JP2009027125A - 配線基板内蔵用部品及びその製造方法、配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板に内蔵する際の位置ずれを防止でき、しかも、配線基板を構成する樹脂層との密着性低下を防止することにより信頼性を向上させることができる配線基板内蔵用部品を提供すること。
【解決手段】配線基板に内蔵されるコンデンサ１０１は、プレーン状電極１１１，１１２及び突起状導体５０を備える。プレーン状電極１１１，１１２は、ニッケルからなる第１の金属層１５１、及び、銅からなり第１の金属層１５１の表面を覆う第２の金属層１５２を有する。突起状導体５０は、銅を主体として形成され、プレーン状電極１１１，１１２上の複数箇所に突設される。これにより、配線基板への内蔵時に、突起状導体５０が樹脂層間絶縁層に噛み込むようになる。
【選択図】図４

Description

本発明は、配線基板に内蔵されるコンデンサなどの配線基板内蔵用部品及びその製造方法、並びに配線基板に関するものである。

コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。例えば、樹脂コア基板内にコンデンサを埋め込んだ配線基板（例えば特許文献１参照）や、樹脂コア基板の表面や裏面に形成されたビルドアップ層内にコンデンサを埋め込んだ配線基板が従来提案されている。
特開２００５−３９２４３号公報（図４など）

ところが、上記のコンデンサを樹脂コア基板やビルドアップ層に内蔵する場合、コンデンサの表面及び裏面には薄いプレーン状電極が存在するのみであって凹凸が少ないため、コンデンサが平面方向に位置ずれする可能性がある。また、コンデンサと、コンデンサの表面や裏面に接する絶縁樹脂層（例えば、ビルドアップ層を構成する樹脂層間絶縁層など）との密着性に問題が生じる場合がある。その結果、コンデンサと絶縁樹脂層との間にデラミネーションが発生して製造される配線基板が不良品となるため、配線基板の信頼性が低下するおそれがある。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、配線基板に内蔵する際の位置ずれを防止でき、しかも、配線基板を構成する絶縁樹脂層との密着性低下を防止することにより信頼性を向上させることができる配線基板内蔵用部品及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の別の目的は、上記の配線基板内蔵用部品を内蔵した好適な配線基板を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、配線基板に内蔵される配線基板内蔵用部品であって、部品主面及び部品裏面を有する部品本体と、前記部品主面及び前記部品裏面の少なくとも一方の上に配置されるとともに第１の金属材料からなる第１の金属層、及び、前記第１の金属材料よりも導電性の高い第２の金属材料からなり前記第１の金属層の表面を覆う第２の金属層を有するプレーン状電極と、前記第２の金属材料と同じ金属材料を主体として形成され、前記プレーン状電極上の複数箇所に突設された突起状導体とを備えることを特徴とする配線基板内蔵用部品がある。

従って、手段１の配線基板内蔵用部品によると、プレーン状電極上に突起状導体が突設されているため、配線基板への内蔵時に、突起状導体が配線基板を構成する絶縁樹脂層に噛み込むようになる。従って、内蔵時における配線基板内蔵用部品の位置ずれを防止できる。しかも、突起状導体を形成することで、配線基板内蔵用部品と絶縁樹脂層との接触面積が大きくなるため、両者の密着性が向上する。従って、配線基板内蔵用部品と絶縁樹脂層との間でのデラミネーションの発生を防止でき、配線基板の信頼性が高くなる。

上記配線基板内蔵用部品は、部品主面及び部品裏面を有する部品本体を備えている。部品本体の形状は、任意に設定することが可能であるが、例えば、部品主面の面積が部品本体の側面の面積よりも大きい板状であることが好ましい。また、部品本体の平面視での形状としては、複数の辺を有する平面視多角形状であることが好ましい。平面視多角形状としては、例えば、平面視略矩形状、平面視略三角形状、平面視略六角形状などを挙げることができるが、特には、一般的な形状である平面視略矩形状であることが好ましい。ここで、「平面視略矩形状」とは、平面視で完全な矩形状のみをいうのではなく、角部が面取りされた形状や、辺の一部が曲線となっている形状も含むものとする。

なお、好適な前記配線基板内蔵用部品としては、コンデンサ、半導体集積回路素子（ＩＣチップ）、半導体製造プロセスで製造されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子などを挙げることができる。ここで、「半導体集積回路素子」とは、主としてコンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される素子をいう。

また、好適なコンデンサの例としては、チップコンデンサや、金属箔上に誘電体層及び電極層を積層してなるコンデンサや、セラミック誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、前記複数の内部電極層に接続された複数のコンデンサ内ビア導体を備え、前記プレーン状電極が、前記複数のコンデンサ内ビア導体における前記部品主面側及び前記部品裏面側の少なくとも一方の端部に接続されたセラミックコンデンサなどを挙げることができる。なお、セラミックコンデンサは、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのセラミックコンデンサであることが好ましい。このような構造であれば、コンデンサのインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電圧安定化が可能となる。また、コンデンサ全体の小型化が図りやすくなり、ひいては配線基板全体の小型化も図りやすくなる。しかも、小さい割りに高静電容量が達成しやすく、より安定した電源供給が可能となる。

前記セラミック誘電体層としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体が好適に使用されるほか、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体が好適に使用される。この場合、用途に応じて、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックの焼結体を使用することも好ましい。誘電体セラミックの焼結体を使用した場合、静電容量の大きなコンデンサを実現しやすくなる。

前記内部電極層及び前記コンデンサ内ビア導体としては特に限定されないが、例えばコンデンサがセラミックコンデンサである場合にはメタライズ導体であることが好ましい。なお、メタライズ導体は、金属粉末を含む導体ペーストを従来周知の手法、例えばメタライズ印刷法で塗布した後に焼成することにより、形成される。同時焼成法によってメタライズ導体及びセラミック誘電体層を形成する場合、メタライズ導体中の金属粉末は、セラミック誘電体層の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック誘電体層がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック誘電体層がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。

上記配線基板内蔵用部品を構成する前記プレーン状電極は、第１の金属材料からなる第１の金属層、及び、前記第１の金属材料よりも導電性の高い第２の金属材料からなり前記第１の金属層の表面を覆う第２の金属層を有する。前記第１の金属層としては特に限定されないが、例えばコンデンサがセラミックコンデンサである場合には前記メタライズ導体層であることが好ましい。なお、セラミック誘電体層がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、第１の金属層を構成する第１の金属材料（メタライズ導体層中の金属粉末）として、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック誘電体層がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、第１の金属材料として、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。一方、第２の金属層を構成する第２の金属材料としては、例えば銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。なお、第１の金属材料が例えばニッケルである場合、第２の金属材料としては、ニッケルよりも導電性の高い銅などが挙げられる。なお、前記第２の金属層の表面は粗化されていることが好ましい。このようにすれば、第２の金属層と配線基板を構成する絶縁樹脂層との接触面積が大きくなるため、配線基板内蔵用部品と絶縁樹脂層との密着性がよりいっそう向上する。

