JP2008512564A - 熱処理アセンブリおよび方法 - Google Patents
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Abstract
この発明は、熱処理アセンブリを提供する。熱処理アセンブリは、レーザ(22)と、基板(24)と、工具(26)とを含む。レーザは、基板および工具に向けられるレーザエネルギを放出する。基板はレーザエネルギを吸収して、基板を変性させる熱エネルギを基板内に生成する。工具は、基板に対し取外し可能に接触するよう配置され、基板から熱エネルギを取除くように熱伝導して、基板の変性を制限する。好ましくは、工具は基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有し、より好ましくは銅材料、金材料、銀材料またはアルミニウム材料である。
Description
発明の背景
1 技術分野
この発明は、レーザエネルギによって基板の規定領域を変性させるための熱処理アセンブリおよび方法に関する。
1 技術分野
この発明は、レーザエネルギによって基板の規定領域を変性させるための熱処理アセンブリおよび方法に関する。
2 関連技術
当業者には、レーザを採用してレーザエネルギを用いて基板を処理するさまざまな熱処理アセンブリが公知である。レーザによる基板処理の1つの欠点は、レーザがビームとしてレーザエネルギを一旦放出すると、そのエネルギを処理されるべき領域に制限することが困難なことである。基板によって一旦吸収されたレーザエネルギは、レーザエネルギに直接露出された領域を超えた領域へと、基板の材料により伝導される傾向がある。この伝導は、処理領域を正確に制御することを困難にする。公知のレーザ処理システムはまた、レーザエネルギの付与を所望の領域に制御しようと試みて、被処理領域に対して比較的狭い光ビームをも採用する。そのような細ビームのアプローチは一般に、領域を上下左右に走査するパターンにおいて多数のパス(ラスタリングとして知られる)が行なわれることを必要とする。このアプローチは、特に走査されるべき領域が多数ある場合には、複雑であってコストがかかり、しかも、境界近傍の意図した対象領域を超えるレーザエネルギの伝導の制御に関わる問題を回避していない。
当業者には、レーザを採用してレーザエネルギを用いて基板を処理するさまざまな熱処理アセンブリが公知である。レーザによる基板処理の1つの欠点は、レーザがビームとしてレーザエネルギを一旦放出すると、そのエネルギを処理されるべき領域に制限することが困難なことである。基板によって一旦吸収されたレーザエネルギは、レーザエネルギに直接露出された領域を超えた領域へと、基板の材料により伝導される傾向がある。この伝導は、処理領域を正確に制御することを困難にする。公知のレーザ処理システムはまた、レーザエネルギの付与を所望の領域に制御しようと試みて、被処理領域に対して比較的狭い光ビームをも採用する。そのような細ビームのアプローチは一般に、領域を上下左右に走査するパターンにおいて多数のパス(ラスタリングとして知られる)が行なわれることを必要とする。このアプローチは、特に走査されるべき領域が多数ある場合には、複雑であってコストがかかり、しかも、境界近傍の意図した対象領域を超えるレーザエネルギの伝導の制御に関わる問題を回避していない。
従来技術の方法に従って処理された基板10および12の断面を図1および図2に示す。基板10および12は、レーザで処理された後に、目視のために切断および実装されて基板10および12の変性が観察された。基板10および12の各々は、水平表面14と垂直表面16とを含む。基板10および12は、垂直表面16を硬化させずに水平表面14を硬化させるように処理された。レーザエネルギは、水平表面14に集中されたが、一旦基板10および12がレーザエネルギを吸収すると、発生された熱は水平表面14から垂直表面16に伝導された。熱エネルギの伝導は垂直表面16の硬化をもたらしたが、これは基板10および12の有用性に反する。図1および図2に示すように、処理領域は水平表面14から垂直表面16に向かって下向きに傾斜する。
