JP2009010264A - 抵抗変化メモリ装置及び集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高速化と低消費電力化が可能な抵抗変化メモリ装置及び集積回路装置を提供する。
【解決手段】抵抗変化メモリ装置は、抵抗変化型メモリセルを用いたメモリチップと、このメモリチップに、メモリセルの状態変化を加速するための温度バイアスを与えるヒータと、を有する。
【選択図】図6
【解決手段】抵抗変化メモリ装置は、抵抗変化型メモリセルを用いたメモリチップと、このメモリチップに、メモリセルの状態変化を加速するための温度バイアスを与えるヒータと、を有する。
【選択図】図6
Description
この発明は、抵抗変化型メモリセルを用いて構成される抵抗変化メモリ装置、抵抗変化メモリチップを有する集積回路装置に関する。
電圧、電流、熱等を利用して物質の抵抗値を可逆的に変化させ、その抵抗値の異なる状態を情報として記憶する抵抗変化メモリが、フラッシュメモリの後継候補として注目されている。抵抗変化メモリは、微細化に向いており、クロスポイント型セルアレイを構成することができ、更にセルアレイの積層化も容易である。
抵抗変化メモリのデータ状態のリセット等に通常適用される熱過程には、メモリセルに所定電圧、電流を与えて発生されるジュール熱を用いる。この熱過程が長時間必要であるとすると、抵抗変化メモリの高速化と低消費電力化を阻害する。
抵抗変化メモリの一種である、カルコゲナイド層を用いた相変化メモリにおいて、カルコゲナイド層にヒータ層を配置する構造は提案されている(特許文献1)。また磁気メモリにおいて、メモリセルの状態変化を高速化するために、各メモリセルに局所的加熱を行うヒータ層を配置する構造も提案されている(特許文献2)。
集積回路装置において、環境温度調整のためにヒータを内蔵する技術も提案されている(特許文献3)。
特開2005−71500号公報
特開2005−136419号公報
特開平4−206861号公報
この発明は、高速化と低消費電力化が可能な抵抗変化メモリ装置及び集積回路装置を提供することを目的とする。
この発明の一態様による抵抗変化メモリ装置は、抵抗変化型メモリセルを用いたメモリチップと、このメモリチップに、メモリセルの状態変化を加速するための温度バイアスを与えるヒータと、を有することを特徴とする。
この発明の他の態様による集積回路装置は、基台と、前記基台に搭載された、抵抗変化型メモリセルを用いたメモリチップと、前記基台に搭載された、前記メモリチップより消費電力の大きい回路チップと、前記回路チップから前記メモリチップにまたがって配置されて、前記回路チップの発生する熱を前記メモリチップに伝達する熱伝導体と、を有することを特徴とする。
この発明によると、高速化と低消費電力化が可能な抵抗変化メモリ装置及び集積回路装置を提供することができる。
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態を説明する。
図1は、実施の形態によるメモリセルアレイMAの等価回路を示している。図示のようにワード線WLとビット線BLの交差部に、アクセス素子例えばダイオードDiと可変抵抗素子VRが直列接続された抵抗変化型メモリセルMCが配置される。
可変抵抗素子VRは例えば、電極/遷移金属酸化物/電極なる構造を有し、電圧、電流、熱等の印加条件により金属酸化物の抵抗値変化をもたらし、その抵抗値の異なる状態を情報として不揮発に記憶する。この種の可変抵抗素子VRには、バイポーラ型とユニポーラ型とがあるが、図1のメモリセルアレイ構成はユニポーラ型の場合である。
メモリセルは、好ましくは高抵抗状態を安定状態(リセット状態)とし、例えば2値データ記憶であれば、高抵抗状態と低抵抗状態(セット状態)とを利用する。
メモリセルMCの積層構造は、例えば図2のようになる。それぞれビット線BL及びワード線WLとなるメタル配線21及び22の交差部に、メモリセルMCを構成する可変抵抗素子VRとアクセス素子Diが重ねて配置される。
図3は、可変抵抗素子VRの一例のデータ記憶モードを説明するための図である。可変抵抗素子VRは、この例では、第1の金属酸化物層31と第2の金属酸化物層32の積層構造に電極33,34を形成して得られる。
具体例を挙げれば、第1の金属酸化物層31は、Mgを含むMn酸化物であり、第2の金属酸化物層32は、キャビティサイトを有するTi酸化物である。図に示した化合物式中の“L”は、キャビティサイトを意味している。
図3の左側が第2の金属酸化物層32にキャビティサイトがある、高抵抗の安定状態を示している。これをリセット状態と定義する。この状態で電極33,34の間に、電極33が正となる電圧を印加すると、電界により第1の金属酸化物層31中をMgイオンが移動し、これが右側に示すように第2の金属酸化物層32のキャビティサイトに捉えられて、低抵抗状態(セット状態)になる。
リセット過程は、熱過程になる。即ち素子に電圧を印加すると、低抵抗状態にあるために大きな電流が流れてジュール熱が発生し、その熱エネルギーにより第2の金属酸化物層32の空隙に捉えられていたMgイオンが開放されて第1の金属酸化物層31に戻り、高抵抗状態に復帰する。
