することを特徴とするものである。
発明5、6の半導体装置の製造方法によれば、引っ張り応力を有する第1支持体を第1領域の第2半導体層の側面に隣接して形成することにより、第1領域の第2半導体層に引っ張り応力を与えることができる。また、引っ張り応力を有する埋め込み膜を第1領域の第2半導体層の側面に隣接して形成することにより、第1領域の第2半導体層に引っ張り応力を与えることができる。従って、第1領域の第2半導体層に対して、チャネル平行方向に引っ張り応力を与えると共に、チャネル垂直方向に引っ張り応力を与えることができる。そして、このような応力の付与により、第1領域の第2半導体層に歪を持たせて電子の移動度を向上させることができる。
同様に、圧縮応力を有する第2支持体を第2領域の第2半導体層の側面に隣接して形成することにより、第2領域の第2半導体層に圧縮応力を与えることができる。また、引っ張り応力を有する埋め込み膜を第2領域の第2半導体層の側面に隣接して形成することにより、第2領域の第2半導体層に引っ張り応力を与えることができる。従って、第2領域の第2半導体層に対して、チャネル平行方向に圧縮応力を与えると共に、チャネル垂直方向に引っ張り応力を与えることができる。そして、このような応力の付与により、第2領域の第2半導体層に歪を持たせて正孔の移動度を向上させることができる。
これにより、チャネル領域の第2半導体層に歪を持たせて電子の移動度を向上させたNMOSトランジスタと、チャネル領域の第2半導体層に歪を持たせて正孔の移動度を向上させたPMOSトランジスタとを有するSBSIデバイスを実現することができる。
これにより、チャネル領域の第2半導体層に歪を持たせて電子の移動度を向上させたNMOSトランジスタと、チャネル領域の第2半導体層に歪を持たせて正孔の移動度を向上させたPMOSトランジスタとを有するSBSIデバイスを実現することができる。
〔発明7〕 発明7の半導体装置の製造方法は、発明3から発明6の何れか一の半導体の製造方法において、前記第2支持体を形成する工程は、前記第1溝を埋め込むように前記半導体基板上に引っ張り応力を有する支持体膜を形成する工程と、前記支持体膜に不純物をイオン注入する工程と、を有することを特徴とするものである。ここでは、例えば、支持体膜に不純物をイオン注入して当該支持体膜が有する力を引っ張り応力から圧縮応力に変化させる。
発明7の半導体装置の製造方法によれば、引っ張り応力を有する第1支持体と、圧縮応力を有する第2支持体とを同一の支持体膜から形成することができるので、製造工程の短縮に寄与することができる。
発明7の半導体装置の製造方法によれば、引っ張り応力を有する第1支持体と、圧縮応力を有する第2支持体とを同一の支持体膜から形成することができるので、製造工程の短縮に寄与することができる。
〔発明8〕 発明8の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層を平面視で囲むように前記半導体基板上に形成された絶縁層と、を備え、前記絶縁層は引っ張り応力を有することを特徴とするものである。このような構成であれば、第2半導体層に対して、チャネル平行方向に引っ張り応力を与えることができ、チャネル垂直方向にも引っ張り応力を与えることができる。
〔発明9〕 発明9の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層を平面視で囲むように前記半導体基板上に形成された絶縁層と、を備え、前記絶縁層は、平面視で一の方向に向かって前記半導体層の前後の側に配置された第1絶縁層と、前記一の方向と平面視で略垂直に交わる他の方向に向かって前記半導体層の前後の側に配置された第2絶縁層とを含み、前記第1絶縁層は圧縮応力を有し、前記第2絶縁層は引っ張り応力を有することを特徴とするものである。ここで、「一の方向」は例えばチャネル平行方向であり、「他の方向」は例えばチャネル垂直方向である。
発明9の半導体装置によれば、例えば、第2半導体層に対して、チャネル平行方向に圧縮応力を与えることができ、チャネル垂直方向に引っ張り応力が与えることができる。
発明9の半導体装置によれば、例えば、第2半導体層に対して、チャネル平行方向に圧縮応力を与えることができ、チャネル垂直方向に引っ張り応力が与えることができる。
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。
(1)第1実施形態