図1における基板10は、たとえば、鋼のピストンであって、硬化されるべき水平表面14は鋼のピストン上の溝であってもよい。鋼のピストンの垂直表面16は、繰返し応力を与えられると、疲労しやすく、所望領域を超えた熱の伝導によって熱処理および硬化された結果としての故障が生じ得る。先行技術の図2は、処理されるべき水平表面14を有する基板12として鉄のスクレーパリングが設けられる別の例を示す。ここでも、熱エネルギは水平表面14から垂直表面16に伝導され、垂直表面16は不都合に硬化された。上述のものと同じ理由から、垂直表面16が硬化されることは不利益である。
関連技術方法およびアセンブリのさらなる不利点とは、基板が処理後に歪む傾向があることである。基板の表面領域は応力を有するので、領域の処理は応力を増大させ基板が歪む可能性がある。たとえば、ピストンリングはピストンリングの形状の結果としての応力を有する。ピストンリングが関連技術の方法およびアセンブリによって処理された場合、ピストンリングは曲がりかつ歪む傾向がある。
発明の要約
この発明は、基板の規定領域を変性させるための熱処理アセンブリを提供する。アセンブリは、露出された規定領域に向かってレーザエネルギを放出するように機能するレーザレーザと、工具とを含む。工具は、基板に対して取外し可能に接触し、かつ規定領域に隣接するように配置される。工具は、基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有し、基板がレーザエネルギを吸収した結果として生じる熱エネルギを規定領域から取除くように熱伝導する。
この発明は、基板の規定領域を変性させるための熱処理アセンブリを提供する。アセンブリは、露出された規定領域に向かってレーザエネルギを放出するように機能するレーザレーザと、工具とを含む。工具は、基板に対して取外し可能に接触し、かつ規定領域に隣接するように配置される。工具は、基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有し、基板がレーザエネルギを吸収した結果として生じる熱エネルギを規定領域から取除くように熱伝導する。
この発明はまた、レーザからのレーザエネルギによって基板の規定領域を変性させるための方法をも提供する。方法は、基板を設けるステップと、工具を設けるステップと、工具を基板に対して取外し可能に接触して配置するステップとを含む。工具は、規定領域からレーザエネルギを取除くように熱伝導し、規定領域を超える基板の変性を制限する。
したがって、この発明は、関連技術を特徴付ける欠点を克服するアセンブリおよび方法を提供する。特定的には、この発明は工具を利用して、基板から熱エネルギを取除くように熱伝導することによって基板の変性を制限する。したがって、熱エネルギは、意図せずに基板のさらなる領域を変性させることなく、規定領域を精密に変性させる。上述の関連技術の例に鑑みて、この発明は垂直表面の意図しない変性が殆どまたは全く生じないことを確実にする。所望領域のみが硬化されるので、基板が故障する可能性が減じられる。工具はまた、所望領域を変性させるのに必要な時間およびコストをも減じる。走査の間にレーザを精密に制御する必要はなく、光線レーザの1回のパスのみで領域を処理することができる。この発明はまた、工具が、処理の結果としての基板の歪みを最小化することを可能にする。
この発明のこれらおよび他の利点は、以下の詳細な説明および添付の図面を参照すれば、容易に理解されるであろう。
発明の詳細な説明
図3の20は、熱処理アセンブリを概略的に示す。熱処理アセンブリ20は、レーザ22と、基板24と、工具26とを含む。レーザ22は、基板24および工具26に向けられるレーザエネルギ28を放出する。基板24はレーザエネルギ28を吸収し、熱エネルギは基板24を変性させる。基板は、これらに限定されないが、エッチング、マーキング、アニーリング、析出硬化などのさまざまな態様で変性され得る。
図3の20は、熱処理アセンブリを概略的に示す。熱処理アセンブリ20は、レーザ22と、基板24と、工具26とを含む。レーザ22は、基板24および工具26に向けられるレーザエネルギ28を放出する。基板24はレーザエネルギ28を吸収し、熱エネルギは基板24を変性させる。基板は、これらに限定されないが、エッチング、マーキング、アニーリング、析出硬化などのさまざまな態様で変性され得る。
