JP2009004649A - 静電チャック及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、プラズマによる損傷を受けにくいセラミック基体と静電電極との間の接合強度を向上させることのできる静電チャック及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】アルミナと、第１のフラックスと、を含有したセラミック基体１１と、セラミック基体１１に内蔵された静電電極１２と、セラミック基体１１と静電電極１２との間に、第２のフラックスを含み、セラミック基体１１及び静電電極１２と接触するセラミック材１３，１４とを備え、セラミック材１３，１４に含まれる第２のフラックスの含有率を、セラミック基体１１に含まれる第１のフラックスの含有率よりも高くした。
【選択図】図７

Description

本発明は、静電チャック及びその製造方法に係り、特にセラミック基体に含まれるフラックスの含有率をプラズマによりセラミック基体が損傷を受けにくい値とした静電チャック及びその製造方法に関する。

従来、ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置を製造する際に使用される成膜装置（例えば、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置等）やプラズマエッチング装置は、半導体基板（具体的には、例えば、シリコンウエハ）を処理室内に精度良く保持するためのステージを有する。このようなステージとして、例えば、静電チャックが適用されている。静電チャックは、セラミック及びフラックスよりなるセラミック基体と、セラミック基体に内蔵された静電電極とを有する。

近年、成膜装置として高密度プラズマを用いた成膜装置（例えば、ＥＣＲ（Electric Cyclotron Resonance）装置）及びプラズマエッチング装置において、静電チャックを使用した場合、プラズマにより、セラミック基体に含まれるフラックスがエッチングされてセラミック基体が損傷してしまうという問題があった。

このような問題を解決可能な静電チャックとして、図１に示すような静電チャック２００がある。

図１は、従来の静電チャックの断面図である。

図１を参照するに、従来の静電チャック２００は、セラミック基体２０１と、静電電極２０２とを有する。セラミック基体２０１は、静電電極２０２を内蔵するためのものである。セラミック基体２０１は、半導体基板が載置される基板載置面２０１Ａと、静電電極２０２を露出する開口部２０３とを有する。開口部２０３は、図示していない給電端子を挿入するための挿入口である。給電端子（図示せず）は、静電電極２０２に給電するための端子である。セラミック基体２０１は、アルミナの含有率が９９重量％（残りの１重量％以下がフラックス）以上のグリーンシートを積層し、焼成することで形成する。セラミック基体２０１を形成する際に用いられるグリーンシートは、一般的なグリーンシートよりもアルミナの含有率の高いグリーンシートである。一般的なグリーンシートのアルミナの含有率は、９６重量％程度である。

このように、アルミナの含有率の高いグリーンシート（アルミナの含有率が９９重量％以上）を用いてセラミック基体２０１を形成することにより、セラミック基体２０１に含まれるフラックスの含有率が低くなるため、セラミック基体２０１がプラズマにより損傷することを抑制できる。

静電電極２０２は、セラミック基体２０１に内蔵されている。静電電極２０２は、静電力によりセラミック基体２０１の基板載置面２０１Ａに半導体基板を固定するための電極である。静電電極２０２は、導電性ペースト（例えば、Ｗペースト）を焼成することにより形成できる。

図２〜図６は、従来の静電チャックの製造工程を示す図である。図２〜図６において、図１に示す従来の静電チャック２００と同一構成部分には同一符号を付す。

図２〜図６を参照して、従来の静電チャック２００の製造方法について説明する。始めに、図２に示す工程では、アルミナの含有率が９９重量％（残りの１重量％以下がフラックス）以上のグリーンシート２０６，２０７を準備する。

次いで、図３に示す工程では、グリーンシート２０６に貫通穴２０９を形成する。貫通穴２０９は、後述する図５に示す構造体を焼成することにより、図１に示す開口部２０３となる穴である。

次いで、図４に示す工程では、グリーンシート２０７の面２０７Ａに、導電性ペースト２１１（例えば、Ｗペースト）を形成する。次いで、図５に示す工程では、グリーンシート２０６の面２０６Ａが導電性ペースト２１１と接触するように、グリーンシート２０６上にグリーンシート２０７を積層させる。

次いで、図６に示す工程では、図５に示す構造体を焼成する。これにより、セラミック基体２０１と、静電電極２０２とを有した静電チャック２００が製造される（例えば、特許文献１参照。）。
特開平１１−３１２７２９号公報

