JP2009043942A - ２端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 claims abstract description 11
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 abstract description 8
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 3
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UPYKUZBSLRQECL-UKMVMLAPSA-N Lycopene Natural products CC(=C/C=C/C=C(C)/C=C/C=C(C)/C=C/C1C(=C)CCCC1(C)C)C=CC=C(/C)C=CC2C(=C)CCCC2(C)C UPYKUZBSLRQECL-UKMVMLAPSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 150000001746 carotenes Chemical class 0.000 description 2
- 235000005473 carotenes Nutrition 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- NCYCYZXNIZJOKI-UHFFFAOYSA-N vitamin A aldehyde Natural products O=CC=C(C)C=CC=C(C)C=CC1=C(C)CCCC1(C)C NCYCYZXNIZJOKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052946 acanthite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N silver sulfide Chemical compound [S-2].[Ag+].[Ag+] XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940056910 silver sulfide Drugs 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/122—Single quantum well structures
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- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/50—Bistable switching devices
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/221—Carbon nanotubes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/823—Device geometry adapted for essentially horizontal current flow, e.g. bridge type devices
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- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Mathematical Physics (AREA)
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Abstract
【課題】本発明の課題は、多層カーボンナノチューブあるいは多層カーボンナノファイバー自体の直径の小ささを利用し、素子全体として20nm×20nm程度の極めて小さな抵抗スイッチ素子を、分子内包工程を必要としないより簡単な手法で、より優れた電気伝導率で提供することである。
【課題を解決するための手段】多層カーボンナノファイバーあるいは多層カーボンナノチューブをナノスケールの間隙幅をもって配置したことを特徴とする２端子抵抗スイッチ素子である。
【選択図】図１
【課題を解決するための手段】多層カーボンナノファイバーあるいは多層カーボンナノチューブをナノスケールの間隙幅をもって配置したことを特徴とする２端子抵抗スイッチ素子である。
【選択図】図１
Description
本発明は、２端子抵抗スイッチ素子特に多層カーボンナノチューブあるいは多層カーボンナノファイバーを用いた２端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイスに関するものである。
現在電気素子の微細化が進み、それぞれの素子の微細化限界が近づきつつある。例えば、現在の主力メモリ素子であるＣＭＯＳの場合、その機能を発現するチャネル長の最小値は６ｎｍであると予想されている。この限界を超える新技術開発のため、様々なアイデアを元に新たな素子の開発が世界中で進められている。
メモリ素子に関して例示すると、原子移動や分子の特性変化を介し、On／Off状態間で大きな抵抗変化を生じる２端子抵抗スイッチ素子が研究されている。以下に代表的な例を紹介する。
メモリ素子に関して例示すると、原子移動や分子の特性変化を介し、On／Off状態間で大きな抵抗変化を生じる２端子抵抗スイッチ素子が研究されている。以下に代表的な例を紹介する。
非特許文献１で紹介された手法は、硫化銀電極と白金電極の間の電気化学反応を利用して銀粒子の伸縮及び収縮を行い、電極間を銀原子で架橋・切断をコントロールし原子スイッチを実現するものである。
非特許文献２で紹介されている手法は、カテナン系分子の酸化還元反応を利用し、電圧でこの分子の酸化還元反応を誘起させチャンネルを開き、スイッチ素子を実現している。
以上のように近年、少数の金属原子の伸縮若しくは分子の酸化還元反応を利用したスイッチ素子が報告されている。
非特許文献２で紹介されている手法は、カテナン系分子の酸化還元反応を利用し、電圧でこの分子の酸化還元反応を誘起させチャンネルを開き、スイッチ素子を実現している。
以上のように近年、少数の金属原子の伸縮若しくは分子の酸化還元反応を利用したスイッチ素子が報告されている。
また発明者らは、図１に示すように、ナノスケール間隙幅を持った金属電極間に電圧を印加することによる２端子抵抗スイッチ素子を提案している（特許文献１、非特許文献３）。この文献で提案している手法は、０．１ｎｍ〜２０ｎｍ程度のギャップ幅をもつ金電極間に電圧を印加することによってギャップ幅をコントロールするものである。この手法によればギャップ部の抵抗値をコントロールでき、そのギャップ幅のコントロールを利用して不揮発性メモリとして応用できることを示した。
さらに発明者らは、カーボンナノチューブを用いて、20nm以下の空隙幅のギャップ電極を作製することにより、現在のシリコンプロセスの限界配線幅（45nm）をはるかに下回る領域面積でのスイッチングデバイスを作製することを試みた。電極の材料が単層カーボンナノチューブ単体を用いた場合は、スイッチング現象は確実に起こらなかったが、フラーレン分子（C60）やカロテン分子を内包した単層カーボンナノチューブを用いると、スイッチング現象が高い確率で発現することを確認した。
しかし、フラーレン分子やカロテン分子を内包したカーボンナノチューブによるスイッチ素子の作製に当たっては、カーボンナノチューブに分子を内包させる工程が必要になるため、作製効率の点で難点があった。さらに、単層カーボンナノチューブは半導体の性質をもつ場合と金属の性質を持つ場合があるが、電極として適切な金属性質の単層カーボンナノチューブだけを選別する精製コストは非常に高価であり、また、単層カーボンナノチューブは熱や酸化に対して脆弱であるという問題がある。
特願２００６−１８９３８０号
Nature 433, (2005)47-50.
