JP2009144192A - 反応性スパッタリング装置および反応性スパッタリングの方法 - Google Patents

反応性スパッタリング装置および反応性スパッタリングの方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 速い成膜速度においても膜が受けるダメージを最小限に留めることができ、かつ連続成膜可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング法を用いて金属化合物を成膜する際に支持基板にバイアス電圧を印加するバイアススパッタリング法を実施する装置であって、
支持基板搬送部と、該支持基板搬送部と対向するように設けられたターゲットを含むカソードとを有し、支持基板搬送部とターゲットの間を支持基板が搬送されることによって金属化合物を成膜し、
支持基板上にて、磁場が閉じアーチ状磁力線の平行または平行に近いトンネル部分が連続で楕円ないし多角形を描くようにＳ極とＮ極のうち一方の磁極とそれを囲む逆の磁極とを有するマグネットを支持基板搬送部の支持基板と反対側に配置し、
前記トンネル部分に対し同一平面上で略垂直な方向に支持基板を搬送しながら成膜することを特徴とする反応性スパッタリング装置。
【選択図】図１

Description

本発明は、金属化合物を反応性スパッタリングにて成膜する際、支持基板にバイアスを印加するバイアススパッタリング法に関するものであり、連続成膜可能な支持基板背面のマグネットの配置に関するものである。
ターゲットを用いてスパッタリングする際、反応性ガスを導入することで金属と反応性ガスを反応させ金属化合物を成膜する手法（反応性スパッタリング）が知られている。この方法では、通常、ターゲットとして、ＡｌやＳｉなどが、プロセスガスとして、ＨｅやＡｒなどの希ガスが、反応性ガスとして、Ｏ2やＮ2などが用いられ、ターゲットと反応性ガスが反応し、その結果、金属化合物が基板上に形成されることを特徴としている。
また、従来の反応性スパッタリングによる高速成膜には、プラズマ発光強度や電圧、内圧を監視しマスフローにフィードバックすることで反応性ガス流量を制御する方法が用いられている（特許文献１参照）。しかしながら、この方法ではＡｌとＡｌ2Ｏ3のように金属と金属化合物の成膜速度が大きく異なる場合、十分な化学量論比を持った金属化合物を反応性スパッタリングにて成膜すると金属のみの成膜速度に比べて金属化合物の生成速度がかなり遅くなってしまうという問題がある。
さらに、別の方法としては基板にバイアスを印加し基板での反応性ガスと金属の反応を促進させ金属化合物を成膜する基板バイアス法が知られている（例えば、特許文献２）。この方法では金属を成膜するため成膜速度は速いが基板上にて再エッチングが起こるため膜の表面粗さや密度が悪くなるという問題がある。
加えて、基板バイアス法において基板背面にマグネットを入れることで放電電圧を下げ再エッチングが起こるのを抑制して低ダメージにし高速成膜と両立する方法が知られている（特許文献３）。しかしながら、特許文献３に記載の方法ではカルーセルタイプの基板ホルダーにカルーセルの回転軸方向に平行な磁場が発生するようマグネットを配置しており、電子がカルーセル周上を回転しているので周上全てで放電していなければ電子が偏ってしまう上効率が悪くなる。そのためカルーセル周上全ての部位で放電していなければならず、基板の入れ替えを要する連続成膜は不可能である。
真空成膜での生産において最も生産速度を下げる原因の一つが真空の解除と真空引きに時間がかかることである。これを解決し、生産性を向上するために、真空を解除せずロールトゥロール成膜などで連続成膜することが望まれており、成膜速度が速く低ダメージでかつ連続成膜可能なスパッタリング装置が求められていた。
ここで、図４を用いて、従来の反応性スパッタリング装置について説明する。図４中、１は支持基板の搬送方向を、２は支持基板を、３はロータリーポンプを、４はターボ分子ポンプを、５は排気口を、６はアースシールドを、７はパスロールを、１０は冷却水を、１１はドラムを、１２はチャンバーを、１３はマッチングボックスとドラム用ＲＦ電源を、１５は排気口を、１７はターゲットを、１９はプロセスガスと反応ガス導入口を、２０はカソードに設けられたターゲット用マグネットを、２１はマッチングボックスとターゲット用ＲＦ電源を、それぞれ示している（以下、図１、５および６においても同じ）。
この反応性スパッタリング装置では、支持基板として連続したフィルムを用い、該連続したフィルムがドラムによって搬送される。そして、成膜される支持基板２にマッチングボックスとドラム用ＲＦ電源１３より電力を印加して反応性ガスをプラズマ状態にして支持基板上に引き込み、ターゲット１７からスパッタされた金属との反応を促進させて支持基板２上に金属化合物の薄膜を形成する。しかしながら、この装置では、上記従来の問題点を回避できない。
米国特許第４１６６７８４号公報 特開平４−１５４９６３号公報 特開昭５８−１３３３７６号公報
本発明は速い成膜速度においても膜が受けるダメージを最小限に留めることができ、かつ連続成膜可能なスパッタリング装置に関するものである。
前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。
（１）反応性スパッタリング法を用いて金属化合物を成膜する際に支持基板にバイアス電圧を印加するバイアススパッタリング法を実施する装置であって、
支持基板搬送部と、該支持基板搬送部と対向するように設けられたターゲットを含むカソードとを有し、支持基板搬送部とターゲットの間を支持基板が搬送されることによって金属化合物を成膜し、
