JP2009069186A - 光電子回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な構成でスイッチ機能と接続状態の確認機能を兼ね備えた接続確認モジュールを搭載した光電子回路基板を提供する。
【解決手段】第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂ、及び光導波路１０Ｃを備えた光電子回路基板１に開口１３を設け、その開口１３に光接続確認モジュール３を挿入する。光接続確認モジュール３は、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄを有し、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄは、それぞれが、ミラー３２２を有している。光接続確認モジュール３は、プッシュ操作を行うことにより、光導波路１０を伝播する光信号２を光路変換し、光路変換された光信号２を第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄの上面３２３から可視光として出射させる。検査者は、出射した光信号２を目視することで、光接続の状態を確認することが出来る。
【選択図】図６

Description

本発明は、光電子回路基板に関する。

従来の技術として、コネクタに接続された複数の光ファイバと、複数の光ファイバの他端に接続されたスライド切替式の光スイッチと、更にスライド切替式の光スイッチの複数の光ファイバが接続された面に対向する面に、複数の光ファイバの半分の数の光ファイバが接続されている光ファイバ変換コードが提案されている。（例えば、特許文献１参照）。

この光ファイバ変換コードの接続状態の良否を判定するため、複数の光ファイバを接続した側の光ファイバの端面から信号光を入射させ、光スイッチのオン・オフ操作を行って他端における所定の光ファイバ端面からの信号光の出射光を光パワーメータで確認し、この操作を複数の光ファイバを接続した側の各光ファイバについて行なうことにより光ファイバの接続状態の良否を判定することができる。

特開平８−３１３３９号公報

本発明の目的は、簡単な構成で光接続状態を容易に確認することができる接続確認モジュールを搭載した光電子回路基板を提供することにある。

本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の光電子回路基板を提供する。

（１）対向する第１及び第２の面を貫通する第１の開口を有する主基板と、前記主基板の前記第２の面側に設けられ、前記第１の開口を通る光軸上に第１の光路変換面を有する光導波路と、前記光軸上において前記光導波路の前記第１の光路変換面に光信号を入力、又は前記第１の光路変換面からの前記光信号を出力する光素子と、前記主基板及び前記光導波路に設けられた第２の開口に挿入され、前記光導波路を伝播する前記光信号の光路を変換する第２の光路変換面を有する光接続確認モジュールと、を備え、前記光接続確認モジュールは、前記第１の面から前記第２の面方向のプッシュ操作に基づいて前記光導波路を伝播する前記光信号の光路を前記第２の光路変換面によって変換する光電子回路基板。

（２）前記光導波路は、前記光信号が伝播する少なくとも１つのコアを有し、前記光接続確認モジュールは、前記少なくとも１つのコアに基づいて前記少なくとも１つのコアを伝播する前記光信号の光路を前記第２の光路変換面によって変換し、光信号取出面から光信号を取り出す光信号取出部を有し、前記光信号取出部は、前記プッシュ操作に基づいて前記光信号を前記光信号取出面から取り出す前記（１）に記載の光電子回路基板。

（３）前記光接続確認モジュールは、前記第１の開口との間に弾性部材を有し、前記弾性部材は、前記第２の面から前記第１の面方向に弾性力を前記光接続確認モジュールに付加する前記（１）又は（２）に記載の光電子回路基板。

（４）前記光導波路は、前記光信号が伝播する少なくとも１つのコアを有し、前記光接続確認モジュールは、前記少なくとも１つのコア毎に前記光信号取出部と共に変位可能な複数の可動部を有し、前記少なくとも１つのコア毎に前記光信号を取り出す前記（２）又は（３）に記載の光電子回路基板。

（５）前記光接続確認モジュールは、前記複数の可動部と前記第１の開口との間に複数の弾性部材を有し、前記複数の弾性部材は、前記第２の面から前記第１の面方向に弾性力を前記光接続確認モジュールの前記複数の可動部に付加する前記（４）に記載の光電子回路基板。

（６）前記光接続確認モジュールの前記光信号取出部は、前記光導波路を伝播する前記光信号の一部の光路を変換する第３の光路変換面を有し、前記プッシュ操作に基づいて前記光信号の一部を取り出す前記（１）から（５）のいずれか１項に記載の光電子回路基板。

（７）前記光接続確認モジュールは、前記主基板及び前記光導波路に設けられた複数の開口に挿入され、前記プッシュ操作に基づいて前記光導波路を伝播する前記光信号の光路を前記光信号取出部の前記第２の光路変換面によって変換し、前記光信号を取り出す前記（６）に記載の光電子回路基板。

請求項１に記載の光電子回路基板によれば、光接続確認モジュールのプッシュ操作に基づいて光導波路を伝播する光信号を基板外に取り出すことで、光導波路と光素子の接続状態を容易に確認することができる。

請求項２に記載の光電子回路基板によれば、光接続確認モジュールのプッシュ操作に基づいて光導波路を伝播する少なくとも１つの光信号を光信号取出部から基板外に取り出すことで、光導波路と光素子の光接続の確認、それらの異常の有無の確認、及び光接続のオン・オフを行うことができる。

請求項３に記載の光電子回路基板によれば、光接続確認モジュールがプッシュ操作された後、光接続確認モジュールは、弾性部材の弾性力によって初期位置に復帰することができる。

請求項４に記載の光電子回路基板によれば、光接続確認モジュールのプッシュ操作に基づいて、光導波路が有するコア毎に光信号を取り出すことで、光導波路を伝播する光信号を遮断することができる。

請求項５に記載の光電子回路基板によれば、光接続確認モジュールがプッシュ操作された後、光接続確認モジュールは、光導波路が有するコア毎に設けられた弾性部材の弾性力によって、初期位置に復帰することができる。

請求項６に記載の光電子回路基板によれば、光導波路を伝播する光信号を遮断せずに、光信号の基板外への取り出し、光導波路と光素子の光接続の確認、それらの異常の有無の確認、及び光接続のオン・オフを行うことができる。

請求項７に記載の光電子回路基板によれば、光信号の基板外への取り出し、光導波路と光素子の光接続の確認、それらの異常の有無の確認、及び光接続のオン・オフをより正確に行うことができる。

［第１の実施の形態］
（光電子回路基板１の構成）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の斜視図であり、図１（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る図１（ａ）のＡ−Ａ線における光電子回路基板の中央部分の断面図であり、図１（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る図１（ａ）のＢ−Ｂ線における光電子回路基板の断面図であり、図２は、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールを取り外したときの光電子回路基板の斜視図である。

本実施形態に係る光電子回路基板１は、後述する光接続確認モジュール３と、図１（ａ）に示す主基板としての第１の基板１０Ａと第２の基板１０Ｂとの間に光導波路１０Ｃを挟んで形成される基板１０と、光信号２が伝播する光導波路１０Ｃの一方の側（送信側）において基板１０の第１の面としての実装面１３０上に搭載される第１の光モジュール１２Ａと、光導波路１０Ｃの他方の側（受信側）において基板１０の実装面１３０上に搭載される第２の光モジュール１２Ｂとを備える。また、基板１０には、図２に示すように、接続確認モジュール３を挿入可能な後述する第２の開口としての開口１３が設けられている。

