JP2009004695A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009004695A JP2009004695A JP2007166346A JP2007166346A JP2009004695A JP 2009004695 A JP2009004695 A JP 2009004695A JP 2007166346 A JP2007166346 A JP 2007166346A JP 2007166346 A JP2007166346 A JP 2007166346A JP 2009004695 A JP2009004695 A JP 2009004695A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- exhaust
- processing
- chamber
- valve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 53
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 51
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 38
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 32
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 13
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 16
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000029058 respiratory gaseous exchange Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】制御部77は、第1の処理では、排気機構71を操作して、真空ポンプ69により高速排気させ、第2の処理では、排気機構71を操作して、真空ポンプ69により低速排気させる。第1の処理では基板Wが処理槽1内の処理液に浸漬された状態であるので、短時間で減圧されても基板Wはプロセス的な悪影響を受け難い。一方、第2の処理では、基板Wが処理液から引き上げられ、チャンバ27内に露出した状態であるので、基板Wは急速な減圧によるプロセス的な悪影響を受ける恐れがある。そこで、第2の処理では、低速排気によって徐々に減圧することにより、急速な減圧を抑制して基板
Wに対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止できる。
【選択図】図1
Description
すなわち、従来の装置は、真空ポンプを再始動する際には、既にチャンバ内が減圧されている関係上、真空ポンプがその減圧度より低い減圧度で排気できる状態となってから開閉弁を開放させる必要がある。したがって、開閉弁を開放した際には、チャンバ内が急激に減圧されることになり、減圧手段がある側にパーティクルが集中し、チャンバ内で露出された状態の基板にパーティクルが付着して、プロセス的に悪影響が生じることがある。
すなわち、請求項1に記載の発明は、処理液により処理された基板を溶剤蒸気により乾燥させる基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の周囲を囲うチャンバと、基板を支持し、前記処理槽内の処理位置と前記処理槽の上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能な基板支持機構と、前記チャンバに連通接続された排気管と、前記排気管を介して前記チャンバ内の気体を排気する排気手段と、前記排気管に配設され、排気流量を調整可能な排気機構と、前記基板支持機構を処理位置に移動させた状態における第1の処理では、前記排気機構を操作して高速排気させ、前記基板支持機構を処理位置から乾燥位置に移動させた状態における第2の処理では、前記排気機構を操作して低速排気させる制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
上部カバー29を開放した状態で、基板Wを支持したリフタ31を待機位置から乾燥位置へと下降させ、上部カバー29を閉止させる。そして、処理液弁17を開放させて、薬液を含む処理液を処理槽1に供給する。次いで、リフタ31を処理位置にまで下降させて、基板Wを処理液に浸漬させる。これを所定時間だけ維持させた後、処理液供給源15から純水だけを処理液として処理槽1に供給させる。なお、処理槽から溢れた処理液は、チャンバ27の底部に貯留され、排出管63を通してチャンバ27外へ排出される。この水洗処理を所定時間だけ行って基板Wに対して洗浄を行わせる。
水洗処理が終わった後、処理液弁17を閉止して処理液としての純水の供給を停止させるとともに、QDR弁59を開放して、処理槽1内の純水を急速排水させる。その後、不活性ガス弁49を開放させて、不活性ガスノズル43から不活性ガスをチャンバ27内に供給させ、チャンバ27内の酸素をパージする。
チャンバ27内の酸素濃度が低減された後、不活性ガス弁49及び排液弁65を閉止するとともに、真空ポンプ69を作動させる。そして、最大排気が可能となった状態において、図3に示すように排気機構71を作動させてチャンバ27内の圧力を大気圧から第1目標圧に向けて減圧を開始させる。第1目標圧に達したか否かは、圧力計75によって確認する。このとき、排気機構71は、上述した高速排気となるように制御部77によって操作されている。高速排気を行うことにより、迅速に減圧環境を作り出すことができ、スループットを向上させることができる。
排気機構71を停止させてチャンバ27を第1目標圧で減圧状態とし、リフタ31を乾燥位置にまで上昇させる。さらに、インラインヒータ40を加熱状態とするとともに、蒸気弁38を開放して、所定流量でイソプロピルアルコール蒸気を溶剤ノズル33からチャンバ27内に供給させる。これにより、チャンバ27内がイソプロピルアルコールの蒸気雰囲気とされ、基板Wに付着している純水がイソプロピルアルコールによって置換される。
真空ポンプ69を作動させ、最大排気が可能となった状態において、図4に示すように排気機構71を作動させてチャンバ27内の圧力を第1目標圧から第2目標圧に向けて減圧を開始させる。このとき、排気機構71は、上述した低速排気となるように制御部77によって操作されている。このとき、不活性ガス弁49を調節して、インラインヒータ50を介して加熱した不活性ガスを所定流量で不活性ガスノズル34から供給する。
不活性ガス弁49及び真空ポンプ69を停止させるとともに、呼吸弁73を開放してチャンバ27内を大気圧に戻す。そして、上部カバー29を開放するとともに、リフタ31を待機位置に上昇させる。
Wに対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止することができる。
すなわち、各エア駆動弁79の開度を全閉から瞬時に全開にするのではなく、全閉から徐々に開度を大きくして全開とする。このようにすることにより、圧力変化を緩やかにすることができ、露出した状態の基板Wに及ぶ悪影響をより小さくすることができる。
すなわち、上述した図2におけるエア駆動弁79単体で排気機構71とする。但し、その最大流量は、上述した3個のエア駆動弁79で構成した場合と同程度となるように、流路81における流路断面積が大きなものであることが好ましい。さらに、制御部69は、高速排気の際には図8に示すように、全閉から全開となるようにエア駆動弁79を操作し、低速排気の際には図9に示すように、全閉から徐々に全開となるようにエア駆動弁79を操作する。なお、減圧にかける時間T1と時間T2との関係は、上述した実施例と同様である。
1 … 処理槽
27 … チャンバ
31 … リフタ
33 … 溶剤ノズル
34 … 不活性ガスノズル
37 … 蒸気発生タンク
38 … 蒸気弁
40 … インラインヒータ
67 … 排気管
69 … 真空ポンプ
71 … 排気機構
77 … 制御部
79 … エア駆動弁
Claims (5)
- 処理液により処理された基板を溶剤蒸気により乾燥させる基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の周囲を囲うチャンバと、
基板を支持し、前記処理槽内の処理位置と前記処理槽の上方にあたる乾燥位置とにわたって昇降可能な基板支持機構と、
前記チャンバに連通接続された排気管と、
前記排気管を介して前記チャンバ内の気体を排気する排気手段と、
前記排気管に配設され、排気流量を調整可能な排気機構と、
前記基板支持機構を処理位置に移動させた状態における第1の処理では、前記排気機構を操作して高速排気させ、前記基板支持機構を処理位置から乾燥位置に移動させた状態における第2の処理では、前記排気機構を操作して低速排気させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記排気機構は、複数の制御弁が並設され、
