JP2009069491A - 液晶表示装置、及び液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】温度変化に応じて、駆動電圧を適切なレベルに調整することが可能な液晶表示装置、及び液晶表示装置の駆動方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は、液晶表示パネル２と、外部の信号源３から供給される外部信号に基づいて、液晶表示パネル２を駆動する駆動回路と、液晶表示パネル２内の液晶の静電容量に応じて変化する電圧を検出する電圧検出手段（Ｃ−Ｖ変換回路６）と、検出された電圧を温度に変換する変換手段（ＶＧ−Ｔ変換部７）と、変換された温度に対する駆動電圧のテーブルが格納されたメモリ（テーブルメモリ８）と、前記メモリに格納されたテーブルを参照して、駆動回路から液晶表示パネル２に供給する信号のレベルを調整する演算手段（演算回路４）と、を備えるものである。
【選択図】 図１

Description

本発明は、液晶表示装置、及び液晶表示装置の駆動方法に関する。

液晶表示装置の表示方式は、液晶分子自体が持っている光の複屈折効果を利用するものと、利用しないものとに大別される。このうち、複屈折効果を利用した液晶表示装置の表示方式は、複屈折モードと呼ばれている。

複屈折モードでは、電圧を印加して液晶の配向を変えることにより液晶表示パネルの複屈折を変化させ、透過率の制御を行う。この複屈折モードの液晶表示パネルを、複屈折を有する位相差フィルムとともに用いることで、様々な種類の液晶表示モードが開発されている。例えば、フィルム補償しているＭＶＡ、ＯＣＢ、半透過型などが、複屈折モードの液晶表示装置として知られている。

ところで、液晶に電圧を印加したときに起きる配向の変化の度合いは、主に、液晶の誘電率異方性や弾性定数などの物性値によって決まっている。これらの物性値は、温度依存性を有している。そのため、温度によって、液晶分子の配向状態が変化してしまう。また、液晶や位相差フィルムの複屈折は温度依存性を有しており、温度によってその複屈折率が変化する。そのため、複屈折モードの液晶表示装置では、温度によって光の偏光状態が変化してしまう。

このように、動作環境の環境温度が変化した場合、複屈折モードの液晶表示装置では、液晶の配向と複屈折率、位相差フィルムの複屈折率が変化し、表示特性が異なってしまう。すなわち、表示特性が環境温度ごとに異なるのである。また、液晶表示パネル面内に温度差がある場合は、液晶の配向と複屈折率、位相差フィルムの複屈折率がパネル面内でばらつくため、表示ムラとなってしまうことがある。特に、黒輝度の変化は、たとえそれがわずかであっても、コントラスト比（ＣＲ比）に与える影響が大きい。そのため、温度変化に伴う黒輝度の変動を抑えることは、表示性能の変化を抑制する効果が大きくなっている。

この温度変化に伴う表示性能の変動を補償するための技術が、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１では、サーミスタなどの温度センサによって、液晶表示パネルの環境温度を検出し、検出結果に応じて駆動電圧やパルス幅を調整することによって、温度補償している。しかしながら、特許文献１では、温度センサとしてサーミスタを利用し、サーミスタの温度特性を液晶の温度特性として利用しているため、実際の液晶表示パネルの温度特性に合わせることができない。

一方、パネル内の実際の液晶の特性を利用して温度補償を行う技術が特許文献２及び特許文献３に開示されている。特許文献２では、パネル内の液晶の静電容量を検出し、その検出結果に基づいてパネル内の温度を一定に保つように調整することによって、温度補償している。同様に、特許文献３は、パネル内の液晶の静電容量を検出し、その検出結果に基づいて、コントラスト比を一定に保つように駆動電圧を調整することによって、温度補償することを特徴としている。

このように、特許文献２及び特許文献３では、検出結果により感知した温度が実際の表示素子である液晶と１：１の対応関係があるため、実際の液晶表示パネルの温度特性に合わせることが可能となる。
特開平８−１０１３７２号公報 特開２０００−８９１９９号公報 特開２００２−１４００４７号公報

しかしながら、特許文献２では、コンデンサーの充電と放電を行うサンプリングが必要となる。さらに、発熱素子の制御により、パネル内温度の調整を行っているため、均一な温度へ到達するまでにかなりの時間を要する。これらのことから、特許文献２では、リアルタイムで温度補償を行うことが困難である。

また、特許文献３では、液晶で２つの静電容量を形成し、これらの静電容量比が最大となるように、液晶表示パネルへ印加する駆動電圧のレベルが調整されている。このように、静電容量比が最大となる駆動電圧を最適値として選択する方法は、静電容量とディスプレイから出射される光学特性（透過率）とが線形の関係にある場合、すなわち、光の複屈折効果を利用しないＴＮモードにのみ有効である。静電容量と透過率とが非線形の関係にある複屈折モードでは、この方法を用いて駆動電圧を適切なレベルへ調整することができない。

本発明は、上記のような問題点を鑑みてなされたものであり、温度変化に応じて、駆動電圧を適切なレベルに調整することが可能な液晶表示装置、及び液晶表示装置の駆動方法を提供することを目的とする。

本発明にかかる液晶表示装置は、液晶表示パネルと、外部の信号源から供給される外部信号に基づいて、前記液晶表示パネルを駆動する駆動回路と、前記液晶表示パネル内の液晶の静電容量に応じて変化する電圧を検出する電圧検出手段（本発明にかかるＣ−Ｖ変換回路６）と、前記検出された電圧を温度に変換する変換手段（本発明にかかるＶＧ−Ｔ変換部７）と、前記変換された温度に対する駆動電圧のテーブルが格納されたメモリ（本発明にかかるテーブルメモリ８）と、前記メモリに格納されたテーブルを参照して、前記駆動回路から前記液晶表示パネルに供給する信号のレベルを調整する演算手段（本発明にかかる演算回路４）と、を備えるものである。

また、本発明にかかる液晶表示装置の駆動方法は、液晶表示パネルと、外部の信号源から供給される外部信号に基づいて、前記液晶表示パネルを駆動する駆動回路と、を備える液晶表示装置の駆動方法であって、前記液晶表示パネル内の液晶の静電容量に応じて変化する電圧を検出するステップと、前記検出された電圧を温度に変換するステップと、前記変換された温度に対する駆動電圧が格納されたテーブルを参照して、前記駆動回路から前記液晶表示パネルに供給する信号のレベルを調整するステップと、を備えるものである。

