JP2009015016A - 液晶表示装置、及び、液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】遮断状態における局所的な光漏れによるコントラストの低下を軽減した、垂直配向モードの液晶表示装置を実現する。
【解決手段】液晶表示装置１００の第１基板１１０は、液晶層に添加された重合性化合物を局所的に重合させることにより形成された高分子構造体１１４を備えている。高分子構造体１１４は、第１基板１１０に垂直な方向から平面視すると、線対称な形状であって、対称軸Ｌ方向の幅Ｈが対称軸Ｌに垂直な方向の幅Ｗより大きい形状を有しており、基板間に電圧を印加したときに液晶分子１３１が傾斜する方向を対称軸Ｌと平行な方向に規制する。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、垂直配向モードの液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）に比べて薄くて軽量であり、また、駆動電圧が低く消費電力が小さいという利点がある。このため、液晶表示装置は、テレビ、ノート型ＰＣ（Personal Computer）、デスクトップ型ＰＣ、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）、携帯電話など、種々の機器に用いられている。特に、高コントラストかつ広視野角な液晶表示装置として、垂直配向モードの液晶表示装置が知られている。

垂直配向モードの液晶表示装置は、配向膜が形成された一対の基板と、それらの基板間に挟持された液晶層とからなり、液晶層を構成する液晶分子が電圧無印加状態で上記基板に対して略垂直な方向に配向するように構成されている。基板間に電圧を印加すると、液晶層を構成する液晶分子が傾斜（チルト）し、一方の基板に設けられた偏光膜（ポラライザ）を透過した光が、他方の基板に設けられた偏光膜（アナライザ）を透過する透過状態となる。

垂直配向モードの液晶表示装置においては、従来、高コントラスト化、および、広視野角化を図るために、電極にカットアウトパターンを形成したり、あるいは、電極上にレジストパターンを形成したりすることによって、電圧印加時に液晶分子が傾斜する方向を規制していた（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、このような液晶表示装置を製造するためには、カットアウトパターンやレジストパターンを電極に形成する必要があり、製造コストの上昇が避けられないという問題があった。また、このような液晶表示装置では、基板界面の液晶配向規制力が弱いため、応答速度が遅いという問題があった。

このような問題を解決するものとして、特許文献２には、液晶層内に形成されたリブ（土手）によって、液晶分子の傾斜方向を規制する技術が開示されている。特許文献２に記載の液晶表示装置においては、格子状、十字状、または、ストライプ状のリブを、液晶層に添加した重合性化合物を重合して形成することによって、リブ近傍の液晶分子をリブの延伸方向と垂直な方向に傾斜させている。たとえば、リブを格子状に形成した場合、そのリブにより区分された各矩形領域にある液晶分子は、基板間に電圧が印加されると、その矩形領域の中心に向かって傾斜するようになる。
特開２００２−１０７７３０号公報（２００２年４月１０日公開） 国際公開番号ＷＯ２００４／０８３９４７（２００４年９月３０日公開）

しかしながら、特許文献２に記載の液晶表示装置においては、遮断状態においてもリブ近傍で局所的な光漏れが生じ、コントラストが低下するという問題があった。これは、電圧を印加していない状態であっても、リブ近傍の液晶分子が、大きく傾斜して基板に略水平に傾いているためである。

本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、遮断状態における局所的な光漏れによるコントラストの低下を軽減した、垂直配向モードの液晶表示装置を実現することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る液晶表示装置は、一対の基板と該一対の基板間に挟持された液晶層とを備え、上記一対の基板に対して略垂直な方向に配向した液晶分子を上記一対の基板間に生じた電界より傾斜させる液晶表示装置において、上記一対の基板のうち少なくとも何れか一方の基板の上記液晶層に対向する液晶層対向面に、高分子構造体が形成されており、上記高分子構造体を上記一対の基板に垂直な方向から平面視した形状は、線対称な形状であって、対称軸方向の幅が対称軸に垂直な方向の幅より大きい形状である、ことを特徴としている。