前記制御手段は、前記第1の処理において全ての制御弁を開放し、前記第2の処理において各制御弁を順次に開放することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置において、
前記複数の制御弁は、エアの供給及び排出によって開度を調節可能なエア駆動弁であり、
前記制御手段は、前記第2の処理において各制御弁を順次に開放するにあたり、各々の制御弁の開度を徐々に大きくすることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記排気機構は、エアの供給及び排出によって開度を調節可能な一つのエア駆動弁を備え、
前記制御手段は、第1の処理時には前記エア駆動弁の開度を最大とし、第2の処理時には前記エア駆動弁の開度を徐々に大きくすることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から4のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給手段と、
前記チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備え、
前記第1の処理は、処理液で基板に処理を行った後、前記溶剤蒸気供給手段から溶剤蒸気を前記チャンバ内に供給するまでの処理であり、
前記第2の処理は、前記第1の処理の後、前記不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させつつ、基板に凝縮した溶剤蒸気を蒸発させる処理であることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007166346A JP4965358B2 (ja) | 2007-06-25 | 2007-06-25 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007166346A JP4965358B2 (ja) | 2007-06-25 | 2007-06-25 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009004695A true JP2009004695A (ja) | 2009-01-08 |
JP4965358B2 JP4965358B2 (ja) | 2012-07-04 |
Family
ID=40320731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007166346A Active JP4965358B2 (ja) | 2007-06-25 | 2007-06-25 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4965358B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1126423A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-01-29 | Sugai:Kk | 半導体ウエハ等の処理方法並びにその処理装置 |
JP2004006616A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006195733A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Smc Corp | 真空圧力制御システム |
JP2006324506A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の乾燥処理装置及び乾燥処理方法 |
JP2007073541A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
-
2007
- 2007-06-25 JP JP2007166346A patent/JP4965358B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1126423A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-01-29 | Sugai:Kk | 半導体ウエハ等の処理方法並びにその処理装置 |
JP2004006616A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006195733A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Smc Corp | 真空圧力制御システム |
JP2006324506A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の乾燥処理装置及び乾燥処理方法 |
JP2007073541A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4965358B2 (ja) | 2012-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10199240B2 (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium | |
JP5138515B2 (ja) | 蒸気発生器、蒸気発生方法および基板処理装置 | |
JP6085423B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
TWI754525B (zh) | 基板處理裝置 | |
KR20130007418A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
US20090084405A1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
JP4688741B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP7040849B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置の制御方法 | |
KR20140030218A (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 | |
JP2010086981A (ja) | 基板乾燥装置及び基板乾燥方法 | |
JP6580776B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 | |
JP4965358B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6085424B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
JP6228800B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5222499B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008028323A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6117061B2 (ja) | 基板処理方法及びその装置 | |
JP4776479B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009004694A (ja) | 基板処理装置 | |
JP3999946B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2009021421A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5425666B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5226456B2 (ja) | 基板乾燥装置及びその温調方法 | |
JP5226452B2 (ja) | チャンバ洗浄方法 | |
JP2009027078A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100818 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110719 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111004 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120321 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4965358 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |