JP2009021381A - 受光装置および受光装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 165
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 200
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 80
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 80
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 42
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 37
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 37
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 37
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 24
- 238000001227 electron beam curing Methods 0.000 claims description 20
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 14
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 10
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 claims description 10
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 8
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 5
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims description 5
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- -1 halogen ion Chemical class 0.000 description 27
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 23
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 22
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 11
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 11
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 11
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 4
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 3
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxyethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOC(=O)C=C KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 238000010227 cup method (microbiological evaluation) Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N dimethylmethane Natural products CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical group 0.000 description 2
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical group [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRZPQLZONWIQOJ-UHFFFAOYSA-N 10-(2-methylprop-2-enoyloxy)decyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C LRZPQLZONWIQOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHNJVKIVSXGYBD-UHFFFAOYSA-N 10-prop-2-enoyloxydecyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCCCCCOC(=O)C=C RHNJVKIVSXGYBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical class [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical group C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1,1,1-trifluorobutane Chemical compound FC(F)(F)CCCBr DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane trimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CC)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- JUDXBRVLWDGRBC-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-(2-methylprop-2-enoyloxy)-2-(2-methylprop-2-enoyloxymethyl)propyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CO)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C JUDXBRVLWDGRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- CSNNWDJQKGMZPO-UHFFFAOYSA-N benzoic acid;2-hydroxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 CSNNWDJQKGMZPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCNCICQTOSFGRB-UHFFFAOYSA-N benzoic acid;2-hydroxy-1-(2-methylphenyl)-2-phenylethanone Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1.CC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 SCNCICQTOSFGRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate group Chemical group [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethacrylate Substances CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012765 fibrous filler Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 125000003976 glyceryl group Chemical group [H]C([*])([H])C(O[H])([H])C(O[H])([H])[H] 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005439 maleimidyl group Chemical group C1(C=CC(N1*)=O)=O 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- DVUVKWLUHXXIHK-UHFFFAOYSA-N tetraazanium;tetrahydroxide Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-] DVUVKWLUHXXIHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N urea group Chemical group NC(=O)N XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】受光装置1は、受光部111およびこの受光部111が設けられたベース基板112を備える受光素子11が設けられた支持基板12と、支持基板12の受光素子11の設けられた面に対向して配置される透明基板13とを備える。支持基板12と透明基板13との間には、受光素子11を囲むように枠部14が設けられている。この枠部14は、光硬化性の接着剤であり、透明基板13と支持基板12とに直接接着している。
【選択図】図1
Description
このような固体撮像装置100では、図示しないが、固体撮像素子101の透光性蓋部102よりも突出した部分にボンディングワイヤが接続され、図示しない支持基板に形成された接続端子と接続される(例えば、特許文献1参照)。
このような構造では、固体撮像素子101の有効画素領域が接着層103により覆われてしまう可能性があり、所望の性能の固体撮像装置100を得ることが困難である。
ここで、電子線とは、波長150nmから700nmまでの放射線を含む概念であり、例えば、近紫外線、紫外線を含むものである。
受光素子と支持基板とをワイヤで電気的に接続し、このワイヤの外側を枠部で囲むことがある。この場合、接着フィルムのハロゲン系イオン濃度を500ppm以下とすることで、枠部から発生するハロゲンイオン起因の化合物によるワイヤの腐食を防止することができる。
着フィルムの1μm厚みあたりの紫外線透過率は40%以上であることが好ましい。
本発明では、枠部は透明基板と、受光素子が設けられた支持基板との間に設置される。従って、従来のように受光素子と透明基板との間に設置される枠部に比べ、高さ寸法の高い枠部(すなわち、厚みの厚い接着フィルム)が必要となる。
接着フィルムの1μm厚みあたり紫外線透過率を40%以上とすることで、接着フィルムが厚い場合であっても、接着フィルムを確実に光硬化させ、枠部を形成することができる。
接着フィルムを、電子線硬化性の樹脂と充填材とを含む樹脂組成物で構成され、かつ、JIS Z0208 B法により測定された透湿率が30[g/m2・24h]以上である
ものとすることで、接着フィルムからなる枠部の内側の内部空間と、接着フィルムからなる枠部の外側の外部空間との間の通気性を確保することができる。これにより、透明基板や支持基板での結露の発生を防止することができる。
さらに、前記充填材は、多孔質充填材を含むものであり、前記多孔質充填材は、ゼオライトであることが好ましい。
接着フィルムをゼオライトを含むものとすることで、枠部の透湿性を高めることができ内部空間の結露を抑制することが可能となる。
180℃での最低溶融粘度が1Pa・s以上、30000Pa・s以下であることが好ましい。なかでも、最低溶融粘度は、500Pa・s以上であることが好ましい。また、最低溶融粘度は5000Pa・s以下であることが好ましい。
一般に、支持基板表面には、多数の配線が設けられている。そのため、接着フィルムの光硬化後の50℃〜180℃での最低溶融粘度を30000Pa・s以下、特に5000Pa・s以下とすることで、低温加工性に優れ、低温で接着フィルムを支持基板に追従させて、接着フィルムと支持基板との密着性を高めることができる。
なお、接着フィルムの光硬化後の50℃〜180℃での最低溶融粘度を1Pa・s以上、特に500Pa・s以上とすることで、接着フィルムが必要以上に広がってしまうことを防止できる。
がり率が0.1%以上、50%以下であることが好ましい。さらに好ましくは、5〜30
%である。接着フィルムの電子線硬化後のぬれ広がり率を0.1%以上とすることで、接着フィルムを支持基板に追従させて、接着フィルムと支持基板との密着性を高めることができる。
さらには、接着フィルムの電子線硬化後のぬれ広がり率を50%以下とすることで、接着フィルムにより構成される枠部の高さを確保することができる。
接着フィルムを残す工程において、接着フィルムの電子線硬化反応率を10%以上とすることで、接着フィルムを枠状のパターンに確実に残すことができる。
また、接着フィルムを残す工程において接着フィルムの熱硬化反応率を90%以下とすることにより、支持基板および透明基板を接着する際に、熱硬化反応を進めて、接着フィルムにより支持基板および透明基板を確実に接着させることができる。
図1を参照して、本実施形態にかかる受光装置1の概要について説明する。
本実施形態の受光装置1は、受光部111およびこの受光部111が設けられたベース基板112を備える受光素子11が設けられた支持基板12と、支持基板12の受光素子11の設けられた面に対向して配置される透明基板13とを備える。
支持基板12と透明基板13との間には、受光素子11を囲むように枠部14が設けられている。この枠部14は、電子線硬化性の接着剤であり、透明基板13と支持基板12とに直接接着している。
受光装置1は固体撮像装置として使用されるものである。
受光素子11は、マイクロレンズアレイにより構成される受光部111と、この受光部111が設置されたベース基板112とを備える。受光部111の下面、すなわち、ベース基板112には、図示しない光電変換部が形成されており、受光部111で受光した光が電気信号に変換されることとなる。
支持基板12は、表面に配線が形成された基板である。この支持基板12と受光素子11とは、ボンディングワイヤWにより接続されている。
透明基板13は、支持基板12に対向配置されたガラス基板である。
枠部14の外周部の位置と、透明基板13の外周部の位置と、支持基板12の外周部の位置とは略一致している。
枠部14は、詳しくは後述するが図2(A)に示す接着フィルム15を所定のパターンに加工したものである。
ここで、枠部14の−40℃〜50℃の平均線膨張係数は150ppm/℃以下、なかでも85ppm/℃以下であることが好ましい。上記温度での平均線膨張係数を150ppm/℃以下、特に85ppm/℃以下にすることで、使用環境下での熱による枠部14の高さが変動してしまうことを抑制できる。
なお、枠部14の平均線膨張係数の計測方法は以下の通りである。
硬化させた樹脂フィルム(枠部14を構成する接着フィルム15)を4mm×20mm
に切出し、熱分析測定装置TMA(TMA/SS6000、セイコー電子工業(株)製)を用いて、室温から5℃/分でサンプルを昇温しながらサンプルの変位量を計測し、−40℃〜50℃の平均線膨張係数を算出する。
接着フィルム15の透湿率は、40[g/m2・24h]以上が好ましく、特に50〜
200[g/m2・24h]が好ましい。下限値未満であると、受光装置1の透明基板1
3等の結露を充分に防止できない場合がある。上限値を超えると、接着フィルム15の成膜性が低下することがある。透湿率は厚さ100μmの接着フィルム15を用いて、透湿カップ法(JIS Z0208 B法)に準じて、40℃/90%で評価することができる。
なかでもアクリル系化合物を主成分とする紫外線硬化性樹脂が好ましい。アクリル系化合物は光を照射した際の硬化速度が速く、これにより、比較的少量の露光量で樹脂をパターニングすることができる。
これにより、光重合により接着フィルム15を効率良くパターニングすることができる。
前記光重合開始剤としては、例えばベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。
前記光重合開始剤の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の0.5〜5重量%が好ましく、特に0.8〜2.5重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であ
ると光重合開始する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると反応性が高くなりすぎ保存性や解像性が低下する場合がある。
前記熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールAエポキシ樹脂、ビスフェノールFエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。これらの中でもエポキシ樹脂が特に好ましい。これにより、耐熱性および密着性をより向上することができる。
と熱反応基の合計)の20〜80%が好ましく、特に30〜70%が好ましい。変性量が前記範囲内であると、特に解像性に優れる。
