JP2009098652A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】簡易な構成で液晶材料を転移させるとともに、開口率およびコントラストの高い
液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１絶縁基板１００と、第１絶縁基板１００上に配置される第１電極１３０
と、第１絶縁基板１００と第１電極１３０との間に第１電極１３９に対して絶縁下地層を
介して配置される第２電極１０８とを含む第１基板１０と、第２絶縁基板２００と、第２
絶縁基板２００上に配置される第３電極２３０とを含む第２基板２０と、第１電極１３０
と第３電極２３０との間に挟持され、初期化処理において第１状態から第２状態に相転移
される液晶層３０と、初期化処理において第１電極１３０と第２電極２３０とに第１電圧
を供給すると共に第３電極２３０に第１電圧と異なる第２電圧を供給する電圧供給部と、
を備え、第１電極１３０は、各電極１３０、２３０に供給される各電圧に基づき液晶層３
０に転移核を形成する転移核形成部１３１を備える液晶表示装置。
【選択図】 図１

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。

ＯＣＢ（optically compensated bend）モードの液晶表示装置では、液晶材料にベンド配向を形成させ、各配向膜近傍で液晶分子のチルト角を変化させることにより液晶層のリタデーションを変化させる。ＯＣＢモードは、優れた応答速度および視野角特性を実現し得る表示モードの１つであり、近年、注目を集めている。

ＯＣＢモードの液晶表示装置では、上記のように、液晶材料にベンド配向を形成させることが必要である。しかしながら、電源投入前の初期状態において、液晶材料はスプレイ配向を形成している。これは、液晶材料には、本来、スプレイ配向がベンド配向と比較してより安定なためである。そこで、ＯＣＢモードの液晶表示装置を起動する際には、スプレイ配向からベンド配向へと転移させるための処理が必要となる。

この転移発現には、液晶層にベンド配向とスプレイ配向との状態エネルギー差以上のエネルギーを与える必要がある。例えば、液晶材料を転移させる方法として、液晶セルへの電圧印加により静電エネルギーを与える方法が提案されている。この場合、ベンド配向とスプレイ配向との状態エネルギー差相当の電圧印加では転移進行が遅いため、実際には非常に高い電圧印加が必要であった。また、この転移過程は、基板表面の形状や電場分布の影響を受け易いため、液晶層中に未転移領域が残ることがあった。

従来、この問題を解決するために、隣接する画素の周囲に入れ子形状の屈曲パターン（以下、転移核パターンと呼ぶ）を設け、当該電極間に電位差を与えると同時に対向電極間にも電位差を与えて、液晶セルの厚み方向ならびに面内方向に強い液晶配列歪みを発生させ、スプレイ配向からベンド配向へと高速に転移させる技術が提案されている（特許文献１参照）。

さらに、転移核パターンを、画素電極と、これに近接し隣接画素電極とスイッチング素子を介して接続する近接電極とで構成し、当該電極間に画像信号振幅相当の電位差を与えると同時に対向電極間にも電位差を与えて、液晶セルの厚み方向ならびに面内方向に強い液晶配列歪みを発生させ、画素電極と周囲配線との間の容量カップリングによる電位変動を抑えながら、スプレイ配向からベンド配向へと高速に転移させる技術も提案されている（特許文献１参照）。これらの技術では、転移核パターンは画素電極を周辺配線電極の直上に位置するよう配置することにより設けられており、開口率およびコントラストを高く維持できるようにしている。
公開特許第２００３−２８００３６号公報

上記、特許文献１では、転移核パターンにおいて、隣接する画素電極同士、あるいは画素電極と隣接画素電位を与え得る近接電極とを近接させ、さらに、互いに逆極性の信号電位を与えることで、横電場強度を強めている。

しかし、画素形成面内で電極同士を近接させる場合には、パターニング限界の制約を考慮する必要がある。例えば、透明電極材料として用いられるＩＴＯの場合、電極と電極との間には少なくとも数μｍ程度の距離が発生する。すなわち、パターンニング限界の制約によって、電極同士を所定の距離よりも近接させることが難しく、画素形成面内で所望の横電界強度を得ることが出来ない場合があった。

さらに、高速な転移を実現するためには、対向電極、個々の画素電極、さらには近接電極へ、各々異なる電位を所定のタイミングで設定する必要があり、複雑な駆動制御回路が必要であった。すなわち、転移核パターンに近接電極を用いる画素構成の場合には、一画素につき二つのスイッチング素子が必要で、素子構造および駆動回路構成を簡易にすることが難しかった。

さらに、隣接画素間、または、画素と近接電極との間に与え得る電位差は画素信号振幅相当（通常１０Ｖか、それ以下）である。この場合、液晶セルの面内方向の電場強度が不足し、転移動作が不安定になることがあった。

本発明は上記問題点に鑑みて成されたものであって、簡易な構成で液晶材料を転移させるとともに、開口率およびコントラストの高い液晶表示装置を提供することを目的とする。

また、本発明は、表示画面の全体にわたり、初期転移の不具合のない液晶表示装置を提供することを目的とする。

本発明の態様による液晶表示装置は、第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板上に配置される第１電極と、前記第１絶縁基板と前記第１電極との間に前記第１電極に対して絶縁下地層を介して配置される第２電極とを含む第１基板と、第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板上に配置される第３電極とを含む第２基板と、前記第１電極と前記第３電極との間に挟持され、初期化処理において第１状態から第２状態に相転移される液晶層と、初期化処理において前記第１電極と前記第２電極とに第１電圧を供給すると共に前記第３電極に前記第１電圧と異なる第２電圧を供給する電圧供給部と、を備え、前記第１電極は、各前記電極に供給される各前記電圧に基づき前記液晶層に転移核を形成する転移核形成部を備える。

本発明によれば、簡易な構成で液晶材料を転移させるとともに、開口率およびコントラストの高い液晶表示装置を提供することができる。

また、本発明によれば、表示画面の全体にわたり、初期転移の不具合のない液晶表示装置を提供することができる。

以下、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の第１態様に係る液晶表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１の液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図１の液晶表示装置のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。なお、図１では、後述するカラーフィルタを省略している。

本実施形態に係る液晶表示装置は、ＯＣＢモードのアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、液晶表示パネル１と、これと対向するように配置されたバックライト（図示せず）とを有している。

