JP2009036949A - 液晶装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な手法かつ低コストにて、基板上に、配向材をムラ無く均一に塗布することができることにより、配向材の塗布性を向上させることができる液晶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ基板における少なくとも画素電極上に、配向膜を構成する配向材の主溶媒と、配向材が主溶媒によって設定濃度に希釈された希釈配向材とのいずれかを塗布するステップＳ２と、主溶媒と希釈配向材とのいずれか上に、配向材を塗布するステップＳ３と、配向材を乾燥させるステップＳ４と、を具備することを特徴とする。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶に駆動電圧を印加する電極と、少なくとも電極上に形成された配向膜とが設けられた基板を具備する液晶装置の製造方法に関する。

周知のように、例えば光透過型の液晶装置は、ガラス基板、石英基板、シリコン基板等からなる２枚の基板間に液晶が介在されて構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に介在された液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。

また、トランジスタを配置した素子基板と、この素子基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。素子基板及び対向基板は、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程とを繰り返すことによって形成されるのである。

このようにして形成された素子基板及び対向基板は、パネル組立工程において高精度（例えばアライメント誤差１μｍ以内）に貼り合わされる。このパネル組立工程の一例を説明すると、先ず、各基板の製造工程において夫々製造された素子基板の画素電極及び対向基板の対向電極に対し、ＵＶ光やプラズマ等が照射される親水処理が行われた後、各電極上に、液晶分子を基板面に沿って水平配向させるためのポリイミド等の有機配向膜（以下、単に配向膜と称す）を構成する配向材が塗布される。その後、焼成が行われ、さらに配向膜に対し、電圧無印加時の液晶分子の配列を規定するためのラビング処理が施される。

次いで、例えば液晶封入方式により、素子基板と対向基板との間に液晶が介在される場合には、素子基板と対向基板との一方の基板上に、接着剤となるシール材が、一部に注入口となる切り欠きを有するよう略周状に塗布され、このシール材が用いられて素子基板に対し、対向基板が貼り合わされる。

次いで、アライメントが施されてそれぞれ圧着硬化された後、真空下において素子基板のシール材の注入口の近傍に、規定量の液晶がそれぞれ滴下され、その後、大気解放されることにより、注入口を介して液晶が素子基板と対向基板との間にそれぞれ注入され、最後に、注入口が、封止材により封止されて、液晶装置が製造される。製造された液晶装置は、その後、プロジェクタ等の電子機器に用いられる。

ここで、画素電極は、素子基板上において、平面視した状態でマトリクス状にパターニングされて形成されていることから、素子基板の厚さ方向の断面において、素子基板における表面は、パターニングされた画素電極に起因して凹凸状に形成されている。

よって、素子基板の表面に配向膜を構成する配向材を塗布する際、具体的には、素子基板の少なくとも画素電極上に配向材を塗布する際、画素電極表面に上述した親水処理が施されていたとしても、表面の凹凸により、該凹凸のエッジ部に配向材が塗布され難い等、配向材をムラ無く均一に塗布することが難しい。このことから、配向材が不均一に塗布された箇所では、液晶装置を表示装置に用いた際、表示不良が発生してしまう場合があるといった問題があった。尚、以上の問題は、特に配向膜を液滴として吐出するインクジェット法を用いた手法によって配向材を塗布した場合において発生しやすい。

このような問題に鑑み、特許文献１には、配向材塗布前に、レーザーフォーカス変位計を用いて基板表面の凹凸を測定し、該測定結果に基づいて、基板表面からの距離がほぼ所定値となるよう、配向材を塗布するインクジェットノズルの位置を調節しながら配向材を塗布することにより、配向材をムラ無く均一に塗布することができる配向膜の形成方法及び装置が開示されている。
特開平９−１０５９３９号公報

しかしながら、特許文献１に開示された配向膜の形成方法及び装置では、配向材の塗布に際し、基板表面の凹凸を、レーザーフォーカス変位計を別途用いて測定する必要があることから、製造コストが増大してしまう他、凹凸の測定において、複雑な制御が必要になるといった問題があった。