前記充填材としては、例えばアルミナ繊維、ガラス繊維等の繊維状充填材、チタン酸カリウム、ウォラストナイト、アルミニウムボレート、針状水酸化マグネシウム、ウィスカー等の針状充填材、タルク、マイカ、セリサイト、ガラスフレーク、鱗片状黒鉛、板状炭酸カルシウム等の板状充填材、炭酸カルシウム、シリカ、溶融シリカ、焼成クレー、未焼成クレー等の球状(粒状)充填材、ゼオライト、シリカゲル等の多孔質充填材等が挙げられる。これらを1種又は2種以上混合して用いることもできる。これらの中でも、多孔質充填材が好ましい。これにより、前記接着フィルムの透湿率を高くすることができる。
前記充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、0.01〜90μmが好ましく、特に0.1〜40μmが好ましい。平均粒子径が前記上限値を超えるとフィルムの外観異常や解像性不良となる場合があり、前記下限値未満であると加熱貼り付け時の接着不良となる場合がある。
津製作所製)を用いて評価することができる。
前記充填材の含有量は、特に限定されないが、接着フィルム15を構成する前記樹脂組成物全体の5〜70重量%が好ましく、特に20〜50重量%が好ましい。含有量が前記上限値を超えると加熱貼り付け時に接着不良となる場合があり、前記下限値未満であると透湿率が低く透明基板13等の結露を改善出来ない場合がある。
M2/nO・Al2O3・xSiO2・yH2O
M:金属カチオン n:原子価
前記室温での吸着力[Q1]は、例えば、加熱により完全に乾燥させた充填材をアルミカップに計量し、25℃/50%環境下で168時間放置したあとの重量増加により求めることができる。
0.4×[Q1]<[Q2]
その理由としては、充填材が高温でも吸着力を維持することから、それを充填したフィルムは比較的高温でも透湿率を維持し、接着フィルム15中を気体の水分が通り易いために、高温から室温に温度を下げても、瞬時に受光装置1内部の水分が少なくなり、結露という現象が起こらないものと考えられる
接着フィルム15を構成する前記樹脂組成物は、上述した硬化性樹脂、充填材に加え、本発明の目的を損なわない範囲で可塑性樹脂、レベリング剤、消泡剤、カップリング剤などの添加剤を含有することができる。
枠部14中のハロゲン系イオン不純物の含有量を500ppm以下に低減させるためには、例えば、接着フィルム15の材料として塩化物イオンの含有量の少ない熱可塑性樹脂(例えば、エポキシ樹脂)を使用したり、ハロゲン系イオンを含む樹脂等の配合比率を低減させたりすればよい。
ここで、接着フィルム15のハロゲン系イオン濃度は、次のようにして計測することができる。
接着フィルム15を凍結粉砕し、粒径250μm以下の微粉末とする。
次に、テフロン(登録商標)製抽出容器に試料粉末4gを精秤し、超純水40.0mlを加える。
さらに、オーブンに投入し、125℃/20時間、加熱加圧抽出をおこなう。
その後、室温まで冷却後、フィルターでろ過し、検液とする。
次いで、イオンクロマト装置に検液および標準液を導入し、検量線法によりハロゲン系イオン濃度を求める。
なかでも、最低溶融粘度は、500Pa・s以上、さらには900Pa・s以上であることが好ましい。また、最低溶融粘度は5000Pa・s以下、さらには、2500Pa・s以下であることが好ましい。
接着フィルム15の光硬化後の最低溶融粘度は次のようにして計測することができる。
接着フィルム15に対し、積算光量700mJ/cm2となるように電子線(光)を照
射し、硬化させる。
次に、室温から10℃/分の昇温速度で昇温したときの50℃以上180℃以下の範囲における最低溶融粘度を測定する。例えば、粘弾性測定装置であるレオメーターを用いて、光硬化後の接着フィルム15に10℃/分の昇温速度で、周波数1Hzのずり剪断を与えて測定することができる。
接着フィルム15の電子線硬化後のぬれ広がり率は、以下のようにして計測することができる。
接着フィルム15をシリコンウエハー上に60℃でラミネートする。次に、積算光量700mJ/cm2で露光し、25℃の3%TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド)水溶液を用い、0.3MPa、90秒間現像することにより直径1600μmの円形パターンを形成する。次に、この円形パターンの直径を計測する。
さらに、ウエハー上に円形にパターニングされた接着フィルム15をガラスに対して、120℃、4.9MPa、5秒で加熱圧着する。その後、加熱圧着後の接着フィルム15の円形パターンの直径を計測する。
ぬれ広がり率(%)=(圧着後の直径−圧着前の直径)×100/圧着前の直径
熱硬化収縮率は、以下のようにして計測することができる。
接着フィルム15をシリコンウエハー上に60℃でラミネートする。次に、積算光量700mJ/cm2で露光し、25℃の3%TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド)水溶液を用い、0.3MPa、90秒間現像することにより線幅200μmの直線
状樹脂パターンを形成する。次に、表面粗さ形状測定機((株)東京精密製、サーフコム1400D)を用いて、直線状樹脂パターンの高さ(厚み)を計測する。
さらに、150℃/1時間で硬化させたあと、同様に直線状樹脂パターンの高さ(厚み)
を計測する。
熱硬化収縮率(%)=[(熱処理前のパターン高さ)−(熱処理後のパターン高さ)]×100/(熱処理前のパターン高さ)
また、接着フィルム15の厚み方向の1μm厚みあたりの紫外線透過率は70%以下であることが好ましい。
接着フィルム15の紫外線透過率の計測方法は以下の通りである。
厚さ3.5μmの接着フィルム15を用意し、365nmの光を照射し、紫外可視分光光度計((株)島津製作所製、UV−160A)を用いて紫外線透過率を計測する。
測定値からランベルトベールの法則(下記式)に準じて、単位厚み(1μm)あたりの紫外線透過率を求める。
Log10(I/I0)=εcl
I:透過光強度、I0:入射光強度、c:濃度、ε:光路長、l:吸光係数
受光素子11を支持基板12上に搭載する。その後、受光素子11と、支持基板12と
をボンディングワイヤWにより接続しておく。
