JP2009080388A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および投射型表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】入射光を画素開口領域に導く反射性斜面を備えた断面Ｖ字形状の偏向部が形成された偏向用基板を効率よく製造することができ、かつ、反射性斜面の傾き角度の精度が高い電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、対向基板２０は、断面Ｖ字形状の偏向突起２６１を備えた偏向用基板２０ｂを含んでいる。偏向用基板２０ｂを形成するにあたっては、透光性基板２０ｆ上に透光性の被転写層２０ｈを形成した後、型部材において偏向突起２６１の形状に対応する溝を備えた成形面を押し付けて被転写層２０ｈに、斜面２６２を備えた偏向突起２６１を形成する。このため、斜面２６２をエッチングで形成する必要がないので、偏向用基板２０ｂを効率よく製造することができ、かつ、偏向突起２６１の斜面２６２については、傾き角度の精度が高く、ばらつきが発生しない。
【選択図】図５

Description

本発明は、液晶装置などの電気光学装置の製造方法、当該方法で製造した電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置に関するものである。

電気光学装置では、配線領域の確保や混色防止を目的に縦横に延在する格子状の遮光領域を設け、この遮光領域で囲まれた画素開口領域から変調光を出射する。例えば、代表的な電気光学装置である液晶装置は、図１２（ａ）に示すように、画素電極が形成された素子基板１０と、この素子基板１０に対向配置された対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に保持された液晶層５０とを備えており、素子基板１０において配線および画素スイッチング用のトランジスタが形成された領域１４、および対向基板２０においてブラックマトリクスやブラックストライプと称せられる遮光層２４が形成された領域によって、遮光領域１００ｃが規定され、遮光領域１００ｃの内側は、画素電極を備えた画素開口領域１００ｄになっている。このように構成した液晶装置は、素子基板１０の側から入射した光を液晶層５０によって光変調した後、対向基板２０から出射する構成、あるいは、対向基板２０の側から入射した光を液晶層５０によって光変調した後、素子基板１０から出射する構成になっているため、入射光を効率よく利用するには、入射光を画素開口領域１００ｄに効率よく導く必要がある。

そこで、対向基板２０の側から入射した光を液晶層５０によって光変調した後、素子基板１０から出射する構造の液晶装置においては、ドライエッチングやレーザエッチングなどにより、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、対向基板２０側において遮光領域１００ｃと重なる領域に、入射光を画素開口領域１００ｄに導く反射性の斜面２６５を備えた断面Ｖ字形状の偏向溝２６４（図１２（ｂ）において右下がりの斜線を付した領域）を縦横に形成した偏向用基板２０ｅを用いることが提案されている（特許文献１参照）。
特開２００６−２１５４２７号公報

しかしながら、図１２（ａ）、（ｂ）に示すような偏向溝２６４を形成するにあたって、特許文献１に記載の方法を採用すると、生産性が極めて低いとともに、偏向溝２６４の斜面２６５の角度などにばらつきが発生しやすいという問題点がある。すなわち、特許文献１に記載の方法では、図１３（ａ）に示すように、偏向溝２６４を形成するためのエッチング対象領域に対応する開孔部６１を備えたレジストマスク６０を偏向用基板２０ｅに形成した後、偏向用基板２０ｅの基板面およびレジストマスク６０にドライエッチングを行い、図１３（ｂ）に示すように、断面Ｖ字形状の偏向溝２６４を形成する。次に、偏向用基板２０ｅより屈折率が低い樹脂材料や空気などの低屈折率材料２６３を偏向溝２６４に充填した状態で、偏向用基板２０ｅの基板面に接着剤２０ｘを介してカバー基板２０ｙを貼り付け、カバー基板２０ｙの表面に遮光層２４および共通電極２１を順に形成し、対向基板２０を得る。

ここで、偏向溝２６４はかなりの深さを有しているため、かかる深い偏向溝２６４をドライエッチングによって形成すると、極めて長いエッチング工程が必要である。また、深い偏向溝２６４をレーザエッチングによって形成する場合も、極めて長いエッチング工程が必要である。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、入射光を画素開口領域に導く反射性斜面を備えた断面Ｖ字形状の偏向部が形成された偏向用基板を効率よく製造することができ、かつ、反射性斜面の傾き角度の精度が高い電気光学装置の製造方法、かかる方法で製造した電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明において、変調すべき光が入射する側に斜面を向けて当該光を画素開口領域に向けて導く断面Ｖ字形状の偏向部が遮光領域と重なる領域に沿って形成された偏向用基板を有する電気光学装置の製造方法において、前記偏向用基板を形成するにあたっては、前記偏向用基板の母材たる透光性基板上に透光性の被転写層を形成する被転写層形成工程と、型部材において前記偏向部の形状に対応する凹凸を備えた成形面を押し付けて前記凹凸の反転パターンを前記被転写層に転写して前記斜面を形成する転写工程と、前記斜面に反射性を付与する反射性付与工程と、を行なうことを特徴とする。

