JP2009075507A - Inspection method and manufacturing method for electro-optical device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の検査方法、及び該検査方法を含む電気光学装置の製造方法の技術分野に関する。 The present invention relates to a technical field of an inspection method of an electro-optical device such as a liquid crystal device and a manufacturing method of the electro-optical device including the inspection method.
この種の電気光学装置では、例えば、基板上の画素領域(或いは画素アレイ領域)には、画素毎に設けられた画素部を駆動するために、複数の走査線及び複数のデータ線が設けられる。そして、基板上の画素領域の周辺に位置する周辺領域には、例えば、データ線に対して画像信号をサンプリングして供給するサンプリング回路や、該サンプリング回路に対して、画像信号のデータ線への出力タイミングを規定する駆動信号或いはサンプリング回路駆動信号を供給するデータ線駆動回路が設けられる。 In this type of electro-optical device, for example, a plurality of scanning lines and a plurality of data lines are provided in a pixel region (or pixel array region) on a substrate in order to drive a pixel portion provided for each pixel. . In the peripheral region located around the pixel region on the substrate, for example, a sampling circuit that samples and supplies the image signal to the data line, or the sampling circuit supplies the image signal to the data line. A data line driving circuit for supplying a driving signal for defining output timing or a sampling circuit driving signal is provided.
データ線駆動回路には、スタートパルス及びクロック信号が供給され、クロック信号のクロック周期に同期して、スタートパルスが、その内蔵するシフトレジスタの各段に転送されて転送信号が出力される。出力された転送信号は、バッファ回路やレベルシフタ回路等を介して、サンプリング回路駆動信号としてサンプリング回路に順次出力される。サンプリング回路は、サンプリング回路駆動信号に応じて画像信号をサンプリングする。 A start pulse and a clock signal are supplied to the data line driver circuit, and in synchronization with the clock cycle of the clock signal, the start pulse is transferred to each stage of the built-in shift register and a transfer signal is output. The output transfer signal is sequentially output to the sampling circuit as a sampling circuit drive signal via a buffer circuit, a level shifter circuit, and the like. The sampling circuit samples the image signal according to the sampling circuit drive signal.
この際、データ線駆動回路におけるバッファ回路等やサンプリング回路において発生した信号遅延に起因して、画像信号を供給するタイミングに、クロック信号を基準として無視し得ない程度の遅延が生じることがある。 At this time, due to the signal delay generated in the buffer circuit or the sampling circuit in the data line driving circuit or the sampling circuit, there may be a delay that cannot be ignored on the basis of the clock signal in the timing of supplying the image signal.
そこで、例えば特許文献1には、基板上にデータ線駆動回路やサンプリング回路を模擬するモニタ回路を設けて、このモニタ回路からのモニタ信号に基づいて、画像信号の出力タイミングの遅延量を間接的に測定する技術が開示されている。
Therefore, for example, in
他方、例えば特許文献2には、走査線に対して走査信号を供給する走査線駆動回路に内蔵されたシフトレジスタを、論理回路を用いて検査する検査方法が開示されている。
On the other hand, for example,
電気光学装置の製造途中或いは完成後に行われる検査時には、上述した遅延量(即ち、モニタ回路を用いて間接的に測定された遅延量)に基づいてデータ線駆動回路やサンプリング回路を検査することができる。 At the time of inspection performed during or after the manufacture of the electro-optical device, the data line driving circuit and the sampling circuit may be inspected based on the above-described delay amount (that is, the delay amount indirectly measured using the monitor circuit). it can.
ここで、データ線駆動回路やサンプリング回路においては、上述した信号遅延に加えて、信号電位のずれが発生するおそれがあり、この信号電位のずれに起因して、画像信号の電位に、所定電位を基準として無視し得ない程度のずれが生じることがある。そこで、上述したモニタ回路からのモニタ信号に基づいて、画像信号の電位のずれを間接的に測定することが考えられる。このように測定された電位のずれを、所定の基準値と比較することで、データ線駆動回路やサンプリング回路を検査することができるので、上述した遅延量のみに基づく検査と比較して、より高精度な検査を行うことが可能になる。 Here, in the data line driving circuit and the sampling circuit, in addition to the signal delay described above, there is a possibility that the signal potential shifts. Due to this signal potential shift, the potential of the image signal is changed to a predetermined potential. Deviations that cannot be ignored may occur. Therefore, it is conceivable to indirectly measure the potential shift of the image signal based on the monitor signal from the monitor circuit described above. By comparing the potential deviation measured in this way with a predetermined reference value, the data line driving circuit and the sampling circuit can be inspected. It becomes possible to perform high-precision inspection.
しかしながら、モニタ信号にはオーバシュート等のノイズが含まれるために、モニタ信号の電位を例えばオシロスコープを用いて読み取ることが困難であり、検査精度が低くなってしまうおそれがあるという技術的問題点がある。 However, since the monitor signal includes noise such as overshoot, it is difficult to read the potential of the monitor signal using an oscilloscope, for example, and there is a technical problem that the inspection accuracy may be lowered. is there.
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、モニタ回路における信号電位のずれを精度良く測定することができ、高精度な検査を行うことが可能な電気光学装置の検査方法、及び該検査方法を含む電気光学装置の製造方法を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, for example, and can be used to accurately measure a signal potential shift in a monitor circuit and perform a highly accurate inspection. It is another object of the present invention to provide an electro-optical device manufacturing method including the inspection method.
本発明に係る電気光学装置の検査方法は上記課題を解決するために、基板上に、複数の画素部と、該画素部に電気的に接続された複数のデータ線及び複数の走査線と、(i)所定電位より高電位の高電源電位及び前記所定電位より低電位の低電源電位により規定されるパルス高を有する転送開始パルスを順次転送して複数の段の各々から転送信号を順次出力するシフトレジスタと、(ii)前記順次出力された転送信号に基づいて、画像信号を前記複数のデータ線に供給する他の回路とからなる画像信号供給回路と、該画像信号供給回路の少なくとも一部を模擬したモニタ回路とを備えた電気光学装置を検査する電気光学装置の検査方法であって、前記高電源電位を前記モニタ回路に対して入力し、前記モニタ回路から出力される出力信号を第1検査信号として検出する工程と、前記低電源電位を前記モニタ回路に対して入力し、前記モニタ回路から出力される出力信号を第2検査信号として検出する工程とを含む。 In order to solve the above problems, an inspection method for an electro-optical device according to the present invention includes a plurality of pixel portions on a substrate, a plurality of data lines and a plurality of scanning lines electrically connected to the pixel portions, (I) A transfer start pulse having a pulse height defined by a high power supply potential higher than a predetermined potential and a low power supply potential lower than the predetermined potential is sequentially transferred, and a transfer signal is sequentially output from each of a plurality of stages. And (ii) at least one of the image signal supply circuits, and (ii) an image signal supply circuit comprising: another circuit that supplies an image signal to the plurality of data lines based on the sequentially output transfer signals. An electro-optical device inspection method for inspecting an electro-optical device including a monitor circuit simulating a unit, wherein the high power supply potential is input to the monitor circuit, and an output signal output from the monitor circuit And a step of detecting a first inspection signal, and the step of the low power supply potential is input to the monitor circuit detects an output signal output from the monitor circuit as the second test signal.