本発明によれば、温度変化に応じて、駆動電圧を適切なレベルに調整することが可能な液晶表示装置、及び液晶表示装置の駆動方法を提供することができる。

以下に、本発明の好ましい実施の形態を説明する。以下の説明は、本発明の実施の形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。また、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略されている。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略されている。

本実施の形態にかかる液晶表示装置について図１用いて説明する。図１は、本実施の形態にかかる液晶表示装置の構成を模式的に示した図である。図１に示すように、本実施の形態にかかる液晶表示装置１は、液晶表示パネル２及び信号源３を備えている。

また、本実施の形態にかかる液晶表示装置１は、Ｃ−Ｖ変換回路６、ＶＧ−Ｔ変換部７、テーブルメモリ８、及び演算回路４を備えている。Ｃ−Ｖ変換回路６は、温度変化に伴う液晶表示パネル２内の液晶の静電容量に応じて電圧を検出する。ＶＧ−Ｔ変換部７は、Ｃ−Ｖ変換回路６により検出された電圧を温度に変換する。変換された温度に対する駆動電圧のテーブルが格納されたテーブルメモリ８を参照して、演算回路４は、駆動回路から液晶表示パネル２に供給する信号のレベルを調整する。このように、本実施の形態では、これらＣ−Ｖ変換回路６、ＶＧ−Ｔ変換部７、テーブルメモリ８、及び演算回路４を用いて、液晶表示装置１の温度補償を行っている。これらの詳細については後述する。

まず、液晶表示パネル２について図２を参照しながら説明する。図２は、本実施の形態にかかる液晶表示パネルのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイ基板の構成を示す図である。液晶表示パネル２は、図２に示すように、基板１１を有している。基板１１は、例えば、ＴＦＴアレイ基板等のアレイ基板である。基板１１には、表示領域４１と表示領域４１を囲むように設けられた額縁領域４２とが設けられている。この表示領域４１には、複数のゲート配線（走査信号線）４３と複数のソース配線（表示信号線）４４とが形成されている。複数のゲート配線４３は平行に設けられている。同様に、複数のソース配線４４は平行に設けられている。ゲート配線４３とソース配線４４とは、互いに交差するように形成されている。ゲート配線４３とソース配線４４とは直交している。隣接するゲート配線４３とソース配線４４とで囲まれた領域が画素４７となる。従って、基板１１では、画素４７がマトリクス状に配列される。

基板１１の額縁領域４２には、走査信号駆動回路（ゲートドライバー）４５と表示信号駆動回路（ソースドライバー）５とが設けられている。ゲート配線４３は、表示領域４１から額縁領域４２まで延設され、基板１１の端部で、走査信号駆動回路４５に接続される。ソース配線４４も同様に、表示領域４１から額縁領域４２まで延設され、基板１１の端部で、表示信号駆動回路５と接続される。走査信号駆動回路４５の近傍には、外部配線４８が接続されている。また、表示信号駆動回路５の近傍には、外部配線４９が接続されている。外部配線４８、４９は、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等の配線基板である。

外部配線４８、４９を介して走査信号駆動回路４５、及び表示信号駆動回路５に、図１に示した外部の信号源３からの各種信号が供給される。走査信号駆動回路４５は信号源３からの制御信号に基づいて、ゲート信号（走査信号）をゲート配線４３に供給する。このゲート信号によって、ゲート配線４３が順次選択されていく。表示信号駆動回路５は信号源３からの制御信号や、表示データに基づいて表示信号をソース配線４４に供給する。これにより、表示データに応じた表示電圧を各画素４７に供給することができる。

画素４７内には、少なくとも１つのＴＦＴ５０が形成されている。ＴＦＴ５０はソース配線４４とゲート配線４３の交差点近傍に配置される。例えば、このＴＦＴ５０が画素電極に表示電圧を供給する。即ち、ゲート配線４３からのゲート信号によって、スイッチング素子であるＴＦＴ５０がオンする。これにより、ソース配線４４から、ＴＦＴ５０のドレイン電極に接続された画素電極に表示電圧が印加される。画素電極と対向電極との間には、表示電圧に応じた電界が生じる。なお、基板１１の表面には、配向膜（図示せず）が形成されている。

更に、基板１１には、対向基板が対向して配置されている。対向基板は、例えば、カラーフィルタ基板であり、視認側に配置される。対向基板には、カラーフィルタ、ブラックマトリクス（ＢＭ）、対向電極、及び配向膜等が形成されている。なお、対向電極は、基板１１側に配置される場合もある。基板１１と対向基板との間には液晶層が狭持される。即ち、基板１１と対向基板との間には液晶が導入されている。更に、基板１１と対向基板との外側の面には、偏光板、及び位相差板等が設けられる。また、液晶表示パネルの反視認側には、バックライトユニット等が配設される。

画素電極と対向電極との間の電界によって、液晶が駆動される。即ち、基板間の液晶の配向方向が変化する。これにより、液晶層を通過する光の偏光状態が変化する。即ち、偏光板を通過して直線偏光となった光は液晶層によって、偏光状態が変化する。具体的には、バックライトユニットからの光は、アレイ基板側の偏光板によって直線偏光になる。この直線偏光が液晶層を通過することによって、偏光状態が変化する。

偏光状態によって、対向基板側の偏光板を通過する光量は変化する。即ち、バックライトユニットから液晶表示パネルを透過する透過光のうち、視認側の偏光板を通過する光の光量が変化する。液晶の配向方向は、印加される表示電圧によって変化する。従って、表示電圧を制御することによって、視認側の偏光板を通過する光量を変化させることができる。即ち、画素ごとに表示電圧を変えることによって、所望の画像を表示することができる。

ここで、配向状態や偏光状態は、前述したように、温度によって変化するものである。そのため、視認側の偏光板を通過する光量（透過率）は、印加される表示電圧によって変化するのと同様に、温度によっても変化する。このとき、液晶表示パネル２では、透過率の変化に伴って、液晶層の静電容量が変化している。具体的には、ＴＮモードでは、透過率と静電容量とは線形の関係にあり、透過率は静電容量に比例する。複屈折モードでは、透過率と静電容量とは非線形の関係にあるので透過率は静電容量に比例しない。しかし、ＴＮモードと同様、透過率が最大（最小）となるポイントは、静電容量が最大（最小）となるポイントと同じである。すなわち、ＴＮモード、複屈折モードともに、透過率が変動するときは静電容量も変動する。そこで、この静電容量変化を利用して温度変化を検出する検出手段として、本実施の形態では、液晶表示パネル２にＣ−Ｖ変換回路６が内在されている。