次に、図2(A)に示すように、複数の透明基板13が一体化された状態の大盤のガラス基板(透光性板材)16を用意する。
そして、このガラス基板16表面に接着フィルム15を貼り付ける。
その後、図2(B)に示すように、ガラス基板16の受光素子11を覆う領域を囲む領域に枠状に接着フィルム15を残す。具体的には、フォトマスクを用いて、接着フィルム15に光を選択的に照射する。これにより、接着フィルム15のうち照射された部分が光硬化する。さらに、露光後の接着フィルム15を現像液(例えば、アルカリ水溶液、有機溶剤等)で現像する。光照射されなかった部分が現像液に溶解して除去されるとともに、光照射された部分が現像液に溶解せずに、残ることとなる。具体的には、図3の平面図に示すように、格子状に接着フィルム15が残ることとなる。
接着フィルム15の電子線硬化反応率は、光DSC(DSC6200と紫外線照射装置UV−1、ともにセイコーインスツルメント(株)製)を用いて求めることができる。
未露光の接着フィルム(接着フィルムAとする)と、パターン露光に必要な露光量(700mJ/cm2)を予め露光した接着フィルム(接着フィルムBとする)を用意し、それ
ぞれ、光DSC測定(照度50mW/cm2、時間3分)を行う。各接着フィルムの発熱
量より、下記式にて、電子線硬化反応率を求める。
電子線硬化反応率(%)=[(フィルムAの発熱量)―(フィルムBの発熱量)]×100/(フィルムAの発熱量)
未露光の接着フィルムAと、パターン露光に必要な露光量(700mJ/cm2)を予
め露光した接着フィルムBを用意し、それぞれ、FT−IR測定(積算回数16回)を行う。得られたIRスペクトルの芳香環由来のピーク(1512cm-1付近)強度と、熱
硬化性官能基由来のピーク(例えば、エポキシ基由来のピーク(915cm-1付近))
強度より、下記式にて、熱反応硬化率を求める。
熱反応硬化率(%)={[(フィルムAの熱硬化性官能基由来のピーク強度)/(フィル
ムAの芳香環ピーク強度)]―[(フィルムBの熱硬化性官能基由来のピーク強度)/(フィルムBの芳香環ピーク強度)]}×100/[(フィルムAの熱硬化性官能基由来のピーク強度)/(フィルムAの芳香環ピーク強度)]
なお、例えば、接着フィルム15がビスマレイミド樹脂を含有する場合、熱硬化性官能基由来のピークとして、マレイミド基のピークを使用してもよい。また、接着フィルム15がシアネートエステル樹脂を含有する場合、シアネートエステル基のピークを使用してもよい。
その後、枠部14が設けられた透明基板13と、支持基板12とを対向配置させ、透明基板13および支持基板12を枠部14により接着する。具体的には、枠部14をはさんで、透明基板13および支持基板12を加圧、あるいは加熱圧着する。
なお、本実施形態では、支持基板12と、透明基板13とを接着する前に、接着フィルム15をダイシングしたが、これに限らず、例えば、支持基板12をガラス基板16に貼
付けた後、接着フィルム15と、ガラス基板16とをダイシングしてもよい。
本実施形態では、枠部14は透明基板13と支持基板12との間に設けられ、これらの基板12,13に直接接着している。枠部14は受光素子11上に設けられていないため、受光素子11の受光部111に枠部14が接触することがない。そのため、所望の性能の受光装置1とすることができる。
枠部14を構成する接着フィルム15のハロゲン系イオン濃度を500ppm以下としているため、枠部14から発生するハロゲンガスによりワイヤが腐食してしまうことを防止できる。
これにより、枠部14、透明基板13、支持基板12により囲まれた空間内で結露が発生することを防止できる。
また、接着フィルム15の光硬化後の50℃〜180℃での最低溶融粘度を1Pa・s以上、特に500Pa・s以上とすることで、接着フィルム15が必要以上に広がってしまうことを防止できる。
さらに、接着フィルム15を残す工程において接着フィルムの熱硬化反応率を90%以下とすることにより、支持基板12および透明基板13を接着する際に、熱硬化反応を進めて、接着フィルムにより支持基板12および透明基板13を確実に接着させることができる。
範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記実施形態では、接着フィルム15のJIS Z0208 B法により測定された透湿率が30[g/m2・24h]以上であることが好ましいとしたが、これに限ら
れるものではない。例えば、接着フィルムを透湿性の低いものとして、湿気が枠部を透過しにくいものとしてもよい。このようにすることで、湿気が枠部内に入ってしまうこと自体を防止できる。
さらには、前記実施形態では、ガラス基板16をダイシングする際に、接着フィルム15をもダイシングするとしたが、これに限らず、例えば、図4に示すように、接着フィルム15をダイシングしない構成としてもよい(図4のAはダイシングラインを示す)。この場合には、接着フィルム15を光照射して、接着フィルム15を複数の枠状に残すようにすればよい。
(実施例1)
1.光および熱の両方で硬化可能な硬化性樹脂(アクリル変性フェノール樹脂の合成)
フェノールノボラック(大日本インキ化学工業(株)製、フェノライトTD-2090-60M)の不揮発分70%MEK溶液600g(OH約4当量)を、2Lのフラスコ中に投入し、これにトリブチルアミン1g、およびハイドロキノン0.2gを添加し、110℃に加温した。その中へ、グリシジルメタクリレート284g(2モル)を30分間で滴下した後、110℃で5時間攪拌反応させることにより、不揮発分80%メタクリロイル基含有フェノールノボラック(メタクリロイル基変性率50%)を得た。
光硬化性樹脂として室温で液状のアクリル樹脂化合物(2,2ビス{4−(アクリロキシジエトキシ)フェニル}プロパン、新中村化学(株)製、NKエステルA−BPE−4)6.1重量%、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製、エピクロンN−770)12.1重量%、シリコーンエポキシ樹脂(東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製、BY16-115)6.4重量%、光および熱の両方で硬化可能な硬
