JP2009059800A - 小型モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】ＩＣ本体からリードが延出するＩＣを回路基板に実装した小型モジュールにおいて、より小型化を可能にした小型モジュールを提供する。
【解決手段】複数のリード１２，１２，…，１２を有するＩＣ１０と、部品実装面３０ａを有する回路基板３０と、回路基板３０の部品実装面３０ａとＩＣ１０との間に介装され、ＩＣ本体の隣側に配置されて、ＩＣ１０の各リード１２，１２，…，１２を各辺毎に別個に挟持し、上記ＩＣ１０を上記回路基板３０の部品実装面３０ａに実装した複数組の一対のターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、１６Ａ，１６Ｂとを具備する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ＩＣ本体からリードが延出するＩＣを回路基板に実装した小型モジュールに関する。

ＩＣ本体の両側から横方向に複数のリードが延出する小型ＩＣを回路基板に実装して電子回路モジュールを構成する場合、従来では上記リードを直接加熱して上記回路基板に回路接合していた。

このようなリードを直接加熱して上記回路基板に実装するＩＣ実装手段においては、リードの加熱によるＩＣ本体への過度な熱の影響を避けるための工夫が必要とされる。従来ではリードを直接または間接に延長して接合することにより、リードの加熱によるＩＣ本体への過度な熱の影響を回避していた。しかしながら、このようなＩＣ実装構造においては、ＩＣの実装スペースが拡がることから、上記モジュールをより小型化する上で問題があった。

ＩＣパッケージからリードが横方向に延びるＩＣの実装手段として、従来では、リードを直接加熱して、クリップ形リード（またはサイドボード）を介し、システム基板に実装するスタック実装構造が存在した。
特開２００２−３０５２８４号公報 特開平０６−０９７６２２号公報

上記したように、リードを直接加熱して上記回路基板に直接、実装するＩＣ実装手段においては、ＩＣの実装スペースが拡がることから、上記モジュールのより小型化を図る上で問題があった。

本発明は、ＩＣ本体からリードが延出するＩＣを回路基板に実装した小型モジュールにおいて、より小型化を可能にした小型モジュールを提供することを目的とする。

本発明は、少なくとも二辺にリードを有するＩＣと、部品実装面を有する回路基板と、前記回路基板の部品実装面と前記ＩＣとの間に介装され、前記リードを前記各辺毎に挟持して、前記ＩＣを前記回路基板の部品実装面に実装した複数組の一対の補助基板と、前記一対の補助基板の少なくとも一方に設けられ、前記挟持したリードに導電接合されて、前記リードを前記回路基板に回路接続する貫通導体と、を具備した小型モジュールを特徴とする。

本発明によれば、ＩＣ本体からリードが延出するＩＣを回路基板に実装した小型モジュールにおいて、該モジュールのより小型化を可能にした。

本発明の第１実施形態に係る小型モジュールの構造を図１乃至図６に示す。
本発明に係る小型モジュールは、ＩＣ本体から横方向に延出する複数のリードを配列したＩＣと、上記ＩＣ本体の隣側に配置され、上記リードを上下方向から挟持して上記ＩＣを回路基板の部品実装面に実装した介装部材を構成する補助基板とを具備して構成される。

本発明の第１実施形態に係る小型モジュールの基本構造は、図１乃至図３に示すように、複数の辺それぞれに複数のリード１２，１２，…，１２を有するＩＣ１０と、部品実装面３０ａを有する回路基板３０と、回路基板３０の部品実装面３０ａとＩＣ１０との間に介装され、ＩＣ本体の隣側に配置されて、ＩＣ１０の各リード１２，１２，…，１２を各辺毎に別個に挟持し、上記ＩＣ１０を上記回路基板３０の部品実装面３０ａに実装した複数組の一対の補助基板（以下、ターミナルスタッド基板と称す）１５Ａ，１５Ｂ、１６Ａ，１６Ｂと、上記一対のターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、１６Ａ，１６Ｂに設けられ、挟持したリード１２，１２，…，１２に導電接合されて、リード１２，１２，…，１２を回路基板３０に回路接続する複数の貫通導体２０，２０，…，２０とを具備して構成される。

