JP2008518453A - プリント可能な有機質不揮発性受動記憶要素とその製法 - Google Patents

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ウエトルツ,ミシエル
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Abstract

少なくとも1つの導電面又は表面層を備えるサポートと、該サポートの少なくとも1つの側上の受動記憶要素と、を具備する受動記憶装置であって、該受動記憶要素は第1電極システムと、絶縁システムとそして第2電極システムと、を備えており、該第1電極システムは該第2電極システムから絶縁されており、該第1電極システムはサポートの導電面又は導電層であり、該第2電極システムは複数の分離された導電範囲及び/又は相互から分離された複数の導電ピンであり、そして該分離された導電範囲の少なくとも1つ、又は該導電ピンの少なくとも1つ、と該第1電極システムとの間に導電性ブリッジがあり、該第1電極システムがサポートの導電面であることを除けば、該システムと該導電性ブリッジは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である該受動記憶装置と、そして該受動記憶装置を提供する工程であるが、該サポートを提供する過程と、もし該サポートが非金属性であるなら該サポート上に該導電性層を実現する過程と、該導電面又は導電層上に絶縁パターンシステムを実現する過程と、該絶縁パターンシステム上に複数の分離された導電範囲をオプションで提供する過程と、そして該第1電極システムと、該分離された導電範囲及び/又は相互から分離された複数の導電性ピン、の少なくとも1つと、の間で予め指定された点に導電性ブリッジを提供する過程と、を具備しており、該導電層をオプション的に提供する過程と、絶縁パターンシステムを提供する過程と、第2電極層システムをオプションで提供する過程と、導電性ブリッジを提供する過程、の少なくとも1つは従来のプリンティング工程により実現される該受動記憶装置を提供する工程。

Description

本発明はプリント可能(printable)な受動記憶要素(passive memory element)と同品の製法に関する。
現在、例えば、パッケージングの偽造防止用タグ(anti−counterfeiting tags)として、使い捨て可能で、廉価で、柔軟で、情報が中に記憶される、受動記憶装置を有するタグ及びラベル(passive memory device−containing tags and labels)の益々増大する需要がある。該情報の書き込み(writing)を有するこの様な不揮発性記憶要素の生産は、容易で、廉価であるべきで、好ましくは、該タグ、ラベルそしてパッケージのプリンティング工程(package printing process)又は該パッケージング工程(packaging process)自身に組み入れられるべきで、そして簡単で、廉価な材料から成りそして最小の処理過程(processing steps)を含むべきである。パッケージ内での使用のために、該記憶装置が比較的強靱で、機械的衝撃、温度変化そして他の環境的影響に可成り鈍感なことが重要である。
従来のシリコンベースの半導体メモリー(silicon−based semiconductor memories)は高価で複雑な処理を要する欠点を有し、その高い処理温度と非柔軟性とはそれらがパッケージング基板(packaging substrates)上で使用されることを不適切にしている。更に、シリコンベースの半導体メモリーは廃棄時(upon disposal)可成りの環境問題(environmental issues)を提起する。特許文献1は、各指定された記憶素子(designated memory cells)がその中に配置された抵抗変化成分(resistance−altering constituent)を有する、複数の記憶素子内の少なくとも1つの指定記憶素子を具備する装置を開示しているが、シリコンベースの読み出し専用の抵抗器メモリー(read−only resistor memories)のみを例示している。特許文献2はメモリーの製作方法を開示しており、該製作方法は、複数の記憶素子が多結晶シリコン(polycrystalline silicon)と、少なくとも1つのIA族元素(Group IA element)を含む抵抗変化成分と、を有するが、該複数の記憶素子内に抵抗変化成分を拡散する過程と、該抵抗変化成分の打ち込まれた線量(implanted dose)の少なくとも1部分を少なくとも1つの記憶素子の導電層(conductive layer)から移動する過程と、を具備する。これらの抵抗器メモリーでは、情報は予め選択された交点(pre−selected crossing points)での抵抗の変化により記憶される。もし各記憶素子内の抵抗がビットライン(bit lines)及びワ−ドライン(word lines)の抵抗より著しく高いなら隣接ワードライン間のクロストーク(Crosstalk)は減じられる。しかしながら、これは代わりの電流通路(alternative current paths)の存在を防止しない。
特許文献3は高密度ROMデバイス(high density ROM device)を開示しており、該デバイスは基板(substrate)及び少なくとも1つのメモリーアレイ(memory array)を具備しているが、該メモリーアレイは、該基板の表面上に配置された第1絶縁層と、該第1絶縁層上に配置され第1方向に延びる複数のビットラインであるが、前記ビットラインは本質的に等しい間隔で相互から隔てられている、該ビットラインと、該複数のビットライン上に形成された第2絶縁層と、該第2絶縁層内に形成され該ビットラインの1部分を露出する少なくとも1つの通路(via)
と、そして該第2絶縁層上に配置され、角度を形成するよう該第1方向と交叉する第2方向に延びる複数ワードラインであるが、前記ワードラインは本質的に等しい間隔で相互から隔てられている、該ワードラインと、を備えており、そこでは該ワードラインの幾本かは該通路を使って該ビットラインと接続され、該ワードラインの幾本かは該第2絶縁層を使って該ビットラインから分離されている。
特許文献3はシリコンに基づかないが、金属のビットライン及びワードラインが存在する読み出し専用記憶装置(read only memory device)を開示している。電気的相互接続(Electrical interconnects)は該ビットライン及びワードライン間に存在する予め選択された通路内の金属の塗布(application)により行われる。
しかしながら、特許文献3,1そして2で開示された抵抗器記憶素子用の生産工程の全ては該金属又はシリコン構造体を応用するために蒸発(evaporation)及びエッチング方法(etching methods)に依存し、該方法は300℃から400℃の範囲の高温度を要し、該温度はポリマーベース又はペーパーベースの基板(polymer−based or paper−based substrates)の熔解(melting)又は深刻な劣化(severe degradation)に帰着して、従ってそれをパッケージング用には不適切にする。従って、この様な金属又はシリコン構造体はそれら自身をタグ、ラベル、そしてパッケージプリンティング工程又はパッケージング工程内へ組み込ませず、又それらはそれら自身を環境にやさしい廃棄処理へ向かわせもしない。
情報はアンティヒューズ原理(anti−fuse principle)を使うことによりワーム(WORM)メモリーに電気的に記憶され得る。例えば、特許文献4は有機質記憶素子を製作する方法を開示しており、該方法は、第1電極を提供する過程と、導電性促進化合物(conductivity facilitating compound)を有する受動的層を該第1電極上に形成する過程と、スピンオン技術(spin−on technique)を使って該受動的層上に有機半導体層を形成する過程であるが、該スピンオン技術は、i)共役有機ポリマー(conjugated organic polymer)、共役有機金属化合物(conjugated organomtallic compound)、共役有機金属ポリマー(conjugated organometallic polymer)、バッキーボール(buckyball)そしてカーボンナノチューブ(carbon nanotube)の少なくとも1つと、ii)グリコールエーテルエステル(glycol ether esters)と、グリコールエーテルと、フラン(furans)とそして約4から約7炭素原子を含むアルキルアルコール(alkyl alcohols)と、から成る群から選択された少なくとも1つの溶媒(solvent)と、の混合物を適用する過程を有する該有機半導体層を形成する過程と、そして該有機半導体層上に第2電極を提供する過程と、を具備する。
更に、特許文献5は電子スイッチ(electronic switch)を開示しているが、該スイッチは第1導体と、第2導体と、そして該第1導体及び該第2導体に接触し、かつ両者間に横たわる導電性有機ポリマー層(conductive organic polymer layer)であるが、該導電性有機ポリマー層は該有機ポリマー層が該第1導体と該第2導体の間に比較的高い導電率で電流を導く第1状態と、該有機ポリマー層が該第1導体と該第2導体の間に比較的低い導電率で電流を導く第2状態と、の1つにある該導電性有機ポリマー層と、を具備する。ワードラインとビットラインの間にある半導体層の抵抗は‘高い’電圧パルスを印加し、それにより該抵抗を増加することにより電気的に変えられ得る。代わりの電流通路を防止するために、ダイオードを形成するよう各記憶素子内の該ワードラインとビットラインの間に追加層を含むことが必要であり
、それによりその製造工程はより複雑になる。
メモリーのプリンティングが幾つかの異なる種類のデバイス用の技術で提案されて来た。特許文献6は記憶装置を開示しており、該記憶装置は、第1の側と第2の側を有する第1の半導電性ポリマー膜であるが、前記第1の半導電性ポリマー膜は有機ドーパント(organic dopant)を有している該第1の半導電性ポリマー膜と、前記第1の半導電性ポリマー層の前記第1の側に接続され、相互に実質的に平行な第1の複数の導体と、そして前記第1の半導電性ポリマー層の前記第2の側に接続され、相互に実質的に平行で、かつ、前記第1の複数の導体と実質的に相互に直交する第2の複数の導体とを具備しており、そこでは電荷は前記有機ドーパント上に局所化されている。2つの導電ラインパターン間に成層された該ドープされた半導電性膜の構造体は簡単である。しかしながら、これらのメモリーは揮発性で、もし電力が印加されないなら該情報は失われる。特許文献7は、記憶素子位置の電極の表面上のカバーする絶縁膜の存否により状態(state)を記憶する記憶装置を製造する方法を開示しており、該方法は予め決められた記憶素子位置の電極表面を絶縁材料でカバーするためにインクジェットヘッド(inkjet head)を使って予め決められた記憶素子位置で電極の表面へ絶縁材料を選択的に噴射する(ejecting)過程を具備する。
特許文献8は、電子的に読み出し可能な(electronically readable)コードを記憶するバーコード回路(bar code circuit)であるが、そこでは該コードはポリマープリンティング工程で規定される、該バーコード回路と、バーコードリーダーが該バーコード回路内に記憶された該コードにアクセスすることを可能にするため該バーコード回路に接続されたインターフエースと、を具備する電子的バーコード(electronic bar code)を開示している。しかしながら、該プリントされた電子回路は受動的マトリックスから成るのでなく、その部品の存否又はその接続が記憶される情報を決定する多数の電子部品から成る。
