JP2009095075A - 3レベル電圧可逆チョッパ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電源2a,2bの直列回路間に、2つのスイッチング素子10A,10Bと2つのダイオード10E,10Fとの直流回路、および2つのダイオード10G,10Hと2つのスイッチング素子10C,10Dとの直流回路を並列に接続し、各スイッチング素子の接続点と電源2a,2bの直列接続点間にダイオード10I,10Lを、また各ダイオードの接続点と電源2a,2bの直列接続点間にスイッチング素子10J,10Kを接続し、例えば10B,10C,10J,10Kをベタオンしておき10Aと10Dをオン・オフ制御して3レベルの正の電圧を得られるようにする。
【選択図】図1
Description
このように、10Aと10Cのオン・オフ時間を制御することにより、出力電圧を0〜Edの範囲で調整することができる。
負の直流電圧を出力させる場合の動作を図9に、また、零電圧を出力させる場合の動作を図10にそれぞれ示すが、上記と同様なので説明は省略する。
また、図8と図9の出力波形からも分かるように出力直流電圧は0とEdまたは0と−Edの2電圧レベルしかないため、出力電流のリプル成分も大きくなるという問題もある。
請求項2の発明によれば、出力電圧を0,Ed/2,Ed、または−Ed,−Ed/2,0の3つの電圧レベルで出力できるので、出力電流のリプル成分を大きく低減できる。
請求項3の発明によれば、出力電圧を調整するに当り、一部の半導体スイッチング素子のオン・オフ制御により実現できるから、従来と同容量の電圧可逆チョッパに比べてスイッチング損失を約半分に低減することができる。
請求項5の発明によれば、2つの素子を1組にして各々が半分の出力電流を分担させることで、素子発生損失を分散することができる。特に、出力電圧が零電圧付近のときに素子損失が集中する問題を解決することができる。
請求項6の発明によれば、電圧指令と2段階のキャリア信号との比較により、3レベルのゲート制御信号を簡単に作成することができる。
図1において、1は直流電源であり、2aと2bは分圧コンデンサである。10はこの発明による3レベル電圧可逆チョッパ、3は負荷装置、40は3レベル電圧可逆チョッパを制御するためのパルス幅変調(PWM)回路である。なお、3レベル電圧可逆チョッパ10は例えばIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)からなる半導体スイッチング素子10A〜10Dと、還流ルートを提供するダイオード10E〜10Hと、クランプ半導体スイッチング素子10J,10Kと、クランプダイオード10I〜10L等より構成される。なお、半導体スイッチング素子はIGBTに限らず、BJT(バイポーラ接合トランジスタ)またはMOSFET(金属酸化膜電界効果トランジスタ)などの自己消弧型半導体スイッチング素子を用いても良い。
まず、半導体スイッチング素子10B,10C,10Jおよび10Kをベタオン(常時オン)しておき、半導体スイッチング素子10Aと10Dをオン・オフ制御する。図2Aで10Aと10D両方ともオンすると、負荷3は直流電源1に接続され、出力電圧はEdとなる。図2Bのように10Aがオン、10Dがオフすると、同図に点線で示す経路で電流が還流し、出力電圧は直流電圧の半分のEd/2となる。
半導体スイッチング素子10Aと10Dをベタオフ(常時オフ)しておき、半導体スイッチング素子10Bと10Jは一つの組として同時にオン・オフする。半導体スイッチング素子10Cと10Kも一つの組として同時にオン・オフする。図3Aのように10Bと10J組と10Cと10K組をともにオフすると、同図に点線で示す経路で電流が還流し、負荷3は直流電源1と逆接続となり、出力電圧は負の直流電圧の−Edとなる。
また、2D図に示すように、零電圧を出力するときに、例えば左側のループは10J,10Eのループと、10I,10Bのループが並列接続されているので、出力電流が2つのループで分担され、素子発生損失を分散させることができる。
以上から明らかなように、出力電圧を調整する場合は、10A,10B(10J),10C(10K),10Dの4つの半導体スイッチング素子のオン・オフ制御が必要となる。その各スイッチング素子に対するゲート制御信号の生成回路を、図4Aに示す。これは、コンパレータ40A,40B,40C,40Dにより電圧指令Vrefとキャリア三角波信号Tr1,Tr2,Tr3,Tr4とを比較し、各スイッチング素子のオン・オフを制御するもので、三角波信号Tr1,Tr2,Tr3,Tr4の各波形例を図4Bに示す。