上記ＩＣ１０は、回路基板３０の部品実装面３０ａに対し、所定の間隙を有して上記ターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、１６Ａ，１６Ｂにより支持されている。このＩＣ１０は、図２に示すように、矩形状のＩＣ本体１１と、ＩＣ本体１１の平行する二辺からそれぞれ複数本ずつ延出するリード１２，１２，…，１２とを有している。ＩＣ本体１１の両側から延出する各リード１２，１２，…，１２は、図３に示すように、該リードが延出する各辺毎に独立して設けられた一対のターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂに挟持され、ＩＣ１０がターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂを介装部材として回路基板３０の部品実装面３０ａに実装されている。上記ターミナルスタッド基板１５Ａ、１６Ａは、それぞれ回路基板３０の部品実装面３０ａに設けられた部品接合電極（図６に示す符号３１参照）に、はんだ接合されて、部品実装面３０ａに固定配置されている。

上記したように、ＩＣ１０は、一対の２組のターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂを介装部材として、回路基板３０の部品実装面３０ａに実装されている。なお、図３では上記リード１２，１２，…，１２の一部を省略して示している。また、この実施形態では、上記ＩＣ１０として、表面に透光部材（ガラス）１３を配した、数ミリ角程度の固体撮像素子を例に示しているが、透光部材１３を有していない、他の構成による小型ＩＣであってもよい。

上記ＩＣ本体１１の両側に設けられたターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、１６Ａ，１６Ｂのうち、回路基板３０の部品実装面３０ａに接合されるターミナルスタッド基板１５Ａ、１６Ａは、それぞれ、図１に示すように、ＩＣ１０の下面（ＩＣ本体１１の下面）より突出しており、図３に示すように、ターミナルスタッド基板１５Ａ、１６Ａが回路基板３０の部品実装面３０ａに実装されることにより、ＩＣ１０の下面と回路基板３０の部品実装面３０ａとの間に所定の間隙（図６に示す符号Ｓａ参照）を形成している。さらに、ターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、１６Ａ，１６Ｂは、ＩＣ本体１１から横方向に延出するリード１２，１２，…，１２の各先端部を挟持し、ＩＣ本体１１の両側とターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂとの間に、上記間隙に連通する間隙（図６に示す符号Ｓｂ参照）を形成している。

上記ＩＣ本体１１の両側に設けられたターミナルスタッド基板１５Ｂ、１６Ｂは、それぞれ、図１に示すように、透光部材（ガラス）１３の表面より突出しており、このターミナルスタッド基板１５Ｂ、１６Ｂの突出部分が図示しない光学系部材の取付ガイドを形成している。

上記各ターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、１６Ａ，１６Ｂは、それぞれ４層構造のプリント配線板により構成され、該プリント配線板を一部の小片部を残し、捨て材として切断することにより製造される。この小片部（ターミナルスタッド基板）には、ＩＣ１０のリード１２，１２，…，１２に接合する複数の貫通導体（ターミナルスタッド）２０，２０，…，２０が設けられている。この貫通導体２０，２０，…，２０は、それぞれ、図１に示すように、４層構造の両表層に形成されたビア２１ａ，２１ｂと、この各ビア２１ａ，２１ｂ相互の間を導電接続する貫通ビア２２とにより構成される。上記したプリント配線板から小片のターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、１６Ａ，１６Ｂを製造する工程については、図１２および図１３を参照して後述する。

上記図１乃至図３に示したように、ＩＣ１０は、ＩＣ本体１１の平行する二辺から延出するリード１２，１２，…，１２が、各辺毎に、独立して設けられた、一対のターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂにより支持され、該基板を介装部材として回路基板３０の部品実装面３０ａに実装されている。