上記のように構成された高分子構造体により、上記液晶層を構成する液晶分子が上記一対の基板間に生じた電界により傾斜する方向を、上記高分子構造体の対称軸と平行な方向に規制することができる。しかも、格子状、十字状、または、ストライプ状のリブを基板上に形成した場合のように、上記一対の基板間に電界が生じていない状態で高分子構造体近傍の液晶分子が大きく傾斜することがないので、遮断状態における局所的な光漏れを生じることがない。すなわち、上記の構成によれば、遮断状態における局所的な光漏れによるコントラストの低下を軽減するという効果を奏する。

なお、上記高分子構造体は、上記液晶層に添加された重合性化合物を重合して得られた高分子構造体であってよく、特に、上記一対の基板間に電圧が印加されていない状態で、上記液晶層に添加された重合性化合物を重合して得られた高分子構造体であってよい。

本発明に係る液晶表示装置においては、上記液晶層対向面に、上記液晶層に添加された重合性化合物が上記一対の基板間に電圧が印加された状態で重合してなる高分子膜が形成されている、ことが好ましい。

上記の構成によれば、上記液晶層を構成する液晶分子を、上記高分子構造体の対称軸方向に傾斜した状態で、上記高分子膜によりアンカリングすることができる。換言すれば、上記液晶層を構成する液晶分子に、上記高分子構造体の対称軸方向に傾斜した状態を記憶させることができる。このため、上記液晶層を構成する液晶分子は、上記高分子膜が形成されていない場合と比べ、上記一対の基板間に生じた電界によって、より速やかに上記高分子構造の対称軸方向に傾斜するようになる。すなわち、上記の構成によれば、当該液晶表示装置の応答速度を向上させるという、更なる効果を奏する。

本発明に係る液晶表示装置においては、上記高分子構造体が画素毎に少なくとも１つずつ形成されている、ことが好ましい。

上記の構成によれば、上記一対の基板間に生じた電界により、各画素に含まれる液晶分子をより確実に上記高分子構造体の対称軸方向に傾斜させることができるという更なる効果を奏する。

本発明に係る液晶表示装置においては、上記液晶層対向面において１つの画素に対応する画素領域が複数の小領域に分割されており、該複数の小領域の各々に対称軸の方向が互いに異なる上記高分子構造体が少なくとも１つずつ形成されている、ことが好ましい。

上記の構成によれば、上記一対の基板間に生じた電界により、各小領域にある液晶分子を、その小領域に形成された高分子構造体の対称軸方向に傾斜させることができる。しかも、上記のとおり、各小領域に形成された高分子構造体の対称軸の方向は互いに異なる。したがって、上記一対の基板間に生じた電界により、各小領域にある液晶分子を互いに異なる方向に傾斜させることができる。すなわち、マルチドメイン化による広視野角化を実現することができるという更なる効果を奏する。

一対の基板と該一対の基板間に挟持された液晶層とを備え、上記一対の基板に対して略垂直な方向に配向した液晶分子を上記基板間に生じた電界より傾斜させる液晶表示装置の製造方法であって、
上記液晶層の特定領域に活性エネルギー線を選択的に照射することによって、上記液晶層に添加された重合性化合物を局所的に重合させる選択照射工程を含み、
上記特定領域を上記一対の基板に垂直な方向から平面視した形状は、線対称な形状であって、対称軸方向の幅が対称軸に垂直な方向の幅より大きい形状である、
ことを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。

上記の構成によれば、上記一対の基板のうち少なくとも何れか一方の基板の上記液晶層に対向する液晶層対向面に、上記液晶層に添加された重合性化合物が重合してなる高分子構造体を形成することができる。形成された高分子構造体を上記一対の基板に垂直な方向から平面視した形状は、上記特定領域の形状に略一致するので、線対称な形状であって、対称軸方向の幅が対称軸に垂直な方向の幅より大きい形状となる。したがって、遮断状態における局所的な光漏れによるコントラストの低下が軽減された液晶表示装置を製造することができる。しかも、上記基板に含まれる電極にカットアウトパターンやレジストパターンを形成する必要がないので、製造コストを低下させることができる。

