JP2009141141A - 金属パターンの形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】サイドエッチングおよびオーバーエッチングの双方を抑制することができる金属パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板1上に金属膜2が堆積される。金属膜2上に金属膜2の一部を覆うマスク3が形成される。異方性エッチングにより金属膜2のマスク3から露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、金属膜2に異方性エッチングにともなう再付着膜4に覆われた側壁が形成される。側壁を有する金属膜2mのマスク3から露出された部分と再付着膜4とを基板1の材質のエッチング速度よりも金属膜2mの材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングによりエッチングすることで、金属パターン2pが形成される。
【選択図】図5
【解決手段】基板1上に金属膜2が堆積される。金属膜2上に金属膜2の一部を覆うマスク3が形成される。異方性エッチングにより金属膜2のマスク3から露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、金属膜2に異方性エッチングにともなう再付着膜4に覆われた側壁が形成される。側壁を有する金属膜2mのマスク3から露出された部分と再付着膜4とを基板1の材質のエッチング速度よりも金属膜2mの材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングによりエッチングすることで、金属パターン2pが形成される。
【選択図】図5
Description
本発明は、金属パターンの形成方法に関するものである。
近年、マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS(Micro Electro Mechanical Systems))を用いたデバイス(MEMSデバイス)の開発が進んでいる。MEMSデバイスは、一般的な半導体デバイスに比して、膜厚の厚い金属パターンを多用している。すなわち、一般的な半導体デバイスにおいては数百nmの厚みの金属パターンが頻用されるが、MEMSデバイスにおいては2〜3μmの厚みの金属パターンが頻用される。このように金属パターンの厚み寸法が大きい場合、金属パターンの側壁の高さ寸法も大きくなるので側壁の形状を無視することができなくなってくる。このためウェットエッチング法のように側壁のエッチング(サイドエッチング)が生じてしまう技術は好ましくない。
またメッキ法のように側壁が逆テーパ状になってしまう技術も好ましくない。なぜならば、金属パターン上に層間絶縁膜などが堆積された際にこの逆テーパ状の部分の下に空隙が形成されてしまうことにより、この金属パターンを有するデバイスの信頼性が低下してしまうからである。またそもそもメッキ法は、膜厚の面内均一性が低く、また表面が粗いという問題もあった。なお側壁が逆テーパ状になるのは、メッキ法が以下の工程を有するためである。
まず基板上にシード層が形成される。次にシード層上の領域のうち金属パターンが形成されない領域が、正テーパ状の断面を有するポジ型レジストにより保護される。次にポジ型レジストから露出しているシード層上にメッキが行なわれることで金属パターンが形成される。次に有機洗浄によりポジ型レジストが除去される。次に金属パターンがレジストで保護される。次に基板上に露出しているシード層がウェットエッチングにより除去される。上記の工程において、正テーパ状のポジ型レジストが形成されていない領域に金属パターンが形成されるので、金属パターンの側壁は逆テーパ状になってしまう。
上記の問題などによりウェットエッチング法やメッキ法が適用できない場合に、金属パターンの形成方法としてリアクティブドライエッチング法(たとえば、特許文献1参照)やイオンビームエッチング法(たとえば、特許文献2参照)が広く用いられている。
特開2000−183287号公報
特開昭62−232124号公報
上記のイオンビームエッチング法は主に物理的な作用を用いたエッチングであるため、金属薄膜と基板とのエッチング選択比を大きくすることが困難である。このため基板のオーバーエッチング量が大きくなるという問題があった。また上記のリアクティブドライエッチング法は、化学的なエッチング作用を有するものの、イオンビームエッチングと同様の物理的なエッチング作用も有する。このためウェットエッチングに比して金属薄膜と基板とのエッチング選択比を大きくすることができないので、基板のオーバーエッチング量が大きくなるという問題があった。このように、イオンビームエッチング法およびリアクティブドライエッチング法のいずれによる方法においても、サイドエッチングおよびオーバーエッチングの双方を抑制することは困難であった。
