JP2015087650A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配向膜の膜厚のばらつきに起因する表示ムラを低減する。【解決手段】ＴＦＴ基板ＳＵＢ１には、行方向に延在する複数のゲート線と、列方向に延在する複数のデータ線と、行方向及び列方向に形成された複数の画素のそれぞれに対応して配置された複数の画素電極及び複数の薄膜トランジスタと、配向膜ＡＦと、が形成されており、前記複数の画素により構成される画像表示領域ＤＩＡのうち端部から所定幅Ｄ３，Ｄ４の領域である端部領域ＴＤ３，ＴＤ４における配向膜ＡＦの膜厚は、画像表示領域ＤＩＡの中央部における配向膜ＡＦの膜厚よりも薄い。【選択図】図５

Description

本発明は、液晶表示装置の配向膜に関する。

液晶表示装置には、液晶層を介して対向配置される一対の基板それぞれにおける、液晶層に対向する側に、液晶分子を配向させるための配向膜が形成されている。従来、配向膜の膜厚にばらつきが生じると、表示品位の低下（例えば、表示ムラ）を招くことが知られている。そして、配向膜の膜厚のばらつきに起因して生じる表示ムラを低減するための配向膜の形成方法が、種々提案されている。

例えば、特許文献１には、インクジェット方式を用いた配向膜の形成方法が開示されている。インクジェット方式は、配向膜材料をインクジェットノズルから基板表面全体に滴下することにより配向膜を形成する方式である。特許文献１に開示されている方法では、配向膜材料を滴下するインクジェットノズルの移動方向を調整することにより、上記表示ムラを低減している。

ＷＯ２０１０／０５８７１８号公報

しかしながら、特許文献１に開示された方法でも、画像表示領域（有効画素領域）の端部において配向膜の膜厚が厚くなり、該端部において表示ムラが生じるという問題がある。画像表示領域の端部において配向膜の膜厚が厚くなる原理について、以下に説明する。配向膜材料は、濡れ性を有するため、基板上の画像表示領域に滴下された後、画像表示領域の周囲（額縁領域）へ向かって濡れ広がる。画像表示領域と額縁領域との境界近傍には、層構造の相違等による段差が存在するため、濡れ広がった配向膜材料が段差で跳ね返る。これにより、画像表示領域の端部では、配向膜材料が盛り上がり、配向膜の膜厚が厚くなる。

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、配向膜の膜厚のばらつきに起因する表示ムラを低減することができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。

本発明に係る液晶表示装置は、上記課題を解決するために、液晶層を介して対向配置された、背面側の第１基板と表示面側の第２基板とを備え、前記第１基板には、行方向に延在する複数のゲート線と、列方向に延在する複数のデータ線と、行方向及び列方向に形成された複数の画素のそれぞれに対応して配置された複数の画素電極及び複数の薄膜トランジスタと、配向膜と、が形成されており、前記複数の画素により構成される画像表示領域のうち端部から所定幅の領域である端部領域における前記配向膜の膜厚は、該画像表示領域の中央部における前記配向膜の膜厚よりも薄い、ことを特徴とする。

本発明に係る液晶表示装置は、前記端部領域では、前記配向膜は、前記画像表示領域の端部に向かう程、膜厚が薄くなっている、ことが好ましい。

本発明に係る液晶表示装置は、前記画像表示領域内の前記配向膜は、前記画像表示領域の端部において、膜厚が最も薄くなっている、ことが好ましい。

本発明に係る液晶表示装置では、前記所定幅は、１ｍｍ〜５ｍｍの範囲であってもよい。

本発明に係る液晶表示装置では、前記画像表示領域の端部における前記配向膜の膜厚は、前記中央部における前記配向膜の膜厚よりも１０ｎｍ〜２０ｎｍ薄くてもよい。

本発明に係る液晶表示装置では、駆動回路の形成領域に近接する前記端部領域における前記所定幅は、前記駆動回路の形成領域とは反対側に位置して該端部領域に対向する前記端部領域における前記所定幅よりも広くてもよい。