化性樹脂として上記で合成した(メタ)アクリル変性フェノール樹脂27.0重量%、光重合開始剤(チバ・スペシャリティ・ケミカルズ(株)製、イルガキュア651)1.9重量%、充填材として多孔質充填材(ユニオン昭和(株)製、モレキュラーシーブ3A)31.8重量%、溶剤としてメチルエチルケトン14.7重量%を秤量し、ディスパーザーを用い、回転数5,000rpmで1時間攪拌し、樹脂ワニスを調製した。
上述の樹脂ワニスをコンマコーターで支持基材ポリエステルフィルム(三菱ポリエステルフィルム(株)製、T100G、厚さ25μm)に塗布し、80℃、10分乾燥して膜厚50μmの接着フィルムを得た。
光および熱の両方で硬化可能な樹脂として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。光および熱の両方で硬化可能な樹脂として、側鎖にカルボキシル基とアクリル基を有するアクリル共重合樹脂(ダイセル・サイテック(株)製、サイクロマーP、ACA200M)を用いた。
樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
光硬化性樹脂として室温で液状のアクリル樹脂モノマー(2,2ビス{4−(アクリロキシジエトキシ)フェニル}プロパン、新中村化学(株)製、NKエステルA−BPE−
4)7.8重量%、熱硬化性樹脂としてビスAノボラック型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製、エピクロンN−770)12.9重量%、シリコーンエポキシ樹脂(東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製、BY16-115)3.5重量%、実施例
1で合成したメタクリル変性フェノールノボラック樹脂26.2重量%、光重合開始剤(チバ・スペシャリティ・ケミカルズ(株)製、イルガキュア651)0.9重量%、無機充填剤としてのシリカフィラー((株)アドマテックス、SE2050)23.4重量%とし、溶剤としてメチルエチルケトン25.3重量%とした。
各項目の評価方法は、前記実施形態で述べたとおりである。
なお、接着フィルムを光硬化させるための光の波長は、365nmとした。また、照射装置としては、(株)オーク製作所のHMW−201GXを使用した。積算光量 700m
J/cm2である。
また、透湿率は以下のようにして測定した。
60℃に設定されたラミネータを用いて、接着フィルムを貼り合せ、膜厚100μmのフィルムを作製し、露光機を用いて、露光量750mJ/cm2(波長365nm)照射
したあとに、120℃/1時間、180℃/1時間熱硬化する。得られた硬化後のフィルムを透湿カップ法(JIS Z0208 B法)に準じて、40℃/90%の環境下で評価し、透湿率を求めた。
なお、露光は波長365nmの光で露光量750mJ/cm2で行い、現像は、3%T
MAH(テトラアンモニウムハイドロオキサイド)を用いて、スプレー圧0.1MPa、時間90秒の条件で行った。また、接着フィルムのパターニング形状は格子状であり、各受光素子を覆う領域を幅100μmでフレーム状に囲う配置となっている。
枠状に接着フィルムを残す工程においては、接着フィルムの光硬化反応率、熱硬化反応率を以下のようにした。接着フィルムの光硬化反応率、熱硬化反応率の計測方法は前記実施形態で述べたとおりである。なお、熱硬化性官能基由来のピーク強度として、エポキシ基由来のピーク強度を使用した。
得られた受光装置は所望の特性を有し、さらに、動作に支障がないことが確認された。
また、受光装置の枠部の線膨張係数を前記実施形態で示した方法で計測したところ、以下のようであり、使用環境化での熱による枠部の高さが変動してしまうことを抑制できたことが確認された。
1 受光装置
11 受光素子
12 支持基板
13 透明基板
14 枠部
15 接着フィルム
16 ガラス基板
100 固体撮像装置
101 固体撮像素子
101A 有効画素領域
102 透光性蓋部
103 枠部
111 受光部
112 ベース基板
前記枠部は、電子線硬化性の接着フィルムに対し選択的に電子線を照射し、未照射部分を除去することにより、得られるものであり、
前記接着フィルムは、電子線硬化性樹脂と熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成され、前記接着フィルムの、ハロゲンイオン濃度が500ppm以下であり、かつ、前記接着フィルム1μm厚みあたりの紫外線透過率が40%以上であることを特徴とする受光装置が提供される。
受光素子と支持基板とをワイヤで電気的に接続し、このワイヤの外側を枠部で囲むことがある。この場合、接着フィルムのハロゲン系イオン濃度を500ppm以下とすることで、枠部から発生するハロゲンイオン起因の化合物によるワイヤの腐食を防止することができる
。
接着フィルムの1μmあたりの紫外線透過率を40%以上とすることで、接着フィルムが厚い場合であっても、接着フィルムを確実に光硬化させ、枠部を形成することができる。
前記接着フィルムの、ハロゲンイオン濃度が500ppm以下であり、かつ、前記接着フィルム1μm厚みあたりの紫外線透過率が40%以上であることを特徴とする受光装置が提供される。
接着フィルムを、紫外線硬化性の樹脂と充填材とを含む樹脂組成物で構成され、かつ、JIS Z0208 B法により測定された透湿率が30[g/m2・24h]以上である
ものとすることで、接着フィルムからなる枠部の内側の内部空間と、接着フィルムからなる枠部の外側の外部空間との間の通気性を確保することができる。これにより、透明基板や支持基板での結露の発生を防止することができる。
さらに、前記充填材は、多孔質充填材を含むものであり、前記多孔質充填材は、ゼオライトであることが好ましい。
