JP2009094481A - リソグラフィ方法及びリソグラフィ装置の試験方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】方法は、基板上のフォトレジストの第一層及び第一下部反射防止膜材料の第一層の第一パターンを基板に設け、第一パターンを前記基板にエッチングし、基板にフォトレジストの第二層及び第二下部反射防止膜材料の第二層を設け、フォトレジスト及び下部反射防止膜材料の第二層に第二パターンを設け、第二パターンを基板にエッチングすることを含み、基板上の第一及び第二パターンが一緒にパターンを規定する。
【選択図】なし
Description
− 放射ビームPB(例えば、193nm又は157nmの波長で作動するエキシマレーザによって生成されるようなUV放射又はDUV放射、又は例えば13.6nmで作動するレーザによるプラズマ源によって生成されるEUV放射など)を調節する照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持し、アイテムPLに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一位置決めデバイスPMに接続された支持構造体(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持し、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするように構成された第二位置決めデバイスPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に結像するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを含む。
Claims (22)
- 基板にパターンを設ける方法であって、
基板上のフォトレジストの第一層及び第一下部反射防止膜材料の第一層に第一パターンを設け、
前記第一パターンを前記基板にエッチングし、
前記基板にフォトレジストの第二層及び第二下部反射防止膜材料の第二層を設け、
前記フォトレジスト及び第二下部反射防止膜材料の第二層に第二パターンを設け、
前記第二パターンを前記基板にエッチングすることを含み、前記基板上の前記第一及び第二パターンが一緒に前記パターンを規定する、方法。 - 前記第一下部反射防止膜材料が有機質の下部反射防止膜材料である、請求項1に記載の方法。
- 前記第二下部反射防止膜材料が有機質の下部反射防止膜材料である、請求項1に記載の方法。
- 前記第一パターンの前記エッチング及び前記第二パターンの前記エッチングが反応性イオンエッチングである、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記反応性イオンエッチングが、酸素、塩素及び臭化水素を備えるプラズマを使用することを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記第一パターンの前記エッチングの後、及び前記フォトレジストの第二層及び前記第二下部反射防止膜材料の第二層を前記設けることの前に、残留フォトレジスト及び残留下部反射防止膜材料を灰化によって前記基板から除去することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第二パターンの前記エッチングの後に、残留フォトレジスト及び残留下部反射防止膜材料を灰化によって前記基板から除去することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記灰化がプラズマを使用することを含む、請求項6又は7に記載の方法。
- 前記プラズマが酸素、窒素及び水素を備える、請求項8に記載の方法。
- 前記灰化が、残留フォトレジスト若しくは残留下部反射防止膜材料、又は残留フォトレジスト及び前記残留下部反射防止膜材料を、少なくとも約200℃、少なくとも約250℃、及び約270℃で構成されたグループから選択された温度に加熱することを含む、請求項6又は7に記載の方法。
- さらに、前記基板にポリマ材料の層を堆積させることを含む、請求項6又は7に記載の方法。
- さらに、前記第二パターンを前記基板に前記エッチングした後に、湿式ストリップを適用することによって前記基板から前記ポリマ材料層を除去することを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記湿式ストリップを前記適用することが、フッ化水素酸ストリッププロセスを適用することを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第一パターン及び前記第二パターンが一連の線を備える、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記パターンが前記第一パターン又は前記第二パターンより高い解像度を有するように、前記第二パターンが前記第一パターンと交互配置される、請求項14に記載の方法。
- 前記基板がシリコン基板を備える、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第一パターンの前記エッチング又は前記第二パターンの前記エッチングが反応性イオンエッチングである、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第一パターンの前記エッチング又は前記第二パターンの前記エッチングが、酸素、塩素及び臭化水素を備えるプラズマを使用することを含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第一パターンの前記エッチングの後、及び前記フォトレジストの第二層及び前記第二下部反射防止膜材料の第二層を前記設けることの前に、残留フォトレジスト又は残留下部反射防止膜材料を灰化によって前記基板から除去することを含む、請求項1に記載の方法。
- リソグラフィ装置のパターニング精度を試験する方法であって、
基板上のフォトレジストの第一層及び第一下部反射防止膜材料の第一層に第一パターンを設け、
前記第一パターンを前記基板にエッチングし、
前記基板にフォトレジストの第二層及び第二下部反射防止膜材料の第二層を設け、
前記フォトレジスト及び第二下部反射防止膜材料の第二層に第二パターンを設け、
前記第二パターンを前記基板にエッチングすることを含み、前記基板上の前記第一及び第二パターンが一緒に試験パターンを規定し、さらに、
前記基板に設けられた前記試験パターンを分析して、前記リソグラフィ装置の前記パターニング精度を試験することを含む、方法。 - 前記第一又は前記第二下部反射防止膜材料が有機質の下部反射防止膜材料である、請求項20に記載の方法。
- 前記第一パターン若しくは前記第二パターン、又は前記第一及び第二パターンが、反応性イオンエッチングを使用して前記基板にエッチングされる、請求項20に記載の方法。
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