図1〜図8は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図1〜図8において、(a)及び(b)はNMOSトランジスタが形成される第1領域と、当該第1領域を平面視で囲む素子分離領域と(以下、これらを合わせてNMOS領域という。)を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)をX1−X´1〜X8−X´8線でそれぞれ切断したときの断面図である。また、図1〜図8において、(c)及び(d)はPMOSトランジスタが形成される第2領域と、当該第2領域を平面視で囲む素子分離領域と(以下、これらを合わせてPMOS領域という。)を示す図であり、(c)は平面図、(d)は(c)をX1−X´1〜X8−X´8線でそれぞれ切断したときの断面図である。
(1)第1実施形態
図1〜図8は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図1〜図8において、(a)及び(b)はNMOSトランジスタが形成される第1領域と、当該第1領域を平面視で囲む素子分離領域と(以下、これらを合わせてNMOS領域という。)を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)をX1−X´1〜X8−X´8線でそれぞれ切断したときの断面図である。また、図1〜図8において、(c)及び(d)はPMOSトランジスタが形成される第2領域と、当該第2領域を平面視で囲む素子分離領域と(以下、これらを合わせてPMOS領域という。)を示す図であり、(c)は平面図、(d)は(c)をX1−X´1〜X8−X´8線でそれぞれ切断したときの断面図である。
まず始めに、図1(a)〜(d)に示すように、NMOS領域とPMOS領域とを有するバルクのシリコン(Si)基板1上に、単結晶のシリコンゲルマニウム(SiGe)層3を形成し、その上に単結晶のSi層5を形成する。これらSiGe層3、Si層5は、例えばエピタキシャル成長法で連続して形成する。次に、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術により、Si層5及びSiGe層3をそれぞれ部分的にエッチングする。これにより、NMOS領域にSi基板1を底面とする支持体穴h1を形成すると共に、PMOS領域にSi基板1を底面とする支持体穴h2を形成する。ここでは、支持体穴h1、h2を素子分離領域と平面視で重なる領域に形成する。なお、このエッチング工程では、Si基板1の表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、Si基板1をオーバーエッチングして凹部を形成するようにしても良い。
次に、支持体穴h1、h2を埋め込むようにしてSi基板1上に第1の支持体膜を形成する。この支持体膜は引っ張り応力を有する絶縁膜であり、例えば、引っ張り応力を有するSiO2膜又は引っ張り応力を有するシリコン窒化(Si3N4)膜である。例えば、オゾン又は酸素に対するTEOSソールの流量比が大きいプラズマTEOSにより、引っ張り応力を有するSiO2膜を形成することができる。また、例えば、LPCVDにより、引っ張り応力を有するSi3N4膜を形成することができる。
次に、図2(a)〜(d)に示すように、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術により、引っ張り応力を有する支持体膜11を部分的にエッチングする。これにより、NMOS領域のSi基板1上に支持体膜11を残すと共に、PMOS領域のSi基板1上から支持体膜11を取り除く。次に、図3(a)〜(d)に示すように、Si基板1上に第2の支持体膜12を形成する。この支持体膜12は圧縮応力を有する絶縁膜であり、例えば、圧縮応力を有するSiO2膜又は圧縮応力を有するSi3N4膜である。例えば、オゾン又は酸素に対するTEOSソールの流量比が小さいプラズマTEOSにより、圧縮応力を有するSiO2膜を形成することができる。また、例えば、PECVDにより、圧縮応力を有するSi3N4膜を形成することができる。