液晶表示パネル１は、図２および図３に示すように、アレイ基板である背面基板１０と、対向基板である前面基板２０とを含んでいる。背面基板１０と前面基板２０との間には、枠状の接着剤層（図示せず）が介在している。背面基板１０と前面基板２０と接着剤層とに囲まれた空間は液晶材料を含む液晶層３０で満たされている。背面基板１０および前面基板２０の各外面上には、光学補償フィルム４０および偏光板５０が順次配置されている。

背面基板１０は、例えばガラス基板などの透明絶縁基板１００を含んでいる。透明絶縁基板１００上には、例えばＳｉＮ_x層、ＳｉＯ₂層のいずれか、又は、ＳｉＮx層およびＳｉＯ₂層などのアンダーコート層１０１が形成されている。

アンダーコート層１０１上には、チャネルおよびソース・ドレインが形成されたポリシリコン層等の半導体層１０２が配置されている。半導体層１０２およびアンダーコート層１０１は、ゲート絶縁膜１０３で被覆されている。ゲート絶縁膜１０３は、例えば、ＴＥＯＳ（tetraethoxyorthosilane）を用いて形成することができる。

ゲート絶縁膜１０３上には、図１および図３に示す走査線１０４、図１および図２に示すゲート電極１０５、図１および図３に示す補助容量配線１０６が同層に配置されている。走査線１０４は、それぞれ第１方向に延在すると共に、第１方向と交差する第２方向に配列している。

図１では、走査線１０４は、それぞれ横方向又は行方向であるＸ方向に延在するとともに、縦方向又は列方向であるＹ方向に配列している。走査線１０４の材料としては金属材料を使用することができる。例えば、走査線１０４の材料としては、ＭｏＷを使用することができる。

ゲート電極１０５は、図１に示すように、走査線１０４の一部として設けられている。また、ゲート電極１０５は、図２に示すように、ゲート絶縁膜１０３を介して、半導体層１０２内に形成されたチャネルと向き合っている。ゲート電極１０５とゲート絶縁膜１０３と半導体層１０２とは、走査線１０４と後述する信号線１０８との交差部近傍に配置されたスイッチング素子として、薄膜トランジスタ１１０を構成している。

なお、ここでは、スイッチング素子１１０として薄膜トランジスタを例示しているが、ダイオードやＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）素子等の他の素子をスイッチング素子として使用してもよい。

補助容量配線１０６は、Ｘ方向に延在すると共に、このＸ方向と交差するＹ方向に配列している。本実施形態に係る液晶表示装置では、走査線１０４毎に１本の補助容量配線１０６を配置している。補助容量配線１０６は、例えば、走査線１０４と同一工程で形成することができる。

ゲート絶縁膜１０３、走査線１０４、ゲート電極１０５および補助容量配線１０６は、図２および図３に示すように、層間絶縁膜１０７で被覆されている。層間絶縁膜１０７には、例えば、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ_xのいずれか、又は、ＳｉＯ₂およびＳｉＮ_xなどを使用することができる。

層間絶縁膜１０７上には、図１および図２に示すように、信号線１０８とドレイン電極１０９とが配置されている。図１に示すように、信号線１０８は、それぞれＹ方向に延在するとともにＸ方向に配列している。信号線１０８の材料としては金属材料を使用することができる。例えば、信号線１０８には、Ｍｏ層とＡｌ−Ｎｄ層とＭｏ層との三層構造を採用することができる。

本実施形態に係る液晶表示装置では、図２に示すように、信号線１０８は、層間絶縁膜１０７に設けたコンタクトホールによって、薄膜トランジスタ１１０のソース電極に接続されている。あるいは、信号線１０８はソース電極と一体に形成されている。

ドレイン電極１０９の一端は、図１および図２に示すように、層間絶縁膜１０７に設けたコンタクトホールによって、薄膜トランジスタ１１０の半導体層１０２に接続されている。ドレイン電極１０９の他端は、図１および図３に示すように、層間絶縁膜１０７を介して、補助容量配線１０６と対向している。すなわち、本実施形態に係る液晶表示装置では、ドレイン電極１０９と補助容量配線１０６と層間絶縁膜１０７とは、キャパシタを構成している。なお、ドレイン電極１０９には、例えば信号線１０８と同一の材料を使用することができる。

層間絶縁膜１０７、信号線１０８およびドレイン電極１０９は、絶縁下地層で被覆されている。この絶縁下地層は、相転移を速やかに実現可能なように表面平滑化の機能を備えている。本実施形態に係る液晶表示装置では、一例として、絶縁下地層を、パッシベーション膜１１１とカラーフィルタ１２０とで構成している。なお、絶縁下地層はパッシベーション膜１１１を省略してカラーフィルタ１２０のみで構成しても良い。また、カラーフィルタ１２０を透明樹脂で置き換えることも可能である。

パッシベーション膜１１１は、図２および図３に示すように、層間絶縁膜１０７、信号線１０８およびドレイン電極１０９を被覆している。パッシベーション膜１１１には、例えば、ＳｉＮ_xを使用することができる。

カラーフィルタ１２０は、吸収スペクトルが互いに異なる複数の着色層、例えば、緑色着色層Ｇ、青色着色層Ｂ、赤色着色層Ｒ、を有している。本実施形態に係る液晶表示装置では、これら着色層Ｇ、Ｂ、Ｒは、図３に示すようにＹ方向に延びた略矩形状であるとともに、図２に示すようにＸ方向に配列してストライプパターンを形成している。

これら着色層Ｇ、Ｂ、Ｒは、図２に示すように、それらの間の境界が信号線１０８上に位置するように配置されている。着色層Ｇ、Ｂ、Ｒには、例えば、透明樹脂、染料、および顔料の混合物、又は、透明樹脂と染料あるいは顔料を含む混合物を使用することができる。なお、図２および図３ではカラーフィルタ１２０を背面基板１０側に設けているが、カラーフィルタ１２０は前面基板２０側に設けてもよい。

カラーフィルタ１２０上には、図１乃至図３に示すように、薄膜トランジスタ１１０のそれぞれに対応して、例えばＩＴＯ（indium tin oxide）などの透明導電体からなる画素電極１３０が配置されている。これら画素電極１３０は、図１および図３に示すように、パッシベーション膜１１１およびカラーフィルタ１２０に設けたコンタクトホールを介して、ドレイン電極１０９に電気的に接続されている。画素電極１３０は、反射型とするのであればアルミニウム等の金属材料で構成することができる。