本発明は上記問題に着目してなされたものであり、簡単な手法かつ低コストにて、基板上に、配向材をムラ無く均一に塗布することができることにより、配向材の塗布性を向上させることができる液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明に係る液晶装置の製造方法は、液晶に駆動電圧を印加する電極と、少なくとも前記電極上に形成された配向膜とが設けられた基板を具備する液晶装置の製造方法であって、前記基板における少なくとも前記電極上に形成された、前記配向膜を構成する配向材の主溶媒と、前記配向材が前記主溶媒によって設定濃度に希釈された希釈配向材とのいずれかを塗布する第１の塗布工程と、前記主溶媒と前記希釈配向材とのいずれか上に、前記配向材を塗布する第２の塗布工程と、前記配向材を乾燥させる乾燥工程と、を具備することを特徴とする。

本発明によれば、配向材を塗布する前に、配向材の塗布性を向上させる主溶媒または希釈配向材を塗布して、該主溶媒または希釈配向材によるバッファ層を形成することにより、基板上に、配向材をムラ無く均一に塗布することができる。よって、簡単な手法かつ低コストにて、配向材の塗布性を向上させることができる液晶装置の製造方法を提供することができるといった効果を有する。

また、本発明に係る液晶装置の製造方法は、液晶に駆動電圧を印加する電極と、少なくとも前記電極上に形成された配向膜とが設けられた基板を具備する液晶装置の製造方法であって、前記基板における少なくとも前記電極上に、前記配向膜を構成する配向材を該配向材の主溶媒によって設定濃度に希釈した希釈配向材を塗布する第１の塗布工程と、前記希釈配向材を乾燥させる第１の乾燥工程と、前記希釈配向材上に、前記配向材を塗布する第２の塗布工程と、前記配向材を乾燥させる第２の乾燥工程と、を具備することを特徴とする。

本発明によれば、配向材を塗布する前に、配向材の塗布性を向上させる希釈配向材を塗布した後、希釈配向材を乾燥させて希釈配向材から主溶媒を除去したバッファ層、即ち配向材からなるバッファ層を形成することにより、基板上に、配向材をムラ無く均一に塗布することができる。よって、簡単な手法かつ低コストにて、配向材の塗布性を向上させることができる液晶装置の製造方法を提供することができるといった効果を有する。

また、前記主溶媒は、ガンマブチロラクトンであることを特徴とする。

本発明によれば、ガンマブチロラクトンにより、配向材を、設定濃度に確実に溶かすことができるといった効果を有する。

さらに、前記第１の塗布工程と前記第２の塗布工程との少なくとも一方は、回転する基板上に、前記主溶媒と前記希釈配向材と前記配向材とのいずれかを塗布するスピンコーティング法と、前記基板上に前記主溶媒と前記希釈配向材と前記配向材とのいずれかを液滴吐出手段により塗布する液滴吐出法とのいずれかによって行うことを特徴とする。

本発明によれば、スピンコーティング法と液滴吐出法とのいずれかにより、基板上に、配向材を、ムラ無く一様に塗布することができることにより、簡単な手法かつ低コストにて、配向材の塗布性を向上させることができる液晶装置の製造方法を提供することができるといった効果を有する。

以下、図面を参照にして本実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において液晶装置は、光透過型の液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置において対向配置される一対の基板の内、一方の基板は、素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する対向基板を例に挙げて説明する。

（第１実施の形態）
先ず、本実施の形態の液晶装置の製造方法によって製造される液晶装置の構成を、図１、図２を用いて説明する。

図１は、本実施の形態を示す液晶装置の平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。

図１、図２に示すように、液晶装置１は、例えば、石英基板やガラス基板、シリコン基板等を用いたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板、シリコン基板等を用いた対向基板２０との間の内部空間に、液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。