上記配線基板内蔵用部品を構成する前記突起状導体は、前記プレーン状電極上の複数箇所に突設されている。ここで、前記突起状導体の表面は粗化されていることが好ましい。このようにすれば、突起状導体と配線基板を構成する絶縁樹脂層との接触面積が大きくなるため、配線基板内蔵用部品と絶縁樹脂層との密着性がよりいっそう向上する。

なお、突起状導体は、前記第２の金属材料と同じ金属材料を主体として形成される。突起状導体を構成する金属材料としては、例えば銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられるが、特に、前記突起状導体は、銅を主体として形成されていることが好ましい。このようにすれば、突起状導体を他の材料を主体として形成する場合よりも、突起状導体の低抵抗化が図られるとともに、突起状導体の導電性が向上する。しかも、突起状導体が比較的柔らかい銅を主体として形成されるため、突起状導体の粗化が容易になる。

さらに、突起状導体の形成方法としては、めっきによって突起状導体を形成する方法などが挙げられる。なお、突起状導体が銅を主体として形成される場合、前記突起状導体は、銅めっきによって形成されていることが好ましい。このようにすれば、突起状導体を例えば導電性ペーストなどによって形成する場合に比べて、突起状導体の導電性が向上する。また、突起状導体の他の形成方法としては、プレーン状電極上に金属ペーストを印刷して突起状導体を形成する方法や、金属箔を貼付する工程のみを行って突起状導体を形成する方法や、突起状導体よりも大きい金属箔を貼付した後、金属箔に対するエッチングを行って突起状導体を形成する方法などが挙げられる。さらに、別の突起状導体の形成方法としては、突起状導体の焼成を、前記セラミック誘電体層や前記セラミックコンデンサを構成する導体（前記内部電極層、前記コンデンサ内ビア導体、前記プレーン状電極）の焼成と同時に行う同時焼成法などが挙げられる。また、セラミック誘電体層や上記のセラミックコンデンサを構成する導体の焼成を行った後で、突起状導体の焼成を行う後焼成法などを採用することもできる。なお、同時焼成法によって突起状導体を形成すれば、セラミックコンデンサの製造に必要な工数が減るため、セラミックコンデンサを容易にかつ低コストで形成できる。

また、前記突起状導体の厚さは、前記プレーン状電極の厚さよりも大きいことが好ましい。仮に、突起状導体の厚さがプレーン状電極の厚さよりも小さいと、突起状導体の厚さが、配線基板に内蔵した際に部品主面上や部品裏面上に位置する絶縁樹脂層の厚さよりも小さくなる可能性が高いため、突起状導体の頂部を絶縁樹脂層の表面に位置する導体層に接続することが困難になる。さらに、前記突起状導体の底部の最小幅は、前記プレーン状電極の最小幅よりも小さいことが好ましい。このようにすれば、隣接するプレーン状電極上に突設された突起状導体同士が必ず隙間を有した状態で配置されるため、突起状導体同士の接触による短絡を防止できる。

なお、前記突起状導体は、底部から頂部に行くに従って細くなっていることが好ましい。このような構成であれば、突起状導体の頂部の表面の面積が小さくなるため、配線基板への内蔵時において、突起状導体が配線基板を構成する絶縁樹脂層によりいっそう噛み込みやすくなる。その結果、突起状導体が絶縁樹脂層によりいっそう噛み込みやすくなるため、内蔵時における配線基板内蔵用部品の位置ずれをより確実に防止できる。また、仮に突起状導体が底部から頂部に行くに従って太くなっていれば、突起状導体を絶縁樹脂層に噛み込ませた際に底部付近にボイドが発生する可能性が高い。しかし上記のように、突起状導体が底部から頂部に行くに従って細くなっていれば、底部が絶縁樹脂層に確実に密着するため、上記のボイドの発生を防止できる。

また、前記突起状導体の底部は、前記プレーン状電極との接続部分において最も直径が大きくなっていることが好ましく、例えば、前記突起状導体の底部の断面形状は、前記プレーン状電極との接続部分に行くに従って徐々に幅広になるテーパ状をなしていることが好ましい。このような構成であれば、突起状導体の底部とプレーン状電極との接続部分が補強されるため、突起状導体とプレーン状電極との接続状態を確実に確保できる。ゆえに、配線基板内蔵用部品の信頼性がよりいっそう向上する。

さらに、前記突起状導体の頂面は、前記部品主面及び前記部品裏面と平行であることが好ましい。このようにすれば、突起状導体と、配線基板に内蔵した際に部品主面上や部品裏面上に位置する絶縁樹脂層の表面に位置する導体層との接触面積が大きくなる。このため、突起状導体と導体層との接続信頼性を高めることができ、ひいては、配線基板の信頼性をよりいっそう高めることができる。

また、本発明の課題を解決するための別の手段（手段２）としては、上記手段１に記載の配線基板内蔵用部品が、コア主面及びコア裏面を有する樹脂コア基板内、または、樹脂層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有する配線積層部内に収容されることを特徴とする配線基板がある。

従って、手段２によると、プレーン状電極上に突起状導体が樹脂層間絶縁層などに噛み込むようになるため、配線基板内蔵用部品の位置ずれを防止できる。しかも、突起状導体を形成することで、配線基板内蔵用部品と樹脂層間絶縁層との接触面積が大きくなるため、両者の密着性が向上する。従って、配線基板内蔵用部品と樹脂層間絶縁層との間でのデラミネーションの発生を防止でき、配線基板の信頼性が高くなる。

上記配線基板を構成する樹脂コア基板は、例えばコア主面及びその反対側に位置するコア裏面を有する板状に形成されている。樹脂コア基板を形成するための高分子材料の具体例としては、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。

上記配線基板を構成する配線積層部は、高分子材料を主体とする樹脂層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有している。なお、配線積層部は、前記コア主面上及び前記コア裏面上のいずれか一方にのみ形成されていてもよいし、前記コア主面上及び前記コア裏面上の両方に形成されていてもよいが、前記コア主面上及び前記コア裏面上の両方に形成されることが好ましい。このように構成すれば、コア主面上に形成された配線積層部とコア裏面上に形成された配線積層部との両方に電気回路を形成できるため、配線基板のよりいっそうの高機能化を図ることができる。

樹脂層間絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂層間絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。

また、本発明の課題を解決するための別の手段（手段３）としては、上記手段１に記載の配線基板内蔵用部品を多数個取りの手法で製造する方法であって、平面方向に沿って配置された複数の製品形成領域を備え、前記複数の製品形成領域を個片化する際の切断予定線に沿ってブレーク溝が形成され、前記ブレーク溝に対応した箇所の内層部に前記複数の製品形成領域間をまたぐダミー内部電極層が形成された多数個取り用のセラミック焼結体製連結基板を作製する連結基板作製工程と、前記セラミック焼結体製連結基板の基板主面上にめっきレジスト用ドライフィルム材を貼着し、前記プレーン状電極を露出させる開口部を複数箇所に有するめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、めっきを行って前記開口部内に前記突起状導体を形成する突起状導体形成工程と、前記めっきレジストを剥離するレジスト剥離工程と、前記レジスト剥離工程後、前記セラミック焼結体製連結基板を前記ブレーク溝に沿って切断し、複数の配線基板内蔵用部品を個片化するブレーク工程とを含むことを特徴とする配線基板内蔵用部品の製造方法、がある。