本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、サイドエッチングおよびオーバーエッチングの双方を抑制することができる金属パターンの形成方法を提供することである。
本発明の金属パターンの形成方法は、以下の工程を有している。
まず基板上に金属膜が堆積される。金属膜上に金属膜の一部を覆うマスクが形成される。異方性エッチングにより金属膜のマスクから露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、金属膜に異方性エッチングにともなう再付着膜に覆われた側壁が形成される。側壁を有する金属膜のマスクから露出された部分と再付着膜とを基板の材質のエッチング速度よりも金属膜の材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングによりエッチングすることで、金属パターンが形成される。
まず基板上に金属膜が堆積される。金属膜上に金属膜の一部を覆うマスクが形成される。異方性エッチングにより金属膜のマスクから露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、金属膜に異方性エッチングにともなう再付着膜に覆われた側壁が形成される。側壁を有する金属膜のマスクから露出された部分と再付着膜とを基板の材質のエッチング速度よりも金属膜の材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングによりエッチングすることで、金属パターンが形成される。
本発明によれば、基板の材質のエッチング速度よりも金属膜の材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で金属パターンが形成されるので、基板のオーバーエッチング量を抑制することができる。またこの金属パターンを形成するエッチングの際に側壁が再付着膜により覆われているのでサイドエッチングを抑制することができる。
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1における金属パターンとしての金属配線の構成を概略的に示す断面図である。図1を参照して、本実施の形態の金属パターンとして、アルミニウムからなる金属配線2pがシリコン基板1上に設けられている。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1における金属パターンとしての金属配線の構成を概略的に示す断面図である。図1を参照して、本実施の形態の金属パターンとして、アルミニウムからなる金属配線2pがシリコン基板1上に設けられている。
次に、本実施の形態の金属パターンとしての金属配線の形成方法について説明する。図2〜図5は本発明の実施の形態1における金属パターンとしての金属配線の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
図2を参照して、シリコン基板1が準備される。
図3を参照して、シリコン基板1上に金属膜2が堆積される。金属膜2の膜厚は、たとえば2μmである。金属膜2の材質は、シリコン基板1およびシリコン基板1上に設けられた何らかの部材(図示せず)に対して選択性のあるエッチングを行なうことが容易な材質からなることが好ましい。金属膜2の具体的な材質としては、たとえばアルミニウム、または1%以下のシリコンを含有するアルミニウムなどがある。
図3を参照して、シリコン基板1上に金属膜2が堆積される。金属膜2の膜厚は、たとえば2μmである。金属膜2の材質は、シリコン基板1およびシリコン基板1上に設けられた何らかの部材(図示せず)に対して選択性のあるエッチングを行なうことが容易な材質からなることが好ましい。金属膜2の具体的な材質としては、たとえばアルミニウム、または1%以下のシリコンを含有するアルミニウムなどがある。
図4を参照して、金属膜2を覆うように、所望の配線パターンの形状を有するポジレジスト3(マスク)が形成される。ポジレジスト3の適切な膜厚は、このポジレジスト3がマスクとして用いられるエッチングの方法に依存する。たとえばイオンビームエッチングが用いられる場合、金属膜2の材質であるアルミニウムのエッチング速度をポジレジスト3のエッチング速度の約2倍とすることができる。よってポジレジスト3の膜厚は、金属膜2の膜厚とおおよそ同じ程度とすればよく、たとえば2μmとされる。