本実施形態に係る光導波路１０Ｃは、図１（ｂ）に示すように、光信号２が伝播するコア１００と、コア１００の周囲に設けられ、コア１００の屈折率よりも小さい屈折率を示すクラッド１０１を有する。コア１００は、上面視にて略長方形に形成される。そして、コア１００は、図１（ｃ）に示すように、略正方形状の断面積を有するように形成されており、コア１００の縦横寸法は、一例において、縦５０μｍ×横５０μｍである。また、光導波路１０Ｃは、４つのコア１００を有しており、４つのコア１００は、例えば、２５０μｍ間隔で配置される。なお、光導波路１０Ｃが有するコア１００の数は上記の例に限定されない。

図３Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の図１（ａ）のＡ−Ａ線の第１の光モジュール付近の断面図である。また、図３Ｂは、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の図１（ａ）のＡ−Ａ線の第２の光モジュール付近の断面図である。

本実施形態に係る第１の光モジュール１２Ａ及び第２の光モジュール１２Ｂはそれぞれ、外部接続用の複数の端子１２０と基板１０に予め形成された複数の端子１１０Ａのそれぞれとを導電性ボールとしてのハンダボール１２１を介して接続するボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型の光モジュールである。この場合において、複数の端子１２０はＢＧＡ用のパッドとなる。

図３Ａに示すように、第１の光モジュール１２Ａは、大規模集積回路（ＬＳＩ）等の電子部品を実装可能な支持基板１２２と、支持基板１２２のハンダボール１２１が接合する側である裏面側に設けられる複数の端子１２０と、支持基板１２２上に予め形成された端子１２４とワイヤー１２３を介して電気的に接続される発光素子１２５とを有する。

また、第１の光モジュール１２Ａは、発光素子１２５が固定されている面の反対側の支持基板１２２の面に固定されるＬＳＩ等の制御部１２６と、支持基板１２２を貫通して裏面側の少なくとも一部の端子１２４と電気的に接続する端子１２７と、制御部１２６と端子１２７とを電気的に接続するワイヤー１２３とを有する。そして、支持基板１２２の制御部１２６が固定される側の面において、制御部１２６、ワイヤー１２３、及び端子１２７は封止樹脂１２８で封止される。

ここで、基板１０の第１の基板１０Ａの上には複数の端子１１０Ａが予め形成されており、第１の光モジュール１２Ａの複数の端子１２０は、複数の端子１１０Ａにハンダボール１２１を介してそれぞれ接合される。

本実施形態に係る第１の光モジュール１２Ａは、基板１０の面方向に光信号２を発する発光素子１２５と、基板１０内に形成された光導波路１０Ｃのコア１００とが光結合する位置に固定される。

一方、第２の光モジュール１２Ｂにおいては、図３Ｂに示すように、クラッド１０１を通してコア１００を伝播する光信号２の受信が可能な光路上の所定の位置に受光素子１２９が固定される。なお、第２の光モジュール１２Ｂは、これらの構成以外については第１の光モジュール１２Ａと同一の構成を有するので、第２の光モジュール１２Ｂの各構成についての詳細な説明は省略する。

（発光素子１２５の構成）
第１の光モジュール１２Ａの発光素子１２５は、面発光型の発光ダイオード、又は面発光型半導体レーザ等の発光素子（面発光型光素子）である。第１の光モジュール１２Ａは、本実施の形態においては、４つの発光素子１２５を有する。例えば、４つの発光素子１２５は、所定の方向に沿ってアレイ状に配列されて形成される。なお、４つの発光素子１２５のそれぞれの間隔は、一例として２５０μｍであるが、当該間隔は係る値に限定されるものではない。

また、本実施形態においては、発光素子１２５として、垂直共振器型面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ：ＶＣＳＥＬ）を用いる。本実施形態に係る発光素子１２５としてのＶＣＳＥＬは、閾値電流が１ｍＡであり、１．６Ｖから２．２Ｖの順電圧において、発光波長が８４０ｎｍから８６０ｎｍの範囲内、例えば、８５０ｎｍである。すなわち、発光素子１２５は、近赤外領域（波長：７００ｎｍから１０００ｎｍ）に発光波長を有する。また、発光素子１２５の応答速度は、２．５Ｇｂｐｓである。なお、発光素子１２５として可視光（例えば、発光波長６８０ｎｍ）を発する発光ダイオードを用いても良い。

更に、本実施形態に係るＶＣＳＥＬは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造を有する。例えば、ＶＣＳＥＬは、ｎ型ＧａＡｓ基板の上に、ｎ型下部反射鏡層としてのｎ型ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）層、活性層、電流狭窄層、ｐ型上部反射鏡層としてのｐ型ＤＢＲ層、ｐ型コンタクト層が係る順に形成される。

ここで、ｎ型ＤＢＲは、例えば、ｎ型のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）を用いることができる。また、ｐ型ＤＢＲは、例えば、ｐ型のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）を用いることができる。また、活性層は、ｉ−ＧａＡｓのバルクの層、又は単一量子井戸層、若しくは多重量子井戸層から構成することができる。そして、電流狭窄層は、例えば、ｐ型ＤＢＲ層の所定の領域にプロトンを注入して高抵抗領域とすることにより形成できる。更に、ｐ型コンタクト層は、例えば、所定濃度のＺｎをドーピングしたＧａＡｓから形成できる。

ｎ型ＧａＡｓ基板のｎ型ＤＢＲが形成されている面の反対側にはｎ型電極が形成され、ｐ型コンタクト層の上にはｐ型電極が形成される。ここで、ｐ型電極は、活性層の発光領域の直上に開口を有する。開口は上面視にて略円状に形成され、５μｍから１０μｍの直径を有する。当該開口から近赤外領域の光が出射される。なお、応答速度が１０ＧｂｐｓであるＶＣＳＥＬを発光素子１２５として用いてもよい。更に、本実施形態の変形例においては、発光波長が１３１０ｎｍ又は１５５０ｎｍであるＶＣＳＥＬを発光素子１２５として用いることもできる。

（受光素子１２９の構成）
第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２９は、例えば、面型のフォトダイオード等を受光素子１２９として用いる。本実施形態においては、高速応答性に優れたＧａＡｓ系のＰＩＮフォトダイオードを受光素子１２９として用いる。第２の光モジュール１２Ｂは、上述した第１の光モジュール１２Ａの４つの発光素子１２５に対応した４つの受光素子１２９を有する。例えば、４つの受光素子１２９は、所定の方向に沿ってアレイ状に配列されて形成される。なお、４つの受光素子１２９のそれぞれの間隔は、一例として２５０μｍであるが、当該間隔は係る値に限定されるものではない。

