JP2008505447A - ダイナミックインピーダンスのリアルタイム推定を用いたdc電力供給装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Rplasma=ΔVn−1/ΔIn−1
ここで、ΔVn−1は、サンプリング周波数に基づいた固定サンプル数を用いてプラズマ電圧におけるインクリメントの動きを表す。ΔVn−1は、プラズマ電流に対しても同じ値を表す。これは、電圧および電流におけるインクリメントの絶対値が閾値よりも低い場合に生じる。所定の閾値が選択され、プラズマが安定状態に達する時間を推定する。この閾値は、サンプリング周波数および電力システムダイナミックスを考慮して選択される。これにより、プラズマが設定点にちょうど達したときに、ダイナミックインピーダンスの計算が可能となる。注意すべきは、このアルゴリズムによって、制御器が、電力供給装置によって得られたダイナミックインピーダンスが本質的に負であると推定した場合、適切に、負のインピーダンスを補償することが可能となる。
Rplasma=ΔVn/ΔIn
図7は、スイッチングリップルからダイナミックインピーダンスを計算するためのフローチャートを表す。A/D変換器は、電圧および電流のn個のサンプルの新たなセットを入手する。マイクロプロセッサは、所定のサンプルの最大および最小、ならびに、それらの間の差を計算し、ΔVおよびΔIに割り当てられる。ダイナミックインピーダンスは次いで、これらの値から計算される。このアルゴリズムは、特に、ダイナミックインピーダンスが正または負のいずれかであるかを判断する。
Claims (5)
- dcマグネトロンプラズマ処理システムのための装置であって、
a)チャンバ内に含まれる少なくとも2つの電極を有する基盤上に、薄膜を堆積させる、プラズマ処理のためのチャンバと、
b)プラズマを点火し、電力を供給するために、電圧を供給するための電力供給装置と、
c)該プラズマのダイナミックインピーダンスの変化に基づいて、該電力供給装置に対する信号制御を自動的に調節する該電力供給装置に接続されている制御器と
を備える、装置。 - 前記制御器は、通常、前記電力供給装置の出力電圧および出力電流をサンプリングするためのアナログ−デジタル変換器を備える、請求項1に記載のdcマグネトロンプラズマ処理システムのための装置。
- 前記制御器は、前記アナログ−デジタル変換器から入力を受信するマイクロプロセッサをさらに備え、
該マイクロプロセッサは、前記プラズマのダイナミックインピーダンスのリアルタイム推定を行い、該プラズマに対する出力電力を調節するために、制御信号を前記電力供給装置に送信する、請求項2に記載のdcマグネトロンプラズマ処理システムのための装置。 - a)サンプリング周波数に基づいて、多数のサンプルにて、電力をプラズマに供給する電力供給装置の出力電圧および出力電流をサンプリングするステップと、
b)アルゴリズム、Rplasma=ΔVn−1/ΔIn−1からサンプリングされた電圧および電流に基づいて、プラズマのダイナミックインピーダンスを計算するステップであって、ここで、ΔVn−1およびΔIn−1は、プラズマが定常状態の状況になる直前のサンプルから計算される、ステップと、
c)見られた該ダイナミックインピーダンスが本質的に負であるかどうかを推定し、その結果、補償するステップと、
d)該プラズマのダイナミックインピーダンスに基づいて、該電力供給装置の制御信号を調節するために、該制御信号を送信するステップと
を包含する、dcマグネトロンプラズマ処理システムを制御する方法。 - a)スイッチング周波数よりも少なくとも4倍から5倍高いサンプリング周波数において、電力をプラズマに供給する電力供給装置の出力電圧および出力電流をサンプリングするステップと、
b)アルゴリズム、Rplasma=ΔVn/ΔInからサンプリングされた電圧および電流に基づいて、プラズマのダイナミックインピーダンスを計算するステップであって、ここで、ΔVnおよびΔInは、一つのスイッチングサイクルにおける複数のサンプル間の最大差である、ステップと、
c)この方法から、該ダイナミックインピーダンスが負であると推定された場合、それに従って補償するステップと、
d)該プラズマのダイナミックインピーダンスに基づいて、該電力供給装置の制御信号を調節するために、該制御信号を送信するステップと
を包含する、dcマグネトロンプラズマ処理システムを制御する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/884,027 US7105075B2 (en) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | DC power supply utilizing real time estimation of dynamic impedance |
PCT/US2005/020393 WO2006014215A2 (en) | 2004-07-02 | 2005-06-09 | Dc power supply utilizing real time estimation of dynamic impedance |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008505447A true JP2008505447A (ja) | 2008-02-21 |
JP2008505447A5 JP2008505447A5 (ja) | 2010-10-28 |
Family
ID=35598767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007519244A Pending JP2008505447A (ja) | 2004-07-02 | 2005-06-09 | ダイナミックインピーダンスのリアルタイム推定を用いたdc電力供給装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7105075B2 (ja) |
EP (1) | EP1782449B1 (ja) |
JP (1) | JP2008505447A (ja) |
KR (1) | KR100897599B1 (ja) |
CN (1) | CN101040360B (ja) |
TW (1) | TW200612460A (ja) |
WO (1) | WO2006014215A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022163461A1 (ja) * | 2021-01-28 | 2022-08-04 | 国立大学法人九州大学 | プラズマ処理装置、高周波電力給電回路、およびインピーダンス整合方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7389783B2 (en) * | 2002-09-30 | 2008-06-24 | Lam Research Corporation | Proximity meniscus manifold |
US7286948B1 (en) * | 2006-06-16 | 2007-10-23 | Applied Materials, Inc. | Method for determining plasma characteristics |
US8242789B2 (en) * | 2006-11-27 | 2012-08-14 | Dublin City University | Plasma system and measurement method |
US8391025B2 (en) * | 2008-05-02 | 2013-03-05 | Advanced Energy Industries, Inc. | Preemptive protection for a power convertor |
CN101937014B (zh) * | 2010-08-05 | 2012-10-17 | 复旦大学 | 一种适用于宽转换比升压变换器的自适应电流检测电路 |