ここで、配線基板内蔵用部品を多数個取りの手法で製造する場合、多数個取り用の連結基板における複数の製品形成領域を個片化する際の切断予定線に沿って、あらかじめブレーク溝を形成しておくことがある。しかしながら、多数個取り用の連結基板が脆弱なセラミック焼結体製であると、製造過程において連結基板を流動する際に、ブレーク溝の箇所で割れたり、ブレーク溝を起点としてクラックが発生したりすることがある。しかも、連結基板の基板主面上にめっきレジスト用ドライフィルム材を貼着するラミネート工程を行う場合には、ラミネート時に受ける押圧力により特に割れやクラックが発生しやすくなり、製品歩留まりを低下させてしまう。また、このような割れやクラックの発生を回避するためには、製造時において連結基板の流動などを慎重に行う必要性が生じ、製造が煩雑なものとなってしまう。

その点、手段３に記載の製造方法によれば、ブレーク溝に対応した箇所の内層部に複数の製品形成領域間をまたぐダミー内部電極層に形成しておくため、他の部分に比べて厚さの薄くなったブレーク溝の形成部分が補強される。よって、この状態で連結基板を流動して押圧力の加わるレジスト形成工程などを行ったとしても、連結基板における割れやクラックの発生を抑制することができ、製品歩留まりを向上させることができる。また、手段３の製造方法によれば、連結基板の製造の煩雑さを軽減することができる。

前記ブレーク溝及び前記ダミー内部電極層は、前記セラミック焼結体製連結基板が未焼成のときに形成されることがよい。この段階であれば、連結基板がまだ硬化していない未焼結体であるため、比較的容易にブレーク溝を加工形成することができるからである。

以下、本発明を配線基板に具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。

図１に示されるように、本実施形態の配線基板１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１０は、略矩形板状の樹脂コア基板１１と、樹脂コア基板１１のコア主面１２（図１では上面）上に形成される第１ビルドアップ層３１（配線積層部）と、樹脂コア基板１１のコア裏面１３（図１では下面）上に形成される第２ビルドアップ層３２（配線積層部）とからなる。

樹脂コア基板１１のコア主面１２上に形成された第１ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３３，３５と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第２層の樹脂層間絶縁層３５の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、矩形平板状をなすＩＣチップ２１の面接続端子２２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５からなる領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３である。ＩＣチップ搭載領域２３は、第１ビルドアップ層３１の表面３９に設定されている。また、第２層の樹脂層間絶縁層３５内における複数箇所にはビア導体４３が形成されている。各ビア導体４３の下端となる箇所は、樹脂層間絶縁層３３の表面上に形成された導体層４２に接続されており、各ビア導体４３の上端となる箇所は、樹脂層間絶縁層３５の表面上に形成された導体層４２、または、端子パッド４４に接続されている。このビア導体４３は、導体層４２及び端子パッド４４を相互に電気的に接続している。

図１に示されるように、樹脂コア基板１１のコア裏面１３上に形成された第２ビルドアップ層３２は、上述した第１ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３４，３６と、導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第１層の樹脂層間絶縁層３４内における複数箇所にはビア導体４７が形成されている。各ビア導体４７の下端となる箇所は、樹脂層間絶縁層３４の表面上に形成された導体層４２に接続されている。第２層の樹脂層間絶縁層３６内における複数箇所にはビア導体４３が形成されており、樹脂層間絶縁層３６の下面上において各ビア導体４３の下端となる箇所には、ビア導体４３を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８が格子状に形成されている。また、樹脂層間絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３８の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードに対して電気的に接続可能な複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。

図１に示されるように、本実施形態の樹脂コア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ０．９０ｍｍの平面視略矩形板状である。樹脂コア基板１１は、ガラスエポキシからなる基材１６１と、基材１６１の上面及び下面に形成され、シリカフィラーなどの無機フィラーを添加したエポキシ樹脂からなるサブ基材１６４と、同じく基材１６１の上面及び下面に形成され、銅からなる導体層１６３とによって構成されている。また、樹脂コア基板１１には、複数のスルーホール導体１６がコア主面１２、コア裏面１３及び導体層１６３を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体１６は、樹脂コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続導通するとともに、導体層１６３に電気的に接続している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。スルーホール導体１６の上端は、樹脂層間絶縁層３３の表面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されており、スルーホール導体１６の下端は、樹脂層間絶縁層３４の下面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されている。また、樹脂コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３には、銅からなる導体層４１がパターン形成されており、各導体層４１は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。さらに、樹脂コア基板１１は、コア主面１２の中央部及びコア裏面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９０を１つ有している。即ち、収容穴部９０は貫通穴である。なお、収容穴部９０は、四隅に面取り寸法０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の面取り部を有している。

そして、収容穴部９０内には、図２，図３等に示すセラミックコンデンサ１０１（配線基板内蔵用部品）が、埋め込まれた状態で収容されている。なお、セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ主面１０２をコア主面１２と同じ側に向け、かつ、コンデンサ裏面１０３をコア裏面１３と同じ側に向けた状態で収容されている。本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ０．７４ｍｍの平面視略矩形板状である。セラミックコンデンサ１０１は、樹脂コア基板１１において前記ＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域に配置されている。なお、ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において面接続端子２２が形成される面の面積）は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ１０１の厚さ方向から見た場合、ＩＣチップ搭載領域２３は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２内に位置している。

図１等に示されるように、収容穴部９０の内面と、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間は、高分子材料（本実施形態ではエポキシ等の熱硬化性樹脂）からなる樹脂充填部９２によって埋められている。この樹脂充填部９２は、セラミックコンデンサ１０１を樹脂コア基板１１に固定する機能を有している。なお、セラミックコンデンサ１０１は、平面視略正方形状をなしており、四隅に面取り寸法０．５５ｍｍ以上（本実施形態では面取り寸法０．６ｍｍ）の面取り部を有している。これにより、セラミックコンデンサ１０１を配線基板１０に内蔵するときや、温度変化に伴う樹脂充填部９２の変形時において、セラミックコンデンサ１０１の角部への応力集中を緩和できるため、樹脂充填部９２のクラックの発生を防止できる。

図１〜図３等に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのセラミックコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１を構成するセラミック焼結体１０４（部品本体）は、部品主面である１つのコンデンサ主面１０２（図１では上面）、部品裏面である１つのコンデンサ裏面１０３（図１では下面）、及び、４つのコンデンサ側面１０６（図１では左面、右面）を有する板状物である。

図２に示されるように、セラミック焼結体１０４は、セラミック誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１とグランド用内部電極層１４２とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体（絶縁体）として機能する。電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体１０４の内部において一層おきに配置されている。

図１，図２等に示されるように、セラミック焼結体１０４には、多数のビアホール１３０が形成されている。これらのビアホール１３０は、セラミック焼結体１０４をその厚さ方向に貫通するとともに、セラミック焼結体１０４の全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。各ビアホール１３０内には、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２が、ニッケルを主材料として形成されている。なお本実施形態において、ビアホール１３０の直径は約１００μｍに設定されているため、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径も約１００μｍに設定されている。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１は、各電源用内部電極層１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、各グランド用内部電極層１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、全体としてアレイ状に配置されている。本実施形態では、説明の便宜上、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２を５列×５列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。