接着フィルムをゼオライトを含むものとすることで、枠部の透湿性を高めることができ内部空間の結露を抑制することが可能となる。
180℃での最低溶融粘度が1Pa・s以上、30000Pa・s以下であることが好ましい。なかでも、最低溶融粘度は、500Pa・s以上であることが好ましい。また、最低溶融粘度は5000Pa・s以下であることが好ましい。
一般に、支持基板表面には、多数の配線が設けられている。そのため、接着フィルムの紫外線硬化後の50℃〜180℃での最低溶融粘度を30000Pa・s以下、特に5000Pa・s以下とすることで、低温加工性に優れ、低温で接着フィルムを支持基板に追従させて、接着フィルムと支持基板との密着性を高めることができる。
なお、接着フィルムの紫外線硬化後の50℃〜180℃での最低溶融粘度を1Pa・s以上
、特に500Pa・s以上とすることで、接着フィルムが必要以上に広がってしまうことを防止できる。
がり率が0.1%以上、50%以下であることが好ましい。さらに好ましくは、5〜30%である。接着フィルムの紫外線硬化後のぬれ広がり率を0.1%以上とすることで、接着フィルムを支持基板に追従させて、接着フィルムと支持基板との密着性を高めることができる。
さらには、接着フィルムの紫外線硬化後のぬれ広がり率を50%以下とすることで、接着フィルムにより構成される枠部の高さを確保することができる。
接着フィルムを残す工程において、接着フィルムの紫外線硬化反応率を10%以上とすることで、接着フィルムを枠状のパターンに確実に残すことができる。
また、接着フィルムを残す工程において接着フィルムの熱硬化反応率を90%以下とすることにより、支持基板および透明基板を接着する際に、熱硬化反応を進めて、接着フィルムにより支持基板および透明基板を確実に接着させることができる。
Claims (11)
- 受光部およびこの受光部が設けられたベース基板を備える受光素子が設置された支持基板と、前記支持基板の前記受光素子の設けられた面に対向して配置される透明基板とを備え、
前記支持基板と前記透明基板との間に前記受光素子を囲むように枠部が設けられた受光装置であって、
前記枠部は、電子線硬化性の接着剤であり、前記透明基板と前記支持基板とに接着する受光装置。 - 請求項1に記載の受光装置において、
前記枠部は、電子線硬化性の接着フィルムに対し選択的に電子線を照射し、未照射部分を除去することにより、得られるものであり、
前記接着フィルムのハロゲン系イオン濃度が500ppm以下である受光装置。 - 請求項1または2に記載の受光装置において、
前記枠部は、電子線硬化性の樹脂である紫外線硬化性樹脂を含有する接着フィルムに対し選択的に光を照射し、未照射部分を除去することにより、得られるものであり、
前記接着フィルムの1μm厚みあたりの紫外線透過率は40%以上である受光装置。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の受光装置において、
前記枠部は、電子線硬化性の接着フィルムに対し選択的に電子線を照射し、未照射部分を除去することにより、得られるものであり、
前記接着フィルムは、電子線硬化性の樹脂と充填材とを含む樹脂組成物で構成され、かつ、JIS Z0208 B法により測定された透湿率が30[g/m2・24h]以上で
ある受光装置。 - 請求項4に記載の受光装置において、
前記充填材は、多孔質充填材を含むものであり、
前記多孔質充填材は、ゼオライトである受光装置。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の受光装置において、
前記枠部は電子線および熱の両方で硬化可能な硬化性樹脂を含む受光装置。 - 請求項6に記載の受光装置において、
電子線および熱の両方で硬化可能な硬化性樹脂は、(メタ)アクリル変性フェノール樹脂または(メタ)アクリロイル基含有(メタ)アクリル酸重合体を含むものである受光装置。 - 受光部およびこの受光部が設けられたベース基板を備える受光素子を支持基板上に搭載する工程と、
前記支持基板に対向配置される透明基板上に電子線硬化性の樹脂を含む接着フィルムを貼り付ける工程と、
前記接着フィルムに対し選択的に電子線を照射し、未照射部分を除去することにより、前記透明基板を前記支持基板と対向配置させた際に、前記透明基板の前記受光素子を覆う領域を囲む領域に枠状に前記接着フィルムを残す工程と、
前記支持基板および前記透明基板を対向配置させて、前記接着フィルムにより構成された枠部により前記支持基板および前記透明基板を接着する工程とを含む受光装置の製造方法。 - 請求項8に記載の受光装置の製造方法において、
積算光量700mJ/cm2での前記接着フィルムの電子線硬化後の50℃〜180℃
での最低溶融粘度が1Pa・s以上、30000Pa・s以下である受光装置の製造方法。 - 請求項8または9に記載の受光装置の製造方法において、
積算光量700mJ/cm2での前記接着フィルムの電子線硬化後のぬれ広がり率が0
.1%以上、50%以下である受光装置の製造方法。 - 請求項8乃至10のいずれかに記載の受光装置の製造方法において、
前記接着フィルムは、熱硬化性樹脂を含み、
枠状に前記接着フィルムを残す工程において、前記接着フィルムの電子線硬化反応率を10%以上、熱硬化反応率を90%以下とする受光装置の製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007182703A JP4091969B1 (ja) | 2007-07-12 | 2007-07-12 | 受光装置および受光装置の製造方法 |
PCT/JP2008/000260 WO2009008106A1 (ja) | 2007-07-12 | 2008-02-19 | 受光装置および受光装置の製造方法 |
EP08710414A EP2169723A4 (en) | 2007-07-12 | 2008-02-19 | Light receiving arrangement and method for producing a light receiving arrangement |
