JP2009158923A - イメージセンサとその製造方法 - Google Patents

イメージセンサとその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009158923A
JP2009158923A JP2008281104A JP2008281104A JP2009158923A JP 2009158923 A JP2009158923 A JP 2009158923A JP 2008281104 A JP2008281104 A JP 2008281104A JP 2008281104 A JP2008281104 A JP 2008281104A JP 2009158923 A JP2009158923 A JP 2009158923A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photodiode
conductivity type
ion implantation
implantation region
image sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008281104A
Other languages
English (en)
Inventor
Tae Gyu Kim
ギュ キム、テ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DB HiTek Co Ltd
Original Assignee
Dongbu HitekCo Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongbu HitekCo Ltd filed Critical Dongbu HitekCo Ltd
Publication of JP2009158923A publication Critical patent/JP2009158923A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687Wafer level processing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

【課題】回路とフォトダイオードの新たな集積を提供できるイメージセンサ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】回路が形成された第1基板100と、前記第1基板100とボンディングされて前記回路と電気的に繋がるように形成されたフォトダイオード210と、前記回路と前記フォトダイオード210が電気的に繋がるようにピクセル境界に形成されたコンタクトプラグ240を含み、前記フォトダイオード210は、結晶型半導体層内に選択的に形成された第1導電型イオン注入領域214と、前記第1導電型イオン注入領域214の一側面に接して形成された第2導電型イオン注入領域216を含む。
【選択図】図1a