そして図２，図３等に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上には、複数の主面側電源用プレーン状電極１１１（プレーン状電極）と複数の主面側グランド用プレーン状電極１１２（プレーン状電極）とが設けられている。各プレーン状電極１１１，１１２は、コンデンサ主面１０２において互いに平行に配置されており、幅３５０μｍ×厚さ２５μｍの平面視略矩形状をなす帯状パターンである（図３参照）。主面側電源用プレーン状電極１１１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されており、主面側グランド用プレーン状電極１１２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。

また、図２等に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上には、複数の裏面側電源用プレーン状電極１２１（プレーン状電極）と複数の裏面側グランド用プレーン状電極１２２（プレーン状電極）とが設けられている。各プレーン状電極１２１，１２２は、コンデンサ裏面１０３において互いに平行に配置されており、幅３５０μｍ×厚さ２５μｍの平面視略矩形状をなす帯状パターンである。裏面側電源用プレーン状電極１２１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されており、裏面側グランド用プレーン状電極１２２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用プレーン状電極１１１，１２１は電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び電源用内部電極層１４１に導通しており、グランド用プレーン状電極１１２，１２２はグランド用コンデンサ内ビア導体１３２及びグランド用内部電極層１４２に導通している。

図４に示されるように、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２は、第１の金属層であるメタライズ導体層１５１と、第２の金属層であるめっき層１５２とからなっている。メタライズ導体層１５１は、前記コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３の上に配置されるとともに、ニッケル（第１の金属材料）を主材料として形成されている。めっき層１５２は、ニッケルよりも導電性の高い銅（第２の金属材料）からなり、メタライズ導体層１５１の表面を全体的に被覆している。さらに、めっき層１５２の表面は粗化されており、めっき層１５２の表面の算術平均粗さＲａは０．４μｍに設定されている。なお、「算術平均粗さＲａ」とは、ＪＩＳ Ｂ０６０１で定義されている算術平均粗さＲａである。算術平均粗さＲａの測定方法はＪＩＳ Ｂ０６５１に準じるものとする。

図１〜図４に示されるように、各プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上には、それぞれ突起状導体５０が突設されている。各突起状導体５０は、１つのプレーン状電極に対して複数箇所ずつ配置されている。そして、突起状導体５０の数は、前記コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の数と等しくなっている。本実施形態の突起状導体５０は、銅めっきによって形成された導体（銅ポスト）である。即ち、突起状導体５０は、めっき層１５２と同じ金属材料である銅を主体として形成されている。

また、各突起状導体５０は、断面円形状であって、底部５１から頂部５２に行くに従って細くなっている。詳述すると、各突起状導体５０の底部５１は、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２との接続部分において最も直径が大きくなっている。換言すると、各突起状導体５０の底部５１の断面形状は、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２との接続部分に行くに従って徐々に幅広になるテーパ状をなしている。また、各突起状導体５０の頂部５２の表面は、円形状をなしており、頂部５２の表面は前記コンデンサ主面１０２及び前記コンデンサ裏面１０３とほぼ平行になっている。なお本実施形態において、各突起状導体５０の中心軸線はプレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２の中心と一致しているが、一致していなくてもよい。

図１〜図４に示されるように、各突起状導体５０の底部５１の最小幅である直径は、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２の最小幅である横の長さ（３５０μｍ）よりも小さく設定されており、本実施形態では２００μｍに設定されている。また、各突起状導体５０の頂部５２の直径は、底部５１の直径よりも小さく設定されており、本実施形態では１９０μｍに設定されている。即ち、各突起状導体５０の底部５１及び頂部５２の直径は、前記コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径（約１００μｍ）よりも大きく設定されている。また、各突起状導体５０の厚さは、本実施形態では１２０μｍに設定されている。即ち、突起状導体５０の厚さを突起状導体５０の底部５１の直径で割った値で定義されるアスペクト比は、０．６となる。また、各突起状導体５０の厚さは、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２の厚さ（２５μｍ）よりも大きく、前記樹脂層間絶縁層３３の厚さと等しくなっている。このため、プレーン状電極１１１，１１２上に突設された突起状導体５０の頂部５２の表面は、樹脂層間絶縁層３３の表面と同じ位置にある。さらに、各突起状導体５０の表面は粗化されている。突起状導体５０の表面の算術平均粗さＲａは、前記めっき層１５２の表面の算術平均粗さＲａと等しく、具体的には０．４μｍに設定されている。そして、プレーン状電極１１１，１１２上に突設された突起状導体５０は、樹脂層間絶縁層３３の表面上に形成された導体層４２に接続される。一方、プレーン状電極１２１，１２２上に突設された突起状導体５０は、前記樹脂層間絶縁層３４内における複数箇所に形成されたビア導体４７に接続される。

図１に示されるように、コンデンサ主面１０２側にあるプレーン状電極１１１，１１２は、突起状導体５０、導体層４２、ビア導体４３、端子パッド４４、はんだバンプ４５及びＩＣチップ２１の面接続端子２２を介して、ＩＣチップ２１に電気的に接続される。一方、コンデンサ裏面１０３側にあるプレーン状電極１２１，１２２は、突起状導体５０、ビア導体４７、導体層４２、ビア導体４３、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９を介して、図示しないマザーボードが有する電極に対して電気的に接続される。

例えば、マザーボード側からプレーン状電極１２１，１２２を介して通電を行い、電源用内部電極層１４１−グランド用内部電極層１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極層１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ１０１がコンデンサとして機能する。また、セラミックコンデンサ１０１では、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。

次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法について述べる。

コア基板準備工程では、樹脂コア基板１１の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。

樹脂コア基板１１の中間製品は以下のように作製される。まず、縦４００ｍｍ×横４００ｍｍ×厚さ０．６５ｍｍの基材１６１の両面に銅箔が貼付された銅張積層板（図示略）を準備する。次に、銅張積層板の両面の銅箔のエッチングを行って導体層１６３を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離する。次に、基材１６１の上面及び下面と導体層１６３とを粗化した後、基材１６１の上面及び下面に、無機フィラーが添加されたエポキシ樹脂フィルム（厚さ８０μｍ）を熱圧着により貼付し、サブ基材１６４を形成する。

次に、上側のサブ基材１６４の上面及び下側のサブ基材１６４の下面に導体層４１（厚さ５０μｍ）をパターン形成する。具体的には、上側のサブ基材１６４の上面及び下側のサブ基材１６４の下面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。次に、基材１６１及びサブ基材１６４からなる積層体に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部９０となる貫通孔を所定位置に形成し、樹脂コア基板１１の中間製品を得る（図５参照）。なお、樹脂コア基板１１の中間製品とは、樹脂コア基板１１となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。

また、コンデンサ準備工程では、突起状導体５０を有するセラミックコンデンサ１０１を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。

セラミックコンデンサ１０１は以下のように作製される。即ち、セラミックのグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層１４２となるグランド用内部電極部とが形成される。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。

さらに、レーザー加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール１３０を多数個貫通形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール１３０内に充填する。次に、グリーンシート積層体の上面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にて各導体部の上端面を覆うようにプレーン状電極１１１，１１２のメタライズ導体層１５１を形成する。また、グリーンシート積層体の下面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うようにプレーン状電極１２１，１２２のメタライズ導体層１５１を形成する。