しかしながら、従来の静電チャック２００では、アルミナ含有率の高いグリーンシート２０６，２０７を用いてセラミック基体２０１を形成していたため、グリーンシート２０６，２０７に含まれるフラックスの含有率が低くなり、セラミック基体２０１に含まれるフラックスの含有量が少なくなってしまう。これにより、セラミック基体２０１と静電電極２０２との接合部におけるフラックスによるアンカー効果が小さくなるため、セラミック基体２０１と静電電極２０２との間の接合強度が低下するという問題があった。このような問題が発生した場合、セラミック基体２０１から静電電極２０２が剥がれる虞がある。

そこで本発明は、プラズマによる損傷を受けにくいセラミック基体と静電電極との間の接合強度を向上させることのできる静電チャック及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一観点によれば、アルミナと、第１のフラックスと、を含有したセラミック基体と、前記セラミック基体に内蔵された静電電極と、前記セラミック基体と前記静電電極との間に、第２のフラックスを含み、前記セラミック基体及び前記静電電極と接触するセラミック材と、を備え、前記セラミック材に含まれる前記第２のフラックスの含有率は、前記セラミック基体に含まれる前記第１のフラックスの含有率よりも高いことを特徴とする静電チャックが提供される。

本発明によれば、セラミック基体と静電電極との間に、第２のフラックスを含み、セラミック基体及び静電電極と接触するセラミック材を設けると共に、セラミック材に含まれる第２のフラックスの含有率をセラミック基体に含まれる第１のフラックスの含有率よりも高くすることにより、プラズマによる損傷を受けにくいセラミック基体を用いた場合であっても、セラミック材と接触する部分のセラミック基体及び静電電極に第２のフラックスが移動するため、セラミック材とセラミック基体及び静電電極との間において十分なアンカー効果を発生させることが可能となる。これにより、セラミック基体と静電電極との間の接合強度を向上させることができる。

本発明の他の観点によれば、積層された複数のグリーンシートを焼成することにより形成されるセラミック基体と、前記セラミック基体に内蔵され、導電性ペーストを焼成することにより形成される静電電極と、を備え、前記セラミック基体に含まれるフラックスの含有率を、プラズマにより前記セラミック基体が損傷を受けにくい値とした静電チャックの製造方法であって、前記複数のグリーンシートは、少なくとも第１のグリーンシートと、第２のグリーンシートとを有し、前記第１及び第２のグリーンシートは、アルミナと、第１のフラックスと、を含み、前記第１のグリーンシートに、第２のフラックスを含んだ第１のアルミナペーストを形成する第１のアルミナペースト形成工程と、前記第１のアルミナペーストに、前記導電性ペーストを形成する導電性ペースト形成工程と、前記導電性ペーストと対向する部分の前記第２のグリーンシートに、前記第２のフラックスを含んだ第２のアルミナペーストを形成する第２のアルミナペースト形成工程と、前記第２のアルミナペーストと前記導電性ペーストとが接触するように、前記第１のアルミナペースト及び前記導電性ペーストが形成された前記第１のグリーンシートと、前記第２のアルミナペーストが形成された前記第２のグリーンシートとを積層させる積層工程と、前記積層工程後に、前記第１のアルミナペースト及び前記導電性ペーストが形成された前記第１のグリーンシートと、前記第２のアルミナペーストが形成された前記第２のグリーンシートとが積層された構造体を焼成する焼成工程と、を含み、前記第１及び第２のアルミナペーストに含まれる前記第２のフラックスの含有率を前記第１及び第２のグリーンシートに含まれる前記第１のフラックスの含有率よりも高くしたことを特徴とする静電チャックの製造方法が提供される。

本発明によれば、第１のグリーンシートに設けられた第１のアルミナペーストに導電性ペーストを形成し、第２のアルミナペーストと導電性ペーストとが接触するように、第１のアルミナペースト及び導電性ペーストが形成された第１のグリーンシートと、第２のアルミナペーストが形成された第２のグリーンシートとを積層し、その後、積層された構造体を焼成すると共に、第１及び第２のアルミナペーストに含まれる第２のフラックスの含有率を第１及び第２のグリーンシートに含まれる第１のフラックスの含有率よりも高くすることにより、第１のアルミナペーストと第１のグリーンシート及び導電性ペーストとの間、及び第２のアルミナペーストと第２のグリーンシート及び導電性ペーストとの間において十分なアンカー効果を発生させることが可能となるため、プラズマによる損傷を受けにくいセラミック基体と静電電極との間の接合強度を向上させることができる。