支持基板上にて、磁場が閉じアーチ状磁力線の平行または平行に近いトンネル部分が連続で楕円ないし多角形を描くようにＳ極とＮ極のうち一方の磁極とそれを囲む逆の磁極とを有するマグネットを支持基板搬送部の支持基板と反対側に配置し、
前記トンネル部分に対し同一平面上で略垂直な方向に支持基板を搬送しながら成膜することを特徴とする反応性スパッタリング装置。
（２）（１）に記載の反応性スパッタリング装置であって、
プロセスガスをターゲット付近から、反応性ガスを支持基板付近から導入することを特徴とする反応性スパッタリング装置。
（３）（１）または（２）に記載の反応性スパッタリング装置であって、
ターゲットをアースされた直方体の金属板で囲みターゲットと支持基板の間の平行な板面はメッシュでできていることを特徴とする反応性スパッタリング装置。
（４）（１）〜（３）のいずれか１項に記載の反応性スパッタリング装置であって、
放電電圧、プラズマ発光強度または内圧が一定になるよう反応性ガスフロー量にフィードバックをかけ自動制御していることを特徴とする反応性スパッタリング装置。
（５）（１）〜（４）のいずれか１項に記載の反応性スパッタリング装置であって、
支持基板搬送部が、ドラムを用いたロールトゥロール方式であることを特徴とする反応性スパッタリング装置。
（６）反応性スパッタリング法を用いて金属化合物を成膜する際に支持基板にバイアス電圧を印加するバイアススパッタリング法において、
支持基板搬送部と、該支持基板搬送部と対向するように設けられたターゲットを含むカソードとを配置し、支持基板搬送部とターゲットの間を支持基板が搬送されることによって金属化合物を成膜し、
支持基板上にて、磁場が閉じアーチ状磁力線の平行または平行に近いトンネル部分が連続で楕円ないし多角形を描くようにＳ極とＮ極のうち一方の磁極とそれを囲む逆の磁極とを有するマグネットを支持基板搬送部の支持基板と反対側に配置し、
基板上にてプラズマが均一になるようマグネットまたは基板を回転または搬送しながら成膜することを特徴とする反応性スパッタリングの方法。
本発明により、反応性スパッタリング法を実施するにあたり、速い成膜速度においても膜が受けるダメージを最小限に留めることが可能になった。さらに、本発明の反応性スパッタリング装置では、連続成膜が可能になった。
以下において、本発明の内容について詳細に説明する。尚、本願明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。
本発明のスパッタリング装置は、支持基板搬送部と、該支持基板搬送部と対向するように設けられたターゲットを含むカソードとを有し、支持基板搬送部とターゲットの間を支持基板が搬送されることによって金属化合物を成膜し、支持基板上にて、磁場が閉じアーチ状磁力線の平行または平行に近いトンネル部分が連続で楕円ないし多角形を描くようにＳ極とＮ極のうち一方の磁極とそれを囲む逆の磁極とを有するマグネットを支持基板搬送部の支持基板と反対側に配置し、前記トンネル部分に対し同一平面上で略垂直な方向に支持基板を搬送しながら成膜することを特徴とする。
以下、本発明の好ましい実施形態を図１〜図３に従って説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明の装置において、支持基板の搬送方法については連続生産できる方式であれば限定せず用いることができる。複数のローラーを用いて基板の両端を支えローラーを回転することで基板を搬送させる方法や支持基板を支持基板ホルダーの取り付け基板ホルダーごと搬送する方法などが考えられるが、好ましくは図１のようにドラムを用いたロールトゥロール方式を採用するのがよい。以下ドラムを用いたロールトゥロール方式において説明をする。
図３のようにドラム上にドラム用マグネットを設ける場合、ドラムの磁場にて閉じ込められた電子が移動するが放電が不必要な部分ではアースされた金属板をドラムから２ｍｍ以内に配置することで放電しないよう工夫することが好ましい。また、成膜室以外では放電しないよう搬送部分では０．００１Ｐａ以下となるようにするとよい。さらに好ましくはドラムが二重構造になっておりフィルムと接触しているドラム表面とその内部のマグネットの回転を独立に制御できるとより均一な膜の形成が可能である。
本発明では、例えば、図１に示されるように、成膜される支持基板２にマッチングボックスとドラム用ＲＦ電源１３より電力を印加して反応性ガスをプラズマ状態にし、ターゲット１７と反応させて支持基板２上に金属化合物の薄膜を形成する際、支持体搬送部の支持基板と反対側に、ドラム用マグネット９を設ける。ここで、カソードとは、マッチングボックスとターゲット用ＲＦ２１およびターゲット１７を含む領域をいう。
図２は、ドラム用マグネット９の一例を示したものであるが、ドラム用マグネットの磁力線は、支持基板２の表面（カソード側）で磁場が閉じ、アーチ状の磁力線のトンネルが連続で楕円ないし多角形を描き平行または平行に近い部分を有する。このような磁力線となるようドラム用マグネットはＳ極とＮ極のうち一方の磁極とそれを囲む逆の磁極とを有するマグネットを配置する。すなわち、Ｓ極とそれを囲むＮ極によってできたマグネットまたはＮ極とそれを囲むＳ極とを有する。
ここで、Ｎ極面から垂直に出た磁力線は楕円を描きながら向きを変えＳ極面に垂直に入るため磁力線はアーチ状となる。また、楕円ないし多角形を描くようにとは、数学的な意味での楕円や多角形に限られず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、楕円と多角形の中間のような形状や多少の歪があるものも含む趣旨である。さらに平行または平行に近い部分とは、支持基板が搬送されていくに際し、支持基板の各点にて通過する磁場の合計がほぼ均一であることを意味する。
そして、ドラム用マグネット９は、該マグネットの短辺方向に支持基板１を搬送しながら成膜する。