図３は、本実施の形態にかかる液晶表示パネル２のＣ−Ｖ変換回路６周辺部における断面構造を示す部分断面図であり、図２のIII−III断面図である。図３に示すように、額縁領域４２かつシール材３１の内側に、Ｃ−Ｖ変換回路６が設けられている。すなわち、本実施の形態では、少なくともＣ−Ｖ変換回路６の形成される領域において、液晶層３０が表示領域４１から額縁領域４２側に延設されている。そして、Ｃ−Ｖ変換回路６より外側にシール材３１が配設される。図３には図示していないが、額縁領域４２の液晶層３０を透過した光が液晶表示パネル２から漏れないように、例えば、額縁領域４２の液晶層３０を遮光膜等で覆うように構成されている。なお、液晶層３０には液晶３２が含まれる。

Ｃ−Ｖ変換回路６には、液晶層３０を挟持するように容量電極２２ａと容量電極１５ａとが対向配置され、容量Ｃ１が形成されている。また、絶縁膜１３ａを挟持するように容量電極１５ａと容量電極１２ａとが対向配置され、容量Ｃ２が形成されている。容量電極２２ａは、対向基板２０側に配置されている。容量電極１５ａは、液晶層３０を介して容量電極２２ａの対面となるＴＦＴアレイ基板１０側の位置に配置されている。そして、容量電極１５ａの容量電極２２ａと反対側の対面となるＴＦＴアレイ基板１０上の位置には、絶縁膜１３ａを介して容量電極１２ａが配置されている。

従って、Ｃ−Ｖ変換回路６は、図４の等価回路図に示すように、誘電体が液晶となる容量Ｃ１と誘電体が絶縁膜となる容量Ｃ２との直列回路によって構成されている。ここで、容量電極２２ａの電位を基準電位とした時の２つの直列容量間の電位ＶＧは、（１）式に示される。
ＶＧ＝ＶＤＤＧ×Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ２） ・・・（１）
なお、上式（１）において、ＶＤＤＧはＣ−Ｖ変換回路６に印加される電圧である。すなわち、ＶＤＤＧは、容量電極１２ａと容量電極２２ａの間の電圧を示している。

液晶で誘電体が構成された容量Ｃ１の静電容量は、前述のように、温度によって変動するものである。一方、絶縁膜で誘電体が構成された容量Ｃ２の静電容量は、温度によって変化せず一定の値となるように形成されている。従って、（１）式より、２つの直列容量間の電位ＶＧの変化は、液晶の温度変化と１：１の対応関係にあることが分かる。すなわち、電位ＶＧを監視することによって、実際の液晶表示パネル２の温度変化を検出することができる。これにより、液晶層３０の静電容量がＣ−Ｖ変換回路６を介して電位ＶＧに変換される。本実施の形態では、容量電極１５ａが容量Ｃ１と容量Ｃ２に共用されているので、容量電極１５ａの電位を電位ＶＧとして監視すればよい。

ただし、このとき、容量Ｃ１に印加される電圧の振幅（Ｖ_ｐ−ｐ／２）が液晶の誘電率の電圧依存性が飽和する電圧以上となるように、Ｃ−Ｖ変換回路６に交流電圧を印加する（条件１）。このようにすることによって、（１）式から液晶の温度変化を正確に検出することができる。ここで、広く一般的に使用されるネマティック液晶を例に、条件１について具体的に考える。このネマティック液晶は正の誘電率異方性を示し、電圧無印加時に液晶分子は基板に対して平行に配向しているものとする。

図５は、このネマティック液晶における誘電率の電圧依存性を示したグラフである。図５に示すように、液晶分子の配向が変化し出す電圧（フレデリック電圧）以下では、液晶分子の配向は基板に対して平行なままであり、誘電率εは一定値を示す。フレデリック電圧を越えると、液晶分子は電界方向と平行な向き、すなわち、基板に対して垂直に配向しようと立ち上がり始める。その結果、誘電率εは大きくなっていく。そして、ある電圧値以上になると、液晶分子の配向変化がほとんどなくなり、誘電率εは飽和する。

表示領域４１内では、この液晶分子の配向変化を表示に利用するので、使用する電圧範囲は図５において誘電率ε変動の大きい１Ｖから５Ｖ程度までである。Ｃ−Ｖ変換回路６では、液晶の容量変化から温度変化を導き出すために、誘電率εの変動しない電圧範囲を使用する必要がある。電圧によって誘電率εが変化しない電圧範囲を使用することにより、この電圧範囲内で容量Ｃ１の液晶に印加される電圧が変化しても、容量Ｃ１の静電容量は変動しなくなる。従って、Ｃ−Ｖ変換回路６で使用する電圧範囲は、図５に示すように、フレデリック電圧より小さい電圧（例えば１Ｖ以下）、又は誘電率εの電圧依存性が飽和する電圧以上（例えば１０Ｖ以上）が適していることとなる。

しかし、フレデリック電圧より小さい電圧では、誘電率εは温度依存性が非常に小さいことが分かっている。図６は、このネマティック液晶における誘電率の温度依存性を示したグラフである。図６に示すように、フレデリック電圧未満である０Ｖを印加した状態では、誘電率εは温度によってほとんど変化せず、温度依存性が非常に小さい。一方、誘電率εの電圧依存性が飽和する電圧以上である１０Ｖを印加した状態では、誘電率εは温度によって変化し、０Ｖ印加時より温度依存性が非常に大きい。Ｃ−Ｖ変換回路６では、液晶の容量変化から温度変化を精度良く導き出すために、誘電率εの温度依存性が大きい電圧範囲を使用する必要がある。誘電率εの温度依存性が大きい電圧範囲を使用することにより、温度によって液晶の静電容量は敏感に変化するようになる。従って、条件１のように、容量Ｃ１に印加される電圧の振幅（Ｖ_ｐ−ｐ／２）は、液晶の誘電率の電圧依存性が飽和する電圧以上であることが好ましい。