本発明によれば、プラズマによる損傷を受けにくいセラミック基体と静電電極との間の接合強度を向上させることができる。

次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。

（実施の形態）
図７は、本発明の実施の形態に係る静電チャックの断面図である。

図７を参照するに、本実施の形態の静電チャック１０は、セラミック基体１１と、静電電極１２と、セラミック材１３，１４とを有する。

セラミック基体１１は、基板（例えば、半導体基板や液晶パネル等）を載置する基板載置面１１Ａと、図示していない給電端子（静電電極１２に給電するための端子）の一部が挿入される開口部１７とを有する。セラミック基体１１は、静電電極１２及びセラミック材１３，１４を内蔵している。セラミック基体１１は、例えば、アルミナ及び第１のフラックス等から構成することができる。第１のフラックスは、例えば、酸化珪素、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム等により構成されている。第１のフラックスの含有率は、セラミック基体がプラズマによる損傷を受けにくい値とされている。セラミック基体１１に含まれるアルミナの含有率は、９９重量％以上（第１のフラックスの含有率は０重量％よりも高く１重量％以下）となるように設定されている。

このように、アルミナの含有率が９９重量％以上とされたセラミック基体１１を用いることにより、セラミック基体１１に含まれるフラックスの含有率がかなり低くなる（第１のフラックスの含有率は０重量％よりも高く１重量％以下）ため、プラズマ雰囲気で静電チャック１０を使用した場合、プラズマによりセラミック基体１１が損傷することを防止できる。

静電電極１２は、単極電極であり、セラミック基体１１に内蔵されている。静電電極１２の面１２Ａには、セラミック材１３が設けられている。また、静電電極１２の面１２Ｂには、セラミック材１４が設けられている。例えば、基板載置面１１Ａに載置された基板（図示せず）がマイナスに帯電させられた際、静電電極１２は、プラスの電位に帯電させることで、基板載置面１１Ａに基板を固定するための電極である。静電電極１２は、例えば、導電性ペースト（具体的には、Ｗペースト）を焼成することにより形成できる。静電電極１２の厚さは、例えば、２０μｍとすることができる。

セラミック材１３は、静電電極１２の面１２Ａを覆うように設けられている。セラミック材１３は、基板載置面１１Ａ側に位置する部分のセラミック基体１１と、静電電極１２との間に配置されている。セラミック材１３は、基板載置面１１Ａ側に位置する部分のセラミック基体１１及び静電電極１２と接触している。

セラミック材１３は、例えば、アルミナ及び第２のフラックス等から構成することができる。セラミック材１３に含まれる第２のフラックスの含有率は、セラミック基体１１に含まれる第１のフラックスの含有率よりも高くなるように設定されている。具体的には、第１のフラックスの含有率が０重量％よりも高く１重量％以下の場合、第２のフラックスの含有率は、例えば、４重量％以上１０重量％以下とすることができる。

このように、基板載置面１１Ａ側に位置する部分のセラミック基体１１と静電電極１２の面１２Ａとの間に、第２のフラックスを含み、セラミック基体１１及び静電電極１２と接触するセラミック材１３を設けると共に、セラミック材１３に含まれる第２のフラックスの含有率をセラミック基体１１に含まれる第１のフラックスの含有率よりも高くすることにより、セラミック材１３に含まれる第２のフラックスがセラミック基体１１及び静電電極１２に移動して、セラミック基体１１及び静電電極１２とセラミック材１３との間において十分なアンカー効果を発生させることが可能となる。これにより、セラミック基体１１と静電電極１２との間の接合強度を向上させることができる。セラミック材１３の厚さは、例えば、１０μｍとすることができる。

セラミック材１４は、静電電極１２の面１２Ｂを覆うように設けられている。セラミック材１４は、基板載置面１１Ａとは反対側に位置する部分のセラミック基体１１と、静電電極１２との間に配置されている。セラミック材１４は、基板載置面１１Ａとは反対側に位置する部分のセラミック基体１１及び静電電極１２と接触している。セラミック材１４は、静電電極１２の面１２Ｂの一部を露出する開口部１９を有する。開口部１９は、セラミック基体１１に形成された開口部１７と対向するように配置されている。

