CN101040360B - 采用动态阻抗实时估计的dc电源 - Google Patents

采用动态阻抗实时估计的dc电源 Download PDF

Info

Publication number
CN101040360B
CN101040360B CN2005800296156A CN200580029615A CN101040360B CN 101040360 B CN101040360 B CN 101040360B CN 2005800296156 A CN2005800296156 A CN 2005800296156A CN 200580029615 A CN200580029615 A CN 200580029615A CN 101040360 B CN101040360 B CN 101040360B
Authority
CN
China
Prior art keywords
plasma
power supply
motional impedance
sample
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2005800296156A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101040360A (zh
Inventor
米兰·伊利克
卡利安·N·C·西德巴图拉
杰拉尔德·C·小鲁普
戴维·J·克里斯蒂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Energy Industries Inc
Original Assignee
Advanced Energy Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Energy Industries Inc filed Critical Advanced Energy Industries Inc
Publication of CN101040360A publication Critical patent/CN101040360A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101040360B publication Critical patent/CN101040360B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J7/00Details not provided for in the preceding groups and common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J7/24Cooling arrangements; Heating arrangements; Means for circulating gas or vapour within the discharge space
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32018Glow discharge
    • H01J37/32027DC powered
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/3299Feedback systems
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明提供了一种设备和方法,用于控制DC电磁管等离子体处理系统,所述系统根据负载的动态阻抗而自动调节对电源的控制信号,以控制到等离子体的输出功率。采用比开关频率至少高4到5倍的采样频率,对提供功率给等离子体的电源的输出电压和输出电流进行采样,并根据算法基于所采样的电压和电流计算等离子体的动态阻抗,其中ΔVn和ΔIn是在一个开关周期内样本之间的最大差值。如果动态阻抗实际上为负,则因此对控制信号进行补偿。