本発明では、変調すべき光が入射する側に斜面を向けて当該光を画素開口領域に向けて導く断面Ｖ字形状の偏向部を形成するにあたっては、偏向用基板の母材たる透光性基板上に透光性の被転写層を形成した後、型部材において偏向部の形状に対応する凹凸を備えた成形面を押し付けて前記凹凸の反転パターンを被転写層に転写して偏向部の斜面を形成する。このため、偏向用基板の斜面をエッチングで形成する必要がないので、偏向用基板を効率よく製造することができ、かつ、偏向部の斜面については、傾き角度の精度が高く、ばらつきが発生しない。

本発明において、前記偏向部は、変調すべき光が入射する側に向けて尖った断面Ｖ字形状の偏向突起であり、前記型部材には、当該偏向突起に対応する断面Ｖ字形状の溝が形成されており、前記反射性付与工程では、前記偏向突起の前記斜面を覆うように、前記被転写層より屈折率の高い高屈折率層、あるいは光反射性材料層を形成する方法を採用することができる。

本発明において、前記偏向部は、変調すべき光が入射する側に向けて凹んだ断面Ｖ字形状の偏向溝であり、前記型部材には、当該偏向溝に対応する断面Ｖ字形状の突起が形成されており、前記反射性付与工程では、前記偏向溝内に前記斜面を覆うように、前記被転写層より屈折率の低い低屈折率層、あるいは光反射性材料層を形成する方法を採用することができる。

本発明において、前記被転写層は、例えば、樹脂材料あるいは低融点ガラス材料からなる。

本発明は、例えば、液晶装置などの電気光学装置の製造に適用できる。液晶装置の場合、前記遮光領域内に配線および画素スイッチング素子が形成され、前記画素開口領域内に透光性の画素電極が形成された素子基板と、該素子基板との間に液晶を保持する対向基板とを有し、当該対向基板に前記偏向用基板が含まれていることが好ましい。

本発明に係る電気光学装置を投射型表示装置に用いることが好ましく、この場合、投射型表示装置は、光源部および投射光学系を有し、前記光源部から出射された光を前記電気光学装置に入射させ、当該電気光学装置により光変調した光を前記投射光学系により投射する。投射型表示装置の場合には特に、入射光の利用効率が高いことが求められることから、本発明を電気光学装置に適用した場合の効果が顕著である。

図面を参照して、本発明を適用した電気光学装置（液晶装置）を用いた投射型表示装置、電気光学装置、および電気光学装置の製造方法を説明する。なお、対応関係を明確化することを目的に、以下の説明では、図１２および図１３を参照して説明した構成と同一の機能を有する部分には同一の符号を付して説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

［実施の形態１］
（投射型表示装置の構成）
図１を参照して、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置を説明する。図１は、本発明を適用した投射型表示装置の概略構成図である。

図１に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１（被投射面）に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する。投射型表示装置１１０は、光源１１２、ダイクロイックミラー１１３、１１４、およびリレー系１２０などを備えた光源部１４０と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、投射光学系１１８とを備えている。

光源１１２は、赤色光、緑色光および青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光および青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光および青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。

ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレータ１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレータ１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。

液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置（液晶装置）である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃおよび第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。

λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。

なお、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。

液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置（液晶装置）である。液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃおよび第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。

液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置（液晶装置）である。液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃおよび第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。

λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａおよび第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。

リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。

クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。

なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光および青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。

このように構成した投射型表示装置１１０において、光源１１２から出射された光の利用効率が高いことが求められることから、液晶ライトバルブ１１５〜１１７としての液晶装置については以下に説明する構成が採用されている。

（電気光学装置の全体構成）
図２（ａ）、（ｂ）は、図１に示した投射型表示装置において液晶ライトバルブ（電気光学装置／液晶装置）に用いた液晶パネルの構成を模式的に示す説明図、およびその液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。なお、図１に示す液晶ライトバルブ１１５〜１１７および液晶パネル１１５ｃ〜１１７ｃは、変調する光の波長領域が異なるだけであり、基本的構成が共通するので、液晶ライトバルブ１１５〜１１７を液晶装置１００とし、液晶パネル１１５ｃ〜１１７ｃを液晶パネル１００ｘとして説明する。

図２（ａ）に示すように、液晶装置１００において、液晶パネル１００ｘは、素子基板１０と、この素子基板１０に対向する対向基板２０とを備えており、対向基板２０の側から入射した光を変調して素子基板１０の側から出射する透過型の液晶パネルである。素子基板１０と対向基板２０とは、シール材（図示せず）を介して貼り合わされて対向しており、シール材の内側領域にはＴＮ（Twisted Nematic）液晶などからなる液晶層５０が保持されている。詳しくは後述するが、素子基板１０において対向基板２０と対向する面側には島状の画素電極９ａなどが形成され、対向基板２０において素子基板１０と対向する面側には、その略全面に共通電極２１が形成されている。