Description

本発明は、イメージセンサとその製造方法に関するものである。
CMOSイメージセンサは、単位画素内にフォトダイオードとMOSトランジスタを形成させることによって、スイッチング方式により各単位画素の電気的信号を順次に検出して映像を具現する。
一方、従来技術によるCMOSイメージセンサは、フォトダイオードがトランジスタと水平に配置される仕組みである。
勿論、従来技術による水平CMOSイメージセンサによりCCDイメージセンサの短所が解決されてはいるものの、従来技術による水平CMOSイメージセンサには相変わらず問題点が存在する。
即ち、従来技術による水平CMOSイメージセンサによれば、フォトダイオードとトランジスタが基板上に相互水平に隣接して製造される。それによって、フォトダイオードのための更なる領域が要求され、これによって、 充てん比(fill factor)の領域を減少させ、またレゾリューション(Resolution)の可能性を制限する問題がある。
また、従来技術による水平CMOSイメージセンサによれば、フォトダイオードとトランジスタを同時に製造する工程において、最適化を達成させることに非常に難しい問題がある。
また、従来技術による水平CMOSイメージセンサによれば、ピクセルサイズが増加すれば、イメージセンサのレゾリューションが減少することになり、また、フォトダイオードの面積が減少すればイメージセンサの感度(sensitivity)が減少する問題が発生する。
本発明は、回路とフォトダイオードの新たな集積を提供できるイメージセンサ及びその製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、レゾリューションと感度が共に改善されるイメージセンサ及びその製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、フォトダイオードを採用しながらフォトダイオードと回路の間の物理的、電気的の接触力が優れたイメージセンサ及びその製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、垂直型のフォトダイオードを採用しながらフォトダイオード内の欠陥Defectを防止できるイメージセンサ及びその製造方法を提供することを課題とする。
本発明によるイメージセンサは、回路が形成された第1基板と、前記第1基板とボンディングされて前記回路と電気的に繋がるように形成されたフォトダイオード、前記回路と前記フォトダイオードが電気的に繋がるようにピクセル境界に形成されたコンタクトプラグを含み、前記フォトダイオードは、結晶型半導体層内に選択的に形成された第1導電型イオン注入領域と、前記第1導電型イオン注入領域の一側面に接して形成された第2導電型イオン注入領域を含む。
また、本発明によるイメージセンサの製造方法は、配線を含む回路が形成された第1基板を準備する段階と、フォトダイオードが形成された第2基板を準備する段階と、前記フォトダイオードと前記第1絶縁層が接触するように前記第1基板と前記第2基板をボンディングする段階と、前記ボンディングされた第2基板の下側を除去してフォトダイオードを露出させる段階と、ピクセル境界に前記配線とフォトダイオードが電気的に繋がるコンタクトプラグを形成する段階を含み、前記フォトダイオードは、結晶型半導体層内に選択的に形成された第1導電型イオン注入領域と、前記第1導電型イオン注入領域の一側面に接して形成された第2導電型イオン注入領域を含む。
本発明は、ピクセル境界にコンタクトプラグと上部電極を形成することで充てん比を向上させることが出来る。
また、本発明は、ピクセル境界に絶縁層を形成することでピクセルとピクセル間の混信Crosstalkを防止することが出来る。
また、本発明は、ピクセル境界のコンタクトプラグと下側の配線との確実な接触を通じてオーム接触(Ohmic contact)を向上させることが出来る。
また、本発明は、回路の上側に配置される結晶型半導体内の側面に形成されるフォトダイオードを提供することが出来る。
更に、本発明によれば、垂直型のフォトダイオードを採用しながらフォトダイオードと回路の間に絶縁層を挿入することで、フォトダイオードと回路の間の接触力を向上させることが出来る。
更に、本発明によれば、回路が形成された基板の上に絶縁層を形成した後、CMP等で平坦化を行った後にボンデングを行い、段差を最小化することで、ボンディング及び劈開Cleaving状態をもっと改善することが出来る。
更に、本発明によれば、コンタクトの形成時に湿式エッチング(Wet Etch)を適用することで、乾式エッチング(Dry Etch)時に発生し得るプラズマダメージ(Plasma Damage)を除去させることにより、フォトダイオードの特性を向上させることが出来る。
以下、実施例によるイメージセンサ及びその製造方法を添付された図面を参照して説明する。
図1aは、実施例によるイメージセンサのI−I’ラインに沿った断面図で、図1bは、その平面図である。
実施例によるイメージセンサは、回路が形成された第1基板100と、前記第1基板100とボンディングされ、前記回路と電気的に繋がるように形成されたフォトダイオード210と、前記回路と前記フォトダイオード210が電気的に繋がるようにピクセル境界に形成されたコンタクトプラグ240を含み、前記フォトダイオード210は、結晶型半導体層内に選択的に形成された第1導電型イオン注入領域214と、前記第1導電型イオン注入領域214の一側面に接して形成された第2導電型イオン注入領域216を含むことを特徴とする。
図1aのように、実施例では、前記コンタクトプラグ240の一側面は、前記フォトダイオードの第1導電型イオン注入領域214と電気的に接触し、前記コンタクトプラグ240のもう一つの側面は、第2絶縁層230によって絶縁されることができる。
この際、実施例は、前記第2絶縁層230の一側面に形成されたバリア層220を更に含むことができる。例えば、前記絶縁層は酸化膜であり、前記バリア層は窒化膜であることもあるが、これに限られているのではない。
実施例は、前記第1基板100とフォトダイオード210の間に絶縁層120を50Å乃至1,000Åの厚さで形成することで、第1基板100と第2基板200の結合層としての役割を適切に行うことが出来る。
また、実施例は、前記フォトダイオードの第1導電型イオン注入領域214とコンタクトプラグ240の間に形成された、高濃度の第1導電型イオン注入領域212を更に含むことが出来る。
また、図1bのように、実施例は、前記フォトダイオードの第2導電型イオン注入領域216と電気的に接触する上部電極242を更に含むことが出来る。
実施例において、結晶型半導体層210a(図3を参照)は単結晶半導体層であることもあるが、これに限られているのではなく、多結晶半導体層であることもある。
前記第1基板100の回路は、図示してはないが、CISの場合、回路が四つのトランジスタ(4TrCIS)の形態に限られているのではなく、1TrCIS、3TrCIS、5TrCIS又は、1.5TrCIS(トランジスタの共有CIS)等にも適用が可能である。
また、前記第1基板100に形成された配線110は、メタル(図示していない)とプラグ(図示していない)を含むことが出来る。前記配線110の内、最上部がフォトダイオードの下部電極の役割をすることが出来る。
図2乃至13を参照して実施例によるイメージセンサの製造方法を説明する。
まず、図2のように、配線110を含む回路(図示していない)が形成された前記第1基板100を用意する。前記第1基板100の回路は図示していないが、CISの場合、回路が四つのトランジスタ(4TrCIS)の形態に限られでいるのではない。
