JP2009128087A - 検査装置、露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

検査装置、露光装置およびデバイス製造方法 Download PDF

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【課題】 積層した複数の透過面のそれぞれにおける異物または欠陥を検査する低コスト、省スペースの検査装置を提供する。
【解決手段】 積層された複数の透過部材を含む被検物における複数の透過面の異物または欠陥に関して検査するために、前記複数の透過面を撮像する撮像装置11と、前記撮像装置にて撮像した画像を処理して前記異物または欠陥を検出する画像処理部16とを設ける。前記撮像装置には、積極的に焦点位置を変化させる機構14、17か、または1つの光軸に対して複数焦点をもつ光学系をもたせる。前記画像処理部は積層した複数の透過面に付着した異物、大きさ、位置や付着した面を判別する機能を有する。それらの情報を表示する表示部19および各情報から付着した異物を除去する異物除去装置を設ける。
【選択図】 図3

Description

本発明は、積層した複数の透過部材を含む被検物を異物または欠陥に関して検査する検査装置に関する。
半導体デバイスや液晶表示デバイスは、原版(マスク又はレチクル)に形成されたパターンを感光基板上に転写するフォトリソグラフィ工程を通して製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、感光基板を保持して二次元駆動する基板ステージと、原版を保持して二次元駆動する原版ステージとを有する。そして、原版ステージおよび基板ステージを駆動させながら、投影系を介して、原版に形成されたパターンを感光基板に転写する。露光装置としては、原版のパターンの全体を同時に感光基板上に転写する一括型露光装置と、原版ステージと基板ステージとを同期走査しながら原版のパターンを連続的に感光基板上に転写する走査型露光装置との2種類が知られている。
最近では、半導体デバイスや液晶表示デバイスの微細化が進むにつれて、高精度な露光装置が要求されている。そういった現状で、フォトリソグラフィ工程で使用される露光装置では、原版に埃や塵などの異物が付着していると、原版に形成されたパターンと共に異物の像が感光基板に転写されてしまう。そして、複数の感光基板に同様の欠陥が発生してしまうため、露光処理を実施する前に原版上の異物を検査および除去するようにしている。
異物検査装置は、原版上で1つ以上のラインセンサを走査させながら、原版上に光を斜め照射し、付着した異物からの散乱光を受光することにより、原版上の異物を検出する(特許文献1参照)。
また、同様な検出器を原版の両側に配して原版の両面を同時に検査する(特許文献2参照)。
さらに、最近では、原版が大型化(又は大口径化)することにより、原版の自重による撓みが発生する。露光装置において、原版はその周辺部でのみ支持されるため、原版が大型化することにより、原版の自重による撓みが発生し、投影系の焦点深度のマージンを原版の撓みが減らしてしまう。結果として、望まれる解像を得ることが難しくなる。そのため、光透過部材を用いて画定される原版に隣接する空間の圧力を高精度に制御して原版の自重による撓みを矯正することが知られている(特許文献3参照)。
特開2001−201461号公報 特開平6−177000号公報 特開2006−135085号公報
しかしながら、特許文献3にて開示されている光透過部材の上下面に関しても、異物や欠陥があれば、その像が感光基板に転写されてしまう。
本発明は上記の課題認識を背景としてなされたものであり、例えば、積層した複数の透過部材における複数の面を検査できるようにすることを目的とする。
上記の目的を達成するため本発明に係る検査装置は、積層された複数の透過部材を含む被検物を異物または欠陥に関して検査する検査装置であって、撮像手段(11)と、前記撮像手段に対向させて前記被検物を保持する保持手段(3)と、前記撮像手段を制御して前記撮像手段の焦点位置を設定する制御手段(17)と、前記撮像手段により撮像された画像を処理する画像処理手段(16)と、を有し、前記制御手段により設定された複数の焦点位置に対応した前記被検物の複数の面それぞれに関して前記被検物を検査する、ことを特徴とする。なお、上述においては参考のため、図3の対応する部材に付された番号を括弧内に示した。
本発明によれば、例えば、積層した複数の透過部材における複数の面を検査することができる。
本発明の好ましい実施の形態において、本発明の検査装置は、液晶表示デバイスを製造するための露光装置に適用される。そして、積層された複数の透過部材を含む被検物であるマスクの両面を含む、複数の透過面の異物または欠陥に関して検査する。
本実施形態に係る検査装置は、撮像手段(11)と、前記撮像手段に対向させて前記被検物を保持する保持手段(3)とを有する。また、前記撮像手段を制御して前記撮像手段の焦点位置を設定する制御手段(17)と、前記撮像手段により撮像された画像を処理する画像処理手段(16)と、を有する。そして、前記制御手段により設定された複数の焦点位置に対応した前記被検物の複数の面それぞれに関して前記被検物を検査する。
本実施形態において前記制御手段は、例えば前記撮像手段に含まれる光学素子を移動させることにより前記撮像手段の焦点位置を設定する。または、前記撮像手段における1つの光軸に対して複数焦点をもつ光学系を備えるようにしてもよい。
また、本実施形態に係る検査装置は、表示手段を有し、前記画像処理手段は、前記画像を処理することにより異物または欠陥の領域を抽出し、前記表示手段は、前記画像処理手段により抽出された情報を表示する。
前記画像処理手段は、前記撮像手段にて撮像した画像を処理することにより、積層する複数の透過面に付着した異物の有無、大きさ、異物の位置および付着した面を判別する。判別した情報は前記表示手段に表示される。本実施形態に係る検査装置は、さらに、前記画像処理手段により抽出された情報に基づいて異物を除去する異物除去手段を有する。
以下に本発明の好適な実施形態を実施例に基づき説明する。
[実施例1]
図1および図2は、本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成を示す斜視図および側面図である。
図1および図2において、露光装置EXはパターンが形成されたマスク1とそれに提供される光透過部材2を保持して移動するマスクステージ3と、感光基板4を支持する基板ステージ5を備える。また、マスクステージ3に支持されたマスク1とそれに提供される光透過部材2を露光光6で照明する照明光学系7を備える。さらに、露光光6で照明されたマスク1のパターンを基板ステージ5に保持された感光基板4に投影し転写する投影光学系8と、マスク1やそれに提供される光透過部材2を搬送するマスクローダ9とを備えている。ここで、基板は、例えば半導体ウエハ、液晶パネル用のガラスプレートである。
マスク1とそれに提供される光透過部材2を積層した複数の透過面の上部には、異物を検査する異物検査装置10が配置される。異物検査装置10は、異物を除去する異物除去装置を備えている。マスクステージ3に保持されているマスク1のパターン面と基板ステージ5に保持されている感光基板4の被露光面とは、投影光学系8を介して共役な位置関係に配置される。この実施例の露光装置EXは、大型凹面鏡を有するスキャン型露光装置として構成されている。