図２（ｂ）に示すように、液晶装置１００の素子基板１０において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状の複数の画素１００ａの各々には、画素電極９ａと、画素電極９ａをスイッチング制御するための画素トランジスタとしてのＭＯＳ型の電界効果型トランジスタ３０とが形成されている。また、画像表示領域１０ａには、画像信号を供給するための複数のデータ線６ａと、走査信号を供給するための複数の走査線３ａとが互いに交差する方向に延びており、データ線６ａはデータ線駆動回路１０１に接続され、走査線３ａは走査線駆動回路１０４に接続されている。電界効果型トランジスタ３０のソースにはデータ線６ａが接続し、電界効果型トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが接続されている。画素電極９ａは、電界効果型トランジスタ３０のドレインに電気的に接続されており、電界効果型トランジスタ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給されるデータ信号を各画素１００ａに所定のタイミングで書き込む。そして、図２（ａ）に示す画素電極９ａ、液晶層５０、および共通電極２１により構成された液晶容量５０ａに書き込まれた所定レベルの画素信号は一定期間保持される。

ここで、液晶容量５０ａに並列に蓄積容量５５が形成されており、蓄積容量５５によって、画素電極９ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる液晶装置１００を実現できる。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、走査線３ａと並列するように容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂは共通電位線（ＣＯＭ）に接続され、所定の電位に保持されている。なお、蓄積容量５５は前段の走査線３ａとの間に形成される場合もある。

（画素の具体的構成）
図３は、本発明を適用した液晶装置の画素１つ分の断面図である。図４（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、およびこの素子基板上における遮光領域を右上がりの斜線によって示した説明図である。図３は、図４（ａ）のＡ−Ａ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図に相当する。なお、図４（ａ）、（ｂ）では、半導体層は細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂは二点鎖線で示し、画素電極９ａおよびそれと同時形成された薄膜は太くて長い点線で示し、後述する中継電極は細い実線で示してある。

図３および図４（ａ）に示すように、素子基板１０上には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、各画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びている。また、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に電界効果型トランジスタ３０が形成されている。また、素子基板１０上には、走査線３ａと重なるように容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。

素子基板１０は、石英基板やガラス基板などの透光性材料からなる支持基板１１（基板本体）、その液晶層５０側の表面に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の電界効果型トランジスタ３０、および配向膜１６を主体として構成されており、対向基板２０は、後述する偏向用基板２０ｂ、その液晶層５０側表面に形成された共通電極２１、および配向膜２９を主体として構成されている。

素子基板１０において、画素電極９ａに隣接する位置には電界効果型トランジスタ３０が形成されている。電界効果型トランジスタ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、半導体層１ａには、走査線３ａに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ａ′、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅが形成されている。

半導体層１ａは、例えば、石英基板からなる支持基板１１上に下地絶縁膜１２を介して形成された単結晶シリコン層によって構成され、このような構成の素子基板１０は、石英基板と単結晶シリコン基板とが絶縁層を介して貼り合わされたＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いることにより実現することができる。このようなＳＯＩ基板は、例えば、単結晶シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成した上で石英基板と貼り合わせる方法、あるいは石英基板と単結晶シリコン基板の双方にシリコン酸化膜を形成した上でシリコン酸化膜同士を接触させて貼り合わせる方法を採用できる。このような基板を用いた場合、ゲート絶縁層２（第２絶縁膜）は、半導体層１ａに対する熱酸化膜により形成できる。走査線３ａには、ポリシリコンやアモルファスシリコン、単結晶シリコン膜などのシリコン膜や、これらのポリサイドやシリサイド、さらには金属膜が用いられる。

走査線３ａの上層側には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８２、および高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３を備えたシリコン酸化膜などからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。第１層間絶縁膜４１の上層には中継電極４ａ、４ｂが形成されている。中継電極４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されており、中継電極４ｂは、中継電極４ｂと離間した位置において、データ線６ａに沿うように形成されている。中継電極４ａは、コンタクトホール８３を介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続され、中継電極４ｂは、コンタクトホール８２を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。

中継電極４ａ、４ｂの上層側には、シリコン窒化膜などからなる誘電体膜４２が形成されており、この誘電体膜４２を介して、中継電極４ａと対向するように容量線５ｂが形成され、蓄積容量５５が形成されている。中継電極４ａ、４ｂは導電性のポリシリコン膜や金属膜等からなり、容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜、それらの積層膜、金属膜からなる。

容量線５ｂの上層側には、中継電極４ａへ通じるコンタクトホール８７、および中継電極４ｂへ通じるコンタクトホール８１を備えたシリコン酸化膜などからなる第２層間絶縁膜４３が形成されている。第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール８１を介して中継電極４ｂに電気的に接続し、中継電極４ｂを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。ドレイン電極６ｂはコンタクトホール８７を介して中継電極４ａに電気的に接続し、中継電極４ａを介して、高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜、それらの積層膜、金属膜からなる。

データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には、シリコン酸化膜などからなる第３層間絶縁膜４４が形成されている。第３層間絶縁膜４４には、ドレイン電極６ｂへ通じるコンタクトホール８６が形成されている。

第３層間絶縁膜４４の上層には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などからなる透光性の画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール８６を介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。