セラミック材１４は、例えば、アルミナ及び第２のフラックス等から構成することができる。セラミック材１４に含まれる第２のフラックスの含有率は、セラミック基体１１に含まれる第１のフラックスの含有率よりも高くなるように設定されている。具体的には、第１のフラックスの含有率が０重量％よりも高く１重量％以下の場合、第２のフラックスの含有率は、例えば、４重量％以上１０重量％以下とすることができる。

このように、基板載置面１１Ａとは反対側に位置する部分のセラミック基体１１と静電電極１２の面１２Ｂとの間に、第２のフラックスを含み、セラミック基体１１及び静電電極１２と接触するセラミック材１４を設けると共に、セラミック材１４に含まれる第２のフラックスの含有率をセラミック基体１１に含まれる第１のフラックスの含有率よりも高くすることにより、セラミック材１４に含まれる第２のフラックスがセラミック基体１１及び静電電極１２に移動して、セラミック基体１１及び静電電極１２とセラミック材１４との間において十分なアンカー効果を発生させることが可能となる。これにより、セラミック基体１１と静電電極１２との間の接合強度を向上させることができる。セラミック材１４の厚さは、例えば、１０μｍとすることができる。

本実施の形態の静電チャックによれば、プラズマによる損傷を受けにくいセラミック基体１１と静電電極１２との間に、第２のフラックスを含み、セラミック基体１１及び静電電極１２と接触するセラミック材１３，１４を設けると共に、セラミック材１３，１４に含まれる第２のフラックスの含有率（具体的には、４重量％以上１０重量％以下）をセラミック基体１１に含まれる第１のフラックスの含有率（具体的には、０重量％よりも高く１重量％以下）よりも高くすることにより、セラミック材１３，１４とセラミック基体１１及び静電電極１２との間において十分なアンカー効果を発生させることが可能となるため、プラズマによる損傷を受けにくいセラミック基体１１と静電電極１２との間の接合強度を向上させることができる。

また、アルミナが含まれたセラミック基体１１を用いる場合において、セラミック材１３，１４にアルミナを含ませることにより、セラミック基体１１とセラミック材１３，１４との密着性を向上させることができる。

なお、セラミック基体１１に含まれる第１のフラックスの含有率よりも高い値の範囲内で、セラミック材１３に含まれる第２のフラックスの含有率とセラミック材１４に含まれる第２のフラックスの含有率とを異なる値としてもよい。

また、第１及び第２のフラックスは、酸化珪素、炭酸カルシウム、及び酸化マグネシウムのうち、少なくともいずれか一種を含んでおればよい。

図８〜図１４は、本発明の実施の形態に係る静電チャックの製造工程を示す図である。図８〜図１４において、本実施の形態の静電チャック１０と同一構成部分には同一符号を付す。

図８〜図１４を参照して、本実施の形態の静電チャック１０の製造方法について説明する。始めに、図８に示す工程では、第１のグリーンシート２５と、第２のグリーンシート２６とを準備する。第１及び第２のグリーンシート２５，２６は、アルミナ、第１のフラックス、バインダー、及び可塑材等から構成されている。第１及び第２のグリーンシート２５，２６に含まれるアルミナの含有率は、９９重量％以上（第１のフラックスの含有率が１重量％以下）とされている。第１及び第２のグリーンシート２５，２６に含まれる第１のフラックスは、酸化珪素、炭酸カルシウム、及び酸化マグネシウム等により構成されている。バインダーは、有機物の接合剤である。可塑材は、第１及び第２のグリーンシート２５，２６に柔軟性を持たせるための材料である。可塑材としては、例えば、ポリエチレングリコールやジブチルフタレート等を用いることができる。

第１のグリーンシート２５の厚さは、例えば、１．２ｍｍとすることができる。また、第２のグリーンシート２６の厚さは、例えば、１．２ｍｍとすることができる。第１及び第２のグリーンシート２５，２６は、所望の厚さとなるように、それぞれ複数のグリーンシートを積層させた構成としてもよい。第１及び第２のグリーンシート２５，２６は、先に説明したセラミック基体１１（図２参照）の母材である。第１及び第２のグリーンシート２５，２６は、焼成されることにより、セラミック基体１１となる。

次いで、図９に示す工程では、第１のグリーンシート２５の面２５Ａに、第１のアルミナペースト２８を形成する（第１のアルミナペースト形成工程）。具体的には、印刷法により、第１のアルミナペースト２８を形成する。