Description

采用动态阻抗实时估计的DC电源
技术领域
本发明通常涉及用于使用补偿器来形成控制回路对外部干扰的响应的电源的任何控制器,更具体而言,涉及用于计算基于DC电磁管的工艺的动态阻抗的控制装置。
背景技术
在用于集成电路、平面显示器、玻璃涂层等等的薄膜制造的等离子体工艺中,需要快速控制器来有效地控制为各种等离子体工艺所传递的功率。控制器设计为控制电源的输出传递函数。电源的传递函数取决于负载的动态阻抗。电源的控制器的主要功能是实现并保持任何命令控制信号。控制器设计为控制输出,进而控制电源的输出传递函数。控制器对阻抗的依赖性可以是DC增益形式的,或者是电源输出传递函数中极点位置或者零点位置形式的。在输出阻抗中的任何变化都能对控制回路造成明显影响,有时甚至由于使得原来稳定的系统变得不稳定而造成灾难性影响。如图1所示,曲线A和B的动态阻抗是正的,曲线C的动态阻抗是负的。电压和电阻是工作点的函数并且能够随时间改变。图2示出了如何根据工艺和等离子体特征而将等离子体负载模拟为与电阻串联的电压源。在由动态阻抗中的变化所造成的传递函数中的变化可能受限于DC增益并且其能够容易地用模拟电路或者数字增益模块进行补偿的情况下,这是通过对传递函数的先验分析和对于不同负载情况的实施查询表来执行的。
一些控制器使用DC电流和DC电压来计算等离子体的DC阻抗。然而,该方法是有缺点的,因为该方法假设等离子体表示的负载实际上仅仅为阻抗。则在图2所示的等离子体模型中,一种方法使用等离子体电压的经验值,用DC电压减去该值,并使用相减结果来计算等离子体的实际动态阻抗。该方法是有缺点的,因为即使是同一等离子体也能够呈现出大范围的各种内部电压。
例如,授权给Ryusuke Ohta等人的美国专利No.5,543,689公开了一种高频电源,其中,控制器具有用于存储初始等离子体特征数据和等离子体增益的存储器,用于根据初始等离子体特征数据和所检测的功率数据计算控制目标数据并根据控制目标数据与功率控制信号数据之间的差异计算控制增益数据的可比较运算部件。所述控制目标数据是通过用所检测的等离子体数据减去初始等离子体数据而得到的。然而,所述工艺依赖于对于控制信号人工调节的报警。这种系统的响应时间低,并且可能导致工艺在能够进行纠正之前就结束。
这些类型的控制方案不是理想的,因为:1)等离子体电阻的估计非常困难;2)补偿的实现受限于DC增益;3)它们不持续并且依赖性可能并不关于负载增益单调;以及4)负载阻抗造成的传递函数中极点和零点变化可能仍然会降低系统性能,并且在一些实例中,可能还会使系统变得不稳定。此外,较快的回路速度需要能够补偿负载并创建传递函数,以创建适当宽带的系统。
希望能够提供一种用于使用快速控制回路的DC电源的控制器,其能够用于大范围的等离子体工艺中。还希望能够提供一种控制方法,其通过估计负载的动态阻抗而实现自适应且非线性的控制。
发明内容
本发明提供了一种电源控制器,其中,电源例如为DC电磁管工艺系统的电源,该系统采用模拟到数字转换器(ADC)结合数字微处理器来估计等离子体的动态阻抗。自动控制回路通过对电源的输出电压和输出电流进行采样来保持电源的控制信号,以纠正在输出与预定控制信号之间的差异。
附图说明
图1示出了不同等离子体负载的V-I曲线;
图2示意性示出了等离子体负载的模型;
图3示出了结合了本发明的原理的控制器和电路的方框图;
图4示出了用于根据瞬时电压和电流波形进行动态阻抗的实时估计的波形;
图5示出了用于动态阻抗估计的算法流程图;
图6示出了用于根据开关脉动进行动态阻抗估计的波形;以及
图7示出了用于根据开关脉动进行动态阻抗估计的算法流程图。
具体实施方式
参考图3,示出了结合了本发明的原理的等离子体处理系统10,例如DC电磁管处理系统。等离子体室12具有容纳在其中的电极14和16。电源18为电极14和16提供电压,以便在反应气体(未示出)中点燃等离子体20。来自等离子体的粒子被布置为在室中的衬底(未示出)上沉积薄膜。为了补偿电源18的输出中的变化,控制器22根据等离子体20的动态阻抗的变化,自动调节对电源的控制信号24。控制器通常包含模拟到数字转换器26和微处理器28。A/D转换器对电源的输出电压和输出电流进行采样,并将采样值输入到微处理器中,微处理器对等离子的动态阻抗进行实时估计,并发送控制信号24到电源,以在必要时对输出进行调节。
图4示出了根据以下算法,在等离子点燃之后的控制信号的典型瞬变现象:
R plasma = Δ V n - 1 Δ I n - 1
在此,ΔVn-1表示在基于采样频率的固定数量的样本中,等离子体电压的逐渐累加。ΔIn-1表示对于等离子电流的相同情况的值。这是在电压和电流中的累加的绝对值低于阈值时发生的。选择预定阈值来估计等离子体何时到达稳定状态。该阈值的选择考虑了采样频率和功率系统的动态变化。这使得在等离子体恰好将要达到该设定点时计算动态阻抗。应该注意的是,该算法使得控制器能够估计电源所观测到的动态阻抗实际上是否是负,并且能够对负阻抗进行适当补偿。
图5示出了用于估计等离子体的动态阻抗的流程图。在第一个步骤中,A/D转换器根据采样频率对电源的输出电压和输出电流进行采样。该方法在等离子体到达设定点之前而不是在等离子体处于设定点时计算动态阻抗。为了测量在设定点处的阻抗,另一数字测量系统使用的A/D转换器采用比在等离子体电流和电压上所观测到的电源开关频率脉动更高的频率进行采样,该频率通常是开关频率或者其倍数。该数据能够用于估计等离子体的动态阻抗。尤其可以采用该算法来确定动态阻抗是正还是负。
图6示出了根据开关脉动的动态阻抗估计。为了完成该任务,采样频率通常在电压和电流上脉动的4倍或者5倍的量级上。然后,估计在整数个开关周期内电压/电流的最大值和最小值,最大值和最小值之间的差值为ΔVn和ΔIn。然后,可以寻找电压或者电流中的最大变化,然后在同一时间间隔期间使用另一个参数中(分别为电流或者电压)的变化,来计算等离子的动态阻抗。
R plasma = Δ V n Δ I n
图7示出了根据开关脉动计算动态阻抗的流程图。A/D转换器获得电压和电流的新的一组n个样本。微处理器计算给定样本的最大值和最小值,以及最大值与最小值之间的差值,并将其指定为delta V和delta I。然后从这些值中计算动态阻抗。该算法明确地确定动态阻抗是正还是负。
必须要注意的是,采用这两种方法计算的阻抗是在两种不同频率上的。采用瞬间设置所测量的阻抗是在非常接近于控制回路带宽的频率上的。使用开关频率脉动计算的阻抗是在比控制回路带宽大很多的频率上的。然而,使用开关脉动所估计的阻抗提供对于等离子体的高频性能的了解,对于确定等离子体的快速动态特性是有用的。
尽管图示并说明的特定结构和操作细节,应该明确理解的是,所述结果和操作细节仅仅用于描述,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,本领域技术人员在此能够容易地做出改变和修改。