次に、図4(a)〜(d)に示すように、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術により、支持体膜12、11、Si層5及びSiGe層3を順次、部分的にエッチングする。これにより、NMOS領域では、支持体膜11から支持体を形成すると共に、素子分離領域と平面視で重なる領域にSi基板1を底面とする溝H1を形成する。エッチング後のSi層5は平面視で矩形を成し、その短辺側面は引っ張り応力を有する支持体11に接触し、その長辺側面は溝H1に面した状態となる。また、PMOS領域では、支持体膜12から支持体を形成すると共に、素子分離領域と平面視で重なる領域にSi基板1を底面とする溝H2を形成する。エッチング後のSi層5は平面視で矩形を成し、その短辺側面は圧縮応力を有する支持体12に接触し、その長辺側面は溝H2に面した状態となる。なお、上記のエッチング工程では、Si基板1の表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、Si基板1をオーバーエッチングして凹部を形成するようにしても良い。
次に、溝H1、H2を介して例えばフッ硝酸溶液をSi層5及びSiGe層3のそれぞれの側面に接触させて、SiGe層3を選択的にエッチングして除去する。これにより、図5(a)〜(d)に示すように、NMOS領域のSi基板1とSi層5との間に空洞部21を形成すると共に、PMOS領域のSi基板1とSi層5との間に空洞部22を形成する。フッ硝酸溶液を用いたウェットエッチングでは、Siと比べてSiGeのエッチングレートが大きい(即ち、Siに対するエッチングの選択比が大きい)ので、Si層5を残しつつSiGe層だけをエッチングして除去することが可能である。空洞部の形成後、NMOS領域のSi層5は支持体11により支えられ、PMOS領域のSi層5は支持体12により支えられることとなる。
なお、上記のエッチング工程では、フッ硝酸溶液の代わりに、フッ硝酸過水、アンモニア過水、或いはフッ酢酸過水などを用いても良い。過水とは過酸化水素水のことである。この場合も、Siと比べてSiGeのエッチングレートが大きいので、SiGe層を選択的に除去することが可能である。
次に、図6(a)〜(d)に示すように、例えば熱酸化により、NMOS領域の空洞部内にSiO2膜23を形成すると共に、PMOS領域の空洞部内にSiO2膜23を形成する。ここでは、NMOS領域、PMOS領域の各空洞部の内部に面するSi基板1表面と、Si層5の裏面をそれぞれ熱酸化してSiO2膜23を成長させ、上下から成長してくるSiO2膜23同士を空洞部の中心付近でそれぞれ密着させる。これにより、NMOS領域、PMOS領域の各空洞部内をそれぞれSiO2膜23で埋め込む。
次に、図6(a)〜(d)に示すように、例えば熱酸化により、NMOS領域の空洞部内にSiO2膜23を形成すると共に、PMOS領域の空洞部内にSiO2膜23を形成する。ここでは、NMOS領域、PMOS領域の各空洞部の内部に面するSi基板1表面と、Si層5の裏面をそれぞれ熱酸化してSiO2膜23を成長させ、上下から成長してくるSiO2膜23同士を空洞部の中心付近でそれぞれ密着させる。これにより、NMOS領域、PMOS領域の各空洞部内をそれぞれSiO2膜23で埋め込む。
そして、SiO2膜23を形成した後、Si基板1上に埋め込み膜31を形成して、NMOS領域の溝H1とPMOS領域の溝H2をそれぞれ埋め込む。この埋め込み膜31は引っ張り応力を有する絶縁膜であり、例えば、引っ張り応力を有するSiO2膜又は引っ張り応力を有するSi3N4膜である。例えば、オゾン又は酸素に対するTEOSソールの流量比が大きいプラズマTEOSにより、引っ張り応力を有するSiO2膜を形成することができる。また、例えば、LPCVDにより、引っ張り応力を有するSi3N4膜を形成することができる。
次に、埋め込み膜31、支持体(膜)12、11を例えばCMP(Chemical Mechanical Polish)により平坦化しながら除去し、さらに、必要に応じてフッ酸(HF)溶液等を用いたウェットエッチングを施して、図7(a)〜(d)に示すように、Si層5の表面を露出させる。これにより、NMOS領域のSi基板1上にSiO2膜(即ち、BOX層)23とSi層(即ち、SOI層)5とからなるSOI構造50が完成すると共に、PMOS領域のSi基板1上にSiO2膜(即ち、BOX層)23とSi層(即ち、SOI層)5とからなるSOI構造60が完成する。
図7(a)及び(b)に示すように、NMOS領域のSOI構造50では、Si層5の短辺側面が引っ張り応力を有する支持体11に接触し、その長辺側面が引っ張り応力を有する埋め込み膜31に接触している。このため、図7(a)の矢印で示すように、Si層5には、その短辺から外側に向けて引っ張られる力(即ち、引っ張り応力)が与えられ、且つ、長辺から外側に向けて引っ張り応力が与えられている。つまり、支持体11と埋め込み膜31はそれぞれSi層5に引っ張り応力を付与する手段として機能する。また、支持体11と埋め込み膜31はSOI構造50を平面視で囲んでおり、これらは素子分離層としても機能することとなる。