画素電極１３０およびカラーフィルタ１２０は、配向膜１４０で被覆されている。配向膜１４０の材料には、例えば、ポリイミドなどの樹脂を使用することができる。配向膜１４０には配向処理が施されている。本実施形態に係る液晶表示装置では、配向処理として、膜面における液晶分子３００の立ち上がり方位を規定するような方式、例えば、ラビング処理を選択している。本実施形態に係る液晶表示装置では、ラビング処理において、図１中に矢印で示した方位をラビング方位ＡＤとしている。

本実施形態に係る液晶表示装置では、画素電極１３０は転移核形成部を有している。すなわち、画素電極１３０の端辺のうち、ドレイン電極１０９と重なるとともにＹ方向と略平行に延びる部分には、転移核パターン１３１が設けられている。転移核パターン１３１は、画素電極１３０の端辺に設けられた屈曲パターンである。

転移核パターン１３１のパターン形状は、例えばラビング方位ＡＤと交差する屈曲パターンで構成することができ、異なる形状パターンの組み合わせ、または連鎖パターンであってもよい。図１に示す場合では、一例として、ラビング方位ＡＤに対して略４５°の角度で交差する端辺からなる凹部からなる連続方形パターンの転移核パターン１３１を示した。

図１に示すように、配向膜１４０、２４０には、Ｘ方向およびＹ方向と略４５°を成す方位ＡＤにラビング処理がなされている。転移核パターン１３１は、Ｘ方向に伸びる端辺と、Ｙ方向に伸びる端辺とから成る凹部を有している。

本実施形態に係る液晶表示装置では、転移核パターン１３１は、Ｘ方向に延びる端辺同士のＹ方向における幅Ｗが液晶層３０の厚さｄ１の２分の１以上であって、絶縁下地層の厚さｄ２が液晶層３０の厚さｄ１の５分の１以上となるように形成されている。絶縁下地層の厚さｄ２を液晶層３０の厚さｄ１の５分の１以上、より好ましくは４分の１以上とすることにより、絶縁下地層を介して配置される上下電極に同じ電圧が供給されても、転移核パターン１３１近傍の液晶層３０には実効的な横電界を十分に印加することが可能となる。また、Ｘ方向に延びる端辺同士のＹ方向における幅Ｗを液晶層３０の厚さｄ１の２分の１以上とすることにより、確実な核形成を可能にできる。

前面基板２０は、図２および図３に示すように、例えばガラス基板などの透明絶縁基板２００を含んでいる。透明絶縁基板２００は、背面基板１０の配向膜１４０が形成された面と対向するように配置されている。透明絶縁基板２００の背面基板１０との対向面には、対向電極としての共通電極２３０が配置されている。共通電極２３０には、例えば、ＩＴＯなどの透明導電体が使用できる。

共通電極２３０は、配向膜２４０で被覆されている。配向膜２４０は、図示しないスペーサによって、配向膜１４０から離間している。配向膜２４０の材料には、例えば、ポリイミドなどの樹脂を使用することができる。配向膜２４０には、配向膜１４０と同様に、ラビング等の配向処理が施されている。

本実施形態に係る液晶表示装置では、配向膜２４０の配向処理として、配向膜１４０と同様に、例えばラビング処理を選択し、ラビング処理を行う際に、図１中に矢印ＡＤで示した方位をラビング方位としている。

背面基板１０と前面基板２０との間には、枠状の接着剤層（図示せず）が介在している。また、背面基板１０と前面基板２０との間であって、接着剤層の枠の内側には、図示しない粒状スペーサが介在している。或いは、背面基板１０および前面基板２０の少なくとも一方の対向面には、柱状スペーサ（図示せず）が形成されている。これらスペーサは、背面基板１０と前面基板２０と接着剤層とで囲まれた空間の厚さを一定に保つ役割を果たしている。

液晶層３０は、誘電率異方性および屈折率異方性が正の液晶材料を含んでいる。この液晶材料は、画素電極１３０と共通電極２３０との間に電圧が印加されている期間、ベンド配向を形成する。明表示と暗表示との切り替えは、画素電極１３０と共通電極２３０との間に印加する電圧の絶対値を、典型的にはゼロよりも大きな第１値と、第１値よりも大きな第２値との間で切り替えることにより行う。なお、本実施形態に係る液晶表示装置では、第１値はゼロであってもよい場合がある。以下、画素電極１３０と共通電極２３０との間の印加電圧の絶対値を第１値としている状態をオフ状態と呼び、印加電圧の絶対値を第２値としている状態をオン状態と呼ぶ。

図２および図３には、オフ状態においてベンド配向を形成している液晶分子３００の軸方向が紙面への４５°を成しているときの射影像を描いている。

光学補償フィルム４０は、例えば、二軸性フィルムである。光学補償フィルム４０は、例えば、屈折率異方性が負の一軸性化合物、例えば、ディスコティック液晶化合物をハイブリッド配向させた光学異方性層を含んでいる。

透明絶縁基板１００上に配置された光学補償フィルム４０が含む一軸性化合物の光学軸は、例えば、透明絶縁基板１００側では、背面基板１０の近傍に位置した液晶分子３００のオン状態における光学軸と略平行である。透明絶縁基板１００の反対側では、背面基板１０と前面基板２０との中間に位置した液晶分子３００のオン状態における光学軸と略平行である。

また、透明絶縁基板２００上の光学補償フィルム４０が含む一軸性化合物の光学軸は、例えば、透明絶縁基板２００側では、前面基板２０の近傍に位置した液晶分子３００のオン状態における光学軸と略平行である。透明絶縁基板２００の反対側では、背面基板１０と前面基板２０との中間に位置した液晶分子３００のオン状態における光学軸と略平行である。これら光学補償フィルム４０のリタデーションの和は、例えば、液晶層３０のオン状態におけるリタデーションとほぼ等しくなっている。

背面基板１０と前面基板２０とのそれぞれに取り付けられる偏光板５０は、例えば、それらの透過軸が互いに略直交するように配置される。また、各偏光板５０は、例えば、その透過軸がＸ方向およびＹ方向に対して略４５°の角度を為すように配置されている。