本発明に係る電気光装置の検査方法の検査対象となる電気光学装置では、その動作時には、外部回路から画像信号、クロック信号、制御信号、電源信号等の各種信号が画像信号供給回路に供給される。これと並行して、例えば、外部回路からクロック信号、制御信号、電源信号等の各種信号が走査線駆動回路に供給される。これらにより、走査線を介して走査信号が画素部に供給されると共に、画像信号供給回路によりデータ線を介して画像信号が画素部に供給され、例えば液晶等の電気光学物質を各画素部で駆動することで、アクティブマトリクス駆動が行なわれる。 In the electro-optical device to be inspected by the electro-optical device inspection method according to the present invention, during operation, various signals such as an image signal, a clock signal, a control signal, and a power signal are supplied to the image signal supply circuit. The In parallel with this, for example, various signals such as a clock signal, a control signal, and a power supply signal are supplied from an external circuit to the scanning line driving circuit. Accordingly, a scanning signal is supplied to the pixel portion via the scanning line, and an image signal is supplied to the pixel portion via the data line by the image signal supply circuit. For example, an electro-optical material such as liquid crystal is supplied to each pixel portion. By driving, active matrix driving is performed.
画像信号供給回路は、転送信号を順次出力するシフトレジスタと、該転送信号に基づいて、画像信号を複数のデータ線に供給する他の回路とからなる。他の回路は、例えば、シフトレジスタから順次出力された転送信号を複数系列のイネーブル信号を用いて整形して整形信号として出力するイネーブル回路と、この整形信号又はこの整形信号に基づくサンプリング回路駆動信号に応じて画像信号をサンプリングして、データ線に供給するサンプリング回路とを含んで構成される。 The image signal supply circuit includes a shift register that sequentially outputs transfer signals and another circuit that supplies image signals to a plurality of data lines based on the transfer signals. The other circuit is, for example, an enable circuit that shapes the transfer signal sequentially output from the shift register using a plurality of series of enable signals and outputs the shaped signal, and the shaping signal or a sampling circuit drive signal based on the shaped signal And a sampling circuit that samples the image signal and supplies it to the data line.
画像信号供給回路においては、これを構成する回路素子における論理積や論理和、或いは回路素子自体の特性によって、大なり小なり、信号遅延が発生したり、信号電位のずれが発生したりする。 In an image signal supply circuit, depending on the logical product or logical sum of circuit elements constituting the image signal supply circuit, or the characteristics of the circuit elements themselves, signal delays or signal potential deviations occur.
ここで、本発明に係る電気光装置の検査方法の検査対象となる電気光学装置は、モニタ回路を備える。モニタ回路は、画像信号供給回路の少なくとも一部、例えば、画像信号供給回路における、シフトレジスタの複数段のうち一つの段及び他の回路のうち該一つの段に対応して設けられた部分を模擬して形成される。よって、モニタ回路は、例えば、画像信号供給回路に含まれるイネーブル回路から出力される筈の擬似的なサンプリング回路駆動信号や、画像信号供給回路に含まれるサンプリング回路から出力される筈の擬似的な画像信号など、画像信号供給回路の一部から出力される信号を模擬する信号を出力することができる。 Here, the electro-optical device to be inspected by the inspection method for the electro-optical device according to the present invention includes a monitor circuit. The monitor circuit includes at least a part of the image signal supply circuit, for example, one part of the plurality of stages of the shift register in the image signal supply circuit and a part provided corresponding to the one of the other circuits. Simulated. Therefore, the monitor circuit, for example, the pseudo sampling circuit drive signal output from the enable circuit included in the image signal supply circuit or the pseudo output of the sampling circuit included in the image signal supply circuit. A signal that simulates a signal output from a part of the image signal supply circuit, such as an image signal, can be output.
このようなモニタ回路に対して、例えば、所定パルスを入力し、モニタ回路から出力される信号に基づいて、画像信号供給回路における、信号遅延や信号電位のずれを間接的に測定することで、画像信号供給回路の検査を行う場合、モニタ回路から出力される信号には、オーバーシュート等のノイズが含まれるために、モニタ回路から出力される信号の電位を精度良く測定することが困難となり、検査精度が低くなってしまうおそれがある。 For such a monitor circuit, for example, by inputting a predetermined pulse and indirectly measuring a signal delay or a signal potential shift in the image signal supply circuit based on a signal output from the monitor circuit, When inspecting the image signal supply circuit, the signal output from the monitor circuit includes noise such as overshoot, so it is difficult to accurately measure the potential of the signal output from the monitor circuit. There is a risk that the inspection accuracy may be lowered.
しかるに、本発明では特に、モニタ回路に対して高電源電位を入力し、モニタ回路から出力される出力信号を第1検査信号として検出する。更に、この第1検査信号を検出する工程よりも前或いは後に、モニタ回路に対して低電源電位を入力し、モニタ回路から出力される出力信号を第2検査信号として検出する。ここで、高電源電位及び低電源電位は、シフトレジスタの転送開始パルスのパルス高を規定する電源電位であり、時間に対して固定された電位(即ち一定の電位)を有する信号である。よって、第1及び第2検査信号には、例えばモニタ回路に対して所定パルスとして転送開始パルスを入力した場合におけるモニタ回路からの出力信号と比較して、オーバーシュート等のノイズが殆ど或いは全く含まれない。従って、第1及び第2検査信号の各々の電位、更にはモニタ回路における信号電位のずれを精度良く測定することができる。これにより、モニタ回路が模擬する画像信号供給回路の一部における信号電位のずれを間接的に精度良く測定することができる。 However, in the present invention, in particular, a high power supply potential is input to the monitor circuit, and an output signal output from the monitor circuit is detected as the first inspection signal. Further, before or after the step of detecting the first inspection signal, a low power supply potential is input to the monitor circuit, and an output signal output from the monitor circuit is detected as a second inspection signal. Here, the high power supply potential and the low power supply potential are power supply potentials that define the pulse height of the transfer start pulse of the shift register, and are signals having a fixed potential (that is, a constant potential) with respect to time. Therefore, the first and second inspection signals include little or no noise such as overshoot as compared with the output signal from the monitor circuit when a transfer start pulse is input as a predetermined pulse to the monitor circuit, for example. I can't. Accordingly, it is possible to accurately measure the potentials of the first and second inspection signals, and further the signal potential shift in the monitor circuit. Thereby, it is possible to indirectly and accurately measure the deviation of the signal potential in a part of the image signal supply circuit simulated by the monitor circuit.
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置の検査方法によれば、モニタ回路を備えた電気光学装置に対し、モニタ回路における信号電位のずれを精度良く測定することができ、電気光学装置の高精度な検査を行うことが可能となる。 As described above, according to the inspection method for an electro-optical device according to the present invention, a signal potential shift in the monitor circuit can be accurately measured with respect to the electro-optical device including the monitor circuit. It is possible to perform a highly accurate inspection.
本発明に係る電気光学装置の検査方法の一態様では、前記第1検査信号と前記高電源電位又は前記低電源電位とに基づいて、前記第1検査信号の電位が前記高電源電位又は前記低電源電位に対してずれる第1電位ずれ量を測定する工程と、前記第2検査信号と前記高電源電位又は前記低電源電位とに基づいて、前記第2検査信号の電位が前記高電源電位又は前記低電源電位に対してずれる第2電位ずれ量を測定する工程とを含む。 In an aspect of the inspection method of the electro-optical device according to the invention, the potential of the first inspection signal is set to the high power supply potential or the low power supply potential based on the first inspection signal and the high power supply potential or the low power supply potential. Based on the step of measuring the first potential deviation amount deviating from the power supply potential, and the second inspection signal and the high power supply potential or the low power supply potential, the potential of the second inspection signal is the high power supply potential or Measuring a second potential shift amount deviating from the low power supply potential.
この態様によれば、第1及び第2電位ずれ量を、予め定められた所定の基準値或いは基準範囲と比較することで、画像信号供給回路の良否を容易に判定することができ、画像信号供給回路の検査を容易に行うことが可能となる。 According to this aspect, the quality of the image signal supply circuit can be easily determined by comparing the first and second potential deviation amounts with a predetermined reference value or reference range determined in advance. It is possible to easily inspect the supply circuit.