また、このとき、Ｃ−Ｖ変換回路６では、容量Ｃ２が容量Ｃ１の１０倍以上、好ましくは１０倍程度の静電容量となるように設定する（条件２）。このようにすることによって、Ｃ−Ｖ変換回路６に印加する電圧ＶＤＤＧをできるだけ低く抑えることができる。ここで、容量Ｃ２の静電容量が小さい場合を考えると、（１）式より電圧ＶＤＤＧを非常に大きくしなければならないことが分かる。従って、電圧ＶＤＤＧを小さく抑えるには、条件２のように、容量Ｃ２を容量Ｃ１の１０倍程度の静電容量となるように設定することが好ましい。

条件１及び条件２を満たすＣ−Ｖ変換回路６の具体的な構成例について、図３を参照しながら説明する。図３に示したように、対向基板２０の基板２１上に設けられた対向電極２２（共通電極）をＣ−Ｖ変換回路６に延在し、容量電極２２ａとする。そして、対向基板２０のコモン電位（対向電極２２の電位）をＣ−Ｖ変換回路６の基準電位に使用する。また、ボトムゲート型の場合、ＴＦＴアレイ基板１０に設けられたゲート電極と同じ層によって容量電極１２ａを形成する。さらに、ゲート絶縁膜を絶縁膜１３ａとして用い、ソース・ドレイン電極と同じ層によって容量電極１５ａを形成する。そして、Ｃ−Ｖ変換回路６の他方の電極には、ゲートＯＮの電位、及びゲートＯＦＦの電位を供給することで交流化する。

これにより、ドット反転駆動の場合、（１）式におけるＣ−Ｖ変換回路に印加される電圧ＶＤＤＧは、ゲートＯＮとコモンとの電位差、及びゲートＯＦＦとコモンとの電位差となる。ラインコモン反転駆動の場合、ドット反転駆動に比べ、ＤＣ−ＤＣ回路での昇圧レベルを落とすことができる。

このように、容量電極２２ａに対向電極２２の電位、容量電極１２ａにゲート信号のＯＮ／ＯＦＦの電位をそれぞれ印加する。これらの電位を用いることによって、新たな電位供給配線を設けることなくＣ−Ｖ変換回路６を形成することができる。また、容量電極２２ａ、１５ａ、１２ａは、対向電極２２、ソース・ドレイン電極、又はゲート電極と同じ層によって形成されるため、製造プロセスの工程数を増やすことなくＣ−Ｖ変換回路６を形成することができる。

さらに、本実施の形態にかかる液晶表示装置１は、図１に示すように、Ｃ−Ｖ変換回路６に加え、ＶＧ−Ｔ変換部７、テーブルメモリ８、及び演算回路４を備えている。

液晶層３０の静電容量は、前述したように、Ｃ−Ｖ変換回路６を介して電位ＶＧに変換され、容量電極１５ａから出力される。容量電極１５ａと容量電極２２ａの間の電圧を測定することで、容量電極２２ａの電位を基準電位とする電位ＶＧが検出される。Ｃ−Ｖ変換回路６によって検出された電位ＶＧは、次に、ＶＧ−Ｔ変換部７に引き渡される。ＶＧ−Ｔ変換部７には、現状の駆動条件で駆動した時のＶＧ−Ｔ参照テーブルが格納されている。ＶＧ−Ｔ参照テーブルを参照することによって、本実施の形態の液晶表示パネル２に使用される液晶が、現在設定されている駆動条件で駆動されたときに測定した電位ＶＧから温度に変換することができる。さらに、その電位ＶＧのデータには、温度が対応付けられている。従って、ある駆動条件で電位ＶＧを測定すると、その時の温度が検出される。なお、駆動条件は後述するように温度によって異なる。そして、ＶＧ−Ｔ変換部７は、Ｃ−Ｖ変換回路６から引き渡された電位ＶＧを温度に変換する。すなわち、ＶＧ−Ｔ変換部７は、ＶＧ−Ｔ参照テーブルを参照して、電位ＶＧを温度データへ変換している。換言すると、Ｃ−Ｖ変換回路６より引き渡された電位ＶＧは、ＶＧ−Ｔ変換部７により、温度データへ変換される。これにより、液晶の静電容量変化に応じて温度が検出され、液晶層３０の現状の温度が分かる。

ＶＧ−Ｔ変換部７によって変換された温度データは、次に、テーブルメモリ８へと送られる。テーブルメモリ８は、この温度に最適な駆動条件を演算回路４へ引き渡すとともに、ＶＧ−Ｔ変換部７のＶＧ−Ｔ参照テーブルを新しいテーブルに置き換える。ＶＧ−Ｔ変換部７は、新しく書き換えられたＶＧ−Ｔ参照テーブルを参照し、次に測定された電位ＶＧを温度に変換する。

図７は、テーブルメモリ８に格納されているテーブルを示す図である。ここで、テーブルメモリ８には、図７に示すように、Ｔ−駆動条件参照テーブル８１と、その駆動条件におけるＶＧ−Ｔ参照テーブル８２とが格納されている。Ｔ−駆動条件参照テーブル８１及びＶＧ−Ｔ参照テーブル８２は、各温度に応じてそれぞれ作成されている。具体的には、ある温度範囲ｙ℃〜ｚ℃内に設けられた所定の温度ごとに、一つのＴ−駆動条件参照テーブル８１と一つのＶＧ−Ｔ参照テーブル８２とが作成される。すなわち、ある温度において一つのＴ−駆動条件参照テーブル８１に一つのＶＧ−Ｔ参照テーブル８２が対応づけられている。これらの温度は、所定の温度間隔であってもよいし、任意に決められていてもよい。よって、テーブルメモリ８には、複数のＴ−駆動条件参照テーブル８１と、複数のＶＧ−Ｔ参照テーブル８２とが格納されている。

Ｔ−駆動条件参照テーブル８１には、各温度における最適駆動条件が格納されている。具体的には、ソース振幅Ｖ_ｓａ、ソース振幅中心Ｖ_ｓｏ、及び対向電極２２の電位Ｖ_ｃｏｍが各諧調ごとに記されている。なお、ソース振幅Ｖ_ｓａは、（Ｖ_ｐ−ｐ／２）の値を示す。すなわち、各温度においてコントラスト比を一定に保つための駆動条件が、最適駆動条件としてＴ−駆動条件参照テーブル８１に格納されている。

