JP2009152259A - スピントルク磁気メモリ及びそのオフセット磁界補正方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ビット線6とワード線との間に設けられた磁気抵抗効果素子と、ビット線6の一端に接続された第一の可変抵抗素子5と、ビット線6の他端に接続された第二の可変抵抗素子10と、第一の可変抵抗素子5に電圧を印加する第一の電圧印加手段V1と、第二の可変抵抗素子10に電圧を印加する第二の電圧印加手段V2を備え、書込み動作時に、予め定められた抵抗値に基づいて前記第一の電圧印加手段V1と前記第二の電圧印加手段V2との間に可変な電流を流し、磁気抵抗効果素子の自由層にオフセット磁界を印加する。
【選択図】図1
Description
図3に、セルアレイの構成例を示す。破線で囲まれた領域31が単位セルである。セルアレイは、磁気抵抗効果型素子32と、CMOSトランジスタ33と、CMOSトランジスタ33のゲート電極に電圧を供給するワード線34と、CMOSトランジスタ33に電圧を供給するソース線35と、ビット線6に流れる電流を制御する可変抵抗素子36、37とを備える。ここで、可変抵抗素子36、37として、例えばCMOSトランジスタを用いることができる。また、CMOSトランジスタ36、37のゲートに電圧を供給してCMOSトランジスタ36、37の抵抗の値を制御するための特別のワード線38、39を備える。ビット線6の一端は、磁気抵抗効果素子の抵抗変化を検出するセンスアンプに接続されており、ビット線6およびソース線35の両端は、書込みドライバに接続されている。ワード線34は別の書込みドライバに接続されており、ワード線36、37は抵抗制御用のドライバに接続されている。
θ = [kT/(μ0MsHkV)]1/2 (1)
固定層1、非磁性の中間層2および自由層3を含む積層膜は、磁気異方性を発現するようにするため、通常楕円形や一方の辺が長い六角形に加工されていてもよい。スイッチング素子4は、積層膜に電流8を流す手段であり、例えばCMOSトランジスタが用いられる。可変抵抗素子5、10は、ビット線6に流れる電流7の大きさを調節する機能を持つ。電流7により、ビット線6の周りには、磁界9が生じる。
Claims (15)
- ビット線及びワード線と、
前記ビット線と前記ワード線との間に設けられた磁気抵抗効果素子と、
前記ビット線の一端に接続された第一の可変抵抗素子と、
前記ビット線の他端に接続された第二の可変抵抗素子と、
前記磁気抵抗効果素子とワード線との間に設けられた第三の可変抵抗素子と、
前記第一の可変抵抗素子に電圧を印加する第一の電圧印加手段と、
前記第二の可変抵抗素子に電圧を印加する第二の電圧印加手段と、
前記第三の可変抵抗素子に電圧を印加する第三の電圧印加手段とを備え、
前記磁気抵抗効果素子は、磁化方向が可変である第一の強磁性層と、磁化方向が固定されている第二の強磁性層と、前記第一の強磁性層と前記第二の強磁性層との間に形成された中間層とを有し、
書込み動作時には、予め定められた抵抗値に基づいて、前記第一の電圧印加手段と前記第二の電圧印加手段との間に電流を流し、前記ビット線と前記第三の電圧印加手段との間に電流を流すことで生じるスピントルクを用いて第一の強磁性層の磁化を反転させることを特徴とするスピンメモリ。 - 前記第一の電圧印加手段により、前記第一の可変抵抗素子の抵抗を変化させ、
前記第二の電圧印加手段により、前記第二の可変抵抗素子の抵抗を変化させ、
前記第三の電圧印加手段により、前記第三の可変抵抗素子の抵抗を変化させることを特徴とするスピンメモリ。 - 前記第一の電圧印加手段と前記第二の電圧印加手段との間流れる電流値は、可変であることを特徴とする請求項2記載のスピンメモリ。
- 前記第一の電圧印加手段と前記第二の電圧印加手段との間に電流を流すことにより発生する電流磁界の方向と、前記第二の強磁性層の固定されている磁化方向とが、略平行であることを特徴とする請求項1記載のスピンメモリ。
- 前記第一の電圧印加手段と前記第二の電圧印加手段との間に電流を流すことにより発生する電流磁界の方向と、前記第一の強磁性層の磁化容易軸とが、略平行であることを特徴とする請求項1記載のスピンメモリ。