主に図5を参照して、異方性エッチング法の一種であるイオンビームエッチングが行なわれる。このエッチングにより、金属膜2(図4)のポジレジスト3から露出された部分が厚み方向に部分的にエッチングされる。この結果、金属膜2から、エッチングにともなう再付着膜4に覆われた側壁を有する金属膜2mが形成される。すなわち金属膜2に異方性エッチングにともなう再付着膜4に覆われた側壁が形成される。ポジレジスト3から十分に遠い位置において、金属膜2mは膜厚DMを有している。また再付着膜4は膜厚WRを有している。膜厚DMと膜厚WRとは、ほぼ同じである。
このイオンビームエッチングのプロセスガスとしては、不活性ガスであるアルゴンが用いられる。このアルゴンがプラズマ分解された上でグリッド加速されてイオンビームが生成される。そしてイオンビームのイオンが被加工物表面に衝突させられる。これにより被加工物の表面の一部が弾き飛ばされることで、純粋に物理的なエッチングが行なわれる。イオンビームの入射角度(イオンビームの方向とシリコン基板1の主面の法線とのなす角度)は、エッチングによる加工形状が最適となるように調整される。
次に、金属膜2mのポジレジスト3から露出された部分と、再付着膜4とが、シリコン基板1の材質のエッチング速度よりも金属膜2mの材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングされる。等方性エッチングの方法としてはウェットエッチング法が用いられる。この後、ポジレジスト3が除去される。これにより、図1に示す金属配線2pが形成される。
次に、本実施の形態の比較例について説明する。
図6は、第1の比較例における金属パターンの構成を概略的に示す断面図である。図6を参照して、第1の比較例の金属パターン2wは、ポジレジスト3をマスクとして用いた単純なウェットエッチングにより形成される。ウェットエッチングは等方的に進行するため、金属パターン2wの幅寸法(図中横方向の寸法)はポジレジスト3の幅寸法よりも縮小された幅となっている。この縮小幅(サイドエッチング量)は、金属パターン2wとなる金属膜とポジレジスト3との密着力により変動するが、最小の場合でも金属膜の膜厚程度の大きさを有してしまう。密着力が弱い場合は、金属膜とポジレジスト3との界面が剥離するのでサイドエッチング量がさらに増大する。またサイドエッチングされた部分の断面は裾野を引いたような形状となる。
図6は、第1の比較例における金属パターンの構成を概略的に示す断面図である。図6を参照して、第1の比較例の金属パターン2wは、ポジレジスト3をマスクとして用いた単純なウェットエッチングにより形成される。ウェットエッチングは等方的に進行するため、金属パターン2wの幅寸法(図中横方向の寸法)はポジレジスト3の幅寸法よりも縮小された幅となっている。この縮小幅(サイドエッチング量)は、金属パターン2wとなる金属膜とポジレジスト3との密着力により変動するが、最小の場合でも金属膜の膜厚程度の大きさを有してしまう。密着力が弱い場合は、金属膜とポジレジスト3との界面が剥離するのでサイドエッチング量がさらに増大する。またサイドエッチングされた部分の断面は裾野を引いたような形状となる。
なおウェットエッチングのエッチング液としては、シリコン基板1上のポジレジスト3やその他構成部材に対して金属膜を選択的にエッチングすることができる溶剤が用いられる。またポジレジスト3の除去は、有機溶剤を用いた方法もしくはアッシング法により行なわれる。
図7は、第2の比較例における金属パターンの構成を概略的に示す断面図である。図7を参照して、第2の比較例の金属パターン2rは、ポジレジスト3をマスクとして用いた単純なリアクティブドライエッチングにより形成される。エッチング装置としては平行平板型のリアクティブドライエッチング装置などが用いられる。またプロセスガスとして塩素系の反応性ガスが用いられることにより化学的なエッチングが行なわれる。電離した反応性ガスがシリコン基板1に引き込まれることで、横方向のエッチングの速度をほぼゼロとし、金属膜を厚み方向にのみエッチングすることができる。すなわちサイドエッチングを防止することができる。しかしこの引き込みにより厚み方向に物理的なエッチングがなされるようになり、シリコン基板1がオーバーエッチングされる。なおこの物理的なエッチングにともない、金属パターン2rおよびポジレジスト3の側壁に差異付着膜4rが形成される。シリコン基板1に電離した反応性ガスを引き込まない場合は、等方的なエッチングが行なわれるので、金属パターン2w(図6)と同様の形状の金属パターンが形成される。