図5(a)は電圧指令Vref=0の場合で、10B(10J)と10C(10K)がベタオンで、10Aと10Dがベタオフで、スイッチングせずに零電圧を出力する場合である。
図5(b)は電圧指令Vrefが0〜0.5の場合で、10B(10J)と10C(10K)がベタオンで、10Aと10Dがオン・オフし、0〜Ed/2のパルス電圧を出力する場合である。
以上のように、出力電圧は電圧指令Vrefと比例しており、Vrefを調整することにより、0,Ed/2,Edの3つの電圧レベルを出力することができる。
図6は負の電圧を出力する場合のゲート制御信号と出力電圧波形を示す。10Aと10Dをベタオフし、10B(10J)と10C(10K)の交互オン・オフにより、出力を−Ed,−Ed/2,0の3つの電圧レベルに調整することが可能となる。
Claims (6)
- 第1,第2の直流電源を直列に接続し、この直列接続された直流電源の正極と負極間に第1,第2のスイッチング素子と第1,第2のダイオードとを直列に接続するとともに、前記第1,第2のスイッチング素子の接続点と前記第1,第2の直流電源の接続点との間に第3のダイオードを接続し、前記第1,第2のダイオードの接続点と前記第1,第2の直流電源の接続点との間に第3のスイッチング素子を接続してなる第1のハーフブリッジと、前記直列接続された直流電源の正極と負極間に第4,第5のダイオードと第4,第5のスイッチング素子とを直列に接続するとともに、前記第4,第5のダイオードの接続点と前記第1,第2の直流電源の接続点との間に第6のスイッチング素子を接続し、前記第4,第5のスイッチング素子の接続点と前記第1,第2の直流電源の接続点との間に第6のダイオードを接続してなる第2のハーフブリッジとから構成することを特徴とする3レベル電圧可逆チョッパ装置。
- 前記第2,第3,第4および第6のスイッチング素子を常時オンしておき、前記第1と第5のスイッチング素子を交互にオン・オフ制御して3レベルの正の電位を得、また、前記第1と第5のスイッチング素子を常時オフしておき、前記第2と第3のスイッチング素子を一つの組として同時にオン・オフし、前記第4と第6のスイッチング素子を一つの組として同時にオン・オフし、第2,第3のスイッチング素子の組と第4,第6のスイッチング素子の組を交互にオン・オフ制御して3レベルの負の電位を得ることを特徴とする請求項1に記載の3レベル電圧可逆チョッパ装置。
- 正の電圧を出力するときは前記第2,第3,第4および第6のスイッチング素子を常時オンし、負の電圧を出力するときは前記第1と第5のスイッチング素子を常時オフし、前記常時オンまたは常時オフしない残りのスイッチング素子をオン・オフ制御することにより、出力電圧の制御を可能とし、スイッチング損失の低減化を図ることを特徴とする請求項1に記載の3レベル電圧可逆チョッパ装置。
- 前記第2,第3,第4および第6のスイッチング素子をオンし、前記第1と第5のスイッチング素子をオフすることにより、スイッチングせずに零電圧を出力し、スイッチング損失の低減化を図ることを特徴とする請求項1に記載の3レベル電圧可逆チョッパ装置。
- 前記第2と第3のスイッチング素子を一つの組として同時にオン・オフ制御し、前記第3のダイオードで還流する際に、第2と第3のスイッチング素子がそれぞれ半分の出力電流を分担し、また、前記第4と第6のスイッチング素子を一つの組として同時にオン・オフ制御し、前記第6のダイオードで還流する際に、第4と第6のスイッチング素子がそれぞれ半分の出力電流を分担し、素子発生損失の分散化を図ることを特徴とする請求項1に記載の3レベル電圧可逆チョッパ装置。
- 振幅が0〜1の第1のキャリア三角波、振幅が−1〜0の第2のキャリア三角波、この第2のキャリア三角波と180°位相がずれた第3のキャリア三角波、前記第1のキャリア三角波と180°位相がずれた第4のキャリア三角波を出力電圧指令とそれぞれ比較し、前記第1,2,4および5の各スイッチング素子をオン・オフ制御し、第3のスイッチング素子の制御信号を第2のスイッチング素子と同じにし、第6のスイッチング素子の制御信号を第4のスイッチング素子と同じにして制御することを特徴とする請求項1に記載の3レベル電圧可逆チョッパ装置。
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