ＩＣ１０のリード１２，１２，…，１２とターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、１６Ａ，１６Ｂの熱圧着手段を図４及び図５に示す。このターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、１６Ａ，１６Ｂの熱圧着は、図４に示すように、ＩＣ１０のリード１２，１２，…，１２に対応する貫通導体２０，２０，…，２０を設けた、上記プリント配線板の小片部により構成される上下一対の２組のターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂを用意する。このターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂのリード接合面に、金属バンプ（例えば金（Ａｕ）バンプ）１２ａを形成した後、各組の一方のターミナルスタッド基板（図では１５Ａと１６Ａ）のリード接合面に、導電接合部材１８として、ＡＣＦ（anisotropic conductive film）またはＡＣＰ（anisotropic conductive paste）、もしくはＮＣＦ（Non Conductive Film）またはＮＣＰ（Non Conductive Paste）を付着させる。その後、図５に示すように、加熱・加圧成型機（ＰＡ，ＰＢ）にて、ターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂがそれぞれリード１２，１２，…，１２を挟んだ状態で、ターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂを加熱し、加圧する。この加熱、加圧時に、ターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、１６Ａ，１６Ｂを熱伝導路（ｈ）としてリード１２，１２，…，１２が加熱され、導電接合部材１８（ＡＣＦまたはＡＣＰ、ＮＣＦ、ＮＣＰ）を介在して、ターミナルスタッド基板１５Ａと１５Ｂとの間、およびターミナルスタッド基板１６Ａと１６Ｂとの間がそれぞれ加圧されることにより、ＩＣ本体１１の各リード１２，１２，…，１２がターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂに熱圧着される。この熱圧着により、リード１２，１２，…，１２が、該リードを挟むターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂの貫通導体２０，２０，…，２０に導電接合された状態で、２組の各一対のターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６ＢがＩＣ本体１１の隣側に一体に設けられる。

このようにして、ＩＣ本体１１の隣側に各一対のターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂを一体に設けたＩＣ１０を多層回路基板に実装した実装例を図６に示している。図６は層間接続ビア３２、層間貫通ビア３５等を設けた６層構造の多層回路基板を例に示している。この図６に示すＩＣ実装構造は、ターミナルスタッド基板１５Ａ、１６Ａに設けられた貫通導体２０，２０，…，２０が多層回路基板３０Ａの部品実装面３０ａに設けられた部品接合電極３１，３１，…，３１に、はんだ接合されることにより、ＩＣ１０が、ターミナルスタッド基板１５Ａ、１６Ａを介装部材として、多層回路基板３０Ａの部品実装面３０ａに実装される。このターミナルスタッド基板１５Ａ、１６Ａは、それぞれＩＣ１０の下面より突出しており、ＩＣ１０を、ターミナルスタッド基板１５Ａ、１６Ａを介装部材として回路基板３０の部品実装面３０ａに実装することにより、ＩＣ１０の下面と回路基板３０の部品実装面３０ａとの間に所定の間隙（Ｓａ）が形成される。さらに、各組のターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂは、ＩＣ本体１１から横方向に延出するリード１２，１２，…，１２の各先端部を挟持して、ＩＣ本体１１の両側とターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂとの間に、上記間隙（Ｓａ）に連通する間隙（Ｓｂ）を形成している。

上記したターミナルスタッド基板１５Ａ、１６Ａを介装部材としたＩＣ１０の実装構造においては、ＩＣ１０の各リード１２，１２，…，１２が、一対のターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂを介して熱圧着され、ターミナルスタッド基板１５Ａおよび１６Ａを介して回路基板３０（３０Ａ）の部品実装面３０ａに、はんだ接合される構造であることから、リードを直接、加熱して回路接合する構造に較べ、リード加熱接合時のＩＣ本体１１に与える熱的ダメージを著しく低減できる。また、リードを直接または間接に延長してＩＣ本体への熱的影響を避ける実装手段に較べ、ＩＣ本体１１から延出するリード長を短縮できることから、回路基板３０の部品実装面３０ａにおけるＩＣ１０の実装スペースを削減でき、これによって、モジュールの、より小型化が容易に可能となる。また、ＩＣ１０の各リード１２，１２，…，１２が、各辺毎に独立した一対のターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂにより支持されて、回路基板３０の部品実装面３０ａに実装される構造であることから、ＩＣ本体の逃げ孔となる開口を設けた単板（枠体）構造に較べ、残留応力による歪みを低減でき、ＩＣ実装後における回路基板の熱変形、機械的ストレス等に対して安定した回路接合状態を保つことができる。

上記図１乃至図６を基本構成とした本発明の他の各種実施形態を図７乃至図１１に示している。なお、図７乃至図１１においては、上記した図１乃至図６に示す第１実施形態の構成要素と同一部分に同一符号を付し、その説明を省略する。