そして、電位ＶＧと液晶の温度の関係を記したテーブルが、ＶＧ−Ｔ参照テーブル８２として格納されている。ＶＧ−Ｔ参照テーブル８２は、最適駆動条件ごとに作成される。すなわち、ＶＧ−Ｔ参照テーブル８２は、液晶表示パネル２に使用される液晶が最適駆動条件で駆動されたときに測定した電位ＶＧを温度に変換するためのテーブルである。Ｃ−Ｖ変換回路６が示す電位ＶＧの値は、Ｃ１の静電容量変化に伴って変動する。よって、電位ＶＧは、温度変化によって変動し、また駆動される駆動条件の変化によって変動する。従って、駆動条件を変更した場合は、その都度、ＶＧ−Ｔ変換部７のＶＧ−Ｔ参照テーブルを、その駆動条件に適したものに書き換えておく必要がある。そのために、テーブルメモリ８には、各温度に適した駆動条件に応じたＶＧ−Ｔ参照テーブル８２が格納されている。

このように、テーブルメモリ８は、Ｔ−駆動条件参照テーブル８１から現状の温度に最適な駆動条件を演算回路４へ引き渡すとともに、この駆動条件におけるＶＧ−Ｔ参照テーブル８２をＶＧ−Ｔ変換部７のＶＧ−Ｔ参照テーブルへ上書きする。

液晶表示パネル２には、テレビチューナーやパソコンなど外部の信号源３からの各種信号が供給される。また、信号源３は、液晶表示パネル２の外部に設けられたタイミングコントローラでもよい。信号源３からの表示データは、演算回路４を介して、液晶表示パネル２のソースドライバー５に供給される。演算回路４は、テーブルメモリ８から引き渡された最適駆動条件（各諧調のＶ_ｓａ、Ｖ_ｓｏ、Ｖ_ｃｏｍ）を参照して、信号源３からの信号を補正する。例えば、演算回路４は、デジタルの諧調データをアナログ信号に変換するとともに、上記補正を行う。そして、補正後の信号をソースドライバー５に供給する。

ここで、補正後の信号は、液晶の温度依存性によるコントラスト比の変動を相殺するように決定されているものである。これにより、温度変化に応じて適切なレベルに調整された表示電圧が、ソースドライバー５から液晶表示パネル２の各画素４７に供給される。同様に、温度変化に応じて適切なレベルに調整されたコモン電位Ｖ_ｃｏｍが対向電極２２に供給される。従って、環境温度が変化しても、液晶表示装置１の表示特性が異なることなく、一定に保たれる。

なお、Ｃ−Ｖ変換回路６から検出した電位ＶＧに基づいて最適な駆動条件に調整するタイミングは、任意に設定することができる。ユーザの指示を受け付けた場合など随時であってもよいが、周期的に行うよう設定されていることが好ましい。例えば、最適な駆動電圧のレベル変化によるコントラスト比の低下がユーザに視認されない程度の周期に設定されていることが好ましい。このようにテーブルの更新を周期的に行うように設定されている場合は、Ｃ−Ｖ変換回路６、ＶＧ−Ｔ変換部７、テーブルメモリ８、及び演算回路４による前述の温度補償を行うための動作を繰り返す。

以上のように、本実施の形態では、液晶表示パネル２内の液晶の静電容量を検出し、その検出結果に基づいて、コントラスト比を一定に保つように駆動電圧を調整することによって、温度補償する。液晶表示パネル２の表示領域４１外側には、容量回路が温度検出器として配設されている。この容量回路の静電容量変化を電圧に変換し、温度を検出する。検出された温度に基づいて演算処理を行い、最適な駆動電圧を液晶に印加する。これにより、温度変化に応じて駆動電圧を適切なレベルへ調整することができ、瞬時に温度補償を行うことが可能となる。従って、コントラスト比の劣化を防止することができる。また、環境温度に応じて最適なコモン電位が設定されるので、フリッカーや焼き付きの発生を抑制することができる。さらに、その環境温度に応じて最適な諧調−電圧特性が設定されるので、ガンマ特性を一定に保つことができる。

特に、本実施の形態では、液晶の静電容量変化から電位ＶＧに変換して温度変化を検出し、検出された温度に対する最適駆動電圧が格納されたテーブルを参照して駆動電圧を調整する方法を用いている。そのため、静電容量と透過率とが線形の関係にあるＴＮモードだけでなく、これらが非線形の関係にある複屈折モードの液晶表示装置にも適用することが可能となる。複屈折効果を利用する液層表示装置に本発明を適用することで、例えば、ＥＣＢモード、ＶＡモード、ＩＰＳモード、ＯＣＢモード、円偏光を利用する半透過型などの液晶表示装置において、上述のように温度補償を行うことができる。

なお、本実施の形態では、ボトムゲート型のＴＦＴを用いた液晶表示パネル２にＣ−Ｖ変換回路６を形成する場合について例示的に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、トップゲート型のＴＦＴを用いた液晶表示パネル２であってもよい。この場合、容量電極１２ａをソース・ドレイン電極１５と同じ層によって形成し、容量電極１５ａをゲート電極１２と同じ層によって形成すると、工程数を増やすことなくＣ−Ｖ変換回路６を形成することができる。

また、本実施の形態では、Ｃ−Ｖ変換回路６を１つ設ける場合について説明をしたが、例えば複数設けてもよい。例えば、複数のＣ−Ｖ変換回路６を分散させて配置し、これらの電位ＶＧの平均値を用いて温度補償を行ってもよい。これにより、液晶表示パネル面内で温度差がある場合は、表示ムラを抑制することが可能となる。

なお、Ｃ−Ｖ変換回路６は、額縁領域４２のうち、ソースドライバー５あるいはゲートドライバー４５が設けられていない辺に形成されることが好ましい。ソースドライバー５あるいはゲートドライバー４５が設けられた辺には、一般的に、ソース配線４４又はゲート配線４３の引き回し配線が混み入って配置されている。そのため、Ｃ−Ｖ変換回路６をソースドライバー５あるいはゲートドライバー４５が設けられた辺に形成する場合、幅１ｍｍ程度のＣ−Ｖ変換回路６を避けるようなレイアウトで引き回し配線を配置させる必要がある。従って、Ｃ−Ｖ変換回路６自体に要する領域に加え、Ｃ−Ｖ変換回路６を避けて配線を引き回すのに要する領域が必要となり、額縁領域４２が大幅に拡大してしまう。一方、Ｃ−Ｖ変換回路６をソースドライバー５あるいはゲートドライバー４５が設けられた辺を除く領域に形成する場合は、額縁領域４２にはＣ−Ｖ変換回路６自体に要する領域分のみが必要である。従って、額縁領域４２の拡大を必要最小限に留めることができる。

なお、本実施の形態では、ある温度範囲ｙ℃〜ｚ℃内から選択された各温度ごとに各種データを格納している。温度間隔を狭くしていくか、あるいは都度補間を行って、温度検出の精度を上げてもよい。すなわち、Ｃ−Ｖ変換回路６からＶＧ−Ｔ変換部７に引き渡された電位ＶＧに一致するデータがＶＧ−Ｔ変換参照テーブルにない場合は、隣接するデータから補間して温度、最適駆動条件等を導き出してもよい。

さらに、ソースドライバー５、及び演算回路４は、物理的に単一な構成でもよい。すなわち、ソースドライバー５に演算回路４の機能を持たせてもよい。同様に、Ｃ−Ｖ変換回路６とＶＧ−Ｔ変換部７は、物理的に単一な構成でもよい。Ｃ−Ｖ変換回路６にＶＧ−Ｔ変換部７の機能を持たせてもよい。なお、温度を検出する検出器の構成は、上記の構成に限るものではない。すなわち、液晶の静電容量に応じて変化する電位ＶＧを監視する以外の方法によって、温度を検出してもよい。

実施例．
次に、図８に示すような液晶と位相差フィルムの複屈折を利用した半透過型液晶表示装置に本実施の形態を用いる場合の具体的な適用例について、以下に説明する。この半透過型液晶表示装置の全体構成については、図１に示した液晶表示装置１と同様であるため説明を省略する。

図８は、複屈折モードの半透過型液晶表示装置に用いられる液晶表示パネルの一画素を示した部分断面図である。なお、図８では適宜省略して記載されているが、基本的な構成については、図２に示した液晶表示パネル２と同様である。図８において、液晶表示パネル２の画素４７内には、透過電極１７及び反射電極１８を含む画素電極がＴＦＴアレイ基板１０に形成されている。反射電極１８が設けられた領域が反射領域となり、透過電極１７が設けられた領域が透過領域である。

また、対向基板２０には、カラーフィルタ２３が形成されている。反射領域では、図８のようにカラーフィルタ２３が一部除去されたスルーホール等が設けられることがある。また、反射領域では、セルギャップを透過領域より狭くするための段差が設けられることがあり、ここではカラーフィルタ２３の上にオーバーコート２４が形成されている。対向電極２２は、これらカラーフィルタ２３及びオーバーコート２４を覆うように配設されている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層３０が挟持される。

液晶表示パネル２の外側の表面には、図８に示すように、偏光板１９、２９が配設されている。ＴＦＴアレイ基板１０側には、偏光板１９が基板１１の外側の面に設けられている。偏光板１９は、λ／４位相差板１９１、λ／２位相差板１９２、及び偏光子１９３が積層された積層構造である。同様に、対向基板２０側には、偏光板２９が基板２１の外側の面に設けられている。偏光板２９は、拡散粘着材２９１、λ／４位相差板２９２、λ／２位相差板２９３、及び偏光子２９４が積層された積層構造を有する。

画素電極と対向電極２２との間の電界によって、液晶が駆動され、基板間の液晶の配向方向が変化する。透過領域では、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられた偏光子１９３によって、バックライトユニットからの光が直線偏光になる。そして、この直線偏光がλ／２位相差板１９２、λ／４位相差板１９３、液晶層３０、λ/位相差板２９２、及びλ／２位相差板２９３を通過することによって、偏光状態が変化する。一方、反射領域では、液晶表示パネル２の視認側から入射した外光が、対向基板２０側の偏光子２９４によって直線偏光になる。そして、この光が、λ／２位相差板２９３、λ／４位相差板２９２、及び液晶層３０を往復することによって、偏光状態が変化する。

そして、偏光状態によって、対向基板２０側の偏光子２９４を通過する光量が変化する。すなわち、バックライトユニットから液晶表示パネル１０２を透過する透過光、及び液晶表示パネル２で反射される反射光のうち、視認側の偏光子２９４を通過する光の光量が変化する。液晶の配向方向は、印加される表示電圧によって変化する。従って、表示電圧を制御することによって、視認側の偏光子２９４を通過する光量を変化させることができる。すなわち、画素毎に表示電圧を変えることによって、所望の画像を表示することができる。

図９は、液晶表示パネル２の透過率特性を示すグラフである。図９に示すように、液晶に印加する表示電圧によって、透過率が変化する。また、環境温度によって透過率が変化することがわかる。

そのため、液晶表示パネル２には、Ｃ−Ｖ変換回路６が内在されている。図１０は、本実施の形態にかかる液晶表示パネルのＣ−Ｖ変換回路６周辺部における別の断面構造を示す部分断面図である。図１０は、図３と同様、図２のIII−III断面図に相当する。

図１０において、図３と同様、誘電体が液晶となる容量Ｃ１と誘電体が絶縁膜となる容量Ｃ２との直列回路によって構成されたＣ−Ｖ変換回路６が、額縁領域４２に形成されている。なお、図３と同様、図１０には図示していないが、額縁領域４２の液晶層３０を透過した光が液晶表示パネル２から漏れないように、例えば、額縁領域４２の液晶層３０を遮光膜等で覆うように構成されている。

ここで、ＴＦＴアレイ基板１０の表示領域４１には、図１０に示すように、スイッチング素子としてボトムゲート型のＴＦＴ５０が形成されている。具体的には、基板１１上にゲート電極１２が形成される。ゲート絶縁膜１３を介してゲート電極１２を覆うように半導体層１４が設けられている。半導体層１４の上には、ソース・ドレイン電極１５が形成され、これらを覆うように保護膜１６が配設されている。

そこで、容量電極１２ａはゲート電極１２と同じ層、容量電極１５ａはソース・ドレイン電極１５と同じ層によって形成されている。容量電極１２ａ、１５ａは表示領域４１に沿って矩形状に形成されている。その寸法は、表示領域４１と額縁領域４２の境界線に沿う方向に１ｍｍ、境界線に垂直な方向に０．１ｍｍである。また、ゲート絶縁膜１３を延設して絶縁膜１３ａとしている。ここでは、絶縁膜１３ａとして、誘電率ε＝７．６（０℃から６０℃の範囲で一定）のＳｉＮが０．３μｍの厚さで形成されている。そのため、容量Ｃ２の静電容量は、２２．４ｐＦとなる。

