JP2009056384A - 液体塗布方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】液足らずを防ぎつつ、ウエーハ1枚当たりの液体の吐出量(即ち、塗布量)を減らすことができるようにした液体塗布方法を提供する。
【解決手段】ウエーハを回転させると共に、ウエーハの上方に配置された吐出ノズルから回転しているウエーハの表面の中心部上に液体を吐出して当該液体を遠心力で拡散させることによって、ウエーハの表面上に液体を塗布する方法であって、ウエーハの直径は6インチであり、ウエーハ1枚当たりの液体の吐出量をa[ml]、ノズルからの液体の吐出速度をb[ml/sec]、ウエーハの回転数をc[rpm]、液体の粘度をd[mPa・s]としたとき、a〜dを、0.55≦a、 1.1≦b≦2.0、 4000≦c≦8000、 7≦d≦40、 にそれぞれ設定する。
【選択図】図3
【解決手段】ウエーハを回転させると共に、ウエーハの上方に配置された吐出ノズルから回転しているウエーハの表面の中心部上に液体を吐出して当該液体を遠心力で拡散させることによって、ウエーハの表面上に液体を塗布する方法であって、ウエーハの直径は6インチであり、ウエーハ1枚当たりの液体の吐出量をa[ml]、ノズルからの液体の吐出速度をb[ml/sec]、ウエーハの回転数をc[rpm]、液体の粘度をd[mPa・s]としたとき、a〜dを、0.55≦a、 1.1≦b≦2.0、 4000≦c≦8000、 7≦d≦40、 にそれぞれ設定する。
【選択図】図3
Description
本発明は、液体塗布方法に関する。
この種の従来技術としては例えば特許文献1に開示されたものがあり、かかる文献には、ウエーハを回転させつつその中心部にレジスト液を供給して、レジスト液をウエーハの径方向外方に拡げながら塗布する技術が開示されている。このようなレジスト液の塗布方法は、ダイナミックディスペンスとも呼ばれている。
特開平11−260717号公報
ところで、レジスト液の塗布工程では、レジスト液の塗布量(即ち、各ウエーハに対するレジスト液の滴下量)を少なくするために、ウエーハを高速度で回転させたり、ウエーハの表面にプリウェットを施したりすることが行われてきた。即ち、ダイナミックディスペンスにおいて、ウエーハを高速度で回転させつつその中心部にレジスト液を供給すると、レジスト液は短時間の間に拡がるので、レジスト液の塗布量を少なくすることができた。また、ウエーハ表面に予め溶剤を塗布してその濡れ性を高めておくと、レジスト液は短時間の間に拡がるので、レジスト液の塗布量を少なくすることができた。しかしながら、最近では、半導体装置の製造コストのさらなる低減が望まれており、そのための一つの方法として、レジスト液(以下、液体ともいう。)の塗布量をさらに少なくすることが望まれていた。
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液足らずを防ぎつつ、ウエーハ1枚当たりの液体の塗布量を低減できるようにした液体塗布方法の提供を目的とする。
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液足らずを防ぎつつ、ウエーハ1枚当たりの液体の塗布量を低減できるようにした液体塗布方法の提供を目的とする。
上記目的を達成するために、発明1の液体塗布方法は、ウエーハを回転させると共に、前記ウエーハの上方に配置されたノズルから回転している前記ウエーハの表面の中心部上に液体を吐出して当該液体を遠心力で拡散させることによって、前記ウエーハの表面上に前記液体を塗布する方法であって、前記ウエーハの直径は6インチであり、前記ウエーハ1枚当たりの前記液体の吐出量をa[ml]、前記ノズルからの前記液体の吐出速度をb[ml/sec]、前記ウエーハの回転数をc[rpm]、前記液体の粘度をd[mPa・s]としたとき、前記a〜dを、0.55≦a、 1.1≦b≦2.0、 4000≦c≦8000、 7≦d≦40、 にそれぞれ設定することを特徴とするものである。