走査線１０４は一垂直走査期間にわたり順次走査パルスを出力する走査線駆動回路に夫々接続されており、信号線１０８は水平走査期間毎に映像信号を出力する信号線駆動回路に夫々接続されており、更に共通電極２３０は共通電極駆動回路に接続されている。また、走査線駆動回路、信号線駆動回路、および共通電極駆動回路は、液晶コントローラに接続され、その動作タイミングが制御される。

また、図示しないバックライトは、液晶表示パネル１の背面基板１０を照明するように配置されており、点灯タイミングは液晶コントローラによって制御されている。

なお、ここでは、液晶表示パネル１でノーマリホワイト駆動を行う場合の構造を説明しているが、この液晶表示パネル１はノーマリブラック駆動を行うように設計してもよい。また、ここでは、オン状態を補償する構成を採用したが、オフ状態を補償する構成を採用してもよい。

上記の液晶表示装置において、電源投入前の初期状態では、液晶材料はスプレイ配向を形成している。そこで、表示装置を起動する際、スプレイ配向からベンド配向へと転移させるための処理、即ち初期化処理が必要である。

スプレイ配向からベンド配向へと高速に、且つ全面にわたり確実に転移させるためには、画素電極１３０と共通電極２３０との間に電圧を印加して液晶分子３００を液晶表示パネル１の厚み方向に立ち上がらせる動作と同時に、転移核パターン１３１においてラビング方位ＡＤと交差する横電場を発生させ、基板面内方位の回り方が異なるツイスト歪みを近接させて形成することで歪みエネルギーを集中させ、転移が生じ易くすることが有効である。

したがって、高速な転移のためには、転移核パターン１３１において、ツイスト歪を生じさせるに十分な横電界が必要となる。

そこで、本実施形態に係る液晶表示装置の転移核パターン１３１の構造の場合、画素電極１３０と絶縁膜を介して積層される直下電極（ドレイン電極１０９）とが同じ電位であっても、液晶分子３００に対して横電界を印加することが可能となり、しかも十分な強度に達することを発明者らは見出した。その理由を以下に説明する。

転移核パターン１３１近傍において、縦方向の絶縁（誘電性）部材の積層構造を考えると、図４および図５に示すように、画素電極１３０上と近接するドレイン電極１０９上とでは、上層である絶縁下地層の有無の違いがある。このため、画素電極１３０上と近接するドレイン電極１０９上とでは縦電場強度が異なることから、核転移パターン１３１の形状に沿って液晶分子３００に横電界が印加され配列状態が異なることとなる。

詳しくは、図４および図５に示すように、各部材層を容量成分とみなした際に分配される電圧値が異なり、同一の高さ、例えば、液晶層３０の下側界面の高さにおいて、画素電極１３０上と近接するドレイン電極１０９上との間には電位差が生じる。この電位差が液晶層３０の応答しきい電圧以上であれば、確実にツイスト歪みを形成することができる。

本実施形態に係る液晶表示装置では、初期化を行う際に、画素電極１３０とドレイン電極１０９は同電位となる。このとき、画素電極１３０と共通電極２３０との間の電位差と、ドレイン電極１０９と共通電極２３０との間の電位差とが等しくなる。

したがって、図４および図５に示すように、液晶層３０の下側界面の高さにおいて、画素電極１３０上と、ドレイン電極１０９上とに電位差が発生する。その結果、転移核パターン１３１の端辺と略直交する方向に横電場が生じることになる。なお、本明細書内で、縦方向とは背面基板１０および前面基板２０の基板面に略直交する方向（液晶表示パネル１の厚み方向）であって、横方向とは背面基板１０および前面基板２０の基板面と略平行な方向である。

上記のように、本実施形態に係る液晶表示装置の構成によれば、画素電極１３０と積層構造にはあるが電位差を設定できないため、従来は利用できないと考えられていたドレイン電極１０９との間にも、転移核パターン１３１を形成することができる。

すなわち、ドレイン電極１０９は通常、遮光性の金属材料で形成されるため、ドレイン電極１０９が配置される領域は表示に利用することができない。したがって、画素電極１３０のドレイン電極１０９と重なる領域に転移核パターン１３１を新たに設けたとしても、開口率やコントラストを低下させることがない。

したがって、本実施形態に係る液晶表示装置によれば、簡易な構成で液晶材料を転移させるとともに、開口率およびコントラストの高い液晶表示装置を提供することができる。また、本実施形態によれば、表示画面の全体にわたり、初期転移の不具合のない液晶表示装置を提供することができる。

特に、上述したように転移核パターン１３１として、Ｘ方向に延びる端辺同士のＹ方向における幅Ｗが液晶層３０の厚さｄ１の２分の１以上であって、絶縁下地層の厚さｄ２が液晶層３０の厚さｄ１の５分の１以上、より好ましくは４分の１以上となるように形成することにより、実効的な横電界を十分に印加することが可能となり、また確実な核形成を可能にできる。

なお、本実施形態に係る液晶表示装置では、画素電極１３０とドレイン電極１０９を接続するコンタクトホールは、図３に示すように、背面基板１０の表面に凹みが生じないように十分に平坦化されている。このように、背面基板１０の転移核パターン１３１の近傍に凹みが生じないように平坦化することによって、転移核を起点としたベンド配列の広がりを阻害することなく、より高速な転移を実現することができる。

次に、本実施形態に係る液晶表示装置の第２実施形態に係る液晶表示装置について以下に説明する。図６は、本実施形態に係る液晶表示装置の一例を概略的に示す図である。図６に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置は、配向膜１４０、２４０のラビング方位ＡＤがＹ方向と略平行である点と、転移核パターン１３１が画素電極１３０の絶縁下地層を介して信号線１０８と重なる端辺に形成されている点とが上記の第１実施形態に係る液晶表示装置と相違している。

本実施形態に係る液晶表示装置では、上記の第１実施形態に係る液晶表示装置と同様に、画素電極１３０は転移核パターン１３１を含む転移核形成部を有している。転移核パターン１３１は図６に示すような屈曲パターンである。すなわち、転移核パターン１３１は、ラビング方位ＡＤと交差する方向に延びる２つの端辺とラビング方位ＡＤと略平行な方向に延びる１つの端辺とから成る、基板面と略平行な方向における凹凸状の屈曲パターンである。転移核パターン１３１は、絶縁下地層を介して信号線１０８上に配置されている。