容量電極２２ａは、対向電極２２から延設して形成されている。ここでは、画素４７内の反射領域に設けられたオーバーコート２４がＣ−Ｖ変換回路６にも形成されている。従って、画素４７内の透過領域におけるセルギャップが３．８μｍのところ、Ｃ−Ｖ変換回路６におけるセルギャップは２．０μｍとなる。このように、オーバーコート２４や平坦化膜（アクリル）等、膜厚１μｍ以上の膜を対向基板２０側もしくはＴＦＴアレイ基板１０側に形成することによって、容量電極２２ａ、１５ａ間の距離を狭くできる。すなわち、容量Ｃ１の静電容量を大きくすることができ、その結果Ｃ−Ｖ変換回路６の面積を小さくすることができる。なお、図１０に示すように、容量電極１５ａ上の保護膜１６は除去されており、容量Ｃ１の誘電体には保護膜１６が含まれていない。

用いた液晶の誘電率εは、図６示した電圧依存性、及び図７に示した温度依存性を有している。駆動方式は、ドット反転駆動を用いる。よって、対向電極２２及び容量電極２２ａの電位は固定となる。ここでは、対向電極２２及び容量電極２２ａの電位として、表示領域４１のフリッカーが最小となるよう最適値を設定し、初期値を５Ｖとする。容量電極１２ａには、ゲートＯＮ／ＯＦＦの電位である、２３Ｖ及び−１３Ｖの交流で印加する。このとき、容量Ｃ１には、０℃から６０℃の範囲で１０Ｖ以上の電圧が印加される。よって、条件１を満たしている。すなわち、図６において液晶の誘電率の電圧依存性は飽和し、かつ図７において誘電率の温度依存性が大きいため、温度変化を正確に算出することができる。

このようなＣ−Ｖ変換回路６の容量電極１５ａから、電位ＶＧを検出する。この電位ＶＧから最適駆動条件を設定するためのシステムについて、以下に説明する。ここでは、初期２０℃であった環境温度が６０℃になった場合を例に、具体的に説明する。

図１１は、ＶＧ−Ｔ変換部７内のＶＧ−Ｔ参照テーブルを示している。初期状態のＶＧ−Ｔ参照テーブルには、２０℃における最適駆動条件で駆動した時に測定した電位ＶＧと温度の関係を記したデータが格納されている。具体的には、図１１に示すように、０℃、２０℃、４０℃、及び６０℃に対応する電位ＶＧがＶＧ−Ｔ参照テーブルに格納されている。なお、ここでは、温度補償の対象とする温度範囲を０℃〜６０℃、温度間隔は２０℃ステップとして例示的に説明するが、これらの値は適宜変更することが可能である。

環境温度が６０℃になると、Ｃ−Ｖ変換回路６では電位ＶＧが１５．９Ｖとなり、この値がＶＧ−Ｔ変換部７へ出力される。そして、ＶＧ−Ｔ変換部７内のＶＧ−Ｔ参照テーブルから、環境温度が６０℃であることが参照される。そこで、電位ＶＧから変換した温度データ６０℃を、テーブルメモリ８に出力する。

図１２は、テーブルメモリ８内のテーブルを具体的に示している。図１２に示すように、テーブルメモリ８には、Ｔ−駆動条件参照テーブル８１とその駆動条件におけるＶＧ−Ｔ参照テーブル８２とが、温度範囲０℃〜６０℃において２０℃間隔で格納されている。Ｔ−駆動条件参照テーブル８１には、各温度に適した最適駆動条件（ソース振幅Ｖ_ｓａ、ソース振幅中心Ｖ_ｓｏ、コモン電位Ｖ_ｃｏｍ）が各諧調ごとに記されている。図１２では、６４諧調の場合として例示的に記している。これら各温度の最適駆動条件は、例えば、図９の透過率データを基に最適値が決定されている。テーブルメモリ８は、これらのデータから６０℃の最適駆動条件データを選択し、演算回路４に引き渡す。同時に、６０℃の駆動条件におけるＶＧ−Ｔ参照テーブル８２をＶＧ−Ｔ変換部７へ引き渡して、駆動条件のＶＧ−Ｔ参照テーブルを２０℃のものから６０℃のものへ更新する。

そして、信号源３から供給された信号は、演算回路４によって６０℃に最適な信号へ補正される。これにより、６０℃に最適な諧調−電圧特性の駆動電圧が液晶表示パネル２に供給される。このようにして、環境温度が２０℃から６０℃に変化しても、透過率の温度依存性はなくなり、コントラスト比を一定に保つことができる。

例えば、黒表示をする場合は、２０℃では４．９Ｖの表示電圧が供給されていたが、環境温度が６０℃へ変化すると、図１２のＴ−駆動条件参照テーブル８１に示すように、５．２Ｖの表示電圧が供給されるよう信号が変換される。よって、図９から明らかなように、６０℃における５．２Ｖの輝度（透過率）は、２０℃における４．９Ｖの輝度と同じになる。一方、本発明を用いず温度補償を行わない場合は、図９において６０℃における５．２Ｖの輝度が２０℃における４．９Ｖの輝度より高くなる。その結果、コントラスト比が半分以下に低下する。従って、温度補償を行うことにより、コントラスト比を大幅に向上することができる。

以上の説明は、本発明の実施の形態を説明するものであり、本発明が以上の実施の形態に限定されるものではない。また、当業者であれば、以上の実施の形態の各要素を、本発明の範囲において、容易に変更、追加、変換することが可能である。

本実施の形態にかかる液晶表示装置の構成を模式的に示した図である。 本実施の形態にかかる液晶表示パネルのＴＦＴアレイ基板の構成を示す図である。 本実施の形態にかかる液晶表示パネルのＣ−Ｖ変換回路周辺部における断面構造を示す部分断面図である。 本実施の形態にかかるＣ−Ｖ変換回路の等価回路図である。 液晶の誘電率の電圧依存性を示したグラフである。 液晶の誘電率の温度依存性を示したグラフである。 本実施の形態にかかるテーブルメモリに格納されているテーブルを示す図である。 本実施の形態にかかる複屈折モードの半透過型液晶表示装置に用いられる液晶表示パネルの一画素を示した部分断面図である。 本実施の形態にかかる液晶表示パネルの透過率特性を示すグラフである。 本実施の形態にかかる液晶表示パネルのＣ−Ｖ変換回路周辺部における断面構造を示す部分断面図である。 本実施の形態にかかるＶＧ−Ｔ変換部内のＶＧ−Ｔ参照テーブルを示した図である。 本実施の形態にかかるテーブルメモリ内のテーブルを具体的に示した図である。