上述した第1及び第2電位ずれ量を測定する工程を含む態様では、前記転送開始パルスを前記モニタ回路に対して入力し、前記モニタ回路から出力される出力信号を第3検査信号として検出する工程と、前記転送開始パルス及び前記第3検査信号に基づいて、前記第3検査信号が前記転送開始パルスに対して遅延する信号遅延量を測定する工程とを含んでもよい。 In the aspect including the step of measuring the first and second potential shift amounts described above, the transfer start pulse is input to the monitor circuit, and an output signal output from the monitor circuit is detected as a third inspection signal. And a step of measuring, based on the transfer start pulse and the third check signal, a signal delay amount by which the third check signal is delayed with respect to the transfer start pulse.
この場合には、モニタ回路が模擬する画像信号供給回路の一部における信号遅延量を間接的に測定することができ、画像信号供給回路の検査の精度を高めることが可能となる。 In this case, the signal delay amount in a part of the image signal supply circuit simulated by the monitor circuit can be indirectly measured, and the inspection accuracy of the image signal supply circuit can be increased.
上述した信号遅延量を測定する工程を含む態様では、前記第1及び第2電位ずれ量並びに前記信号遅延量に基づいて、前記画像信号供給回路に不具合が発生しているか否かを判定する工程を含んでもよい。 In the aspect including the step of measuring the signal delay amount described above, the step of determining whether or not a defect has occurred in the image signal supply circuit based on the first and second potential shift amounts and the signal delay amount. May be included.
この場合には、例えば、信号遅延量のみに基づいて画像信号供給回路に不具合が発生しているか否かを判定する場合と比較して、画像信号供給回路の検査の精度を高めることができる。 In this case, for example, the accuracy of the inspection of the image signal supply circuit can be improved as compared with the case where it is determined whether or not a defect has occurred in the image signal supply circuit based only on the signal delay amount.
本発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、上述した本発明に係る電気光学装置の検査方法(但し、各種態様を含む)を用いて電気光学装置を検査する工程を含む。 In order to solve the above problems, a method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention includes a step of inspecting an electro-optical device using the above-described inspection method (including various aspects) of the electro-optical device according to the present invention. Including.
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、電気光学装置の検査工程における検査精度が向上されるので、後工程に送品される電気光学装置の良品率が向上し、無駄となる工数を省くことができる。或いは、出荷される製品の良品率が向上し、信頼性の向上に効果がある。 According to the electro-optical device manufacturing method of the present invention, since the inspection accuracy in the inspection process of the electro-optical device is improved, the rate of non-defective electro-optical devices to be sent to the subsequent process is improved, and wasteful man-hours are reduced. It can be omitted. Or the non-defective product rate of the product shipped improves, and it is effective in the improvement of reliability.
本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記電気光学装置を実装ケースに収容する工程を含み、前記検査する工程は、前記実装ケースに収容する工程よりも後に行われる。 In another aspect of the method for manufacturing an electro-optical device according to the invention, the step of receiving the electro-optical device in a mounting case is included, and the inspecting step is performed after the step of storing in the mounting case.
この態様によれば、上述した本発明に係る電気光学装置の検査方法を用いて電気光学装置を検査する工程は、電気光学装置が実装ケースに収容された後、好ましくは、電気光学装置の製造プロセスにおける、できる限り後の工程(言い換えれば、製品として出荷される直前)に行われる。よって、例えば、電気光学装置の組み立て時、他の検査時或いは運搬時などに電気光学装置の周辺で発生した静電気によって画像信号供給回路やモニタ回路が劣化又は破壊されてしまったままの状態で、電気光学装置が製品として出荷されてしまう事態をより確実に回避することができる。 According to this aspect, the step of inspecting the electro-optical device using the above-described inspection method for the electro-optical device according to the present invention is preferably performed after the electro-optical device is accommodated in the mounting case. It is performed in the process as late as possible (in other words, immediately before being shipped as a product). Thus, for example, when the electro-optical device is assembled, the image signal supply circuit and the monitor circuit are deteriorated or destroyed by static electricity generated around the electro-optical device during other inspections or transportation, The situation where the electro-optical device is shipped as a product can be avoided more reliably.
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。 The operation and other advantages of the present invention will become apparent from the best mode for carrying out the invention described below.
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。尚、本実施形態では、本発明に係る電気光学装置の検査方法及び電気光学装置の製造方法を、電気光学装置の一例である液晶装置に適用した例をとる。
<電気光学装置の検査方法>
本実施形態に係る液晶装置の検査方法について、図1から図9を参照して説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In this embodiment, an example in which the electro-optical device inspection method and the electro-optical device manufacturing method according to the invention are applied to a liquid crystal device that is an example of an electro-optical device.
<Electro-optical device inspection method>
An inspection method for the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.
先ず、本実施形態に係る液晶装置の検査方法を適用する液晶装置の全体構成について、図1を参照して説明する。ここに図1は、本実施形態に係る液晶装置の検査方法を適用する液晶装置の全体構成を示すブロック図である。 First, an overall configuration of a liquid crystal device to which a liquid crystal device inspection method according to the present embodiment is applied will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of a liquid crystal device to which the liquid crystal device inspection method according to this embodiment is applied.
図1に示すように、液晶装置1は、主要部として、液晶パネル100、タイミング制御回路200及び画像信号処理回路300を備えている。
As shown in FIG. 1, the
タイミング制御回路200及び画像信号処理回路300は、例えば、FPC(Flexible Printed Circuit)として、フレキシブル基板を含む配線基材に形成された外部回路内に作り込まれる。そして、外部回路は、後述する外部回路接続端子102に電気的に接続されて、液晶パネル100に実装される。
The
タイミング制御回路200は、駆動回路120で使用される各種タイミング信号を出力するように構成されている。図4を参照して後に詳細に説明するが、タイミング制御回路200の一部であるタイミング信号出力回路部により、最小単位のクロックであり各画素を走査するためのドットクロックが作成され、このドットクロックに基づいて、Yクロック信号CLY、反転Yクロック信号CLYinv、Xクロック信号CLK、反転Xクロック信号CLXinv、YスタートパルスDY及びXスタートパルスDXが生成される。
The
画像信号処理回路300は、1系統の画像信号VIDが入力されると、これを6相の画像信号VID1〜VID6にシリアル−パラレル変換して出力して、液晶パネル100に供給するものである。
When the image
液晶パネル100は、画素スイッチング素子としてTFT116を形成した素子基板と対向基板とを互いに電極形成面を対向させて、かつ、一定の間隙を保って貼付し、この間隙に液晶が挟持されている。 In the liquid crystal panel 100, an element substrate on which a TFT 116 is formed as a pixel switching element and a counter substrate are pasted with their electrode formation surfaces facing each other with a certain gap therebetween, and liquid crystal is sandwiched between the gaps.