本発明に係る液晶表示装置では、前記配向膜は、光配向処理されていてもよい。

本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、上記課題を解決するために、液晶層を介して対向配置される、背面側の第１基板と表示面側の第２基板とを備え、前記第１基板に、行方向に延在して形成される複数のゲート線と、列方向に延在して形成される複数のデータ線と、行方向及び列方向に形成される複数の画素のそれぞれに対応して配置される複数の画素電極及び複数の薄膜トランジスタと、インクジェット方式により形成される配向膜と、を含む、液晶表示装置の製造方法であって、前記複数の画素により構成される画像表示領域の全体に、前記配向膜の材料を塗布する第１工程と、前記第１工程の後に、前記画像表示領域における、該画像表示領域の端部から所定幅を除いた領域に、前記配向膜の材料を塗布する第２工程と、を含む、ことを特徴とする。

本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、前記第１工程では、前記画像表示領域を超えて、前記配向膜の材料を塗布する、ことが好ましい。

本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、上記課題を解決するために、液晶層を介して対向配置される、背面側の第１基板と表示面側の第２基板とを備え、前記第１基板に、行方向に延在して形成される複数のゲート線と、列方向に延在して形成される複数のデータ線と、行方向及び列方向に形成される複数の画素のそれぞれに対応して配置される複数の画素電極及び複数の薄膜トランジスタと、インクジェット方式により形成される配向膜と、を含む、液晶表示装置の製造方法であって、前記複数の画素により構成される画像表示領域のうち端部から所定幅の領域である端部領域に滴下する前記配向膜の材料の滴下量を、該画像表示領域のうち該端部領域よりも内側の領域に滴下する前記配向膜の材料の滴下量よりも少なくする、ことを特徴とする。

本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、上記課題を解決するために、液晶層を介して対向配置される、背面側の第１基板と表示面側の第２基板とを備え、前記第１基板に、行方向に延在して形成される複数のゲート線と、列方向に延在して形成される複数のデータ線と、行方向及び列方向に形成される複数の画素のそれぞれに対応して配置される複数の画素電極及び複数の薄膜トランジスタと、インクジェット方式により形成される配向膜と、を含む、液晶表示装置の製造方法であって、前記基板と、該基板に前記配向膜の材料を滴下する滴下装置とを、相対的に移動させるとともに、前記複数の画素により構成される画像表示領域のうち端部から所定幅の領域である端部領域に前記配向膜の材料を滴下するときの前記基板と前記滴下装置との相対速度を、該画像表示領域のうち該端部領域よりも内側の領域に前記配向膜の材料を滴下するときの前記基板と前記滴下装置との相対速度よりも速くする、ことを特徴とする。

本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、前記配向膜を光配向処理する工程を含んでいてもよい。

本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法によれば、画像表示領域の端部領域において、配向膜の膜厚が端部に向かって徐々に薄くなる。そのため、画像表示領域の端部において、配向膜材料が盛り上がり配向膜の膜厚が厚くなることにより生じる表示ムラを抑えることができる。よって、配向膜の膜厚のばらつきに起因する表示ムラを低減することができる。

本発明の実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す図である。 図１に示す液晶表示装置における画素の平面図である。 図２のＡ−Ａ´断面図である。 画像表示領域と額縁領域とを示す平面図である。 図４のＢ−Ｂ´断面図である。 図４のＣ−Ｃ´断面図である。 配向膜の形成領域を示す平面図である。 インクジェット装置の構成を示す模式図である。 配向膜材料の塗布範囲を示す平面図である。 第１の形成方法により形成した配向膜の膜厚の測定結果を示すグラフである。

本発明の実施形態について、図面を用いて以下に説明する。

図１は、本実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す平面図である。液晶表示装置ＬＣＤは、領域に大別すると、画像表示領域ＤＩＡと、画像表示領域ＤＩＡの周囲の領域である額縁領域ＦＲＡとにより構成されている。画像表示領域ＤＩＡには、隣り合う２本のゲート線ＧＬと、隣り合う２本のデータ線ＤＬとで囲まれた画素Ｐが、行方向及び列方向にマトリクス状に複数配列されている。すなわち、画像表示領域ＤＩＡは、複数の画素Ｐの集合領域（有効画素領域）として規定される。なお、ゲート線ＧＬが延在する方向を行方向（図中の左右方向）とし、データ線ＤＬが延在する方向を列方向（図中の上下方向）とする。額縁領域ＦＲＡには、ゲート線ＧＬを駆動するゲート線駆動回路と、データ線ＤＬを駆動するデータ線駆動回路とが形成されている。