レーザの種類に応じて、さまざまなレーザ22がさまざまな波長を有するレーザエネルギ28を放出する。レーザ22は、固体レーザ、ガスレーザ、エキシマレーザ、色素レーザ、または半導体レーザであり得る。固定レーザの例は、これらに限定されないが、ルビーレーザと、ネオジム:イットリウム−アルミニウムガーネット(Nd:YAG)レーザを含む。Nd:YAGレーザは、典型的には、約1064ナノメートルの波長を有するレーザエネルギ28を生成する。ガスレーザの例は、これらに限定されないが、ヘリウムレーザと炭酸ガスレーザとを含む。炭酸ガスレーザは、典型的には、約10.6ミクロンの波長を有するレーザエネルギ28を生成する。エキシマレーザの例は、これらに限定されないが、反応ガスおよび不活性ガスレーザを含む。色素レーザは、レーザ媒体として複合有機色素を用い、これに限定されないが、ローダミン6Gを含む。半導体レーザはダイオードレーザを含む。好ましい実施例においては、レーザ22は、500ワットから約10キロワット、好ましくは500ワットから5キロワット、より好ましくは800ワットから2キロワットの出力を有するダイオードレーザである。ダイオードレーザはヌボニクス(Nuvonyx)およびロフィン・シナール(Rofin-Sinar)から商業的に入手可能である。
レーザ22は、光ビーム(図示せず)かまたはレーザ光線30のいずれかとしてレーザエネルギ28を放出し得る。当業者には、光ビームが薄く狭いのに対し、光線30はより広くより厚いことが理解される。レーザ光線30は、光ビームと比較して、走査された場合により広い領域を包含することが可能であるが、たとえばガルボミラーであるビーム走査光学素子を用いて細いビームで同様の効果が得られる。好ましくは、レーザ22はレーザ光線30としてレーザエネルギ28を放出する。レーザ光線30は、500ナノメートルから1000ナノメートル、好ましくは650から900ナノメートル、より好ましくは750から850ナノメートルの波長を有する。好ましいダイオードレーザ22は、808ナノメートルの波長を有するレーザエネルギ28を生成する。レーザ光線30は、好ましくは0.1ミリメートルから1ミリメートルの幅と5ミリメートルから20ミリメートルの長さとを有する。より好ましくは、レーザ光線30は約2分の1ミリメートルの幅と約10−12ミリメートルの長さとを有する。
基板24は、変性されるべき、レーザエネルギ28に露出される規定領域32を有する。たとえば、規定領域32は基板24の全面または面の一部のみを含み得る。規定領域32はまた、図4および図5に示すように基板24の露出された端縁34をも含み得る。規定領域32は、いかなる大きさおよび基板上のいかなる場所であってもよい。しかしながら、典型的には、変性されるべきではない対応の領域33が、規定領域32に隣接して存在する。好ましくは、基板24は工具26とは異なった材料で形成される。基板24は変性されるべきいかなる種類の金属材料であってもよいが、基板24は好ましくは鉄含有材料である。基板24は、基板24の用途に応じてさまざまな形状および寸法であり得る。基板24の例は、これらの限定されないが、ピストンリング、電極、エンジンブロック、ブレーキロータなどを含む。図3は、外側表面36を有し、概して矩形の形状を有する板としての基板24を示す。表面36は、そこに配置される複数の穴38を規定する。図4は、外側表面36を有し、概して矩形の形状を有するバーとしての基板24を示す。
工具26は、銅材料と、金材料と、銀材料と、アルミニウム材料とのうちの少なくとも1つを含む。好ましくは、工具26は、銅材料またはアルミニウム材料を含み、最も好ましくは銅材料を含む。工具26は、基板24の用途に応じてさまざまな形状および寸法を有し得る。典型的には、工具26は、規定領域32および変性されないままであるべき領域33の寸法に応じて寸法が決められる。換言すれば、規定領域32と処理されるべきではない領域33との間の境界に対して工具26が取外し可能に接触する限り、工具26は基板24の形状に応じて異なった形状を有し得る。
工具26は、基板24の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する。熱伝導率における差は、工具26が基板24内で生じた熱を規定領域32から取除くように熱伝導することを可能にする。好ましくは、工具26の熱伝導率は150W/mKよりも高く、より好ましくは200W/mKよりも高い。銅材料は400W/mKの熱伝達率を有し、アルミニウム材料は235W/mKの熱伝達率を有する。