この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各メタライズ導体層１５１をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体１０４となる。

次に、得られたセラミック焼結体１０４が有する各メタライズ導体層１５１に対して無電解銅めっき（厚さ１５μｍ）を行う。その結果、各メタライズ導体層１５１の上にめっき層１５２が形成される。

次に、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上に、所定箇所に開口部１８２（内径２００μｍ）を有するフォトレジスト材１８１（厚さ２００μｍ）をラミネートする（図６参照）。これらの開口部１８２は、露光及び現像によって形成されており、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２の表面の一部を露出させている。なお、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上にメタルマスク（厚さ２００μｍ）を積層配置し、ドリルを用いた孔あけ加工などをメタルマスクに対して行うことにより、開口部１８２を有するメタルマスクを形成してもよい。そして、フォトレジスト材１８１を介してプレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上に対する電解銅めっきを行う。さらに、フォトレジスト材１８１を除去する。その結果、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上に、厚さ１００μｍ以上２００μｍ以下（本実施形態では１２０μｍ）の突起状導体５０が形成され、セラミックコンデンサ１０１が完成する。

続く収容工程では、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、コア主面１２とコンデンサ主面１０２と同じ側に向け、かつ、コア裏面１３とコンデンサ裏面１０３とを同じ側に向けた状態で収容穴部９０内にセラミックコンデンサ１０１を収容する（図７参照）。この状態において、コンデンサ主面１０２側の突起状導体５０の頂部５２の表面は、導体層４１の表面よりも上方に位置している。なお、収容穴部９０のコア裏面１３側開口は、剥離可能な粘着テープ１７１でシールされている。この粘着テープ１７１は、支持台（図示略）によって支持されている。かかる粘着テープ１７１の粘着面には、セラミックコンデンサ１０１が貼り付けられて仮固定されている。

そして、この状態において、収容穴部９０の内面とセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間に、ディスペンサ装置（Ａｓｙｍｔｅｋ社製）を用いて、熱硬化性樹脂製の樹脂充填部９２（株式会社ナミックス製）を充填する。その後、加熱処理を行うと、樹脂充填部９２が硬化して、セラミックコンデンサ１０１が収容穴部９０内に固定される（図８参照）。そして、この時点で、粘着テープ１７１を剥離する。

その後、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２を構成するめっき層１５２の表面と、突起状導体５０の表面とを粗化する（図４参照）。なお、めっき層１５２の表面と突起状導体５０の表面とが同時に粗化されるため、めっき層１５２の表面の一部（突起状導体５０との接続部分）が粗化されることはない。

次に、従来周知の手法に基づいてコア主面１２の上に第１ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア裏面１３の上に第２ビルドアップ層３２を形成する。具体的に言うと、まず、コア主面１２及びコンデンサ主面１０２上に感光性エポキシ樹脂を被着して露光及び現像を行うことにより、樹脂層間絶縁層３３を形成する（図９参照）。このとき、セラミックコンデンサ１０１の各突起状導体５０が樹脂層間絶縁層３３に噛み込むことにより、セラミックコンデンサ１０１の位置決めが図られる。また、コア裏面１３及びコンデンサ裏面１０３に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、樹脂層間絶縁層３４を形成する（図９参照）。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマー（ＬＣＰ：Liquid Crystalline Polymer）を被着してもよい。

さらに、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、ビア導体４７が形成されるべき位置にビア孔を形成する。具体的には、樹脂層間絶縁層３４を貫通するビア孔を形成し、プレーン状電極１２１，１２２上に突設された突起状導体５０の頂部５２の表面を露出させる。

さらに、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、樹脂コア基板１１及び樹脂層間絶縁層３３，３４を貫通する貫通孔（図示略）を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、樹脂層間絶縁層３３，３４の表面上、ビア孔の内面、及び、貫通孔の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、樹脂層間絶縁層３３上に導体層４２が形成されるとともに、樹脂層間絶縁層３４上に導体層４２がパターン形成される。これと同時に、貫通孔内にスルーホール導体１６が形成されるとともに、各ビア孔の内部にビア導体４７が形成される。その後、スルーホール導体１６の空洞部を絶縁樹脂材料（エポキシ樹脂）で穴埋めし、閉塞体１７を形成する。

次に、樹脂層間絶縁層３３，３４上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体４３が形成されるべき位置にビア孔（図示略）を有する樹脂層間絶縁層３５，３６を形成する。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、ビア導体４３が形成されるべき位置にビア孔が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記ビア孔の内部にビア導体４３を形成するとともに、樹脂層間絶縁層３５上に端子パッド４４を形成し、樹脂層間絶縁層３６上にＢＧＡ用パッド４８を形成する。

次に、樹脂層間絶縁層３５，３６上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト３７，３８を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト３７，３８に開口部４０，４６をパターニングする。さらに、端子パッド４４上にはんだバンプ４５を形成し、かつ、ＢＧＡ用パッド４８上にはんだバンプ４９を形成する。なお、この状態のものは、配線基板１０となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である配線基板１０が多数個同時に得られる。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態の配線基板１０によれば、セラミックコンデンサ１０１のプレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上に突起状導体５０が突設されているため、配線基板１０への内蔵時に、突起状導体５０が樹脂層間絶縁層３３に噛み込むようになる。従って、内蔵時におけるセラミックコンデンサ１０１の位置ずれを防止できる。しかも、突起状導体５０を形成することで、セラミックコンデンサ１０１と樹脂層間絶縁層３３との接触面積が大きくなるため、両者の密着性が向上する。従って、セラミックコンデンサ１０１と樹脂層間絶縁層３３との間でのデラミネーションの発生を防止でき、配線基板１０の信頼性が高くなる。また、突起状導体５０がプレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上の複数箇所に突設されるため、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２の面積が大きくなる。これにより、セラミックコンデンサ１０１がプレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２によって補強されるため、セラミックコンデンサ１０１の信頼性が向上する。

（２）特開２００３−２４９４１４号公報では、コンデンサ内ビア導体をコンデンサ主面及びコンデンサ裏面から突出させたコンデンサを、配線基板に内蔵する従来技術が提案されている。この場合、コンデンサ内ビア導体が絶縁樹脂層に噛み込むことによってコンデンサの位置ずれを防止できるものの、コンデンサ内ビア導体は、一般的に表面粗化が困難なニッケルからなるため、コンデンサと絶縁樹脂層との密着性を高めることができない。

一方、本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ内ビア導体とは別に、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２及び突起状導体５０を有している。ここで、突起状導体５０は、ニッケルよりも表面粗化に適した銅からなるため、粗化を行うことにより、セラミックコンデンサ１０１と絶縁樹脂層（樹脂層間絶縁層３３）との密着性を向上させることができる。しかも、各プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２は、複数の突起状導体５０が突設されているために比較的面積が大きく、しかも表面が粗化されている。従って、セラミックコンデンサ１０１と絶縁樹脂層（樹脂層間絶縁層３３）との密着性がよりいっそう向上する。