符号の説明

１ 液晶表示装置、２ 液晶表示パネル、３ 信号源、４ 演算回路、
５ 表示信号駆動回路（ソースドライバー）、６ Ｃ−Ｖ変換回路、
７ ＶＧ−Ｔ変換部、８ テーブルメモリ、
１０ 薄膜トランジスタアレイ基板、１１ 基板、１２ ゲート電極、
１２ａ 容量電極、１３ ゲート絶縁膜、１３ａ 絶縁膜、
１４ 半導体層、１５ ソース・ドレイン電極、１５ａ 容量電極、
１６ 保護膜、１６ 透過電極、１８ 反射電極、１９ 偏光板、
２０ 対向基板、２１ 基板、２２ 対向電極、２２ａ 容量電極、
２３ カラーフィルタ、２４ オーバーコート、２９ 偏光板、
３０ 液晶層、３１ シール材、３２ 液晶、
４１ 表示領域、４２ 額縁領域、４３ ゲート配線、４４ ソース配線、
４５ 走査信号駆動回路（ゲートドライバー）、４７ 画素、
４８、４９ 外部配線、５０ ＴＦＴ、
８１ Ｔ−駆動条件参照テーブル、８２ ＶＧ−Ｔ参照テーブル、
１９１ λ／４位相差板、１９２ λ／２位相差板、１９３ 偏光子、
２９１ 拡散粘着材、２９２ λ／４位相差板、２９３ λ／２位相差板、
２９４ 偏光子、Ｃ１、Ｃ２ 容量

Claims (20)

1. 液晶表示パネルと、
   外部の信号源から供給される外部信号に基づいて、前記液晶表示パネルを駆動する駆動回路と、
   前記液晶表示パネル内の液晶の静電容量に応じて変化する電圧を検出する電圧検出手段と、
   前記検出された電圧を温度に変換する変換手段と、
   前記変換された温度に対する駆動電圧のテーブルが格納されたメモリと、
   前記メモリに格納されたテーブルを参照して、前記駆動回路から前記液晶表示パネルに供給する信号のレベルを調整する演算手段と、を備える液晶表示装置。
2. 前記電圧検出手段は、
   前記液晶表示パネル内の液晶を誘電体とした第１容量と、前記第１容量と直列接続された、所定の温度範囲内において静電容量が一定である第２容量と、を含み、
   前記第１容量と前記第２容量との間の電位を監視することによって、電圧を検出することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第２容量は、前記液晶表示パネルの薄膜トランジスタアレイ基板上に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記第１容量及び前記第２容量は、前記液晶表示パネルの額縁領域に設けられていることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶表示装置。
5. 前記第２容量の静電容量は、前記第１容量の静電容量の１０倍以上であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
6. 前記電圧検出手段に供給される基準電位は、前記液晶表示パネルの対向電極に供給されるコモン電位である請求項２乃至５のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
7. 前記第１容量の一方の容量電極は、前記対向電極と同じ層によって形成され、他方の容量電極は、前記第２容量の容量電極対のいずれか一方である請求項６に記載の液晶表示装置。
8. 前記第２容量の容量電極対のうち、一方の容量電極は、薄膜トランジスタのゲート電極と同じ層によって形成され、他方の容量電極は、前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極と同じ層によって形成されている請求項２乃至７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
9. 前記対向基板の基板と前記第１容量との間、又は前記薄膜トランジスタアレイ基板の基板と前記第２容量との間に、前記第１容量の容量電極間の距離を狭くするための段差が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
10. 前記演算手段は、前記信号を、前記変換された温度に適した駆動電圧のレベルに調整することにより、温度変化によるコントラスト比変動を抑止することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
11. 液晶表示パネルと、
    外部の信号源から供給される外部信号に基づいて、前記液晶表示パネルを駆動する駆動回路と、を備える液晶表示装置の駆動方法であって、
    前記液晶表示パネル内の液晶の静電容量に応じて変化する電圧を検出するステップと、
    前記検出された電圧を温度に変換するステップと、
    前記変換された温度に対する駆動電圧が格納されたテーブルを参照して、前記駆動回路から前記液晶表示パネルに供給する信号のレベルを調整するステップと、を備える液晶表示装置の駆動方法。
12. 前記電圧を検出するステップでは、前記液晶表示パネル内の液晶を誘電体とした第１容量と、前記第１容量と直列接続された、所定の温度範囲内において一定の静電容量を有する第２容量との間の電位を監視することによって、電圧を検出することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置の駆動方法。
13. 前記第２容量は、前記液晶表示パネルの薄膜トランジスタアレイ基板上に形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の駆動方法。
14. 前記第１容量及び前記第２容量は、前記液晶表示パネルの額縁領域に設けられていることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の液晶表示装置の駆動方法。
15. 前記第２容量の静電容量は、前記第１容量の静電容量の１０倍以上であることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の液晶表示装置の駆動方法。
16. 前記第１容量又は前記第２容量に供給する基準電位は、前記液晶表示パネルの対向電極に供給されるコモン電位であることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載の液晶表示装置の駆動方法。
17. 前記第１容量の一方の容量電極は、前記対向電極と同じ層によって形成され、他方の容量電極は、前記第２容量の容量電極対のいずれか一方である請求項１６に記載の液晶表示装置の駆動方法。
18. 前記第２容量の容量電極対のうち、一方の容量電極は、薄膜トランジスタのゲート電極と同じ層によって形成され、他方の容量電極は、前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極と同じ層によって形成されている請求項１２乃至１７のいずれか一項に記載の液晶表示装置の駆動方法。
19. 前記対向基板の基板と前記第１容量との間、又は前記薄膜トランジスタアレイ基板の基板と前記第２容量との間に、前記第１容量の容量電極間の距離を狭くするための段差が形成されていることを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置の駆動方法。
20. 前記信号のレベルを調整するステップでは、温度変化によるコントラスト比変動を抑止するように、前記変換された温度に適した駆動電圧のレベルに調整することを特徴とする請求項１１乃至１９のいずれか一項に記載の液晶表示装置の駆動方法。

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