本実施形態に係る受光素子１２９は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体構造を有する。例えば、受光素子１２９は、ＧａＡｓ基板上に、ｐ型半導体層（ｐ層）と、真性半導体層（ｉ層）と、ｎ型半導体層（ｎ層）とが形成され、ｉ層がｐ層とｎ層との間に形成されるＰＩＮ構造を有する。そして、受光素子１２９は、ｐ層に接続されたｐ側電極と、ｎ層に形成されたｎ側電極とを更に備え、ｐ側電極は、所定の領域に開口を有する。受光素子１２９は、当該開口の内側において光を受光する。すなわち、当該開口の内側が光を受光する受光部となる。ここで、ＰＩＮフォトダイオードは、波長が８５０ｎｍにおける感度が、例えば、０．２（Ａ／Ｗ）であり、受光部の直径は約１ｍｍである。

本実施形態に係る発光素子１２５としてのＶＣＳＥＬを形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造、及び受光素子１２９としてのＰＩＮフォトダイオードは、例えば、有機金属化学気相成長法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）、ハライド気相エピタキシー法（Ｈａｌｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＨＶＰＥ）等によって形成される。

（支持基板１２２の構成）
第１の光モジュール１２Ａ及び第２の光モジュール１２Ｂの支持基板１２２は、ガラス繊維とエポキシ樹脂との複合材料、すなわち、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成される。例えば、支持基板１２２は、Ｆｌａｍｅ Ｒｅｔａｒｄａｎｔ Ｔｙｐｅ ４（ＦＲ−４）から形成される。そして、支持基板１２２は、外部回路への実装側となる裏面に銅、金、又はアルミニウム等の導電性材料から形成された複数の端子１２０を有する。

また、支持基板１２２は、端子１２０と同様の材料から形成され、発光素子１２５又は受光素子１２９とワイヤー１２３を介して電気的に接続される複数の端子１２４を有する。更に、支持基板１２２の制御部１２６が固定される表面には、端子１２０と同様の導電性材料から形成され、スルーホールを介して裏面の複数の端子１２４と電気的に接続する複数の端子１２７が設けられる。ここで、複数の端子１２７は、支持基板１２２の制御部１２６が固定される表面上に予め形成された電力供給用の配線パターンと電気的に接続されている。

（制御部１２６の構成）
制御部１２６は、発光素子１２５を駆動する駆動回路と、受光素子１２９が受光した光に基づいて光電変換された電気信号を増幅する増幅回路とを有している。

（封止樹脂１２８について）
封止樹脂１２８は、エポキシ樹脂等の熱硬化性成形材料から形成され、ワイヤー１２３、制御部１２６、および端子１２７を光・熱や湿度などの環境から保護する。なお、封止樹脂１２８は、主成分をエポキシ樹脂にしてシリカ等の充填材を加えて形成してもよい。

（基板１０の構成）
基板１０の第１の基板１０Ａと第２の基板１０Ｂとは、例えば、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成される。そして、第１の基板１０Ａは、第１の光モジュール１２Ａ及び第２の光モジュール１２Ｂを搭載する側の表面に、銅、金、アルミニウム等の導電性材料から形成される複数の端子１１０Ａを有する。

また、第１の基板１０Ａは、図３Ａに示すように、第１の光モジュール１２Ａが設けられる位置に発光素子１２５と基板１０に設けられる光導波路１０Ｃのコア１００とを光結合させる開口としての開口部１０ａを有する。開口部１０ａは、第１の面としての実装面１３０と、光導波路１０Ｃと接する第２の面とを貫通して設けられる。なお、光導波路１０Ｃのコア１００との光結合が可能であれば、開口部１０ａには、発光素子１２５が発する光の波長に対して透明な光透過性材料を充填してもよい。

また、第１の基板１０Ａは、図３Ｂに示すように、第２の光モジュール１２Ｂが設けられる位置に受光素子１２９と基板１０に設けられる光導波路１０Ｃのコア１００とを光結合させる開口部１０ｂを有する。なお、開口部１０ｂについても開口部１０ａと同様に、光導波路１０Ｃのコア１００との光結合が可能であれば、発光素子１２５が発する光の波長に対して透明な光透過性材料を充填してもよい。

（光導波路１０Ｃの構成）
光導波路１０Ｃは、コア１００と、コア１００の周囲に形成されてコア１００を覆うクラッド１０１とを有する。コア１００は、第１の基板１０Ａの開口部１０ａ、１０ｂに対応する位置に、コア１００に対して４５度に傾斜して設けられる第１の光路変換面としてのミラー１０Ｄを含む。当該ミラー１０Ｄは、発光素子１２５、コア１００、及び受光素子１２９の間の光軸上にそれぞれ設けられる。そして、ミラー１０Ｄの周囲にはクラッド１０１と同等の屈折率を有する光透過性樹脂１０Ｅが充填され、ミラー１０Ｄの表面は光透過性樹脂１０Ｅによって覆われる。

本実施形態において、光導波路１０Ｃは、コア１００とクラッド１０１とを含む層の厚さが１００〜２００μｍの範囲で形成される。なお、光導波路１０Ｃは以下のように作成することができる。まず、コア１００に対応する領域にコア１００の形状のくぼみを有する鋳型を作成する。そして、作成した鋳型に、クラッド用フィルム基材を密着させる。続いて、鋳型のくぼみの領域に、コア１００を形成する材料である硬化性樹脂を充填する。

次に、くぼみ内の硬化性樹脂を硬化させてコア１００を形成した後、鋳型を取り除く。これにより、クラッド１０１となるクラッド用フィルム基材上にコア１００が残される。そして、クラッド用フィルム基材のコア１００が形成された面側に、コア１００を覆うクラッド１０１を設ける。これにより、光導波路１０Ｃが作成される。なお、この光導波路１０Ｃの作成方法は、鋳型を用いて光導波路層を形成する方法であるが、他にも、例えば耐熱性の光反応性の高分子材料を直接露光して光導波路を形成する方法なども用いることができる。本実施の形態では、このようにして形成された光導波路１０Ｃのコア１００にミラー１０Ｄを更に設ける。

なお、本実施形態に係るミラー１０Ｄは、第１の基板１０Ａの開口部１０ａ、１０ｂに対応する位置に、コア１００に対して４５度に傾斜して設けられているが、コア１００に対するミラー１０Ｄの角度は４５度に限定されない。また、本実施形態に係る第１の光モジュール１２Ａと第２の光モジュール１２Ｂとはそれぞれ、発光素子１２５のみ、又は受光素子１２９のみを有する一方向型の光モジュールであるが、第１の光モジュール１２Ａと第２の光モジュール１２Ｂとはそれぞれ、発光素子１２５と受光素子１２９とを有する双方向型の光モジュールとして形成することもできる。

（光接続確認モジュール３の構成）
図４（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールの斜視図であり、図４（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールの図４（ａ）のＣ−Ｃ線断面図であり、図４（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光信号取出部の斜視図であり、図４（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光信号取出部の断面図であり、図５Ａ及びＢは、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールの作製工程を示した概略図である。

光接続確認モジュール３は、例えば、クラッド１０１と同じ材料により形成された本体３０と、図１（ａ）に示す光導波路１０Ｃのコア１００に対応した位置に設けられた貫通孔３１と、貫通孔３１に設けられた第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄと、を備えて概略構成されている。

