JP2009158923A - イメージセンサとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回路が形成された第1基板100と、前記第1基板100とボンディングされて前記回路と電気的に繋がるように形成されたフォトダイオード210と、前記回路と前記フォトダイオード210が電気的に繋がるようにピクセル境界に形成されたコンタクトプラグ240を含み、前記フォトダイオード210は、結晶型半導体層内に選択的に形成された第1導電型イオン注入領域214と、前記第1導電型イオン注入領域214の一側面に接して形成された第2導電型イオン注入領域216を含む。
【選択図】図1a
Description
Claims (10)
- 回路が形成された第1基板と、
前記第1基板とボンディングされて前記回路と電気的に繋がるように形成されたフォトダイオードと、
前記回路と前記フォトダイオードが電気的に繋がるようにピクセル境界に形成されたコンタクトプラグを含み、
前記フォトダイオードは、
結晶型半導体層内に選択的に形成された第1導電型イオン注入領域と、
前記第1導電型イオン注入領域の一側面に接して形成された第2導電型イオン注入領域を含むことを特徴とするイメージセンサ。 - 前記コンタクトプラグの一側面は、前記フォトダイオードの第1導電型イオン注入領域と電気的に接触し、前記コンタクトプラグの他の側面は、第2絶縁層によって絶縁されることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記フォトダイオードの第2導電型イオン注入領域と電気的に接触する上部電極をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。
- 前記フォトダイオードの第1導電型イオン注入領域とコンタクトプラグの間に形成された高濃度の第1導電型イオン注入領域をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記フォトダイオードの第1導電型イオン注入領域とコンタクトプラグの間に形成された高濃度の第1導電型イオン注入領域をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。
- 配線を含む回路が形成された第1基板を準備する段階と、
フォトダイオードが形成された第2基板を準備する段階と、
前記フォトダイオードと第1絶縁層が接触するように前記第1基板と前記第2基板をボンディングする段階と、
前記ボンディングされた第2基板の下側を除去してフォトダイオードを露出させる段階と、ピクセル境界に前記配線とフォトダイオードが電気的に繋がるコンタクトプラグを形成する段階を含み、
前記フォトダイオードは、
結晶型半導体層内に選択的に形成された第1導電型イオン注入領域と、
前記第1導電型イオン注入領域の一側面に接して形成された第2導電型イオン注入領域を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記コンタクトプラグの一側面は、前記フォトダイオードの第1導電型イオン注入領域と電気的に接触し、前記コンタクトプラグの他の側面は、第2絶縁層によって絶縁されることを特徴とする請求項6に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記フォトダイオードの第2導電型イオン注入領域と電気的に接触する上部電極を形成する段階を、さらに含むことを特徴とする請求項6に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第1基板を準備する段階の後に、前記第1基板上に前記配線と選択的に接触するように第1絶縁層を形成する段階を、更に含むことを特徴とする請求項6に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記コンタクトプラグを形成する段階は、
前記ピクセル境界の前記フォトダイオードと第1絶縁層を除去し、
前記配線を選択的に露出させる第1コンタクトホールを形成する段階と、
前記第1コンタクトホールとフォトダイオード上にバリアー層を形成する段階と、
前記バリアー層上に第1コンタクトホールを埋める第2絶縁層を形成する段階と、
前記第1コンタクトホールの一側面と下面の一側のバリアー層が露出されるように前記第2絶縁層を除去して第2コンタクトホールを形成する段階と、
前記露出されたバリアー層を除去し、前記フォトダイオードの一側面と前記配線を選択的に露出させる第3コンタクトホールを形成する段階と、
前記第3コンタクトホールを埋めるコンタクトプラグを形成する段階を含むことを特徴とする請求項9に記載のイメージセンサの製造方法。
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