工具26が基板24から熱エネルギを効率的に取除くように熱伝導するためには、工具26はレーザエネルギ28を殆どまたは全く吸収してはならない。工具26は基板24よりも高い反射率を有し、好ましくは1000ナノメートルの波長で65%以上の反射率を有する。銅材料は1000ナノメートルの波長で90%の反射率を有し、アルミニウム材料は1000ナノメートルの波長で71%の反射率を有する。工具26は好ましくは、レーザエネルギ28が基板24によって吸収されるのを防ぐために、基板24の外側表面に平行な外側表面を有する。工具26の平行な表面は、基板24からレーザエネルギ28を反射させる。
動作においては、工具26は、基板24に対して取外し可能に接触し、かつ規定領域32に隣接して配置される。レーザ22は、基板24および工具26に向けてレーザエネルギ28を放出する。レーザ22は、規定領域32を渡って走査される。光ビーム型のレーザが用いられる場合は、レーザ22はレーザが全面を走査するまで、すなわちラスタリングするまで、所望領域を渡って繰返し走査される。これに代えて、かつ好ましくは、レーザ光線型のレーザが用いられる場合は、レーザ22は1度のパスで走査され、かつ規定領域32を包含するだけでなく、工具26によって遮蔽される隣接領域33にも重なり得るレーザ光線30が、単一のパスで規定領域32を包含するのに十分に長いことが好ましい。しかしながら、レーザ22は規定領域32を包含するのに多数のパスを走査してもよい。
基板24に到達したレーザエネルギ28は、基板24の付与領域(規定領域32)において吸収されて、熱エネルギを生成する。規定領域32を超えて隣接領域33に重なる付与されたレーザエネルギ28は、上に存在する工具26によって反射または遮蔽されるので、隣接領域33はレーザエネルギ28の直接的な付与による影響を受けない。基板24は、処理前微細構造(すなわち、レーザエネルギ28に露出される前の微細構造)を有する。規定領域32の加熱は、露出の後で微細構造における所望の変化を生じさせる(すなわち、規定領域32は、基板24の残りの処理前微細構造とは異なった処理後微細構造を有する)のに対し、隣接領域33の微細構造は、基板24に対する熱エネルギ28の最初の付与から変化していない。熱エネルギの付与の結果、熱エネルギ28が規定領域32において発生すると、熱には、基板24を通って、より温度が低く低エネルギヒートシンクとしての役割を果たす隣接領域33に熱伝導される自然な傾向がある。しかしながら、この伝導経路は、隣接領域33に対して取外し可能に工具26を配置することにより分断される。工具26は、基板24の熱伝導率、および特に隣接領域33の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有するように選択され、熱が隣接領域33に近づくにつれて、それが工具26により基板24から除去されることにより、熱エネルギによる変性から隣接領域が保護される。この発明はこうして、隣接領域33に対して取外し可能に接触して配置された場合に、規定領域32と隣接領域33との間の境界領域から熱エネルギを取除くように熱伝導する工具26を用いることにより、基板24を通る熱エネルギの伝導経路を精密に制御し、これにより付与されるレーザエネルギの効果を規定された領域32のみに制限する。
規定領域32が、図3における穴38を囲むもの、および図4における隣接する面の角におけるものなどの露出端縁34を含む場合、工具26は露出端縁34に直接隣接して、かつ好ましくは垂直表面46と接触して配置され得る。工具26の材料の比較的高い伝導率は、基板から熱エネルギを取除くように熱伝導する役割を果たし、熱エネルギが端縁34および垂直表面46において蓄熱されることを防ぎ、これらの領域を熱エネルギによる変性から防ぐ。
図3に示す実施例において、工具26は、基板24の穴38に取外し可能に挿入されるおよび/または埋込まれる4つの金属棒40を含む。板の規定領域32は、板の外側表面36である。棒26は、穴38の壁に直接接触して配置され、熱を穴38の壁面から取除くように熱伝導して、これらの表面を付与される熱エネルギによる変性から遮蔽する。板の遮蔽されない表面36は、付与される熱エネルギによって加熱および変性され、その結果、熱エネルギによって硬化された熱影響領域36が生じる一方、穴38の影響されない領域はそれらの加熱前の当初の状態を保つので、こうして熱影響領域36よりも低い硬度を有し得る。