一方、図7(c)及び(d)に示すように、PMOS領域のSOI構造60では、Si層5の短辺側面が圧縮応力を有する支持体12に接触し、その長辺側面が引っ張り応力を有する埋め込み膜31に接触している。このため、図7(c)の矢印で示すように、Si層5には、その短辺から内側に向けて圧縮される力(即ち、圧縮応力)が与えられ、且つ、長辺から外側に向けて引っ張り応力が与えられている。つまり、支持体12はSi層5に圧縮応力を付与する手段として機能すると共に、埋め込み膜はSi層5に引っ張り応力を付与する手段として機能する。また、支持体12と埋め込み膜31はSOI構造60を平面視で囲んでおり、これらは素子分離層としても機能することとなる。
以降の工程では、NMOS領域のSi層5にNMOSトランジスタを形成すると共に、PMOS領域のSi層5にPMOSトランジスタを形成する。即ち、図8(a)〜(d)に示すように、NMOS領域のSi層5表面にゲート絶縁膜41を形成すると共に、PMOS領域のSi層5表面にゲート絶縁膜42を形成する。ゲート絶縁膜41、42は、例えば、熱酸化により形成されるシリコン酸化膜(SiO2)若しくはシリコン酸化窒化膜(SiON)、又は、High−k材料膜である。ゲート絶縁膜41、42は同時に形成しても良いし、別々に形成しても良い。
次に、これらゲート絶縁膜41、42上にポリシリコン(poly−Si)膜を形成する。このポリシリコン膜の形成は、例えばCVD法により行う。ここでは、ポリシリコン膜に不純物をイオン注入、又は、in−Situ等で導入して、ポリシリコン膜に導電性を持たせる。
具体的には、NMOS領域全体をフォトレジストで覆った状態で、PMOS領域のポリシリコン膜にp型不純物をイオン注入し、次に、PMOS領域全体をフォトレジストで覆った状態で、NMOS領域のポリシリコン膜にn型不純物をイオン注入する。その後、Si基板1全体に熱処理を施してp型不純物とn型不純物とを同時に拡散させる。これにより、NMOS領域のポリシリコン膜にn型の導電性を持たせると共に、PMOS領域のポリシリコン膜にp型の導電性を持たせることができる。
具体的には、NMOS領域全体をフォトレジストで覆った状態で、PMOS領域のポリシリコン膜にp型不純物をイオン注入し、次に、PMOS領域全体をフォトレジストで覆った状態で、NMOS領域のポリシリコン膜にn型不純物をイオン注入する。その後、Si基板1全体に熱処理を施してp型不純物とn型不純物とを同時に拡散させる。これにより、NMOS領域のポリシリコン膜にn型の導電性を持たせると共に、PMOS領域のポリシリコン膜にp型の導電性を持たせることができる。
次に、フォトリソグラフィー技術とエッチング技術により、ポリシリコン膜を部分的にエッチングする。これにより、NMOS領域のゲート絶縁膜41上にゲート電極43を形成すると共に、PMOS領域のゲート絶縁膜42上にゲート電極44を形成する。なお、ここでは、NMOS領域において、支持体11からSi層5に力が作用する方向とチャネル平行方向とが一致し、且つ、埋め込み膜31からSi層に力が作用する方向とチャネル垂直方向とが一致するように、ゲート電極43を配置する。同様に、PMOS領域において、支持体12からSi層5に力が作用する方向とチャネル平行方向とが一致し、且つ、埋め込み膜31からSi層5に力が作用する方向とチャネル垂直方向とが一致するように、ゲート電極44を配置する。
次に、これらゲート電極43、44をマスクにSi層5に不純物をイオン注入し、熱処理を施して、NMOS領域のSi層5にn型のソース又はドレイン(以下、S/D層という。)45を形成すると共に、PMOS領域のSi層5にp型のS/D層46を形成する。具体的には、NMOS領域全体をフォトレジストで覆った状態で、PMOS領域のSi層5にp型不純物をイオン注入し、次に、PMOS領域全体をフォトレジストで覆った状態で、NMOS領域のSi層5にn型不純物をイオン注入する。その後、Si基板1全体に熱処理を施してp型不純物とn型不純物とを同時に拡散させる。これにより、NMOS領域のSi層5にn型のS/D層45を形成すると共に、PMOS領域のSi層5にp型のS/D層46を形成することができる。
