JP2009125820A - 結晶材料の研磨方法及び研磨装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】結晶の構造相転移を有する単結晶材料を研磨する結晶材料の研磨方法であって、単結晶材料を用いて作製した素子の使用温度領域において、単結晶材料が発現する結晶構造と同一の結晶構造を発現した状態で、単結晶材料の表面の研磨を行う。単結晶材料105を固定する治具104と単結晶材料を研磨する研磨盤101を固定する治具102の少なくとも一方の温度を調整し、単結晶材料を使用温度領域に設定する。
【選択図】図5
Description
102,202,302 回転ステージ
103,203,303 回転軸
104,204,303 研磨治具
105,205,305 研磨対象
206,306 駆動軸
207 赤外線ランプ
307 抵抗ヒータ
Claims (8)
- 結晶の構造相転移を有する単結晶材料を研磨する結晶材料の研磨方法であって、
前記単結晶材料を用いて作製した素子の使用温度領域において、前記単結晶材料が発現する結晶構造と同一の結晶構造を発現した状態で、前記単結晶材料の表面の研磨を行うことを特徴とする結晶材料の研磨方法。 - 前記単結晶材料を固定する治具と前記単結晶材料を研磨する研磨盤を固定する治具の少なくとも一方の温度を調整し、前記単結晶材料を前記使用温度領域に設定し、前記単結晶材料が発現する結晶構造と同一の結晶構造を発現した状態を維持することを特徴とする請求項1に記載の研磨方法。
- 前記単結晶材料は、ペロブスカイト型結晶構造を有することを特徴とする請求項1または2に記載の研磨方法。
- 前記単結晶材料が発現する結晶構造は、立方晶であることを特徴とする請求項3に記載の研磨方法。
- 前記単結晶材料は、タンタル酸ニオブ酸カリウムを主成分とする結晶材料であることを特徴とする請求項3または4に記載の研磨方法。
- 結晶の構造相転移を有する単結晶材料を研磨するための研磨装置であって、
前記単結晶材料を固定する治具と前記単結晶材料を研磨する研磨盤を固定する治具の少なくとも一方の温度を調整する温度調整手段を備えたことを特徴とする研磨装置。 - 前記温度調整手段は、前記単結晶材料を用いて作製した素子の使用温度領域に設定し、前記単結晶材料が発現する結晶構造と同一の結晶構造を発現した状態を維持することを特徴とする請求項6に記載の研磨装置。
- 前記研磨盤と前記研磨盤を固定する治具との間に、前記研磨盤より熱膨張係数の小さい基体を配置することを特徴とする請求項6または7に記載の研磨装置。
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Citations (4)
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---|---|---|---|---|
JPS63278219A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Sharp Corp | ワイドバンドギャップ半導体の形成方法 |
JPH05124398A (ja) * | 1991-11-02 | 1993-05-21 | Taihei Shoko Kk | 塗膜剥離装置 |
JP2005081485A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Tube Systems:Kk | 高温メカノケミカル研磨方法と装置 |
JP2006313221A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光デバイス |
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2007
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63278219A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Sharp Corp | ワイドバンドギャップ半導体の形成方法 |
JPH05124398A (ja) * | 1991-11-02 | 1993-05-21 | Taihei Shoko Kk | 塗膜剥離装置 |
JP2005081485A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Tube Systems:Kk | 高温メカノケミカル研磨方法と装置 |
JP2006313221A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光デバイス |
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