図5は、図3の線5−5に沿った断面図である。図5は、処理後の基板24のマイクログラフを示す。基板24は、水平表面44として示される処理される規定領域32と、基板24の処理されない残り部分33とを有する。規定領域32が変性した微細構造を有す
る一方、残り部分33の微細構造は同じである。さらに、工具26が垂直表面46から熱を取除くように熱伝導するので、基板24の垂直表面46は変性されていない。変性領域32は、端縁34および工具26と基板24との接触部に向かって上向きに傾斜する。
る一方、残り部分33の微細構造は同じである。さらに、工具26が垂直表面46から熱を取除くように熱伝導するので、基板24の垂直表面46は変性されていない。変性領域32は、端縁34および工具26と基板24との接触部に向かって上向きに傾斜する。
図4に示す実施例においては、工具26は矩形のバーを受けるよう形成されたスロット24を有する。バーの規定領域32はバーの露出面である一方、側面は処理されるべきでない領域33である。工具26は熱を側面から取除くように熱伝導して、他の面の変性を制限する。
図6は、図4の線6−6に沿った断面図である。図6は、処理後の基板24のマイクログラフを示す。ここでも、規定領域32は水平表面44であって、工具26は垂直表面46と接触する。変性領域32は水平表面44に制限されている一方、垂直表面46は工具によって遮蔽され、付与される熱によって影響されていない。示されるように、変性領域は端縁34および基板24と工具26との間の接触部に向かって上向きに湾曲する。
レーザ22が基板24と工具26とを走査した後で、基板24と工具26とは分離される。基板24は次いで、基板24に対する特定の要件に応じて仕上げられ得る。この発明の1つの利点は、基板材料として高品質の合金に代えて低品質の合金を用い得ることである。これは、高品質合金の特性を必要とする基板の領域の特性を、これらの領域の標的を定めた熱処理によって向上させることができる一方で、周りの領域は影響されないままであるからである。さらに、基板のある領域では高い硬度が必要となる一方で、そのような高い硬度が、所望の高硬度領域に直接隣接する領域においては不利である用途もあろう。この発明に従うと、レーザ熱エネルギの標的を定めた付与によって、所望領域において高硬度特性を生じさせることができる一方で、隣接する低硬度領域は工具による遮蔽によって熱エネルギによる修正から保護される。
もちろん、上記の教示に鑑みてこの発明のさまざまな修正例および変形例が可能である。この発明を、添付の特許請求の範囲において、特定的に説明される以外の態様で実施することが可能である。
Claims (33)
- 熱処理アセンブリであって、
レーザエネルギを放出するように機能するレーザと、
規定領域を有する基板とを含み、前記レーザエネルギに露出されて前記基板の前記規定領域が変性され、熱処理アセンブリはさらに、
前記基板に対して取外し可能に接触し、かつ前記規定領域に隣接するように配置され、前記基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有して、前記規定領域から熱エネルギを取除くように熱伝導する工具を含む、熱処理アセンブリ。 - 前記基板は、前記工具とは異なった材料で形成される、請求項1に記載のアセンブリ。
- 前記工具は150W/mKよりも高い熱伝導率を有する、請求項2に記載のアセンブリ。
- 前記工具は、前記基板よりも高い反射率を有する、請求項1に記載のアセンブリ。
- 前記工具は、1000ナノメートルの波長で65%以上の反射率を有する、請求項4に記載のアセンブリ。
- 前記基板は、鉄含有材料としてさらに定義される、請求項1に記載のアセンブリ。
- 前記規定領域は、前記レーザエネルギに対する露出の結果として修正される微細構造を有する、請求項1に記載のアセンブリ。
- 前記規定領域は、露出端縁をさらに含む、請求項7に記載のアセンブリ。
- 前記工具は、前記微細構造の変性を前記規定領域に制限し、かつ前記端縁近傍での熱エネルギの蓄積を防止するように、前記露出端縁に直接隣接して配置される、請求項8に記載のアセンブリ。
- 前記規定領域は前記レーザエネルギを吸収し、かつ前記微細構造を修正する熱エネルギを生成する、請求項7に記載のアセンブリ。