Claims (4)

1.用于控制DC电磁管等离子体处理系统的设备,包括:
a)用于等离子体处理的室,用于在衬底上沉积薄膜,所述室中包含有至少两个电极;
b)电源,用于向所述电极提供电压,来点燃等离子体并传递功率;以及
c)连接到所述电源的控制器,其根据所述等离子体的动态阻抗的变化,自动调节对所述电源的控制信号。
其中,所述控制器包括模拟到数字转换器,用于对所述电源的输出电压和输出电流进行采样;
并且其中,所述控制器还包括微处理器,所述微处理器接收来自所述模拟到数字转换器的输入,对所述等离子体的动态阻抗进行实时估计,并发送控制信号到所述电源来调节到所述等离子体的输出功率,
并且其中:
所述模拟到数字转换器按照采样频率,以多个样本对向所述等离子体供电的电源的输出电压和输出电流进行采样;
所述微处理器根据算法 R plasma = ΔV n - 1 ΔI n - 1 , 基于所采样的电压和电流来计算所述等离子体的动态阻抗,其中ΔVn-1和ΔIn-1是恰好在等离子体到达稳定状态条件之前从样本中计算出来的,并且其中,ΔVn-1表示在基于所述采样频率的固定数量的样本中,所述等离子体的电压的逐渐累加,ΔIn-1表示在基于所述采样频率的固定数量的样本中,所述等离子体的电流的逐渐累加;估计所观测到的动态阻抗实际上是否为负,并由此进行补偿;以及发送控制信号,以根据所述等离子体的动态阻抗来调节所述电源的控制信号。
2.用于控制DC电磁管等离子体处理系统的设备,包括:
a)用于等离子体处理的室,用于在衬底上沉积薄膜,所述室中包含有至少两个电极;
b)电源,用于向所述电极提供电压,来点燃等离子体并传递功率;以及
c)连接到所述电源的控制器,其根据所述等离子体的动态阻抗的变化,自动调节对所述电源的控制信号。
其中,所述控制器包括模拟到数字转换器,用于对所述电源的输出电压和输出电流进行采样;
并且其中,所述控制器还包括微处理器,所述微处理器接收来自所述模拟到数字转换器的输入,对所述等离子体的动态阻抗进行实时估计,并发送控制信号到所述电源来调节到所述等离子体的输出功率,
并且其中:
所述模拟到数字转换器按照比开关频率至少高4到5倍的采样频率,对向所述等离子体供电的电源的输出电压和输出电流进行采样;所述微处理器根据算法 R plasma = ΔV n ΔI n , 基于所采样的电压和电流来计算所述等离子体的动态阻抗,其中ΔVn和ΔIn是在一个开关周期内样本之间的最大差值;根据该方法估计所述动态阻抗实际上是否为负,然后由此进行补偿;以及发送控制信号,以根据所述等离子体的动态阻抗调节所述电源的控制信号。
3.一种用于控制DC电磁管等离子体处理系统的方法,包括以下步骤:
a)按照采样频率,以多个样本对向所述等离子体供电的电源的输出电压和输出电流进行采样;
b)根据算法 R plasma = ΔV n - 1 ΔI n - 1 , 基于所采样的电压和电流来计算所述等离子体的动态阻抗,其中ΔVn-1和ΔIn-1是恰好在等离子体到达稳定状态条件之前从样本中计算出来的,并且其中,ΔVn-1表示在基于所述采样频率的固定数量的样本中,所述等离子体的电压的逐渐累加,ΔIn-1表示在基于所述采样频率的固定数量的样本中,所述等离子体的电流的逐渐累加;
c)估计所观测到的动态阻抗实际上是否为负,并由此进行补偿;以及
d)发送控制信号,以根据所述等离子体的动态阻抗调节所述电源的控制信号。
4.一种用于控制DC电磁管等离子体处理系统的方法,包括以下步骤:
a)按照比开关频率至少高4到5倍的采样频率,对向所述等离子体供电的电源的输出电压和输出电流进行采样;
b)根据算法 R plasma = ΔV n ΔI n , 基于所采样的电压和电流来计算所述等离子体的动态阻抗,其中ΔVn和ΔIn是在一个开关周期内样本之间的最大差值;
c)根据该方法估计所述动态阻抗实际上是否为负,然后由此进行补偿;以及
d)发送控制信号,以根据所述等离子体的动态阻抗调节所述电源的控制信号。
CN2005800296156A 2004-07-02 2005-06-09 采用动态阻抗实时估计的dc电源 Expired - Fee Related CN101040360B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/884,027 2004-07-02
US10/884,027 US7105075B2 (en) 2004-07-02 2004-07-02 DC power supply utilizing real time estimation of dynamic impedance
PCT/US2005/020393 WO2006014215A2 (en) 2004-07-02 2005-06-09 Dc power supply utilizing real time estimation of dynamic impedance