上記の転移核パターン１３１近傍において、縦方向（液晶表示パネル１の厚み方向）の絶縁（誘電性）部材の積層構造を考えると、画素電極１３０上と近接する信号線１０８上とでは、上層である絶縁下地層の有無の違いがあり、さらに配向膜１４０や液晶層３０の厚みが異なる可能性がある。さらに、画素電極１３０上と近接する信号線１０８上とでは、縦電場強度の違いから液晶分子３００の配列状態が異なることから、平均的な誘電率も異なることとなる。

したがって、第１実施形態に係る液晶表示装置の場合と同様に、図５に示すように各部材層を容量成分とみなした際に分配される電圧値が異なる。すなわち、図４に示すように、画素電極１３０と信号線１０８とが同じ電位であっても、同一の高さ、例えば、液晶層３０の下側界面の高さにおいて、画素電極１３０上と近接する信号線１０８上とに電位差が発生することとなる。この電位差が液晶層３０の応答しきい電圧以上であれば、上記した場合と同様に確実にツイスト歪みを形成することができる。

このことは、初期化処理において、一垂直走査期間にわたり、所定の映像信号を信号線１０８に対して供給し続ける、即ち画素電極１３０と信号線１０８とが同電位となっても転移核の形成が可能となることを意味する。即ち、初期化処理において、画素電極１３０と信号線１０８との間に積極的に電位差を持たせるように一垂直走査期間にわたり交番電圧を印加するような制御の必要もない。このため、信号線駆動回路や液晶コントローラの構成を簡素化することができる。

さらに、信号線１０８は通常、遮光性の金属材料で形成されるため、信号線１０８が配置される領域は表示に利用することができない。したがって、画素電極１３０の信号線１０８と重なる領域に転移核パターン１３１を新たに設けたとしても、開口率やコントラストを低下させることがない。

したがって、本実施形態に係る液晶表示装置によれば、上記の第１実施形態に係る液晶表示装置の場合と同様に、簡易な構成で液晶材料を転移させるとともに、開口率およびコントラストの高い液晶表示装置を提供することができる。

以下、上記実施形態に係る液晶表示装置の実施例について説明する。

（第１実施例）
第１実施例に係る液晶表示装置は、図１乃至図３に示すＯＣＢモードの液晶表示装置を、以下の方法により製造したものである。なお、本実施例では、背面基板１０の外面に光学補償フィルム４０を配置せず、前面基板２０の外面にのみ光学補償フィルム４０を配置した。

最初に、透明絶縁基板として厚さ０．５ｍｍのガラス基板１００を用意し、このガラス基板１００上に、アンダーコート層１０１から画素電極１３０までの構造を成膜およびパターンニングにより形成した。画素電極１３０をパターンニングする際には、図１に示すように、ドレイン電極１０９上に配置された端辺のうちのＹ方向に延びる端辺に、その端辺よりも画素電極１３０の内側に凹んだ凹部を有する転移核パターン１３１を形成した。

転移核パターン１３１のＸ方向に延びる端辺同士のＹ方向における幅Ｗは液晶層３０の厚さｄ１の２分の１以上であって、絶縁下地層の厚さｄ２は液晶層３０の厚さｄ１の５分の１以上である４分の１となっている。具体的には、本実施例に係る液晶表示装置では、液晶層３０の厚さｄ１が約４μｍであって、幅Ｗが約２μｍであって、絶縁下地層の厚さｄ２が約１μｍである。

さらに、透明絶縁基板として厚さ０．５ｍｍのガラス基板２００を用意し、このガラス基板２００上に、共通電極２３０を形成した。ここでは、画素電極１３０は略長方形状とし、画素電極１３０を配置するＸ方向のピッチを８２μｍとし、Ｙ方向のピッチを２４６μｍとした。

次に、画素電極１３０および共通電極２３０のそれぞれの上に、ＪＳＲ株式会社製のオプトマーＡＬ３４５６をスピンコートすることにより、厚さ０．１μｍのポリイミド樹脂層を形成した。各ポリイミド樹脂層に対し、図１に記載のラビング方位ＡＤに沿って、即ち信号線１０８の延在する方向に対して４５°で交差する方向にラビング処理を施した。このようにして、配向膜１４０および２４０を形成した。

次に、背面基板１０の主面に、配向膜１４０を取り囲むように熱硬化性接着剤をディスペンスした。この接着剤層が形成する枠には、液晶注入口として利用するための開口部（図示せず）を設けた。接着剤を仮乾燥した後、図示しないトランスファパッド上に銀ペーストをディスペンスした。

続いて、配向膜２４０上に、直径が４．３μｍの粒状スペーサを散布した。ここではスペーサとして粒状スペーサを散布したが、その代わりに、感光性樹脂を用いて柱状スペーサを形成してもよい。柱状スペーサは、背面基板１０、前面基板２０のいずれに設けてもかまわない。また柱状スペーサは、背面基板１０、あるいは前面基板２０に一体的に設け、この上に配向膜を配置しても良い。

その後、背面基板１０と前面基板２０とを、配向膜１４０および配向膜２４０が向き合い、且つ、これら配向膜１４０、２４０のラビング方位ＡＤが等しくなるように貼り合せ、これを加熱した。

次に、ディップ法により誘電率異方性が正のネマチック液晶化合物を注入した。続いて、液晶注入口に紫外線硬化樹脂をディスペンスし、これに紫外線を照射した。さらに、背面基板１０の外面に偏光板５０を貼り付けると共に、前面基板２０の外面に光学補償フィルム４０および偏光板５０を順次貼り付けた。

なお、ここで使用した光学補償フィルム４０は、ディスコティック液晶化合物をその光学軸がＸ方向に垂直な面内で変化するようにベンド配向させた光学異方性層を含んでいる。この光学補償フィルム４０の最大の主法線速度の方向は、光学補償フィルム４０の厚さ方向と略平行であり、最小の主法線速度の方向はＸ方向と略平行であり、残りの主法線速度方向はＹ方向と略平行である。

このようにして得られた液晶表示パネル１を図示しない走査線駆動回路、信号線駆動回路、共通電極駆動回路、液晶コントローラ、更にバックライトユニットなどと組み合わせることにより、図１乃至図３に示す液晶表示装置を完成した。