特許文献9は複数の記憶素子を有するマスクROM(mask ROM)を開示しており、該記憶素子は主面(main surface)を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記主面上で列方向(column direction)に延びる複数の平行な第1信号ラインと、前記半導体基板の前記主面上で行方向(row direction)に延び、各々が前記複数の記憶素子のそれぞれの記憶素子を形成する複数のクロスオーバー(crossovers)で前記複数の第1信号ラインと交叉する複数の平行な第2信号ラインと、前記複数の第1信号ラインと前記複数の第2信号ラインの間に形成される絶縁膜と、そして前記複数の第1信号ラインの1つと前記複数の第2信号ラインの1つとを選択し、該選択された第1信号ラインと該選択された第2信号ラインの間に電位差(potential difference)を印加することにより該選択された第1信号ラインと該選択された第2信号ラインの間に電場を引き起こす、ための選択手段と、を具備しており、前記絶縁膜は、データ記憶用の前記複数のクロスオーバーの各々で、i)該選択手段により選択された第1信号ラインと該選択手段により選択された該第2信号ラインの間で例え電場が受信されても、該選択された第1信号ラインと該選択された第2信号ラインの間を絶縁状態を保つに必要な第1厚さと、ii)該選択手段により選択された該第1信号ラインと該第2信号ラインの間で電場が受信された時該選択された第1信号ラインと該選択された第2信号ラインの間で第1トンネル電流(first tunnel current)を流れさせるための第2厚さと、そしてiii)該選択手段により選択された該第1信号ラインと該第2信号ラインの間で電場が受信された時該選択された第1信号ラインと該選択された第2信号ラインの間で第2トンネル電流を流れさせるための第3厚さ、の1つを有する。そこで1つの記憶素子内の多数ビットレベルの記憶を伴うトンネル現象が発生される、分離用酸化物膜により分離された導電性電極に基づく受動的マトリックスROMの生産が特許文献9で開示される。酸化物層厚さの変動は層を通る種々のトンネル電流に導き、それは各セル内の情報の多数レベル用の符号化を行う。
特許文献10は、中でその2つのアルコシキ基(alkoxy groups)が同じであるか、又は異なるか、又はオプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジ(oxy−alkylene−oxy bridge)を一緒に表す3,4ジアルコキシチオフェン(3,4−dialkoxythiophene)のポリマー又はコーポリマーと、ポリアニオン(polyanion)とそして非ニュートンバインダー(non−Newtonian binder)と、を具備する水性組成物(aqueous
composition)と、オプション的に代替えされたサポート(subbed suport)、誘電体層(dielectric layer)、リン光層(phosphor layer)又はオプション的に透明な導電性コーティングに、上記水性配合物を塗布する過程と、そしてそれにより塗布された水性配合物を乾燥する過程と、を具備する導電層を用意する方法と、導電層を用意するための上記説明の方法により用意される帯電防止及び導電性コーティング(antistatic and electroconductive coating)と、上記説明の水性配合物を含むプリンティングインク又はペーストと、そして上記説明のプリンティングインクを提供する過程と、オプション的に代替えされたサポート、誘電体層、リン光層又はオプション的に透明な導電性コーティングの上に該プリンティングインクをプリントする過程と、を具備するプリンティング工程と、を開示している。しかしながら、特許文献10は、ランプ、ディスプレー(displays)、バックライト(back−lights)例えばLCD、自動車ダッシュボード(automobile dashboard)及びキースイッチバックライティング(keyswitch backlighting)、緊急用照明(emergency lighting)、セルラーフォン、パーソナルデジタルアシスタント、ホームエレクトロニクス(home electronics)、指示灯(indicator lamps)そして光放射が必要な他の応用品で使われ得るエレクトロルミネッセント(electroluminescent)デバイスの生産の過程である、オプション的に代替えされたサポート、誘電体層、リン光層又はオプション的に透明な導電層に帯電防止又は導電性層を塗布するためのこの様なインクの塗布を開示しているのみである。
特許文献11は、中でその2つのアルコシキ基は同じであるか、又は異なるか、又はオプション的に置換されたオキシアルキレンオキシブリッジを一緒に示してもよい3,4−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーと、ポリアニオンとそしてラテックスバインダーとを、溶媒又は水性媒体内に含む染料を含まないフレキソグラフィックインク(flexographic ink)であり、3,4−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーが重量で少なくとも0.1%の濃度で該インク内にあり、該インクは比色計では加成性を示す(colorimetrically additive)透明プリントを作ることが出来る特徴を有する該フレキソグラフィックインクと、該フレキソグラフィックインク(flexographic ink)を用意する方法と、それを用いたフレキソグラフィックプリンティング工程と、を開示している。しかしながら、特許文献11は、玩具の様な1つの又は限られた使用品目用の電気回路の生産で、無線周波数タグ(radiofrequency tags)の部品としての容量性アンテナ(capacitive antennae)で、ランプ、ディスプレー、バックライト例えばLCD、自動車ダッシュボード及びキースイッチバックライティング、緊急用照明、セルラーフォン、パーソナルデジタルアシスタント、ホームエレクトロニクス、指示灯そして光放射が必要な他の応用品で使われ得るエレクトロルミネッセントデバイスで、の生産の過程である、オプション的に代替えされたサポート、誘電体層、リン光層そして透明な導電層に帯電防止及び導電性パターンを塗布するためのこの様なインクの塗布を示すのみである。
従って、タグ、ラベル又はパッケージのプリティング工程で、又はパッケージング工程自身に容易に組み入れられ得る、情報記憶の容易で廉価な手段のニーヅが存在する。
更に、この様な容易で廉価な情報記憶手段は自らを環境に優しい廃棄(environmentally friendly disposal)に供することを可能にするに違いない。
従来技術
今まで下記の従来技術の文書が本出願人に公知である。
米国特許第6,542,397号明細書、2003年4月1日発行 米国特許第6,649,499号明細書、2003年11月18日発行 米国特許第6,107,666号明細書、2000年8月22日発行 米国特許第6,656,763号明細書、2003年12月2日発行 米国特許出願第2004/0149、552A1号明細書、2004年8月5日発行 米国特許出願第2003/0230、746A1号明細書、2003年12月18日発行 米国特許出願第2001/039、124A1号明細書、2001年11月8日発行 国際公開第WO02/0029706A1号パンフレット、2002年4月11日発行 米国特許第5,464,989号明細書、1995年11月7日発行 国際公開第WO02/079316A1号パンフレット、2002年10月10日発行 国際公開第WO03/000765A1号パンフレット、2003年1月3日発行 欧州特許出願公開第EP−A1054414号明細書 米国特許第6,055,180号明細書 国際公開第WO−A03/048228号パンフレット 国際公開第WO−A03/048229号パンフレット Shawn Smith and Stephen R.Forrest:"A low switching voltage organic−on−inorganic heterojunction memory element utilizing a conductive polymer fuse on a doped silicon substrate"in Applied Physics Letters、 volume 84(24)、pages 5019−5021(2004)publication date June 14,2004
発明の側面(ASPECTS OF THE INVENTION)
以上から本発明の側面は、廉価な不揮発性メモリー素子を提供することである。
以上から本発明の更に進んだ側面は、タグ、ラベル又はパッケージのプリンティング工程又はパッケージング工程自体に容易に組み込まれ得る、情報を記憶する容易で廉価な手段を実現することである。
本発明の更に進んだ側面は、自身を環境的にやさしい廃棄に帰させることが出来て、情報を記憶する容易で廉価な手段を実現することである。
本発明のなお更に進んだ側面は、導電性又は半導電性材料(electrical conducting or semiconducting)のパッド(pads)が導電面上に提供されること、そして分離用材料(isolating material)が第1及び第2電極の間に、該2つの電極平面が直接の物理的及び電気的接触無しに相互の頂部上にあるよう、提供されること、そして導電又は半導電材料が予め選択された位置に提供され、電気的相互接続(electrical interconnect)を行うために該第1及び第2両電極に接触することを特徴とする電子装置を実現することである{導電性ブリッジ(conductive bridge)}。
本発明の更に進んだ側面と利点はこの後の説明から明らかになるだろう。
本発明の概要(SUMMARY OF THE INVENTION)
第1の電極システム(first electrode system)と、第2のパターン化した電極システム(second patterned electrode system)と、該第1の電極システムと該第2のパターン化した電極システムの間の絶縁システム(insulating system)と、そして該第1の電極システムと第2のパターン化した電極システムの間の少なくとも1つの導電性ブリッジ(conductive bridge)と、を具備する要素であるが、該第1の電極システムは導電面(conductive surface)又は導電層(conductive layer)でありそして該少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く(absence)場合は該第1及び該第2電極システム間には直接の電気的接触は無い該要素が、従来のプリンティング工程(printing processes)でプリント可能(printable)であることが驚くことに見出された。
本発明の側面は、第1電極システム及び第2電極システムを具備する受動記憶要素であって、該第1電極システムはパターン化した絶縁システムにより該第2電極システムから絶縁されており、該第1電極システムは導電面又は導電層であり、該第2電極システムは複数の分離された導電範囲(isolated conductive areas)及び/又は相互から分離された複数の導電ピン(conducting pins)であり、該第2電極システムの該分離された導電範囲の少なくとも1つと該第1電極システムの間に導電性ブリッジがあるか、又は該第1電極システムと隣接しない該絶縁システムの側上の少なくとも1つの予め指定された点から該導電面又は導電層まで少なくとも1つの導電小球(conductive blob)が提供され、該導電小球は該第2電極システムの該複数の導電ピンの1つが該パターン化された絶縁システム上の該導電小球の部分と接触する時、該第1及び該第2電極システム間に、単に読み出し目的用に、導電性ブリッジを作り、該少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第1及び該第2電極システム間に直接の電気的接触は無く、そして該第1電極システムが金属サポートの導電面であることを除けば、該システム、該少なくとも1つの導電性ブリッジそして該少なくとも1つの導電小球が従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である、該受動記憶要素により実現される。
又本発明の側面は第1受動記憶装置により実現されるが、該第1受動記憶装置は少なくとも1つの受動記憶要素と、該受動記憶要素を提供されたその少なくとも1つの側に少なくとも1つの導電面又は表面層(surface layer)を備えたサポートと、を具備しており、該受動記憶要素は第1電極システム及び第2電極システムを備え、該第1電極システムはパターン化した絶縁システムにより該第2電極システムから絶縁され、該第1電極システムは導電面又は導電層であり、該第2電極システムは相互から分離された複数の導電ピンをオプションとして一緒に伴う、複数の分離された導電範囲であり、該第
