JP2008516233A - 能力が向上した表面検査システム - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 71
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 179
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 84
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 6
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 5
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims 22
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 18
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000012552 review Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 65
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 43
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 38
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 2
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 230000006335 response to radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000014616 translation Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
- G01N2021/8822—Dark field detection
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
前述したように、SP1TBI システムの在来の操作では、検出器出力強度と、そのような出力強度を提供するように散乱した輻射が検出器によりそれから検出されたところの場所とは、そのような場所が一般的にはそのような強度を一定のしきい値と比較することによって潜在的異常を含むと判定されなければ、記憶されない。パターンを有するまたはノイズの多いバックグラウンドを有する表面が検査されるときには、多数の場所に潜在的異常があると判定される可能性がある。SP1TBI システムの在来の操作により潜在的に異常があると判定された場所をさらに調べるためには、そのような場所の全てを高い解像度で良く調べる必要があるかもしれない。しかし、そのような操作には時間がかかるので、それらの場所を高い解像度で調べる前にそれらの場所をマイクロビュー・モードで簡単に調べることがおそらく望ましい。そのような調べは、普通は、潜在的異常があると識別された場所を囲む領域から散乱した輻射の強度についての知識を必要とする。SP1TBI システムの在来の操作の間はそのような情報は記録されないので、在来のマイクロビュー・モードの間、ユーザは、それらの場所から散乱した輻射だけではなくて周囲の領域から散乱した輻射も記録するためにそれらの場所と周囲の領域とを再走査しなければならない。これは煩わしくて時間を消費する。
SP1TBI システムはパターン化されていないウェーハの検査のために有利である。なぜならば、集光光学系(レンズ38およびミラー52)が垂直方向36に関して回転対称であるので、ウェーハ20の表面上の欠陥の方向に関しての図1のシステムの方向は重要でないからである。さらに、これらの集光器による散乱空間の角度範囲は、パターン化されていないウェーハの検査において関心の対象である異常を検出するのに必要なものとよく調和する。
システム100,150がメモリセルをその上に有するウェーハを検査するために使用される場合、メモリアレイにより散乱した輻射のフーリエ成分は、ウェーハが回転させられるとき、スピンする。これらの成分は回転し、図1,5Aおよび6Aの垂直方向36に関していろいろな方位角にある。これは、ウェーハが回転させられるときに、これらのフーリエ成分がいろいろなファイバ72,82によって伝えられることを意味する。メモリセルのアレイは、ウェーハが回転するとき、ウェーハのXおよびY方向にいろいろな寸法を有し得るので、フーリエ成分によって飽和させられる検出器の数は変化し得る。フーリエ回折成分の数を推定できるようにメモリセルのXおよびY寸法を知ることにより、これに対処することができる。或いは、始めの初期化プロセス中に、非常に強い、或いは飽和した出力を有する検出器の最大数に注目することにより、除去されなければならないフーリエ成分の最大数が判定される学習サイクルが実行される。初期化後の測定中に、この数の検出器出力を除去することができ、その除去される出力は、飽和した出力または最大値を有する出力である。例えば、各陽極が使用されて対応するファイバに結合される多陽極PMTの場合、最大出力を有する検出器に隣接する成分をも除去することによってクロストークを減少させることができる。例えば、ウェーハが1つの位置において3つのフーリエ成分を与え、また他の1つにおいて2つを与えるならば、その3つの直接成分は各々に隣接する2つの成分と共に除去されて合計9個の検出器出力が除去される。これは7個の使用可能な検出器出力を残す。この数が、ウェーハの正確な方位角に関わらず、維持される。これは、ユーザが粒子について寸法決定オプションを維持することを可能にする。