次に、層間絶縁膜(図示せず)を形成し、この層間絶縁膜を部分的にエッチングして、ゲート電極43、44を底面とする第1のコンタクトホール(図示せず)と、S/D層45、46を底面とする第2のコンタクトホール(図示せず)とを形成する。そして、コンタクトホールの内部にAl配線又はプラグ電極等を形成する。このようにして、NOS領域のSi層5にNMOSトランジスタ70が完成すると共に、PMOS領域のSi層5にPMOSトランジスタ80が完成する。
このように、本発明の第1実施形態によれば、引っ張り応力を有する支持体11と埋め込み膜31とをNMOS領域のSi層5側面に隣接して形成することにより、Si層5に引っ張り応力を与えることができる。従って、例えば図8(a)に示すように、NMOS領域のSi層5に対して、チャネル平行方向に引っ張り応力を与えると共に、チャネル垂直方向に引っ張り応力を与えることができる。また、圧縮応力を有する支持体12と、引っ張り応力を有する埋め込み膜31とをPMOS領域のSi層5側面に隣接して形成することにより、Si層5に圧縮応力と引っ張り応力とをそれぞれ与えることができる。従って、例えば図8(c)に示すように、PMOS領域のSi層5に対して、チャネル平行方向に圧縮応力を与えると共に、チャネル垂直方向に引っ張り応力を与えることができる。これにより、チャネル領域のSi層5に歪を持たせて電子の移動度を向上させたNMOSトランジスタ70と、チャネル領域のSi層5に歪を持たせて正孔の移動度を向上させたPMOSトランジスタ80とを有するSBSIデバイスを実現することができる。
(2)第2実施形態
上述の第1実施形態では、引っ張り応力を有する支持体11と、圧縮応力を有する支持体12とをそれぞれ別々に形成する場合について説明した。しかしながら、支持体11、12の形成方法はこれに限られることはない。本発明者は、絶縁膜に不純物をイオン注入することによりその応力特性を改変できることを見出したが、例えば、この現象を利用して同一の絶縁膜から応力特性の異なる2種類の支持体11、12を形成しても良い。
上述の第1実施形態では、引っ張り応力を有する支持体11と、圧縮応力を有する支持体12とをそれぞれ別々に形成する場合について説明した。しかしながら、支持体11、12の形成方法はこれに限られることはない。本発明者は、絶縁膜に不純物をイオン注入することによりその応力特性を改変できることを見出したが、例えば、この現象を利用して同一の絶縁膜から応力特性の異なる2種類の支持体11、12を形成しても良い。
即ち、本発明者は、成膜直後(As DEPO)の段階で引っ張り応力を有するSi3N4膜に対して、P+、As+、Sb+、BF2+の各不純物をイオン注入すると、その応力特性は引っ張り応力から圧縮応力に変化することを発見した。また、このようなイオン注入を行った後で、Si3N4膜にランプアニール(例えば、1040℃、10秒)を施した場合でも、P+を除いた各サンプルは圧縮応力を維持することが分かった。そこで、第2実施形態では、上記の現象を利用して支持体11、12を形成する場合について説明する。
図9及び図10は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図9及び図10において、(a)及び(b)はNMOS領域を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)をX9−X´9〜X10−X´10線でそれぞれ切断したときの断面図である。また、(c)及び(d)はPMOS領域を示す図であり、(c)は平面図、(d)は(c)をX9−X´9〜X10−X´10線でそれぞれ切断したときの断面図である。なお、図9及び図10において、図1〜図8と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図9(a)〜(d)において、引っ張り応力を有する支持体膜11をSi基板1上に形成する工程までは第1実施形態と同じである。支持体膜11は、例えば引っ張り応力を有するSiO2膜又は引っ張り応力を有するSi3N4膜である。図9(a)〜(d)において、SiO2膜を形成した後、NMOS領域を覆い、PMOS領域を露出するレジストパターン(図示せず)を支持体膜11上に形成する。このレジストパターンの形成は、例えばフォトリソグラフィー技術により行う。
次に、上記のレジストパターンをマスクに、支持体膜11に不純物をイオン注入する。ここでは、例えばヒ素(As+)又はアンチモン(Sb+)を支持体膜11にイオン注入する。これにより、PMOS領域の支持体膜11にのみ不純物がイオン注入され、その応力特性を引っ張り応力から圧縮応力に改変することができる。つまり、引っ張り応力を有する支持体膜11から圧縮応力を有する支持体膜12を形成することができる。