なお、上記液晶装置の製造方法は、上記選択照射工程の後、上記一対の基板間に電圧を印加した状態で上液晶層全体に活性エネルギー線を照射することによって、上記液晶層に添加された重合性化合物を一様に重合させる全体照射工程を更に含んでいてもよい。

また、上記液晶表示装置の製造方法の上記選択照射工程においては、画素毎に上記特定領域が少なくとも１つずつ配置するようにしてもよい。

また、上記液晶表示装置の製造方法の上記選択照射工程においては、上記液晶層対向面において１つの画素に対応する画素領域が複数の小領域に分割されており、該複数の小領域の各々に対称軸の方向が互いに異なる上記特定領域を少なくとも１つずつ配置するようにしてもよい。

本発明に係る液晶表示装置は、以上のように、一対の基板のうち少なくとも何れか一方の基板の液晶層に対向する液晶層対向面に、上記液晶層に添加された重合性化合物が重合してなる高分子構造体が形成されており、上記高分子構造体を上記一対の基板に垂直な方向から平面視した形状は、線対称な形状であって、対称軸方向の幅が対称軸に垂直な方向の幅より大きい形状である。

したがって、遮断状態における局所的な光漏れによるコントラストの低下を軽減することができる。

また、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、以上のように、上記液晶層の特定領域に活性エネルギー線を選択的に照射することによって、上記液晶層に添加された重合性化合物を局所的に重合させる選択照射工程を含み、上記特定領域を上記一対の基板に垂直な方向から平面視した形状は、線対称な形状であって、対称軸方向の幅が対称軸に垂直な方向の幅より大きい形状である。

したがって、遮断状態における局所的な光漏れによるコントラストの低下が軽減された液晶表示装置を、低い製造コストで製造することができる。

本発明の一実施形態に係る液晶表示装置１００について、図面に基づいて説明すれば、以下のとおりである。

まず、液晶表示装置１００の要部構成について、図２を参照して説明する。図２は、液晶表示装置１００の要部構成を示す断面図である。

図２に示したように、液晶表示装置１００は、概略的に言えば、第１基板１１０と、第１基板１１０に対向する第２基板１２０と、第１基板１１０と第２基板１２０との間に挟持された液晶層１３０とを備えた、垂直配向モードの液晶表示装置である。液晶層１３０を構成する液晶分子は、負の誘電率異方性を有しており、後述するように、第１基板１１０と第２基板１２０との間に電圧が印加されていない状態で、第１基板１１０に対して略垂直な方向に配向するようになされている。

図２に示したように、第１基板１１０は、ガラス基板１１１と、ガラス基板１１１上に形成された電極１１２と、電極１１２を覆うように形成された配向膜１１３とを備えている。また、第２基板１２０は、ガラス基板１２１と、ガラス基板１２１上に形成された電極１２２と、電極１２２を覆うように形成された配向膜１２３とを備えている。

なお、液晶表示装置１００の第１基板１１０は、マトリクス状に配置されたゲートバスラインおよびデータバスライン、ならびに、該データバスラインおよび該ゲートバスラインに接続されたＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を備え、該ＴＦＴにより電極（画素電極）１１２を駆動するＴＦＴ基板として構成されていてもよい。また、第２基板１２０は、ガラス基板１２１上に形成されたカラーフィルタを更に備えた、ＣＦ（Color Filter）基板として構成されていてもよい。さらに、第１基板１１０の液晶層１３０に対向する面とは反対側の面と、第２基板１２０の液晶装置１３０に対向する面とは反対側の面とには、互いにクロスニコルに配置された偏光素子が形成されていてもよい。

第１基板１１０上に、図示した高分子構造体１１４および高分子膜１１５が形成されておらず、配向膜１１３が液晶層１３０に対して露出している場合、液晶層１３０を構成する液晶分子は、配向膜１１３の作用により、第１基板１１０に対して略垂直な方向に配向する。第２基板１２０に形成された配向膜１２３も同様に作用する。基板間に電圧を印加すると、すなわち、電極１１２と電極１２２との間に電位差を与えると、液晶層１３０内に電界が生じ、液晶層を構成する液晶分子は所定の方向に傾斜する。