検査される表面から散乱した輻射の多重透視図(すなわち、マップの部分)を提供する前述した特徴は、前述したマイクロビュー能力と組み合わされ得る。例えば、表面20を走査するために図1,5Aおよび6Aのシステム10,100および150のいずれも使用され得、検出器出力の強度は、そのような強度が所定しきい値を超えても超えなくても、(コンピュータ62に関連付けられたメモリなどに)格納され得る。走査が完了すると、ユーザは、関心の対象である(図10Aの場所302のような)場所を含む領域またはパッチのいろいろな仰角および/または方位角でのマイクロビューを得ることができる。これは、例えば、図11に示されている。図11は、そのパッチにより32個の別々の方向に散乱した輻射の強度を検出することにより得られた、検査される表面の同じパッチまたは領域の32個の図(マイクロビュー)のコレクションである。その32個の方向は、方位角、検査される表面からの仰角、またはその両方において互いに異なり得る。図11から分かるように、パッチの図の幾つか(312,314,316および318)のピクセル強度値は大強度の散乱した輻射を含む。これは、おそらく、図312〜318が表面20のパターンまたは他の周期的凹凸から散乱した輻射を含むことを示す。この理由の故に、この4つの図は、表面20上の異常の存在の判定においては無視されても良い。前述したように、いろいろなタイプの欠陥または異常がいろいろな選択的仰角または方位角で輻射を散乱させる。いろいろな集光角度(方位角および仰角の両方)から多数の図を供給することによって、表面20上に存在するかもしれない異常の存在およびタイプの両方を判定するために多量の情報が利用可能である。
ここで図7および8を参照して他のタイプの表面検査システムを説明する。このタイプのシステムについてのより詳細な説明が米国特許第6,215,551号(特許文献4)および第5,864,394号(特許文献5)において提示されている。これら特許は、その全体が本願明細書において参照により援用されている。図7に示されているように、システム220はレーザビーム224を供給するレーザ222を含む。ビーム224はビーム拡大器226によって拡大され、その拡大されたビーム228は音響光学偏向器 (acousto-optic deflector)(AOD)230によって偏向させられて偏向ビーム232とされる。この偏向ビーム232は、ポストAOD偏光選択光学系234を通され、その結果として生じたビームは、パターン化され或いはパターン化されていない半導体ウェーハ、フォトマスクまたはセラミック・タイルのそれのような検査されるべき表面240上のスポット210にテレセントリック走査レンズ236によって収束する。
図9Aおよび9Bを参照すると、2つの表面300および300’は実質的に同じパターンをその上に有する。2つの表面が半導体ウェーハの表面である場合には、そのような表面は、普通、フラット320および320’のような位置合せマークを有する。よって、表面300上のパターンは、フラット320に関して、表面300’上の類似パターンのフラット320’に関しての方位および位置と同じ相対的方位および位置にある。位置合せマークとしてフラットを用いる代わりに、ノッチ(図示せず)を使用しても良い。従って、表面300が図7および8に示されているものだけでなく図1〜6Bの光学システムによって検査されるとき、検査システムは、位置合せマーク320に関しての1つまたは複数の照明ビームおよび集光チャネルの相対的方位および位置をその、コンピュータ62のようなコンピュータに、格納する。表面300’が検査されるときにも、同様に、そのようなシステムは位置合せマーク320’に関しての1つまたは複数の照明ビームおよび集光チャネルの相対的方位および位置を記録する。このようにして、表面300および300’が同じ検査システムによって順次に検査されるならば、表面300’上の領域またはパッチ306’が表面300のパッチまたは領域306の照明と実質的に同様の仕方で(例えば、照明ビームに関しての方位)照明されることは割合に確かであり得る。また、領域またはパッチ306’から散乱した輻射が、前の走査での表面300上の領域またはパッチ306から散乱した輻射を集めるためのそれと実質的に同じ集光方向に沿って検出されることも割合に確かであり得る。従って、領域またはパッチ306および306’は2つの表面の対応するパッチである。
Claims (46)
- 表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
輻射のビームと前記表面との間に相対運動を生じさせるステップと、
前記表面から散乱した輻射を集め、その集められた輻射を1つ以上のチャネルに向けるステップと、
前記チャネルのうちの少なくとも1つにより導かれた集められた輻射を各々の信号に変換するステップと、
前記信号から前記表面の中または上の潜在的異常の存在を判定するステップと、
潜在的異常を有すると判定された前記表面の場所から散乱した輻射から変換された前記信号中の情報と、前記場所に隣接していて潜在的異常を有すると判定されていない前記表面の部分から散乱した輻射から変換された前記信号中の情報とを格納するステップと、
を含む方法。 - 請求項1記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記集めるステップおよび前記変換するステップの前に領域の寸法を指定するステップをさらに含み、前記格納するステップは、少なくとも、前記表面上にある前記指定された寸法の1つ以上の領域の中にあるいろいろなピクセルから散乱した輻射から変換された信号中の情報を格納し、前記領域の各々は、前記表面上の潜在的異常が存在すると判定された場所を含む方法。 - 請求項2記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記指定するステップは、前記集めるステップおよび前記変換するステップの前に距離を設定するステップを含み、前記格納するステップは、少なくとも、前記表面上にある前記表面上の潜在的異常が存在すると判定された場所から前記距離の中にあるいろいろなピクセルから散乱した輻射から変換された信号中の情報を格納する方法。 - 請求項3記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記表面上のピクセルから散乱した輻射から変換された信号中の格納された情報を、前記ピクセルから前記距離の中に潜在的異常が存在しないと判定されたときに限って、消去するステップをさらに含む方法。 - 請求項2記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記表面上の部分から散乱した輻射から変換された信号中の格納された情報を、前記表面上の潜在的異常が存在すると判定された場所を各々含む前記領域のいずれの中にも前記部分がないときに限って、消去するステップをさらに含む方法。 - 請求項1記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記格納するステップは、少なくとも、前記表面の潜在的に異常があるとは判定されていない部分の画像を格納する方法。 - 請求項1記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記判定するステップは、前記信号の強度を少なくとも1つのしきい値と比較することによって前記表面の中または上の潜在的異常の存在を識別し、前記格納するステップは、前記表面の、前記信号の強度が前記少なくとも1つのしきい値より大きくない少なくとも1つの部分から集められた前記信号中の情報を格納する方法。 - 請求項1記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記表面の、輻射のビームにより存在すると判定された潜在的異常の部分およびそれに隣接する部分を再走査するステップと、
前記再走査中に前記表面の前記部分から散乱した輻射を集め、その集められた輻射を前記チャネルのグループのうちの各チャネルに向けるステップであって、前記グループ中のチャネルの数が潜在的異常の存在を判定するために前に使われたチャネルの数より多い、ステップと、
チャネルの前記グループにおいて導かれた輻射から変換された信号から前記表面の中または上の潜在的異常の存在を確認または度外視するステップと、
をさらに含む方法。 - 請求項1記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記生じさせるステップは、前記ビームが実質的に前記表面全体を走査するように輻射のビームと前記表面との間に相対的回転および並進運動を生じさせる方法。 - 請求項1記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記生じさせるステップは、前記ビームが実質的に前記表面全体を走査するように輻射のビームと前記表面との間に互いに横断する2つの方向に沿う相対的並進運動を生じさせる方法。 - 請求項1記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記格納された情報を検索し、前記表面の1つ以上の潜在的異常が存在すると判定された部分におけるピクセルのマップを設けるステップをさらに含み、前記部分の中の前記ピクセルは、潜在的異常の存在が存在すると判定されていない場所に存するものを含む方法。 - 請求項11記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記マップは、前記表面を再走査することなく設けられる方法。 - 請求項1記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記集めるステップは、前記表面からいろいろな仰角においてまたは前記表面に垂直な線またはそれに対応する方向の回りのいろいろな方位角において前記表面から散乱した輻射を、前記表面からの相対的仰角位置または前記線または回りの集められた輻射の方位角位置に関連する情報が保存されるように、集め、前記向けるステップは、前記表面により散乱した輻射を複数のいろいろなチャネルに、前記チャネルのうちの少なくとも幾つかがいろいろな仰角においてまたは前記線に関していろいろな方位角において散乱した輻射を導くように、向け、前記変換するステップは、前記チャネルのうちの前記少なくとも幾つかにより導かれた前記集められた輻射を各々の信号に変換し、前記判定するステップは前記各々の信号から前記表面の中または上の潜在的異常の存在を判定する方法。 - 請求項13記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記格納された情報を検索し、前記表面の1つ以上の潜在的異常が存在すると判定された部分におけるピクセルの複数のマップを設けるステップをさらに含み、前記マップの各々は前記線の回りの1つの対応する方位角および/または前記表面からの仰角において前記表面の前記部分から散乱した前記集められた輻射に関連する情報を含む方法。 - 請求項13記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記表面はその上にパターンを有し、前記判定するステップは、対応するチャネルで導かれた前記集められた輻射に応答して出力信号を提供する検出器により判定を行い、所定しきい値より高い検出器の出力信号を用いずに潜在的異常の存在を判定する方法。 - 請求項13記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記判定するステップは、対応するチャネルで導かれた前記集められた輻射に応答して出力信号を提供する検出器により判定を行い、前記判定するステップは、前記表面の同じ場所から前記チャネルで導かれた前記集められた輻射に応答して提供された前記検出器出力信号のうちの少なくとも幾つかのものの加重平均、中央値または最小値から前記表面の中または上の潜在的異常の存在を判定する方法。 - 請求項16記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記格納するステップは、前記表面の潜在的異常を有すると判定された場所から散乱した前記チャネルで導かれた前記集められた輻射に応答して提供された前記検出器出力信号の前記加重平均、中央値または最小値に関連する情報と、前記表面の、潜在的異常を有していないと判定された、前記場所に隣接する部分から散乱した前記チャネルで導かれた前記集められた輻射に応答して提供された前記検出器出力信号の前記加重平均、中央値または最小値に関連する情報とを格納する方法。 - 請求項1記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記集めるステップは、前記表面が前記ビームによって走査されるとき、前記表面に垂直な線の回りにまたはそれに対応する方向の回りにいろいろな方位角で前記表面から散乱した輻射を、前記線の回りにおける前記集められた輻射の相対的方位角位置に関連する情報が保存されるように、集め、前記向けるステップは、前記表面により散乱した輻射を複数のいろいろなチャネルに、前記チャネルのうちの少なくとも幾つかが前記線に関していろいろな方位角に散乱した輻射を導くように、向け、前記変換するステップは前記チャネルのうちの前記少なくとも幾つかのものにより導かれた前記集められた輻射を各々の信号に変換し、前記判定するステップは、前記表面の中または上の潜在的異常の存在を前記各々の信号から判定する方法。 - 請求項18記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記表面の部分から前記線の回りの第1の対応する方位角において散乱した集められた輻射から変換された1つの信号からの格納された情報が、前記表面の同じ部分から前記第1の対応する方位角とは異なる前記線の回りの第2の対応する方位角において散乱した集められた輻射から変換された他の信号からの格納された情報から区別され得るように、前記格納するステップは前記各々の信号からの情報を格納する方法。 - 請求項18記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記集め、その集められた輻射をチャネルに向けるステップは、前記線または前記方向の回りに実質的に対称的に散乱した輻射を集める集光器による方法。 - 請求項1記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記向けるステップは、前記集められた輻射を前記チャネルとして作用する光ファイバに少なくとも1つの対物レンズによって収束させることを含む方法。 - 請求項21記載の表面上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記向けるステップは、前記集められた輻射の部分をいろいろな方位角において反射集光器から前記チャネルの方に反射させるステップを含む方法。 - 第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
(a)前記第1および第2表面を輻射の1つ以上のビームにより走査させるステップと、
(b)前記第1表面から散乱した輻射を集光光学系によって集め、前記集められた輻射を1つ以上のチャネルの第1セットに向け、前記チャネルのうちの少なくとも1つにより導かれた前記集められた輻射を信号に変換するステップと、
(c)前記第2表面から散乱した輻射を集光光学系によって集め、前記集められた
輻射を1つ以上のチャネルの第2セットに向け、前記チャネルのうちの少なくとも1つにより導かれた前記集められた輻射を信号に変換するステップと、
(d)前記第1表面の少なくとも一部分から散乱した輻射から変換された第1信号と、前記第2表面の少なくとも一部分から散乱した輻射から変換された第2信号とを識別するべく前記2つの表面からの前記集められた輻射の変換からの前記信号を処理するステップであって、前記2つの表面の前記2つの部分は前記第1および第2表面上で実質的に同じ相対的場所を有し、前記ビームおよび集めるステップは、前記2つの部分が前記ビームと各々それから散乱した輻射を集める前記集光光学系とに関して実質的に同じ相対的方位角を有するようなビームおよび集めるステップである、ステップと、
(e)前記第1および/または前記第2表面の前記部分の中または上の潜在的異常の存在を前記第1および第2信号から判定するステップと、
を含む方法。 - 請求項23記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記処理するステップは、前記第1表面上の位置合せマークに関して前記第1表面から散乱した集められた輻射から変換された前記信号を記録するステップと、前記第2表面上の位置合せマークに関して前記第2表面から散乱した集められた輻射から変換された前記信号を記録するステップと、前記記録された信号から前記第1および第2信号を見出すステップとを含む方法。 - 請求項23記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記判定するステップは、前記第1および第2信号を比較するステップを含む方法。 - 請求項25記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記処理するステップは、前記第1および/または第2信号を1つ以上のしきい値と比較するステップを含み、前記第1および第2信号の前記比較は、前記第1および/または第2信号の前記1つ以上のしきい値との前記比較の前に行われる方法。 - 請求項25記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記第1および/または第2信号からの情報を格納するステップをさらに含む方法。 - 請求項27記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記第1および第2信号の差がしきい値より小さいときに限って前記第1および/または第2信号からの情報を格納するステップをさらに含む方法。 - 請求項25記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記処理するステップは、前記第1および/または第2信号を1つ以上のしきい値と比較するステップを含み、前記第1および第2信号の前記比較は、前記第1および/または第2信号の前記1つ以上のしきい値との前記比較の後に行われる方法。 - 請求項23記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記判定するステップは、前記第1および第2信号の差を計算するステップを含む方法。 - 請求項23記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記第1表面の潜在的異常を有すると判定された場所から散乱した輻射から変換された前記信号中の情報と、前記第1表面の、前記場所に隣接していて潜在的異常を有するとは判定されなかった部分から散乱した輻射から変換された前記信号中の情報とを格納するステップと、前記第2表面の潜在的異常を有すると判定された場所から散乱した輻射から変換された前記信号中の情報と、前記第2表面の、前記場所に隣接していて潜在的異常を有するとは判定されなかった部分から散乱した輻射から変換された前記信号中の情報とを格納するステップとをさらに含む方法。 - 請求項31記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
(b)および(c)における前記集めるステップおよび前記変換するステップの前に領域の寸法を指定するステップをさらに含み、前記格納するステップは、少なくとも、前記第1または第2表面上にある前記指定された寸法の1つ以上の領域の中にあるいろいろなピクセルから散乱した輻射から変換された信号中の情報を格納し、前記領域の各々は、前記第1または第2表面上の潜在的異常が存在すると判定された場所を含む方法。 - 請求項32記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記格納するステップは、前記第1および/または第2表面の前記領域内の場所から散乱した輻射から変換された前記信号中の情報をメモリに格納し、前記方法は、前記指定された寸法の前記1つ以上の領域内に潜在的異常が存在しないと判定されたときに限って前記第1または表面上のピクセルから散乱した輻射から変換された信号中の格納された前記情報を消去するステップをさらに含む方法。 - 請求項31記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
(b)および(c)における前記集めるステップおよび前記変換するステップの前に距離を設定するステップをさらに含み、前記格納するステップは、少なくとも、前記第1または第2表面上にある前記表面上の潜在的異常が存在すると判定された場所から前記距離の中にあるいろいろなピクセルから散乱した輻射から変換された信号中の情報を格納する方法。 - 請求項23記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
(b)における前記集めるステップは、前記第1表面が前記ビームによって走査されるとき、前記第1表面からの相対的仰角位置に関連しまたは第1の線または回りの前記集められた輻射の方位角位置における情報が保存され、且つ前記第1表面により前記第1表面からいろいろな仰角位置においてまたは前記第1の線に関していろいろな方位角において散乱した輻射がいろいろなチャネルに沿って伝えられるように、前記第1表面から散乱した輻射を集めて、その集められた輻射を前記第1表面からのいろいろな仰角においてまたは前記第1表面に垂直な第1の線の回りのまたはそれに対応する方向の回りのいろいろな方位角において前記第1セット中のチャネルに向け、(c)における前記集めるステップは、前記第2表面が前記ビームによって走査されるとき、前記第2表面からの相対的仰角位置に関連しまたは第2の線または回りの前記集められた輻射の方位角位置における情報が保存され、且つ前記第2表面により前記第2表面からいろいろな仰角位置においてまたは前記第2の線に関していろいろな方位角において散乱した輻射がいろいろなチャネルに沿って伝えられるように、前記第2表面から散乱した輻射を集めて、その集められた輻射を前記第2表面からのいろいろな仰角においてまたは前記第2表面に垂直な第2の線の回りのまたはそれに対応する方向の回りのいろいろな方位角において前記第2セット中のチャネルに向ける方法。 - 請求項35記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記第1表面はその上に第1パターンを有し、前記第2表面は前記第1パターンと実質的に同じ第2パターンを有し、前記判定するステップは、前記第1および第2セット中の対応するチャネルで導かれた前記集められた輻射に応答して出力信号を提供する検出器により判定を行い、所定しきい値より高い検出器の出力信号を用いずに潜在的異常の存在を判定する方法。 - 請求項35記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記第1表面はその上に第1パターンを有し、前記第2表面は前記第1パターンと実質的に同じ第2パターンを有し、前記判定するステップは、前記第1および第2セット中の対応するチャネルで導かれた前記集められた輻射に応答して出力信号を提供する検出器により判定を行い、前記第1表面の前記少なくとも1つの部分の同じ場所から散乱した前記集められた輻射に応答して提供された前記検出器出力信号の第1加重平均、最小値または中央値から前記第1表面の中または上の潜在的異常の存在を判定し、前記第2表面の前記少なくとも1つの部分の同じ場所から散乱した前記集められた輻射に応答して提供された前記検出器出力信号の第2加重平均、最小値または中央値から前記第2表面の中または上の潜在的異常の存在を判定する方法。 - 請求項37記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記判定するステップは、前記第1最小値または中央値と前記第2最小値または中央値とを比較するステップを含む方法。 - 請求項37記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記判定するステップは、前記第1加重平均、最小値または中央値と前記第2加重平均、最小値または中央値との差を計算するステップを含む方法。 - 請求項35記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