光接続確認モジュール３は、図２に示す光電子回路基板１の開口１３に後述する図６（ａ）に示す弾性部材３２４と共に挿入され、その上部は検査者の手操作によるプッシュ操作が可能となるよう、図１（ａ）に示すように実装面１３０から少し出ている。また、光接続確認モジュール３は、後述する方法によって、光導波路１０Ｃを伝播する光信号２の、光接続確認モジュール３を介した通過、又は、遮断を制御することができ、第１の光モジュール１２Ａと第２の光モジュール１２Ｂと間の光信号２の送受信のオン・オフを行うスイッチ機能を有している。

（第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄの構成）
第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄは、図４（ｃ）に示すように、円柱形状を有して最下層に設けられ、光導波路１０Ｃのクラッド１０１と同じ屈折率、材料、及び厚みを有して作製されたクラッド１０１Ａと、半径が同じである円柱形状を有してクラッド１０１Ａ上に設けられ、光導波路１０Ｃのコア１００と同じ屈折率、材料、及び厚みを有して作製されたコア１００Ｂと、コア１００Ｂ上に半円柱形状を有して設けられ、コア１００Ａ上に４５度の角度を持って形成された凸部３２１を有する基部３２０と、金属材料の蒸着等の方法によって、凸部３２１上に４５度の角度を持って設けられ、光導波路１０Ｃのコア１００から入射した光信号２の光路を垂直方向に変換する第２の光路変換面としてのミラー３２２と、基部３２０の側面に形成され、ミラー３２２によって光路が変換された光信号２を上面３２３から外部に出射させるコア１００Ｃと、を備えて円柱形状を有するように構成されている。なお、ミラー３２２の角度は、４５度に限定されず、光信号２を取り出す方向に基づいて変更可能である。

基部３２０は、例えば、コア１００Ｃが有する屈折率よりも小さい屈折率を有する樹脂材料等から作製されるが、これに限定されず、クラッド１０１Ａと同一の材料を用いて作製されても良い。コア１００Ｃは、光導波路１０Ｃのコア１００を伝播する光信号２を可視光として取り出すために本実施の形態で用いられる発光素子１２５の発光波長８４０ｎｍ〜８６０ｎｍで励起される蛍光体を含有している。このような蛍光体として例えば、ユウロピウム（Ｅｕ）、ネオジウム（Ｎｄ）、イツテルビウム（Ｙｂ）、ツリウム（Ｔｍ）、プラセオジウム（Ｐｒ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）等の希土類元素を使用することができる。これらの混合物を発光中心として、その発光中心がフッ化物やリン酸塩、モリブデン酸塩、タングステン酸塩等の酸化物が母体に含まれている無機化合物でも良い。無機の蛍光体であるコア１００Ｃの上面３２３からは、このような蛍光体の励起に基づいて生じる可視光が出射される。

（第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄの製造方法）
以下に、図５Ａ及び図５Ｂを参照しながら、一例として、第１の光信号取出部３２ａの作製方法について説明する。他の第２〜第４の光信号取出部３２ｂ〜３２ｄについても同様に作製される。

１ まず、図５Ａ（ａ）に示す矩形状、又は円柱形状を有したクラッド１０１Ａを用意する。
２ 図５Ａ（ｂ）に示すように、クラッド１０１Ａ上にコア１００Ｂを形成する。
３ 図５Ａ（ｃ）に示すように、図５Ａ（ｂ）に示すコア１００Ｂ上に基部３２０を形成し、凹部３２１を形成する。
４ 図５Ａ（ｄ）に示す凹部３２１に、金属材料による蒸着等によってミラー３２２を形成する。
５ 図５Ａ（ｅ）に示すように、基部３２０の側部とミラー３２２にコア１００Ｃを形成し、全体の形状を研磨し、第１の光信号取出部３２ａを作製する。
６ 続いて、図５Ｂ（ｆ）に示す矩形状を有する本体３０を用意する。
７ 図５Ｂ（ｇ）に示すように、光導波路１０Ｃのコア１００の形状に合わせて側面を貫通する４つ穴を開け、その穴に矩形状のコア１００Ａを挿入する。
８ 図５Ｂ（ｈ）に示すように、光接続確認モジュール３の上面から下面に向かって貫通する貫通孔３１を光導波路１０Ｃのコア１００の位置に合わせて４つ形成する。
９ 図５Ｂ（ｉ）に示すように、図５Ａ（ｅ）に示す第１の光取出部３２ａに対応する貫通孔３１に、第１の光信号取出部３２ａ挿入する。続いて、第２〜第４の光信号取出部３２ｂ〜３２ｄを貫通孔に挿入し、光接続確認モジュール３は作製される。なお、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄの作製方法は、これに限定されない。

図６（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールを挿入前の光電子回路基板を示す断面図であり、図６（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールを挿入後の光電子回路基板を示す断面図である。

光接続確認モジュール３は、図６（ａ）に示すように、基板１０に設けられる開口１３に挿入されており、開口１３の底部である第２の基板１０Ｂ上に設けられる弾性部材３２４によって支持されている。

（弾性部材３２４について）
弾性部材３２４は、例えば、弾性力を有するゴム材料、樹脂材料で形成され、光接続確認モジュール３に対して第２の基板１０Ｂから第１の基板１０Ａ方向に弾性力を付加する。なお、弾性部材３２４は、例えば、開口１３を貫通させ、第２の基板１０Ｂの裏面側にアクチュエータを設け、アクチュエータの駆動力によって、光接続確認モジュール３を変位させる構成、又は、プッシュ操作した状態を保持・解除する構成としても良い。

（光電子回路基板１の動作）
以下に、第１の実施の形態における光電子回路基板の動作について、図１から図６を参照しつつ説明する。

（光信号２の送受信について）
一例として、光電子回路基板１の開口１３に光接続確認モジュール３を挿入し、第１の光モジュール１２Ａから第２の光モジュール１２Ｂへ画像信号を送信する場合について説明する。第１の光モジュール１２Ａの制御部１２６は、第２の光モジュール１２Ｂに送信する画像信号に基づいて駆動回路に制御信号を出力する。駆動回路は、制御信号に応じて発光素子１２５への通電を制御する。発光素子１２５には、駆動回路の制御に基づいて、ｐ型電極とｎ型電極との間に所定の電圧が印可される。これにより、画像信号は発光素子１２５が発する光信号２に変換され、発光素子１２５は、光信号２を波長８５０ｎｍのレーザ光として出射する。

そして、図３Ａに示すように、発光素子１２５から発せられたレーザ光の光信号２は、開口部１０ａを介して光導波路１０Ｃに入射する。

光信号２は、コア１００に設けられたミラー１０Ｄで所定の方向へ反射される。すなわち、光信号２は、ミラー１０Ｄにおいて光路を９０度変換されて、コア１００内を第２の光モジュール１２Ｂの方向に向かって伝播する。光導波路１０Ｃは、コア１００にミラー１０Ｄが設けられており、クラッド１０１には設けられていないので、開口部１０ａから入射した光信号２はクラッド１０１には入射しない。係る構成によって第２の光モジュール１２Ｂは、コア１００を伝播する光信号２だけを受信する。したがって、第２の光モジュール１２Ｂが受信する光信号２にノイズが含まれず、ビットエラーの発生が防止される。