- 前記書き込み動作時において、スピントルク磁化反転により、
前記第一の強磁性層の磁化方向を前記第二の強磁性層の磁化方向と平行にする場合、前記第一の強磁性層から前記第二の強磁性層の方向に電流を流し、
前記第一の強磁性層の磁化方向を前記第二の強磁性層の磁化方向と反平行にする場合、前記第二の強磁性層から前記第一の強磁性層の方向に電流を流すことを特徴とする請求項1記載のスピンメモリ。 - 前記第一の強磁性層が前記ビット線側に配置され、前記第二の強磁性層が前記ワード線側に配置される磁気抵抗効果素子であり、
前記書込み動作時において、前記第一の電圧印加手段に印加する電圧をV1、前記第二の電圧印加手段に印加する電圧をV2、第三の電圧印加手段に印加する電圧をV3とするとき、
前記第一の強磁性層の磁化方向を前期第二の強磁性層の磁化方向と平行にする場合、V2>V1且つV2>V3とし、前記第一の強磁性層の磁化方向を前期第二の強磁性層の磁化方向と反平行にする場合、V2>V1且つV2>V3>V1とすることを特徴とする請求項1記載のスピンメモリ。 - 前記第一の強磁性層が前記ワード線側に配置され、前記第二の強磁性層が前記ビット線側に配置される磁気抵抗効果素子であり、
前記書込み動作時において、前記第一の電圧印加手段に印加する電圧をV1、前記第二の電圧印加手段に印加する電圧をV2、第三の電圧印加手段に印加する電圧をV3とするとき、
前記第一の強磁性層の磁化方向を前期第二の強磁性層の磁化方向と平行にする場合、V2>V1且つV2>V3>V1とし、
前記第一の強磁性層の磁化方向を前期第二の強磁性層の磁化方向と反平行にする場合、V2>V1且つV2>V3とすることを特徴とする請求項1記載のスピンメモリ。 - 更に、前記V1及びV2が予め記録されている記録部を備え、
前記書込み動作時には、前記記録部を参照してV1及びV2を選択することを特徴とする請求項7記載のスピンメモリ。 - 更に、前記V1及びV2が予め記録されている記録部を備え、
前記書込み動作時には、前記記録部を参照してV1及びV2を選択することを特徴とする請求項8記載のスピンメモリ。 - 前記可変抵抗素子は、CMOSであることを特徴とする請求項1記載のスピンメモリ。
- 前記電圧印加手段は、電極であることを特徴とする請求項1記載のスピンメモリ。
- 前記第一の強磁性層は、中間層を介して互いに反平行磁化状態に結合した強磁性膜で構成されていることを特徴とする請求項1記載のスピンメモリ。
- スピントルク磁化反転により情報を書き込むスピンメモリにおけるオフセット磁界補正方法であり、
前記スピンメモリは、ビット線及びワード線と、前記ビット線と前記ワード線との間に設けられた磁気抵抗効果素子と、前記ビット線の一端に接続された第一の可変抵抗素子と、前記ビット線の他端に接続された第二の可変抵抗素子と、前記磁気抵抗効果素子とワード線との間に設けられた第三の可変抵抗素子と、前記第一の可変抵抗素子に電圧を印加する第一の電圧印加手段と、前記第二の可変抵抗素子に電圧を印加する第二の電圧印加手段と、前記第三の可変抵抗素子に電圧を印加する第三の電圧印加手段とを備え、
前記磁気抵抗効果素子は、磁化方向が可変である第一の強磁性層と、磁化方向が固定されている第二の強磁性層と、前記第一の強磁性層と前記第二の強磁性層との間に形成された中間層とを有し、
前記ビット線と前記第三の電圧印加手段との間に電流を流すことで生じるスピントルクを用いて第一の強磁性層の磁化を反転させる書込み動作時に、予め定められた抵抗値に基づいて前記第一の電圧印加手段と前記第二の電圧印加手段との間に電流を流し、
前記第一の強磁性層に、前記第一の電圧印加手段と前記第二の電圧印加手段との間に流した電流により生じる磁界を印加することを特徴とするオフセット磁界補正方法。 - 前記第一の電圧印加手段により、前記第一の可変抵抗素子の抵抗を変化させ、
前記第二の電圧印加手段により、前記第二の可変抵抗素子の抵抗を変化させ、
前記第三の電圧印加手段により、前記第三の可変抵抗素子の抵抗を変化させることを特徴とする請求項14記載のオフセット磁界補正方法。
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