本発明の第２実施形態に係る小型モジュールの構造を図７に示す。この図７に示す第２実施形態の小型モジュール構造は、上記ＩＣ１０の下面と多層回路基板３０Ａの部品実装面３０ａとの間、およびＩＣ本体１１の両側とターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂとの間にそれぞれ形成された上記間隙部分（図６に示すＳａ，Ｓｂ参照）に、アンダーフィル５０を充填し、ＩＣ１０のＩＣ本体１１およびリード１２，１２，…，１２をターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂとターミナルスタッド基板１６Ａ，１６Ｂとの間の上記間隙部分において樹脂封止したＩＣ実装構造である。このようなＩＣ実装構造とすることで、多層回路基板３０Ａの部品実装面３０ａにおけるＩＣ１０の実装スペースを削減できるとともに、ターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、１６Ａ，１６Ｂを介装部材としたＩＣ１０の実装強度を上記図６に示す構成に比してより高めることができる。

本発明の第３実施形態に係る小型モジュールの構造を図８に示す。この図８に示す第３実施形態の小型モジュール構造は、ＩＣ１０を部品内蔵回路基板３０Ｂに実装し、ＩＣ１０のリード１２をターミナルスタッド基板１６Ａの貫通導体２０、および部品接合電極３１を介して内蔵部品３８に回路接続している。このような回路接続構成とすることにより、部品内蔵回路基板３０Ｂの部品実装面３０ａにおけるＩＣ１０の実装スペースを削減できるとともに、小型モジュールの回路実装密度をより高めることができる。

本発明の第４実施形態に係る小型モジュールの構造を図９に示す。この図９に示す第４実施形態の小型モジュール構造は、上記した第３実施形態の小型モジュール構造において、上記ＩＣ１０の下面と部品内蔵回路基板３０Ｂの部品実装面との間、およびＩＣ本体１１の両側とターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂとの間にそれぞれ形成された上記間隙部分（図８に示す符号Ｓａ，Ｓｂ参照）に、アンダーフィル５０を充填し、ＩＣ１０のＩＣ本体１１およびリード１２，１２，…，１２をターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂとターミナルスタッド基板１６Ａ，１６Ｂとの間の上記間隙部分において樹脂封止したＩＣ実装構造である。このようなＩＣ実装構造とすることで、小型モジュールにおける基板の小型化並びに回路の高密度化が図れるとともにＩＣ実装強度の向上が図れる。

本発明の第５実施形態に係る小型モジュールの構造を図１０に示す。この図１０に示す第５実施形態の小型モジュール構造は、上記ＩＣ１０の下面と多層回路基板３０Ａの部品実装面３０ａとの間に部品実装空間（Ｓｃ）を確保し、該部品実装空間（Ｓｃ）に複数の回路部品ＰＡ，ＰＢを配置し、部品実装面３０ａに実装している。この図１０に示す小型モジュール構造は、実装する回路部品ＰＡ，ＰＢの大きさ（高さ）に応じて、ターミナルスタッド基板１５Ａ，１６Ａに用いるプリント配線板の板厚（ＩＣ本体１１の低面からの突出量）を選択することで、実装する回路部品ＰＡ，ＰＢの大きさに適合する部品実装空間（Ｓｃ）を形成している。このようなＩＣ実装構造とすることで、小型モジュールにおける回路部品の高密度実装化が図れる。

本発明の第６実施形態に係る小型モジュールの構造を図１１に示す。この図１１に示す第６実施形態の小型モジュール構造は、上記ＩＣ１０の下面と多層回路基板３０Ａの部品実装面３０ａとの間に、部品実装面３０ａに実装される回路部品ＰＣの部品実装空間を確保し、該部品実装空間の部品実装面３０ａに回路部品ＰＣを実装している。この図１１に示す小型モジュール構造は、部品実装面３０ａ上に実装する回路部品ＰＣの高さに応じて、ターミナルスタッド基板１５Ａ，１６Ａを複数個スタックし、部品実装面３０ａ上に実装する回路部品ＰＣの大きさに適合する部品実装空間を形成している。このようなＩＣ実装構造とすることで、上記第５実施形態と同様に小型モジュールにおける回路部品の高密度実装化が図れる。さらに、この第６実施形態に係る小型モジュールの構造においては、上記回路部品ＰＣを実装した部品実装空間にアンダーフィル５０を充填し、上記部品実装空間を樹脂封止して、ＩＣ実装強度の向上を図っている。なお、上記した各実施形態において、ターミナルスタッド基板１５Ｂ、１６Ｂの貫通導体２０，２０，…，２０は、ＩＣ１０の外部接合端子として使用することができる。