(b)および(c)の各々における前記集めて、その集められた輻射をチャネルに向けるステップは、前記第1または第2の線またはそれに対応する前記方向の回りに実質的に対称的に散乱した輻射を集める集光器による方法。 - 請求項23記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
(b)および(c)における前記向けるステップは、前記集められた輻射を前記対応するチャネルとして作用する光ファイバに少なくとも1つの対物レンズによって収束させることを含む方法。 - 請求項23記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
(b)および(c)における前記向けるステップは、前記集められた輻射の部分をいろいろな方位角において反射集光器から前記対応するチャネルの方に反射させるステップを含む方法。 - 請求項23記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記処理するステップは、前記第1および/または第2信号を1つ以上のしきい値と比較するステップを含む方法。 - 請求項23記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記処理するステップは、前記第1および第2信号の補間および平滑化を含む方法。 - 請求項44記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記判定するステップは、前記第1および第2信号を比較するステップを含み、前記比較は、前記第1および第2信号の前記補間および平滑化の前に行われる方法。 - 請求項44記載の第1および第2表面の上の異常を検出するための表面検査方法において、
前記判定するステップは、前記第1および第2信号を比較するステップを含み、前記比較は、前記第1および第2信号の前記補間および平滑化の後に行われる方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US61591804P | 2004-10-04 | 2004-10-04 | |
US60/615,918 | 2004-10-04 | ||
US11/243,349 US7471382B2 (en) | 2004-10-04 | 2005-10-03 | Surface inspection system with improved capabilities |
US11/243,349 | 2005-10-03 | ||
PCT/US2005/035867 WO2006041944A2 (en) | 2004-10-04 | 2005-10-04 | Surface inspection system with improved capabilities |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008516233A true JP2008516233A (ja) | 2008-05-15 |
JP2008516233A5 JP2008516233A5 (ja) | 2008-11-20 |
JP5519106B2 JP5519106B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=35911126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007535781A Active JP5519106B2 (ja) | 2004-10-04 | 2005-10-04 | 能力が向上した表面検査システム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7471382B2 (ja) |
JP (1) | JP5519106B2 (ja) |
WO (1) | WO2006041944A2 (ja) |
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- 2005-10-04 JP JP2007535781A patent/JP5519106B2/ja active Active
- 2005-10-04 WO PCT/US2005/035867 patent/WO2006041944A2/en active Application Filing
-
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- 2008-12-10 US US12/332,037 patent/US7978323B2/en not_active Expired - Fee Related
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WO2006041944A9 (en) | 2006-07-20 |
JP5519106B2 (ja) | 2014-06-11 |
WO2006041944A2 (en) | 2006-04-20 |
US20090116004A1 (en) | 2009-05-07 |
US7471382B2 (en) | 2008-12-30 |
US20060109457A1 (en) | 2006-05-25 |
WO2006041944A3 (en) | 2006-06-15 |
US7978323B2 (en) | 2011-07-12 |
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