このような構成とすることにより、支持基板上でのプラズマ密度が高くなり、ターゲットを反応性ガスが十分反応するよう支持基板のバイアスの電力を高めてもバイアスが低くなり基板へのダメージが小さくなる。さらに、一つのマグネット上にて電子が閉じ込められるため、基板の交換が可能となり連続生産できる。
本発明の装置に用いることができるカソードでのプラズマ発生用電源は、ＲＦ電源（１ＭＨｚ以上）、ＭＦ電源（１ＭＨｚ以下）、ＤＣ電源（アーキング防止機能を付加したもの、好ましくは出力をパルス状にしたもの）、ＡＣ電源やＤＣ電源とＲＦ電源の重畳（併用）等反応性スパッタリングに用いることができるものであれば限定しない。
カソードにおいては、ターゲット１７の裏面（支持基板と反対側）からターゲットの表面（基板側）上で閉じ、ターゲットと平行になるような磁場を生じさせるターゲット用マグネット２０を用いることができる。ここでカソード背面のターゲット用マグネット２０はターゲット１７の使用量に応じてターゲット１７とターゲット用マグネット２０の距離を変えターゲット表面の磁場強度を調節できることが好ましい。これによりターゲット１７の使用における放電状態の変化を小さくすることができ成膜速度の安定化につながる。
本発明の装置における、支持基板の基板バイアスを印加する方法としては、支持基板が金属化合物となるためターゲット１７と同様の電源を用いることができる。
このとき用いる電源はターゲットで用いたのと同じ電源でも良いが、異なっていても良い。また同じ周波数の電源を用いる場合は位相が異なるものを用いなくてはならない。
ガス導入は、例えば、図５に示すように、プロセスガスおよび反応ガスの導入口１９を設け、プロセスガスと反応性ガスが混合された状態で導入されてもよい。好ましくは、例えば、図６に示すように、反応ガス導入口１４は、支持基板付近に、プロセスガス導入口１８は、ターゲット２０付近に設けることが好ましい。このように、プロセスガスをターゲット付近から、反応性ガスを基板付近から導入することにより、ターゲットより先に基板が反応ガスに接触しより基板上でのスパッタされた金属と反応ガスとの反応が促進されるという効果が得られる。ここで、反応ガス導入口を支持基板付近に設けるとは、好ましくは、支持基板とターゲットの間であって、支持基板に近い側に設けることをいう。また、プロセスガス導入口をターゲット付近に設けるとは、好ましくは、支持基板とターゲットの間であって、ターゲットに近い側に設けることをいう。
ここで言うプロセスガスとは、プラズマが発生しやすく金属と反応しないことを意図して導入したものであり希ガス（第１８属元素Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）が一般的である。
反応性ガスの導入の制御は流量制御機器（マスフロー）にて流量を設定し導入することができるがプラズマプロセスを監視しマスフローにフィードバックをかけ流量の微調整することでプロセスを安定化させることが好ましい。
フィードバックの手法には内圧、電圧、プラズマ発光を監視する形式があるが特に限定はせずいずれも用いることができる。
また、本発明の装置では、例えば、図１に示すように、ターゲット１７と支持基板２の間にアースされたメッシュ１６を配置することが好ましい。メッシュを配置した場合の開口率は、５０％以上が好ましいが穴の間隔が２ｍｍ以内で開口率が９５％以上のものがより好ましい。ここで、メッシュは、金網またはパンチングメタル状のものが好ましい。
上述した膜形成はいずれも基板の搬送速度やカソード電力を調節することで任意の厚みに調節することができる。
成膜速度は電源や電力、チャンバー形状によって異なるがスパッタ率はほぼ素材で決まる物性値であるので、制御方法によって成膜速度の異なる化合物の成膜を同じ電力での金属の成膜速度と比較することで本発明における成膜速度の高速化の効果を評価することができる。
本発明において、反応性ガスとは、ターゲットと反応するガスであり、例えば、酸素、窒素、メタンおよび水が挙げられる。
本発明において、ターゲット材料としては金属や半導体などの導電性の材料であればなんでもよい。例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｇｅ、Ｓｂなどが挙げられ、好ましくはＭｇ、Ａｌ、Ｓｉであり、より好ましくはＡｌである。また、これらの金属を任意に混合させた合金もターゲットとして用いることができる。
本発明において、支持基板とは、通常、自己支持性を持った基板のことであり材料としては、Ｓｉウエハー、ガラスおよび樹脂基板等いずれも用いることができるが、ロールトゥロール方式による成膜場合基板には柔軟性が求められるため、樹脂基板が好ましい。
以下において、樹脂基板としてのプラスチックフィルムについて説明する。
プラスチックフィルムは耐熱性を有する素材からなることが好ましい。好ましくは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１００℃以上および／または線熱膨張係数が４０ｐｐｍ／℃以下で耐熱性の高いプラスチックフィルムを用いる態様である。Ｔｇや線膨張係数は、使用する添加剤の種類や量などを適宜調整することによって所望の範囲に制御することができる。
プラスチックフィルムは熱可塑性ポリマーおよび熱硬化性ポリマーのいずれであってもよい。熱可塑性ポリマーは、ポリマー単体のＴｇが７０℃〜３５０℃であるものが好ましく、中でも１２０℃以上であるものがさらに好ましい。このような熱可塑性樹脂として、以下のようなものが挙げられる（括弧内はＴｇを示す）。