この実施例において、露光装置EXは走査型露光装置として構成され、露光光6を射出する照明光学系7に対してマスク1と感光基板4とを同期して移動させて、マスク1のパターンを感光基板4に走査露光により転写する。
図3は、この実施例に使用する異物検査装置10の概略図を示す。検査対象となるマスク1とそれに提供される光透過部材2の上部に、撮像装置11および照明系12を含む光学検査系13が配置される。
撮像装置11は、マスク1とそれに提供される光透過部材2の合わさった複数の透過面の少なくとも3面の全面領域に対して、対物レンズ(対物光学素子)14を制御することで焦点位置を変えることができる機構を有する。
照明系12は、付着した異物を撮像装置11にて検出するために、照明角度の調整機構を有する。
異物検査装置10は、装置全体を管理する制御ラック15を有する。制御ラック15は、撮像装置11の画像データを処理する画像処理部16、撮像装置11の焦点位置を制御する焦点位置制御部17および焦点位置に合わせた照明系12の角度を調整する照明制御部18を有する。また、画像処理部16より得た検査結果を表示する表示部(モニタ)19を有する。
画像処理部16は、撮像装置11の焦点位置および撮像装置11にて得た画像データをもとに、異物の有無、大きさ、異物の位置や付着した面を判別する機能を有する。
異物検査装置10は、画像処理部16にて、判別した検査結果から異物の付着した位置が特定できるので、さらに、付着した位置のみ異物の除去が行える異物除去装置を有する。
異物検査装置10および異物除去装置に対して、マスク1とそれに提供される光透過部材2を搭載したマスクステージ3を走査させることにより、各々の透過面の全面を連続的に検査することができる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、それは一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において構成やシーケンスは変更可能である。例えば、以下のような変更をも含むものとする。
好適な実施形態として走査型露光装置の構成例を示しているが、マスク1のパターンの全体を感光基板4上に同時に転写する一括型露光装置に使用することもできる。
また、液晶表示デバイスの製造に使用する角型ガラスプレートを露光する露光装置EXの構成例を示したが、半導体チップや薄膜磁気ヘッドなどの基板を露光する露光装置としても構成できる。
さらに、上述の実施形態では、マスクステージ3上部に異物検査装置10および異物除去装置を構成した。しかし、マスク1やそれに提供される光透過部材2を保持するマスクローダ9のローディング経路上及び/又はアンローディング経路中に構成してもよい。その際、異物検査装置10および異物除去装置に構成される撮像装置11をマスク1やそれに提供される光透過部材2に対して走査してもよい。更に、撮像装置11と検査対象との双方を走査する構成でもよい。
さらに、マスク1やそれに提供される光透過部材2の大きさに応じて、撮像装置11の数を増やしてもよい。さらに、撮像装置11の視野によっては、マスクステージ3を二次元的に走査させてもよい。
さらに、マスク1のパターン面については、異物の付着していない状態でパターン面を撮像して得た基準画像と、検査時にパターン面を撮像して得た画像とに基づき、異物及び/又は欠陥を検出するようにしてもよい。この場合、画像処理部16は、たとえば、コンピュータプログラムにしたがって上記2画像間の変化領域を抽出する画像間演算アルゴリズム又はパターン認識アルゴリズムを実行すればよい。
[実施例2]
図4は、本発明の第二の実施例に係る撮像装置の構成を示す。この撮像装置20は、図3の撮像装置11に代えて用いられるものである。
図3の第一の実施例と同様な動作をする構成部に関しては、同番号を振り、その説明を省略し、新規構成部のみについて説明する。新規構成部は複数焦点をもつ撮像装置20である。
第一の実施例では、撮像装置11の1つの光軸に対して対物レンズ14を制御することで焦点位置を変え、マスク1やそれに提供される光透過部材2の積層した複数の透過面を選択的に検査することができる。第二の実施例(図4)では、1つの光軸に対して選択的に挿脱可能な複数のミラー21と固定のミラー22とを用いて、複数の焦点位置をもった撮像装置20としている。図4において、黒丸(●)は焦点位置を模式的に示している。複数のミラー21をいずれも挿入しない状態といずれか1つを挿入した状態との計4つの状態から1つの状態を設定することにより、4つの焦点位置から択一的に焦点位置を設定することができる。このようにして、マスク1やそれに提供される光透過部材2の積層した複数の透過面のそれぞれを検査することができる。その際、画像処理部16は、透過面ごとに異物及び/又は欠陥を抽出する。
[実施例3]
次に、図5および図6を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図5は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンに基づいてマスク(原版またはレチクルともいう)を製作する。ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハ(基板ともいう)を製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組立)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷(ステップ7)される。
図6は、ステップ4のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ11(酸化)では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)では、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では、露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップ17(現像)では、露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成を示す斜視図である。 図1の露光装置の概略構成を示す側面図である。 図1の露光装置に使用する異物検査装置の概略図である。 図3の異物検査装置における撮像装置の変形例を示す概略図である。 露光装置を使用したデバイスの製造を説明するためのフローチャートである。 図5に示すフローチャートにおけるステップ4のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。
符号の説明
EX・・・露光装置
1・・・マスク
2・・・光透過部材
3・・・マスクステージ
4・・・感光基板
5・・・基板ステージ
6・・・露光光
7・・・照明光学系
8・・・投影光学系
9・・・マスクローダ
10・・・異物検査装置および異物除去装置
11・・・撮像装置
12・・・照明系
13・・・光学検査系
14・・・対物レンズ
15・・・制御ラック
16・・・画像処理部
17・・・焦点位置制御部
18・・・照明制御部
19・・・表示部
20・・・撮像装置
21・・・複数のミラー
22・・・固定のミラー