図8は、第3の比較例における金属パターンの構成を概略的に示す断面図である。図8を参照して、第3の比較例の金属パターン2iは、ポジレジスト3をマスクとして用いた単純なイオンビームエッチングにより形成される。プロセスガスとしてアルゴンガスのみを用いたイオンビームエッチングの場合、化学的エッチング作用がないのでサイドエッチングは全くないが、物理的にエッチングされた金属が金蔵パターン2iおよびポジレジスト3の側壁に再付着して再付着膜4iが形成される。また、ポジレジスト3に遮られてイオンビームが入射し難い領域が形成される効果(いわゆるシャドウ効果)により、金属パターン2iのエッジが裾野(図示せず)を引きやすくなる。さらに、金属パターン2iとシリコン基板1とのエッチングの選択性が乏しいため、シリコン基板1のオーバーエッチング量が大きい。
本実施の形態によれば、シリコン基板1の材質のエッチング速度よりも金属膜2の材質のエッチング速度が大きくなるようなウェットエッチングで金属配線2pが形成されるので、シリコン基板1のオーバーエッチング量を抑制することができる。また、図5にしめすように金属配線2pを形成するエッチングの際に金属膜2mの側壁が再付着膜4により覆われているので、サイドエッチングを抑制することができる。
また、金属膜2(図4)を厚み方向に部分的にエッチングするための異方性エッチングのプロセスガスとして、不活性ガスであるアルゴンが用いられる。これにより異方性エッチングが物理的となるので、異方性エッチング時の化学的な反応により形成された物質をほとんど含まない再付着膜4(図5)が形成される。この再付着膜4は金属膜2mと同じ材質であるため、異方性エッチングの後に行なわれるウェットエッチングにより、再付着膜4と、金属膜2mの一部とを同時にエッチングして除去することができる。なお、この不活性ガスを用いた異方性エッチングの代わりに、異方性を有する反応性ドライエッチングが用いられると、後の等方性エッチングにより再付着膜4を除去することが困難となる。
また、この異方性エッチングはイオンビームエッチングである。これにより、イオンビームの角度を調整することで金属配線2pの形状を調整することができる。
(実施の形態2)
図9は、本発明の実施の形態2における金属パターンとしての金属配線の構成を概略的に示す断面図である。図9を参照して、本実施の形態の金属パターンである金属配線2pが、クロムからなる中間膜5p上に設けられている。中間膜5pはシリコン基板1上に設けられている。この中間膜5pは、金属配線2pの下地膜であって、金属配線2pの密着力を高める機能を有している。中間膜5pの膜厚は、たとえば金属配線2pの膜厚の5%であり、具体的には、たとえば0.05μmである。
図9は、本発明の実施の形態2における金属パターンとしての金属配線の構成を概略的に示す断面図である。図9を参照して、本実施の形態の金属パターンである金属配線2pが、クロムからなる中間膜5p上に設けられている。中間膜5pはシリコン基板1上に設けられている。この中間膜5pは、金属配線2pの下地膜であって、金属配線2pの密着力を高める機能を有している。中間膜5pの膜厚は、たとえば金属配線2pの膜厚の5%であり、具体的には、たとえば0.05μmである。
次に、本実施の形態の金属パターンとしての金属配線の形成方法について説明する。図10〜図14は本発明の実施の形態2における金属パターンとしての金属配線の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
図10を参照して、シリコン基板1が準備される。
図11を参照して、シリコン基板1上に中間膜5が堆積される。この中間膜5の上に連続して金属膜2が堆積される。
図11を参照して、シリコン基板1上に中間膜5が堆積される。この中間膜5の上に連続して金属膜2が堆積される。
主に図12を参照して、図4(実施の形態1)と同様の方法により、ポジレジスト3が形成される。
主に図13を参照して、図5(実施の形態1)と同様の方法により、金属膜2から金属膜2mが形成される。次に実施の形態1と同様の方法により、ウェットエッチングが行なわれる。
図14を参照して、上記のウェットエッチングにより、金属配線2pが形成される。さらにウェットエッチングが行なわれることにより、中間膜5の露出部が除去される。
再び図9を参照して、上記の中間膜5の露出部の除去により、シリコン基板1上に金属配線2pおよび中間膜5pが形成された構成が得られる。なお金属配線2pをマスクとして中間膜5の露出部のウェットエッチングにより中間膜5が若干サイドエッチングされることで、金属配線2pのパターン端部である中間膜5の側壁にはわずかな凹部(図示せず)が形成される。この凹部の深さは中間膜5の厚みと同程度である。
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
本実施の形態によれば、中間膜5pと金属配線2pとの2層構造からなる金属パターンを形成することができる。また中間膜5pにより金属配線2pの密着力を高めることができる。