これに対して、対向基板２０では、偏向用基板２０ｂにおいて素子基板１０と対向する面側に共通電極２１および配向膜２９が形成されている。

このように構成した液晶装置１００においては、走査線３ａ、容量線５ｂ、データ線６ａおよび電界効果型トランジスタ３０の形成領域によって、表示に直線寄与しない格子状の遮光領域１００ｃ（図４（ｂ）に右上がりの斜線を付した領域）が形成されており、かかる遮光領域１００ｃは、互いに交差する第１方向（矢印Ｘで示す方向）および第２方向（矢印Ｙで示す方向）に延在し、かかる遮光領域１００ｃで周りが囲まれた領域が、変調光を出射して表示に直接寄与する画素開口領域１００ｄになっている。本形態では、対向基板２０には、いわゆるブラックマトリクスやブラックストライプと称せられる遮光膜が形成されていない。このため、遮光領域１００ｃは、走査線３ａ、容量線５ｂ、データ線６ａおよび電界効果型トランジスタ３０の形成領域によって規定されている。

（偏向用基板２０ｂの構成）
図５（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の断面を模式的に示して偏向用基板の断面構成を示す説明図、および偏向用基板の偏向部の平面構成を示す説明図である。なお、図５（ａ）では、素子基板１０側の配向膜１６などの図示を省略してある。

図５（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１００においては、対向基板２０の側から入射した光を液晶層５０によって画素毎に光変調した後、素子基板１０から出射する。このため、入射光を効率よく利用するには、入射光を画素開口領域１００ｄに効率よく導く必要がある。そこで、本形態では、対向基板２０に偏向用基板２０ｂが用いられており、かかる偏向用基板２０ｂでは、変調すべき光が入射する側に斜面を向けて光を画素開口領域１００ｄに向けて導く断面Ｖ字形状の偏向部２６が遮光領域１００ｃと重なる領域に沿って形成されている。

より具体的には、偏向用基板２０ｂにおいて、その母材である透光性基板２０ｆの変調すべき光が入射する側の面２０ｇ（液晶層５０が位置する側とは反対側）には、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料、あるいは低融点ガラスからなる透光性の被転写層２０ｈが形成されており、被転写層２０ｈには、変調すべき光が入射する側に向かって尖った断面Ｖ字形状の偏向突起２６１が形成されている。また、透光性基板２０ｆの面２０ｇ側では、被転写層２０ｈを完全に覆うように、被転写層２０ｈよりも屈折率の高い高屈折率層２０ｉが形成されており、偏向突起２６１の斜面２６２は、高屈折率層２０ｉで覆われている。高屈折率層２０ｉにおいて、変調すべき光が入射する側の面２０ｊは平坦面になっている。

本形態において、高屈折率層２０ｉは、被転写層２０ｈを構成する材料の屈折率に応じて、シリコン窒化膜や金属酸化膜などの高屈折材料から選択された材料からなり、斜面２６２に反射性を付与している。

すなわち、高屈折率層２０ｉを構成する材料の屈折率をｎ₁₁とし、被転写層２０ｈを構成する材料の屈折率をｎ₁₂とし、斜面２６２の法線に対する光の入射角度をθ₀とした場合、ｎ₁₁＞ｎ₁₂で、かつ、ｎ₁₁、ｎ₁₂、θ₀が以下の式
ｓｉｎθ₀＞ｎ₁₂／ｎ₁₁
を満たせば、全反射が起こるので、斜面２６２に反射性を付与することができる。

なお、透光性基板２０ｆにおいて、液晶層５０が位置する側の面２０ｋは、平滑面になっており、その表面に対向電極２１および配向膜２９が形成されている。

（偏向用基板２０ｂの作用効果）
このように構成した液晶装置１００では、図１を参照して説明した光源部１４０からは様々な入射角度の光が入射し、かかる入射光のうち、画素開口領域１００ｄに向かう光は、矢印Ｌ１で示すように、そのまま進行する一方、矢印Ｌ２で示すように、画素開口領域１００ｄに向かう方向から外れた方向に向かう光については、矢印Ｌ３で示すように、偏向部２６の反射性の斜面２６２で反射させ、画素開口領域１００ｄに向かわせる。

ここで、偏向部２６は、斜面２６２を一辺とする略二等辺三角形形状の断面を有する偏向突起２６１からなり、三角形形状の頂点は、遮光領域１００ｃの幅方向の中心に位置している。また、偏向部２６（偏向突起２６１）の幅寸法（三角形形状の底辺の長さ）は、遮光領域１００ｃの幅寸法と略同一寸法、あるいはやや幅広に設定されており、これにより、画素開口領域１００ｄに向かう方向から外れた方向に向かう光についても有効に利用することができる。なお、斜面２６２の傾きについては、特開２００６−２１５４２７号公報に開示されているように、例えば、透光性基板２０ｆの基板面に対する法線となす角度が３°以下になるように設定される。かかる構成によれば、斜面２６２で光を反射した際、光線角度の増大を低減しながら入射光を偏向することができるとともに、入射光を、例えば、Ｆナンバーが２．５である投射光学系（図１参照）で十分取り込むことが可能な光線角度の光に変換することができ、コントラストの向上および入射光を利用効率の向上を図ることができる。