2電極システムの該分離された導電範囲の少なくとも1つと該第1電極システムとの間に導電性ブリッジがあり、該少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は該第1及び該第2のパターン化した電極システム間に直接の電気的接触は無く、そして該第1電極システムが金属サポートの導電面であることを除けば、該システムと該導電性ブリッジは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である。
又本発明の側面は第2受動記憶装置用の前駆体(precursor)により実現されれが、該前駆体はサポートと、該サポートの少なくとも1つの側の、該サポートの導電面又は該サポート上の導電層と、該導電面又は該導電層上のパターン化した絶縁システムと、そして該導電面又は該導電層を該パターン化した絶縁システム上の少なくとも1つの位置へリンクする少なくとも1つの導電小球と、を具備しており、該オプションの導電層と、該パターン化した絶縁システムとそして該少なくとも1つの導電小球とは従来のプリンティング技術を使ってプリント可能である。
又本発明の側面は第2受動記憶装置により実現されるが、該第2受動記憶装置は少なくとも1つの受動記憶要素と、該受動記憶要素を提供されるその少なくとも1つの側に少なくとも1つの導電面又は表面層を備えるサポートと、を具備しており、該受動記憶要素は第1電極システムとしての該サポートの導電面又は該サポート上の表面層と、絶縁システムとを備えており、少なくとも1つの導電小球が該第1電極システムと隣接しない該絶縁システムの側上の少なくとも1つの予め指定された点から該第1電極システムまで提供され、該小球は、該第2電極システムの該複数の導電ピンの1つが該パターン化した絶縁システム上の該導電小球の部分に接した時、該第1及び該第2電極システム間で、単に読み出し目的用に、導電性ブリッジを作り、該少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は該第1電極システム及び第2電極システム間には直接の電気的接触は無く、そして該第1電極システムが金属サポートの導電面であることを除けば、該システムと該少なくとも1つの導電小球は従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である。
又本発明の側面は第1受動記憶装置を提供する工程により実現されるが、該装置は少なくとも1つの受動記憶要素と、該受動記憶要素を提供されるその少なくとも1つの側上に少なくとも1つの導電面又は導電層を備えるサポートと、を具備しており、該受動記憶要素は第1電極システムと第2電極システムとを備えており、該第1電極システムは該第2電極システムから絶縁されており、該第1電極システムは導電面又は導電層であり、該第2電極システムは相互から分離された複数の導電ピンをオプションとして一緒に伴う、複数の分離された導電範囲であり、該第2電極システムの該分離された導電範囲の少なくとも1つと該第1電極システムの間には導電性ブリッジがあり、該少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は該第1及び該第2のパターン化した電極システム間には直接の電気的接触は無く、そして該第1電極システムが金属サポートの該導電面であることを除けば該システムと該導電性ブリッジは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である、該第1受動記憶装置を提供する工程は、該サポートを提供する過程と、もし該サポートが非金属性であれば該サポート上に該導電層を実現する過程と、該導電面又は導電層上にパターン化した絶縁システムを実現する過程と、該パターン化した絶縁システム上に複数の分離された導電範囲を提供する過程と、そして該分離された導電範囲の少なくとも1つと該導電面又は該導電層との間で予め指定された点に導電性ブリッジを提供する過程と、を具備しており、導電層をオプション的に提供する過程と、パターン化した絶縁システムを提供する過程と、複数の分離した導電範囲を提供する過程と、そして導電性ブリッジを提供する過程と、の少なくとも1つは従来のプリンティング工程で実現される。
又本発明の側面は第2受動記憶装置用前駆体を提供する工程により実現されるが、該前駆体はサポートと、該サポートの少なくとも1つの側の、該サポートの導電面又は該サポート上の導電層と、該導電面又は該導電層上のパターン化した絶縁システムと、そして該導電面又は該導電層を該パターン化した絶縁システム上の少なくとも1つの位置へリンクする少なくとも1つの導電小球と、を具備しており、該オプションの導電層、該パターン化した絶縁システムそして該少なくとも1つの導電小球は従来のプリンティング技術を使ってプリント可能である、該前駆体を提供する工程は、該サポートを提供する過程と、該サポートが非金属性であれば該サポート上に該導電層を実現する過程と、該パターン化した絶縁システムを実現する過程と、そして該第1電極システムに隣接しない該絶縁システムの側から該導電面又は該導電層まで予め指定された点で導電小球を提供する過程と、を具備しており、導電層をオプション的に提供する過程と、該絶縁システムを提供する過程と、そして該導電小球を提供する過程と、の少なくとも1つは従来のプリンティング工程で実現される。
又本発明の側面は第2受動記憶装置を提供する工程により実現されるが、該受動記憶装置は少なくとも1つの受動記憶要素と、該受動記憶要素を提供されたその少なくとも1つの側に少なくとも1つの導電面又は表面層を備えるサポートと、を具備しており、該受動記憶要素は、第1電極システムとしての該サポートの該導電面又は該サポート上の該表面層と、絶縁システムとを備えており、該第1電極システムに隣接しない該絶縁システムの側上の少なくとも1つの予め指定された点から該第1電極システムまで少なくとも1つの導電小球が提供され、該小球は、第2電極システムの複数の導電ピンの1つが該パターン化した絶縁システム上の該導電小球の部分と接触した時、該第1及び該第2電極システム間に、単に読み出しの目的用に、導電性ブリッジを作り、該少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第1電極システムと第2電極システムの間に直接の電気的接触は無く、該第1電極システムが金属サポートの導電面であることを除けば、該システムと該少なくとも1つの導電小球は従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である、該第2受動記憶装置を提供する工程は、該サポートを提供する過程と、もし該サポートが非金属性であれば該サポート上に該導電層を実現する過程と、該パターン化した絶縁システムを実現する過程と、該第1電極システムに隣接しない該絶縁システムの側上の少なくとも1つの予め指定された点から該導電面又は該導電層まで少なくとも1つの導電小球を提供する過程と、そして単に読み出しの目的用の該第2電極システムとして複数のピンを実現する過程と、を具備しており、導電層をオプション的に提供する過程と、該絶縁システムを提供する過程と、該導電小球を提供する過程と、そして該第2電極システムを提供する過程と、の少なくとも1つが従来のプリンティング工程で実現される。
本発明の好ましい実施態様は本発明の詳細な説明で開示される。
本発明の詳細な説明(DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION)
定義(Definitions)
用語、受動的メモリー(passive memory)は、本発明の開示で使われる時、不揮発性メモリー(non−volatile memory)、すなわち、読み出し専用メモリー(read−only memory)を意味し、可逆メモリー(reversible memories)から区別されるべきである。
用語、“サポート(support)”は、本発明の開示で使われる時、サポート上でコートされるがそれ自身では自己支持しない“層(layer)”からそれを区別するため“自己支持材料(self−supporting material)”を意味する。又それは導電性表面層へか、又は絶縁システムへか、何れかへの接着(adhesion)に必要な何等かの処理、又は該接着を助けるべく付けられる層を含む。
用語、プリント可能な(printable)は、本発明の開示で使われる時、従来のインパクト(impact)及び/又はノンインパクト(non−impact)のプリ
ンティング工程によりプリントされることが出来ることを意味し、そして従来のエレクトロニクス(electronics)、例えば、シリコンベースのエレクトロニクスの生産で使われる蒸発(evaporation)、エッチング(etching)、拡散(diffusion)工程の様な工程は除く。
用語、従来のプリンティング工程(conventional printing processes)は、本発明の開示で使われる時、インクジェットプリンティング、インタグリオプリンティング(intaglio printing)、スクリーン(screen)プリンティング、フレキソグラフィック(flexographic)プリンティング、オフセット(offset)プリンティング、スタンプ(stamp)プリンティング、グラビヤ(gravure)プリンティング、そして感熱及びレーザー誘起工程(thermal and laser−induced processes)を含むがそれらに限定されない。
用語、インパクトプリンティングは、本発明の開示で使われる時、該プリントが作られる媒体(medium)と、該プリンティングシステム、例えば、デージーホイール(daisy−wheel)、ドットマトリックス(dot−matrix)そしてラインプリンター(line printers)の様にインクリボンを打つことにより作動するプリンター、そして感熱ヘッド内の加熱要素との直接接触によりサーモグラフイック材料(thermographic material)がプリントされる直接式感熱プリンター(direct thermal printers)そしてオフセット、グラビヤ又はフレキソグラフィックプリンティングの様にマスターが望まれる画像又は形状に対応する範囲上のインク層でカバーされ、その後該インクが該媒体に転送されるプリンター、との間で接触が行われるプリンティング工程を意味する。
用語、ノンインパクトプリンティング工程(non−impact printing
process)は、本発明の開示で使われる時、例えば、プリントが該プリント媒体を打つ必要無しに作られる電子製版プリンター、静電記録プリンター、レーザープリンター、インクジェットプリンターの様に、該プリントが作られる媒体と該プリンティングシステムとの間で接触が行われないプリンティング工程を意味する。
用語、導電性ブリッジ(conductive bridge)は、本発明の開示で使われる時、恒久的であるか又は単に読み出し目的用である第1及び第2電極システム間の電気的接触(electrical contact)を提供する何等かの形状を有する導電小球を意味する。恒久的導電性ブリッジの例は、分離された導電範囲(第2電極システム)と、導電面又は導電層(第1電極システム)の間のものである。単に読み出し目的用の導電性ブリッジの例は、導電面又は導電層(第1電極システム)と、該絶縁システム上で該第1電極システムに隣接しない該絶縁システムの側上の位置と、の間にブリッジを形成する導電小球(a conductive blob)の端部(the end)と、予め指定されたピン(predesignated pin)(第2電極システム)との間の接触時、形成されるもの(one which is formed upon contact)である。
用語、パターンは、本発明の開示で使われる時、不連続層(non−continuous layer)を意味し、それはどんな形のライン、方形、円又は何等かのランダム形状であってもよい。
用語、層は、本発明の開示で使われる時、例えば、サポートと呼ばれる実体(entity)の全範囲をカバーするコーティングを意味する。
用語、導電ピン(conducting pin)は、本発明の開示で使われる時、導電面と接触することが出来る導電用物体(conducting object)を意味し、そして隣接するピンと接触せずそして該導電面又は導電層との接触が実現するなら、例えば10μmから10mmの範囲の寸法を有する、どんな形状そしてどんな輪郭(profile)、例えば、方形、長方形、円形又は楕円形の輪郭を有することも出来る。該導電ピンは従って導電パッド(conductive pads)でもよい。