図２は、画像表示領域ＤＩＡの一部の構成を示す平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ´断面図である。図３に示すように、画素Ｐは、背面側に配置される薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１（以下、ＴＦＴ基板という。）（第１基板）と、表示面側に配置され、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に対向するカラーフィルタ基板ＳＵＢ２（以下、ＣＦ基板という。）（第２基板）と、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１及びＣＦ基板ＳＵＢ２の間に挟持される液晶層ＬＣと、を含んでいる。なお、図２では、便宜上、表示面側から、ＣＦ基板ＳＵＢ２を透視し、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１を見た状態を示している。

ＴＦＴ基板ＳＵＢ１には、列方向に延在する複数のデータ線ＤＬと、行方向に延在する複数のゲート線ＧＬとが形成され、複数のデータ線ＤＬと複数のゲート線ＧＬとのそれぞれの交差部近傍に、薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。

画素Ｐには、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明導電膜からなる画素電極ＰＩＴが形成されている。図２に示すように、画素電極ＰＩＴは、開口部（例えばスリット）を有し、ストライプ状に形成されている。薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート絶縁膜ＧＳＮ（図３参照）上に、非晶質シリコン（ａＳｉ）からなる半導体層ＳＥＭが形成され、半導体層ＳＥＭ上にドレイン電極ＤＭ及びソース電極ＳＭが形成されている（図２参照）。ドレイン電極ＤＭは、データ線ＤＬに電気的に接続され、ソース電極ＳＭと画素電極ＰＩＴとは、コンタクトホールＣＯＮＴを介して互いに電気的に接続されている。

画素Ｐを構成する各部の積層構造は、図３の構成に限定されるものではなく、周知の構成を適用することができる。図３に示す構成では、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１において、ガラス基板ＧＢ１上にゲート線ＧＬ（図示せず）が形成され、ゲート線ＧＬを覆うようにゲート絶縁膜ＧＳＮが形成されている。また、ゲート絶縁膜ＧＳＮ上にデータ線ＤＬが形成され、データ線ＤＬを覆うように絶縁膜ＰＡＳが形成されている。また、絶縁膜ＰＡＳ上に共通電極ＣＩＴが形成され、共通電極ＣＩＴを覆うように上層絶縁膜ＵＰＡＳが形成されている。さらに、上層絶縁膜ＵＰＡＳ上に画素電極ＰＩＴが形成され、画素電極ＰＩＴを覆うように配向膜ＡＦが形成されている。その他、図示はしていないが、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１には、偏光板等が形成されている。

また、ＣＦ基板ＳＵＢ２において、ガラス基板ＧＢ２上にブラックマトリクスＢＭ及び着色部ＣＦ（例えば、赤色部、緑色部、青色部）が形成され、これらを覆うようにオーバコート層ＯＣが形成されている。その他、図示はしていないが、ＣＦ基板ＳＵＢ２には、配向膜、偏光板等が形成されている。

図３に示す構成によれば、液晶表示装置ＬＣＤは、いわゆるＩＰＳ（In Plane Switching）方式の構成を有しているが、本発明に係る液晶表示装置はこれに限定されない。

次に、液晶表示装置ＬＣＤの駆動方法を簡単に説明する。ゲート線駆動回路から出力された走査用のゲート電圧がゲート線ＧＬに供給され、データ線駆動回路から出力された映像用のデータ電圧がデータ線ＤＬに供給される。ゲート線ＧＬにゲートオン電圧が供給されると、薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層ＳＥＭが低抵抗となり、データ線ＤＬに供給されたデータ電圧が、ソース電極ＳＭを介して、ソース電極ＳＭに電気的に接続された画素電極ＰＩＴに供給される。また、共通電極駆動回路（図示せず）から出力された共通電圧が、共通電極ＣＩＴに供給される。これにより、画素電極ＰＩＴと共通電極ＣＩＴとの間に電界（駆動用電界）が発生し、該電界により液晶層ＬＣが駆動され、画像が表示される。