KR1020107001432A KR101109853B1 (ko) | 2007-07-12 | 2008-02-19 | 수광 장치 및 수광 장치의 제조 방법 |
MYPI2010000093A MY143916A (en) | 2007-07-12 | 2008-02-19 | Light receiving device and method of manufacturing light receiving device |
CN2008800244761A CN101743638B (zh) | 2007-07-12 | 2008-02-19 | 光接收装置及光接收装置的制造方法 |
US12/668,341 US8034651B2 (en) | 2007-07-12 | 2008-02-19 | Light receiving device and method of manufacturing light receiving device |
TW097106234A TW200903788A (en) | 2007-07-12 | 2008-02-22 | Light receiving device and method for manufacturing light receiving device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007182703A JP4091969B1 (ja) | 2007-07-12 | 2007-07-12 | 受光装置および受光装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008026636A Division JP2009021542A (ja) | 2008-02-06 | 2008-02-06 | 受光装置および受光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4091969B1 JP4091969B1 (ja) | 2008-05-28 |
JP2009021381A true JP2009021381A (ja) | 2009-01-29 |
Family
ID=39509568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007182703A Expired - Fee Related JP4091969B1 (ja) | 2007-07-12 | 2007-07-12 | 受光装置および受光装置の製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8034651B2 (ja) |
EP (1) | EP2169723A4 (ja) |
JP (1) | JP4091969B1 (ja) |
KR (1) | KR101109853B1 (ja) |
CN (1) | CN101743638B (ja) |
MY (1) | MY143916A (ja) |
TW (1) | TW200903788A (ja) |
WO (1) | WO2009008106A1 (ja) |
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- 2008-02-19 KR KR1020107001432A patent/KR101109853B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-02-19 CN CN2008800244761A patent/CN101743638B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-19 WO PCT/JP2008/000260 patent/WO2009008106A1/ja active Application Filing
- 2008-02-19 EP EP08710414A patent/EP2169723A4/en not_active Withdrawn
- 2008-02-19 MY MYPI2010000093A patent/MY143916A/en unknown
- 2008-02-19 US US12/668,341 patent/US8034651B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20100258713A1 (en) | 2010-10-14 |
EP2169723A1 (en) | 2010-03-31 |
MY143916A (en) | 2011-07-29 |
WO2009008106A1 (ja) | 2009-01-15 |
JP4091969B1 (ja) | 2008-05-28 |
CN101743638A (zh) | 2010-06-16 |
US8034651B2 (en) | 2011-10-11 |
CN101743638B (zh) | 2012-11-14 |
KR20100031753A (ko) | 2010-03-24 |
KR101109853B1 (ko) | 2012-02-17 |
TW200903788A (en) | 2009-01-16 |
EP2169723A4 (en) | 2013-03-13 |
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---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080229 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140307 Year of fee payment: 6 |
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