用語、メタライズされたサポート(metallized)は、本発明の開示で使われる時、その少なくとも1面が、例えば、プリンティング(printing)、積層(lamination)、金属箔(metal foil)の取り付け、スパッタリング(sputtering)そして蒸発(evaporation)の様な、当業者に公知の何等かの工程により金属でカバーされたサポートを意味する。
用語、絶縁層は、本発明の開示で使われる時、導電層の分離に使われる高電気抵抗を有する層であり、該層は絶縁層の両側に隣接する導電層間の望ましくない電流流れを防止し、特に5Vの電圧で測定して5μAより少ない2電極間漏洩電流を提供する層である。
用語、導電性(conductive)は、材料の電気抵抗に関係し、層の電気抵抗は面抵抗(surface resistance)Rの用語で一般的に表される{単位オーム(Ω);オーム/平方として指定されることが多い}。代わりに、該導電性は比(容積)抵抗率{specific(volume)resistivity}R=R・dの用語で表されてもよく、ここでdは層の厚さであり、R又はρはオーム−cmの単位である。用語、導電性は、本発明の開示で使われる時、10オーム/平方より小さい、好ましくは10オーム/平方より小さい面抵抗を有するか、又は10オームcmより小さい、好ましくは1オームcmより小さい比抵抗率を有する材料を意味する。
用語、本質的に導電性のポリマー(intrinsically conductive polymer)は、本発明の開示で使われる時、(ポリ)−共役パイ−電子システム{(poly)−conjugatedπ−electron systems}{例えば、2重結合(double bonds)、芳香族(aromatic)又はヘテロ芳香族(heteroaromatic)環(rings)又は3重結合(triple
bonds)}を有し、その導電特性が相対湿度の様な環境要因により影響されない有機ポリマーを意味する。
用語、透明性(transparent)は、本発明の開示で使われる時、入射光の少なくとも70%をそれを拡散することなく透過させる性質を有することを意味する。
用語、柔軟性(flexible)は、本発明の開示で使われる時、例えばドラムの様なカーブした物体(object)の曲率に、破壊されることなく従うことが出来ることを意味する。
PEDOTは、本発明の開示で使われる時、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン){poly(3,4−ethylenedioxythiophene)}を表す。
PSSは、本発明の開示で使われる時、ポリ(poly){スチレンスルフォン酸(styrene sulfonic acid)}又はポリ(poly){スチレンスルフォン酸塩(styrene sulfonate)}を表す。
パニ(PANI)は、本発明の開示で使われる時、ポリアニリン(polyaniline)を表す。
受動記憶要素(Passive memory element)
本発明の側面は、第1電極システムと、第2電極システムを具備し、該第1電極システムがパターン化した絶縁システムにより該第2電極システムから絶縁され、該第1電極システムが導電面又は導電層であり、該第2電極システムが複数の分離された導電範囲及び/又は相互から分離された複数の導電ピンであり、該第2電極システムの該分離された導電範囲の少なくとも1つと該第1電極システムの間に導電性ブリッジが存在するか、又は該第1電極システムに隣接しない該絶縁システムの側上の少なくとも1つの予め指定された点から該導電面又は該導電層まで少なくとも1つの導電小球が提供され、該小球は、該第2電極システムの該複数の導電ピンの1つが該パターン化した絶縁システム上の該導電小球の部分に接触した時、該第1及び該第2電極システム間に、単に読み出し目的用に、導電性ブリッジを作り、該少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第1及び第2電極システム間に直接の電気的接触は無く、そして該第1電極システムが金属サポートの該導電面であることを除けば、該システム、該少なくとも1つの導電性ブリッジそして該少なくとも1つの導電小球が従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である、該受動記憶要素により実現される。
本発明の該受動記憶要素の第1の実施態様に依れば、該第2電極システムは読み出し装置(read−out device)の部分である複数の導電ピンである。
本発明の該受動記憶要素の第2の実施態様に依れば、該第2電極システムは複数の分離された導電範囲である。
本発明の該受動記憶要素はリールからリールのプリンティング(reel−to−reel printing)により廉価な方法で作られ得る。該プリンティング工程は、少なくとも1つの過程、a)非金属サポート上の第1電極システムである導電層をオプションでプリントする過程、b)導電性基板上に絶縁材料のパターンをプリントする過程、c)該絶縁材料上に第2電極の導電パッドをオプションでプリントし、それによりその2つの電極平面(electrode planes)が直接の物理的及び電気的接触無しに相互の頂部上にあるよう第2電極パターンを実現する過程、から成る。
次いで、情報が導電性ブリッジを形成するために予め選択された位置での導電材料の別のプリンティングにより記憶されるか、又は該情報が該受動記憶要素のプリンティングでの該第2電極パターン過程のプリンティングと一緒に記憶されるか何れかである。
該基板の該導電面と該第2電極パターンの間で予め選択された位置に導電性ブリッジを塗布することによる情報の記憶のこの様なオフラインの過程は、同じ又は異なる場所で、同じ時刻又は後の時刻に、例えば、インクジェットプリンティングにより行われてもよい。これは異なる情報を用いた各受動記憶要素の専有化(personalization)を可能にする。
本発明の該受動記憶要素はプリンティング工程により作ることが出来る。情報はプリンティング工程を介して導電性ブリッジを創ることにより記憶されてもよい。
もう1つの実施態様では、情報は該記憶装置内に、2つ以上のプリンティング過程の組み合わせにより記憶され、例えば、該情報の1部分は該第2電極と一緒にプリントされ、第2部分は、追加の‘導電性ブリッジ’がプリントされる別のプリンティング過程でプリントされる。情報の第1部分は製造者の名前の様な固定情報を含み、一方第2部分は生産日付(production date)又はバッチ番号(batch number)の様に可変的であってもよい。
本発明の該受動記憶要素の第3の実施態様に依れば、該受動記憶要素は第1電極システムと、絶縁システムとそして第2電極システムとを具備し、該第1電極システムは該第2電極システムから絶縁されており、該第1電極システムはサポートの導電面又は導電層であり、該第2電極システムは複数の分離された導電範囲又は相互から分離された複数の導電ピンであり、少なくとも1つの導電ピンと該第1電極システムの間には少なくとも1つの導電性ブリッジがあり、該第1電極システムが導電面であることを除けば、該システムと該導電性ブリッジは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である。
受動記憶要素−作動(Passive memory element−operation)
本発明は、プリンティング工程により製作可能な少なくとも1つの簡単な受動記憶要素を具備する受動記憶装置を提供するが、該工程では予め選択された位置で導電面又は導電層(第1電極)と該第2電極システムの間に電気的相互接続(electrical interconnects)(導電性ブリッジ)を提供することにより情報が記憶される。情報は導電性ブリッジの存否により記憶される。該導電面又は導電層と第2電極システムは絶縁システム(材料)により相互から電気的に絶縁される。予め選択された位置に導電システムをプリントすることにより、該導電面又は導電層(第1電極システム)と該第2電極システムの間に導電性ブリッジが形成される。該データの読み出し(Read−out)は、全ての可能な位置について、該導電面又は導電層(第1電極システム)と該第2電極システムとの間の抵抗を測定することにより達成される。該抵抗率(resistivity)は接触して電気的に又は静電容量的(capacitively)に読み出され(read−out)得て、2進コードの論理値(logical values in a binary code)に対応する。
本発明の該受動記憶装置での該受動記憶要素の構造は好ましくは、導電面上の導電パッドの2次元配列を具備するのが良く、そして該第1及び第2電極の間に、該2つの電極面が直接の物理的及び電気的接触無しに相互の頂部上にあるよう、絶縁材料を具備し、そして該第1及び第2電極の予め選択された位置に提供され、導電性ブリッジを作るため該第1及び第2の両電極に接触する、導電性又は半導電性材料(electrically conducting or semiconducting material)を具備する。
本発明のもう1つの側面は、該導電面と各導電性パッドの間の抵抗の連続測定値(subsequent measurement)による記憶装置内の内密情報(covert information)の検索(retrieval)に関しており、そこでは導電性ブリッジに対応する低抵抗は1つの2進状態を示し、導電性ブリッジ無しの導電パッドに対応する高抵抗は第2の2進状態を示す。
受動記憶装置−構成(Passive memory device−configuration)
本発明の側面は、少なくとも1つの受動記憶要素と、該受動記憶要素を提供されるその少なくとも1つの側に少なくとも1つの導電面又は表面層を備えるサポートと、を具備し、該受動記憶要素が第1電極システムと第2電極システムを備え、該第1電極システムがパターン化した絶縁システムにより該第2電極システムから絶縁され、該第1電極システムは導電面又は導電層であり、該第2電極システムは相互から分離された複数の導電ピンを場合により一緒に伴う複数の分離した導電範囲であり、該第2電極システムの該分離した導電範囲の少なくとも1つと該第1電極システムとの間には導電性ブリッジがあり、該少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第1及び該第2のパターン化した電極システム間に直接の電気的接触は無く、そして該第1電極システムが金属サポートの導電面であることを除けば、該システムと該導電性ブリッジは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である、第1受動記憶装置により実現される。
本発明の側面は、少なくとも1つの受動記憶要素と、該受動記憶要素を提供されるその少なくとも1つの側に少なくとも1つの導電面又は表面層を備えるサポートと、を具備し、該受動記憶要素は第1電極システムとしての該サポートの導電面又は該サポート上の表面層と、絶縁システムと、を備え、該第1電極システムに隣接しない該絶縁システムの側の上の少なくとも1つの予め指定された点から該第1電極システムまで少なくとも1つの導電小球が提供され、該小球は、該第2電極システムの該複数の導電ピンの1つが該パターン化した絶縁システム上の該導電小球の部分と接触した時、該第1及び該第2電極システム間に、単に読み出し目的用に、導電性ブリッジを作り、該少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第1電極システムと第2電極システムの間に直接の電気的接触は無く、そして該第1電極システムが金属サポートの導電面であることを除けば、該システムと該少なくとも1つの導電小球は従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である、該第2受動記憶装置により実現される。
本発明の該受動記憶装置の第1の実施態様に依れば、該第1又は第2受動記憶装置は金属シリコンを除く。
本発明の該受動記憶装置の第2の実施態様に依れば、該サポートは柔軟な又は堅いプラスチック、ガラス、ペーパー、ボード(board)、カートン(carton)、又はこれらの材料の何れかの複合材料(composite material)である。
本発明の該受動記憶装置の第3の実施態様に依れば、該サポートは金属サポート、メタライズされたサポート又は導電層を備えたサポートである。
本発明の該受動記憶装置の第4の実施態様に依れば、該導電面、該第2のパターン化した電極システムそして該少なくとも1つの導電性ブリッジの少なくとも1つは、無機導電性媒体、例えば、金属、半導電性金属酸化物及びカーボン、又は有機導電性媒体、例えば、真性として導電性を有する有機ポリマーを有する。