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ：８０℃）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ：１２０℃）、ポリカーボネート（ＰＣ：１４０℃）、脂環式ポリオレフィン（例えば、日本ゼオン（株）製、ゼオノア１６００：１６０℃）、ポリアリレート（ＰＡｒ：２１０℃）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ：２２０℃）、ポリスルホン（ＰＳＦ：１９０℃）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ：特開２００１−１５０５８４号公報の化合物：１６２℃）、フルオレン環変性ポリカーボネート（ＢＣＦ−ＰＣ：特開２０００−２２７６０３号公報の化合物：２２５℃）、脂環変性ポリカーボネート（ＩＰ−ＰＣ：特開２０００−２２７６０３号公報の化合物：２０５℃）、アクリロイル化合物（特開２００２−８０６１６号公報の化合物：３００℃以上）、ポリイミド（カプトン：３００℃以上）。
特に、透明性を求める場合には脂環式ポレオレフィン等を使用するのが好ましい。
熱硬化性ポリマーとしては、エポキシ系樹脂および放射線硬化性樹脂が挙げられる。エポキシ系樹脂は、ポリフェノ−ル型、ビスフェノール型、ハロゲン化ビスフェノール型およびノボラック型のものが挙げられる。エポキシ系樹脂を硬化させるための硬化剤は、公知の硬化剤を用いることができる。例えば、アミン系、ポリアミノアミド系、酸および酸無水物、イミダゾール、メルカプタンおよびフェノール樹脂等の硬化剤が挙げられる。中でも、耐溶剤性、光学特性、熱特性等の観点から、酸無水物および酸無水物構造を含むポリマーまたは脂肪族アミン類が好ましく用いられ、特に好ましいのは、酸無水物および酸無水物構造を含むポリマーである。さらに、公知の第三アミン類やイミダゾール類等の硬化触媒を適量加えることが好ましい。
これらのプラスチックフィルムの厚みは用途によって適宜選択されるので特に制限がないが、典型的には１〜８００μｍであり、好ましくは１０〜２００μｍである。
これらのプラスチックフィルムは、片面もしくは両面に下塗り層を有していてもよい。下塗り層の例としては、透明導電層、プライマー層、マット剤層、保護層、帯電防止層、平滑化層、密着改良層、遮光層、反射防止層、ハードコート層、応力緩和層、防曇層、防汚層、被印刷層等が挙げられる。これらの下塗り層のうち、片面にマット剤層を有するのが好ましい。
プラスチックフィルムをディスプレイ等の画像表示素子に利用する場合は、透明なプラスチックフィルムを用いることが好ましい。具体的には、光線透過率が８０％〜１００％、中でも好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上であるプラスチックフィルムを用いることが好ましい。
ただし、ディスプレイ用途に用いる場合であってもフィルムを観察側に設置しない場合や不透明包装材料に用いる場合などは、プラスチックフィルムには必ずしも透明性が要求されない。この場合は不透明な材料を用いることもできる。不透明な材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアクリロニトリル、公知の液晶ポリマーなどが挙げられる。
本発明の装置を用い、水蒸気透過率の極めて少ないバリアフィルムを作成する場合、プラスチックフィルムは、少なくとも一方の面に有機層を有していても良い。ここで言う有機層は、硬化性樹脂で構成されていることが好ましい。硬化性樹脂は、紫外線や電子線等の放射線を照射することにより硬化が進行する樹脂であり、具体的には分子または単体構造内にアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基等の不飽和二重結合、あるいはエポキシ基等の不飽和二重結合または重合性官能基を含む樹脂等が挙げられる。これらの中でも特に、アクリロイル基を含むアクリル系樹脂が好ましい。放射線硬化性樹脂は、一種類の樹脂を用いても、数種の樹脂を混合して用いてもよいが、分子または単位構造内に２個以上のアクリロイル基を有するアクリル系樹脂を用いることが好ましい。こうした多官能アクリレート樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エステルアクリレート、エポキシアクリレート等が挙げられるが、これらに限定されるのではない。
バリアフィルムは、好ましくは、プラスチックフィルムに、有機層と無機層とがそれぞれ複数層設けられたバリア層を有するものであり、バリア層の積層順序はいかなる順にも構成されることができる。このようなバリア層はプラスチックフィルムの片面にだけに設けてもよいし、両面に設けてもよい。両面に設ける場合は、２つのバリア層が同一の構成を有するものであっても、異なる構成を有するものであってもよい。
本発明の装置において、マグネットは永久磁石でも電磁石でも良いが、装置製作の簡便性の観点から永久磁石が良い。永久磁石はアルニコ磁石、フェライト磁石および希土類磁石（ネオジム磁石など）が知られているが、同種のものを用いてもよいし、組み合わせてもよい。磁力強さの観点からはネオジム磁石を選択するのが最も好ましい。
本発明の装置を用いて成膜した薄膜の用途に関しては特に限定しないが、特に高密度で低ダメージな薄膜であって生産性が求められる、ハイバリア膜（例えば、Ａｌ2Ｏ3膜）や透明導電膜（例えば、ＩＴＯ膜）、化合物半導体（例えば、ＩＧＺＯ膜）、サーモクロミック（例えば、ＶＯ2膜）、光触媒（例えば、ＴｉＯ2膜）、光学薄膜などの薄膜を成膜する場合に、特に、有効である。
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。
（無機膜Ｉ１の作製）
図４の装置を用い、ターゲットをＡｌとし、プロセスガス（Ａｒ）を導入口１９から２．０ｓｃｃｍ導入し、カソード電力１０００Ｗを投入しプラズマ放電させ、冷却したドラムを回転させながらＡｌを、ＰＥＮフィルム上に５０ｎｍ成膜し、無機膜Ｉ１を得た。