そして、図３Ｂに示すように、コア１００を伝播した光信号２は、コア１００の光出射位置側に設けられるミラー１０Ｄに入射する。ミラー１０Ｄは、コア１００を伝播した光信号２を第２の光モジュール１２Ｂに搭載された受光素子１２９の方向に反射する。そして、ミラー１０Ｄにおいて光路を９０度変換された光信号２は、開口部１０ｂより出射して第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２９に入射する。

そして、受光素子１２９は、入射した光信号２の光強度に応じてｐ側電極とｎ側電極との間に生じた電圧に対応する電流を、制御部１２６に出力する。制御部１２６は、受光素子１２９から出力される電流を増幅回路で増幅した後に、所定の信号処理を実行する。なお、以下の説明において、光信号２の送受信は、上記に述べた過程を簡略化し、単に「光信号２を受信」及び「光信号２を送信」等と表現するものとする。

（光接続確認操作）
次に、光電子回路基板１の開口１３に挿入された光接続確認モジュール３を用いて、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂが光導波路１０Ｃと正しく光接続されているか否かを確認する操作について説明する。まず、第１の光モジュール１２Ａと光導波路１０Ｃとが、正しく光接続されているときの動作について説明する。

検査者は、光接続確認モジュール３を基板面方向に押し込むようにしてプッシュ操作を行うと、光接続確認モジュール３は、第２の基板１０Ｂ方向に変位し、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄのそれぞれのミラー３２２が、図６（ｂ）に示すように、光導波路１０Ｃのコア１００の位置に配置される。ここで言う検査者とは、工場出荷の検査者のみならず、営業やエンドユーザー等も含む。

第１の光モジュール１２Ａから正常に光信号２が送信されているとき、光信号２は、第１の光モジュール１２Ａ側のミラー１０Ｄによって光路変換され、光導波路１０Ｃのコア１００を伝播し、図６（ｂ）に示す光接続確認モジュール３のコア１００Ａを介して、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄのそれぞれのミラー３２２に入射する。

第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄのそれぞれミラー３２２に入射した光信号２は、それぞれのミラー３２２によりその光路を変換され、図６（ｂ）に示すコア１００Ｃに入射して垂直方向に進む。光路変換された光信号２は、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄのそれぞれのコア１００Ｃを介して可視光に変換されるとともにコア１００Ｃの上面３２３から外部に出射する。この出射した光信号２を、検査者が目視することで、第１の光モジュール１２Ａと光導波路１０Ｃとが正しく光接続されているか否かを、容易に確認することができる。

検査終了後、検査者が、光接続確認モジュール３から手を離すと、光接続確認モジュール３の下に設けられている弾性部材３２４の弾性力によって、光接続確認モジュール３は、図６（ａ）に示す初期位置に復帰する。光接続確認モジュール３が初期位置に復帰した後、光信号２は、光接続確認モジュール３のコア１００Ａ及び１００Ｂを介して光導波路１０Ｃのコア１００を伝播し、第２の光モジュール１２Ｂ側のミラー１０Ｄによって光路を変換され、第２の光モジュール１２Ｂによって受信される。

以下に、検査者が目視する、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄから出射する光信号２に基づいて幾つかの場合に分けて説明する。

（１）光信号２が、すべての第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄから出射した場合。

検査者が、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄのそれぞれの上面３２３から光信号２が出射しているのを目視できた場合、これは、第１の光モジュール１２Ａと光導波路１０Ｃが正しく光接続されていることを示している。

また、例えば、光電子回路基板１に異常があり、上記した（１）の結果が得られた場合は、第２の光モジュール１２Ｂと光導波路１０Ｃとが、正しく光接続されていない可能性があることを示している。これは、第２の光モジュール１２Ｂに実装ずれが生じている可能性があることを示している。また、別の可能性としては、開口１３から第２の光モジュール１２Ｂまでの光導波路１０Ｃと第２の光モジュール１２Ｂの何れか、又は双方に異常がある可能性が考えられる。

（２）光信号２が、すべての第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄから出射しなかった場合。

検査者が、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄのそれぞれの上面３２３から光信号２が出射しているのを目視できなかった場合、これは、第１の光モジュール１２Ａと光導波路１０Ｃが正しく光接続されていない、すなわち、第１の光モジュール１２Ａに実装ずれが生じている可能性があることを示している。また、別の可能性としては、第１の光モジュール１２Ａから開口１３までの光導波路１０Ｃと第１の光モジュール１２Ａの何れか、又は双方に異常がある可能性が考えられる。

（３）光信号２が、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄの一部から出射した場合。

検査者が、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄの一部から光信号２が出射しているのを目視した場合、これは、光信号２がどの第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄから出射したのかに基づいて幾つかの可能性が考えられる。

（３−１）光信号２が、第２又は第３の光信号取出部３２ｂ、３２ｃから出射しなかった場合。

一例として、第２の光信号取出部３２ｂから光信号２が出射しなかった場合を考える。この場合の原因が、第１の光モジュール１２Ａの実装ずれに起因するとは考えにくい。なぜなら、第１の光モジュール１２Ａが、実装ずれを起していた場合、発光素子１２５が直線状に並ぶ構成を有しているため、第１及び第４の光信号取出部３２ａ、３２ｄから光信号２が同時に出射することは有り得ないからである。

よって、第２の光信号取出部３２ｂに対応する第１の光モジュール１２Ａから開口１３までのコア１００、又は、対応する発光素子１２５に異常があると判断することができる。

（３−２）第１の光信号取出部３２ａと第３の光信号取出部３２ｃ、又は、第２の光信号取出部３２ｂと第４の光信号取出部３２ｄのように、一部の光信号取出部から光信号２が出射しなかった場合。

この場合は、上記した（３−１）と同様の理由で、発光素子１２５が直線状に並んでいることから、第１の光モジュール１２Ａから開口１３までのコア１００、又は、対応する発光素子１２５に異常があると判断することができる。

なお、何れの場合においても、光信号２が出射した光取出部に対応した、第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２９が出力する信号に基づいて、第２の光モジュール１２Ｂと光導波路１０Ｃの光接続、及び、第２の光モジュール１２Ｂ、開口１３から第２の光モジュール１２Ｂまでの光導波路１０Ｃの状態を確認することができる。

（スイッチ動作について）
続いて、光電子回路基板１の開口１３に挿入された光接続確認モジュール３をスイッチとして用いて、第１の光モジュール１２Ａと第２の光モジュール１２Ｂとの光接続のオン・オフを切換える場合について説明する。

検査者は、第１の光モジュール１２Ａと第２の光モジュール１２Ｂの光接続をオフするため、光接続確認モジュール３を、第１の基板１０Ａから第２の基板１０Ｂの方向にプッシュ操作を行う。

上記した「光接続確認操作」と同様に、光信号２は、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄのそれぞれのミラー３２２によって光路変換され、コア１００Ｃを介して上面３２３から外部に出射する。このとき、光信号２は、第１の光モジュール１２Ａと第２の光モジュール１２Ｂとの間で遮断、すなわち、接続がオフされることになる。