本発明の該受動記憶装置の第5の実施態様に依れば、該導電面、該第2のパターン化した電極システムそして該少なくとも1つの導電性ブリッジの少なくとも1つは、真性として導電性の有機ポリマーである有機導電媒体を有する。
本発明の該受動記憶装置の第6の実施態様に依れば、該導電面、該第2のパターン化した電極システムそして該少なくとも1つの導電性ブリッジの少なくとも1つはポリチオフェン(polythiophene)、ポリアニリン(polyaniline)又はポリピロール(polypyrrole)を有する。
本発明の該受動記憶装置の第7の実施態様に依れば、該導電面、該第2のパターン化した電極システムそして該少なくとも1つの導電性ブリッジの少なくとも1つはポリ(3,4−ジオキシアルキレンチオフェン){poly(3,4−dioxyalkylenethiophene)}を有する。
本発明の該受動記憶装置の第8の実施態様に依れば、該導電面、該第2のパターン化した電極システムそして該少なくとも1つの導電性ブリッジの少なくとも1つはポリ(3,4−ジオキシエチレンチオフェン){poly(3,4−dioxyethylenethiophene)}を有する。
本発明の該受動記憶装置の第9の実施態様に依れば、該導電面、該第2のパターン化した電極システムそして該少なくとも1つの導電性ブリッジの少なくとも1つはカーボンを有する。
本発明の該受動記憶装置の第10の実施態様に依れば、該導電面、該第2のパターン化した電極システムそして該少なくとも1つの導電性ブリッジの少なくとも1つは金属、例えば、銀又は金を有する。
本発明の該受動記憶装置の第11の実施態様に依れば、該導電面、該第2のパターン化した電極システムそして該少なくとも1つの導電性ブリッジの少なくとも1つは半導電性金属酸化物又はドープされた金属酸化物、例えば、五酸化バナジウム(vanadium
pentoxide)、酸化インジウム錫(indium tin oxide)又は金属アンチモン酸塩(metal antimonate)を有する。
該電極及び導電性ブリッジの導電率は、導電性ブリッジ無しで測定される電流より著しく高い、導電性ブリッジを通過して流れる、電流を得るように充分である必要がある。該抵抗は平方当たり1から100,000オームの範囲にあるのが好ましく、平方当たり20,000オームより低いことがより好ましい。該分離された導電範囲の幅と長さは5μmから10mm、より好ましくはは100μmから0.5mmの範囲内にあるのがよい。
該記憶装置内の該‘導電性ブリッジ’の位置は各デバイス用に種々であってもよく、かくして名前、住所、生年月日(date of birth)、他の様な専有の/個人的な情報(personalized/individual information)、又は製品の製造日付/時刻及び値段(pricing)を記憶してもよい。
本発明の該受動記憶装置の第12の実施態様に依れば、該受動記憶装置は透明であり、それにより支援されない眼(unaided eye)には殆ど不可視(invisible)である。これは、該電極及び‘導電性ブリッジ’用の導電材料として、例えばPEDOT:PSSを使い、そして透明分離材料、例えば、ユーブイ硬化性インク(UV−curable ink)を使うことにより実現出来る。
本発明の該受動記憶装置の第13の実施態様に依れば、該受動記憶装置は1つ以上の安全の特徴、例えば、磁気的、赤外線吸収性、サーモクロミック(thermochromic)、フォトクロミック(photochromic)、コイン反応性(coin−reactive)、光学的可変性(optically variable)、蛍光性又はリン光性の、化合物等に基づく安全インク(security inks)と組み合わされてもよく、同位元素(isotope)、デーエヌエイ(DNA)、抗体(antibodies)又は特定の検出可能な試薬等に基づく化学的又は生物学的なタガント(taggant)が該記憶装置の層の1つに含まれることが可能である。該記憶装置はホログラム(hologram)、いじくり防止安全フイルム(tamper proof security film)、バーコード等で上をコートされる(overcoated)か、上にプリントされて(overprinted)もよい。本発明の該記憶装置は安全ペーパー(security paper)上にプリントされてもよい。
本発明の該受動記憶装置の第14の実施態様に依れば、導電性ブリッジの数は少なくとも2つである。
本発明の該第1の受動記憶装置の第15の実施態様に依れば、該‘導電性ブリッジ’はカラー化されており、例えば、カーボンブラックベースのインクを使うことにより黒い。
本発明の該第1の受動記憶装置の第16の実施態様に依れば、該‘導電性ブリッジ’の場所を視覚的に隠すために、導電性ブリッジ無しの残りの位置に非導電性の黒いブリッジがプリントされてもよい。該導電性及び非導電性ブリッジは、例えば、染料又は顔料を付加することにより何等かのカラーを有してもよい。
本発明の該第1の受動記憶装置の第17の実施態様に依れば、該記憶装置は該‘導電性ブリッジ’の場所を視覚的に隠すために、画像又は均一にカラー化された又は不透明の層で上をプリントされる。
本発明の該第1の受動記憶装置の第18の実施態様に依れば、該‘導電性ブリッジ’の場所を視覚的に隠すために、該記憶装置上にカラー化された又は不透明な箔(foil)が積層(laminated)される。
該第1の受動記憶装置の第19の実施態様に依れば、該第1の受動記憶装置は少なくとも1つの導電面又は表面層を備えるサポートと、該サポートの少なくとも1つの側の受動記憶要素と、を具備しており、該受動記憶要素は該サポートの導電面又は該表面層と、複数の分離された導電範囲とそして該サポートの該導電面又は表面層と該複数の分離された導電範囲との間のパターン化した絶縁システムと、を備えており、該複数の分離した導電範囲の少なくとも1つの予め指定され分離された導電範囲と該サポートの該導電面又は表面層との間には導電性ブリッジがあり、該受動記憶要素は従来のプリンティング工程を使って製作可能であり、そしてシリコン金属を除いており、そして該少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第1及び該第2のパターン化した電極システム間に直接の電気的接触は無い。
該第2の受動記憶装置の第15の実施態様に依れば、該第2の受動的記憶装置は少なくとも1つの導電面又は表面層を備えるサポートと、該サポートの少なくとも1つの側の請求項1による受動記憶要素と、を具備しており、該受動記憶要素は該サポートの該導電面又は該表面層と、もう1つから分離され、該パターン化した絶縁システムと接触し、それにより第2電極システムとなる複数の導電ピンと、を備えており、少なくとも1つの予め指定された導電ピンと該サポートの該導電面又は表面層との間には導電性ブリッジがあり、該導電ピンを除く該受動記憶要素は従来のプリンティング工程を用いて製作可能であり、シリコン金属を除いており、そして該少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第1電極システムと該複数の導電ピンの該少なくとも1つの間に直接の電気的接触は無い。
1実施態様では、該第1電極は連続的であり、該第2電極は1次元的(導電ラインの1行、図1a)又は2次元的(配列構成での導電性又は半導電性材料のパッチ/ドット)とすることが出来る。該第1電極は金属性ブリスターパッケージ(metallic blister package)の様に、パッケージの一体的部品であってもよい。該第2電極は該第1電極から物理的及び電気的に分離される。導電性ブリッジは該第1及び第2電極間で予め選択された位置に作られる。これは別のプリンティング過程内でもよく、或いは該第2電極のプリンティングと組み合わされてもよい(図1b)。
図2はもっと簡単な実施態様を示し、そこでは該第2電極はプリントされず、導電性ブリッジ及び導電性パッチのみが予め選択された位置にプリントされる。電気的読み出し(Electrical readout)は、導電性材料の無い(第1電極システム上に絶縁材料のみがある)範囲と、分離された導電範囲及び導電性ブリッジがある範囲と、の間を区別する。
絶縁システム(Insulating Systems)
用語、絶縁システムは、本発明の開示で使われる時、恒久的に絶縁するシステム、すなわち、その特性が普通の周囲条件下で変更出来ず(unchangeable)、その抵抗が高電圧電気パルスを印加することにより変更不可能な、システムを意味しており、そして特許文献4で開示される様に、その導電率がドーピングにより影響される半導電層(semiconducting layers)と、その導電性状態が、特許文献5で開示される様に、各々が該絶縁システムの側の1つと連続する隣接する第1及び第2電極間の比較的大きな電圧差(voltage differential)の印加時、変化し得る導電性有機ポリマー層(conductive organic polymer layers)と、を除く。
適当な絶縁材料は無機及び有機材料であり、例えば、アクリル酸エステル(acrylates)、オレフィン、メタアクリル酸エステル(methacrylates)、アクリルアミド(acrylamides)、メタアクリルアミド(methacrylamides)、アクリロニトリル(acrylonitrile)、塩化ビニル、ビニルアルコール、塩化ビニリデン(vinylidene chloride)、フッ化ビニル(vinyl fluoride)、フッ化ビニリデン(vinylidene fluoride)、他のフッ化エチレン化合物、ビニルアセタール、ビニルアセテート、スチレンそしてブタジエンから成る群から選択されたホモポリマー(homopolymers)及びコーポリマー(copolymers)の様なポリマー性材料(polymeric materials)、シリカ、アルミナ、アルミナ水和物(alumina hydrates)の様な無機フィラー、そしてガラスファイバーの様な無機ファイバーである。又該絶縁システムはユーブイ硬化性(UV−curable)のインク又はワニスとすることが出来る。
該受動記憶装置を作る工程(Process for producing the memory passive device)
本発明の側面は第1受動記憶装置を提供する工程により実現されるが、該第1受動記憶装置は少なくとも1つの受動記憶要素と、該受動記憶要素を提供されるその少なくとも1つの側に少なくとも1つの導電面又は導電層を備えるサポートと、を具備しており、該受動記憶要素は第1電極システム及び第2電極システムを備えており、該第1電極システムは該第2電極システムから絶縁されており、該第1電極システムは導電面又は導電層であり、該第2電極システムは相互から分離された複数の導電ピンを場合により一緒に伴う複数の分離された導電範囲であり、該第2電極システムの該分離された導電範囲の少なくとも1つと該第1電極システムとの間には導電性ブリッジがあり、該少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第1及び該第2のパターン化した電極システム間には直接の電気的接触は無く、そして該第1電極システムが金属サポートの該導電面であることを除けば該システムと該導電性ブリッジとは従来のプリンティング工程を用いてプリント可能である、該第1受動記憶装置を提供する工程は、該サポートを提供する過程と、もし該サポートが非金属性であるなら該サポート上に該導電層を実現する過程と、該導電面又は導電層の上にパターン化した絶縁システムを実現する過程と、該パターン化した絶縁システム上に複数の分離された導電範囲を提供する過程と、そして該分離された導電範囲の少なくとも1つと該導電面又は該導電層との間で予め指定された点に導電性ブリッジを提供する過程と、を具備しており、導電層をオプション的に提供する過程と、パターン化した絶縁システムを提供する過程と、複数の分離された導電範囲を提供する過程と、そして導電性ブリッジを提供する過程と、の少なくとも1つは従来のプリンティング工程で実現される。
本発明の側面は第2受動記憶装置を提供する工程により実現されるが、該受動記憶装置は少なくとも1つの受動記憶要素と、該受動記憶要素を提供されるその少なくとも1つの側に少なくとも1つの導電面又は表面層を備えるサポートと、を具備しており、該受動記