図２に示したように、第１基板１１０の液晶層１３０と対向する面上、すなわち、配向膜１１３上には、高分子構造体１１４が形成されている。この高分子構造体１１４は、後述するように、基板間に電圧を印加していない状態で、すなわち、液晶分子が第１基板１１０に略垂直な方向に配向した状態で、液晶層１３０に添加された重合性化合物を局所的に重合させることにより形成された構造物である。高分子構造体１１４の形成には、後述するように、例えば、ＰＳＡ（Polymer Sustained Alignment）技術が用いられる。基板間に電圧を印加したときに液晶分子が傾斜する方向は、後述するように、この高分子構造体１１４により規制される。

また、図２に示したように、第１基板１１０の液晶層１３０と対向する面上には、配向膜１１３および高分子構造体１１４を覆うように、高分子膜１１５が形成されている。また、第２基板１２０の液晶層１３０と対向する面上には、配向膜１２３を覆うように、高分子膜１２５が形成されている。高分子膜１１５および１２５の形成には、後述するように、例えば、ＰＳＡ（Polymer Sustained Alignment）技術が用いられる。これらの高分子膜は、図示したように、第１基板１１０と第２基板１２０との両方に形成されていてもよいし、何れか一方にのみ形成されていてもよい。

高分子膜１１５および１２５は、後述するように、基板間に電圧を印加した状態で、すなわち、液晶分子が高分子構造体１１４により規制された方向に傾斜した状態で、液晶層１３０に添加された重合性化合物を一様に重合させることにより形成された膜である。このため、液晶層１３０を構成する液晶分子は、高分子構造体１１４により規制された方向に傾斜した状態で、高分子膜１１５および１２５よってアンカリングされる。

図２に示したように、高分子膜１１５および１２５を形成することにより、高分子膜１１５および１２５が存在していない場合と比較して、基板間に電圧を印加したときに、液晶層１３０を構成する液晶分子をより速やかに傾斜させることができる。すなわち、電圧印加時の応答速度をより高速化することができる。ただし、液晶分子が傾斜する方向は、上述したとおり、高分子膜１１５および１２５の有無によらず、高分子構造体１１４により規制される。したがって、液晶分子が傾斜する方向を規制するだけであれば、高分子膜１１５および１２５は省略してもよい。

次に、液晶表示装置１００の第１基板に形成された高分子構造体１１４の形状および配置について、図１、図３、および、図４を参照して説明する。

図１は、液晶表示装置１００の第１基板１１０を、第１基板１１０に垂直な方向から平面視した平面図である。なお、図２に示した液晶表示装置１００の断面図は、図１のＡＡ´断面に対応する断面図である。

図１に示したように、第１基板１１０の液晶層１３０に対向する面（液晶層対向面）上には、複数の微細な高分子構造体１１４が形成されており、各高分子構造体１１４を基板１１０に垂直な方向から平面視した形状は、線対称な形状であって、対称軸Ｌ方向の幅Ｈが対称軸Ｌに垂直な方向の幅Ｗより大きい形状である。具体的には、互いに鋭角的に交わる２つの線分状領域からなるＶ字形である。なお、対称軸に垂直な方向の幅Ｗは、画素の一辺の長さより小さければよく、例えば、画素の一辺の長さの１０分の１、１００分の１、あるいは、１０００分の１などである。

上記のような形状を有する高分子構造体１１４は、図１に示したように、基板間に電圧を印加したとき液晶分子１３１が傾斜する方向を、その対称軸方向に規制するように作用する。ここで、基板間に電圧を印加したとき液晶分子１３１が傾斜する向き（すなわち、液晶分子１３１の第２基板１２０側の端部が倒れ込む向きが高分子構造体１１４の向きと一致するか否か）は、高分子構造体１１４を構成する高分子の物性、および、液晶層１３０を構成する液晶分子１３１の物性に依存して決まる。