また、第1基板100に形成された配線110は、メタル(図示していない)とプラグ(図示していない)を含むことが出来る。
次に、前記第1基板100上に前記配線110と選択的に接触するように第1絶縁層120を形成することが出来る。一方、前記第1絶縁層120の形成工程は必須的な工程ではない。前記第1絶縁層120は、SiO等、酸化膜であることがあるが、これに限られているのではない。以後、前記第1絶縁層120に対し、CMP等による平坦化作業が行われることができる。
次に、図3のように、第2基板200上に結晶型半導体層210aを形成する。このような結晶型半導体層210aにフォトダイオードが形成されることで、フォトダイオード内の欠陥(Defect)を防ぐことが出来る。
例えば、前記第2基板200上にエピタキシャル(epitaxial)によって結晶型半導体層210aを形成する。以後、第2基板200と結晶型半導体層210aの境に水素イオンを注入して、水素イオン注入層207aを形成する。
以後、前記結晶型半導体層210aにイオンを注入することで、フォトダイオード210を形成する。
例えば、前記第1導電型に導電された結晶型半導体層210aを形成することが出来る。又は、結晶型半導体層を形成した後、全体的に第1導電型のイオン注入を行うことも出来る。又は、結晶型半導体層を形成した後、所定のマスク(図示していない)を用いて選択的に第1導電型のイオン注入領域214を形成することが出来る。例えば、前記第1導電型のイオン注入領域214は、N-領域であることもあるが、これに限られているのではない。
以後、第1感光膜パターン310をマスクとして、第1導電型のイオン注入領域214の一側のピクセル境界に高濃度の第1導電型のイオン注入領域212を形成することが出来る。例えば、ピクセル境界にN+領域を形成することで、オーム接触に寄与することが出来る。
以後、図4のように、第1感光膜パターン310を除去し、第2感光膜パターン320をマスクとして第1導電型のイオン注入領域214のもう一つの側面に第2導電型のイオン注入領域216を形成することが出来る。
その次に、図5のように、前記フォトダイオード210と前記第1絶縁層120が接触するように前記第1基板100と前記第2基板200をボンディングさせる。例えば、前記第1基板100と前記第2基板200をボンディングさせる前に、前記プラズマの活性化(activation)によってボンディングされる面の表面エネルギーを向上させることで、ボンディングを行うことが出来る。
次に、図6のように、第2基板200に熱処理を通じで、水素イオン注入層207aが水素気体層207に変わるようにすることが出来る。
次に、図7のように、水素気体層207を基準とし、第2基板200を、下側を容易に除去し、フォトダイオード210が露出されるようにすることが出来る。
次に、図8のように、フォトダイオード210をピクセルごとに分離するエッチングを行う。例えば、前記ピクセル境界の前記フォトダイオード210と第1絶縁層120を除去して前記配線110を選択的に露出させる第1コンタクトホールH1を形成する。例えば、ピクセル境界の高濃度の第1導電型イオン注入領域212と第2導電型イオン注入領域216を選択的に一部を除去して前記配線110を選択的に露出させることが出来る。
次に、図9のように、前記第1コンタクトホールH1とフォトダイオード210上にバリア層220を形成する。前記バリア層220はSiN等の窒化膜であることがあるが、これに限られているのではない。
次に、図10のように、前記バリア層220上に第1コンタクトホールH1を埋める第2絶縁層230を形成する。前記第2絶縁層230はSiO等の酸化膜であることがあるが、これに限られているのではない。
次に、図11のように、前記第1コンタクトホールH1の一側面と下面一側のバリア層220が露出されるように、前記第2絶縁層230除去して第2コンタクトホールH2を形成する。例えば、前記第2絶縁層230とバリア層のエッチングの選択割合が高い第1湿式エッチングによって行われることができる。
次に、図12のように、前記露出されたバリア層220を除去して、前記フォトダイオード210の一側面と前記配線110を選択的に露出させる第3コンタクトホールH3を形成する。例えば、前記第2絶縁層230とバリア層のエッチングの選択割合が高い第2湿式エッチングによって行われることができる。例えば、前記露出されたバリア層220を除去して、高濃度の第1導電型イオン注入領域212の一側面と前記配線110を選択的に露出させる第3コンタクトホールH3を形成する。
次に、図13のように、前記第3コンタクトホールH3を埋めるコンタクトプラグ240を形成する。例えば、タングステン(W)、Ti単一層、Ti/TiN二重層等によりコンタクトプラグ240を形成することができるが、これに限られているのではない。
その後、前記第2導電型イオン注入領域216と電気的に接触する上部電極242を形成する段階を更に行うことが出来る。例えば、ピクセル境界を選択的に除去し、第2導電型イオン注入領域216の側面が露出するようにした後、前記露出された第2導電型イオン注入領域216と接するように上部電極242を形成することが出来る。
また、前記上部電極242を形成するためのエッチング工程は、前記コンタクトプラグ240を形成するためのエッチング工程と同時に行うことが出来る。この場合、コンタクトプラグ240と上部電極242を形成するための物質は、同じ物質で形成することも出来る。例えば、高濃度の第1導電型イオン注入領域212を露出する第3ホールH3の形成時、第2導電型イオン注入領域216を露出する第4ホール(図示していない)を形成した後、第3ホールと第4ホールを同時に埋めることでコンタクトプラグと上部電極を同時に形成することが出来る。
実施例は、記載された実施例、及び図面によって限られているのではなく、請求項の権利範囲に属する範囲内で、多様な異なる実施例が可能である。
実施例によるイメージセンサの断面図である。 実施例によるイメージセンサの平面図である。 実施例によるイメージセンサの製造方法の工程断面図である。 実施例によるイメージセンサの製造方法の工程断面図である。 実施例によるイメージセンサの製造方法の工程断面図である。 実施例によるイメージセンサの製造方法の工程断面図である。 実施例によるイメージセンサの製造方法の工程断面図である。 実施例によるイメージセンサの製造方法の工程断面図である。 実施例によるイメージセンサの製造方法の工程断面図である。 実施例によるイメージセンサの製造方法の工程断面図である。 実施例によるイメージセンサの製造方法の工程断面図である。 実施例によるイメージセンサの製造方法の工程断面図である。 実施例によるイメージセンサの製造方法の工程断面図である。 実施例によるイメージセンサの製造方法の工程断面図である。
符号の説明
100 第1基板、 110 配線、 120 第1絶縁層、 200 第2基板、 207 水素気体層、 210 フォトダイオード、 212 高濃度第1導電型イオン注入領域、 214 第1導電型イオン注入領域、 216 第2導電型イオン注入領域、 220 バリア層、 230 第2絶縁層、 240 コンタクトプラグ、 242 上部電極、 310 第1感光膜パターン、 320 第2感光膜パターン、 207a 水素イオン注入層、 210a 結晶型半導体層、 H1 第1コンタクトホール、 H2 第2コンタクトホール、 H3 第3コンタクトホール。