（偏向用基板２０ｂおよび対向基板２０の製造方法）
図６を参照して、本形態の液晶装置１００の製造工程のうち、偏向用基板２０ｂおよび対向基板２０の製造工程を説明する。図６は、本形態の液晶装置１００に用いた偏向用基板２０ｂおよび対向基板２０の製造工程を示す工程断面図である。

本形態の偏向用基板２０ｂおよび対向基板２０を製造するには、まず、図６（ａ）、（ｂ）に示す工程により、転写用の型部材６１を形成する。それには、図６（ａ）に示すように、型部材６１の基材として、シリコン基板、石英基板、ニッケルなどの金属基板などからなる板材６１０を準備した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、その一方の面６１１に、厚さが５０〜２００μｍのレジストマスク６２を形成する。次に、板材６１０に対してドライエッチングを行なう。かかるドライエッチングには、高密度プラズマを形成可能なＩＣＰドライエッチング装置を用い、板材６１０とレジストマスク６２とのエッチング選択比を例えば４：１とする。その結果、図６（ｂ）に示すように、レジストマスク６２の厚みに対して略４倍の深さを有する断面Ｖ字形状の溝６１２が形成される。このようにして、成形面６１３に断面Ｖ字形状の溝６１２を備えた型部材６１を得ることができ、かかる溝６１２の形状は、図５（ａ）を参照して説明した偏向突起２６１の形状に対応している。

かかる型部材６１を用いて偏向用基板２０ｂを製造するには、まず、図６（ｃ）に示す被転写層形成工程において、偏向用基板２０ｂの母材たる透光性基板２０ｆの一方の面２０ｇに、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料、あるいは低融点ガラスからなる透光性の被転写層２０ｈを形成する。かかる材料のうち、熱硬化性樹脂を用いた場合には、ある程度、軟性をもった状態に硬化を止めておく。

次に、図６（ｄ）に示す転写工程において、被転写層２０ｈを加熱するなどの方法で軟化性を示す状態とした後、被転写層２０ｈに型部材６１の成形面６１３を押し付けて、溝６１２の反転パターンを被転写層２０ｈに転写する。次に、被転写層２０ｈを固化させた後、型部材６１を外すと、図６（ｅ）に示すように、被転写層２０ｈには、斜面２６２を備えた偏向突起２６１が形成される。なお、転写の際、型部材６１の成形面６１３に離型剤を塗布しておくと、型部材６１を容易に外すことができ、偏向突起２６１の形状が崩れない。

次に、図６（ｆ）に示す反射性付与工程では、被転写層２０ｈを完全に覆うように、被転写層２０ｈよりも屈折率の高い高屈折率層２０ｉを形成する。その結果、偏向突起２６１の斜面２６２は、高屈折率層２０ｉで覆われ、斜面２６２に反射性が付与される。

次に、図６（ｇ）に示す研磨工程では、透光性基板２０ｆの面２０ｋを研磨し、透光性基板２０ｆの薄板化を行なうとともに、面２０ｋを平滑化する。かかる研磨工程において、本形態では、化学機械研磨を行なう。この化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と透光性基板２０ｆとの相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などからなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、透光性基板２０ｆを保持するホルダとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と透光性基板２０ｆとの間に供給する。なお、被転写層２０ｈの表面にも研磨を施して平滑化してもよい。

次に、図６（ｈ）に示すように、透光性基板２０ｆの面２０ｋ側に対向電極２１および配向膜２９を形成し、対向基板２０を得る。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、偏向用基板２０ｂを得るにあたって、透光性基板２０ｆ上に透光性の被転写層２０ｈを形成した後、型部材６１において偏向突起２６１の形状に対応する溝６１２を備えた成形面６１３を押し付けて溝６１２の反転パターンを被転写層２０ｈに転写し、斜面２６２を備えた偏向突起２６１を形成する。このため、偏向用基板２０ｂの斜面２６２をエッチングで形成する必要がないので、偏向用基板２０ｂを効率よく製造することができ、かつ、偏向突起２６１の斜面２６２については、傾き角度の精度が高く、ばらつきが発生しない。

また、本形態では、断面Ｖ字形状の偏向部２６によって入射光を画素開口領域１００ｄに導くため、対向基板２０には、ブラックマトリクスやブラックストライプなどと称せられる遮光層を設ける必要がないので、その分、製造工程数を減らすことができる。

［実施の形態２］
（偏向用基板２０ｂの構成）
図７（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る液晶装置の断面を模式的に示して偏向用基板の断面構成を示す説明図、および偏向用基板の偏向部の平面構成を示す説明図である。なお、図７（ａ）では、素子基板１０側の配向膜１６などの図示を省略してある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。

図７（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１００においても、実施の形態１と同様、対向基板２０の側から入射した光を液晶層５０によって画素毎に光変調した後、素子基板１０から出射する。また、本形態でも、実施の形態１と同様、対向基板２０に偏向用基板２０ｂが用いられており、かかる偏向用基板２０ｂでは、変調すべき光が入射する側に斜面を向けて光を画素開口領域１００ｄに向けて導く断面Ｖ字形状の偏向部２６が遮光領域１００ｃと重なる領域に沿って形成されている。