ＴＦＴ基板１０の液晶５０と接する領域に、液晶装置１の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、ＴＦＴ基板１０上の表示領域１０ｈに、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する画素電極（ＩＴＯ）９が、マトリクス状に配置されている。尚、画素電極９がマトリクス状に配置されていることにより、ＴＦＴ基板１０の厚さ方向の断面において、ＴＦＴ基板１０の表面は、凹凸状に形成されている。

また、対向基板２０の基板上の液晶５０と接する面の全面に、液晶５０に画素電極９とともに駆動電圧を印加する対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、対向基板２０のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する位置における液晶５０と接する領域に、液晶装置１の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。

ＴＦＴ基板１０の画素電極９上に、液晶５０の既知のプレチルト角を規定して液晶５０を水平配向させるラビング処理が施された配向膜１６が設けられている。

また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、液晶５０の既知のプレチルト角を規定して液晶５０を水平配向させる、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。尚、各配向膜１６，２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる配向材１６ｚ（図４参照）から構成されている。尚、配向材１６ｚを構成する材料は、ポリイミドに限定されない。

また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、複数本の走査線と複数本のデータ線（いずれも図示されず）とが交差するように配線され、走査線とデータ線とで区画された領域に画素電極９がマトリクス状に配置される。

そして、走査線とデータ線との各交差部位に対応してスイッチング素子である図示しない薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す）が設けられ、このＴＦＴ毎に画素電極９が電気的に接続されている。

ＴＦＴは走査線のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線に供給された画像信号が画素電極９に供給される。この画素電極９と対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。

対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。

液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。尚、液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶滴下方式で滴下される場合、シール材５２は、途中で欠落することなく連続的に周状に塗布される。

シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。尚、液晶滴下方式で液晶５０が滴下される場合は、液晶注入口１０８、封止材１０９は不要となる。

シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。

この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線及び図示しないゲート電極に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極を駆動するドライバである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。

また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を電気的に接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。

上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。

尚、半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜等の各種薄膜形成前の、石英基板、ガラス、シリコン基板等のＴＦＴ基板１０を構成する基板の表面上に、上述したＴＦＴ３０や画素電極９の他、これらを含む各種薄膜の構成が積層構造をなして備えられているが、この積層構造、及び積層された各層の機能は周知であるため、その説明及び図示は省略する。

次に、本実施の形態の液晶装置の製造方法、具体的には配向膜の形成工程について、図３、図４を用いて説明する。図３は、本実施の形態の配向膜の形成工程を示すフローチャート、図４は、配向膜を構成する配向材や、主溶媒、希釈配向材を塗布するインクジェット装置を、ＴＦＴ基板が複数構成された大板とともに示す斜視図である。

尚、配向膜の形成工程以外の液晶装置の製造方法については、周知のため、その説明は省略する。また、配向膜が形成される基板は、ＴＦＴ基板１０を例に挙げて説明する。

図３に示すように、先ず、ステップＳ１において、半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜等の各種薄膜が画素電極９まで形成されたＴＦＴ基板１０が複数構成された大板１００（図４参照）上の各ＴＦＴ基板１０の少なくとも画素電極９に対し、ＵＶ光やプラズマ等を照射する前処理工程を行う。その結果、ＴＦＴ基板１０の少なくとも画素電極９は、親水性が向上する。

次いで、ステップＳ２において、図４に示す液滴吐出手段であるインクジェット装置７０を用いて、各ＴＦＴ基板１０の少なくとも画素電極９上に、配向膜を構成するポリイミド等の配向材１６ｚの、例えばガンマブチロラクトンから構成された主溶媒と、配向材１６ｚが主溶媒によって設定濃度に希釈された希釈配向材とのいずれかを、例えば１０ｎｍの膜厚に、液滴吐出法であるインクジェット法により塗布することによりバッファ層を形成し、ＴＦＴ基板１０に対する配向材１６ｚの塗布性を向上させる第１の塗布工程を行う。