図4は、この様な可変抵抗素子VRの電気化学的ポテンシャル分布を、図3のレセット,セット状態に対応させて示している。即ち、リセット状態は、電気化学的ポテンシャルが低い安定状態であり、高抵抗状態として規定される。図示の障壁ポテンシャルP1を越える電界を与えると、金属(Mg)イオン移動による低抵抗状態に設定することができる(セット動作)。
一方、セット状態において、その状態を維持する障壁ポテンシャルP2を越えるような熱エネルギーを与えると、状態は熱的安定状態即ち高抵抗状態に戻る(リセット動作)。
抵抗変化メモリの可変抵抗素子VRとして、物質の結晶状態と非晶質状態の間の変化(狭義の相変化)を利用することもできる。図5は、その様な可変抵抗素子VRを示している。
この場合、電極52,53間に挟まれる記録層51としては、カルコゲナイドが用いられる。これを加熱して徐冷して結晶化すると、低抵抗状態(導体)になる。これがセット動作である。セット状態にある素子を加熱して急冷すると、カルコゲナイド層51は非晶質の高抵抗状態(絶縁体)になる。
この様な抵抗変化メモリにおいて、この実施の形態では、メモリ素子(可変抵抗素子)の状態変化の熱過程を加速するための温度バイアスを与えるべく、メモリチップにヒータを備える。以下、具体例を説明する。
図6はその一例であり、抵抗変化メモリチップ61の電極62が配列された面と反対側の面にヒータ63を接触させている。メモリチップ61をオンにするとき同時に、ヒータ63に通電する。
これにより、メモリチップ61のメモリセルに温度バイアスが与えられ、熱過程を加速することができる。結果的に、抵抗変化メモリの高速アクセスが可能になり、またリセットのために長時間のジュール加熱を必要としなくなるため、抵抗変化メモリの消費電力削減が可能になる。
図7は、抵抗変化メモリチップ71とヒータ72を貼り合わせた状態でパッケージ73に収納した例を示している。この場合、ヒータ72として、メモリチップ71より消費電力の大きい回路チップ、例えばCPUチップを用いることもできる。これにより、回路チップの熱をメモリチップ71の温度バイアスに有効利用することができ、メモリチップの高速化と消費電力削減が可能になる。
図8は、抵抗変化メモリチップ81と、このメモリチップ81より消費電力の大きい回路チップ82(例えばCPUチップ)とが基台80に搭載される集積回路装置において、回路チップ82をメモリチップ81を加熱するための熱源とする例である。
具体的には、回路チップ82上からメモリチップ81上にまたがるように、熱伝導体83を配置する。この場合更に好ましくは、回路チップ82上の熱伝導体83aと、メモリチップ81上の熱伝導体83bとの間を連結するように熱抵抗体84を配置して、回路チップ82からメモリチップ81への熱伝導を調整する。
熱伝導体83は、消費電力の大きい回路チップ82の放熱板でもあり、この回路チップ82を熱源としてメモリチップ81のバイアス温度を最適化することができる。またメモリチップ81の高速化と消費電力削減が可能になる。
図9は、抵抗変化メモリチップ91のメモリセルアレイ92a,92bの部分のみ加熱するようにヒータ94を配置した例である。メモリチップ91の周辺回路93の領域は加熱しない。
一般に集積回路のトランジスタ回路は、温度上昇により動作速度が遅くなる。従ってこの様にヒータ94をメモリセルアレイ領域に限定して配置することにより、周辺回路93の動作速度を低下させることなく、メモリセル動作の高速化が可能になる。
図10は、図9の構成に加えて、メモリチップ91に温度測定回路95を形成した例である。この温度測定回路95の測定結果は、周辺回路93内のコントローラ96に転送され、メモリの動作速度制御に供される。メモリ素子の状態変化速度は、温度により変わるから、この様にメモリチップ温度に応じて動作速度制御を行うことにより、的確なメモリ動作速度を得ることができる。
61,71,81,91…相変化メモリチップ、62…電極、63,72,94…ヒータ、73…パッケージ、82…回路チップ、83a,83b…熱伝導体、84…熱抵抗体、92a,92b…メモリセルアレイ、93…周辺回路、95…温度測定回路、96…コントローラ。
Claims (5)
- 抵抗変化型メモリセルを用いたメモリチップと、
このメモリチップに、メモリセルの状態変化を加速するための温度バイアスを与えるヒータと、
を有することを特徴とする抵抗変化メモリ装置。 - 前記ヒータとして、前記メモリチップより消費電力の大きい回路チップを用いる
ことを特徴とする請求項1記載の抵抗変化メモリ装置。 - 前記メモリチップは、温度測定回路を有し、その測定結果に応じて動作速度が制御される
ことを特徴とする請求項1記載の抵抗変化メモリ装置。 - 基台と、
前記基台に搭載された、抵抗変化型メモリセルを用いたメモリチップと、
前記基台に搭載された、前記メモリチップより消費電力の大きい回路チップと、
前記回路チップから前記メモリチップにまたがって配置されて、前記回路チップの発生する熱を前記メモリチップに伝達する熱伝導体と、
を有することを特徴とする集積回路装置。 - 前記熱伝導体は、
前記回路チップ領域に配置された第1の熱伝導体と、
前記メモリチップ領域に配置された第2の熱伝導体と、
前記第1及び第2の熱伝導体の間を連結する熱抵抗体と、
を有することを特徴とする請求項4記載の集積回路装置。
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