JP2009032651A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電極基板4に形成された複数の貫通孔6を介して被処理物2の表面にプラズマ生成用ガスを直接供給する。これにより、被処理物2の表面処理に必要な量だけのプラズマ生成用ガスを供給することにより、プラズマ生成用ガスを有効利用し、プラズマ生成用ガスの消費量を低減することができる。
【選択図】図1
Description
〔プラズマ処理装置の構成〕
本発明の第1の実施形態となるプラズマ処理装置1は、図1に示すように、回転することによって被処理物2を巻き付けて搬送する円柱形状の電極3と、被処理物2を挟んで電極3の軸方向に対向配置された複数の電極基板4(4a,4b,4c,4d:図3参照)と、電極基板4を冷却するための放熱器5とを主な構成要素として備える。電極3は、金属又は金属に絶縁体を被覆したものにより形成され、接地されている。電極基板4は、セラミックス等の絶縁体基板により形成され、図2に示すように、ガスボンベから供給されたプラズマ生成用ガスを被処理物2に向けて供給するための複数の貫通孔6と、絶縁体基板内部に埋設された平板電極7とを備える。平板電極7は、貫通孔6に対応する位置に、貫通孔6の直径以上の大きさの直径を有し、且つ、同心円状の複数の貫通孔8を備える。平板電極7には、貫通孔6の側壁部に放電現象を発生させるための電源9が接続されている。
実施例1では、始めにアルミナ粉末を含む混合材料をシート状に成形することにより第1のシート材(厚み1.0mm)と第2のシート材(厚み1.4mm)を形成し、第1及び第2のシート材それぞれについて、隣り合う貫通孔同士の間隔が4.5mmとなるように平面視45×22mmの領域内に直径1mmの55個の貫通孔を形成した。次に、シート材に形成した貫通孔よりも大きい直径3mmの貫通孔がシート材の貫通孔を囲むパターン形状となるように、厚み30μmのタングステン層を第1のシート材の一面に印刷成形した。これにより、タングステン層の貫通孔側面と第1のシート材の貫通孔側面には均一な厚さ1mmの絶縁被膜が形成された。
比較例では、図5に示すように、接地した直径300mmの円筒電極3と対向する位置に、厚み1mmの絶縁材料(誘電材料)により被覆された電極7を配置し、電極7に電源9を接続した。この時、円筒電極3と電極7の最短部の距離は1mmとした。そして電極7の一端に設置されたノズルからプラズマ生成用ガスを噴出し、電極7の他端に設置された吸引ノズルによりプラズマ生成用ガスを吸引することにより、円筒電極3と電極7間に形成される放電空間にプラズマ生成用ガスを導入した。
実施例1及び比較例のプラズマ処理装置を用いて、大気圧下で窒素10[l/min],酸素0.01[l/min]分のプラズマ生成用ガスを導入し、電源から電極間に正弦波状波形の30[kHz],12[kV]の電圧を印加し、電極間で放電を発生させ、円筒電極にポリイミドフィルムを巻き付け回転させることによりポリイミドフィルムを20[m/min]の速度で電極間を通過させ、ポリイミドフィルム表面を処理した。そして表面処理後のポリイミドフィルム表面の水接触角を測定した。測定の結果、表面処理前の水接触角は72°であったのに対し、実施例1のプラズマ処理装置を用いて表面処理した後の水接触角は10°,比較例のプラズマ処理装置を用いて表面処理した後の水接触角は34°であった。このことから、実施例1のプラズマ処理装置によれば、比較例のプラズマ処理装置と比較して、ポリイミドフィルム表面の水接触角が大きく低下することがわかる。
〔プラズマ処理装置の構成〕
本発明の第2の実施形態となるプラズマ処理装置10は、図6に示すように、上記第1の実施形態となるプラズマ処理装置1の構成に加えて、貫通孔6に薄膜形成用ガスを供給する高圧ガスボンベ等の薄膜形成用ガス供給部11を備える。このプラズマ処理装置10では、電極3を回転させることによって被処理物2を搬送しながら、薄膜形成用ガス供給部11が貫通孔6に薄膜形成用ガスを供給する。これにより、薄膜形成用ガスは、電極基板7と対向電極3間に電圧を印加することにより発生する放電現象によって活性化されて化学反応を起こし、被処理物2の表面全域に薄膜を形成する。なお、薄膜形成用ガスの温度を調整した後に薄膜形成用ガスを貫通孔6に供給するようにしてもよい。
実施例2では、始めにアルミナ粉末を含む混合材料をシート状に成形することにより第1のシート材(厚み1.0mm)と第2のシート材(厚み1.4mm)を形成し、第1及び第2のシート材それぞれについて、隣り合う貫通孔同士の間隔が4.5mmとなるように平面視45×22mmの領域内に直径1mmの55個の貫通孔を形成した。次に、シート材に形成した貫通孔よりも大きい直径3mmの貫通孔がシート材の貫通孔を囲むパターン形状となるように、厚み30μmのタングステン層を第1のシート材の一面に印刷成形した。これにより、タングステン層の貫通孔側面と第1のシート材の貫通孔側面には均一な厚さ1mmの絶縁被膜が形成された。