尚、希釈配向材は、例えば主溶媒中に、配向材１６ｚが０.５％〜２.０％含有されるよう、配向材１６ｚが主溶媒によって希釈されたものである。また、主溶媒としてガンマブチロラクトンを用いたのは、ポリイミドからなる配向材を、設定濃度に確実に溶かすことができるためである。よって配向材を設定濃度に確実に溶かすことができれば、主溶媒は、ガンマブチロラクトンに限定されず、Ｎメチルピロリロン等であっても構わない。さらに、バッファ層の膜厚も１０ｎｍに限定されない。

ここで、インクジェット装置７０は、複数のインクジェットノズル１７０ａを有する細長なインクジェットヘッド１７０と、該インクジェットヘッド１７０内に、主溶媒や希釈配向材、または配向材１６ｚを供給する注入口１７８とに主要部が構成されている。

よって、第１の塗布工程において、各ＴＦＴ基板１０の少なくとも画素電極９上に、主溶媒と希釈配向材とのいずれかを塗布する際は、インクジェットヘッド１７０の長手方向を、大板１００を進行させる方向Ｓに対して略直交するよう大板１００の上方に位置させた後、大板１００を進行方向Ｓに進行させながら、インクジェットヘッド１７０内に注入口１７８を介して供給された主溶媒と希釈配向材とのいずれかを、インクジェットノズル１７０ａから液滴として噴射することにより行う。

次いで、ステップＳ３において、塗布された主溶媒と希釈配向材とのいずれかのバッファ層上に、配向材１６ｚを、バッファ層の膜厚の約４倍、例えば４０ｎｍの膜厚に、上述したインクジェット法により塗布する第２の塗布工程を行う。尚、インクジェット装置７０を用いた具体的な配向材１６ｚの塗布方法は、主溶媒または希釈配向材が配向材１６ｚに変わるのみで、その他は第１の塗布工程と同じであるためその説明は省略する。また、第２の塗布工程における配向材１６ｚの膜厚は、バッファ層の膜厚の４倍に限定されない。

最後に、ステップＳ４において、塗布した配向材１６ｚを乾燥させる乾燥工程を、例えば常温において、１分程度行う。尚、乾燥工程の条件は、本条件に限定されない。

この際、第１の塗布工程において、一方、主溶媒を塗布した場合は、主溶媒は乾燥工程において蒸発し除去されることから、乾燥後、配向膜１６は、第２の塗布工程において塗布された配向材１６ｚの１層のみから構成されることになる。

即ち、第１の塗布工程において、主溶媒を塗布する場合には、第２の塗布工程において塗布する配向材１６ｚの膜厚のみにより、配向膜１６の膜厚が決定される。

また、他方、第１の塗布工程において、希釈配向材を塗布した場合は、希釈配向材中の主溶媒は蒸発して除去されることにより、乾燥後、少なくとも画素電極９上には、希釈配向材から蒸発した主溶媒を除いた配向材１６ｚと、第２の塗布工程において塗布された配向材１６ｚが形成されることになる。ここで、希釈配向材から蒸発した主溶媒を除いた配向材１６ｚと第２の塗布工程において塗布された配向材１６ｚとは同一のものであることから、この場合であっても、配向膜１６は１層のみから構成される。

即ち、第１の塗布工程において希釈配向材を塗布する場合には、第１の塗布工程において塗布した希釈配向材の膜厚と、第２の塗布工程において塗布する配向材１６ｚの膜厚とにより、配向膜１６の膜厚が決定される。

このように、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０の少なくとも画素電極９上に配向膜１６を形成するに際し、第１の塗布工程において、配向膜１６を構成する配向材１６ｚの塗布性を向上させる主溶媒と希釈配向材とのいずれかを塗布してバッファ層を形成した後、第２の塗布工程において、バッファ層上に配向材１６ｚを塗布すると示した。

このことによれば、ＴＦＴ基板１０上において、画素電極９がマトリクス状に設けられていることにより、ＴＦＴ基板１０の厚さ方向の断面において、ＴＦＴ基板１０の表面に、凹凸が形成されていたとしても、配向材１６ｚを塗布する前に、配向材１６ｚの塗布性を向上させる主溶媒または希釈配向材を塗布して、該主溶媒または希釈配向材によるバッファ層を形成することにより、ＴＦＴ基板上に、配向膜１６を構成する配向材１６ｚを、ムラ無く均一に塗布することができる。よって、簡単な手法かつ低コストにて、配向膜１６を構成する配向材１６ｚの塗布性を向上させることができる液晶装置１の製造方法を提供することができる。