次に、配向膜ＡＦの具体的な構成について説明する。図４は、画像表示領域ＤＩＡと額縁領域ＦＲＡとを示す平面図である。図４では、図１に示す駆動回路、信号線及び画素を省略している。

図４に示すように、画像表示領域ＤＩＡは、データ線駆動回路の形成領域に近接する端部である第１辺と、データ線駆動回路の形成領域とは反対側に位置して第１辺に対向する第２辺と、ゲート線駆動回路の形成領域に近接する端部である第３辺と、ゲート線駆動回路の形成領域とは反対側に位置して第３辺に対向する第４辺と、により矩形状に構成されている。画像表示領域ＤＩＡを構成する各辺（各端部）から所定幅Ｄの領域を端部領域ＴＤとする。端部領域ＴＤは、第１辺を含む所定幅Ｄ１の第１端部領域ＴＤ１と、第２辺を含む所定幅Ｄ２の第２端部領域ＴＤ２と、第３辺を含む所定幅Ｄ３の第３端部領域ＴＤ３と、第４辺を含む所定幅Ｄ４の第４端部領域ＴＤ４と、により額縁状に構成されている。

額縁領域ＦＲＡは、画像表示領域ＤＩＡを囲うように、画像表示領域ＤＩＡの周囲に形成されている。額縁領域ＦＲＡのうち、データ線駆動回路が形成される、第１端部領域ＴＤ１に近接する領域は、データ線駆動回路の形成領域とは反対側に位置して第２端部領域ＴＤ２に隣接する領域よりも広くなっている。同様に、額縁領域ＦＲＡのうち、ゲート線駆動回路が形成される、第３端部領域ＴＤ３に近接する領域は、ゲート線駆動回路の形成領域とは反対側に位置して第４端部領域ＴＤ４に隣接する領域よりも広くなっている。

図５は、図４のＢ−Ｂ´断面図であり、図６は、図４のＣ−Ｃ´断面図である。ここでは、便宜上、データ線ＤＬ、ゲート線ＧＬ、及び画素電極ＰＩＴを省略している。図５及び図６に示すように、端部領域ＴＤにおける配向膜ＡＦの膜厚は、画像表示領域ＤＩＡの中央部（端部領域ＴＤよりも内側の領域）における配向膜ＡＦの膜厚よりも薄くなっている。また、端部領域ＴＤでは、配向膜ＡＦは、画像表示領域ＤＩＡの端部（第１辺〜第４辺）に向かう程、膜厚が薄くなっている。さらに、画像表示領域ＤＩＡ内では、配向膜ＡＦは、画像表示領域ＤＩＡの端部において、膜厚が最も薄くなっている。

端部領域ＴＤ１〜ＴＤ４それぞれの所定幅Ｄ１〜Ｄ４は、それぞれ例えば１ｍｍ〜５ｍｍの範囲に設定される。それぞれの所定幅Ｄ１〜Ｄ４は、互いに等しくてもよいし、異なっていてもよい。好ましくは、データ線駆動回路の形成領域に近接する端部領域ＴＤ１の所定幅Ｄ１が、データ線駆動回路の形成領域とは反対側に位置して端部領域ＴＤ１に対向する端部領域ＴＤ２の所定幅Ｄ２よりも広くなっている（Ｄ１＞Ｄ２）。また、ゲート線駆動回路の形成領域に近接する端部領域ＴＤ３の所定幅Ｄ３が、ゲート線駆動回路の形成領域とは反対側に位置して端部領域ＴＤ３に対向する端部領域ＴＤ４の所定幅Ｄ４よりも広くなっている（Ｄ３＞Ｄ４）。画像表示領域ＤＩＡと額縁領域ＦＲＡとの境界に存在する段差が、端部領域ＴＤ２よりも端部領域ＴＤ１の方が大きく、端部領域ＴＤ４よりも端部領域ＴＤ３の方が大きい。そのため、所定幅Ｄ１を所定幅Ｄ２よりも広く、所定幅Ｄ３を所定幅Ｄ４よりも広くすることで、濡れ広がった配向膜材料の跳ね返りの影響を調整している。