液晶パネル100は、その素子基板上に配列された複数の画素から構成される画像表示領域110の周辺に位置する周辺領域に、駆動回路120が、走査線駆動回路130、画像信号供給回路101を含み、更に、モニタ回路27を備えて構成されている。画像信号供給回路101には、サンプリング回路140及びデータ線駆動回路150が含まれている。
In the liquid crystal panel 100, a driving circuit 120, a scanning
図1において、モニタ回路27は、ブロック図の一部として一ブロックとして図式的に示されているが、その構成及び動作について、詳細は後述する。
In FIG. 1, the
液晶パネル100は更に、その素子基板の中央を占める画像表示領域110に、縦横に配線されたデータ線114及び走査線112を備え、それらの交点に対応する各画素に、マトリクス状に配列された画素電極118及び画素電極118をスイッチング制御するためのTFT116を備えている。そして、画像信号供給線711に供給される6相の画像信号VID1〜VID6を、サンプリング回路140によって、データ線駆動回路150から供給されるサンプリング信号S1、S2、…、Snに応じてサンプリングして、データ線114に供給するように構成されている。
The liquid crystal panel 100 further includes
TFT116のソース電極には、このように画像信号が供給されるデータ線114が電気的に接続されている一方、TFT116のゲート電極には、走査信号が供給される走査線112が電気的に接続されると共に、TFT116のドレイン電極には、画素電極118が接続されている。そして、各画素は、画素電極118と、対向基板に形成された共通電極と、これら両電極間に挟持された液晶とによって構成される結果、走査線112とデータ線114との各交点に対応して、マトリクス状に配列されることになる。
The
尚、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量119が、画素電極118と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に付加されている。
Note that a
図1において、走査線駆動回路130は、シフトレジスタを有しており、タイミング制御回路200から供給される、Yクロック信号CLYや、反転Yクロック信号CLYinv、YスタートパルスDY等に基づいて、走査信号を各走査線112に対して順次出力する。
In FIG. 1, the scanning
ここで、画像信号供給回路101の構成について、図2を参照して詳細に説明する。ここに図2は、本実施形態に係る画像信号供給回路の一部及びモニタ回路の構成を示す回路図である。
Here, the configuration of the image
図2において、画像信号供給回路101に含まれるデータ線駆動回路150は、データ線114を、その配列方向(即ち、図2中X方向)に沿う双方向から順次駆動可能とするための双方向シフトレジスタ160を備えている。双方向シフトレジスタ160におけるシフト方向は方向制御信号Dにより決定される。方向指示信号Dがハイレベルの場合、双方向シフトレジスタ160には、図2中左側から本発明に係る「転送開始パルス」の一例としてのXスタートパルスDXが入力され、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号XCLXinvに基づくタイミングで、左から右へ(即ちX方向に)順次シフトされて、双方向シフトレジスタ160の各段SRS(i)(但し、i=1、2、3、…、n)から転送信号SR1〜SRnが出力される。尚、反転方向制御信号Dinvがハイレベルの場合は、双方向シフトレジスタ160の図2中右方向からXスタートパルスDXが入力され、右から左に順次シフトされることになる。
In FIG. 2, the data
また、データ線駆動回路150は、双方向シフトレジスタ160の各段SRS(i)に対して設けられたイネーブル回路を備えている。図2には、双方向シフトレジスタ160において、XスタートパルスDXが、同図中、左から右へ転送される場合における、双方向シフトレジスタ160の第1段目及び第2段目に対応するイネーブル回路170a及び170bの構成についてのみ示してある。尚、第3段目から第n段目についても、第1及び第2段目と同様のイネーブル回路が設けられるものとする。即ち、本実施形態では、データ線駆動回路150の1段分には、シフトレジスタ160の一段分及びイネーブル回路が含まれる。尚、データ線駆動回路150には、これらに代えて又は加えて、バッファ回路、レベルシフタ回路等が設けられてもよい。
Further, the data
イネーブル回路170a及び170bは、NAND回路171a及び171b並びにインバータ172a及び172bにより構成されている。双方向シフトレジスタ160から出力された転送信号SR1及びSR2は、イネーブル回路170a及び170bに供給される。また、イネーブル回路170a及び170bには夫々、イネーブル信号ENB1及びENB2のいずれかが入力される。これにより転送信号SR1又はSR2が出力されており且つイネーブル信号ENB1又はENB2が出力されているときに、サンプリング信号S1又はS2がサンプリング回路140に供給される。そして、サンプリング信号S1又はS2が供給されたサンプリングスイッチ141を介して画像信号VID1又はVID2が、データ線114に供給され、データ線114が駆動される。
The enable
画像信号VID1〜VID6は、画像信号処理回路300より画像信号線711に、Xクロック信号等の各種タイミング信号に同期したタイミングで、伝送される。本実施形態では、上述したように、イネーブル信号ENB1又はENB2により、画像信号VID1〜VID6の、画像信号供給線711に対する伝送タイミングに同期して、より具体的には画像信号VID1〜VID6の安定出力時にデータ線114を活性状態にするように制御している。
The image signals VID1 to VID6 are transmitted from the image
転送信号SR1及びSR2は、イネーブル回路170a及び170bにより、イネーブル信号ENB1又はENB2との論理積がとられた後、サンプリング信号S1及びS2としてサンプリング回路140に供給される。
The transfer signals SR1 and SR2 are ANDed with the enable signals ENB1 and ENB2 by the
データ線駆動回路150において、第1及び第2段目に設けられたイネーブル回路170a及び170bと同様に、第3段目から第n段目に設けられたイネーブル回路が駆動されることにより、各段よりサンプリング信号S1〜Snが出力されて、サンプリング回路140に供給される。
In the data line driving
サンプリング回路140は、サンプリングスイッチ141として、例えば片チャネル型TFTを複数備えている。そして、サンプリング回路140は、6本のデータ線114を1群とするデータ線群毎に、サンプリング信号S1〜Snに応じて、6相にシリアル−パラレル展開された画像信号VID1〜VID6を夫々サンプリングして、供給するものである。よって、本実施形態では、画像信号供給回路101の一段に着目すれば、該一段には、データ線駆動回路150の一段と、データ線駆動回路150の一段に対応する6個のサンプリングスイッチ141により構成される。
The
詳細には、サンプリング回路140には、サンプリングスイッチ141が各データ線114の一端に設けられるとともに、各サンプリングスイッチ141のソース電極は、画像信号VID1〜VID6のいずれかが供給される画像信号線711に接続され、ドレイン電極はデータ線114に接続されている。また、サンプリング回路140において、各サンプリングスイッチ141のゲート電極には、データ線群に対応する6個のサンプリングスイッチ141毎に、サンプリング信号Siが供給される。
Specifically, in the
尚、本実施形態では、例えば、各サンプリングスイッチ141には、配列方向に沿って線順次にデータ線114を駆動するように、該データ線114の配列方向に沿って順次にサンプリング信号S1〜Snが供給されるようにしてもよい。この場合、画像信号線711に、画像信号VID1〜VID6は順次シフトされたタイミングで供給されることとなる。
In the present embodiment, for example, the sampling signals S1 to Sn are sequentially applied to each
次に、上述した画像信号供給回路101の動作について、図2及び図3を参照して説明する。ここに図3は、本実施形態に係る画像信号供給回路に係る各種信号の経時的変化を示すタイミングチャートである。
Next, the operation of the image
図3に示すように、画像信号供給回路101に含まれるデータ線駆動回路150では、双方向シフトレジスタ160に入力されたXスタートパルスDXは、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXinvにより、これらクロック信号の半周期単位でシフトされて、双方向シフトレジスタ160の各段からクロック信号の半周期分ずつ遅れた転送信号SR1〜SRnが順次出力される。
As shown in FIG. 3, in the data
転送信号SR1〜SRnは、データ線114の駆動期間を画像信号VID1〜VID6の安定出力期間と同期させるために、データ線駆動回路150のイネーブル回路によりイネーブル信号ENB1又はENB2との論理積がとられ、サンプリング信号S1〜Snとして出力される。
The transfer signals SR1 to SRn are ANDed with the enable signal ENB1 or ENB2 by the enable circuit of the data line driving
これにより、画像信号VID1〜VID6の伝送タイミングとサンプリング信号Siとの同期がとれると共に、更に、サンプリングスイッチ141におけるサンプルホールドのタイミングと、画像信号VID1〜VID6の伝送タイミングとの同期が確保できれば表示不良の発生を防止して、高品質な画像表示が可能となる。
As a result, the transmission timing of the image signals VID1 to VID6 can be synchronized with the sampling signal Si, and if the synchronization of the sampling hold timing in the
尚、以上においては、画像信号供給回路101に対して、2種のイネーブル信号ENB1及びENB2を供給する例について説明したが、1種或いは3種以上のENB信号でサンプリングするようにしてもよい。
In the above description, an example in which two types of enable signals ENB1 and ENB2 are supplied to the image
次に、上述したタイミング制御回路200の構成及び動作について、図1に加えて図4を参照して詳細に説明する。ここに図4は、本実施形態に係るタイミング制御回路の構成を示す回路図である。