なお上記の実施の形態1および2の説明において金属膜2、2mおよび金属配線2pの材質として用いられるアルミニウムは、純粋なアルミニウムに限定されるものではなく、たとえば1重量%以下のシリコンが添加されたアルミニウムであってもよい。このようなシリコンが添加されたアルミニウムは半導体装置において一般的に用いられている。またアルミニウムにシリコンおよび銅が添加された三元系のメタル材料を用いることもできる。
また本発明の金属パターンの材質はアルミニウムに限定されるものではなく、金属パターンが形成される下地の材質に対して選択的に除去することが可能な材質であればよい。たとえば金(Au)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)などを用いることができる。
また中間膜5および5pの材質はクロムに限定されるものではなく、シリコン基板1やシリコン基板1上に形成された構成部材に対して選択的に除去することができる材質であればよい。
また金属パターンが形成される基板としてシリコン基板1が用いられたが、半導体装置の製造工程に適した他の基板を用いることもできる。たとえばガラス基板やセラミック基板を用いることができる。
また金属配線2pを形成する等方性エッチングとしてウェットエッチングが用いられたが、等方性の反応性ドライエッチングであってもよい。なおエッチング時間はエッチング方法によって適宜調整される。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
(実施例1)
図15〜図17は、実施例1における金属パターンの形成方法を工程順に示す概略断面図である。
(実施例1)
図15〜図17は、実施例1における金属パターンの形成方法を工程順に示す概略断面図である。
図15を参照して、シリコン基板1上に厚さ0.05μmのクロムからなる中間膜(図15において図示せず)が形成された。次にこの中間膜の上に金属膜2として膜厚2μmのアルミニウム膜がスパッタ法により形成された。次にこの金属膜2の上にポジレジスト3が形成された。
主に図16を参照して、まず最適なエッチング量を決定するための試験として、ポジレジスト3をマスクとする入射角30°のイオンビームエッチングにより金属膜2(図15)の露出部をすべて除去するように深さ2μmのエッチング(図中の膜厚DM1がゼロとなるようなエッチング)が行なわれた。イオンビームエッチングのプロセスガスとしてはアルゴンが用いられた。このときの再付着膜4の膜厚は0.8μmであった。この実験結果から、エッチング時間を調整することにより、膜厚DM1およびWR1をともに0.57μmとすることができることが予想された。
次に図15に示す構成を有する別のサンプルに対して、上記のエッチング時間だけイオンビームエッチングが行なわれることにより、金属膜2から金属膜2m1が形成された。次に再付着膜4が除去されるようにウェットエッチングが行なわれた。エッチング液としては、リン酸系の混合液を用いた。
図17を参照して、このウェットエッチングの結果、幅WT1=2.3μm、高さDM1=0.2μmの裾野形状を有する金属パターン2p1が形成された。さらにオーバーエッチングを金属パターン2p1の材質が0.2μmエッチングされるような時間にわたって行なったところ、金属パターン2p1の若干のパターン幅減少は生じたものの、金属パターン2p1の下地をオーバーエッチングすることなく、上記の裾野形状を除去することができた。次にポジレジスト3が有機洗浄により除去された。次に水洗および乾燥が行なわれた。これにより図18および図19に示す金属パターン2p1が形成された。
上記のように、本実施例のイオンビームエッチング工程は、入射角30°で、金属膜2および中間膜の合計膜厚の約80%がエッチングされる条件を有していた。本発明者は、イオンビームの入射角と、このイオンビームによるエッチング量とのそれぞれについて検討を行なったが、本実施例の条件による金属パターン2p1の側壁の平面性が最も良好であった。
なお、たとえばスパッタ法により形成された金属膜2はシリコン基板1上において、通常、±5〜8%程度の膜厚分布を有している。このため金属膜2m1のうちの不要な部分を確実に除去するためには、ウェットエッチングの時間を10%程度延長すればよい。
また、金属膜2m1および再付着膜4はともにアルミニウムからなるものの、金属膜2m1に比して再付着膜4の方がウェットエッチングされる速度が遅かった。このため再付着膜4の膜厚WR1を過剰に大きくしてしまうと、ウェットエッチングが困難となる。
(実施例2)
図20および図21は、実施例2における金属パターンの形成方法を工程順に示す概略断面図である。なお図15に示す工程までは実施例1と同じであるためその説明を繰り返さない。