より具体的には、偏向用基板２０ｂにおいて、その母材である透光性基板２０ｆの変調すべき光が出射する側の面２０ｋ（液晶層５０が位置する側の面）には、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料、あるいは低融点ガラスからなる透光性の被転写層２０ｈが形成されており、被転写層２０ｈには、変調すべき光が入射する側に向かって凹んだ断面Ｖ字形状の偏向溝２６６が形成されている。また、透光性基板２０ｆの面２０ｋの側では、被転写層２０ｈを完全に覆うように、被転写層２０ｈよりも屈折率の低い低屈折率層２０ｓが形成されており、偏向溝２６６の斜面２６７は、低屈折率層２０ｓで覆われている。低屈折率層２０ｓにおいて、変調すべき光が出射する側の面２０ｔは平滑面になっており、その表面に対向電極２１および配向膜２９が形成されている。

本形態において、低屈折率層２０ｓは、被転写層２０ｈを構成する材料の屈折率に応じて、シリコン酸化膜、その他の金属酸化膜、あるいは樹脂により構成されており、斜面２６７に反射性を付与している。

すなわち、被転写層２０ｈを構成する材料の屈折率をｎ₂₁とし、低屈折率層２０ｓを構成する材料の屈折率をｎ₂₂とし、斜面２６７の法線に対する光の入射角度をθ₀とした場合、ｎ₂₁＞ｎ₂₂で、かつ、ｎ₂₁、ｎ₂₂、θ₀が以下の式
ｓｉｎθ₀＞ｎ₂₂／ｎ₂₁
を満たせば、全反射が起こるので、斜面２６７に反射性を付与することができる。

なお、透光性基板２０ｆにおいて、変調すべき光が出射する側の面２０ｇ（液晶層５０が位置する側とは反対側の面）は平滑面になっている。

このように構成した液晶装置１００でも、実施の形態１と同様、図１を参照して説明した光源部１４０からは様々な入射角度の光が入射し、かかる入射光のうち、画素開口領域１００ｄに向かう光は、矢印Ｌ１で示すように、そのまま進行させる一方、矢印Ｌ２で示すように、画素開口領域１００ｄに向かう方向から外れた方向に向かう光については、矢印Ｌ３で示すように、偏向部２６の反射性の斜面２６７で反射させ、画素開口領域１００ｄに向かわせる。

ここで、偏向部２６は、斜面２６７を一辺とする略二等辺三角形形状の断面の偏向溝２６６からなり、三角形形状の頂点は、遮光領域１００ｃの幅方向の中心に位置している。また、偏向部２６の幅寸法（三角形形状の底辺の長さ）は、遮光領域１００ｃの幅寸法と略同一寸法、あるいはやや幅広に設定されており、これにより、画素開口領域１００ｄに向かう方向から外れた方向に向かう光についても有効に利用することができる。なお、斜面２６７の傾きについては、特開２００６−２１５４２７号公報に開示されているように、例えば、透光性基板２０ｆの基板面に対する法線となす角度が３°以下になるように設定される。かかる構成によれば、斜面２６７で光を反射した際、光線角度の増大を低減しながら入射光を偏向することができるとともに、入射光を、例えば、Ｆナンバーが２．５である投射光学系（図１参照）で十分取り込むことが可能な光線角度の光に変換することができ、コントラストの向上および入射光を利用効率の向上を図ることができる。

（偏向用基板２０ｂおよび対向基板２０の製造方法）
図８を参照して、本形態の液晶装置１００の製造工程のうち、偏向用基板２０ｂおよび対向基板２０の製造工程を説明する。図７は、本形態の液晶装置１００に用いた偏向用基板２０ｂおよび対向基板２０の製造工程を示す工程断面図である。

本形態の偏向用基板２０ｂおよび対向基板２０を製造するには、まず、図８（ａ）、（ｂ）に示す工程により、転写用の型部材６６を形成する。それには、図８（ａ）に示すように、型部材６６の基材として、シリコン基板、石英基板、ニッケルなどの金属基板などからなる板材６６０を準備した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、その一方の面６６１に、厚さが５０〜２００μｍのレジストマスク６７を形成する。次に、板材６６０に対してドライエッチングを行なう。かかるドライエッチングには、高密度プラズマを形成可能なＩＣＰドライエッチング装置を用い、板材６６０とレジストマスク６７とのエッチング選択比を例えば４：１とする。その結果、図８（ｂ）に示すように、レジストマスク６７の厚みに対して略４倍の深さを有する断面Ｖ字形状の突起６６２が形成される。このようにして、成形面６６３に断面Ｖ字形状の突起６６２を備えた型部材６６を得ることができ、かかる突起６６２の形状は、図７（ａ）を参照して説明した偏向溝２６６の形状に対応している。

かかる型部材６６を用いて偏向用基板２０ｂを製造するには、まず、図８（ｃ）に示す被転写層形成工程において、偏向用基板２０ｂの母材たる透光性基板２０ｆの一方の面２０ｋに、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料、あるいは低融点ガラスからなる透光性の被転写層２０ｈを形成する。