憶要素は第1電極システムとしての該サポートの該導電層又は該サポート上の該表面層と、絶縁システムと、を備えており、該第1電極システムに隣接しない該絶縁システムの側上の少なくとも1つの予め指定された点から、該第1電極システムまで少なくとも1つの導電小球が提供されるが、該小球は、該第2電極システムの該複数の導電ピンの1つが該パターン化した絶縁システム上の該導電小球の部分と接触する時、該第1及び該第2電極システム間に、単に読み出し目的用に、導電性ブリッジを作り、該少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第1電極システム及び該第2電極システム間に直接の電気的接触は無く、そして該第1電極システムが金属サポートの該導電面であることを除けば該システムと該少なくとも1つの導電小球とは従来のプリンティング工程を用いてプリント可能である、該第2受動記憶装置を提供する工程は、該サポートを提供する過程と、もし該サポートが非金属性であるなら該サポート上に該導電層を実現する過程と、該パターン化した絶縁システムを実現する過程と、該第1電極システムに隣接しない該絶縁システムの側上の少なくとも1つの予め指定された点から該導電面又は該導電層まで少なくとも1つの導電小球を提供する過程と、そして単に読み出しの目的用の該第2電極システムとして複数のピンを実現する過程と、を具備しており、導電層をオプション的に提供する過程と、該絶縁システムを提供する過程と、該導電小球を提供する過程と、そして該第2電極システムを提供する過程と、の少なくとも1つは従来のプリンティング工程で実現される。
該記憶装置内の全ての層、分離された導電範囲、絶縁パターンシステムそして‘導電性ブリッジ’は、インクジェットプリンティング、インタグリオプリンティング、スクリーンプリンティング、フレキソグラフィックプリンティング、オフセットプリンティング、スタンププリンティング、グラビヤプリンティングそして感熱及びレーザー誘起工程を含むがそれらに限定されない従来のプリンティング工程により付けられ得る。1つのプリンティング工程が該記憶装置内の全層用に使われるか又は2つ以上のプリンティング工程の組み合わせが使われるか何れかである。
本発明の該工程の第1の実施態様に依れば、該第1又は第2の受動記憶装置は金属シリコンを除く。
本発明の該工程の第2の実施態様に依れば、該従来のプリンティング工程はノンインパクトプリンティング工程、例えば、インクジェットプリンティング、静電記録プリンティング(electrophotographic printing)そして電子製版プリンティング(electrographic printing)である。
本発明の該工程の第3の実施態様に依れば、従来のプリンティング工程はインパクトプリンティング工程、例えば、オフセットプリンティング、スクリーンプリンティング、フレキソグラフィックプリンティング、そしてスタンププリンティングである。
本発明の該工程の第4の実施態様に依れば、従来のプリンティング工程は、インクジェットプリンティング、インタグリオプリンティング、スクリーンプリンティング、フレキソグラフィックプリンティング、オフセットプリンティング、スタンププリンティング、グラビヤプリンティング、静電記録プリンティング、電子製版プリンティングそして感熱及びレーザー誘起工程から成る群から選択される。
本発明の該工程に依るプリンティングは、パッケージ(package)上、ラベル、チケット(ticket)、IDカード(ID−card)、銀行カード(bank card)、法的文書(legal document)そして紙幣(banknotes)上で直接行われ得る。該記憶装置は識別システム(identificatoin system)、安全の特徴(security feature)、偽造防止の特徴(anti−counterfeiting feature)他として作動してもよい。
本発明の第1受動記憶装置を提供するための該工程の第5の実施態様に依れば、該絶縁パターン、該第2電極パターンそして該少なくとも1つの導電性ブリッジは同じプリンティング工程により行われる。
本発明の第1受動記憶装置を提供する該工程の第6の実施態様に依れば、該絶縁パターン、該第2電極パターンそして該少なくとも1つの導電性ブリッジはインクジェットプリンティングにより行われる。
本発明の第2受動記憶装置を提供する該工程の第6の実施態様に依れば、該第2受動記憶装置は少なくとも1つの導電面又は表面層を備えるサポートと、該サポートの少なくとも1つの側の受動記憶要素と、を具備しており、該受動記憶要素は該サポートの導電面又は該表面層と、複数の分離された導電範囲とそして金属サポートの該導電面と該複数の分離された導電範囲との間のパターン化した絶縁システムと、を備えており、該複数の分離された導電範囲の少なくとも1つの予め指定され分離された導電範囲と該サポートの該導電面又は表面層との間に導電性ブリッジがあり、そして複数の導電ピンの各々が該複数の分離された導電範囲の1つに接触しており、該受動記憶要素は、従来のプリンティング工程を使って製作可能でありそして金属シリコンを除いており、そして該少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は該第1及び該第2のパターン化した電極システムの間には直接の電気的接触は無く、該第2受動記憶装置を提供する工程は、該導電表面層(conductive surface layer)上に該絶縁パターンシステムを実現する過程と、該絶縁パターンシステム上に複数の分離された導電範囲を提供する過程と、そして該分離された導電範囲の少なくとも1つと該導電表面層の間で予め指定された点に導電性ブリッジを提供する過程と、そして該分離された導電範囲の各々を該導電ピンの1つと電気的に接触させる過程と、を具備しており、絶縁パターンシステムを提供する過程と、複数の分離された導電範囲を提供する過程とそして導電性ブリッジを提供する過程と、の少なくとも1つは従来のプリンティング工程で実現される。
導電性スクリーンプリント用インク(Conductive screen printing ink)
特許文献10は、中で2つのアルコキシ基が同じでもあっても又は異なってもよく或いはオプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジを一緒に表してもよい3,4−ジアルコシキチオフェンのポリマー又はコーポリマーと、ポリアニオンとそして非ニュートンのバインダーと、を含む水性配合物と、上記説明の水性配合物を、オプション的に代替え(subbed)されたサポート、誘電体層(dielectric layer)、リン光体層(phosphor layer)又はオプション的に透明な導電性コーティングに塗布する過程と、そして該それにより塗布された水性配合物を乾燥する過程と、を具備する導電層を用意する方法と、導電層を用意するために上記説明の方法により用意された帯電防止及び導電性のコーティングと、上記説明の水性配合物を含むプリンティングインク又はペーストと、そして上記説明のプリンティングインクを提供する過程と、オプション的に代替えされたサポート、誘電体層、リン光体層又はオプション的に透明な導電性コーティング上に該プリンティングインクをプリントする過程と、を具備するプリンティング工程と、を開示している。特許文献10に開示された該スクリーンプリンティングインク配合(formulations)は特に引用によりここに組み入れられる。
特許文献14は、中でその2つのアルコキシ基が同じであっても、異なっても、或いはオプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジを一緒に表してもよい3,4−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーを重量で0.08から3.0%の間でと、ポリアニオンとそして少なくとも1つの非水性溶媒と、を含む配合物を、実質的に酸素無しで用意された水の中の(3,4−ジアルコキシチオフェン)のポリマー又はコーポリマーと該ポリアニオンと、の分散系から用意する方法であり、該方法が、i)該非水性溶媒の少なくとも1つを(3,4−ジアルコキシチオフェン)の該ポリマー又はコーポリマーと該ポリアニオンと、の水性分散系と混合する過程と、そしてii)過程i)で用意された該混合物から水を、その中の水の含有量(content of water)が重量で少なくとも65%だけ減じられるまで、蒸発させる過程と、を上記順序で具備する該方法と、上記説明の方法により用意され、与えられた透明度に於ける向上した導電率を有する層を生じ得るプリンティングインク、プリンティングペースト又はコーティング配合物と、与えられた透明度に於ける向上した導電率を有する層をそれにより作るコーティング配合物を用いたコーティング工程と、そして与えられた透明度に於ける向上した導電率を有する層をそれにより作る該プリンティングインク又はペーストを用いたプリンティング工程とを開示する。特に特許文献14で開示された該スクリーンプリンティングインク配合は引用によりここに組み入れられる。
特許文献15は、中でその2つのアルコキシ基が同じであっても、異なっても、或いはアルキル、アルコキシ、アルキオキシアルキル、カルボキシ、スルホン酸アルキル(alkylsulphonate)、スルホン酸アルキルオキシアルキル(alkyloxyalkylsulphonate)、そしてカルボキシエステル基(carboxy ester group)から成る群から選択された置換基とオプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジを一緒に表してもよい3,4−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーを重量で0.08と3.0%の間でと、ポリアニオンとそして少なくとも1つのポリハイドロキシ非水性溶媒(polyhydroxy non−aqueous solvents)と、を含む配合物を、水中の(3,4−ジアルコキシチオフェン)のポリマー又はコーポリマーと該ポリアニオンとの分散系から用意する方法であるが、該方法は、i)該非水性溶媒(non−aqueous solvents)の少なくとも1つを(3,4−ジアルコキシチオフェン)の該ポリマー又はコーポリマーと該ポリアニオンの水性分散系と混合する過程と、そしてii)過程i)で用意された該混合物から水を、その中の水の含有量(content of water)が重量で少なくとも65%だけ減じられるまで、蒸発させる過程と、を上記順序で具備する該方法と、上記説明の方法により用意され、与えられた面抵抗で向上した透明度を有する層を生じることが出来るプリンティングインク、プリンティングペースト又はコーティング配合物と、与えられた面抵抗に於ける向上した透明度を有する層をそれにより作る、該コーティング配合物を用いたコーティング工程と、そして与えられた面抵抗に於ける向上した透明度を有する層をそれにより作る、該プリンティングインク又はペーストを用いたプリンティング工程と、を開示する。特に特許文献15で開示された該スクリーンプリンティングインク配合は引用によりここに組み入れられる。
導電性フレキソグラフィックプリント用インク(Conductive flexographic printing inks)
特許文献11は、中でその2つのアルコキシ基が同じであってもよく、異なってもよく、或いは、オプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジを一緒に表してもよい3,4−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーと、ポリアニオンとそしてラテックスバインダーと、を溶媒又は水性媒体内に含む、染料を含まないフレキソグラフィックインク(non−dye containing flexographic ink)であり、3,4−ジアルコキシチオフェンの該ポリマー又はコーポリマーが該インク内に重量で少なくとも0.1%の濃度で存在し、そして該インクは比色計には(colorimetrically)加成性(additive)を示す透明プリントを作ることが出来ることを特徴とする該インクと、該フレキソグラフィックインクを用意する方法と、そしてそれを用いたフレキソグラフィックプリンティング工程と、を開示する。特許文献11で開示された該フレキソグラフィックプリンティングインクの配合は引用により特にここに組み入れられる。
導電性インクジェットインク(Conductive ink−jet ink)
その中でその2つのアルコキシ基が同じであっても、異なっても、或いはオプション的に置換されたオキシ−アルキレン−オキシブリッジを一緒に表してもよい3,4−ジアルコキシチオフェンのポリマー又はコーポリマーと、ポリアニオンと高沸点液体(high
boiling point liquid)と、を溶媒又は水性媒体内に含み、インクジェットプリンティング用に好適な配合物が用意出来る。噴射温度(jetting temperature)で、汎用プリントヘッド(Universal Print Head){アグファ−ゲバルト(AGFA−GEVAERT)から}用に3から15mPa.sの範囲内にあるのが好ましい粘度の様な重要特性は、導電性ポリマーの濃度と高沸点液体の量と種類を変えることにより調整出来る。PEDOT:PSSの重量で1.2%の分散系は室温で約30mPa.sの粘度(viscosity)を有し、重量で0.6%の分散系は室温で約10mPa.sの粘度を有する。
その表面張力(surface tension)は汎用プリントヘッド用の噴射条件(jetting conditions)で28から36mN/mの範囲内が好ましく、適当なアニオン性(anionic)、カチオン性(cationic)又は非イオン性(non−ionic)界面活性剤(surfactants)又は溶媒、例えばアルコールを加えることにより調整出来る。又界面活性剤は噴射特性(jetting performance)、基板上での該インクの濡れ特性(wetting properties)及びプリントされた層のユーブイ安定性(UV−stability)に影響する。
高沸点液体の例えば重量での5から20%の追加は乾燥後のプリント層の導電性を改善し、有用な高沸点液体はエチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセロール(glycerol)、N−メチルピロリドン(N−methylpyrrolidone)そして2−ピロリドン(2−pyrrolidone)を含む。又高沸点液体の選定は乾燥時間、最低乾燥温度、噴射特性、濡れ特性、粘度そして表面張力に影響する。
オプションとして、プリントヘッドの腐食を防止するためインクジェットプリンティング溶液を中性化するようジメチルエタノールアミン(dimethylethanolamine)、トリエチルアミン(triethylamine)又はジイソプロピルエチルアミン(diisopropylethylamine)の様な揮発性塩基(volatile bases)が付加されてもよい。
工業的用途(Industrial application)
本発明の受動記憶装置は安全及び偽造防止応用、例えば、チケット、ラベル、タグ、アイデーカード、銀行カード、法的文書、紙幣そしてパッケージング、で使用され、又パッケージングに一体化され得る。
本発明が以下では比較例及び本発明実施例により図解される。これらの例で与えられるパーセンテージ及び比は、他の指示が無いならば重量による。
実施例の要素で使われた商業的コーティング
・アゴリックスマジェンタインク(AGORIX MAGENTA INK)、アグファードットリックスエヌブイ(AGFA−DOTRIX N.V)からのユーブイ硬化
可能なインクジェット用インク
・イーデー4000(ED4000)、エレクトラポリマー(ELECTRA POLYMERS)からのカーボンブラックインク
・ノリペット(R)093クリア(NORIPET(R) 093 Clear)、プレール(Proell)からの絶縁用スクリーンプリンティングインク
実施例の要素で使われた非商業的コーティングで使われた原料
・タナコート(R)エフジー3(TANACOAT(R) FG3)、シブロンケミカル(SYBRON CHEMICALS)からの水性カルボキシル化ポリプロピレンエマルジョン(aqueous carboxylated polypropylene emulsion)
・パニポル(R)ダブリュー(PANIPOL(R) W)、パニポル社(PANIPOL LTD)からのポリアニリンの6重量%の水性分散系
・ディノル(R)604(DYNOL(R) 604)、エアプロダクト(AIR PRODUCTS)からのアセチレングリコールベースの界面活性剤(acetylenic glycol−based surfactant)
[実施例1](INVENTION EXAMPLE 1)
導電性パッドを有し全部インクジェットプリントされた要素(FULLY INK−JET PRINTED ELEMENT WITH CONDUCTIVE PADS)
実施例1の受動記憶要素は、汎用プリントヘッド(Universal Printhead){アグファ−ゲバルト(AGFA−GEVAERT)からの}を使って、4つの異なる導電面上の相互の頂部上にアゴリックスマジェンタインクの2層をインクジェットプリントすることにより作られ、次いでユーブイ硬化(UV−cured)され、それにより55*2.5mmの寸法を有し3mm離し隔てられた8ラインから成る絶縁ラインパターンを形成した。使われた4つの導電面は、
1)13μm厚さのアルミニウム箔
2)サーモスターピー970(Thermostar P970)アルミニウムオフセットプリンティングプレート(裏側)
3)フレキソグラフィックPEDPT:PSSインクの連続層を有する代替えされた(subbed)PET−基板
Figure 2008518453
上記がフレキソプリンティングを介して塗布され、80℃で3分間乾燥された、
4)未露光ハロゲン化銀ドナーシート(non−exposed silver halide donor sheet){アグファ−ゲバルトからのコピープルーフネガチブフィルムNPC(Copyproof Negative Film NPC)}を用いて拡散転送反転工程(diffusion transfer reversal process)を介して塗布された、連続銀層付きの代替えされたPET−基板(subbed PET−substrate with a continuous silver layer)
第2電極システムは、該絶縁パターンの頂部上に、表1で与えられる組成を有するPEDOT:PSSインクジェットインクで1*4mmの導電パッドをインクジェットプリントすることにより作られた。最後に‘導電性ブリッジ’が、該導電性ブリッジを形成するために予め選択された位置に該汎用プリントヘッドを使って該PEDOT:PSSインクジェットインクで1*3mmのラインをインクジェットプリントすることにより塗布された。
Figure 2008518453
その連続的第1電極と第2電極パッドの間の抵抗はフルークマルチメーター(Fluke Multimeter)で測定され、表2で与えられる。
Figure 2008518453
[実施例2]
導電性パッド無しのインクジェットプリントされた要素(INKJET PRINTED
ELEMENT WITHOUT CONDUCTIVE PADS)
実施例2の受動記憶要素は、第2電極パッドがプリントされないことを除けば実施例1で説明した様に作られた。該PEDOT:PSSインクジェットインクで該導電性ブリッジをインクジェットプリントするのに加えて、導電性ブリッジは又パニポルダブリュー(PANIPOL W)及びイーデー4000(ED4000)を用いて手動でも塗布された。抵抗が、該連続的第1電極と導電性ブリッジの間、又は該連続的第1電極と導電性ブリッジ無しの該絶縁パターン上の範囲との間、の何れかで測定され、その結果が表3で与えられる。
Figure 2008518453
[実施例3]
スクリーン及びインクジェットプリンティングの組み合わせによる全部透明な装置(FULLY TRANSPARENT DEVICE VIA COMBINATION OF SCREEN AND INKJET PRINTING)
実施例3の受動記憶要素は、オルガコンイーエル−1500(ORGACON EL−1500)基板上にメッシュピー79(mesh P79)のスクリーンでノリペット093クリヤ(Noripet 093 Clear)を使い1.5mm離れ隔てられた2*50mmの寸法を有するラインをスクリーンプリントし、130℃で3分間乾燥することにより作られた。
第2電極パッド付き又は無しの導電性ブリッジは実施例1及び2で説明した様に、PEDOT:PSSをインクジェットプリントすることにより用意された。電気的測定が実施例1及び2で説明した様に行われ、結果は表4で与えられる。
Figure 2008518453
本発明は、それがここに請求された発明に関係するかどうかに拘わらず、ここで暗黙に、又は表立って、何れかで開示された何等かの特徴又は特徴の組み合わせ、又はその何等かの一般化を含む。前記説明を考慮すると、本発明の範囲内で種々の変型が行われ得ることは当業者には明らかであろう。
本発明の実施態様の連続する第1電極を有する2つの記憶装置の平面図を示す。 第2電極パターンがプリントされない簡単な装置を図解する。

Claims (23)

  1. 第1電極システム及び第2電極システムを具備する受動記憶要素に於いて、前記第1電極システムは前記第2電極システムからパターン化した絶縁システムにより絶縁されており、前記第1電極システムは導電面又は導電層であり、前記第2電極システムは複数の分離された導電範囲及び/又は相互から分離された複数の導電ピンであり、前記第2電極システムの前記分離された導電範囲の少なくとも1つと前記第1電極システムとの間に導電性ブリッジがあるか、又は前記第1電極システムと隣接しない該絶縁システムの側上の少なくとも1つの予め指定された点から前記導電面又は前記導電層まで少なくとも1つの導電小球が提供され、該小球は、該第2電極システムの前記複数の導電ピンの1つが前記パターン化した絶縁システム上の該導電小球の部分と接触した時、前記第1及び前記第2電極システム間で、単に読み出し目的用に、導電性ブリッジを作り、前記少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は前記第1及び前記第2電極システム間に直接の電気的接触は無く、そして前記第1電極システムが金属サポートの導電面であることを除けば、前記システム、前記少なくとも1つの導電性ブリッジそして前記少なくとも1つの導電小球は従来のプリンティング工程を使ってプリント可能であることを特徴とする受動記憶要素。
  2. 前記第2電極システムが読み出し装置の部分である複数の導電ピンであることを特徴とする請求項1の受動記憶要素。
  3. 前記第2電極システムが複数の分離された導電範囲であることを特徴とする請求項1の受動記憶要素。
  4. 少なくとも1つの受動記憶要素と、前記受動記憶要素を提供されたその少なくとも1つの側に少なくとも1つの導電面又は表面層を備えるサポートと、を具備し、前記受動記憶要素が第1電極システム及び第2電極システムを備え、該第1電極システムがパターン化した絶縁システムにより該第2電極システムから絶縁されており、該第1電極システムが導電面又は導電層である第1受動記憶装置に於いて、前記第2電極システムは相互から分離された複数の導電ピンを場合により一緒に伴う複数の分離された導電範囲であり、前記第2電極システムの前記分離された導電範囲の少なくとも1つと前記第1電極システムとの間に導電性ブリッジがあり、前記少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は前記第1及び前記第2のパターン化した電極システム間に直接の電気的接触は無く、そして前記第1電極システムが金属サポートの導電面であることを除けば、前記システム及び前記導電性ブリッジは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能であることを特徴とする第1受動記憶装置。
  5. 前記第1受動記憶装置が金属シリコンを除くことを特徴とする請求項4の第1受動記憶装置。
  6. 前記第1受動記憶装置が透明であることを特徴とする請求項4又は5の第1の装置。
  7. 前記導電性ブリッジがカラー化されていることを特徴とする請求項4から6の何れか1つの第1の装置。
  8. 前記導電性ブリッジの場所を視覚的に隠すために前記受動記憶装置が画像、又は均一にカラー化された又は不透明な層でオーバープリントされていることを特徴とする請求項4から7の何れか1つの第1の装置。
  9. 前記導電性ブリッジの場所を視覚的に隠すために前記受動記憶装置上にカラー化された又は不透明な箔が積層されていることを特徴とする請求項4から8の何れか1つの第1の
    装置。
  10. 前記第1及び第2のパターン化した電極システムの少なくとも1つが無機導電媒体又は有機導電媒体を有することを特徴とする請求項4から9の何れか1つの第1の装置。
  11. 前記有機導電媒体が本質的に導電性の有機ポリマーであることを特徴とする請求項10の第1の装置。
  12. 前記本質的に導電性の有機ポリマーがポリチオフェン、ポリアニリン又はポリピロールであることを特徴とする請求項11の第1の装置。
