JP2008515229A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 銅相互接続部であって、
   或る量の不純物を含有する不純物含有銅ソースから得られ、下にある絶縁層（１１５）の中への銅の実質的な拡散を防止する障壁層（２３０）の上に堆積された、不純物含有銅シード層（４４０）と、
   或る量の不純物を含有する不純物含有銅ソースから得られ、下にある前記絶縁層（１１５）の開口部を埋める、不純物含有銅（３５０）と、
   を含む銅相互接続部。
2. 前記不純物含有銅シード層（４４０）の前記銅ソースが、前記不純物含有銅（３５０）の前記銅ソースである、請求項１に記載の銅相互接続部。
3. 前記不純物の含有量が、前記不純物含有銅シード層（４４０）及び前記不純物含有銅（３５０）の少なくとも１つの０．００１重量％以上１．２０重量％以下を占める、請求項１に記載の銅相互接続部。
4. 堆積前に前記不純物含有銅シード層（４４０）中の前記不純物含有銅が前記不純物含有銅（３５０）と実質的に同じ組成である、請求項１に記載の銅相互接続部。
5. 前記不純物含有銅ソース中の前記銅が、Ａｇ、Ａｓ、Ｃ、Ｃｄ、Ｃｌ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎ、Ｎｉ、Ｏ、Ｐｂ、Ｓ、Ｓｎ、Ｔｌ及びＺｎの群から選択された不純物を含有する、請求項１に記載の銅相互接続部。
6. 銅相互接続部を形成する方法であって、
   或る量の不純物を含有する不純物含有銅シード・ソースから得られた不純物含有銅シード層（４４０）を、下にある絶縁層（１１５）の開口部の内部を覆い、下にある前記絶縁層（１１５）の中への前記銅の実質的な拡散を防止する障壁層（２３０）の上に堆積するステップと、
   前記開口部を、或る量の不純物を含有する不純物含有銅シード・ソースから得られた不純物含有銅（３５０）で埋めるステップと、
   を含む方法。
7. 前記不純物含有銅シード層（４４０）の前記銅シード・ソースが前記不純物含有銅（３５０）の前記銅シード・ソースである、請求項６に記載の方法。
8. 前記不純物の含有量が、前記不純物含有銅シード層（４４０）及び前記不純物含有銅（３５０）の少なくとも１つの０．００１重量％以上１．２０重量％以下を占める、請求項６に記載の方法。
9. 前記不純物含有銅シード層（４４０）、前記障壁層（２３０）及び前記不純物含有銅（３５０）を、前記不純物含有銅シード層（４４０）、前記障壁層（２３０）及び前記不純物含有銅（３５０）が前記絶縁層（１１５）と平坦化されるまで化学的機械研磨するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
10. 銅相互接続部であって、
    開口部を有する絶縁層（１１５）と、
    下にある前記絶縁層（１１５）上に堆積され前記開口部の内部を覆い、下にある前記絶縁層（１１５）の中への銅の実質的な拡散を防止する、障壁層（２３０）と、
    或る量の不純物を含有する不純物含有銅ソースから得られ、前記障壁層（２３０）上に堆積され前記開口部を埋める、不純物含有銅シード（３５０）と、
    を備えた銅相互接続部。
11. 前記不純物の含有量が、前記不純物含有銅シード（３５０）の０．００１重量％以上１．２０重量％以下を占める、請求項１０に記載の銅相互接続部。
12. 銅相互接続部を形成する方法であって、
    絶縁層（１１５）を堆積するステップと、
    前記絶縁層（１１５）に開口部をエッチングするステップと、
    前記絶縁層（１１５）への前記銅の実質的な拡散を防止する障壁層（２３０）を、前記開口部の内部を覆って前記絶縁層（１１５）内に堆積するステップと、
    前記開口部を、或る量の不純物を含有する不純物含有銅シード・ソースから得られた不純物含有銅シード（３５０）で埋めるステップと、
    を含む方法。
13. 前記不純物の含有量が、前記不純物含有銅シードの０．００１重量％以上１．２０重量％以下を占める、請求項１２に記載の方法。
14. 前記不純物含有銅シード（３５０）及び前記障壁層（２３０）を、前記不純物含有銅シード（３５０）及び前記障壁層（２３０）が前記絶縁層（１１５）と平坦化されるまで化学的機械研磨するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
15. 前記不純物含有銅シード（３５０）が、スパッタリング、ＰＶＤ、ＣＶＤ、ＩＰＶＤ、及びＡＬＤの少なくとも１つによって堆積される、請求項１２に記載の方法。