JP2009007515A - 微細パターン転写材料用組成物および微細パターンの形成方法 - Google Patents

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009166414A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd インプリント用膜形成組成物、並びに構造体の製造方法及び構造体
JP2013051410A (ja) * 2011-07-29 2013-03-14 Dic Corp ドライエッチングレジスト材料、レジスト膜及びパターン形成物
WO2013164881A1 (ja) * 2012-05-01 2013-11-07 信越エンジニアリング株式会社 表示装置の製造方法及びその製造装置
JP2015030139A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 東京応化工業株式会社 構造体の製造方法
JP2017095643A (ja) * 2015-11-27 2017-06-01 信越化学工業株式会社 ケイ素含有縮合物、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005179541A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 付加反応硬化型オルガノポリシロキサン樹脂組成物
JP2006143835A (ja) * 2004-11-18 2006-06-08 Hitachi Chem Co Ltd 放射線硬化性樹脂組成物、これを用いた光導波路、及び光導路の製造方法
JP2008246876A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ナノインプリント用の膜形成組成物、並びに構造体の製造方法及び構造体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005179541A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 付加反応硬化型オルガノポリシロキサン樹脂組成物
JP2006143835A (ja) * 2004-11-18 2006-06-08 Hitachi Chem Co Ltd 放射線硬化性樹脂組成物、これを用いた光導波路、及び光導路の製造方法
JP2008246876A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ナノインプリント用の膜形成組成物、並びに構造体の製造方法及び構造体

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009166414A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd インプリント用膜形成組成物、並びに構造体の製造方法及び構造体
US9050624B2 (en) 2008-01-18 2015-06-09 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Film-forming composition for imprinting, method of manufacturing a structure, and structure
JP2013051410A (ja) * 2011-07-29 2013-03-14 Dic Corp ドライエッチングレジスト材料、レジスト膜及びパターン形成物
WO2013164881A1 (ja) * 2012-05-01 2013-11-07 信越エンジニアリング株式会社 表示装置の製造方法及びその製造装置
JP2015030139A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 東京応化工業株式会社 構造体の製造方法
JP2017095643A (ja) * 2015-11-27 2017-06-01 信越化学工業株式会社 ケイ素含有縮合物、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法

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