第１のアルミナペースト２８は、アルミナと、第２のフラックスとを含んだ構成とされている。第１のアルミナペースト２８に含まれる第２のフラックスの含有率は、第１及び第２のグリーンシート２５，２６に含まれる第１のフラックスの含有率よりも高くなるように設定されている。具体的には、第１のフラックスの含有率が０％重量よりも高く１％重量以下の場合、第２のフラックスの含有率は、例えば、４重量％以上１０重量％以下とすることができる。第１のアルミナペースト２８の厚さは、例えば、１０μｍとすることができる。第１のアルミナペースト２８は、先に説明したセラミック材１３（図７参照）の母材となるものである。第１のアルミナペースト２８は、焼成されることにより、セラミック材１３となる。

次いで、図１０に示す工程では、第１のアルミナペースト２８の面２８Ａを覆うように、導電性ペースト３１を形成する（導電性ペースト形成工程）。具体的には、印刷法により、導電性ペースト３１を形成する。導電性ペースト３１としては、例えば、Ｗペーストを用いることができる。導電性ペースト３１の厚さは、例えば、２０μｍとすることができる。導電性ペースト３１は、焼成することにより、先に説明した静電電極１２（図７参照）となる。

次いで、図１１に示す工程では、第２のグリーンシート２６の面２６Ａに、第２のアルミナペースト３２を形成する（第２のアルミナペースト形成工程）。具体的には、印刷法により、第２のアルミナペースト３２を形成する
第２のアルミナペースト３２は、アルミナと、第２のフラックスとを含んだ構成とされている。第２のアルミナペースト３２に含まれる第２のフラックスの含有率は、第１及び第２のグリーンシート２５，２６に含まれる第１のフラックスの含有率よりも高くなるように設定されている。具体的には、第１のフラックスの含有率が０％重量よりも高く１％重量以下の場合、第２のフラックスの含有率は、例えば、４重量％以上１０重量％以下とすることができる。第２のアルミナペースト３２の厚さは、例えば、１０μｍとすることができる。第２のアルミナペースト３２は、先に説明したセラミック材１４（図７参照）の母材となるものである。第２のアルミナペースト３２は、焼成されることにより、セラミック材１４となる。

次いで、図１２に示す工程では、第２のグリーンシート２６に貫通穴３４と、第２のアルミナペースト３２に貫通穴３５とを同時に形成する。貫通穴３４は、焼成されることにより、先に説明した開口部１７（図２参照）となるものである。また、貫通穴３５は、焼成されることにより、先に説明した開口部１９（図２参照）となるものである。

次いで、図１３に示す工程では、第２のアルミナペースト３２と導電性ペースト３１の面３１Ａとが接触するように、第１のアルミナペースト２８及び導電性ペースト３１が形成された第１のグリーンシート２５と、第２のアルミナペースト３２が形成された第２のグリーンシート２６とを圧力を印加しながら積層する（積層工程）。

次いで、図１４に示す工程では、図１３に示す構造体を焼成する（焼成工程）。これにより、セラミック基体１１と、静電電極１２と、セラミック材１３，１４とを備えた静電チャック１０が製造される。焼成温度は、例えば、１５５０℃、焼成時間は、例えば、６０時間とすることができる。

本実施の形態の静電チャックの製造方法によれば、第１のグリーンシート２５に設けられた第１のアルミナペースト２８に導電性ペースト３１を形成し、第２のアルミナペースト３２と導電性ペーストと３１が接触するように、第１のアルミナペースト２８及び導電性ペースト３１が形成された第１のグリーンシート２５と、第２のアルミナペースト３２が形成された第２のグリーンシート２６とを積層し、その後、積層された構造体を焼成すると共に、第１のアルミナペースト２８に含まれる第２のフラックスの含有率及び第２のアルミナペースト３２に含まれる第２のフラックスの含有率を第１及び第２のグリーンシート２５，２６に含まれる第１のフラックスの含有率よりも高くすることにより、第１のアルミナペースト２８と第１のグリーンシート２５及び導電性ペースト３１との間、及び第２のアルミナペースト３２と第２のグリーンシート２６及び導電性ペースト３１との間において十分なアンカー効果を発生させることが可能となるため、プラズマによる損傷を受けにくいセラミック基体１１と静電電極１２との間の接合強度を向上させることができる。

なお、第１のアルミナペースト２８に含まれる第２のフラックスの含有率と第２のアルミナペースト３２に含まれる第２のフラックスの含有率とを異ならせてもよい。

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

本発明は、セラミック基体に含まれるフラックスの含有率を、プラズマによりセラミック基体が損傷を受けにくいような値とした静電チャック及びその製造方法に適用できる。

従来の静電チャックの断面図である。 従来の静電チャックの製造工程を示す図（その１）である。 従来の静電チャックの製造工程を示す図（その２）である。 従来の静電チャックの製造工程を示す図（その３）である。 従来の静電チャックの製造工程を示す図（その４）である。 従来の静電チャックの製造工程を示す図（その５）である。 本発明の実施の形態に係る静電チャックの断面図である。 本発明の実施の形態に係る静電チャックの製造工程を示す図（その１）である。 本発明の実施の形態に係る静電チャックの製造工程を示す図（その２）である。 本発明の実施の形態に係る静電チャックの製造工程を示す図（その３）である。 本発明の実施の形態に係る静電チャックの製造工程を示す図（その４）である。 本発明の実施の形態に係る静電チャックの製造工程を示す図（その５）である。 本発明の実施の形態に係る静電チャックの製造工程を示す図（その６）である。 本発明の実施の形態に係る静電チャックの製造工程を示す図（その７）である。

符号の説明

１０ 静電チャック
１１ セラミック基体
１１Ａ 基板載置面
１２ 静電電極
１２Ａ，１２Ｂ，２５Ａ，２５Ｂ，２６Ａ，２８Ａ，３１Ａ 面
１３，１４ セラミック材
１７，１９ 開口部
２５ 第１のグリーンシート
２６ 第２のグリーンシート
２８ 第１のアルミナペースト
３１ 導電性ペースト
３２ 第２のアルミナペースト
３４，３５ 貫通穴

Claims (6)

1. アルミナと、第１のフラックスと、を含有したセラミック基体と、
   前記セラミック基体に内蔵された静電電極と、
   前記セラミック基体と前記静電電極との間に、第２のフラックスを含み、前記セラミック基体及び前記静電電極と接触するセラミック材と、を備え、
   前記セラミック材に含まれる前記第２のフラックスの含有率は、前記セラミック基体に含まれる前記第１のフラックスの含有率よりも高いことを特徴とする静電チャック。
2. 前記セラミック材は、アルミナを主成分とすることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。
3. 前記第１のフラックスの含有率は、前記セラミック基体がプラズマによる損傷を受けにくい値であることを特徴とする請求項１又は２記載の静電チャック。
4. 前記第１のフラックス及び前記第２のフラックスは、酸化珪素、炭酸カルシウム、及び酸化マグネシウムのうち、少なくともいずれか１種を含むことを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか一項記載の静電チャック。
5. 前記セラミック基体に含まれる前記第１のフラックスの含有率は、１重量％以下であることを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか一項記載の静電チャック。
6. 積層された複数のグリーンシートを焼成することにより形成されるセラミック基体と、前記セラミック基体に内蔵され、導電性ペーストを焼成することにより形成される静電電極と、を備え、
   前記セラミック基体に含まれるフラックスの含有率を、プラズマにより前記セラミック基体が損傷を受けにくい値とした静電チャックの製造方法であって、
   前記複数のグリーンシートは、少なくとも第１のグリーンシートと、第２のグリーンシートとを有し、
   前記第１及び第２のグリーンシートは、アルミナと、第１のフラックスと、を含み、
   前記第１のグリーンシートに、第２のフラックスを含んだ第１のアルミナペーストを形成する第１のアルミナペースト形成工程と、
   前記第１のアルミナペーストに、前記導電性ペーストを形成する導電性ペースト形成工程と、
   前記導電性ペーストと対向する部分の前記第２のグリーンシートに、前記第２のフラックスを含んだ第２のアルミナペーストを形成する第２のアルミナペースト形成工程と、
   前記第２のアルミナペーストと前記導電性ペーストとが接触するように、前記第１のアルミナペースト及び前記導電性ペーストが形成された前記第１のグリーンシートと、前記第２のアルミナペーストが形成された前記第２のグリーンシートとを積層させる積層工程と、
   前記積層工程後に、前記第１のアルミナペースト及び前記導電性ペーストが形成された前記第１のグリーンシートと、前記第２のアルミナペーストが形成された前記第２のグリーンシートとが積層された構造体を焼成する焼成工程と、を含み、
   前記第１及び第２のアルミナペーストに含まれる前記第２のフラックスの含有率を前記第１及び第２のグリーンシートに含まれる前記第１のフラックスの含有率よりも高くしたことを特徴とする静電チャックの製造方法。

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