Claims (10)

  1. 回路が形成された第1基板と、
    前記第1基板とボンディングされて前記回路と電気的に繋がるように形成されたフォトダイオードと、
    前記回路と前記フォトダイオードが電気的に繋がるようにピクセル境界に形成されたコンタクトプラグを含み、
    前記フォトダイオードは、
    結晶型半導体層内に選択的に形成された第1導電型イオン注入領域と、
    前記第1導電型イオン注入領域の一側面に接して形成された第2導電型イオン注入領域を含むことを特徴とするイメージセンサ。
  2. 前記コンタクトプラグの一側面は、前記フォトダイオードの第1導電型イオン注入領域と電気的に接触し、前記コンタクトプラグの他の側面は、第2絶縁層によって絶縁されることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
  3. 前記フォトダイオードの第2導電型イオン注入領域と電気的に接触する上部電極をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。
  4. 前記フォトダイオードの第1導電型イオン注入領域とコンタクトプラグの間に形成された高濃度の第1導電型イオン注入領域をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
  5. 前記フォトダイオードの第1導電型イオン注入領域とコンタクトプラグの間に形成された高濃度の第1導電型イオン注入領域をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。
  6. 配線を含む回路が形成された第1基板を準備する段階と、
    フォトダイオードが形成された第2基板を準備する段階と、
    前記フォトダイオードと第1絶縁層が接触するように前記第1基板と前記第2基板をボンディングする段階と、
    前記ボンディングされた第2基板の下側を除去してフォトダイオードを露出させる段階と、ピクセル境界に前記配線とフォトダイオードが電気的に繋がるコンタクトプラグを形成する段階を含み、
    前記フォトダイオードは、
    結晶型半導体層内に選択的に形成された第1導電型イオン注入領域と、
    前記第1導電型イオン注入領域の一側面に接して形成された第2導電型イオン注入領域を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。
  7. 前記コンタクトプラグの一側面は、前記フォトダイオードの第1導電型イオン注入領域と電気的に接触し、前記コンタクトプラグの他の側面は、第2絶縁層によって絶縁されることを特徴とする請求項6に記載のイメージセンサの製造方法。
  8. 前記フォトダイオードの第2導電型イオン注入領域と電気的に接触する上部電極を形成する段階を、さらに含むことを特徴とする請求項6に記載のイメージセンサの製造方法。
  9. 前記第1基板を準備する段階の後に、前記第1基板上に前記配線と選択的に接触するように第1絶縁層を形成する段階を、更に含むことを特徴とする請求項6に記載のイメージセンサの製造方法。
  10. 前記コンタクトプラグを形成する段階は、
    前記ピクセル境界の前記フォトダイオードと第1絶縁層を除去し、
    前記配線を選択的に露出させる第1コンタクトホールを形成する段階と、
    前記第1コンタクトホールとフォトダイオード上にバリアー層を形成する段階と、
    前記バリアー層上に第1コンタクトホールを埋める第2絶縁層を形成する段階と、
    前記第1コンタクトホールの一側面と下面の一側のバリアー層が露出されるように前記第2絶縁層を除去して第2コンタクトホールを形成する段階と、
    前記露出されたバリアー層を除去し、前記フォトダイオードの一側面と前記配線を選択的に露出させる第3コンタクトホールを形成する段階と、
    前記第3コンタクトホールを埋めるコンタクトプラグを形成する段階を含むことを特徴とする請求項9に記載のイメージセンサの製造方法。
JP2008281104A 2007-12-27 2008-10-31 イメージセンサとその製造方法 Pending JP2009158923A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20070139370 2007-12-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009158923A true JP2009158923A (ja) 2009-07-16