ここで、「液体」は例えばレジスト液Rである。また、液体の粘度dは、常温(24℃前後)での値である。本発明者の知見によれば、液体の吐出速度(即ち、ディスペンスレート)の違いによって、ウエーハWの外周部への液体の供給量が異なってくる。
ここで、「液体」は例えばレジスト液Rである。また、液体の粘度dは、常温(24℃前後)での値である。本発明者の知見によれば、液体の吐出速度(即ち、ディスペンスレート)の違いによって、ウエーハWの外周部への液体の供給量が異なってくる。
即ち、図6(a)に示すように、ディスペンスレートが低い場合は、ディスペンス時(即ち、レジスト液Rの吐出を開始してから約1秒が経過するまで)においてレジスト液RはウエーハWの中心部に供給され、外周部への供給は不足がちとなる。ディスペンス時はウエーハWが高速で回転しており、外周へ広がったレジスト液Rはその供給量が少ないために溶媒がすぐに揮発し、粘度が高くなる。このため、外周部へのレジスト液Rの広がりが悪くなる。一方、図6(b)に示すように、ディスペンスレートが高い場合は、ディスペンス時においてレジスト液RはウエーハWの中心部に短期間のうちに供給され、供給されたレジスト液Rの大部分が液の広がりに貢献する。外周部へ供給されるレジスト液Rが多いために、液足らずに対するマージンが拡大する。
従来の技術では、ダイナミックディスペンスにおけるディスペンスレートは0.5〜0.8[ml/sec]程度と低く、ディスペンスレートが1.1[ml/sec]以上(即ち、高ディスペンスレート)に設定されることはなかった。
従来の技術では、ダイナミックディスペンスにおけるディスペンスレートは0.5〜0.8[ml/sec]程度と低く、ディスペンスレートが1.1[ml/sec]以上(即ち、高ディスペンスレート)に設定されることはなかった。
発明2の液体塗布方法は、ウエーハを回転させると共に、前記ウエーハの上方に配置されたノズルから回転している前記ウエーハの表面の中心部上に液体を吐出して当該液体を遠心力で拡散させることによって、前記ウエーハの表面上に前記液体を塗布する方法であって、前記ウエーハの直径は8インチであり、前記ウエーハ1枚当たりの前記液体の吐出量をA[ml]、前記ノズルからの前記液体の吐出速度をB[ml/sec]、前記ウエーハの回転数をC[rpm]、前記液体の粘度をD[mPa・s]としたとき、前記A〜Dを、2≦A、 1.1≦B≦2.0、 4000≦C≦8000、 7≦D≦40、 にそれぞれ設定することを特徴とするものである。ここで、液体の粘度Dは、常温(24℃前後)での値である。
発明3の液体塗布方法は、発明1又は発明2の液体塗布方法において、前記液体はレジスト液であることを特徴とするものである。
発明1〜3の方法によれば、ダイナミックディスペンスにおけるディスペンスレートは1.1[ml/sec]以上と高く、ウエーハ表面の中心部上に液体が短期間のうちに供給され、供給された液体の大部分が中心部から外周部に拡散する。従って、ウエーハ表面の外周部に液体を効率良く供給することができ、液足らずを防ぎつつ、ウエーハ1枚当たりの液体の吐出量(即ち、塗布量)を減らすことができる。例えば、レジストの膜厚安定性を良好に保ちつつ、ウエーハ1枚当たりのレジスト液の塗布量を削減することができる。これにより、半導体装置の製造コストの低減が可能である。
発明1〜3の方法によれば、ダイナミックディスペンスにおけるディスペンスレートは1.1[ml/sec]以上と高く、ウエーハ表面の中心部上に液体が短期間のうちに供給され、供給された液体の大部分が中心部から外周部に拡散する。従って、ウエーハ表面の外周部に液体を効率良く供給することができ、液足らずを防ぎつつ、ウエーハ1枚当たりの液体の吐出量(即ち、塗布量)を減らすことができる。例えば、レジストの膜厚安定性を良好に保ちつつ、ウエーハ1枚当たりのレジスト液の塗布量を削減することができる。これにより、半導体装置の製造コストの低減が可能である。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