Next, the configuration and operation of the above-described
図4に示すように、タイミング制御回路200は、タイミング信号出力回路部200a及びタイミング調整回路部200bを備えている。
As shown in FIG. 4, the
タイミング信号出力回路部200aは、発振回路21、カウンタ22及びデコーダ23を備えている。発振回路21は、ドットクロックDCの数倍の周波数を有するクロック信号OSCIを出力する。カウンタ22は、水平同期信号HSYNCの立ち上がりに同期してリセットされ、カウンタ22は、リセットされた後は初期値よりクロック信号OSCIのパルス数をカウントする。ここで、カウンタ22には、リセットされた際のカウント値の初期値を入力する初期値入力端INITが設けられている。デコーダ23は、カウンタ22の出力値をデコードして、ドットクロックDC、XスタートパルスDX及びYスタートパルスDY、Xクロック信号CLX及びYクロック信号CLY、並びに、反転Xクロック信号CLXinv及び反転Yクロック信号CLYinv等の各種のタイミング信号を出力する。
The timing signal output circuit unit 200 a includes an
タイミング調整回路部200bは、レジスタ25及びカウンタ26を備えている。カウンタ26は、その入力端STARTにXスタートパルスDXが入力されると、クロック信号OSCIのカウントを開始するとともに、入力端STOPにモニタ回路27から後述するモニタ信号MONが入力されると、カウントを終了させる。
The timing
これにより、Xクロック信号CLX及び反転Xクロック信号CLXinvの立上りや立下り周期を決定するクロック信号OSCIを基準として、XスタートパルスDXの出力タイミングに対するモニタ信号MONの出力タイミングの遅延量を、測定することが可能となる。このモニタ信号MONの出力タイミングの遅延量は、後述するモニタ回路27の構成及び機能により、画像信号供給回路101の少なくとも1段分における画像信号VID1〜VID6の出力タイミングの遅延量を間接的に示すものである。そして、モニタ信号MONの出力タイミングの遅延量に基づいてカウンタ22における初期値がプリセットされ、デコーダ23から出力されるドットクロックDC、XスタートパルスDX、Xクロック信号CLX等のタイミング信号は、モニタ信号MONの出力タイミングの遅延量に相当する時間だけ早いタイミングで出力されることになる。これにより、画像信号供給回路101における画像信号VID1〜VID6の出力タイミングが調整される。
Thus, the delay amount of the output timing of the monitor signal MON with respect to the output timing of the X start pulse DX is measured with reference to the clock signal OSCI that determines the rising and falling cycles of the X clock signal CLX and the inverted X clock signal CLXinv. It becomes possible. The delay amount of the output timing of the monitor signal MON indirectly indicates the delay amount of the output timing of the image signals VID1 to VID6 in at least one stage of the image
尚、レジスタ25は、記憶手段であり、垂直同期信号VSYNCに同期してカウンタ26のカウント結果をラッチする。
The
次に、上述したモニタ回路27の構成について、図1及び図2を参照して詳細に説明する。
Next, the configuration of the
図1において、モニタ回路27は、画像信号供給回路101における画像信号VID1〜VID6の出力タイミングを間接的にモニタリングするために設けられている。画像信号供給回路101の複数段では、夫々、データ線駆動回路150の各段を構成する回路素子による論理積等、或いは回路素子自体の特性、更には、サンプリング回路140におけるサンプリングスイッチ141の特性等によって信号遅延が発生し、Xクロック信号CLXに基づくタイミングより、画像信号VID1〜VID6の出力タイミングが遅延することがある。
In FIG. 1, the
図2に示すように、モニタ回路27は、画像信号供給回路101の1段分を模擬するように構成されている。即ち、モニタ回路27は、データ線駆動回路150のシフトレジスタ160の一段分を模擬する単位回路271aと、該一段分に対応するイネーブル回路を模擬する単位回路271bとを含む模擬回路271と、データ線駆動回路150の一段に対応するサンプリングスイッチ114を模擬する6個のスイッチング素子272とを有している。ここで、図2においては、簡単のため、6個のスイッチング素子272のうち1個について図示し、その他5個については、図示を省略してある。尚、後述する図5に係るモニタ回路27の構成についても、図2と同様とする。
As shown in FIG. 2, the
模擬回路271のうち単位回路271aの主要部は、NAND回路71及びNOR回路72を含む構成となっており、単位回路271bには、2つのインバータ73b及び73cが含まれている。加えて、スイッチング素子272は例えば片チャネル型TFTにより形成される。サンプリングスイッチ141を形成するTFTの構成に対応させて、例えば、nチャネル型或いはpチャネル型TFTによりスイッチング素子272を形成するとよい。これにより、モニタ回路27の構成を、該モニタ回路27によって模擬した画像信号供給回路101の各段の構成に近づけることが可能となり、その結果、モニタ回路27を用いたモニタリングをより精度良く行うことが可能となる。
The main part of the
よって、モニタ回路27においては、当該モニタ回路27によって模擬された、データ線駆動回路150の一段及び該一段に対応するサンプリングスイッチ141の夫々の動作を模擬することができる。従って、モニタ回路27を動作させて、モニタ信号MONの出力タイミングを測定することにより、データ線駆動回路150の一段及び該一段に対応するサンプリングスイッチ141における信号遅延に基づく画像信号VID1〜VID6の出力タイミングを間接的に測定することができる。
Therefore, the
続いて、このように構成されたモニタ回路27の動作について、図1及び図2に加えて図5を参照して説明する。ここに図5(a)は、モニタ回路における信号波形の変化を模式的に示す図であり、図5(b)はモニタ信号の信号波形について概略的に示す図である。
Next, the operation of the
図5(a)において、モニタ回路27には、液晶装置1の駆動時、XスタートパルスDXが、シフトレジスタ160に入力されるタイミングと概ね一致するタイミングで入力される。モニタ回路27の模擬回路271において、単位回路271aのNAND回路71について、2つの入力端のうち一方は画像信号供給回路101の高電位電源に電気的に接続されることで高電源電位VDDXが供給されており、他方にXスタートパルスDXが入力される。
5A, when the
ここで、図5(a)中、モニタ回路27の構成を示す回路図の右側に、該モニタ回路27の各部における信号波形を模式的に示してある。XスタートパルスDXは、NAND回路71の論理積によって反転されて出力され、単位回路271aのNOR回路72に入力される。ここで、NOR回路72の2つの入力端のうち一方に、NAND回路71の出力信号が入力されると共に、他方はインバータ73aを介して画像信号供給回路101の低電位電源に電気的に接続されることで低電源電位VSSXが供給されている。そして、NAND回路71の出力信号は、NOR回路72の論理和によって更に反転されて出力される。
Here, in FIG. 5A, signal waveforms at respective parts of the
そして、NOR回路72の出力信号は、更に、単位回路271bの2つのインバータ73b及び73cによって反転されて出力される。即ち、XスタートパルスDXは、模擬回路271において4回反転されて出力され、スイッチング素子272のゲートに入力されて、スイッチング素子272がオン状態となる。
The output signal of the NOR
ここで、スイッチング素子272のソースは画像信号供給回路101の低電位電源に電気的に接続されることで低電源電位VSSXが供給されており、スイッチング素子272がオン状態となると、ソースに向かって電流が流れることにより、モニタ信号MONは、図5(b)に示すような立下りの信号として、モニタリング端子29に出力される。図1に示すように、モニタリング端子29から出力されたモニタ信号MONは、タイミング制御回路200に入力され、XスタートパルスDXの出力タイミングに対するモニタ信号MONの出力タイミングの遅延量が測定される。モニタ信号MONを立下りの信号として出力することにより、立上りの信号として出力する場合と比較して、信号波形のなまりを防止して、モニタ信号MONの出力タイミングの遅延量をより正確に測定することが可能となる。
Here, the source of the
次に、本実施形態に係る液晶装置の検査方法について、図6及び図7を参照して説明する。ここに図6は、モニタ回路を用いた画像信号供給回路の検査の流れを示すフローチャートである。図7から図9は、モニタ回路を用いた画像信号供給回路の検査を説明するための模式図であり、各図における(a)は、検査時の各工程における、モニタ回路に対する入力及びモニタ回路からの出力を示す図であり、(b)は、検査時の各工程における、モニタ回路に対する入力信号及びモニタ回路からの検査信号の各々の信号波形について概略的に示す図である。 Next, an inspection method for the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a flowchart showing the inspection flow of the image signal supply circuit using the monitor circuit. FIG. 7 to FIG. 9 are schematic diagrams for explaining the inspection of the image signal supply circuit using the monitor circuit. FIG. 7A is an input to the monitor circuit and the monitor circuit in each process at the time of inspection. FIG. 4B is a diagram schematically showing signal waveforms of an input signal to the monitor circuit and an inspection signal from the monitor circuit in each step during inspection.