Family

ID=40758597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008281104A Pending JP2009158923A (ja) 2007-12-27 2008-10-31 イメージセンサとその製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2009158923A (ja)
CN (1) CN101471354A (ja)
DE (1) DE102008051929A1 (ja)
TW (1) TW200929532A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10177187B2 (en) 2015-05-28 2019-01-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Implant damage free image sensor and method of the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004055590A (ja) * 2002-07-16 2004-02-19 Sony Corp 固体撮像素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004055590A (ja) * 2002-07-16 2004-02-19 Sony Corp 固体撮像素子

Also Published As

Publication number Publication date
CN101471354A (zh) 2009-07-01
DE102008051929A1 (de) 2009-07-16
TW200929532A (en) 2009-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7956434B2 (en) Image sensor and method for manufacturing the same
TWI515826B (zh) 貫穿矽介層及其製造方法
JP2006080492A (ja) 半導体装置およびその製造方法
WO2005069377A1 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP2009147318A (ja) イメージセンサ及びその製造方法
JP5066510B2 (ja) イメージセンサーおよびその製造方法
JP2004080030A (ja) Cmosイメージセンサ及びその製造方法
JP2012028805A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2007142208A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2007329336A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JP2009164599A (ja) イメージセンサ及びその製造方法
JP2010157712A (ja) イメージセンサ及びその製造方法
US8119443B2 (en) Method of manufacturing image sensor having ions implanted into photodiode layer to control contact hole shape
JP2009164605A (ja) イメージセンサー及びその製造方法
TW200929531A (en) Image sensor and method for manufacturing the same
CN101447497B (zh) 图像传感器及其制造方法
TWI497574B (zh) 半導體結構
JP2009158923A (ja) イメージセンサとその製造方法
JP2010118661A (ja) イメージセンサー及び前記イメージセンサーの製造方法
US20090140332A1 (en) Semiconductor device and method of fabricating the same
JP2010118654A (ja) イメージセンサの製造方法
JP2010034562A (ja) イメージセンサ及びその製造方法
KR100936105B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR100877242B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
JP2006332133A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111220

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111222

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120316

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120710

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121204