(1)実施形態
図1は、本発明の実施形態に係るスピンコータ10の構成例を示す概念図である。図1に示すスピンコータ10は、ウエーハWを回転させつつ、その表面の中心部上にレジスト液を吐出し遠心力で拡散させること(即ち、ダイナミックディスペンス)により、ウエーハWの表面上にレジストを塗布する装置であり、回転ステージ1と吐出ノズル2とを含んだ構成となっている。
(1)実施形態
図1は、本発明の実施形態に係るスピンコータ10の構成例を示す概念図である。図1に示すスピンコータ10は、ウエーハWを回転させつつ、その表面の中心部上にレジスト液を吐出し遠心力で拡散させること(即ち、ダイナミックディスペンス)により、ウエーハWの表面上にレジストを塗布する装置であり、回転ステージ1と吐出ノズル2とを含んだ構成となっている。
回転ステージ1は、ウエーハWの裏面を回転可能に支持するものである。この回転ステージ1のウエーハWの裏面と接触する面(以下で、接触面という)には多数の孔(図示せず)が設けられおり、これらの孔は真空ポンプ(図示せず)に接続されている。ウエーハWを回転ステージ1上に載置した状態で、これらの孔から空気を吸引すると、ウエーハWの裏面は回転ステージ1の接触面に吸着されて固定される。また、図1の矢印で示すように、この回転ステージ1は、その接触面の中心を通る鉛直線回りに回転可能になっている。このため、回転ステージ1の接触面の中心と、ウエーハWの中心とを重ね合わせるようにして、この回転ステージ1上にウエーハWを固定し、この回転ステージ1を回転動作させることにより、ウエーハWをその表面の中心を通る鉛直線回りに回転させることができる。
吐出ノズル2は、その先端に吐出口2aを有し、その後端がレジスト液を圧送するレジスト液圧送部(図示せず)に接続されている。この吐出ノズル2は、その吐出口2aが回転ステージ1の接触面の中心部上方にくるように位置が調整されている。これにより、レジスト液は、レジスト液圧送部の圧送動作によって、吐出ノズル2を通って吐出口2aまで圧送され、回転ステージ1上に固定されたウエーハWの表面の中心部上に滴下されるようになっている。
図2(a)及び(b)は、本発明の実施形態に係るレジスト液の塗布条件を示す表図である。図2(a)に示すように、ウエーハWの直径(即ち、ウエーハサイズ)が6インチの場合は、ウエーハW1枚当たりのレジスト液の吐出量(即ち、塗布量)を0.55[ml]以上、より好ましくは0.6〜0.65[ml]の範囲に設定する。また、吐出口2aからのレジスト液の吐出速度(即ち、ディスペンスレート)を1.1〜2.0[ml/sec]、より好ましくは1.1〜1.4[ml/sec]の範囲に設定する。さらに、ウエーハWの回転数(即ち、回転ステージ1の回転数)を4000〜8000[rpm]、より好ましくは4500〜5500[rpm]の範囲に設定する。また、ウエーハWの表面上に滴下するレジスト液の粘度を7〜40[mPa・s]、より好ましくは7〜30[mPa・s]の範囲に設定する。レジスト液の粘度は、常温(24℃前後)での値である。
また、図2(b)に示すように、ウエーハサイズが8インチの場合は、ウエーハW1枚当たりのレジスト液の塗布量を2[ml]以上、より好ましくは2.5〜3[ml]の範囲に設定する。また、ディスペンスレートを1.1〜2.0[ml/sec]、より好ましくは1.1〜1.4[ml/sec]の範囲に設定する。さらに、回転ステージ1の回転数を4000〜8000[rpm]、より好ましくは4500〜5500[rpm]の範囲に設定する。また、ウエーハWの表面上に滴下するレジスト液の粘度を7〜40[mPa・s]、より好ましくは7〜20[mPa・s]の範囲に設定する。レジスト液の粘度は、常温(24℃前後)での値である。