次に、図８（ｄ）に示す転写工程において、被転写層２０ｈが軟化している状態で、型部材６６の成形面６６３を押し付けて、突起６６２の反転パターンを被転写層２０ｈに転写する。次に、被転写層２０ｈを固化させた後、型部材６６を外すと、図８（ｅ）に示すように、被転写層２０ｈには、斜面２６７を備えた偏向溝２６６が形成される。なお、転写の際、型部材６６の成形面６６３に離型剤を塗布しておくと、型部材６６を容易に外すことができ、偏向溝２６６の形状が崩れない。

次に、図８（ｆ）に示す反射性付与工程では、被転写層２０ｈを完全に覆うように、被転写層２０ｈよりも屈折率の低い低屈折率層２０ｓを形成する。その結果、偏向溝２６６の斜面２６７は、低屈折率層２０ｓで覆われ、斜面２６７に反射性が付与される。

次に、図８（ｇ）に示す研磨工程では、透光性基板２０ｆの他方の面２０ｇを研磨し、透光性基板２０ｆの薄板化を行なうとともに、面２０ｇを平滑化する。また、低屈折率層２０ｓにおいて、変調すべき光が出射する側の面２０ｔにも研磨を行い、平滑化してもよい。かかる研磨工程において、本形態では、実施の形態１と同様、化学機械研磨を行なう。次に、低屈折率層２０ｓの面２０ｔ側に対向電極２１および配向膜２９を形成し、対向基板２０を得る。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、偏向用基板２０ｂを得るにあたって、透光性基板２０ｆ上に透光性の被転写層２０ｈを形成した後、型部材６６において偏向溝２６６の形状に対応する突起６６２を備えた成形面６６３を押し付けて突起６６２の反転パターンを被転写層２０ｈに転写し、斜面２６７を備えた偏向溝２６６を形成する。このため、偏向用基板２０ｂの斜面２６７をエッチングで形成する必要がないので、偏向用基板２０ｂを効率よく製造することができ、かつ、偏向突起２６１の斜面２６７については、傾き角度の精度が高く、ばらつきが発生しない。

また、本形態では、断面Ｖ字形状の偏向部２６によって入射光を画素開口領域１００ｄに導くため、対向基板２０には、ブラックマトリクスやブラックストライプなどと称せられる遮光層を設ける必要がないので、その分、製造工程数を減らすことができる。

［実施の形態２の変形例］
実施の形態２では、被転写層２０ｈを完全に覆うように低屈折率層２０ｓを形成したが、偏向溝２６６内のみに低屈折率層２０ｓを充填してもよい。また、実施の形態２では、偏向溝６６２内に酸化膜や樹脂などの低屈折材料を充填したが、図９に示すように、偏向溝６６２に低屈折率材料として空気２６８を充填しても、斜面２６７に反射性を付与することができる。かかる構成は、例えば、減圧雰囲気下で被転写層２０ｈに接着剤２０ｖを介して透光性のカバー基板２０ｗを貼り付けることにより、実現することができる。

［他の偏向用基板２０ｂの製造方法］
上記実施の形態１、２では、研磨工程で透光性基板２０ｆを残したが、透光性基板２０ｆを完全に除去してもよい。また、上記形態では、型部材６１、６６の形成にドライエチングを用いたが、レーザエッチングを行なってもよい。

上記実施の形態１、２では、斜面２６２、２６７に反射性を付与するにあたって、屈折率の差を利用したが、斜面２６２、２６７を覆うように、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金などといった光反射性材料層を形成してもよい。この場合、実施の形態１では、斜面２６２のみに光反射性材料層を形成する。これに対して、実施の形態２では、斜面２６７のみに光反射性材料層を形成した構成、あるいは偏向溝２６６を光反射性材料層で埋めた構成のいずれを採用してもよい。

また、上記実施の形態では、偏向突起２６１や偏向溝２６６の断面が二等辺三角形である例を説明したが、図１０（ａ）に示すように、二等辺三角形の頂部が丸まっている構成や、図１０（ｂ）に示すように、斜面２６２、２６７が、透光性基板２０ｆの基板面に対する法線方向に対して異なる傾きの第１斜面２６８と第２斜面２６９を有する構成を採用してもよい。ここで、二等辺三角形の底部側に位置する第２斜面２６９が、第１斜面２６８に比して、透光性基板２０ｆの基板面に対する法線方向に対して大きな角度を形成していれば、液晶のドメインなどが発生しやすい画素開口領域１００ｄの端部分を避けて、画素開口領域１００ｄの中央に入射光を導くことができる。