この液晶表示装置を、室温下かつバックライトを点灯した状態で、走査線１０４に順次走査パルスを印加すると共に、信号線１０８に２．５Ｖを基準として一垂直走査期間毎に極性反転する振幅５Ｖ（±２．５Ｖ）の電圧を印加し、また共通電極２３０に対して２．５Ｖを基準として一垂直走査期間毎に信号線１０８の電圧と逆向きに極性反転する振幅３０Ｖ（±１５Ｖ）の電圧を印加した。この結果、画素電極１３０と共通電極２３０との間には±１７．５Ｖの交流電圧が印加される。

上記の液晶表示装置の画素を顕微鏡越しに観察した結果、一画素において、液晶材料がスプレイ配向からベンド配向に変化するのに必要な時間の平均値は、０．０８秒であった。繰り返し測定による、画面全体で転移が完了するまでの平均的な所要時間は、０．１５秒であった。全面で転移するのに時間を要するのは、パネル面内でプレチルトの分布が存在するためである。

上記実施例では、絶縁下地層の厚さｄ２を１μｍとしたが、更に厚膜を３μｍとしたところ、液晶材料がスプレイ配向からベンド配向に変化するのに必要な時間の平均値は、０．１秒であった。繰り返し測定による、画面全体で転移が完了するまでの平均的な所要時間は、０．２秒であった。

上記した実施例では、転移を確認するために初期化処理をバックライトを点灯した状態で行っているが、実際は初期化処理時はバックライトを消灯しておく方が望ましい。

また初期化処理時間は、環境温度に敏感に影響されるため、温度センサの検出結果に基づいて初期化処理時間を決定することが望ましい。

また、上記した実施形態では、初期化処理時、走査線１０４に対して順次走査パルスを出力したが、複数の走査線１０４に対して同時に走査パルスを出力する、あるいは全走査線１０４に対して一括して走査パルスを出力してもかまわない。

（第２実施例）
次に、第２実施例に係る液晶表示装置について以下に説明する。第１実施例で説明したのと同様の方法により、図２、図３および図６に示す液晶表示装置を製造した。すなわち、本実施例に係る液晶表示装置では、図６に示すように、画素電極１３０にスイッチング素子１１０を介して接続した信号線１０８と重なるように転移核パターン１３１を設けた。さらに、配向膜１４０、２４０には、図６に示すラビング方位ＡＤ、即ち信号線１０８の延在方向に沿った方向へラビング処理を施した。

核転移パターン１３１は画素電極１０３から対応信号線１０８と重畳するように対応信号線１０８に沿って突出した複数の凸部で構成されている。この凸部のそれぞれは、ラビング方位ＡＤと直交する端辺、ラビング方位ＡＤと平行な端辺、更にラビング方位ＡＤと略４５°の角度で交差する端辺とから構成されている。

そして、転移核パターン１３１のＸ方向に延びる端辺同士のＹ方向における幅Ｗは液晶層３０の厚さｄ１の２分の１以上であって、絶縁下地層の厚さｄ２は液晶層３０の厚さｄ１の４分の１以上となっている。

また、本実施例では、上記したと同様に、走査線１０４に順次走査パルスを印加すると共に、信号線１０８に２．５Ｖを基準としてフレーム毎に極性反転する振幅５Ｖ（±２．５Ｖ）の電圧を印加し、また共通電極２３０に対して２．５Ｖを基準としてフレーム毎に信号線１０８の電圧と逆向きに極性反転する振幅３０Ｖ（±１５Ｖ）の電圧を印加した。

なお、本実施例では、液晶層３０の厚さｄ１を４μｍ、絶縁下地層の厚さｄ２を１μｍ、また転移核パターン１３１のＸ方向に延びる端辺同士のＹ方向における幅Ｗを２μｍとした。

この液晶表示装置について、第１実施例で実施したのと同様の方法により、スプレイ配向状態からベンド配向状態への転移所要時間を測定した。その結果、一画素における平均的な転移所要時間は０．１秒であった。画面全体が転移完了するまでの平均的な所要時間は、０．２秒であった。

上記した実施例では、転移核パターン１３１を凸部で構成したが、これは第１実施例の如く凹部で構成してもかまわない。画素電極１３０と信号線１０８との重複面積を極力減らして寄生容量を軽減することは通常表示動作においては望ましく、このため凸部で構成するほうが好ましい。

（第３実施例）
本実施例に係る液晶表示装置として、図２、図３および図７に示す液晶表示装置を、後述した点を除いて実施例２と同様にして製造した。すなわち、本実施例に係る液晶表示装置は、画素電極１３０をパターンニングする際に、図７に示すような転移核パターン１３１を形成した。さらに、本実施例に係る液晶表示装置では、配向膜１４０、２４０に図７に示すラビング方位ＡＤにラビング処理を施した。ラビング方位ＡＤは、信号線１０８が延びる方向（Ｙ方向）に対して略４５°を成す方位である。

図７に示すように、転移核パターン１３１は、画素電極１３０の信号線１０８と重なる端辺ＥＲ、ＥＬに設けられた屈曲パターンである。すなわち、本実施例に係る液晶表示装置では、略長方形状の画素電極１３０のＹ方向に延びる端辺ＥＲ、ＥＬに転移核パターン１３１を形成している。

図７には、隣り合う画素電極１３０の互いに対向する端辺ＥＲ、ＥＬの一部を示している。端辺ＥＲは、隣接する信号線１０８の上層に配置され、転移核パターン１３１の両端から信号線１０８と略平行に延びた端辺ＥＲＢを有している。転移核パターン１３１は、端辺ＥＲＢよりも、画素電極１３０の内側に配置され、信号線１０８と略平行に延びた端辺ＥＲ２を有している。端辺ＥＲ２は、その一端においてラビング方位ＡＤと略平行に延びる端辺ＥＲ１と接続し、端辺ＥＲ２と端辺ＥＲＢとは端辺ＥＲ１によって接続されている。

端辺ＥＲ２の他端は端辺ＥＲ３の一端に接続している。端辺ＥＲ３は、ラビング方位ＡＤと略直交する方向に、信号線１０８のＸ方向における幅の中心よりも端辺ＥＬ側に延びている。上記のように、端辺ＥＲ１、端辺ＥＲ２、および端辺ＥＲ３によって、転移核パターン１３１の端辺ＥＲＢよりも画素電極１３０の内側に凹んだ凹部が形成される。