このように、6インチ又は8インチの各ウエーハWに対して、上記の塗布条件で且つダイナミックディスペンスで、吐出口2aからレジスト液を滴下すると、ウエーハWの表面の中心部上にレジスト液が短期間のうちに供給され、供給されたレジスト液の大部分が中心部から外周部に拡散する。従って、ウエーハW表面の外周部にレジスト液を効率良く供給することができ、液足らずを防ぎつつ、ウエーハW1枚当たりのレジスト液の吐出量を減らすことができる。これにより、後述の実験結果で示すように、レジスト(膜)の膜厚安定性を良好に保ちつつ、ウエーハW1枚当たりのレジスト液の吐出量を削減することができるので、半導体装置の製造コストの低減が可能である。
この実施形態では、吐出口2aを有する吐出ノズル2が本発明の「ノズル」に対応している。
この実施形態では、吐出口2aを有する吐出ノズル2が本発明の「ノズル」に対応している。
(2)実験及びその結果
2−1)レジスト液の広がり特性について
図3(a)は、レジスト液の広がり特性に関する実験結果を示す表図である。この実験では、ダイナミックディスペンスで、レジスト液の塗布量とそのディスペンスレートとを数種類の条件に分けてそれぞれレジスト液の塗布を行い、液足らずのマージンを調査した。ここでは、6インチのベアSiウエーハを使用し、図3(a)に示すように、レジスト液の塗布量を0.55〜0.8[ml]の範囲で0.05[ml]毎に設定すると共に、ディスペンスレートを0.5〜1.7[ml/sec]の範囲で0.3[ml/sec]毎に設定した。また、ウエーハの回転数を5000[rpm]に設定し、レジスト液にはその粘度が29〜31[mPa・s]のものを使用した。レジスト液の粘度は、常温(24℃前後)での値である。また、レジスト液の塗布厚(即ち、レジストの膜厚)の目標値は11000±100[Å]である。
2−1)レジスト液の広がり特性について
図3(a)は、レジスト液の広がり特性に関する実験結果を示す表図である。この実験では、ダイナミックディスペンスで、レジスト液の塗布量とそのディスペンスレートとを数種類の条件に分けてそれぞれレジスト液の塗布を行い、液足らずのマージンを調査した。ここでは、6インチのベアSiウエーハを使用し、図3(a)に示すように、レジスト液の塗布量を0.55〜0.8[ml]の範囲で0.05[ml]毎に設定すると共に、ディスペンスレートを0.5〜1.7[ml/sec]の範囲で0.3[ml/sec]毎に設定した。また、ウエーハの回転数を5000[rpm]に設定し、レジスト液にはその粘度が29〜31[mPa・s]のものを使用した。レジスト液の粘度は、常温(24℃前後)での値である。また、レジスト液の塗布厚(即ち、レジストの膜厚)の目標値は11000±100[Å]である。
図3(b)は液足らずのレベルを示す概念図である。レベルAは、ウエーハの全面において液足らずは見当たらず、量産工程で合格(GOOD)となるレベルである。レベルB以下は、ウエーハの外周付近に液足らずが見られ、量産工程で不合格(NG)となるレベルである。レベルBからレベルGに向けて液足らずの度合いが増す。なお、レベルB〜Gに示すように、液足らずはウエーハの外周部で多く見られ、その典型的な形状はスジ状である。このため、液足らずの度合いは、スジ状の未塗布領域の面積や数で測ることができる。
図3(a)及び(b)に示すように、6インチのベアSiウエーハで、ディスペンスレートが0.8[ml/sec]の場合、液足らずを生じさせないための限界塗布量(即ち、最低必要量)は0.65[ml]であった。これに対し、ディスペンスレートが1.1[ml]以上の場合は、塗布量が0.55[ml]であっても液足らずは生じなかった。この結果から、ディスペンスレートを1.1[ml/sec]以上に設定することで、レジスト液の液足らずを防ぎつつその塗布量を低減することができる、ということがわかった。
2−2)レジストの膜厚安定性について