図７は、配向膜ＡＦの形成領域を示す平面図である。配向膜ＡＦの形成領域は、網掛け部で示す領域である。図５〜図７に示すように、配向膜ＡＦは、画像表示領域ＤＩＡを超えて額縁領域ＦＲＡまで達している。額縁領域ＦＲＡにはみ出して形成される配向膜ＡＦの膜厚は、画像表示領域ＤＩＡ内に形成される配向膜ＡＦの膜厚よりも薄くなっている。

本液晶表示装置ＬＣＤは、上記のように、画像表示領域ＤＩＡの端部領域ＴＤにおいて、配向膜ＡＦの膜厚が端部に向かって徐々に薄くなっている。そのため、画像表示領域ＤＩＡの端部において、配向膜材料が盛り上がり配向膜の膜厚が厚くなることにより生じる表示ムラを抑えることができる。上記構成を有する配向膜ＡＦの形成方法は後述する。

次に、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の製造方法の一例を説明する。

先ず、ガラス基板ＧＢ１上にゲート線ＧＬとなる金属材料をスパッタにより成膜し、ホトエッチング工程でハーフトーン露光を用いてパターン化する。これにより、ゲート線ＧＬが形成される。次に、化学気層成長法ＣＶＤにより、ゲート線ＧＬを覆うように、シリコンナイトライドのゲート絶縁膜ＧＳＮを成膜し、ゲート絶縁膜ＧＳＮ上にアモルファスシリコンや酸化物ＩＧＺＯ等の半導体層ＳＥＭを積層する。次に、半導体層ＳＥＭ上に、モリブデンＭｏと銅Ｃｕの積層膜をスパッタで成膜する。データ線ＤＬ（ドレイン電極ＤＭ）と、画素電極ＰＩＴに接続されるソース電極ＳＭとは、同時に形成される。

次に、半導体層ＳＥＭ、データ線ＤＬ及びソース電極ＳＭを覆うように、絶縁膜ＰＡＳを成膜し、絶縁膜ＰＡＳ上にＩＴＯからなる共通電極ＣＩＴを形成する。次に、共通電極ＣＩＴを覆うように、上層絶縁膜ＵＰＡＳを成膜し、上層絶縁膜ＵＰＡＳ上に透明電極材料であるインジウム、錫、酸化物ＩＴＯを成膜し、ホトエッチング工程を経て、画素電極ＰＩＴを形成する。画素電極ＰＩＴはコンタクトホールＣＯＮＴ内のソース電極ＳＭ上に形成され、これにより、画素電極ＰＩＴとソース電極ＳＭとが、電気的に接続される。

次に、画素電極ＰＩＴを覆うように、配向膜ＡＦの材料（例えば、ポリイミド樹脂）をインクジェット方式により塗布する。塗布後、配向膜材料を乾燥させて、配向膜ＡＦを形成する。次に、配向膜ＡＦに、ラビング処理を施す。なお、光配向膜を形成する場合は、配向膜ＡＦに、所定の偏光紫外線を照射（光配向処理）する。特に、光配向膜を用いた場合には、配向膜の膜厚のばらつきに起因する表示ムラが視認し易くなるため、本発明の効果が顕著となる。以上の工程を経て、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１が製造される。なお、ＣＦ基板ＳＵＢ２は周知の製造方法により製造することができる。

［配向膜の形成方法］
次に、配向膜ＡＦの具体的な形成方法について説明する。ここでは、第１〜第３の形成方法について説明する。配向膜ＡＦは、インクジェット方式により配向膜材料を基板上に滴下することにより形成される。図８は、配向膜材料を基板上に滴下するインクジェット装置（滴下装置）の構成を示す模式図である。インクジェット装置１０は、基板２０を移動可能に載置するステージ１１と、配向膜材料を吐出（滴下）する複数のノズル１２を備えるヘッド１３と、ヘッド１３を移動可能に支持するフレーム１４と、基板２０及びヘッド１３の移動速度、配向膜材料の吐出量（滴下量）、塗布周波数などを制御する制御部１５と、を備えている。ここで、基板２０の移動方向をＸ方向とすると、ヘッド１３はＹ方向に移動する。なお、基板２０はステージ１１上でＸ方向に移動してもよいし、基板２０を固定したステージ１１がＸ方向に移動してもよい。また、ステージ１１に載置される基板２０は、配向膜形成前のＴＦＴ基板ＳＵＢ１である。