Claims (6)

  1. 積層された複数の透過部材を含む被検物を異物または欠陥に関して検査する検査装置であって、
    撮像手段と、前記撮像手段に対向させて前記被検物を保持する保持手段と、前記撮像手段を制御して前記撮像手段の焦点位置を設定する制御手段と、前記撮像手段により撮像された画像を処理する画像処理手段と、
    を有し、前記制御手段により設定された複数の焦点位置に対応した前記被検物の複数の面それぞれに関して前記被検物を検査する、
    ことを特徴とする検査装置。
  2. 前記制御手段は、前記撮像手段に含まれる光学素子を移動させることにより前記撮像手段の焦点位置を設定する、ことを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
  3. 表示手段を有し、前記画像処理手段は、前記画像を処理することにより異物または欠陥の領域を抽出し、前記表示手段は、前記画像処理手段により抽出された情報を表示する、ことを特徴とする請求項1または2に記載の検査装置。
  4. 前記画像処理手段により抽出された情報に基づいて異物を除去する異物除去手段を有することを特徴とする請求項3に記載の検査装置。
  5. 原版を介して感光基板を露光して前記原版に形成されたパターンを前記感光基板に転写する露光装置であって、
    前記原版と前記原版に積層された透過部材とを含む被検物を異物または欠陥に関して検査する請求項1乃至4のいずれかに記載の検査装置を有する、ことを特徴とする露光装置。
  6. 請求項5に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記工程で露光された基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
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