なお、液晶表示装置１００の第１基板１１０に形成された高分子構造体１１４の形状は、線対称な形状であって、対称軸方向の幅が対称軸に垂直な方向の幅より大きい形状であればよく、図１に示したＶ字形状に限定されるものではない。すなわち、高分子構造体１１４は、例えば、各高分子構造体１１４を基板１１０に垂直な方向から平面視して、例えば、Ｔ字形状、Ｕ字形状、Ｙ字形状、鍵穴形状などの形状を有するように形成されていてもよい。

図３の（ａ）〜（ｇ）は、それぞれ、図１に示した高分子構造体１１４と置換可能な、各種形状の高分子構造体を例示した図である。図３の（ａ）は、Ｔ字形状に形成された高分子構造体を例示している。図３の（ｂ）および（ｃ）は、Ｖ字形状に形成された他の高分子構造体を例示している。図３の（ｄ）は、Ｕ字形状に形成された高分子構造体を例示している。図３の（ｆ）は、Ｙ字形状に形成された高分子構造体を例示している。図３の（ｇ）は、鍵穴状に形成された高分子構造体を例示している。

また、高分子構造体１１４は、図１に示したように、その対称軸の方向および向きを一致させて周期的に配置されていてもよいが、高分子構造体１１４の配置はこれに限定されるものではない。たとえば、画素領域（第１基板１１０の液晶層対向面における１つの画素に対応する領域）が分割されてなる複数の小領域の各々に、対称軸の方向が互いに異なる上記高分子構造体が少なくとも１つずつ配置することにより、マルチドメイン化による広視野角化を達成することができる。

図４は、液晶表示装置１００の第１基板１１０を、第１基板１１０に垂直な方向から平面視した平面図であり、高分子構造体１１４の好ましい配置例を示す。

図４において、画素領域１５０は、４つの小領域（サブドメイン）１５１、１５２、１５３、および１５４に分割されている。第１の小領域１５１に形成された高分子構造体１１４の対称軸の方向を第１の方向とすると、第２の小領域１５２に形成された高分子構造体１１４の対称軸は、第１の方向を時計回りに９０°回転してなる第２の方向を向き、第３の小領域１５３に形成された高分子構造体１１４の対称軸は、第１の方向を時計回りに１８０°回転してなる第３の方向を向き、第４の小領域１５４に形成された高分子構造体１１４の対称軸は、第１の方向を時計回りに２７０°回転してなる第４の方向を向いている。このように、各小領域に形成された高分子構造体１１４の対称軸の向きを互いに異ならせることにより、基板間に電圧を印加したとき各小領域にある液晶分子が傾斜する方向が互いに異なるようになり、広視野角化を図ることができる。

なお、以上では、高分子構造体１１４は、第１基板１１０の配向膜１１３上に形成されているものとして説明したが、第２基板１２０の配向膜１２３上に形成されていてもよい。この場合も、高分子構造体１１４が第１基板１１０の配向膜１１３上に形成された場合と全く同様に液晶分子が傾斜する方向を規制することができる。

また、液晶表示装置１００においては、以上のように、基板間に電圧を印加したときに液晶分子が傾斜する方向を規制するために、画素電極にスリットパターンやレジストパターンを形成したり、リブやリベットなどの画素内構造物を形成したりする必要はない。しかし、これらを高分子構造体１１４と併用することにより、基板間に電圧を印加したときに液晶分子が傾斜する方向を規制するようにしてもよい。

次に、ＰＳＡ（Polymer Sustained Alignment）技術を利用した液晶表示装置１００の製造方法について、特に、高分子構造体１１４、および、高分子膜１１５の形成方法について、図５、および、図６を参照して説明する。

まず、公知の方法により、ガラス基板１１１上に電極１１２および配向膜１１が形成されてなる第１基板１１０と、ガラス基板１２１上に電極１２２および配向膜１２３が形成されてなる第２基板１１０と、第１基板１１０と第２基板１２０とに挟持された液晶層１３０であって、重合性化合物が添加された液晶層１３０と、を含む液晶表示装置を製造する。ここで、液晶層１３０に添加する重合性化合物としては、例えば、ジアクリレート系化合物などを用いることができる。