（無機膜Ｉ２の作製）
図４の装置を用い、ターゲットをＡｌとし、プロセスガスＡｒを導入口１９から２．０ｓｃｃｍ導入し、カソード電力１０００Ｗを投入しプラズマ放電させた。ここに反応性ガスＯ2を流さないときの放電電圧を１００％、１０．０ｓｃｃｍ流したときの放電電圧を０％とすると、３０％の放電電圧になるようマスフローにフィードバックし自動制御することで反応性ガスＯ2を導入口１９から導入した。冷却したドラムを回転させながらＡｌ2Ｏ3をＰＥＮフィルム上に５０ｎｍ成膜し、無機膜Ｉ２を得た。
（無機膜Ｉ３の作製）
図４の装置を用いてターゲットをＡｌとし、プロセスガスＡｒを導入口１９から２．０ｓｃｃｍ導入し、カソード電力１０００Ｗを投入しプラズマ放電させた。反応性ガスＯ2を徐々に導入口１９から４．０ｓｃｃｍまで導入し冷却したドラムを回転させながらドラムにＲＦ電力を１００Ｗ投入してＡｌ2Ｏ3をＰＥＮフィルム上に５０ｎｍ成膜し、無機膜Ｉ３を得た。
（無機膜Ｉ４の作製）
図４の装置を用い、ターゲットをＡｌとし、プロセスガスＡｒを導入口１９から２．０ｓｃｃｍ導入し、カソード電力１０００Ｗを投入しプラズマ放電させた。ここに反応性ガスＯ2を流さないときの放電電圧を１００％、１０．０ｓｃｃｍ流したときの放電電圧を０％とすると、８５％の放電電圧になるようマスフローにフィードバックし自動制御することで反応性ガスＯ2を導入口１９から導入した。冷却したドラムを回転させながらドラムにＲＦ電力を１００Ｗ投入してＡｌ2Ｏ3をＰＥＮフィルム上に５０ｎｍ成膜し、無機膜Ｉ４を得た。
（無機膜Ｉ５の作製）
図５の装置を用いてターゲットをＡｌとし、プロセスガスＡｒを導入口１９から２．０ｓｃｃｍ導入し、カソード電力１０００Ｗを投入しプラズマ放電させた。反応性ガスＯ2を徐々に導入口１９から４．０ｓｃｃｍまで導入し冷却したドラムを回転させながらドラムにＲＦ電力を１００Ｗ投入してＡｌ2Ｏ3をＰＥＮフィルム上にロールトゥロール搬送しながら５０ｎｍ成膜し、無機膜Ｉ５を得た。
（無機膜Ｉ６の作製）
図６の装置を用いてターゲットをＡｌとし、プロセスガスＡｒを導入口１８から２．０ｓｃｃｍ導入し、カソード電力１０００Ｗを投入しプラズマ放電させた。反応性ガスＯ2を徐々に導入口１４から４．０ｓｃｃｍまで導入し冷却したドラムを回転させながらドラムにＲＦ電力を１００Ｗ投入してＡｌ2Ｏ3をＰＥＮフィルム上にロールトゥロール搬送しながら５０ｎｍ成膜し、無機膜Ｉ６を得た。
（無機膜Ｉ７の作製）
図１の装置を用いてターゲットをＡｌとし、プロセスガスＡｒを導入口１８から２．０ｓｃｃｍ導入し、カソード電力１０００Ｗを投入しプラズマ放電させた。ターゲットと基板の間に９５％の開口度を持ったメッシュ１６を挿入し反応性ガスＯ2を徐々に導入口１４から４．５ｓｃｃｍまで導入し冷却したドラムを回転させながらドラムにＲＦ電力を１００Ｗ投入して、Ａｌ2Ｏ3をＰＥＮフィルム上にロールトゥロール搬送しながら５０ｎｍ成膜し、無機膜Ｉ７を得た。
（無機膜Ｉ８の作製）
図１の装置を用いてターゲットをＡｌとし、プロセスガスＡｒを導入口１８から２．０ｓｃｃｍ導入し、カソード電力１０００Ｗを投入しプラズマ放電させた。ターゲットと基板の間に９５％の開口度を持ったメッシュ１６を挿入しここに反応性ガスＯ2を流さないときの放電電圧を０％、１０．０ｓｃｃｍ流したときの放電電圧を１００％とすると、８５％の放電電圧になるようマスフローにフィードバックし自動制御することで反応性ガスＯ2を導入口１８から導入した。冷却したドラムを回転させながらドラムにＲＦ電力を１００Ｗ投入してＡｌ2Ｏ3をＰＥＮフィルム上にロールトゥロール搬送しながら５０ｎｍ成膜し、無機膜Ｉ８を得た。
（膜組成および表面粗さの測定）
（１）膜の組成の測定
ＫＲＡＴＯＳ Ａｎｌｙｔｉｃａｌ社製、「ＥＳＣＡ３４００」を用いて上記全ての膜を５ｎｍずつエッチングしながらＥＳＣＡ測定を行った。表面から５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍの平均値を示した。
（２）表面粗さの測定
エスアイアイ・ナノテクノロジー（株）製、ＡＦＭ装置、「ＳＰＩ３８００Ｎ／ＳＰＡ４００」、カンチレバーはＳＩ−ＤＦ２０を使用して、測定条件は操作周波数１Ｈｚ、Ｘ、Ｙデータ数２５６ラインとした。上記全ての膜の１μｍ内において表面粗さ（Ｒａ）を測定し、そのＲａを示した。
表１に測定したこれらの無機膜の物性を示した。組成（Ｏ／Ａｌ）よりこれらの成膜方法にて成膜した無機膜は化学量論上の化合物の組成を有しており十分な反応が起こっていることが認められた。無機膜の成膜時の基板上における放電電圧によると基板背面にマグネットのない無機膜Ｉ１〜無機膜Ｉ４では放電電圧が３５４Ｖと高いのに対し、基板背面にマグネットのある無機膜Ｉ５〜８は、放電電圧が、７６Ｖまたは５２Ｖと低くなっていることがわかる。これによると基板背面にマグネットを配置することで低電圧化が可能であることは明らかであり、表面粗さＲａの値もそれにともなって小さくなっておりより低ダメージで緻密な膜ができていると言える。また、一般的な高速な反応性スパッタリングである無機膜Ｉ２は金属モードの０．５３の成膜速度となっており、無機膜Ｉ２に対し、本発明である無機膜Ｉ５〜Ｉ７はいずれも成膜速度が速くなっている。さらに無機膜Ｉ５〜無機膜８はロールトゥロール搬送にて連続成膜することができている。以上のことより電源やチャンバーに限らず本発明において成膜速度が速く低ダメージでかつ連続成膜可能という効果を有するということは明らかである。
Figure 2009144192