上記したターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、１６Ａ，１６Ｂの製造並びに実装工程を図１２乃至図１６に示す。ここでは、ターミナルスタッド基板１５Ａ、１６Ａを一枚の４層プリント配線板（Ａ）により形成し、ターミナルスタッド基板１５Ｂ、１６Ｂを他の一枚の４層プリント配線板（Ｂ）により形成した場合の例示している。

１２に示す工程１において、４層プリント配線板（Ａ）を、カットライン（ＣＬ，ＣＬ）に沿い切断して、破線で示す小片（ターミナルスタッド基板１５Ａ、１６Ａとなる小片部）を含んだ基板Ａ１と基板Ａ２とに切り分ける。カットライン（ＣＬ，ＣＬ）により切り落とされた基板は捨て材となる。

１３に示す工程２において、上記工程１と同様に、４層プリント配線板（Ｂ）を、カットライン（ＣＬ，ＣＬ）に沿い切断して、破線で示す小片（ターミナルスタッド基板１５Ｂ、１６Ｂとなる小片部）を含んだ基板Ｂ１と基板Ｂ２とに切り分ける。カットライン（ＣＬ，ＣＬ）により切り落とされた基板は捨て材とする。

図１４に示す工程３において、上記工程１で切断した基板Ａ１、Ａ２を治具にセットし、該基板Ａ１、Ａ２上に、フィルムに装着されたＩＣ１０をセットする。

図１５に示す工程４において、上記工程３でセットしたフィルム上に、上記工程２で切断した基板Ｂ１、Ｂ２をセットし、治具上で重ね合わせた基板Ａ１、Ａ２と基板Ｂ１、Ｂ２を、上記小片を残して、カットライン（ＣＬ，ＣＬ）に沿い切断する。この各小片がターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、１６Ａ，１６Ｂとなる。カットライン（ＣＬ，ＣＬ）により切り落とされた基板は捨て材となる。

図１６に示す工程５において、ターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂがそれぞれリード１２，１２，…，１２を挟んだ状態で、ターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂを加熱し、加圧する。この加熱、加圧時による熱圧着で、ＩＣ１０のリード１２，１２，…，１２が、該リードを挟むターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂの貫通導体２０，２０，…，２０に導電接合された状態で、２組の各一対のターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６ＢがＩＣ本体１１の隣側に一体に設けられる。この加熱、加圧工程については、既に図４および図５を参照して説明しているので、ここでは簡略した図を示している。

上記したように、本発明の実施形態による小型モジュール構造においては、ＩＣ１０の各リード１２，１２，…，１２が、一対のターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂを介して熱圧着され、ターミナルスタッド基板１５Ａおよび１６Ａを介して回路基板３０（３０Ａ，３０Ｂ）の部品実装面３０ａに、はんだ接合される構造であることから、リードを直接、加熱して回路接合する構造に較べ、リード加熱接合時のＩＣ本体１１に与える熱的ダメージを著しく低減できる。また、リードを直接または間接に延長してＩＣ本体への熱的影響を避ける実装手段に較べ、ＩＣ本体１１から延出するリード長を短縮できることから、回路基板３０の部品実装面３０ａにおけるＩＣ１０の実装スペースを削減でき、これによって、モジュールの、より小型化が容易に可能となる。また、ＩＣ１０の各リード１２，１２，…，１２が、各辺毎に独立した一対のターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂ、および１６Ａ，１６Ｂにより支持されて、回路基板３０の部品実装面３０ａに実装される構造であることから、ＩＣ本体の逃げ孔となる開口を設けた単板（枠体）構造に較べ、残留応力による歪みを低減でき、ＩＣ実装後における回路基板の熱変形、機械的ストレス等に対して安定した回路接合状態を保つことができる。さらに、ターミナルスタッド基板１５Ａ，１５Ｂと、ターミナルスタッド基板１６Ａ，１６Ｂを用いて、ＩＣ１０を容易に樹脂封止することができることから、小型モジュールにおける基板の小型化並びに回路の高密度化が図れるとともにＩＣ実装強度の向上が図れる。