［第１の形成方法］
図９は、第１の形成方法を示す平面図である。第１の形成方法では、１回目の塗布工程（第１工程）において、図９（ａ）に示すように、画像表示領域ＤＩＡの全体に配向膜材料を滴下する。その後、引き続き、２回目の塗布工程（第２工程）において、図９（ｂ）に示すように、画像表示領域ＤＩＡにおける、画像表示領域ＤＩＡの端部から所定幅Ｄ（端部領域ＴＤ）を除いた領域に配向膜材料を滴下する。図９（ａ）（ｂ）において、網掛け部は、配向膜材料の塗布範囲を示している。

第１工程では、画像表示領域ＤＩＡを超えて額縁領域ＦＲＡまで達するように配向膜材料を滴下することが好ましい。これにより、画像表示領域ＤＩＡ全体に配向膜ＡＦを形成することができる。また、第１工程の塗布方向と第２工程の塗布方向とは、同一方向であってもよいが、作業効率の観点から互いに逆方向であることが好ましい。また、基板２０が固定され、フレーム１４がＸ方向に移動する構成であってもよい。すなわち、ステージ１１に載置される基板２０と、配向膜材料を吐出するヘッド１３とは、相対的にＸ方向に移動可能に構成されていればよい。

上記の形成方法によれば、第１工程において、画像表示領域ＤＩＡ全体に配向膜材料が濡れ広がり、画像表示領域ＤＩＡの膜厚が略均一となる。その後、第２工程において、第１工程で塗布された配向膜材料の上に滴下された配向膜材料が、端部領域ＴＤまで濡れ広がる。これにより、図５及び図６に示した配向膜ＡＦが形成される。

図１０には、第１の形成方法により形成された配向膜ＡＦの膜厚の測定結果を示している。図１０において、Ｘ軸は、画像表示領域ＤＩＡの端部からの距離を表し、Ｙ軸は、配向膜ＡＦの膜厚を表している。また、ここでは、画像表示領域ＤＩＡの端部（Ｘ軸の０ｍｍの周辺）が、図４に示す第１辺に相当し、０ｍｍ〜５ｍｍの領域が端部領域ＴＤ１に相当する。すなわち、第２工程において、５ｍｍ以上の領域に配向膜材料が滴下された場合を表している。図１０に示すように、画像表示領域ＤＩＡの端部（第１辺）に向かって、配向膜ＡＦの膜厚が緩やかに変化している（薄くなっている）ことが分かる。また、配向膜ＡＦの膜厚は、画像表示領域ＤＩＡ内では、画像表示領域ＤＩＡの端部（第１辺）において最も薄くなっていることが分かる。

このように、膜厚が緩やかに変化する場合、膜厚の変化に応じた表示輝度の変化も緩やかになるため、表示ムラを視認し難くなる。よって、配向膜ＡＦの膜厚のばらつきに起因する表示ムラを低減することができる。なお、図１０において、画像表示領域ＤＩＡの端部から１０ｍｍ〜１５ｍｍの領域における配向膜ＡＦの膜厚は、画像表示領域ＤＩＡの中央部における配向膜ＡＦの膜厚と略同一である。

ここで、端部領域ＴＤにおける配向膜ＡＦの膜厚は、中央部における配向膜ＡＦの膜厚よりも、１０ｎｍ〜２０ｎｍ薄いことが好ましい。上記の例では、画像表示領域ＤＩＡの端部（第１辺）の配向膜ＡＦの膜厚ｔ１は、約３０ｎｍであり、中央部における配向膜ＡＦの膜厚ｔ２は、約４３ｎｍであり、膜厚ｔ１は膜厚ｔ２よりも１３ｎｍ薄くなっている。