本発明の反応性スパッタリング装置の第一の例を示す概略図である。 図１における、ドラム用マグネットを示す概略図である。 図１における、ドラムとドラム用マグネットの好ましい位置関係を示す概略図である。 従来の反応性スパッタリング装置の例を示す概略図である。 本発明の反応性スパッタリング装置の第二の例を示す概略図である。 本発明の反応性スパッタリング装置の第三の例を示す概略図である。
符号の説明
１ 支持基板の搬送方向
２ 支持基板
３ ロータリーポンプ
４ ターボ分子ポンプ
５ 排気口
６ アースシールド
７ パスロール
８ ドラム用マグネット搬送方向
９ ドラム用マグネット
１０ 冷却水
１１ ドラム
１２ チャンバー
１３ マッチングボックスとドラム用ＲＦ電源
１４ 反応ガス導入口
１５ 排気口
１６ メッシュ
１７ ターゲット
１８ プロセスガス導入口
１９ プロセスガスおよび反応ガスの導入口
２０ ターゲット用マグネット
２１ マッチングボックスとターゲット用ＲＦ電源

Claims (6)

  1. 反応性スパッタリング法を用いて金属化合物を成膜する際に支持基板にバイアス電圧を印加するバイアススパッタリング法を実施する装置であって、
    支持基板搬送部と、該支持基板搬送部と対向するように設けられたターゲットを含むカソードとを有し、支持基板搬送部とターゲットの間を支持基板が搬送されることによって金属化合物を成膜し、
    支持基板上にて、磁場が閉じアーチ状磁力線の平行または平行に近いトンネル部分が連続で楕円ないし多角形を描くようにＳ極とＮ極のうち一方の磁極とそれを囲む逆の磁極とを有するマグネットを支持基板搬送部の支持基板と反対側に配置し、
    前記トンネル部分に対し同一平面上で略垂直な方向に支持基板を搬送しながら成膜することを特徴とする反応性スパッタリング装置。
  2. 請求項１に記載の反応性スパッタリング装置であって、
    プロセスガスをターゲット付近から、反応性ガスを支持基板付近から導入することを特徴とする反応性スパッタリング装置。
  3. 請求項１または２に記載の反応性スパッタリング装置であって、
    ターゲットをアースされた直方体の金属板で囲みターゲットと支持基板の間の平行な板面はメッシュでできていることを特徴とする反応性スパッタリング装置。
  4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の反応性スパッタリング装置であって、
    放電電圧、プラズマ発光強度または内圧が一定になるよう反応性ガスフロー量にフィードバックをかけ自動制御していることを特徴とする反応性スパッタリング装置。
  5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の反応性スパッタリング装置であって、
    支持基板搬送部が、ドラムを用いたロールトゥロール方式であることを特徴とする反応性スパッタリング装置。
  6. 反応性スパッタリング法を用いて金属化合物を成膜する際に支持基板にバイアス電圧を印加するバイアススパッタリング法において、
    支持基板搬送部と、該支持基板搬送部と対向するように設けられたターゲットを含むカソードとを配置し、支持基板搬送部とターゲットの間を支持基板が搬送されることによって金属化合物を成膜し、
    支持基板上にて、磁場が閉じアーチ状磁力線の平行または平行に近いトンネル部分が連続で楕円ないし多角形を描くようにＳ極とＮ極のうち一方の磁極とそれを囲む逆の磁極とを有するマグネットを支持基板搬送部の支持基板と反対側に配置し、
    基板上にてプラズマが均一になるようマグネットまたは基板を回転または搬送しながら成膜することを特徴とする反応性スパッタリングの方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011058069A (ja) * 2009-09-11 2011-03-24 Fujifilm Corp 成膜方法
JP2011208191A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Fujifilm Corp 成膜装置
JP2011246777A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Dainippon Printing Co Ltd プラズマ雰囲気下での成膜方法及び成膜装置
KR20170042871A (ko) * 2015-10-12 2017-04-20 엘에스엠트론 주식회사 연성동박적층필름 및 그 제조방법

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI501319B (zh) 2008-12-26 2015-09-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
EP2674513B1 (en) 2009-05-13 2018-11-14 SiO2 Medical Products, Inc. Vessel coating and inspection
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
JP5649431B2 (ja) * 2010-12-16 2015-01-07 株式会社神戸製鋼所 プラズマｃｖｄ装置
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
CN102329084A (zh) * 2011-06-23 2012-01-25 江苏宇天港玻新材料有限公司 一种玻璃镀膜设备及其中的多组转换室
CA2855353C (en) 2011-11-11 2021-01-19 Sio2 Medical Products, Inc. Passivation, ph protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