US20230360886A1 (en) * | 2022-05-05 | 2023-11-09 | Applied Materials, Inc. | Control and prediction of multiple plasma coupling surfaces and corresponding power transfer |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07258842A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-09 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ装置及びスパッタ方法 |
JP2000096227A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-04 | Sharp Corp | マグネトロンスパッタリング装置 |
JP2004064817A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Shibaura Mechatronics Corp | 電源、スパッタ用電源及びスパッタ装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4500408A (en) * | 1983-07-19 | 1985-02-19 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for and method of controlling sputter coating |
JPH07191764A (ja) | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Fujitsu Ltd | 高周波電源装置及びプラズマ発生装置 |
US5917286A (en) * | 1996-05-08 | 1999-06-29 | Advanced Energy Industries, Inc. | Pulsed direct current power supply configurations for generating plasmas |
US6291999B1 (en) * | 1997-09-30 | 2001-09-18 | Daihen Corp. | Plasma monitoring apparatus |
US7019543B2 (en) * | 2001-03-16 | 2006-03-28 | Tokyo Electron Limited | Impedance monitoring system and method |
US6677711B2 (en) * | 2001-06-07 | 2004-01-13 | Lam Research Corporation | Plasma processor method and apparatus |
US6808607B2 (en) * | 2002-09-25 | 2004-10-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | High peak power plasma pulsed supply with arc handling |
US7208067B2 (en) * | 2003-03-27 | 2007-04-24 | Tokyo Electron Limited | Method and system for monitoring RF impedance to determine conditions of a wafer on an electrostatic chuck |
-
2004
- 2004-07-02 US US10/884,027 patent/US7105075B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-06-09 WO PCT/US2005/020393 patent/WO2006014215A2/en active Application Filing
- 2005-06-09 EP EP05759182.8A patent/EP1782449B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-09 JP JP2007519244A patent/JP2008505447A/ja active Pending
- 2005-06-09 CN CN2005800296156A patent/CN101040360B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-09 KR KR1020077000612A patent/KR100897599B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-06-15 TW TW094119792A patent/TW200612460A/zh unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07258842A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-09 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ装置及びスパッタ方法 |
JP2000096227A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-04 | Sharp Corp | マグネトロンスパッタリング装置 |
JP2004064817A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Shibaura Mechatronics Corp | 電源、スパッタ用電源及びスパッタ装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022163461A1 (ja) * | 2021-01-28 | 2022-08-04 | 国立大学法人九州大学 | プラズマ処理装置、高周波電力給電回路、およびインピーダンス整合方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200612460A (en) | 2006-04-16 |
KR100897599B1 (ko) | 2009-05-14 |
CN101040360B (zh) | 2011-03-16 |
EP1782449A2 (en) | 2007-05-09 |
KR20070033421A (ko) | 2007-03-26 |
CN101040360A (zh) | 2007-09-19 |
EP1782449A4 (en) | 2010-03-17 |
US20060012308A1 (en) | 2006-01-19 |
EP1782449B1 (en) | 2014-01-08 |
WO2006014215A3 (en) | 2006-05-18 |
US7105075B2 (en) | 2006-09-12 |
WO2006014215A2 (en) | 2006-02-09 |
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Legal Events
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100708 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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