以降の工程は、第1実施形態と同じである。即ち、NMOS領域及びPMOS領域にそれぞれ溝H1、H2(図4参照。)を形成し、これら溝H1、H2を介してSiGe層3を除去する。これにより、NMOS領域とPMOS領域にそれぞれ空洞部21、22(図5参照。)を形成する。次に、これら空洞部21、22内にそれぞれSiO2膜23(図6参照。)を形成する。そして、図10(a)〜(d)に示すように、引っ張り応力を有する埋め込み膜31をSi基板1上に形成して、溝H1、H2を埋め込む。次に、埋め込み膜31、支持体(膜)11、12を例えばCMPにより平坦化しながら除去し、さらに、必要に応じてフッ酸(HF)溶液等を用いたウェットエッチングを施して、図7(a)〜(d)に示したようにSi層5の表面を露出させる。これにより、NMOS領域のSi基板1上にSiO2膜(即ち、BOX層)23とSi層(即ち、SOI層)5とからなるSOI構造50が完成すると共に、PMOS領域のSi基板1上にSiO2膜(即ち、BOX層)23とSi層(即ち、SOI層)5とからなるSOI構造60が完成する。その後、図8(a)〜(d)に示したように、NMOS領域のSi層5にNMOSトランジスタ70を形成すると共に、PMOS領域のSi層5にPMOSトランジスタ80を形成する。
このように、本発明の第2実施形態によれば、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第1実施形態と比べて、引っ張り応力を有する支持体11と、圧縮応力を有する支持体12とを同一の絶縁膜から形成することができるので、成膜工程とエッチング工程とをそれぞれ1回ずつ省くことができる。従って、製造工程の短縮に寄与することができる。
上記の第1、第2実施形態では、SiGe層3が本発明の「第1半導体層」に対応し、Si層5が本発明の「第2半導体層」に対応している。また、支持体11が本発明の「第1支持体」に対応し、支持体12が本発明の「第2支持体」に対応している。さらに、支持体穴h1、h2が本発明の「第1溝」に対応し、溝H1、H2が本発明の「第2溝」に対応している。また、SiO2膜23が本発明の「絶縁膜」に対応している。さらに、ゲート絶縁膜41が本発明の「第1ゲート絶縁膜」に対応し、ゲート絶縁膜42が本発明の「第2ゲート絶縁膜」に対応している。また、ゲート電極43が本発明の「第1ゲート電極」に対応し、ゲート電極44が本発明の「第2ゲート電極」に対応している。
さらに、NMOS領域に残された支持体11及び埋め込み膜31と、PMOS領域に残された支持体12及び埋め込み膜31が、それぞれ本発明の「絶縁層」に対応し、その中でも、支持体12が本発明の「第1絶縁層」に対応し、PMOS領域の埋め込み膜31が本発明の「第2絶縁層」に対応している。
さらに、NMOS領域に残された支持体11及び埋め込み膜31と、PMOS領域に残された支持体12及び埋め込み膜31が、それぞれ本発明の「絶縁層」に対応し、その中でも、支持体12が本発明の「第1絶縁層」に対応し、PMOS領域の埋め込み膜31が本発明の「第2絶縁層」に対応している。
1 Si基板、3 SiGe層、5 Si層(SOI層)、11、12 支持体(膜)、21、22 空洞部、23 SiO2膜(BOX層)、31 埋め込み膜、41、42 ゲート絶縁膜、43、44 ゲート電極、45、46 S/D層、50、60 SOI構造、70 NMOSトランジスタ、80 PMOSトランジスタ
Claims (9)
- 半導体基板上に第1半導体層を形成する工程と、
前記第1半導体層上に第2半導体層を形成する工程と、
前記第2半導体層及び前記第1半導体層をエッチングして、前記第2半導体層及び前記第1半導体層を貫く第1溝を形成する工程と、
前記第1溝に引っ張り応力を有する第1支持体を形成する工程と、
前記第2半導体層をエッチングして、前記第1半導体層を露出させる第2溝を形成する工程と、
前記第2溝を介して前記第1半導体層をエッチングすることにより、前記第2半導体層と前記半導体基板との間に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部に絶縁膜を形成する工程と、
前記第2溝に引っ張り応力を有する埋め込み膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2半導体層上に第1ゲート絶縁膜を介して第1ゲート電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に第1半導体層を形成する工程と、