（第２実施の形態）
図５は、本実施の形態の配向膜の形成工程を示すフローチャートである。
この第２実施の形態の液晶装置の製造方法は、上述した第１実施の形態の液晶装置の製造方法と比して、第１の塗布工程において塗布するものを希釈配向材に限定する点と、第１の塗布工程と第２の塗布工程との間に第１の塗布工程にて塗布した希釈配向材を乾燥させる工程を有する点のみが異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施の形態の液晶装置１と同様の構成部材には、同じ符号を付し、その説明は省略する。

尚、本実施の形態においても、配向膜の形成工程以外の液晶装置の製造方法については、周知のため、その説明は省略する。また、配向膜が形成される基板は、ＴＦＴ基板１０を例に挙げて説明する。

図５に示すように、先ず、ステップＳ１０において、上述したステップＳ１と同様に、半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜等の各種薄膜が画素電極９まで形成されたＴＦＴ基板１０が複数構成された大板１００（図４参照）上の各ＴＦＴ基板１０の少なくとも画素電極９に対し、ＵＶ光やプラズマ等を照射する前処理工程を行う。その結果、ＴＦＴ基板１０の少なくとも画素電極９は、親水性が向上する。

次いで、ステップＳ１１において、各ＴＦＴ基板１０の少なくとも画素電極９上に、上述した希釈配向材を、例えば１０ｎｍの膜厚に、インクジェット法により塗布することによりバッファ層を形成し、ＴＦＴ基板１０に対する配向材１６ｚの塗布性を向上させる第１の塗布工程を行う。尚、インクジェット装置７０を用いた具体的な希釈配向材の塗布方法は、上述した図３のステップＳ２における第１の塗布工程と同じであるためその説明は省略する。また、希釈配向材の膜厚も１０ｎｍに限定されない。

次いで、ステップＳ１２において、ステップＳ１１において塗布した希釈配向材を乾燥させる第１の乾燥工程を、例えば常温において、１分程度行う。尚、第１の乾燥工程の条件は、本条件に限定されない。この際、希釈配向材中の主溶媒は蒸発することにより除去され、希釈配向材は、乾燥後、配向材１６ｚのみが残ることとなる。

次いで、ステップＳ１３において、乾燥後、残留した配向材１６ｚ上に、さらに配向材１６ｚを、例えば４０ｎｍの膜厚に、インクジェット法により塗布する第２の塗布工程を行う。尚、インクジェット装置７０を用いた具体的な配向材１６ｚの塗布方法も、上述した図３のステップＳ３における第２の塗布工程と同じであるためその説明は省略する。また、配向材１６ｚの膜厚も４０ｎｍに限定されない。

その結果、少なくとも画素電極９上に、希釈配向材から蒸発した主溶媒を除いた配向材１６ｚと第２の塗布工程において塗布された配向材１６ｚとの２層の膜が形成されるが、各配向材１６ｚは同一のものであることから、この場合、配向膜１６は、１層から構成される。

即ち、第１の塗布工程において塗布する希釈配向材の膜厚と、第２の塗布工程において塗布する配向材１６ｚの膜厚とにより、配向膜１６の膜厚が決定される。

最後に、ステップＳ４において、塗布した配向材１６ｚを乾燥させる第２の乾燥工程を、例えば常温において、１分程度行う。尚、第２の乾燥工程の条件は、本条件に限定されない。

このように、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０の少なくとも画素電極９上に配向膜１６を形成するに際し、第１の塗布工程において、配向膜１６を構成する配向材１６ｚの塗布性を向上させる希釈配向材を塗布してバッファ層を形成した後、第１の乾燥工程において、希釈配向材から主溶媒を蒸発させて配向材１６ｚを残留させた後、配向材１６ｚ上に、第２の塗布工程において、配向材１６ｚをさらに塗布すると示した。