図1から図5を参照して上述したように、液晶装置1は、モニタ回路27を備えており、モニタ回路27は、画像信号供給回路101の一部(より具体的には、シフトレジスタ160の一段分と、該一段分に対応するイネーブル回路と、データ線駆動回路150の一段に対応するサンプリングスイッチ114)を模擬して形成されている。よって、モニタ回路27は、この画像信号供給回路101の一部から出力される信号を模擬する信号を出力することができる。
As described above with reference to FIGS. 1 to 5, the
そこで、本実施形態に係る液晶装置の検査方法では、図6に示すような、モニタ回路27を用いた画像信号供給回路101の検査を行う。
Therefore, in the inspection method for the liquid crystal device according to the present embodiment, the image
図6において、モニタ回路27を用いた画像信号供給回路101の検査では、先ず、モニタ回路27に対してXスタートパルスDXを入力し、モニタ回路27から検査信号CK1を検出する(ステップS10)。即ち、図7(a)に示すように、モニタ回路27に対して、通常駆動時と同様に、低電源電位VSSX及び高電源電位VDDXによって規定されるXスタートパルスDXを入力し、モニタ回路27からモニタリング端子29を介して出力される出力信号を検査信号CK1として検出する。検査信号CK1の検出は、モニタリング端子29に電気的に接続された例えばオシロスコープ等の測定器を用いて行う。尚、検査信号CK1は、本発明に係る「第3検査信号」の一例である。
In FIG. 6, in the inspection of the image
次に、図6において、モニタ回路27における信号遅延を測定する(ステップS20)。即ち、図7(b)に示すように、ステップS10に係る工程によって検出された検査信号CK1が、モニタ回路27に入力されたXスタートパルスDXに対して遅延する信号遅延量t1を測定する。信号遅延量t1の測定は、モニタリング端子29に電気的に接続された例えばオシロスコープ等の測定器を用いて行う。信号遅延量t1を測定することによって、モニタ回路27が模擬する画像信号供給回路101の一部における信号遅延量を間接的に測定することができる。
Next, in FIG. 6, the signal delay in the
次に、図6において、モニタ回路27に対して高電源電位VDDXを入力し、モニタ回路27から検査信号CK2を検出する(ステップS30)。即ち、図8(a)に示すように、モニタ回路27に対して高電源電位VDDXを入力し、モニタ回路27からモニタリグ端子29を介して出力される出力信号を検査信号CK2として検出する。検査信号CK2の検出は、モニタリング端子29に電気的に接続された例えばオシロスコープ等の測定器を用いて行う。尚、検査信号CK2は、本発明に係る「第1検査信号」の一例である。
Next, in FIG. 6, the high power supply potential VDDX is input to the
次に、図6において、モニタ回路27における信号電位のずれを測定する(ステップS40)。即ち、図8(b)に示すように、ステップS30に係る工程によって検出された検査信号CK2が、低電源電位VSSXに対してずれる電位ずれ量ΔVL2を測定する。電位ずれ量ΔVL2の測定は、モニタリング端子29に電気的に接続された例えばオシロスコープ等の測定器を用いて行う。電位ずれ量ΔVL2を測定することによって、モニタ回路27が模擬する画像信号供給回路101の一部における信号電位のずれを間接的に測定することができる。ここで特に、検査信号CK2には、例えば、ステップS10に係る工程によって検出された検査信号CK1と比較して、オーバーシュート等のノイズが殆ど或いは全く含まれない。つまり、ステップS30に係る工程においてモニタ回路27に入力される高電源電位VDDXは、XスタートパルスDXのように電位が急激に変化する部分を有するパルス信号ではなく、時間に対して固定された電位を有する信号であるが故に、オーバーシュート等のノイズが殆ど或いは全く含まれない。よって、電位ずれ量ΔVL2(即ち、モニタ回路27における信号電位のずれ)を容易に精度良く測定することができる。従って、モニタ回路27が模擬する画像信号供給回路101の一部における信号電位のずれを間接的に精度良く測定することができる。
Next, in FIG. 6, the signal potential shift in the
尚、図7(b)において、仮に、何らの対策も施さずに、ステップS30に係る工程によって検出された検査信号CK1における低電位側電位VL1が低電源電位VSSXに対してずれる電位ずれ量ΔVL1や、検査信号CK1における高電位側電位VH1が高電源電位VDDXに対してずれる電位ずれ量ΔVH1を測定する場合には、検査信号CK1に含まれるオーバーシュート等のノイズのために、電位ずれ量ΔVL1及びΔVH1を精度良く測定することは困難である。 In FIG. 7B, the potential deviation amount ΔVL1 in which the low potential side potential VL1 in the inspection signal CK1 detected by the process related to step S30 is shifted from the low power supply potential VSSX without taking any countermeasure. In addition, when measuring the potential deviation amount ΔVH1 in which the high potential side potential VH1 in the inspection signal CK1 deviates from the high power supply potential VDDX, the potential deviation amount ΔVL1 is caused by noise such as overshoot included in the inspection signal CK1. It is difficult to accurately measure ΔVH1.