前記第1半導体層上に第2半導体層を形成する工程と、
前記第2半導体層及び前記第1半導体層をエッチングして、前記第2半導体層及び前記第1半導体層を貫く第1溝を形成する工程と、
前記第1溝に圧縮応力を有する第2支持体を形成する工程と、
前記第2半導体層をエッチングして、前記第1半導体層を露出させる第2溝を形成する工程と、
前記第2溝を介して前記第1半導体層をエッチングすることにより、前記第2半導体層と前記半導体基板との間に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部に絶縁膜を形成する工程と、
前記第2溝に引っ張り応力を有する埋め込み膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2半導体層上に第2ゲート絶縁膜を介して第2ゲート電極を形成する工程をさらに含み、
前記第2ゲート電極を形成する工程では、前記第2支持体から前記第2半導体層に力が作用する方向とチャネル平行方向とが略一致し、且つ、前記埋め込み膜から前記第2半導体層に力が作用する方向とチャネル垂直方向とが略一致するように、前記第2ゲート電極を配置することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - NMOSトランジスタが形成される第1領域と、PMOSトランジスタが形成される第2領域とを有する半導体基板上に第1半導体層を形成する工程と、
前記第1半導体層上に第2半導体層を形成する工程と、
前記第2半導体層及び前記第1半導体層をエッチングして、前記第2半導体層及び前記第1半導体層を貫く第1溝を前記第1領域の周辺と前記第2領域の周辺とに形成する工程と、
前記第1領域の周辺に形成された前記第1溝に引っ張り応力を有する第1支持体を形成する工程と、
前記第2領域の周辺に形成された前記第1溝に圧縮応力を有する第2支持体を形成する工程と、
前記第2半導体層をエッチングして、前記第1半導体層を露出させる第2溝を前記第1領域の周辺と前記第2領域の周辺とに形成する工程と、
前記第2溝を介して前記第1半導体層をエッチングすることにより、前記第1領域の前記半導体基板と前記第2半導体層との間、及び、前記第2領域の前記半導体基板と前記第2半導体層との間に空洞部を形成する工程と、
前記第1領域に形成された前記空洞部と、前記第2領域に形成された前記空洞部とに絶縁膜を形成する工程と、
前記第1領域の周辺に形成された前記第2溝と、前記第2領域の周辺に形成された前記第2溝とに引っ張り応力を有する埋め込み膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1領域の前記第2半導体層上に第1ゲート絶縁膜を介して第1ゲート電極を形成する工程と、
前記第2領域の前記第2半導体層上に第2ゲート絶縁膜を介して第2ゲート電極を形成する工程と、をさらに含み、
前記第2ゲート電極を形成する工程では、前記第2支持体から前記第2半導体層に力が作用する方向とチャネル平行方向とが略一致し、且つ、前記埋め込み膜から前記第2半導体層に力が作用する方向とチャネル垂直方向とが略一致するように、前記第2ゲート電極を配置することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2支持体を形成する工程は、
前記第1溝を埋め込むように前記半導体基板上に引っ張り応力を有する支持体膜を形成する工程と、
前記支持体膜に不純物をイオン注入する工程と、を有することを特徴とする請求項3から請求項6の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された半導体層と、
前記半導体層を平面視で囲むように前記半導体基板上に形成された絶縁層と、を備え、
前記絶縁層は引っ張り応力を有することを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された半導体層と、
前記半導体層を平面視で囲むように前記半導体基板上に形成された絶縁層と、を備え、
前記絶縁層は、平面視で一の方向に向かって前記半導体層の前後の側に配置された第1絶縁層と、前記一の方向と平面視で略垂直に交わる他の方向に向かって前記半導体層の前後の側に配置された第2絶縁層とを含み、
前記第1絶縁層は圧縮応力を有し、前記第2絶縁層は引っ張り応力を有することを特徴とする半導体装置。
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