EP2846755A1 (en) 2012-05-09 2015-03-18 SiO2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
US20150297800A1 (en) 2012-07-03 2015-10-22 Sio2 Medical Products, Inc. SiOx BARRIER FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE AND COATING PROCESS
JP6509734B2 (ja) 2012-11-01 2019-05-08 エスアイオーツー・メディカル・プロダクツ・インコーポレイテッド 皮膜検査方法
EP2920567B1 (en) 2012-11-16 2020-08-19 SiO2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
CN105705676B (zh) 2012-11-30 2018-09-07 Sio2医药产品公司 控制在医用注射器、药筒等上的pecvd沉积的均匀性
US20160015898A1 (en) 2013-03-01 2016-01-21 Sio2 Medical Products, Inc. Plasma or cvd pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus
CN105392916B (zh) 2013-03-11 2019-03-08 Sio2医药产品公司 涂布包装材料
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
US9863042B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases
DE102013110328B4 (de) * 2013-09-19 2018-05-09 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Beschichtungsanordnung und Beschichtungsverfahren
EP3122917B1 (en) 2014-03-28 2020-05-06 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
BR112018003051B1 (pt) 2015-08-18 2022-12-06 Sio2 Medical Products, Inc Tubo de coleta de sangue submetido a vácuo
KR102677010B1 (ko) * 2015-09-02 2024-06-24 가부시키가이샤 아루박 워크 유지체 및 성막장치
CN105925943A (zh) * 2016-04-27 2016-09-07 芜湖真空科技有限公司 玻璃溅射单元
EP3419044B1 (en) * 2017-06-22 2023-01-11 Bobst Manchester Limited Pepvd machine
GB2562128B (en) * 2017-09-29 2020-08-05 Camvac Ltd Apparatus and Method for Processing, Coating or Curing a Substrate
JP2019094534A (ja) * 2017-11-21 2019-06-20 キヤノン株式会社 スパッタリング装置及び膜の製造方法
CN111699543B (zh) 2018-02-13 2024-12-13 瑞士艾发科技 用于磁控管溅射的方法和装置
GB2588932B (en) 2019-11-15 2022-08-24 Dyson Technology Ltd Method and apparatus for sputter deposition of target material to a substrate
GB2588949B (en) * 2019-11-15 2022-09-07 Dyson Technology Ltd Method and apparatus for sputter deposition
GB2588939B (en) 2019-11-15 2022-12-28 Dyson Technology Ltd Sputter deposition apparatus and method
GB2588940B (en) 2019-11-15 2022-06-22 Dyson Technology Ltd Sputter deposition
GB2588947B (en) 2019-11-15 2024-02-21 Dyson Technology Ltd A method of manufacturing solid state battery cathodes for use in batteries
GB2588935B (en) * 2019-11-15 2022-09-07 Dyson Technology Ltd Method and apparatus for sputter deposition of target material to a substrate

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58133376A (ja) * 1982-01-26 1983-08-09 マテリアルズ・リサ−チ・コ−ポレ−シヨン 反応性膜析出方法及び装置