SCIENCE 289, (2000) 1172-1175.
Nanotechnology 17,(2007) 5669-5674.
本発明の課題は、多層カーボンナノチューブあるいは多層カーボンナノファイバー自体の直径の小ささを利用し、素子全体として20nm×20nm程度の極めて小さな抵抗スイッチ素子を、分子内包工程を必要としないより簡単な手法で、より優れた電気伝導率で提供することである。
上記課題は次のような手段により解決される。
（１）多層カーボンナノファイバーをナノスケールの間隙幅をもって配置したことを特徴とする２端子抵抗スイッチ素子。
（２）上記間隙幅をもって配置した多層カーボンナノファイバーに電極を設けたことを特徴とする（１）に記載の２端子抵抗スイッチ素子。
（３）多層カーボンナノチューブをナノスケールの間隙幅をもって配置したことを特徴とする２端子抵抗スイッチ素子。
（４）上記間隙幅をもって配置した多層カーボンナノチューブに電極を設けたことを特徴とする（３）に記載の２端子抵抗スイッチ素子。
（５）上記間隙幅は、０．１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であることを特徴とする（１）ないし（４）のいずれかに記載の２端子抵抗スイッチ素子。
（６）（１）乃至（５）のいずれかに記載の２端子抵抗スイッチ素子を組み込んだ半導体デバイス。
（１）多層カーボンナノファイバーをナノスケールの間隙幅をもって配置したことを特徴とする２端子抵抗スイッチ素子。
（２）上記間隙幅をもって配置した多層カーボンナノファイバーに電極を設けたことを特徴とする（１）に記載の２端子抵抗スイッチ素子。
（３）多層カーボンナノチューブをナノスケールの間隙幅をもって配置したことを特徴とする２端子抵抗スイッチ素子。
（４）上記間隙幅をもって配置した多層カーボンナノチューブに電極を設けたことを特徴とする（３）に記載の２端子抵抗スイッチ素子。
（５）上記間隙幅は、０．１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であることを特徴とする（１）ないし（４）のいずれかに記載の２端子抵抗スイッチ素子。
（６）（１）乃至（５）のいずれかに記載の２端子抵抗スイッチ素子を組み込んだ半導体デバイス。
本発明では、多層カーボンナノチューブあるいは多層カーボンナノファイバーを採用しているため、化学気相反応法（ＣＶＤ）によって、大量に合成可能であり、分子内包などの手間を必要としない。かつ、多層カーボンナノチューブは、次世代ＬＳＩ配線としても期待されるほど、電気伝導、熱伝導共に優れ、単層カーボンナノチューブよりも流すことができる電流量は大きい利点がある。
本発明の２端子抵抗スイッチ素子は、ナノスケールで向かい合った多層カーボンナノチューブに電圧を印加することにより電気的スイッチを実現するものである。印加した電圧をゆっくりとOVに近づけるとスイッチがOnになり、逆に瞬時に0Vに近づけるとスイッチがOffになる素子である。
図１に、On、Offと繰り返し状態を変化させたときの素子抵抗の変化を示す。２端子抵抗スイッチ素子は、約500kΩのOn状態と約10MΩのOff状態との二つの抵抗状態をとっていることがわかる。＋12Vを素子に印加した状態からの印加電庄の下げ方を変えることによって、この２種類の抵抗値を作り分けることができる。
低いオン抵抗（約500kΩ）は、＋12VからゆっくりとOVに電圧を落とすこと（例えば電圧の変化速度は約1V／s）で実現する。そして高いオフ抵抗（約10MΩ）は、＋12Vから瞬時に0Vに電圧を下げた時（電圧の変化速度は約0.2V／1μs）に実現する。
なおカーボンナノチューブ間の間隙幅は、0．1nm〜２０nmの範囲であればよい。
低いオン抵抗（約500kΩ）は、＋12VからゆっくりとOVに電圧を落とすこと（例えば電圧の変化速度は約1V／s）で実現する。そして高いオフ抵抗（約10MΩ）は、＋12Vから瞬時に0Vに電圧を下げた時（電圧の変化速度は約0.2V／1μs）に実現する。
なおカーボンナノチューブ間の間隙幅は、0．1nm〜２０nmの範囲であればよい。
電界の印加方法によりこのように２種類の抵抗を素子に持たせることができる。それぞれの抵抗状態は低電圧領域で抵抗を維持するため、この変化は不揮発性を有する。そして、このOn／Offの変化は可逆的な変化であり、同じ素子に200回以上繰り返し測定を行っても同様のスイッチング特性を示す。
試料の作製方法を図２に模式図として示す。図２aのように、シリコン酸化層を有するシリコン基板上にメタルマスクにて約650nm〜1μmの間隙幅で金もしくはパラジウムの金属電極を蒸着する。その電極上に、SEMの試料室に組み込まれた精密マニピュレーターを使って、図２bに示すように、多層カーボンナノチューブを一本架設する。
多層カーボンナノチューブ架設後の電極の走査型電子顕微鏡像を図３に示す
多層カーボンナノチューブ架設後の電極の走査型電子顕微鏡像を図３に示す
その後、試料を窒素雰囲気で500℃２４時間加熱することにより金属原子をカーボンナノチューブ上を移動させて、カーボンナノチューブと金属電極の界面抵抗を20kΩ程度に安定にさせる。（図２c）最後に、図２dに示すように電極間に数十μA以上の電流をナノチューブに流し、切断する。このとき切断されたナノチューブはわずか数nmの間隙幅を有して切断される。そして、ナノスケールで多層カーボンナノチューブが向かい合った構造が作製される。もしくは、高い抵抗となる局所的な欠陥構造が多層カーボンナノチューブの一部分に形成される。