次に、図6において、モニタ回路27に対して低電源電位VSSXを入力し、モニタ回路27から検査信号CK3を検出する(ステップS50)。即ち、図9(a)に示すように、モニタ回路27に対して低電源電位VSSXを入力し、モニタ回路27からモニタリグ端子29を介して出力される出力信号を検査信号CK3として検出する。検査信号CK3の検出は、モニタリング端子29に電気的に接続された例えばオシロスコープ等の測定器を用いて行う。
Next, in FIG. 6, the low power supply potential VSSX is input to the
次に、図6において、モニタ回路27における信号電位のずれを測定する(ステップS60)。即ち、図9(b)に示すように、ステップS50に係る工程によって検出された検査信号CK3が、高電源電位VDDXに対してずれる電位ずれ量ΔVH2を測定する。電位ずれ量ΔVH2の測定は、モニタリング端子29に電気的に接続された例えばオシロスコープ等の測定器を用いて行う。電位ずれ量ΔVH2を測定することによって、モニタ回路27が模擬する画像信号供給回路101の一部における信号電位のずれを間接的に測定することができる。ここで特に、検査信号CK3には、例えば、ステップS10に係る工程によって検出された検査信号CK1と比較して、オーバーシュート等のノイズが殆ど或いは全く含まれない。よって、電位ずれ量ΔVH2(即ち、モニタ回路27における信号電位のずれ)を容易に精度良く測定することができる。従って、モニタ回路27が模擬する画像信号供給回路101の一部における信号電位のずれを間接的に精度良く測定することができる。
Next, in FIG. 6, the signal potential shift in the
次に、図6において、モニタ回路27における信号遅延及び信号電位のずれに基づいて、画像信号供給回路101に不具合が発生しているか否かを判定する(ステップS70)。即ち、ステップS20に係る工程によって測定された信号遅延量t1(図7(b)参照)、ステップS40に係る工程によって測定された電位ずれ量ΔVL2(図8(b)参照)及びステップS60に係る工程によって測定された電位ずれ量ΔVH2(図9(b)参照)に基づいて、画像信号供給回路101に不具合が発生しているか否かを判定する(言い換えれば、画像信号供給回路101の良否を検査する)。具体的には、信号遅延量t1、電位ずれ量ΔVL2及びΔVH2の各々を、予め定められた所定の基準値或いは基準範囲と比較することで、画像信号供給回路101の良否を検査する。例えば、信号遅延量t1がその所定の基準範囲である40ns以上120ns以下の範囲内であって、電位ずれ量ΔVL2がその所定の基準値である1.0Vよりも小さく且つ電位ずれ量ΔVH2がその所定の基準値である0.7Vよりも小さい場合には、画像信号供給回路101に不具合が発生していないと判定し、信号遅延量t1、電位ずれ量ΔVL2及びΔVH2の少なくとも一つが所定の基準範囲外或いは所定の基準値以上である場合には、画像信号供給回路101に不具合が発生していると判定する。ここで、本発明では特に、信号遅延量t1に加えて、電位ずれ量ΔVL2及びΔVH2に基づいて、画像信号供給回路101の良否を検査するので、仮に、信号遅延量t1のみに基づいて、画像信号供給回路101の良否を検査する場合と比較して、検査精度を高めることができる。更に、本発明では特に、電位ずれ量ΔVL2及びΔVH2を測定するので、単に画像信号供給回路101の良否を判定するだけに留まらす、画像信号供給回路101に不具合が発生していないと判定した場合における、画像信号供給回路101に不具合が発生するまでのマージン或いは余裕度を検出することも可能となる。
Next, in FIG. 6, based on the signal delay and the signal potential shift in the
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置の検査方法によれば、モニタ回路27を備えた液晶装置1に対し、モニタ回路27における信号電位のずれを精度良く測定することができ、液晶装置1の高精度な検査を行うことが可能となる。
As described above, according to the inspection method of the liquid crystal device according to the present embodiment, the signal potential shift in the
また、本実施形態では、信号遅延量t1並びに電位ずれ量ΔVL2及びΔVH2に基づいて、画像信号供給回路101に不具合が発生しているか否かを判定するので、画像信号供給回路101の検査の精度をより一層高めることができる。
<電気光学装置の製造方法>
本実施形態に係る電気光学装置の製造方法について、図10から図13を参照して説明する。
Further, in the present embodiment, since it is determined whether or not a defect has occurred in the image
<Method of manufacturing electro-optical device>
A method for manufacturing the electro-optical device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.
先ず、上述した液晶装置1の具体的な全体構成について、図10及び図11を参照して説明する。ここに図10は、TFTアレイ基板10をその上に形成された各構成要素と共に対向基板20の側から見た平面図であり、図11は、図10のH−H’断面図である。
First, a specific overall configuration of the
図10及び図11において、素子基板としてのTFTアレイ基板10と対向基板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画像表示領域110の周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されている。
10 and 11, a
図10において、シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域110の額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。
In FIG. 10, a light-shielding frame light-shielding
シール材52が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線114に画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線114を駆動する画像信号供給回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。また、この一辺に隣接する2辺のいずれかに沿って、走査線112に走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線112を駆動する走査線駆動回路130が設けられている。尚、走査線112に供給される走査信号遅延が問題になる場合には、走査線駆動回路130を、画像信号供給回路101及び外部回路接続端子102が設けられたTFTアレイ基板10の一辺に隣接する2辺に沿って設けるようにしてもよい。この場合、TFTアレイ基板10の残る一辺に沿って設けられた複数の配線によって、二つの走査線駆動回路130は互いに接続されるようにする。或いは、画像信号供給回路101を画像表示領域110の両側に配置させてもよい。
An image
また、TFTアレイ基板10上には、対向基板20の4つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材で接続するための上下導通端子106が配置されている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。
On the
図11において、TFTアレイ基板10上には、ここでは図示を省略するが、図1を参照して上述した画素スイッチング用のTFT116や走査線112、データ線114等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域110には、TFT116や走査線112、データ線114等の配線の上層に、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明材料からなる画素電極118がマトリクス状に設けられている。画素電極118上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上に、遮光膜23が形成されている。遮光膜23は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板20上の画像表示領域110内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜23上に、ITO等の透明材料からなる対向電極21が複数の画素電極118と対向してベタ状に形成されている。対向電極21上には配向膜が形成されている。また、液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
In FIG. 11, on the
尚、TFTアレイ基板10上には、これら画像信号供給回路101、走査線駆動回路130等に加えて、複数のデータ線114に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
On the
また、投射光が入射する対向基板20側及び出射光が出射するTFTアレイ基板10側には、夫々、例えばTN(Twisted Nematic)モード、STN(Super Twisted Nematic)モード、VA(Vertically Aligned)モード、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード/ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。 Further, for example, a TN (Twisted Nematic) mode, an STN (Super Twisted Nematic) mode, a VA (Vertically Aligned) mode, Depending on the operation mode such as PDLC (Polymer Dispersed Liquid Crystal) mode and the normally white mode / normally black mode, a polarizing film, a retardation film, a polarizing plate and the like are arranged in a predetermined direction.
以上に説明した液晶装置1は、例えばプロジェクタに適用される。この場合、3つの液晶装置がRGB3原色夫々のライトバルブとして用いられる。このように液晶装置1がプロジェクタにおけるライトバルブとして用いられる場合には、以下に説明するような実装ケースに収容された状態で、プロジェクタに実装される。尚、本実施形態に係る液晶装置の製造方法は、液晶装置1を、実装ケースに収容されてなる実装ケース入り液晶装置として製造する。
The
図12は、実装ケースを液晶装置と共に示す分解斜視図である。 FIG. 12 is an exploded perspective view showing the mounting case together with the liquid crystal device.