なお、上記の形成方法では、配向膜材料を２回塗布しているが、塗布回数はこれに限定されず、３回あるいはそれ以上であってもよい。また、塗布回数が例えば３回の場合、１回目の塗布工程及び２回目の塗布工程において、画像表示領域ＤＩＡの全体に配向膜材料を滴下し、３回目の塗布工程において、端部領域ＴＤを除いた領域に配向膜材料を滴下してもよい。あるいは、１回目の塗布工程において、画像表示領域ＤＩＡの全体に配向膜材料を滴下し、２回目の塗布工程及び３回目の塗布工程において、端部領域ＴＤを除いた領域に配向膜材料を滴下してもよい。

［第２の形成方法］
第２の形成方法では、画像表示領域ＤＩＡの端部領域ＴＤに滴下する配向膜材料の滴下量を、端部領域ＴＤよりも内側の領域に滴下する配向膜材料の滴下量よりも少なくする。具体的には、制御部１５において、ヘッド１３に接続されたピエゾ素子（図示せず）の印加電圧を制御することにより、配向膜材料を吐出するノズル１２における吐出量（滴下量）を制御する。例えば、画像表示領域ＤＩＡの端部領域ＴＤでは、印加電圧を低く設定して、配向膜材料の滴下量を少なくし、端部領域ＴＤよりも内側の領域では、印加電圧を高く設定して、配向膜材料の滴下量を多くする。これにより、図５及び図６に示した配向膜ＡＦが形成される。

なお、第２の形成方法の他の方法として、端部領域ＴＤ（例えば図４に示す端部領域ＴＤ１）では、端部（第１辺）から内側の領域に向かうにつれて、印加電圧を高くすることにより配向膜材料の滴下量を徐々に多くし、端部領域ＴＤよりも内側の領域では、印加電圧を一定にすることにより配向膜材料の滴下量を一定にし、端部領域ＴＤ２では、端部（第２辺）に向かうにつれて、印加電圧を低くすることにより配向膜材料の滴下量を徐々に少なくしてもよい。

第２の形成方法においても、第１の形成方法と同一の効果を得ることができる。なお、第２の形成方法では、塗布回数は１回であってもよいし、複数回であってもよい。

［第３の形成方法］
第３の形成方法では、画像表示領域ＤＩＡの端部領域ＴＤに配向膜材料を滴下するときの基板２０とヘッド１３との相対速度を、端部領域ＴＤよりも内側の領域に配向膜材料を滴下するときの基板２０とヘッド１３との相対速度よりも速くする。なお、基板２０及びヘッド１３の移動速度は、制御部１５により制御される。また、第３の形成方法では、配向膜材料の吐出量（滴下量）は、画像表示領域ＤＩＡ全体に亘って同一量に制御される。

これにより、画像表示領域ＤＩＡの端部領域ＴＤにおける配向膜材料の滴下量が、端部領域ＴＤより内側の領域における配向膜材料の滴下量よりも少なくなる。そのため、端部領域ＴＤにおける配向膜ＡＦの膜厚が、端部領域ＴＤより内側の領域における配向膜ＡＦの膜厚よりも薄くなる。これにより、図５及び図６に示した配向膜ＡＦが形成される。よって、第３の形成方法においても、第１の形成方法と同一の効果を得ることができる。なお、第３の形成方法では、塗布回数は１回であってもよいし、複数回であってもよい。

以上の説明では、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１における配向膜の形成方法について示したが、ＣＦ基板ＳＵＢ２における配向膜についても同様の方法により形成することができる。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。

ＬＣＤ 液晶表示装置、ＤＩＡ 画像表示領域、ＦＲＡ 額縁領域、ＳＵＢ１ ＴＦＴ基板、ＳＵＢ２ ＣＦ基板、ＬＣ 液晶層、ＧＢ１，ＧＢ２ ガラス基板、ＧＬ ゲート線、ＧＳＮ ゲート絶縁膜、ＰＡＳ 絶縁膜、ＵＰＡＳ 上層絶縁膜、ＤＬ データ線、ＤＭ ドレイン電極、ＳＭ ソース電極、ＳＥＭ 半導体層、ＴＦＴ 薄膜トランジスタ、ＣＩＴ 共通電極、ＰＩＴ 画素電極、ＡＦ 配向膜、ＢＭ ブラックマトリクス、ＣＦ 着色部、ＯＣ オーバコート層、ＣＯＮＴ コンタクトホール、ＴＤ 端部領域、１０ インクジェット装置、１１ ステージ、１２ ノズル、１３ ヘッド、１４ フレーム、１５ 制御部、２０ 基板。