端辺ＥＲ３の他端は端辺ＥＲ４の一端に接続している。端辺ＥＲ４は、ラビング方位ＡＤと略直交する方向に、端辺ＥＲＢよりも画素電極１３０の内側に延びている。端辺ＥＲ３と端辺ＥＲ４とによって、転移核パターン１３１の端辺ＥＲＢよりも端辺ＥＬ側に突出した三角形の凸部が形成される。

端辺ＥＲ４の他端は端辺ＥＲ５の一端に接続している。端辺ＥＲ５は、信号線１０８と略平行に延びている。端辺ＥＲ５の他端は端辺ＥＲ６の一端に接続している。端辺ＥＲ６は、ラビング方位ＡＤと略直交する方向に延びている。端辺ＥＲ６の他端は端辺ＥＲＢに接続している。すなわち、端辺ＥＲ４、端辺ＥＲ５、および端辺ＥＲ６によって、転移核パターン１３１の端辺ＥＲＢよりも画素電極１３０の内側に凹んだ凹部が形成される。

端辺ＥＬは、対応信号線１０８の上層に配置され、端辺ＥＲの転移核パターン１３１と対向して配置された隣接転移核パターン１３１Ｌを有している。端辺ＥＬは、転移核パターン１３１Ｌの両端から信号線１０８と略平行に延びた端辺ＥＬＢを有している。

隣接転移核パターン１３１Ｌは、信号線１０８上において端辺ＥＬＢよりも画素電極１３０の内側に配置され、信号線１０８と略平行に延びた端辺ＥＬ２を有している。端辺ＥＬ２の一端は、ラビング方位ＡＤと略直交する方向に延びる端辺ＥＬ１の他端に接続され、端辺ＥＬ１と端辺ＥＬＢとは端辺ＥＬ１によって接続されている。

端辺ＥＬ２の他端は端辺ＥＬ３の一端に接続されている。端辺ＥＬ３は、ラビング方位ＡＤと略直交する方向に、信号線１０８のＸ方向における幅の中心よりも端辺ＥＲ側に延びている。端辺ＥＬ１、端辺ＥＬ２、および端辺ＥＬ３によって、隣接転移核パターン１３１Ｌの端辺ＥＬＢよりも画素電極１３０の内側に凹んだ凹部が形成される。

端辺ＥＬ３の他端は端辺ＥＬ４の一端に接続している。端辺ＥＬ４は、信号線１０８が延びる方向と略平行に延びている。端辺ＥＬ４の他端は端辺ＥＬ５の一端と接続している。端辺ＥＬ５は、ラビング方位ＡＤと略直交する方向に、端辺ＥＬＢよりも画素電極１３０の内側に延びている。

端辺ＥＬ３、端辺ＥＬ４、および端辺ＥＬ５によって、隣接転移核パターン１３１Ｌの略矩形状の凸部が形成される。この凸部は、信号線１０８のＸ方向における中心よりも端辺ＥＲ側に突出している。端辺ＥＲ２と端辺ＥＬ４とは互いに対向し、略平行に延びている。端辺ＥＲ３と端辺ＥＬ５は、互いに対向し、略平行に延びている。

端辺ＥＬ５の他端は端辺ＥＬ６の一端に接続している。端辺ＥＬ６は、信号線１０８上において、信号線１０８と略平行に延びている。端辺ＥＬ６は、端辺ＥＲ３と端辺ＥＲ４とが接続する部分と対向する位置に配置されている。

端辺ＥＬ６の他端は端辺ＥＬ７の一端に接続している。端辺ＥＬ７は、ラビング方位ＡＤと略平行に延びている。端辺ＥＬ７と端辺ＥＲ４とは互いに対向し、略平行に延びている。上記のように、端辺ＥＬ５、端辺ＥＬ６、端辺ＥＬ７によって、隣接転移核パターン１３１Ｌの端辺ＥＬＢよりも画素電極１３０の内側に凹んだ凹部が形成される。端辺ＥＬ７の他端は端辺ＥＬＢに接続している。

すなわち、図７に示すように、端辺ＥＲ３と端辺ＥＲ４とからなる三角形状の凸部は、端辺ＥＬ５、端辺ＥＬ６、および端辺ＥＬ７とからなる凹部と対向するように配置されている。端辺ＥＲ１、端辺ＥＲ２、および端辺ＥＲ３からなる凹部は、端辺ＥＬ３、端辺ＥＬ４、および端辺ＥＬ５からなる略矩形状の凸部と対向するように配置されている。

本実施例に係る液晶表示装置では、信号線のＸ方向における幅Ｌ１は略１２μｍ、端辺ＥＬＢと信号線１０８の端辺までの距離Ｌ２は略３．５μｍ、端辺ＥＲ４と端辺ＥＬ７との距離Ｌ３は略５．０μｍ、端辺ＥＲ３と端辺ＥＲ４との接続部分と端辺ＥＬ６との距離Ｌ４は略３．０μｍ、端辺ＥＲ３と端辺ＥＲ４との接続部分と端辺ＥＲ２との距離Ｌ５は７．０μｍ、端辺ＥＲ３と端辺ＥＬ５との距離Ｌ６は略５．０μｍ、端辺ＥＬ４の長さＬ７は略７．０μｍ、端辺ＥＲ２と端辺ＥＬ４との距離Ｌ８は略３．０μｍ、端辺ＥＬ１と端辺ＥＬ３との距離Ｌ９は、略５．０μｍ、端辺ＥＬ２と信号線１０８の端辺までの距離Ｌ１０は、略１．５μｍである。転移核パターン１３１のＹ方向における長さＬ１１は略３３．５μｍである。

この液晶表示装置を、室温下かつバックライトを点灯した状態で、上記したと同様に、走査線１０４に順次走査パルスを印加すると共に、信号線１０８に２．５Ｖを基準としてフレーム毎に極性反転する振幅５Ｖ（±２．５Ｖ）の電圧を印加し、また共通電極２３０に対して２．５Ｖを基準としてフレーム毎に信号線１０８の電圧と逆向きに極性反転する振幅３０Ｖ（±１５Ｖ）の電圧を印加した。

上記の液晶表示装置の画素を顕微鏡越しに観察した結果、一画素において、液晶材料がスプレイ配向からベンド配向に変化するのに必要な時間の平均値は、０．０８秒であった。繰り返し測定による、画面全体で転移が完了するまでの平均的な所要時間は、０．１５秒であった。