また、上記実施の形態では、対向基板２０にブラックマトリクスあるいはブラックマトリクスと称せられる遮光層を省略したが、かかる遮光層を設けてもよい。

［他の実施の形態］
図１には、ライトバルブを３枚用いた投射型表示装置を例示したが、液晶装置１００がカラーフィルタを内蔵している場合、図１１に示す投射型表示装置において、本発明を適用した１枚の液晶装置１００をライトバルブとして用いて、カラー画像をスクリーン２１１に投射表示するように構成してもよい。すなわち、図１１に示す投射型表示装置２１０は、白色光源２１２、インテグレータ２２１および偏光変換素子２２２を備えた光源部２４０と、液晶装置１００と、投射光学系２１８とを備えている。また、液晶装置１００では、カラーフィルタ内蔵の液晶パネル１００ｘの両側に第１偏光板２１６ａおよび第２偏光板２１６ｂが配置されている。

また、上記形態では、電気光学装置として、投射型表示装置に用いる透過型の液晶装置を例示したが、投射型表示装置に用いる反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。また、バックライト装置から出射された光を入射光として画像を表示する直視型の透過型あるいは半透過反射型の液晶装置や、外光を入射光として画像を表示する直視型の反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。

さらに、上記形態では、電気光学装置として液晶装置を例に説明したが、自発光素子から出射された変調光によって画像表示面で画像を表示する電気光学装置において混色などを防止することを目的に、縦横に延在する格子状の遮光領域を設け、この遮光領域で囲まれた画素開口領域から変調光を出射する電気光学装置に本発明を適用してもよい。

本発明を適用した投射型表示装置の概略構成図である。 （ａ）、（ｂ）は、図１に示した投射型表示装置において液晶ライトバルブに用いた液晶パネルの構成を模式的に示す説明図、およびその液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。 本発明を適用した液晶装置の画素１つ分の断面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、およびこの素子基板上における遮光領域を右上がりの斜線によって示した説明図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の断面を模式的に示して偏向部の断面構成を示す説明図、および偏向部の平面構成を示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた対向基板（偏向用基板）の製造方法を示す工程断面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る液晶装置の断面を模式的に示して偏向部の断面構成を示す説明図、および偏向部の平面構成を示す説明図である。 本発明の実施の形態２に係る液晶装置に用いた対向基板（偏向用基板）の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の実施の形態２の変形例に係る液晶装置で用いられる偏向用基板の変形例を示す説明図である。 本発明を適用した液晶装置で用いられる別の偏向用基板を示す説明図である。 本発明を適用した別の投射型表示装置の概略構成図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、従来の液晶装置の断面を模式的に示して偏向溝の断面構成を示す説明図、および偏向溝の平面構成を示す説明図である。 図１２に示す偏向溝を形成する方法を示す工程断面図である。

符号の説明

１０・・素子基板、２０・・対向基板、２０ｂ・・偏向用基板、２０ｆ・・透光性基板、２０ｈ・・被転写層、２０ｉ・・高屈折率層、２０ｓ・・低屈折率層、２６・・偏向部、６１、６６・・型部材、１００・・液晶装置（電気光学装置）、１００ｃ・・遮光領域、１００ｄ・・画素開口領域、２６１・・偏向突起、２６２、２６７・・斜面、２６６・・偏向溝

Claims (7)

1. 変調すべき光が入射する側に斜面を向けて当該光を画素開口領域に向けて導く断面Ｖ字形状の偏向部が遮光領域と重なる領域に沿って形成された偏向用基板を有する電気光学装置の製造方法において、
   前記偏向用基板を形成するにあたっては、
   前記偏向用基板の母材たる透光性基板上に透光性の被転写層を形成する被転写層形成工程と、
   型部材において前記偏向部の形状に対応する凹凸を備えた成形面を押し付けて前記凹凸の反転パターンを前記被転写層に転写して前記斜面を形成する転写工程と、
   前記斜面に反射性を付与する反射性付与工程と、
   を行なうことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記偏向部は、変調すべき光が入射する側に向けて尖った断面Ｖ字形状の偏向突起であり、
   前記型部材には、当該偏向突起に対応する断面Ｖ字形状の溝が形成されており、
   前記反射性付与工程では、前記偏向突起の前記斜面を覆うように、前記被転写層より屈折率の高い高屈折率層、あるいは光反射性材料層を形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
3. 前記偏向部は、変調すべき光が入射する側に向けて凹んだ断面Ｖ字形状の偏向溝であり、
   前記型部材には、当該偏向溝に対応する断面Ｖ字形状の突起が形成されており、
   前記反射性付与工程では、前記偏向溝内に前記斜面を覆うように、前記被転写層より屈折率の低い低屈折率層、あるいは光反射性材料層を形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
4. 前記被転写層は、樹脂材料あるいは低融点ガラス材料からなることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
5. 請求項１乃至４の何れか一項に記載の製造方法により製造したことを特徴とする電気光学装置。
6. 前記遮光領域内に配線および画素スイッチング素子が形成され、前記画素開口領域内に透光性の画素電極が形成された素子基板と、該素子基板との間に液晶を保持する対向基板とを有し、当該対向基板に前記偏向用基板が一体かされていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 請求項５または６に記載の電気光学装置を用いた投射型表示装置であって、
   光源部および投射光学系を有し、
   前記光源部から出射された光を前記電気光学装置に入射させ、当該電気光学装置により光変調した光を前記投射光学系により投射することを特徴とする投射型表示装置。

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