図4(a)は、レジスト(膜)の膜厚安定性を調べるための2つの条件、及びその実験結果を示す図である。ここで、2つの条件とは旧条件と新条件とである。旧条件はリファレンスであり、本発明と比べて、レジスト液の塗布量が多くディスペンスレートが低い条件である。また、新条件は本発明の一例であり、レジスト液の塗布量が少なくディスペンスレートが高い条件である。図2の場合と同様、両条件ともレジストの膜厚の目標値は11000±100[Å]である。ここでは、レジストの膜厚を各々のウエーハ面内でそれぞれ15箇所ずつ測定し、各々のウエーハ毎に膜厚平均値(Ave)と膜厚レンジ(Range)とを算出した。膜厚レンジとは、各々のウエーハ面内における膜厚の最大値−最小値、即ち、max−minである。
図4(a)は、レジスト(膜)の膜厚安定性を調べるための2つの条件、及びその実験結果を示す図である。ここで、2つの条件とは旧条件と新条件とである。旧条件はリファレンスであり、本発明と比べて、レジスト液の塗布量が多くディスペンスレートが低い条件である。また、新条件は本発明の一例であり、レジスト液の塗布量が少なくディスペンスレートが高い条件である。図2の場合と同様、両条件ともレジストの膜厚の目標値は11000±100[Å]である。ここでは、レジストの膜厚を各々のウエーハ面内でそれぞれ15箇所ずつ測定し、各々のウエーハ毎に膜厚平均値(Ave)と膜厚レンジ(Range)とを算出した。膜厚レンジとは、各々のウエーハ面内における膜厚の最大値−最小値、即ち、max−minである。
図4(a)に示すように、旧条件では塗布量を0.8[ml]、ディスペンスレートを0.8[ml/sec]としたときのレジストの膜厚平均値は11021[Å]、膜厚レンジは34[Å]であった。これに対して、新条件では塗布量を0.65[ml]、ディスペンスレートを1.1[ml/sec]としたときのレジストの膜厚平均値は11011[Å]、膜厚レンジは58[Å]であった。膜厚レンジについては新条件の方が若干大きな値となったが、膜厚の目標値が11000[Å]であることを考慮すれば、膜厚レンジに関して両条件の間に有意差は無い(即ち、量産レベルで問題無い)と言える。
図4(b)は、レジスト(膜)の膜厚平均値及び膜厚レンジの、ウエーハ間でのばらつきを調査した結果を示す図である。図4(b)において、破線の左側は旧条件で得られたデータであり、破線の右側は新条件で得られたデータである。新条件については枚葉式で連続処理した1〜5枚目までのデータを記載した。図4(b)に示すように、新条件では1〜5枚目のいずれのウエーハおいても、レジストの膜厚平均値及び膜厚レンジは旧条件のそれと同等であった。また、1〜5枚目の各ウエーハ間で、レジストの膜厚平均値及び膜厚レンジのばらつきも小さい。この結果から、新条件でもレジストの膜厚安定性を良好に保つことができる、ということがわかった。
2−3)ウエーハサイズ(面積)と塗布量との関係
図5はウエーハサイズ(面積)と塗布量との関係を示す図である。図5中の破線からなる曲線は限界塗布量を示し、曲線から上側の領域は液足らずが生じない領域(即ち、GOOD領域)、曲線から下側の領域は液足らずが生じる領域(即ち、NG領域)である。
図3(a)では、6インチウエーハでダイナミックディスペンスを行ったときの広がり特性を示したが、これはあくまで6インチのデータである。6インチのウエーハ面積は例えば28.26平方インチ、8インチのウエーハ面積は例えば50.24平方インチ(これらの値は、オリエンテーションフラットや、ノッチの有無によって多少変動する)であり、ディスペンスレートが一定で、且つ膜厚の目標値が一定の場合、ウエーハ面積が大きくなるほどレジスト液の塗布量は増大する。
図5はウエーハサイズ(面積)と塗布量との関係を示す図である。図5中の破線からなる曲線は限界塗布量を示し、曲線から上側の領域は液足らずが生じない領域(即ち、GOOD領域)、曲線から下側の領域は液足らずが生じる領域(即ち、NG領域)である。