なお、上記の実施例は、あくまでも本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に基づく変形、他の態様は、当然本発明に包含されるものである。
例えば実施例では多層カーボンナノチューブを例示しているが、２層以上の構造を持つカーボンナノファイバーなどを用いても、抵抗スイッチ素子とすることができる。
また本発明の２端子抵抗スイッチ素子をメモリやストレージ装置等に組み込んで半導体デバイスが得られることはいうまでもない。
例えば実施例では多層カーボンナノチューブを例示しているが、２層以上の構造を持つカーボンナノファイバーなどを用いても、抵抗スイッチ素子とすることができる。
また本発明の２端子抵抗スイッチ素子をメモリやストレージ装置等に組み込んで半導体デバイスが得られることはいうまでもない。
Claims (6)
- 多層カーボンナノファイバーをナノスケールの間隙幅をもって配置したことを特徴とする２端子抵抗スイッチ素子。
- 上記間隙幅をもって配置した多層カーボンナノファイバーに電極を設けたことを特徴とする請求項１に記載の２端子抵抗スイッチ素子。
- 多層カーボンナノチューブをナノスケールの間隙幅をもって配置したことを特徴とする２端子抵抗スイッチ素子。
- 上記間隙幅をもって配置した多層カーボンナノチューブに電極を設けたことを特徴とする請求項３に記載の２端子抵抗スイッチ素子。
- 上記間隙幅は、０．１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の２端子抵抗スイッチ素子。
- 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の２端子抵抗スイッチ素子を組み込んだ半導体デバイス。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007207397A JP5190924B2 (ja) | 2007-08-09 | 2007-08-09 | ２端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス |
| PCT/JP2008/063176 WO2009019980A1 (ja) | 2007-08-09 | 2008-07-23 | ２端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス |
| US12/671,145 US8604458B2 (en) | 2007-08-09 | 2008-07-23 | Two-terminal resistance switching device and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007207397A JP5190924B2 (ja) | 2007-08-09 | 2007-08-09 | ２端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009043942A true JP2009043942A (ja) | 2009-02-26 |
| JP5190924B2 JP5190924B2 (ja) | 2013-04-24 |
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ID=40341216
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8604458B2 (ja) |
| JP (1) | JP5190924B2 (ja) |
| WO (1) | WO2009019980A1 (ja) |
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| JP4919146B2 (ja) | 2005-09-27 | 2012-04-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | スイッチング素子 |
-
2007
- 2007-08-09 JP JP2007207397A patent/JP5190924B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2008
- 2008-07-23 US US12/671,145 patent/US8604458B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5190924B2 (ja) | 2013-04-24 |
| WO2009019980A1 (ja) | 2009-02-12 |
| US20100193757A1 (en) | 2010-08-05 |
| US8604458B2 (en) | 2013-12-10 |
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