Claims (12)

1. 液晶層を介して対向配置された、背面側の第１基板と表示面側の第２基板とを備え、
   前記第１基板には、行方向に延在する複数のゲート線と、列方向に延在する複数のデータ線と、行方向及び列方向に形成された複数の画素のそれぞれに対応して配置された複数の画素電極及び複数の薄膜トランジスタと、配向膜と、が形成されており、
   前記複数の画素により構成される画像表示領域のうち端部から所定幅の領域である端部領域における前記配向膜の膜厚は、該画像表示領域の中央部における前記配向膜の膜厚よりも薄い、
   ことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記端部領域では、前記配向膜は、前記画像表示領域の端部に向かう程、膜厚が薄くなっている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記画像表示領域内の前記配向膜は、前記画像表示領域の端部において、膜厚が最も薄くなっている、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
4. 前記所定幅は、１ｍｍ〜５ｍｍの範囲である、
   ことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の液晶表示装置。
5. 前記画像表示領域の端部における前記配向膜の膜厚は、前記中央部における前記配向膜の膜厚よりも１０ｎｍ〜２０ｎｍ薄い、
   ことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の液晶表示装置。
6. 駆動回路の形成領域に近接する前記端部領域における前記所定幅は、前記駆動回路の形成領域とは反対側に位置して該端部領域に対向する前記端部領域における前記所定幅よりも広い、
   ことを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の液晶表示装置。
7. 前記配向膜は、光配向処理されている、
   ことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の液晶表示装置。
8. 液晶層を介して対向配置される、背面側の第１基板と表示面側の第２基板とを備え、
   前記第１基板に、行方向に延在して形成される複数のゲート線と、列方向に延在して形成される複数のデータ線と、行方向及び列方向に形成される複数の画素のそれぞれに対応して配置される複数の画素電極及び複数の薄膜トランジスタと、インクジェット方式により形成される配向膜と、を含む、液晶表示装置の製造方法であって、
   前記複数の画素により構成される画像表示領域の全体に、前記配向膜の材料を塗布する第１工程と、
   前記第１工程の後に、前記画像表示領域における、該画像表示領域の端部から所定幅を除いた領域に、前記配向膜の材料を塗布する第２工程と、を含む、
   ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
9. 前記第１工程では、前記画像表示領域を超えて、前記配向膜の材料を塗布する、
   ことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
10. 液晶層を介して対向配置される、背面側の第１基板と表示面側の第２基板とを備え、
    前記第１基板に、行方向に延在して形成される複数のゲート線と、列方向に延在して形成される複数のデータ線と、行方向及び列方向に形成される複数の画素のそれぞれに対応して配置される複数の画素電極及び複数の薄膜トランジスタと、インクジェット方式により形成される配向膜と、を含む、液晶表示装置の製造方法であって、
    前記複数の画素により構成される画像表示領域のうち端部から所定幅の領域である端部領域に滴下する前記配向膜の材料の滴下量を、該画像表示領域のうち該端部領域よりも内側の領域に滴下する前記配向膜の材料の滴下量よりも少なくする、
    ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
11. 液晶層を介して対向配置される、背面側の第１基板と表示面側の第２基板とを備え、
    前記第１基板に、行方向に延在して形成される複数のゲート線と、列方向に延在して形成される複数のデータ線と、行方向及び列方向に形成される複数の画素のそれぞれに対応して配置される複数の画素電極及び複数の薄膜トランジスタと、インクジェット方式により形成される配向膜と、を含む、液晶表示装置の製造方法であって、
    前記基板と、該基板に前記配向膜の材料を滴下する滴下装置とを、相対的に移動させるとともに、
    前記複数の画素により構成される画像表示領域のうち端部から所定幅の領域である端部領域に前記配向膜の材料を滴下するときの前記基板と前記滴下装置との相対速度を、該画像表示領域のうち該端部領域よりも内側の領域に前記配向膜の材料を滴下するときの前記基板と前記滴下装置との相対速度よりも速くする、
    ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
12. 前記配向膜を光配向処理する工程を含む、
    ことを特徴とする請求項８から１１の何れか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。

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