JPS62222518A (ja) * 1986-03-24 1987-09-30 東レ株式会社 透明導電膜の製造方法
JPS63307268A (ja) * 1987-06-08 1988-12-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd バイアススパッタリング方法およびその装置
JPS6439362A (en) * 1987-08-04 1989-02-09 Nitto Denko Corp Method and device for depositing metal oxide film on substrate
JPH03166366A (ja) * 1989-11-25 1991-07-18 Daicel Chem Ind Ltd 反応性スパッタリング装置とそれを用いたスパッタリング方法
JPH07300674A (ja) * 1994-04-30 1995-11-14 Canon Inc 薄膜形成装置
JPH1129867A (ja) * 1997-05-14 1999-02-02 Canon Inc スパッタリング方法及びそれを用いた光起電力素子の製造方法
JP2003166056A (ja) * 2001-09-21 2003-06-13 Toyama Prefecture プラズマスパッタリング薄膜形成方法及び成膜装置
JP2004332030A (ja) * 2003-05-06 2004-11-25 Nitto Denko Corp 透明導電膜の製造方法
JP2006124738A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Dainippon Printing Co Ltd 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3905887A (en) * 1973-01-12 1975-09-16 Coulter Information Systems Thin film deposition method using segmented plasma
ATE536628T1 (de) * 2001-04-20 2011-12-15 Gen Plasma Inc Dipol-ionenquelle
JP2009224190A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Fujifilm Corp バリア性積層体とその製造方法、デバイスおよび光学部材

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58133376A (ja) * 1982-01-26 1983-08-09 マテリアルズ・リサ−チ・コ−ポレ−シヨン 反応性膜析出方法及び装置
JPS62222518A (ja) * 1986-03-24 1987-09-30 東レ株式会社 透明導電膜の製造方法
JPS63307268A (ja) * 1987-06-08 1988-12-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd バイアススパッタリング方法およびその装置
JPS6439362A (en) * 1987-08-04 1989-02-09 Nitto Denko Corp Method and device for depositing metal oxide film on substrate
JPH03166366A (ja) * 1989-11-25 1991-07-18 Daicel Chem Ind Ltd 反応性スパッタリング装置とそれを用いたスパッタリング方法
JPH07300674A (ja) * 1994-04-30 1995-11-14 Canon Inc 薄膜形成装置
JPH1129867A (ja) * 1997-05-14 1999-02-02 Canon Inc スパッタリング方法及びそれを用いた光起電力素子の製造方法
JP2003166056A (ja) * 2001-09-21 2003-06-13 Toyama Prefecture プラズマスパッタリング薄膜形成方法及び成膜装置
JP2004332030A (ja) * 2003-05-06 2004-11-25 Nitto Denko Corp 透明導電膜の製造方法
JP2006124738A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Dainippon Printing Co Ltd 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011058069A (ja) * 2009-09-11 2011-03-24 Fujifilm Corp 成膜方法
JP2011208191A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Fujifilm Corp 成膜装置
JP2011246777A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Dainippon Printing Co Ltd プラズマ雰囲気下での成膜方法及び成膜装置
KR20170042871A (ko) * 2015-10-12 2017-04-20 엘에스엠트론 주식회사 연성동박적층필름 및 그 제조방법
KR102492818B1 (ko) * 2015-10-12 2023-01-30 에스케이넥실리스 주식회사 연성동박적층필름 및 그 제조방법

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