また、第１の光モジュール１２Ａと第２の光モジュール１２Ｂの光接続をオンするときは、検査者が、光接続確認モジュール３から手を離すと、弾性部材３２４の弾性力によって、図６（ａ）に示す初期位置に復帰し、再び第１の光モジュール１２Ａと第２の光モジュール１２Ｂとの光接続がオンされる。なお、オン、又はオフの状態を保持するように光接続確認モジュール３の開口１３への差し込み、支持構造を設け、弾性部材３２４を設けないものとしても良い。

（第１の実施の形態の変形例）
図７は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る光電子回路基板の概略図である。なお、以下の記述において、第１の実施の形態と同一の構成及び機能を有する部分については、第１の実施の形態と同じ符号を付している。

（光電子回路基板１の構成）
図７における光電子回路基板１は、第１の実施の形態の変形例であり、第１及び第２の開口１３Ａ、１３Ｂが、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂを結ぶ直線上で、かつ、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂの近傍に設けられ、第１及び第２の開口１３Ａ、１３Ｂには、第１及び第２の光接続確認モジュール３Ａ、３Ｂが、挿入されている。第１及び第２の光接続確認モジュール３Ａ、３Ｂは、第１の実施の形態における光接続確認モジュール３と同一の構成及び機能を有する。

（光接続確認操作）
本変形例における光接続確認操作は、上記した第１の実施の形態と同様に、検査者が、第１又は第２の光接続確認モジュール３Ａ、３Ｂを第１の基板１０Ａから第２の基板１０Ｂ方向にプッシュ操作を行うことによって行われる。以下に、第１及び第２の光接続確認モジュール３Ａ、３Ｂ毎の光接続確認操作について説明する。

（１Ａ）光信号２が、第１の光接続確認モジュール３Ａのすべての第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄから出射した場合。

この場合は、第１の光モジュール１２Ａと光導波路１０Ｃが正しく光接続されていることを示している。

（１Ｂ）光信号２が、第２の光接続確認モジュール３Ｂのすべての第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄから出射した場合。

この場合は、第１の光モジュール１２Ａと光導波路１０Ｃが正しく光接続され、かつ、第１の光モジュール１２Ａから第２の開口１３Ｂまでの光導波路１０Ｃに異常が無いことを示している。

（２Ａ）光信号２が、第１の光接続確認モジュール３Ａのすべての第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄから出射しなかった場合。

この場合は、第１の光モジュール１２Ａと光導波路１０Ｃが正しく光接続されていない、すなわち、第１の光モジュール１２Ａに実装ずれが生じている可能性があることを示している。また、別の可能性としては、第１の光モジュール１２Ａに異常がある可能性が考えられる。

（２Ｂ）光信号２が、第２の光接続確認モジュール３Ｂのすべての第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄから出射しなかった場合。

この場合は、第１の光接続確認モジュール３Ａをプッシュ操作し、第１の光接続確認モジュール３Ａの第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄから出射する光信号２を確認する。

第１の光接続確認モジュール３Ａのすべての第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄから光信号２が出射する場合は、光導波路１０Ｃに異常があると考えられ、第１の光接続確認モジュール３Ａのすべての第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄから光信号２が出射しない場合は、上記した本変形例の（２Ａ）と同様であると考えられる。

（３Ａ）光信号２が、第１の光接続確認モジュール３Ａの第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄの一部から出射した場合。

この場合は、上記した第１の実施の形態と同様に、光信号２がどの第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄから出射したのかに基づいて幾つかの可能性が考えられる。

（３Ａ−１）光信号２が、第１の光接続確認モジュール３Ａの第２又は第３の光信号取出部３２ｂ、３２ｃから出射しなかった場合。

この場合は、上記した第１の実施の形態の（３−１）と同様の理由で、光信号２が出射しなかった光信号取出部に対応した第１の光モジュール１２Ａの発光素子１２５に異常があると判断することができる。

（３Ａ−２）光信号２が、第１の光接続確認モジュール３Ａの第１の光信号取出部３２ａと第３の光信号取出部３２ｃ、又は、第２の光信号取出部３２ｂと第４の光信号取出部３２ｄのように、一部の光信号取出部から光信号２が出射しなかった場合。

この場合は、上記した第１の実施の形態の（３−２）と同様の理由で、光信号２が出射しなかった光取出部に対応した第１の光モジュール１２Ａの発光素子１２５に異常があると判断することができる。

また、第１の光接続確認モジュール３Ａの光信号２が出射している光信号取出部に対応する第２の光接続確認モジュール３Ｂの光信号取出部から光信号２が出射しなかった場合、該当する第１の光モジュール１２Ａから第２の開口１３Ｂまでの光導波路１０Ｃに異常があると判断することができる。

更に、何れの場合においても、第２の光接続確認モジュール３Ｂについて、光信号２が出射した光取出部に対応した、第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２９が出力する信号に基づいて、第２の光モジュール１２Ｂと光導波路１０Ｃの光接続、及び、第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２９の状態を確認することができる。

（スイッチ動作について）
本変形例におけるスイッチ動作は、第１の光接続確認モジュール３Ａ、又は第２の光接続確認モジュール３Ｂを第１の基板１０Ａから第２の基板１０Ｂ方向にプッシュ操作を行うことによって、第１の光モジュール１２Ａと第２の光モジュール１２Ｂとの接続をオフすることができる。

［第２の実施の形態］
（光電子回路基板の構成）
図８（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板の概略図であり、図８（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光接続確認モジュールの斜視図である。

本実施の形態における光電子回路基板１は、第１の実施の形態と同様に、第１の光モジュール１２Ａと第２の光モジュール１２Ｂとの間に開口１３を有し、開口１３には、光接続確認モジュール３Ｃが挿入されている。

（光接続確認モジュール３Ｃの構成）
光接続確認モジュール３Ｃは、図８（ｂ）に示すように、本体３０が、第１〜第４の可動部３３ａ〜３３ｄに分かれており、第１〜第４の可動部３３ａ〜３３ｄは、それぞれが独立してプッシュ操作できるように構成されている。

第１〜第４の可動部３３ａ〜３３ｄには、それぞれ貫通孔３１が設けられており、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄが、挿入されている。なお、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄの構成は、第１の実施の形態において示した、図４（ｄ）と同一である。

また、開口１３への挿入時には、第１〜第４の可動部３３ａ〜３３ｄの下部に、それぞれ独立した４つの図示しない弾性部材が設けられている。本実施の形態における弾性部材の機能は、第１の実施の形態における弾性部材３２４の機能と同一である。なお、弾性部材は、例えば、開口１３を貫通させ、第２の基板１０Ｂの裏面側にアクチュエータを設け、アクチュエータの駆動力によって、光接続確認モジュール３Ｃの第１〜第４の可動部３３ａ〜３３ｄを独立に変位させる構成、又は、プッシュ操作した状態を保持・解除する構成としても良い。