本発明の第１実施形態に係る小型モジュールの構成を示す一部を断面にした側面図。 上記第１実施形態に係る小型モジュールの構成を示す平面図。 上記第１実施形態に係る小型モジュールの構成を示す斜視図。 上記第１実施形態に係る小型モジュールの製造工程を示す図。 上記第１実施形態に係る小型モジュールの製造工程を示す図。 上記第１実施形態に係る小型モジュールの構成を示す一部を断面にした側面図。 本発明の第２実施形態に係る小型モジュールの構成を示す一部を断面にした側面図。 本発明の第３実施形態に係る小型モジュールの構成を示す一部を断面にした側面図。 本発明の第４実施形態に係る小型モジュールの構成を示す一部を断面にした側面図。 本発明の第５実施形態に係る小型モジュールの構成を示す一部を断面にした側面図。 本発明の第６実施形態に係る小型モジュールの構成を示す一部を断面にした側面図。 上記各実施形態におけるターミナルスタッド基板の製造並びに実装工程を示す図。 上記各実施形態におけるターミナルスタッド基板の製造並びに実装工程を示す図。 上記各実施形態におけるターミナルスタッド基板の製造並びに実装工程を示す図。 上記各実施形態におけるターミナルスタッド基板の製造並びに実装工程を示す図。 上記各実施形態におけるターミナルスタッド基板の製造並びに実装工程を示す図。

符号の説明

１０…ＩＣ、１１…ＩＣ本体、１２…リード、１３…透光部材（ガラス）、１５Ａ，１５Ｂ、１６Ａ，１６Ｂ…補助基板（ターミナルスタッド基板）、１８…導電接合部材（ＡＣＦ／ＡＣＰ）、２０…貫通導体、２１ａ．２１ｂ…ビア、２２…貫通ビア、３０…回路基板、３０Ａ…多層回路基板、３０Ｂ…部品内蔵回路基板、３０ａ…部品実装面、３１…部品接合電極、３２…層間接続ビア、３５…層間貫通ビア、３８…内蔵部品、５０…アンダーフィル。

Claims (10)

1. 少なくとも二辺にリードを有するＩＣと、
   部品実装面を有する回路基板と、
   前記回路基板の部品実装面と前記ＩＣとの間に介装され、前記リードを前記各辺毎に挟持して、前記ＩＣを前記回路基板の部品実装面に実装した複数組の一対の補助基板と、
   前記一対の補助基板の少なくとも一方に設けられ、前記挟持したリードに導電接合されて、前記リードを前記回路基板に回路接続する貫通導体と、
   を具備したことを特徴とする小型モジュール。
2. 前記ＩＣは、前記部品実装面に対し所定の間隙を存して前記補助基板により支持されていることを特徴とする請求項１に記載の小型モジュール。
3. 前記ＩＣは、矩形状の本体と、該本体の少なくとも平行する二辺から延出する、各辺毎に複数のリードとを有し、前記各リードが、それぞれ各辺毎に前記一対の補助基板に挟持されて前記本体が前記部品実装面に実装されていることを特徴とする請求項１に記載の小型モジュール。
4. 前記ＩＣの少なくとも両側に設けられた補助基板は、前記ＩＣの下面より突出しており、前記補助基板を、前記回路基板の部品実装面に実装することにより、前記ＩＣの下面と前記部品実装面との間に間隙を形成していることを特徴とする請求項１に記載の小型モジュール。
5. 前記ＩＣの少なくとも両側に設けられた前記補助基板は、前記ＩＣのリードの先端部を挟持し、前記ＩＣと前記補助基板との間に間隙を形成していることを特徴とする請求項１に記載の小型モジュール。
6. 前記ＩＣは、前記部品実装面上の前記複数組の補助基板相互の間に形成される空間部において樹脂封止されていることを特徴とする請求項１に記載の小型モジュール。
7. 前記回路基板は、内層に内蔵部品を設けた多層プリント配線板により構成され、前記リードの少なくとも一つが前記貫通導体を介して前記内蔵部品に回路接続されていることを特徴とする請求項１に記載の小型モジュール。
8. 前記ＩＣの下面と前記部品実装面との間に形成された間隙部に回路部品が実装されていることを特徴とする請求項４に記載の小型モジュール。
9. 前記リードは、少なくとも前記回路基板に回路接続された貫通導体に接合する接合部分に金属バンプを有し、前記リードは前記金属バンプおよび導電接合部材を介して熱圧着により前記貫通導体に導電接合されていることを特徴とする請求項１に記載の小型モジュール。
10. 前記ＩＣは、表面に透光部材を配した固体撮像素子であり、前記補助基板の一部先端が前記透光部材より突出していることを特徴とする請求項１に記載の小型モジュール。

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