図3(a)では、6インチウエーハでダイナミックディスペンスを行ったときの広がり特性を示したが、これはあくまで6インチのデータである。6インチのウエーハ面積は例えば28.26平方インチ、8インチのウエーハ面積は例えば50.24平方インチ(これらの値は、オリエンテーションフラットや、ノッチの有無によって多少変動する)であり、ディスペンスレートが一定で、且つ膜厚の目標値が一定の場合、ウエーハ面積が大きくなるほどレジスト液の塗布量は増大する。
本発明者の知見では、6インチウエーハの表面上にダイナミックディスペンスで0.80[ml]のレジスト液を吐出して得られるレジスト(膜)、と同じ膜厚のレジストを8インチウエーハの表面上に形成するためには、同一の条件(即ち、ダイナミックディスペンスで、同一のディスペンスレート、同一の回転数、同一のレジスト粘度)で3.0[ml]のレジスト液を吐出する必要である。つまり、8インチウエーハでは、レジスト液の吐出量(塗布量)として6インチの3.75倍の量が必要である。
従って、本発明では、8インチウエーハにおけるレジスト液の塗布量とそのディスペンスレートを、図3(a)に示した6インチウエーハの実験結果と図5に示した相関図とに基づいてそれぞれ設定しても良い。即ち、6インチウエーハにおける塗布量の3.75倍の値を8インチウエーハにおけるレジスト液の塗布量に設定すると共に、6インチウエーハにおけるディスペンスレートをそのまま8インチウエーハにおけるディスペンスレートに設定しても良い。一例を挙げると、6インチウエーハにおける塗布量が0.65[ml]の場合は、8インチウエーハにおける塗布量を2.4[ml]に設定する。また、6インチウエーハにおけるディスペンスレートが例えば1.10[ml/sec]の場合は、8インチウエーハにおけるディスペンスレートも1.10[ml/sec]に設定する。
このように設定した場合でも、ディスペンスレートは旧条件と比べて高く、8インチウエーハの表面の中心部上にレジスト液が短期間のうちに供給される。そして、供給されたレジスト液の大部分が8インチウエーハの中心部から外周部に拡散するので、6インチウエーハの場合と同様の効果を得ることができる。
1 回転ステージ、2 吐出ノズル、2a 吐出口、R レジスト液、W ウエーハ
Claims (3)
- ウエーハを回転させると共に、前記ウエーハの上方に配置されたノズルから回転している前記ウエーハの表面の中心部上に液体を吐出して当該液体を遠心力で拡散させることによって、前記ウエーハの表面上に前記液体を塗布する方法であって、
前記ウエーハの直径は6インチであり、
前記ウエーハ1枚当たりの前記液体の吐出量をa[ml]、前記ノズルからの前記液体の吐出速度をb[ml/sec]、前記ウエーハの回転数をc[rpm]、前記液体の粘度をd[mPa・s]としたとき、前記a〜dを、
0.55≦a、 1.1≦b≦2.0、 4000≦c≦8000、 7≦d≦40、 にそれぞれ設定することを特徴とする液体塗布方法。 - ウエーハを回転させると共に、前記ウエーハの上方に配置されたノズルから回転している前記ウエーハの表面の中心部上に液体を吐出して当該液体を遠心力で拡散させることによって、前記ウエーハの表面上に前記液体を塗布する方法であって、
前記ウエーハの直径は8インチであり、
前記ウエーハ1枚当たりの前記液体の吐出量をA[ml]、前記ノズルからの前記液体の吐出速度をB[ml/sec]、前記ウエーハの回転数をC[rpm]、前記液体の粘度をD[mPa・s]としたとき、前記A〜Dを、
2≦A、 1.1≦B≦2.0、 4000≦C≦8000、 7≦D≦40、 にそれぞれ設定することを特徴とする液体塗布方法。 - 前記液体はレジスト液であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液体塗布方法。
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