JP5252893B2 - 検査装置、露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
検査装置、露光装置およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
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また、同様な検出器を原版の両側に配して原版の両面を同時に検査する(特許文献2参照)。
[実施例1]
撮像装置11は、マスク1とそれに提供される光透過部材2の合わさった複数の透過面の少なくとも3面の全面領域に対して、対物レンズ(対物光学素子)14を制御することで焦点位置を変えることができる機構を有する。
照明系12は、付着した異物を撮像装置11にて検出するために、照明角度の調整機構を有する。
[実施例2]
図3の第一の実施例と同様な動作をする構成部に関しては、同番号を振り、その説明を省略し、新規構成部のみについて説明する。新規構成部は複数焦点をもつ撮像装置20である。
次に、図5および図6を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図5は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンに基づいてマスク(原版またはレチクルともいう)を製作する。ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハ(基板ともいう)を製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組立)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷(ステップ7)される。
1・・・マスク
2・・・光透過部材
3・・・マスクステージ
4・・・感光基板
5・・・基板ステージ
6・・・露光光
7・・・照明光学系
8・・・投影光学系
9・・・マスクローダ
10・・・異物検査装置および異物除去装置
11・・・撮像装置
12・・・照明系
13・・・光学検査系
14・・・対物レンズ
15・・・制御ラック
16・・・画像処理部
17・・・焦点位置制御部
18・・・照明制御部
19・・・表示部
20・・・撮像装置
21・・・複数のミラー
22・・・固定のミラー
Claims (7)
- 原版を介して感光基板を露光して前記原版に形成されたパターンを前記感光基板に転写する露光装置であって、
前記原版に隣接する空間を画定する光透過部材を異物または欠陥に関して検査する検査装置を備え、
前記検査装置は、
撮像手段と、前記撮像手段に対向させて前記被検物を保持する保持手段と、前記撮像手段を制御して前記撮像手段の焦点位置を設定する制御手段と、前記撮像手段により撮像された画像を処理する画像処理手段と、
を有し、前記制御手段により設定された複数の焦点位置に対応した前記光透過部材の複数の面それぞれに関して前記光透過部材を検査する、
ことを特徴とする露光装置。 - 前記制御手段は、前記撮像手段に含まれる光学素子を移動させることにより前記撮像手段の焦点位置を設定する、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 表示手段を有し、前記画像処理手段は、前記画像を処理することにより異物または欠陥の領域を抽出し、前記表示手段は、前記画像処理手段により抽出された情報を表示する、ことを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
- 前記画像処理手段により抽出された情報に基づいて異物を除去する異物除去手段を有することを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
- 前記検査装置は、前記原版および前記光透過部材を検査することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記保持手段は前記光透過部材を搬送するローダであり、前記検査装置は、前記ローダのローディング経路上またはアンローディング経路上に設けられることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置。
- 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記工程で露光された基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007301221A JP5252893B2 (ja) | 2007-11-21 | 2007-11-21 | 検査装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
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JP2009128087A JP2009128087A (ja) | 2009-06-11 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5252893B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3056823B2 (ja) * | 1991-05-30 | 2000-06-26 | エヌティエヌ株式会社 | 欠陥検査装置 |
JP4647090B2 (ja) * | 2000-12-13 | 2011-03-09 | ローム株式会社 | 透明積層体の検査装置 |
JP2002277411A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-25 | Rohm Co Ltd | 透明積層体の検査方法および検査装置 |
JP5006513B2 (ja) * | 2004-11-05 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP5194800B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2013-05-08 | 株式会社ニコン | 重ね合わせ管理方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法、並びにプログラム及び情報記録媒体 |
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JP2009128087A (ja) | 2009-06-11 |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Written amendment |
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