（光接続確認操作）
本実施の形態における光接続確認操作は、上記した第１の実施の形態では、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂ、及び光導波路１０Ｃの光接続の確認を行うとき、光導波路１０Ｃを伝播する光信号２をすべて遮断、つまり、第１の光モジュール１２Ａと第２の光モジュール１２Ｂとの光接続をすべてオフにして行われるが、本実施の形態においては、第１〜第４の可動部３３ａ〜３３ｄを独立してプッシュ操作することができるので、すべての光接続がオフにされることなく、第１の実施の形態と同様の光接続確認操作ができる。

（スイッチ動作について）
本実施の形態におけるスイッチ動作は、第１〜第４の可動部３３ａ〜３３ｄが光導波路１０Ｃの各コア１００に対して独立して接続のオン・オフが行える点について、第１の実施の形態及び変形例と異なっている。

一例として、第２の可動部３３ｂに対応する光導波路１０Ｃのコア１００に伝播する光信号２をオフしたいとき、第２の可動部３３ｂを第１の基板１０Ａから第２の基板１０Ｂの方向にプッシュ操作を行うことによって、第２の可動部３３ｂに対応する光導波路１０Ｃのコア１００に伝播する光信号２をオフすることができ、また、対応する光信号２が、光導波路１０Ｃに伝播しているか否かを確認することができる。

（第２の実施の形態の変形例）
図９は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る光電子回路基板の概略図である。

（光電子回路基板１の構成）
本実施の形態における光電子回路基板１は、第１の実施の形態の変形例と同様に、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂ付近に開口１３Ａ及び１３Ｂを設け、第２の実施の形態における光接続確認モジュール３Ｃと構成及び機能が同一である第１及び第２の光接続確認モジュール３Ｄ、３Ｅを挿入して、構成されている。

（光接続確認操作）
本実施の形態における光接続確認操作については、上記した第１の実施の形態の変形例と同様であるが、第１及び第２の光接続確認モジュール３Ｄ、３Ｅの各第１〜第４の可動部３３ａ〜３３ｄが、それぞれ独立してプッシュ操作を行える点で異なっている。このように、第１及び第２の光接続確認モジュール３Ｄ、３Ｅの各第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄを独立してプッシュ操作を行うことができるので、すべての光信号２を遮断することなく、光接続確認操作を行うことができる。

（スイッチ動作について）
本実施の形態の変形例におけるスイッチ動作は、第１及び第２の光接続確認モジュール３Ｄ、３Ｅがそれぞれ独立して第１〜第４の可動部３３ａ〜３３ｄをプッシュ操作を行える点において上記した第２の実施の形態と異なり、より自由度のあるオン・オフを行うことができる。

［第３の実施の形態］
図１０（ａ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光電子回路基板の概略図であり、図１０（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光接続確認モジュールの斜視図であり、図１０（ｃ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光接続確認モジュール付近の図１０（ａ）のＤ−Ｄ線断面図であり、図１１（ａ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光接続確認モジュールを挿入前の光電子回路基板を示す断面図であり、図１１（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光接続確認モジュールを挿入後の光電子回路基板を示す断面図である。

（第１〜第４の光信号取出部３２ｅ〜３２ｈの構成）
第３の実施の形態に係る第１〜第４の光信号取出部３２ｅ〜３２ｈは、図１０（ｃ）に示すように、コア１００Ａを介して入射する光信号２の一部を反射してコア１００Ｃに入射させるハーフミラー３２２Ａを設けた構成を有する。よって、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂの光接続をオフしなくても、光接続確認操作を行うことができる。

また、第１〜第４の光信号取出部３２ｅ〜３２ｈは、図１０（ｃ）に示すように、ハーフミラー３２２Ａが設けられたコア１００Ｄの下側に、コアでなく、クラッド１０１Ａを設けているので、光電子回路基板１は、図１１（ａ）に示すように、光接続確認モジュール３Ｆが、プッシュ操作されないとき、光信号２は、光接続確認モジュール３Ｆによってその伝播が遮断、すなわち、光信号２が、オフされた状態となっている。上記の理由により、図１０（ｂ）に示すように、第１〜第４の可動部３３ｅ〜３３ｈの側面に設けられたコア１００Ａの断面は、第１及び第２の実施の形態のコア１００Ａの断面に比べて小さくなっている。なお、図１１（ａ）及び（ｂ）に示す弾性部材３２４は、例えば、開口１３を貫通させ、第２の基板１０Ｂの裏面側にアクチュエータを設け、アクチュエータの駆動力によって、光接続確認モジュール３Ｆの第１〜第４の可動部３３ｅ〜３３ｈを独立に変位させる構成、又は、プッシュ操作した状態を保持・解除する構成としても良い。

（光接続確認操作）
検査者は、プッシュ操作を光接続確認モジュール３Ｆの第４の可動部３３ｈを基板面方向に押し込むようにして行うと、光接続確認モジュール３Ｆは、第２の基板１０Ｂ方向に変位し、第４の光信号取出部３２ｈのハーフミラー３２２Ａが、図１１（ｂ）に示すように、光導波路１０Ｃのコア１００の位置に配置される。ここで言う検査者とは、工場出荷の検査者のみならず、営業やエンドユーザー等も含む。

第１の光モジュール１２Ａから正常に光信号２が送信されているとき、光信号２は、第１の光モジュール１２Ａ側のミラー１０Ｄによって光路変換され、光導波路１０Ｃのコア１００を伝播し、図１０（ｂ）に示す光接続確認モジュール３Ｆの第４の光信号取出部３２ｈのハーフミラー３２２Ａに入射する。

第４の光信号取出部３２ｈのハーフミラー３２２Ａに入射した光信号２は、一部は、ハーフミラー３２２Ａによって光路変換され、その他の光信号２は、ハーフミラー３２２Ａを透過し、コア１００Ｄを介してコア１００に伝播し、第２の光モジュール１２Ｂのミラー１０Ｄによって光路変換され、受光素子１２９によって受光される。光路変換された光信号２は、図１１（ｂ）に示すように、コア１００Ｃを介して上面３２３より外部に出射する。検査者は、第１〜第３の可動部３３ｅ〜３３ｇに対しても同様にプッシュ操作を行い、出射した光信号２を目視することによって、第１及び第２の実施の形態と同様の光接続確認操作を行うことができる。

検査終了後、検査者が、光接続確認モジュール３Ｆの第４の可動部３３ｈから手を離すと、光接続確認モジュール３Ｆの下に設けられている弾性部材３２４の弾性力によって、光接続確認モジュール３Ｆは、図１１（ａ）に示す初期位置に復帰し、光信号２は、光接続確認モジュール３Ｆによって遮断、すなわち、オフされ、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂの接続がオフされる。

（スイッチ動作について）
本実施の形態におけるスイッチ動作は、第１〜第４の可動部３３ｅ〜３３ｈが独立にプッシュ操作可能であるので、オンしたい光導波路１０Ｃのコア１００に対応した光接続確認モジュール３Ｆの可動部に対し、プッシュ操作を行うことによって行うことができる。

（第３の実施の形態の変形例）
図１２は、本発明の第３の実施の形態の変形例に係る光電子回路基板の概略図である。本変形例においては、第１及び第２の実施の形態の変形例と同様に第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂ付近に第１及び第２の光接続確認モジュール３Ｇ、３Ｈが設けられている。