- 前記工具は、前記基板の前記外側表面と平行である外側表面を有する、請求項1に記載のアセンブリ。
- 前記工具は、銅材料と、金材料と、銀材料と、アルミニウム材料とのうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載のアセンブリ。
- 前記レーザは、ダイオードレーザとしてさらに定義される、請求項1に記載のアセンブリ。
- 前記ダイオードレーザは、前記レーザエネルギを生成するレーザ光線を放出する、請求項13に記載のアセンブリ。
- 前記レーザ光線は、500ナノメートルから1000ナノメートルの波長を有する、請求項14に記載のアセンブリ。
- 前記レーザ光線は、0.1ミリメートルから1ミリメートルの幅と、5ミリメートルか
ら20ミリメートルの長さとを有する、請求項15に記載のアセンブリ。 - 前記レーザは、500ワットから約10キロワットの出力を有する、請求項1に記載のアセンブリ。
- レーザからのレーザエネルギによって基板の規定領域を変性させる方法であって、
レーザエネルギに露出される規定領域を有する基板を設けるステップと、
前記基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する工具を設けるステップと、
前記基板に対して取外し可能に接触し、かつ規定領域に隣接するように工具を配置して、規定領域から熱エネルギを取除くように熱伝導させ、かつ規定領域を超える基板の変性を制限するステップとを含む、方法。 - レーザから基板および工具に向けてレーザエネルギを放出して、規定領域を変性させるステップをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 規定領域を渡ってレーザを走査するステップをさらに含む、請求項19に記載の方法。
- レーザを走査した後に、基板と工具とを分離するステップをさらに含む、請求項20に記載の方法。
- レーザを走査するステップは、単一のパスで前記規定領域を渡ってレーザを走査するステップとしてさらに定義される、請求項20に記載の方法。
- レーザエネルギを放出するステップは、ダイオードレーザからレーザ光線としてレーザエネルギを放出するステップとしてさらに定義される、請求項20に記載の方法。
- レーザ光線を放出するステップは、0.1ミリメートルから1ミリメートルの幅と5ミリメートルから20ミリメートルの長さとを有するレーザ光線として放出するステップとしてさらに定義される、請求項23に記載の方法。
- レーザ光線を放出するステップは、500ナノメートルから1000ナノメートルの波長を有するレーザ光線として放出するステップとしてさらに定義される、請求項23に記載の方法。
- 前記レーザエネルギを放出するステップは、500ワットから約10キロワットの出力を有するレーザエネルギを放出するステップとしてさらに定義される、請求項18に記載の方法。
- 規定領域を有する基板を設けるステップは、工具が端縁近傍での熱エネルギの蓄熱を防止するように、工具に直接隣接する露出端縁を有する規定領域を設けるステップをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 工具を基板に対して取外し可能に接触して配置するステップは、工具を基板内に埋込むステップとしてさらに定義される、請求項18に記載の方法。
- 工具を設けるステップは、150W/mKよりも高い熱伝導率を有する工具を設けるステップとしてさらに定義される、請求項18に記載の方法。
- 工具を設けるステップは、基板よりも高い反射率を有する工具を設けるステップとしてさらに定義される、請求項18に記載の方法。
- 工具を設けるステップは、レーザ光線を反射させるために、1000ナノメートルの波長で65%以上の反射率を有する工具を設けるステップとしてさらに定義される、請求項30に記載の方法。
- 工具を設けるステップは、銅材料と、金材料と、銀材料と、アルミニウム材料とのうちの少なくとも1つを含む工具を設けるステップとしてさらに定義される、請求項18に記載の方法。
- 基板を設けるステップは、鉄含有材料として基板を設けるステップとしてさらに定義される、請求項18に記載の方法。
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