基板間に電圧を印加しない状態の上記液晶表示装置の液晶層１３０一部に、活性エネルギー線を選択的に照射することにより、高分子構造体１１４を形成することができる。活性エネルギー線を選択的に照射する方法としては、液晶層１３０の特定領域にのみに活性エネルギー線を照射し得る方法であれば任意の方法を利用することができ、例えば、マスク露光法、または、干渉露光法などを利用することができる。また、照射する活性エネルギー線としては、液晶層１３０に添加した重合性化合物を重合し得るものであれば任意の活性エネルギー線を利用することができ、例えば、紫外線などを利用することができる。

図５の（ａ）および図６の（ａ）に、マスク露光法により高分子構造体１１４を形成する工程を示す。フォトマスク２００には、高分子構造体１１４を形成しようとする特定領域に対応した開口部２０１が形成されており、マスク２００を介して活性エネルギー線を照射すると、高分子構造体１１４を形成しようとする特定領域に活性エネルギー線が選択的に照射される。上述したとおり、液晶層１３０には重合性化合物が添加されているので、活性エネルギー線が照射された特定領域において局所的な重合が起こり、図５の（ｂ）および図６の（ｂ）に示したように高分子構造体１１４が形成される。高分子構造体１１４を形成しようとする特定領域の形状、すなわち、開口部２０１の形状は、線対称な形状であって、対称軸方向の幅が対称軸に垂直な方向の幅Ｗより大きい形状である。

なお、上記のような活性エネルギー線の選択的照射により形成された高分子構造体１１４は、図５の（ｂ）に示したように、第１基板１１０の配向膜１１３上に形成されることもあるし、図６の（ｂ）に示したように、第２基板１２０の配向膜１２３上に形成されることもある。

高分子構造体１１４が第１基板１１０または第２基板１２０の何れの側に形成されるかは、液晶層１３０に添加した重合性化合物を含む各種材料の種類および量、ならびに、照射した活性エネルギー線の種類、照射強度、および、照射時間などの諸条件に依存する。ただし、上述したとおり、高分子構造体１１４が何れの基板に形成されたとしても、高分子構造体１１４により液晶分子が傾斜する方向が規定されることに変わりはない。

上記のようにして高分子構造体１１４が形成された液晶表示装置であって、基板間に電圧を印加した状態の液晶表示装置の液晶層１３０全体に、活性エネルギー線を一様に照射することにより、高分子膜１１５および１２５を形成することができる。ここで照射する活性エネルギー線も、液晶層１３０に添加した重合性化合物を重合し得るものなら何でもよく、例えば、紫外線などを用いることができる。

図５の（ｃ）および図６の（ｃ）に、活性エネルギー線の一様照射により高分子膜１１５および１２５を形成する工程を示す。活性エネルギー線を液晶層１３０の全体に一様に照射すると、図５の（ｄ）に示したように、第１基板１１０においては、配向膜１１３および高分子構造体１１４を覆うように高分子膜１１５が形成され、また、第２基板１２０においては、配向膜１２３を覆うように高分子膜１２５が形成される。あるいは、図６の（ｄ）に示したように、第１基板１１０においては、配向膜１１３を覆うように高分子膜１１５が形成され、第１２０においては、配向膜１２３および高分子構造体１１４を覆うように高分子膜１２５が形成される。

この際、基板間に電圧を印加した状態で、すなわち、液晶分子が高分子構造体１１４の対称軸方向に傾斜した状態で、高分子膜１１５および１２５が形成されるので、液晶層１３０を構成する液晶分子は、高分子構造体１１４の対称軸方向に傾斜した状態でアンカリングされる。したがって、高分子膜１１５および１２５が存在していない場合と比較して、電圧印加時の液晶分子の応答速度が速くなる。