図12において、液晶装置1は、実装ケース601内に収容されて、例えばプロジェクタ等の電子機器に実装される。
In FIG. 12, the
図12に示すように、TFTアレイ基板10上の外部回路接続端子102には、FPC501が接続されている。そして、TFTアレイ基板10上の内蔵回路である駆動回路120とは別に、FPC501上には、タイミング制御回路200及び画像信号処理回路300を含む外部回路が形成されている。また、TFTアレイ基板10及び対向基板20の各々について、外側表面には、反射防止板等の光学部材が付設されている。但し、偏光板や位相差板等は、TFTアレイ基板10及び対向基板20の外側表面に付設されてもよいが、液晶装置1が実装される、例えばプロジェクタの光学系が備えていてもよい。
As shown in FIG. 12, an
図12に示すように、実装ケース601は、液晶装置1を収容するフレーム610と、フレーム610に被さるカバー部材620とからなる。液晶装置1は、フレーム610に対向基板20側が面する向きに収容され、TFTアレイ基板10側の外側表面をカバー部材620で覆われている。
As shown in FIG. 12, the mounting
液晶装置1は、その周縁部側からフレーム610によって包囲された状態で、該フレーム610に接着剤によって接着されることによって固定されて、該フレーム610内に収容される。よって、液晶装置1は、フレーム610によって、その周縁部側から包囲される状態となる。
The
フレーム610及びカバー部材620には、これらの部材に開口された窓部610h及び620hが設けられている。窓部610h及び620hは、実装ケース601内に液晶装置が収容された状態における画像表示領域110の位置に対応して、フレーム610及びカバー部材620に配置される。これにより、液晶装置において、画像表示領域110の周辺に位置する周辺領域は、フレーム610及びカバー部材620によって額縁状に覆われる。
The
液晶装置が実装ケース601に収容されて例えば液晶プロジェクタに実装されて液晶ライトバルブとして用いられる際には、フレーム610の側から例えば投射光が入射され、液晶装置1の画像表示領域110を透過して、カバー部材620の側から出射される。この場合、液晶装置1における周辺領域は、実装ケース601及び対向基板20上に設けられた額縁遮光膜53によって覆われているため、周辺領域に対して投射光は入射され難くなっている。
When the liquid crystal device is housed in the mounting
一方、TFTアレイ基板10における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置1から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光が、液晶装置1に対して入射される場合がある。このような戻り光についても、実装ケース601によって遮光することができ、液晶装置1の周辺領域に対しては入射され難くなっている。
On the other hand, when return light is incident on the
従って、実装ケース601及び額縁遮光膜53によって、液晶装置1の周辺領域における光抜けを防止したり或いは周辺領域から画像表示領域10a内に迷光が進入したりするのを防止することができる。
Therefore, the mounting
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図13を参照して説明する。ここに図13は、本実施形態に係る液晶装置の製造プロセスの各工程を説明するためのフローチャートである。尚、本実施形態では、液晶装置1は、図12を参照して上述したように、実装ケースに収容されてなる実装ケース入り液晶装置として製造される。
Next, a manufacturing method of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a flowchart for explaining each step of the manufacturing process of the liquid crystal device according to this embodiment. In the present embodiment, the
先ず、図13において、TFTアレイ基板10上に、データ線114や走査線112、TFT116、画素電極118等の各種構成要素を形成すると共に、対向基板20上に、遮光膜23や額縁遮光膜53、対向電極21等の各種構成要素を形成した後に、TFTアレイ基板10と対向基板20とを、画素電極118と対向電極21とが対向するように、シール材52を介して貼り合わせることにより液晶装置1を製造する(ステップS110)。
First, in FIG. 13, various components such as the
次に、図13において、液晶装置1を実装ケース601に収容する(ステップS120)。
Next, in FIG. 13, the
次に、図13において、液晶装置1が実装ケースに601に収容された状態で、液晶装置1における光透過率やコントラスト等が所定の基準を満たしているか否かの検査を行う(ステップS130)。
Next, in FIG. 13, in a state where the
次に、図13において、液晶装置1が実装ケース601に収容された状態で、液晶装置1に対して、モニタ回路27を用いた画像信号供給回路101の検査を行う(ステップS140)。即ち、液晶装置1が実装ケース601に収容された状態で、図1から図9を参照して詳細に説明した検査方法を用いた検査を行う。その後、良品とされた液晶装置1は、製品として出荷或いは保管される。
Next, in FIG. 13, in the state where the
ここで本実施形態では特に、モニタ回路27を用いた画像信号供給回路101の検査を行う検査工程(ステップS140)は、液晶装置1を実装ケース601に収容する工程(ステップS120)の後(更には、液晶装置1に対して光透過率やコントラストの検査を行う工程(ステップS130)の後)、言い換えれば、液晶装置1の製造プロセスにおける、できる限り後の工程に行われる。よって、例えば、液晶装置1の組み立て時、他の検査時或いは運搬時などに液晶装置1の周辺で発生した静電気によって画像信号供給回路101やモニタ回路27が劣化又は破壊されてしまったままの状態で、液晶装置1が製品として出荷されてしまう事態をより確実に回避することができる。
Here, particularly in the present embodiment, the inspection process (step S140) for inspecting the image
尚、上述の本発明の実施形態では液晶装置を例にとって説明したが、本発明が適用可能な液晶装置には半導体基板を用いた反射型液晶装置(LCOS)も含まれる。 In the above-described embodiment of the present invention, the liquid crystal device has been described as an example. However, the liquid crystal device to which the present invention is applicable includes a reflective liquid crystal device (LCOS) using a semiconductor substrate.
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の検査方法、及び該検査方法を含む電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and an electro-optical device with such a change. The inspection method and the manufacturing method of the electro-optical device including the inspection method are also included in the technical scope of the present invention.
10…TFTアレイ基板、20…対向基板、27…モニタ回路、101…画像信号供給回路、150…データ線駆動回路、140…サンプリング回路、160…シフトレジスタ、CK1、CK2、CK3…検査信号、DX…Xスタートパルス、VDDX…高電源電位、VSSX…低電源電位
DESCRIPTION OF
Claims (6)
複数の画素部と、
該画素部に電気的に接続された複数のデータ線及び複数の走査線と、
(i)所定電位より高電位の高電源電位及び前記所定電位より低電位の低電源電位により規定されるパルス高を有する転送開始パルスを順次転送して複数の段の各々から転送信号を順次出力するシフトレジスタと、(ii)前記順次出力された転送信号に基づいて、画像信号を前記複数のデータ線に供給する他の回路とからなる画像信号供給回路と、
該画像信号供給回路の少なくとも一部を模擬したモニタ回路と
を備えた電気光学装置を検査する電気光学装置の検査方法であって、
前記高電源電位を前記モニタ回路に対して入力し、前記モニタ回路から出力される出力信号を第1検査信号として検出する工程と、
前記低電源電位を前記モニタ回路に対して入力し、前記モニタ回路から出力される出力信号を第2検査信号として検出する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の検査方法。 On the board
A plurality of pixel portions;
A plurality of data lines and a plurality of scanning lines electrically connected to the pixel portion;
(I) A transfer start pulse having a pulse height defined by a high power supply potential higher than a predetermined potential and a low power supply potential lower than the predetermined potential is sequentially transferred, and a transfer signal is sequentially output from each of a plurality of stages. And (ii) an image signal supply circuit comprising: another circuit for supplying an image signal to the plurality of data lines based on the sequentially output transfer signals;
An inspection method for an electro-optical device for inspecting an electro-optical device provided with a monitor circuit that simulates at least a part of the image signal supply circuit,
Inputting the high power supply potential to the monitor circuit and detecting an output signal output from the monitor circuit as a first inspection signal;
An inspection method for an electro-optical device, comprising: inputting the low power supply potential to the monitor circuit; and detecting an output signal output from the monitor circuit as a second inspection signal.
前記第2検査信号と前記高電源電位又は前記低電源電位とに基づいて、前記第2検査信号の電位が前記高電源電位又は前記低電源電位に対してずれる第2電位ずれ量を測定する工程と
を含むことを特徴する請求項1に記載の電気光学装置の検査方法。 A step of measuring a first potential shift amount in which the potential of the first inspection signal is deviated from the high power supply potential or the low power supply potential based on the first inspection signal and the high power supply potential or the low power supply potential. When,
A step of measuring a second potential shift amount in which the potential of the second inspection signal deviates from the high power supply potential or the low power supply potential based on the second inspection signal and the high power supply potential or the low power supply potential. The method for inspecting an electro-optical device according to claim 1, further comprising:
前記転送開始パルス及び前記第3検査信号に基づいて、前記第3検査信号が前記転送開始パルスに対して遅延する信号遅延量を測定する工程と
を含むことを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置の検査方法。 Inputting the transfer start pulse to the monitor circuit and detecting an output signal output from the monitor circuit as a third inspection signal;
The method according to claim 2, further comprising: measuring a signal delay amount that the third inspection signal is delayed with respect to the transfer start pulse based on the transfer start pulse and the third inspection signal. Inspection method of electro-optical device.
前記検査する工程は、前記実装ケースに収容する工程よりも後に行われる
ことを特徴とする請求項5に記載の電気光学装置の製造方法。 Containing the electro-optical device in a mounting case;
The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 5, wherein the inspecting step is performed after the step of housing in the mounting case.
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