このことによれば、ＴＦＴ基板１０上において、画素電極９がマトリクス状に設けられていることにより、ＴＦＴ基板１０の厚さ方向の断面において、ＴＦＴ基板１０の表面に、凹凸が形成されていたとしても、配向材１６ｚを塗布する前に、配向材１６ｚの塗布性を向上させる希釈配向材を塗布した後、希釈配向材を乾燥させて希釈配向材から主溶媒を除去したバッファ層を形成することにより、ＴＦＴ基板１０上に、配向材１６ｚを、ムラ無く均一に塗布することができる。よって、簡単な手法かつ低コストにて、配向材１６ｚの塗布性を向上させることができる液晶装置１の製造方法を提供することができる。

尚、以下、変形例を示す。上述した第１及び第２実施の形態においては、第１の塗布工程及び第２の塗布工程は、インクジェット法により行うと示したが、これに限らず、回転するＴＦＴ基板１０の少なくとも画素電極９上に、主溶媒と希釈配向材と配向材とのいずれかを塗布するスピンコーティング法により行っても、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。

また、上述した第１及び第２実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０の少なくとも画素電極９上に配向膜１６を形成する工程を例に挙げて示したが、これに限らず、対向基板２０の厚さ方向の断面において、対向基板２０の対向電極２１の表面が凹凸に形成されている場合、配向膜２６の形成工程において、上述した第１及び第２の実施の形態の形成工程を適用しても同様の効果を得ることができるということは勿論である。即ち、表面に凹凸を有する基板に対し配向膜を形成する場合であれば、どのような基板に対しても適用可能である。

また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュール、また、液晶装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。

本実施の形態を示す液晶装置の平面図。 図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。 第１実施の形態の配向膜の形成工程を示すフローチャート。 配向膜を構成する配向材や、主溶媒、希釈配向材を塗布するインクジェット装置を、ＴＦＴ基板が複数構成された大板とともに示す斜視図。 第２実施の形態の配向膜の形成工程を示すフローチャート。

符号の説明

１…液晶装置、９…画素電極、１０…ＴＦＴ基板、１６…配向膜、５０…液晶、７０…インクジェット装置。

Claims (4)

1. 液晶に駆動電圧を印加する電極と、少なくとも前記電極上に形成された配向膜とが設けられた基板を具備する液晶装置の製造方法であって、
   前記基板における少なくとも前記電極上に、前記配向膜を構成する配向材の主溶媒と、前記配向材が前記主溶媒によって設定濃度に希釈された希釈配向材とのいずれかを塗布する第１の塗布工程と、
   前記主溶媒と前記希釈配向材とのいずれか上に、前記配向材を塗布する第２の塗布工程と、
   前記配向材を乾燥させる乾燥工程と、
   を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
2. 液晶に駆動電圧を印加する電極と、少なくとも前記電極上に形成された配向膜とが設けられた基板を具備する液晶装置の製造方法であって、
   前記基板における少なくとも前記電極上に、前記配向膜を構成する配向材を該配向材の主溶媒によって設定濃度に希釈した希釈配向材を塗布する第１の塗布工程と、
   前記希釈配向材を乾燥させる第１の乾燥工程と、
   前記希釈配向材上に、前記配向材を塗布する第２の塗布工程と、
   前記配向材を乾燥させる第２の乾燥工程と、
   を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
3. 前記主溶媒は、ガンマブチロラクトンであることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置の製造方法。
4. 前記第１の塗布工程と前記第２の塗布工程との少なくとも一方は、回転する基板上に、前記主溶媒と前記希釈配向材と前記配向材とのいずれかを塗布するスピンコーティング法と、前記基板上に前記主溶媒と前記希釈配向材と前記配向材とのいずれかを液滴吐出手段により塗布する液滴吐出法とのいずれかによって行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の液晶装置の製造方法。

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