（３）特開２００３−２４９４１４号公報では、コンデンサ内ビア導体をコンデンサ主面及びコンデンサ裏面から突出させたコンデンサを、配線基板に内蔵する従来技術が提案されている。この場合、コンデンサ内ビア導体の位置、数、形に大きな制約を受けてしまう。一方、本実施形態では、突起状導体５０の中心軸線をプレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２の中心と一致させないようにして、各突起状導体５０を配置することができる。よって、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上に突設される突起状導体５０の数をコンデンサ内ビア導体１３１，１３２の数よりも多くすることができ、しかも、各突起状導体５０の配置の自由度が向上する。

（４）本実施形態では、プレーン状電極１１１，１１２上に突設された突起状導体５０の頂部５２の表面が、樹脂層間絶縁層３３の表面と同じ位置にある。これにより、樹脂層間絶縁層３３の表面が面一になるため、樹脂層間絶縁層３３の上層側に樹脂層間絶縁層３５及び導体層４２を積層して第１ビルドアップ層３１を形成した場合に、第１ビルドアップ層３１の表面３９に凹凸が生じにくくなる。よって、寸法精度の高い配線基板１０を得ることができる。

（５）本実施形態では、セラミックコンデンサ１０１がＩＣチップ搭載領域２３に搭載されたＩＣチップ２１の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ１０１とＩＣチップ２１とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ１０１によるＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。

（６）本実施形態では、ＩＣチップ搭載領域２３がセラミックコンデンサ１０１の真上の領域内に位置しているため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１は高剛性で熱膨張率が小さいセラミックコンデンサ１０１によって支持される。よって、上記ＩＣチップ搭載領域２３においては、第１ビルドアップ層３１が変形しにくくなるため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１をより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップ２１のクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ＩＣチップ２１として、熱膨張差による応力（歪）が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、脆いとされるＬｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。

なお、本実施形態は以下のように変更してもよい。

・上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１は樹脂コア基板１１内に収容されていた。しかし、上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１などよりも薄いセラミックコンデンサ３０３（厚さ０．０８ｍｍ）を形成し、そのセラミックコンデンサ３０３を第１ビルドアップ層３１０内（例えば図１０参照）に収容してもよい。

この場合、樹脂コア基板１１のコア主面１２上に樹脂シート（未硬化状態の樹脂層間絶縁層３０）をラミネートし、樹脂シートが硬化する前に、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、突起状導体５０を形成したセラミックコンデンサ３０３を樹脂シート上に配置する。このとき、加圧しながらセラミックコンデンサ３０３の一部（コンデンサ裏面１０３側のプレーン状電極１２１，１２２及び突起状導体５０）を樹脂シート内に潜り込ませるようにする。これにより、突起状導体５０が樹脂シートに噛み込むため、セラミックコンデンサ３０３が位置決めされる。その後、樹脂シートを硬化させて樹脂層間絶縁層３０とする。さらに、樹脂層間絶縁層３０及び導体層４２を交互に形成すれば、第１ビルドアップ層３１０が完成する。

このようにすれば、セラミックコンデンサが樹脂コア基板１１内に収容される場合に比べて、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサとを電気的に接続する導通経路（コンデンサ接続配線）が短くなる。これにより、配線のインダクタンス成分の増加が防止されるため、セラミックコンデンサ３０３によりＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサとの間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。なお、薄くしたセラミックコンデンサ３０３を用いたとしてもセラミックコンデンサ３０３自体は厚いため、図１０では、ビルドアップ層を、上記実施形態よりも肉厚の樹脂層間絶縁層（樹脂層間絶縁層３０）からなる第１ビルドアップ層３１０に具体化している。なお、上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１を、上記実施形態と同じ第１ビルドアップ層３１内に収容してもよい。

・上記実施形態では、セラミック焼結体１０４のコンデンサ主面１０２上に配置されたプレーン状電極１１１，１１２上、及び、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上に配置されたプレーン状電極１２１，１２２上に、それぞれ突起状導体５０が突設されていた。しかし、プレーン状電極１１１，１１２上及びプレーン状電極１２１，１２２上のいずれか一方のみに突起状導体５０が突設されていてもよい。この場合、ＩＣチップ２１が搭載されるために高い精度が要求される第１ビルドアップ層３１側のプレーン状電極１１１，１１２上のみに、突起状導体５０が突設されることが好ましい。このような構成であれば、突起状導体５０の数が減るため、配線基板１０の製造コスト低減を図ることができる。しかし、より高い信頼性を得るためには、プレーン状電極１１１，１１２上及びプレーン状電極１２１，１２２上の両方に突起状導体５０を突設することが好ましい。

・上記実施形態では、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上に突起状導体５０を突設した後で、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２を構成するめっき層１５２の表面と、突起状導体５０の表面とを同時に粗化していた。しかし、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２を形成した時点で一度粗化した後、突起状導体５０を形成した時点で再度粗化するようにしてもよい。このようにすれば、めっき層１５２と突起状導体５０との接続部分も粗化されるため、両者の密着性が向上する（図１１参照）。

・上記実施形態の各突起状導体５０は、断面円形状であって、底部５１から頂部５２に行くに従って細くなっていた。しかし、底部５１の直径と頂部５２の直径とが等しい略円筒状の突起状導体２５０であってもよい（図１２参照）。さらに、底部５１の断面形状が、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２との接続部分に行くに従って幅広になる突起状導体２５１であってもよい（図１３参照）。

・上記実施形態の突起状導体５０は、銅めっきによって形成された導体（銅ポスト）であったが、銅ペーストを印刷することによって形成された導体であってもよい。

・上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１の構造を変更してもよい。例えば図１４に示される別の実施形態のセラミックコンデンサ１０１Ａのように、コンデンサ主面１０２上に主面側電源用電極２１１と複数の主面側グランド用プレーン状電極１１２とを設けるとともに、コンデンサ裏面１０３上に複数の裏面側電源用プレーン状電極１２１と裏面側グランド用電極（図示略）とを設けてもよい。詳述すると、主面側電源用電極２１１は、コンデンサ主面１０２の略全体を覆うプレーン状電極であり、主面側グランド用プレーン状電極１１２を避けるための孔を複数有している。同様に、裏面側グランド用電極は、コンデンサ裏面１０３の略全体を覆うプレーン状電極であり、裏面側電源用プレーン状電極１２１を避けるための孔を複数有している。

また図１５に示される別の実施形態のセラミックコンデンサ１０１Ｂのように、コンデンサ主面１０２上に主面側電源用電極２１３と複数の主面側グランド用電極２１４とを設けるとともに、コンデンサ裏面１０３上に複数の裏面側電源用電極（図示略）と裏面側グランド用電極（図示略）とを設けてもよい。詳述すると、主面側電源用電極２１３は、コンデンサ主面１０２の略全体を覆うプレーン状電極であり、主面側グランド用電極２１４を避けるための孔を複数有している。同様に、裏面側グランド用電極は、コンデンサ裏面１０３の略全体を覆うプレーン状電極であり、裏面側電源用電極を避けるための孔を複数有している。また、主面側グランド用電極２１４及び裏面側電源用電極は、直径３５０μｍ×厚さ２５μｍの平面視円形状をなす浮島状のパターンである。