実施例3では、実施例2と同様の電極基板を1つ用意し、電極基板のタングステン層に電源を接続し、電極基板と対向する位置に接地した直径300mmの酸化アルミニウム(純度99.9%)製の円筒電極を配置した。この時、円筒電極と電極基板の最短部の距離を5mmとした。そして電極基板の貫通孔からTiCl4ガス0.55[l/min]及びN2ガス0.38[l/min]を薄膜形成用ガスとして噴出することにより、円筒電極とタングステン層間に形成される放電空間に薄膜形成用ガスを導入し、SUS420J2フープ材を被処理物として3[m/min]の速度で電極間を搬送させた。この結果、電極基板を通過した段階でSUS420J2フープ材表面にTiN薄膜が形成され、SUS420J2フープ材表面全域が均一な黄金色になった。
2:被処理物
3:電極
4,4a,4b,4c,4d:電極基板
5:放熱器
6,8:貫通孔
7:平板電極
9:電源
11:薄膜形成用ガス供給部
12:多層薄膜
Claims (11)
- 電極基板と、
被処理物を挟んで前記電極基板に対向配置された対向電極とを備え、
前記電極基板は、前記被処理物にプラズマ生成用ガスを供給するための複数の貫通孔を有すると共に内部に平板電極が埋設された絶縁体基板により形成され、
前記平板電極と前記対向電極間に電圧を印加することにより発生する放電現象によって前記プラズマ生成用ガスを活性化させ、活性化されたプラズマ生成用ガスにより被処理物の表面を処理する
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、前記対向電極は円柱形状を有し、前記電極基板は前記対向電極の軸方向に複数配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1又は請求項2に記載のプラズマ処理装置において、前記平板電極は、前記複数の貫通孔に対応する位置に、当該貫通孔の直径以上の大きさの直径を有し、且つ、同心円状の複数の貫通孔を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1乃至請求項3のうち、いずれか1項に記載のプラズマ処理装置において、前記プラズマ生成用ガスは、希ガス、窒素、酸素、及び空気のうちの少なくとも一つを含有するガス、又はこれら二種以上の混合ガスであることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1乃至請求項4のうち、いずれか1項に記載のプラズマ処理装置において、前記絶縁体基板はセラミックスにより形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1乃至請求項5のうち、いずれか1項に記載のプラズマ処理装置において、前記電極基板を冷却するための放熱器を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1乃至請求項6のうち、いずれか1項に記載のプラズマ処理装置において、前記プラズマ生成用ガスに薄膜形成用ガスを用いることにより、前記被処理物の表面に薄膜を形成することを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項7に記載のプラズマ処理装置において、前記電極基板が前記被処理物の搬送方向に複数配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項8に記載のプラズマ処理装置において、前記複数の電極基板の各々に薄膜形成用ガスを独立して供給することを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項9に記載のプラズマ処理装置において、前記複数の電極基板の各々に異なる種類の薄膜形成用ガスを供給することを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項7乃至請求項10のうち、いずれか1項に記載のプラズマ処理装置において、前記薄膜形成用ガスは、SiH4、SiH6、SiF4、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、AsH3、Ph3、B2H6、BF3、BCl3、BBr3、GeH4、H2Se、F2、Cl2、NF3、SF6、WF6、HCL、HF、HBr、HI、ClF3、CHF3、CH4、C2H6、CHCl3、N2O、NH3、CO2、H2S、H2、N2、O2、He、Ar、TiCl4、ZrCl4、HfCl4、AlCl3、TaCl5のうちの少なくとも1つのガスを含有することを特徴とするプラズマ処理装置。
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2007
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