図20および図21は、実施例2における金属パターンの形成方法を工程順に示す概略断面図である。なお図15に示す工程までは実施例1と同じであるためその説明を繰り返さない。
主に図20を参照して、本実施例においてはイオンビームの入射角が0°とされた。まず最適なエッチング量を決定するための試験として、ポジレジスト3をマスクとする入射角30°のイオンビームエッチングにより金属膜2(図15)の露出部をすべて除去するように深さ2μmのエッチング(図20の膜厚DM2がゼロとなるようなエッチング)が行なわれた。この結果、再付着膜4の膜厚は0.8μmであった。この実験結果から、エッチング時間を調整することにより、膜厚DM2およびWR2をともに0.67μmとすることができることが予想された。
次に、図15に示す構成を有する別のサンプルに対して、上記のエッチング時間だけイオンビームエッチングが行なわれることにより、金属膜2から金属膜2m2が形成された。次に再付着膜4が除去されるようにウェットエッチングが行なわれた。
図21を参照して、このウェットエッチングにより金属パターン2p2が形成された。金属パターン2p2は、ウェットエッチングにより幅WS2=約0.67μmにわたってサイドエッチングされた領域を有していた。
(実施例3)
図22および図23は、実施例3における金属パターンの形成方法を工程順に示す概略断面図である。なお図15に示す工程までは実施例1と同じであるためその説明を繰り返さない。
図22および図23は、実施例3における金属パターンの形成方法を工程順に示す概略断面図である。なお図15に示す工程までは実施例1と同じであるためその説明を繰り返さない。
主に図22を参照して、本実施例においてはイオンビームの入射角が60°とされた。まず最適なエッチング量を決定するための試験として、ポジレジスト3をマスクとする入射角60°のイオンビームエッチングにより金属膜2(図15)の露出部をすべて除去するように深さ2μmのエッチング(図22の膜厚DM3がゼロとなるようなエッチング)が行なわれた。この結果、再付着膜4の膜厚は0.2μmであった。この実験結果から、エッチング時間を調整することにより、膜厚DM3およびWR3をともに0.18μmとすることができることが予想された。
次に、図15に示す構成を有する別のサンプルに対して、上記のエッチング時間だけイオンビームエッチングが行なわれることにより、金属膜2から金属膜2m3が形成された。次に再付着膜4が除去されるようにウェットエッチングが行なわれた。
図23および図24を参照して、このウェットエッチングにより金属パターン2p3が形成された。金属パターン2p3は、幅WT3=約7μm、高さDT3=約1μmおよび傾斜角=約8°の裾野形状TL3を有していた。本実施例のようにイオンビームの入射角が比較的大きいと、上記のように顕著な裾野形状TL3が形成されてしまう。この裾野形状はパターンの幾何学的形状に影響されて決まる。なおこの裾野形状TL3を除去するためにウェットエッチング時間が延長されると、金属パターン2p3の側壁が等方的にエッチングされることになり、パターン形状がシュリンクしてしまう。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明は、金属パターンの形成方法に特に有利に適用され得る。
1 シリコン基板(基板)、2 金属膜、2i,2p1,2p2,2p3,2r,2w 金属パターン、2m,2m1,2m2,2m3 金属膜、2p 金属配線(金属パターン)、3 ポジレジスト(マスク)、4,4i,4r 再付着膜、5,5p 中間膜。
Claims (3)
- 基板上に金属膜を堆積する工程と、
前記金属膜上に前記金属膜の一部を覆うマスクを形成する工程と、
異方性エッチングにより前記金属膜の前記マスクから露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、前記金属膜に前記異方性エッチングにともなう再付着膜に覆われた側壁を形成する工程と、
前記金属膜の前記マスクから露出された部分と前記再付着膜とを前記基板の材質のエッチング速度よりも前記金属膜の材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングによりエッチングすることで、金属パターンを形成する工程とを備えた、金属パターンの形成方法。 - 前記異方性エッチングはプロセスガスとして不活性ガスを用いる、請求項1に記載の金属パターンの形成方法。
- 前記異方性エッチングはイオンビームエッチングである、請求項1または2に記載の金属パターンの形成方法。
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