さらに、図１６に示される別の実施形態のセラミックコンデンサ１０１Ｃのように、コンデンサ主面１０２上に複数の主面側電源用電極２１２と複数の裏面側電源用プレーン状電極１２１とを設けるとともに、コンデンサ裏面１０３上に複数の裏面側電源用プレーン状電極１２１と複数の裏面側グランド用電極（図示略）とを設けてもよい。詳述すると、主面側電源用電極２１２及び裏面側グランド用電極は、直径３５０μｍ×厚さ２５μｍの平面視円形状をなす浮島状のパターンである。

・配線基板内蔵用部品であるセラミックコンデンサ１０１を多数個取りの手法で製造する場合、多数個取り用の連結基板４０１Ｂにおける複数の製品形成領域Ｒ１を個片化する際の切断予定線に沿って、あらかじめブレーク溝４０２，４０３を形成しておくことがある（図１７参照）。しかしながら、多数個取り用の連結基板４０１Ｂが脆弱なセラミック焼結体製であると、製造過程において連結基板４０１Ｂを流動する際に、ブレーク溝４０２，４０３の箇所で割れたり、ブレーク溝４０２，４０３を起点としてクラック４０５が発生したりすることがある。しかも、連結基板４０１Ｂの基板主面４０８上にめっきレジスト用ドライフィルム材を貼着するラミネート工程を行う場合には、ラミネート時に受ける押圧力により特に割れやクラック４０５が発生しやすくなり、製品歩留まりを低下させてしまう。また、このような割れやクラック４０５の発生を回避するためには、製造時において連結基板４０１Ｂの流動などを慎重に行う必要性が生じ、製造が煩雑なものとなってしまう。そこで、以下に示す別の実施形態の製造方法では、そのための対策を講じている。

この製造方法では、まず、大判のセラミックのグリーンシート４０４を複数枚形成し、このグリーンシート４０４に内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、グリーンシート４０４における複数の製品形成領域Ｒ１には、後に電源用内部電極層１４１となる電源用内部電極部４４１と、グランド用内部電極層１４２となるグランド用内部電極部４４２とが形成される。また、グリーンシート４０４における非製品形成領域、言い換えると隣接する２つの製品形成領域Ｒ１，Ｒ１間にあるブレーク溝形成領域Ｒ２には、後にダミー内部電極層４５２となるダミー内部電極層形成部４５１が形成される（図１８参照）。ダミー内部電極層形成部４５１は複数層にわたり形成されることが好ましい。この場合、ダミー内部電極層形成部４５１の形成は、共通のニッケルペーストを用いて電源用内部電極部４４１やグランド用内部電極部４４２の形成と同時に行われることがよい。次に、電源用内部電極部４４１が形成されたグリーンシート４０４とグランド用内部電極部４４２が形成されたグリーンシート４０４とを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシート４０４を一体化してグリーンシート積層体４０１Ａを形成する。

さらに、レーザー加工機を用いてグリーンシート積層体４０１Ａにビアホールを多数個貫通形成する。次に、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール内に充填し、後にビア導体１３１，１３２となるビア導体形成部４３１を形成する。次に、グリーンシート積層体４０１Ａの上面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体４０１Ａの上面側にて各導体部の上端面を覆うようにプレーン状電極１１１，１１２のメタライズ導体層４１１を形成する。また、グリーンシート積層体４０１Ａの下面上に電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体４０１Ａの下面側にて各導体部の下端面を覆うようにプレーン状電極１２１，１２２のメタライズ導体層４１１を形成する。

その後、グリーンシート積層体４０１Ａの乾燥を行い、各メタライズ導体層４１１をある程度固化させる。この段階で従来周知のブレード装置を用いたブレーク溝形成工程を行い、製品形成領域Ｒ１の外形線に沿って（つまり個片化する際の切断予定線に沿って）、グリーンシート積層体４０１Ａの上面及び下面にブレーク溝４０２，４０３を格子状に形成する（図１９参照）。図１９において具体的には、積層体上面側に断面コ字状のブレーク溝４０２を形成し、積層体下面側にブレーク溝４０２よりも浅く断面Ｖ字状のブレーク溝４０３を形成している。なお、ブレーク溝４０２，４０３の断面形状は特に限定されず適宜変更しても構わない。また、ブレーク溝４０２，４０３は平面方向に沿って連続して形成されていてもよいほか、断続的に（即ちミシン目状に）形成されていてもよい。次に、グリーンシート積層体４０１Ａを脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体製連結基板４０１となる。図２０は、グリーンシート積層体４０１Ａを焼結して得たセラミック焼結体製連結基板４０１を示している。この連結基板４０１は、ブレーク溝４０２，４０３に対応した箇所の内層部に、複数の製品形成領域Ｒ１，Ｒ１間をまたぐダミー内部電極層４５２を備えたものとなる。そのため、他の部分に比べて厚さの薄くなったブレーク溝４０２，４０３の形成部分が補強された状態となる。なお、ダミー内部電極層４５２は、電源用内部電極部４４１、グランド用内部電極層１４２及びビア導体１３１，１３２と連結されておらず、電気的にアイソレートされている。

もっとも、ブレーク溝形成工程は、上記のように焼結工程前に行われてもよいほか、焼結工程後に行われてもよい。ただし、セラミック焼結体製連結基板４０１が未焼成の段階であれば、連結基板４０１がまだ硬化していない未焼結体であるため、比較的容易にブレーク溝４０２，４０３を加工形成することができるというメリットがある。

次に、以上のような連結基板作製工程を経て得られた連結基板４０１が有する各メタライズ導体層４１１に対し、無電解銅めっき（厚さ１５μｍ）を行い、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２を形成する。

次に、連結基板４０１の基板主面４０８上に、めっきレジスト用ドライフィルム材４８１（厚さ２００μｍ）を貼着し、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２を露出させる開口部４８２を複数箇所に有するめっきレジスト４８３を形成する（図２１参照、レジスト形成工程）。次に、電解銅めっきを行って開口部４８２内に銅めっきを析出させ、プレーン状電極１１１，１１２，１２１，１２２上に厚さ１２０μｍの所望形状の突起状導体５０を形成する（図２２参照、突起状導体形成工程）。この後、不要になっためっきレジストを専用の剥離液で剥離する（図２３参照、レジスト剥離工程）。そして、図２３に示す連結基板４０１をブレーク溝４０２，４０３に沿って切断する（ブレーク工程）。以上の結果、連結状態にあった複数のセラミックコンデンサ１０１が個片化されるようになっている。

そして、本実施形態の製造方法によれば、上述したように、他の部分に比べて厚さの薄くなったブレーク溝４０２，４０３の形成部分が、ダミー内部電極層４５２によって補強されている。よって、この状態で連結基板４０１を流動して押圧力の加わるレジスト形成工程などを行ったとしても、連結基板４０１における割れやクラックの発生を抑制することができ、製品歩留まりを向上させることができる。また、この製造方法によれば、連結基板４０１の製造の煩雑さを軽減することができ、ひいてはセラミックコンデンサ１０１の製造効率を向上させることができる。