また、第１及び第２の光接続確認モジュール３Ｇ、３Ｈは、第３の実施の形態における光接続確認モジュール３Ｆと同様の構成及び機能を有している。

（光接続確認操作）
光接続確認操作については、第１及び第２の実施の形態の変形例と同様であるが、光接続の確認を行うとき、一部の光信号２が、ハーフミラー３２２Ａを透過する点で異なっている。本変形例においては、光接続をオフすることなく、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂの光接続を確認することができる。

（スイッチ動作について）
本変形例におけるスイッチ動作は、プッシュ操作を行うことによって、光接続がオンされる点で上記の第１及び第２の実施の形態の変形例と異なっている。検査者が、第１〜第４の可動部３３ｅ〜３３ｈに対して独立してプッシュ操作を行うことによって、光接続のオン・オフを切り替えられる点は、第１及び第２の実施の形態の変形例と同様である。

なお、本実施の形態における第１〜第４の光信号取出部３２ｅ〜３２ｈのコア１００Ｄの下に設けられる部材を、クラッド１０１Ａから、例えば、コア１００に代えて、図１１（ａ）に示す状態で光信号２が光接続確認モジュール３Ｆ〜３Ｈを介して第２の光モジュール１２Ｂに送信される構成としても良い。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組み合わせの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。

（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の斜視図であり、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る図１（ａ）のＡ−Ａ線における光電子回路基板の中央部分の断面図であり、（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る図１（ａ）のＢ−Ｂ線における光電子回路基板の断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールを取り外したときの光電子回路基板の斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の図１（ａ）のＡ−Ａ線の第１の光モジュール付近の断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の図１（ａ）のＡ−Ａ線の第２の光モジュール付近の断面図である。 （ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールの斜視図であり、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールの図４（ａ）のＣ−Ｃ線断面図であり、（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光信号取出部の斜視図であり、（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光信号取出部の断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールの作製工程を示した概略図である。 本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールの作製工程を示した概略図である。 （ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールを挿入前の光電子回路基板を示す断面図であり、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光接続確認モジュールを挿入後の光電子回路基板を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態の変形例に係る光電子回路基板の概略図である。 （ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板の概略図であり、（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光接続確認モジュールの斜視図である。 本発明の第２の実施の形態の変形例に係る光電子回路基板の概略図である。 （ａ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光電子回路基板の概略図であり、（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光接続確認モジュールの斜視図であり、（ｃ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光接続確認モジュール付近の図１０（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。 （ａ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光接続確認モジュールを挿入前の光電子回路基板を示す断面図であり、（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光接続確認モジュールを挿入後の光電子回路基板を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態の変形例に係る光電子回路基板の概略図である。

符号の説明

１…光電子回路基板、２…光信号、３…光接続確認モジュール、３Ａ…第１の光接続確認モジュール、３Ｂ…第１の光接続確認モジュール、３Ｃ…光接続確認モジュール、３Ｄ…第１の光接続確認モジュール、３Ｅ…第２の光接続確認モジュール、３Ｆ…光接続確認モジュール、３Ｇ…第１の光接続確認モジュール、３Ｈ…第２の光接続確認モジュール、１０…基板、１０Ａ…第１の基板、１０Ｂ…第２の基板、１０Ｃ…光導波路、１０Ｄ…ミラー、１０Ｅ…光透過性樹脂、１０ａ…開口部、１０ｂ…開口部、１２Ａ…第１の光モジュール、１２Ｂ…第２の光モジュール、１３…開口、１３Ａ…開口、１３Ｂ…開口、３０…本体、３１…貫通孔、３２ａ〜ｄ…第１〜第４の光信号取出部、３３ｅ〜３３ｈ…第１〜第４の光信号取出部、３３ａ〜３３ｄ…第１〜第４の可動部、３３ｅ〜３３ｈ…第１〜第４の可動部、１００…コア、１００Ａ〜１００Ｄ…コア、１０１…クラッド、１０１Ａ、Ｂ…クラッド、１１０Ａ…端子、１２０…端子、１２１…ハンダボール、１２２…支持基板、１２３…ワイヤー、１２４…端子、１２５…発光素子、１２６…制御部、１２７…端子、１２８…封止樹脂、１２９…受光素子、１３０…実装面、３２０…基部、３２１…凹部、３２２…ミラー、３２２Ａ…ハーフミラー、３２３…上面、３２４…弾性部材

Claims (7)

1. 対向する第１及び第２の面を貫通する第１の開口を有する主基板と、
   前記主基板の前記第２の面側に設けられ、前記第１の開口を通る光軸上に第１の光路変換面を有する光導波路と、
   前記光軸上において前記光導波路の前記第１の光路変換面に光信号を入力、又は前記第１の光路変換面からの前記光信号を出力する光素子と、
   前記主基板及び前記光導波路に設けられた第２の開口に挿入され、前記光導波路を伝播する前記光信号の光路を変換する第２の光路変換面を有する光接続確認モジュールと、
   を備え、
   前記光接続確認モジュールは、前記第１の面から前記第２の面方向のプッシュ操作に基づいて前記光導波路を伝播する前記光信号の光路を前記第２の光路変換面によって変換する光電子回路基板。
2. 前記光導波路は、前記光信号が伝播する少なくとも１つのコアを有し、
   前記光接続確認モジュールは、前記少なくとも１つのコアに基づいて前記少なくとも１つのコアを伝播する前記光信号の光路を前記第２の光路変換面によって変換し、光信号取出面から光信号を取り出す光信号取出部を有し、
   前記光信号取出部は、前記プッシュ操作に基づいて前記光信号を前記光信号取出面から取り出す請求項１に記載の光電子回路基板。
3. 前記光接続確認モジュールは、前記第１の開口との間に弾性部材を有し、
   前記弾性部材は、前記第２の面から前記第１の面方向に弾性力を前記光接続確認モジュールに付加する請求項１又は２に記載の光電子回路基板。
4. 前記光導波路は、前記光信号が伝播する少なくとも１つのコアを有し、
   前記光接続確認モジュールは、前記少なくとも１つのコア毎に前記光信号取出部と共に変位可能な複数の可動部を有し、前記少なくとも１つのコア毎に前記光信号を取り出す請求項２又は３に記載の光電子回路基板。
5. 前記光接続確認モジュールは、前記複数の可動部と前記第１の開口との間に複数の弾性部材を有し、
   前記複数の弾性部材は、前記第２の面から前記第１の面方向に弾性力を前記光接続確認モジュールの前記複数の可動部に付加する請求項４に記載の光電子回路基板。
6. 前記光接続確認モジュールの前記光信号取出部は、前記光導波路を伝播する前記光信号の一部の光路を変換する第３の光路変換面を有し、前記プッシュ操作に基づいて前記光信号の一部を取り出す請求項１から５のいずれか１項に記載の光電子回路基板。
7. 前記光接続確認モジュールは、前記主基板及び前記光導波路に設けられた複数の開口に挿入され、前記プッシュ操作に基づいて前記光導波路を伝播する前記光信号の光路を前記光信号取出部の前記第２の光路変換面によって変換し、前記光信号を取り出す請求項６に記載の光電子回路基板。

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