  13. 前記ポリチオフェンがポリ(3,4−ジオキシアルキレンチオフェン)であることを特徴とする請求項11又は12の第1の装置。
  14. 前記ポリチオフェンがポリ(3,4−ジオキシエチレンチオフェン)であることを特徴とする請求項11から13の何れか1つの第1の装置。
  15. サポートと、前記サポートの少なくとも1つの側の、前記サポートの導電面又は前記サポート上の導電層と前記導電面又は前記導電層上のパターン化した絶縁システムとそして前記導電面又は前記導電層を前記パターン化した絶縁システム上の少なくとも1つの位置にリンクする少なくとも1つの導電小球と、を具備する第2受動記憶装置用前駆体に於いて、前記オプションの導電層、前記パターン化した絶縁システムそして前記少なくとも1つの導電小球が従来のプリンティング技術を用いてプリント可能であることを特徴とする該前駆体。
  16. 少なくとも1つの受動記憶要素と、前記受動記憶要素を提供されたその少なくとも1つの側上に少なくとも1つの導電面又は表面層を備えるサポートと、を具備する第2受動記憶装置に於いて、前記受動記憶要素は第1電極システムとしての前記サポートの前記導電面又は前記サポート上の前記表面層と、絶縁システムと、を備えており、前記第1電極システムに隣接しない該絶縁システムの側上の少なくとも1つの予め指定された点から、前記第1電極システムまで、少なくとも1つの導電小球が提供され、該小球は、該第2電極システムの前記複数の導電ピンの1つが前記パターン化した絶縁システム上の該導電小球の部分と接触する時、前記第1及び前記第2電極システム間に、単に読み出しの目的用に、導電性ブリッジを作り、前記少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第1電極システムと第2電極システムの間に直接の電気的接触は無く、そして該第1電極システムが金属サポートの導電面であることを除けば、前記システムと前記少なくとも1つの導電小球が従来のプリンティング工程を使ってプリント可能であることを特徴とする第2受動記憶装置。
  17. 少なくとも1つの受動記憶要素と、前記受動記憶要素を提供されたその少なくとも1つ側上に少なくとも1つの導電面又は導電層を備えるサポートと、を具備する第1受動記憶装置を提供する工程であって、前記受動記憶要素は第1電極システムと第2電極システムを備え、該第1電極システムは該第2電極システムから絶縁されており、該第1電極システムは導電面又は導電層であり、該第2電極システムは相互から分離された複数の導電ピンを場合により一緒に伴う複数の分離された導電範囲であり、前記第2電極システムの前記分離された導電範囲の少なくとも1つと、前記第一電極システムと、の間に導電性ブリッジがあり、前記少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は、前記第1及び前記第2のパターン化した電極システム間に直接の電気的接触は無く、そして該第1電極システムが金属サポートの該導電面であることを除けば、前記システムと前記導電性ブリッジとは従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である、該第1受動記憶装置を提供する工程が、前記サポートを提供する過程と、もし該サポートが非金属性であれば該サポート上に前記導電層を実現する過程と、前記導電面又は導電層上にパターン化した絶縁システムを実現する過程と、前記パターン化した絶縁システム上に複数の分離した導電範囲を提供する過程と、そして前記分離された導電範囲の少なくとも1つと前記導電面又は該導電層と間で予め指定された点に導電性ブリッジを提供する過程と、を具備しており、導電層を場合により提供する前記過程と、パターン化した絶縁システムを提供する前記過程と、複数の分離した導電範囲を提供する前記過程と、そして導電性ブリッジを提供する前記過程と、の少なくとも1つが従来のプリンティング工程で実現されることを特徴とする該第1受動記憶装置を提供する工程。
  18. 前記従来のプリンティング工程がノンインパクトプリンティング工程であることを特徴とする請求項17の工程。
  19. 前記従来のプリンティング工程がインパクトプリンティング工程であることを特徴とする請求項17の工程。
  20. 前記従来のプリンティング工程がインクジェットプリンティング、インタグリオプリンティング、スクリーンプリンティング、フレキソグラフィックプリンティング、オフセットプリンティング、スタンププリンティング、グラビヤプリンティング、静電記録プリンティング、電子製版プリンティング、そして感熱及びレーザー誘起工程から成る群から選択されることを特徴とする請求項17の工程。
  21. 第2受動記憶装置用前駆体を提供する工程であって、前記前駆体がサポートと、前記サポートの少なくとも1つの側の、前記サポートの導電面又は前記サポート上の導電層と、前記導電面又は前記導電層上のパターン化した絶縁システムと、前記導電面又は前記導電層を前記パターン化した絶縁システム上の少なくとも1つの位置へリンクする少なくとも1つの導電小球と、を具備しており、前記オプションの導電層と、前記パターン化した絶縁システムとそして前記少なくとも1つの導電小球と、は従来のプリンティング技術を使ってプリント可能である、該第2受動記憶装置用前駆体を提供する工程が、前記サポートを提供する過程と、もし前記サポートが非金属性であるなら前記サポート上に前記導電層を実現する過程と、前記パターン化した絶縁システムを実現する過程とそして前記第1電極システムと隣接しない該絶縁システムの側から前記導電面又は前記導電層まで予め指定された点で導電小球を提供する過程と、を具備しており、導電層を場合により提供する前記過程、前記絶縁システムを提供する前記過程、そして前記導電小球を提供する前記過程、の少なくとも1つが従来のプリンティング工程で実現されることを特徴とする該第2受動記憶装置用前駆体を提供する工程。
  22. 第2受動記憶装置を提供する工程であって、前記受動記憶装置が少なくとも1つの受動記憶要素と、前記受動記憶要素を提供されたその少なくとも1つの側の少なくとも1つの導電面又は表面層を備えるサポートと、を具備しており、前記受動記憶要素は第1電極システムとしての前記サポートの前記導電面又は前記サポート上の前記表面層と、絶縁システムと、を備えており、前記第1電極システムと隣接しない該絶縁システムの側上の少なくとも1つの予め指定された点から前記第1電極システムまで少なくとも1つの導電小球が提供され、該小球は、該第2電極システムの前記複数の導電ピンの1つが前記パターン化した絶縁システム上の該導電小球の部分と接触した時、前記第1及び前記第2電極間に、単に読み出し目的用に、導電性ブリッジを作り、前記少なくとも1つの導電性ブリッジを欠く場合は、該第1電極システムと第2電極システムの間には直接の電気的接触は無く、そして該第1電極システムが金属サポートの該導電面であることを除けば、前記システムと前記少なくとも1つの導電小球は従来のプリンティング工程を使ってプリント可能である、該第2受動記憶装置を提供する工程が、前記サポートを提供する過程と、もし前記サポートが非金属性であるなら前記サポート上に前記導電層を実現する過程と、前記パターン化した絶縁システムを実現する過程と、前記第1電極システムと隣接しない該絶縁システムの側上の少なくとも1つの予め指定された点から前記導電面又は導電層まで少なくとも1つの導電小球を提供する過程とそして単に読み出し目的用の前記第2電極システムとして複数のピンを実現する過程と、を具備しており、導電層を場合により提供する前記過程と、該絶縁システムを提供する前記過程と、該導電小球を提供する前記過程とそして前記第2電極システムを提供する前記過程と、の少なくとも1つが従来のプリンティング工程で実現されることを特徴とする該第2受動記憶装置を提供する工程。
  23. 前記工程が更に前記導電面又は導電層上に絶縁パターンシステムを提供する過程を具備しており、前記絶縁パターンシステムを提供する前記過程が従来のプリンティング工程で実現されることを特徴とする請求項22の第2記憶装置を提供する工程。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010528471A (ja) * 2007-05-22 2010-08-19 レイクスユニヴェルシテイト フローニンゲン 強誘電体デバイスおよび可変調注入障壁

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2436893A (en) * 2006-03-31 2007-10-10 Seiko Epson Corp Inkjet printing of cross point passive matrix devices
US20090116275A1 (en) * 2006-04-28 2009-05-07 Leenders Luc Conventionally printable non-volatile passive memory element and method of making thereof
JP4898850B2 (ja) * 2009-01-22 2012-03-21 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用インクジェットインクおよび有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2013088240A1 (en) * 2011-12-13 2013-06-20 Sony Corporation Memory device
GB2547880A (en) * 2016-01-06 2017-09-06 Merenda Ltd Veneers
US10833264B2 (en) * 2016-03-23 2020-11-10 Forschungszentrum Juelich Gmbh Method for producing a memory cell having a porous dielectric and use of the memory cell

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW307048B (en) * 1996-11-22 1997-06-01 United Microelectronics Corp High density read only memory structure and manufacturing method thereof
JP4010091B2 (ja) * 2000-03-23 2007-11-21 セイコーエプソン株式会社 メモリデバイスおよびその製造方法
JP3855167B2 (ja) * 2001-03-29 2006-12-06 アグフア−ゲヴエルト,ナームローゼ・フエンノートシヤツプ 3,4−ジアルコキシチオフェンのポリマーもしくはコポリマー及び非−ニュートニアン結合剤を含有する水性組成物。
DE60237368D1 (de) * 2001-06-22 2010-09-30 Agfa Gevaert Nv Flexodruckfarbe, enthaltend ein 3,4-dialkoxythiophenpolymer oder -copolymer
US7179534B2 (en) * 2003-01-31 2007-02-20 Princeton University Conductive-polymer electronic switch
US6656763B1 (en) * 2003-03-10 2003-12-02 Advanced Micro Devices, Inc. Spin on polymers for organic memory devices

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010528471A (ja) * 2007-05-22 2010-08-19 レイクスユニヴェルシテイト フローニンゲン 強誘電体デバイスおよび可変調注入障壁
US9559320B2 (en) 2007-05-22 2017-01-31 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Ferro-electric device and modulatable injection barrier

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