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）配線基板に内蔵される配線基板内蔵用部品であって、部品主面及び部品裏面を有する部品本体と、前記部品主面及び前記部品裏面の少なくとも一方の上に配置されるとともに第１の金属材料からなる第１の金属層、及び、前記第１の金属材料よりも導電性の高い第２の金属材料からなり前記第１の金属層の表面を覆う第２の金属層を有するプレーン状電極と、前記第２の金属材料と同じ金属材料を主体として形成され、前記プレーン状電極上の複数箇所に突設された突起状導体とを備え、前記突起状導体の厚さは、前記プレーン状電極の厚さよりも大きいことを特徴とする配線基板内蔵用部品。

（２）配線基板に内蔵される配線基板内蔵用部品であって、部品主面及び部品裏面を有する部品本体と、前記部品主面及び前記部品裏面の少なくとも一方の上に配置されるとともに第１の金属材料からなる第１の金属層、及び、前記第１の金属材料よりも導電性の高い第２の金属材料からなり前記第１の金属層の表面を覆う第２の金属層を有するプレーン状電極と、前記第２の金属材料と同じ金属材料を主体として形成され、前記プレーン状電極上の複数箇所に突設された突起状導体とを備え、前記突起状導体の底部の最小幅は、前記プレーン状電極の最小幅よりも小さいことを特徴とする配線基板内蔵用部品。

本発明を具体化した一実施形態の配線基板を示す概略断面図。 セラミックコンデンサを示す概略断面図。 セラミックコンデンサを示す上面図。 セラミックコンデンサの要部を示す概略断面図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 配線基板の製造方法の説明図。 他の実施形態における配線基板を示す概略断面図。 他の実施形態におけるセラミックコンデンサの要部を示す概略断面図。 他の実施形態におけるセラミックコンデンサの要部を示す概略断面図。 他の実施形態におけるセラミックコンデンサの要部を示す概略断面図。 他の実施形態におけるセラミックコンデンサを示す上面図。 他の実施形態におけるセラミックコンデンサを示す上面図。 他の実施形態におけるセラミックコンデンサを示す上面図。 他の実施形態におけるセラミックコンデンサの要部を示す概略断面図。 他の実施形態におけるセラミックコンデンサの要部を示す概略断面図。 他の実施形態におけるセラミックコンデンサの要部を示す概略断面図。 他の実施形態におけるセラミックコンデンサの要部を示す概略断面図。 他の実施形態におけるセラミックコンデンサの要部を示す概略断面図。 他の実施形態におけるセラミックコンデンサの要部を示す概略断面図。 他の実施形態におけるセラミックコンデンサの要部を示す概略断面図。

符号の説明

１０…配線基板
１１…樹脂コア基板
１２…コア主面
１３…コア裏面
３０，３３，３４，３５，３６…樹脂層間絶縁層
３１，３１０…配線積層部としての第１ビルドアップ層
３２…配線積層部としての第２ビルドアップ層
４２…導体層
５０，２５０，２５１…突起状導体
５１…突起状導体の底部
５２…突起状導体の頂部
１０１，１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，３０３…配線基板内蔵用部品としてのセラミックコンデンサ
１０２…部品主面としてのコンデンサ主面
１０３…部品裏面としてのコンデンサ裏面
１０４…部品本体としてのセラミック焼結体
１０５…セラミック誘電体層
１１１…プレーン状電極としての主面側電源用プレーン状電極
１１２…プレーン状電極としての主面側グランド用プレーン状電極
１２１…プレーン状電極としての裏面側電源用プレーン状電極
１２２…プレーン状電極としての裏面側グランド用プレーン状電極
１３１…コンデンサ内ビア導体としての電源用コンデンサ内ビア導体
１３２…コンデンサ内ビア導体としてのグランド用コンデンサ内ビア導体
１４１…内部電極層としての電源用内部電極層
１４２…内部電極層としてのグランド用内部電極層
１５１…第１の金属層としてのメタライズ導体層
１５２…第２の金属層としてのめっき層
２１１，２１３…プレーン状電極としての主面側電源用電極
４０１…多数個取り用のセラミック焼結体製連結基板
４０２，４０３…ブレーク溝
４５２…ダミー内部電極層
４８１…めっきレジスト用ドライフィルム材
４８２…開口部
４８３…めっきレジスト
Ｒ１…製品形成領域

Claims (12)

1. 配線基板に内蔵される配線基板内蔵用部品であって、
   部品主面及び部品裏面を有する部品本体と、
   前記部品主面及び前記部品裏面の少なくとも一方の上に配置されるとともに第１の金属材料からなる第１の金属層、及び、前記第１の金属材料よりも導電性の高い第２の金属材料からなり前記第１の金属層の表面を覆う第２の金属層を有するプレーン状電極と、
   前記第２の金属材料と同じ金属材料を主体として形成され、前記プレーン状電極上の複数箇所に突設された突起状導体と
   を備える
   ことを特徴とする配線基板内蔵用部品。
2. 前記第２の金属層の表面が粗化されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板内蔵用部品。
3. 前記突起状導体の表面が粗化されていることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板内蔵用部品。
4. 前記突起状導体の底部は、前記プレーン状電極との接続部分において最も直径が大きくなっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用部品。
5. 前記突起状導体の底部の断面形状は、前記プレーン状電極との接続部分に行くに従って徐々に幅広になるテーパ状をなしていることを特徴とする請求項４に記載の配線基板内蔵用部品。
6. 前記突起状導体は、底部から頂部に行くに従って細くなっていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用部品。
7. 前記突起状導体は、銅を主体として形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用部品。
8. 前記突起状導体は、銅めっきによって形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用部品。
9. セラミック誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、
   前記複数の内部電極層に接続される複数のコンデンサ内ビア導体を備え、
   前記プレーン状電極が、前記複数のコンデンサ内ビア導体における前記部品主面側及び前記部品裏面側の少なくとも一方の端部に接続され、
   前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのセラミックコンデンサである
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用部品。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用部品が、コア主面及びコア裏面を有する樹脂コア基板内、または、樹脂層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有する配線積層部内に収容されることを特徴とする配線基板。
11. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用部品を多数個取りの手法で製造する方法であって、
    平面方向に沿って配置された複数の製品形成領域を備え、前記複数の製品形成領域を個片化する際の切断予定線に沿ってブレーク溝が形成され、前記ブレーク溝に対応した箇所の内層部に前記複数の製品形成領域間をまたぐダミー内部電極層が形成された多数個取り用のセラミック焼結体製連結基板を作製する連結基板作製工程と、
    前記セラミック焼結体製連結基板の基板主面上にめっきレジスト用ドライフィルム材を貼着し、前記プレーン状電極を露出させる開口部を複数箇所に有するめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、
    めっきを行って前記開口部内に前記突起状導体を形成する突起状導体形成工程と、
    前記めっきレジストを剥離するレジスト剥離工程と、
    前記レジスト剥離工程後、前記セラミック焼結体製連結基板を前記ブレーク溝に沿って切断し、複数の配線基板内蔵用部品を個片化するブレーク工程と
    を含むことを特徴とする配線基板内蔵用部品の製造方法。
12. 前記ブレーク溝及び前記ダミー内部電極層は、前記セラミック焼結体製連結基板が未焼成のときに形成されることを特徴とする請求項１１に記載の配線基板内蔵用部品の製造方法。

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