すなわち、上記の結果から第１本実施形態および第２実施形態に係る液晶表示装置によれば、簡潔な素子および駆動回路構成で、全画素をスプレイ配向からベンド配向へ転移させ、しかも開口率およびコントラストの高い液晶表示装置を提供することができる。

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。図１乃至図４には、画素周囲に転移核パターン１３１を設ける構成を示したが、画素内部の開口部に設ける構成としてもよい。

さらに、転移が進むスピードは、転移核パターン１３１を設けた部分から配向膜１４０、２４０のラビング方位ＡＤの始端側よりも終端側に速く進む。したがって、転移核パターン１３１を、少なくとも配向膜のラビング方位ＡＤの始端側に設けることによって、転移が完了するまでの所要時間をより短縮することができる。

また、上記の第３実施例に係る液晶表示装置では、図７に示す転移核パターン１３１および隣接転移核パターン１３１Ｌを採用しているが、図７に示す転移核パターン１３１、および隣接転移核パターン１３１Ｌが連続したものを有していても良く、図７に示す凹部や凸部のサイズや配置位置を適宜変更しても良い。

また、図１乃至図４には、アクティブマトリクス型液晶表示装置を示したが、液晶表示装置には、例えば単純マトリクス型などの他の駆動型を採用してもよい。液晶表示装置の駆動型に特に制限はない。

また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置を概略的に示す平面図。 図１の液晶表示装置のII−II線に沿った断面の一例を示す図。 図１の液晶表示装置のIII−III線に沿った断面の一例を示す図。 図１に示す液晶表示装置のIV−IV線に沿った断面の一例を概略的に示す図。 図１に示す液晶表示装置の転移核パターン近傍に生じる横電場について説明するための図。 本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置を概略的に示す断面図。 本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の他の例を説明するための図。

符号の説明

１０…背面基板、２０…前面基板、３０…液晶層、１３０…画素電極、１３１…転移核
パターン（屈曲パターン）、１４０…配向膜、２３０…共通電極、２４０…配向膜。

Claims (15)

1. 第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板上に配置される第１電極と、前記第１絶縁基板と前記第１電極との間に前記第１電極に対して絶縁下地層を介して配置される第２電極とを含む第１基板と、
   第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板上に配置される第３電極とを含む第２基板と、
   前記第１電極と前記第３電極との間に挟持され、初期化処理において第１状態から第２状態に相転移される液晶層と、
   初期化処理において前記第１電極と前記第２電極とに第１電圧を供給すると共に前記第３電極に前記第１電圧と異なる第２電圧を供給する電圧供給部と、を備え、
   前記第１電極は、各前記電極に供給される各前記電圧に基づき前記液晶層に転移核を形成する転移核形成部を備える液晶表示装置。
2. 前記第１基板は前記第１電極上に第１配向膜を、前記第２基板は前記第３電極上に第２配向膜をそれぞれ含み、互いに平行に配向処理されて前記液晶層に配向方位を規定する請求項１記載の液晶表示装置。
3. 前記転移核形成部は屈曲パターンを含み、前記配向方位と交差する端辺を含む請求項２記載の液晶表示装置。
4. 前記絶縁下地層の厚さは、前記液晶層の厚さの５分の１以上である請求項１記載の液晶表示装置。
5. 前記絶縁下地層の厚さは１μｍ以上である請求項１記載の液晶表示装置。
6. 前記屈曲パターンは、前記第１電極の端辺よりも前記第１電極の内側に凹んだ凹部を有し、
   前記第１電極の端辺が延びる方向において、前記凹部の幅は前記液晶層の厚さの２分の１以上である請求項２記載の液晶表示装置。
7. 前記屈曲パターンは、前記第１電極の端辺よりも前記第１電極の内側に凹んだ凹部を有し、
   前記第１電極の端辺が延びる方向において、前記凹部の幅は２μｍ以上である請求項６記載の液晶表示装置。
8. 前記第１基板は、前記第１電極に所定の映像信号を供給する信号線と、前記信号線と前記第１電極との導通状態を切替える薄膜トランジスタと、をさらに有し、
   前記第２電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極である請求項１記載の液晶表示装置。
9. 前記第２電極は、前記第１電極に映像信号を供給する前記信号線である請求項１記載の液晶表示装置。
10. 前記屈曲パターンは、少なくとも前記第１電極の前記配向方位の始端側の端辺に設けられている請求項３記載の液晶表示装置。
11. 前記第１状態はスプレイ配向状態であって、前記第２状態はベンド配向状態である請求項１記載の液晶表示装置。
12. 前記第１電極に所定の映像信号を供給する信号線をさらに有し、
    前記配向方位は前記信号線が延びる方向と交差する方位であって、
    前記屈曲パターンは、前記配向方位と略平行な端辺と、前記配向方位と略直交する端辺と、前記信号線が延びる方向と略平行に延びる端辺とからなる請求項３記載の液晶表示装置。
13. 第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板上に配置される信号線及び走査線と、
    前記信号線及び走査線にスイッチ素子を介して接続されると共に、前記信号線及び走査線上に絶縁下地層を介して配置される画素電極と、を備えた第１基板と、
    第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板上に配置される共通電極と、を備えた第２基板と、
    前記画素電極と前記共通電極との間に配置され、初期化処理において第１状態から第２状態に相転移される液晶層と、
    初期化処理において前記画素電極と前記信号線とに第１電圧を供給すると共に前記共通電極に前記第１電圧と異なる第２電圧を供給する電圧供給部と、を備えた液晶表示装置であって、
    前記電圧供給部は、初期化処理において、前記信号線に対して、少なくとも１垂直走査期間の間、略等しい電圧を出力し、
    前記画素電極は、前記絶縁下地層を介して前記信号線上に配置された端辺に設けられ、
    前記画素電極、前記信号線及び前記共通電極の電位に基づき液晶層に転移核を形成する転移核形成部を含む液晶表示装置。
14. 前記第１基板は前記第１電極上に第１配向膜を、前記第２基板は前記第３電極上に第２配向膜をそれぞれ含み、互いに平行に配向処理されて前記液晶層に配向方位を規定する請求項１３記載の液晶表示装置。
15. 前記転移核形成部は屈曲パターンを含み、前記配向方位と交差する端辺を含む請求項１４記載の液晶表示装置。

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