なお、高分子膜が第１基板１１０側に形成されるか、第２基板１２０側に形成されるか、あるいは、図５の（ｄ）および図６の（ｄ）に示したように両方の基板に形成されるかは、液晶層１３０に添加した重合性化合物を含む各種材料の種類および量、ならびに、照射した活性エネルギー線の種類、照射強度、および、照射時間などの諸条件に依存する。これら諸条件を適宜調整することにより、高分子膜を第１基板１１０側のみに形成しても、あるいは、第２基板１２０側のみに形成してもよく、何れの場合であっても、高分子膜が形成されていない場合と比べて、電圧印加時の液晶分子の応答速度が速くなる。

本発明は、垂直配向モードの液晶表示装置に好適に利用することができる。

本発明の実施形態を示すものであり、液晶表示装置の第１基板を平面視した平面図である。 本発明の実施形態を示すものであり、液晶表示装置の断面図である。 本発明の実施形態を示すものであり、高分子構造体の変形例を示す平面図である。（ａ）は、Ｔ字状に形成された高分子構造体を示す。（ｂ）、および、（ｃ）は、Ｖ字状に形成された他の高分子構造体を示す。（ｄ）は、Ｕ字状に形成された高分子構造体を示す。（ｆ）は、Ｙ字状に形成された高分子構造体を示す。（ｇ）は、鍵穴状に形成された高分子構造体を示す。 本発明の実施形態を示すものであり、高分子構造体の好ましい配置例を示す平面図である。 本発明の実施形態を示すものであり、液晶表示装置の製造方法を示す図である。（ａ）は、高分子構造体を形成する工程を示し、（ｂ）は高分子構造体が形成された液晶表示装置を示す。（ｃ）は、高分子膜を形成する工程を示し、（ｄ）は、高分子膜が形成された液晶表示装置を示す。 本発明の実施形態を示すものであり、液晶表示装置の製造方法を示す図である。（ａ）は、高分子構造体を形成する工程を示し、（ｂ）は高分子構造体が形成された液晶表示装置を示す。（ｃ）は、高分子膜を形成する工程を示し、（ｄ）は、高分子膜が形成された液晶表示装置を示す。

符号の説明

１００ 液晶表示装置
１１０ 第１基板
１１１ ガラス基板
１１２ 電極
１１３ 配向膜
１１４ 高分子構造体
１１５ 高分子膜
１２０ 第２基板
１２１ ガラス基板
１２２ 電極
１２３ 配向膜
１２４ 高分子膜
１３０ 液晶層

Claims (5)

1. 一対の基板と該一対の基板間に挟持された液晶層とを備え、上記一対の基板に対して略垂直な方向に配向した液晶分子を上記一対の基板間に生じた電界により傾斜させる液晶表示装置において、
   上記一対の基板のうち少なくとも何れか一方の基板の上記液晶層に対向する液晶層対向面に、高分子構造体が形成されており、
   上記高分子構造体を上記一対の基板に垂直な方向から平面視した形状は、線対称な形状であって、対称軸方向の幅が対称軸に垂直な方向の幅より大きい形状である、
   ことを特徴とする液晶表示装置。
2. 上記液晶層対向面に、上記液晶層に添加された重合性化合物を上記一対の基板間に電圧が印加された状態で重合して得られた高分子膜が形成されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 上記高分子構造体が画素毎に少なくとも１つずつ形成されている、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 上記液晶層対向面において１つの画素に対応する画素領域が複数の小領域に分割されており、該複数の小領域の各々に対称軸の方向が互いに異なる上記高分子構造体が少なくとも１つずつ形成されている、
   ことを特徴とする請求項１から３までの何れか１項に記載の液晶表示装置。
5. 一対の基板と該一対の基板間に挟持された液晶層とを備え、上記一対の基板に対して略垂直な方向に配向した液晶分子を上記基板間に生じた電界により傾斜させる液晶表示装置の製造方法であって、
   上記液晶層の特定領域に活性エネルギー線を選択的に照射することによって、上記液晶層に添加された重合性化合物を局所的に重合させる選択照射工程を含み、
   上記特定領域を上記一対の基板に垂直な方向から平面視した形状は、線対称な形状であって、対称軸方向の幅が対称軸に垂直な方向の幅より大きい形状である、
   ことを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。

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