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101040360A CN101040360A (zh) 2007-09-19
CN101040360B true CN101040360B (zh) 2011-03-16

Family

ID=35598767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800296156A Expired - Fee Related CN101040360B (zh) 2004-07-02 2005-06-09 采用动态阻抗实时估计的dc电源

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7105075B2 (zh)
EP (1) EP1782449B1 (zh)
JP (1) JP2008505447A (zh)
KR (1) KR100897599B1 (zh)
CN (1) CN101040360B (zh)
TW (1) TW200612460A (zh)
WO (1) WO2006014215A2 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7389783B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
US7286948B1 (en) * 2006-06-16 2007-10-23 Applied Materials, Inc. Method for determining plasma characteristics
EP2089894B1 (en) * 2006-11-27 2011-06-01 Dublin City University A plasma system and measurement method
US8391025B2 (en) * 2008-05-02 2013-03-05 Advanced Energy Industries, Inc. Preemptive protection for a power convertor
CN101937014B (zh) * 2010-08-05 2012-10-17 复旦大学 一种适用于宽转换比升压变换器的自适应电流检测电路
JP2022115443A (ja) * 2021-01-28 2022-08-09 国立大学法人九州大学 プラズマ処理装置、高周波電力給電回路、およびインピーダンス整合方法
US20230360886A1 (en) * 2022-05-05 2023-11-09 Applied Materials, Inc. Control and prediction of multiple plasma coupling surfaces and corresponding power transfer

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002075332A1 (en) * 2001-03-16 2002-09-26 Tokyo Electron Limited Impedance monitoring system and method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4500408A (en) * 1983-07-19 1985-02-19 Varian Associates, Inc. Apparatus for and method of controlling sputter coating
JPH07191764A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Fujitsu Ltd 高周波電源装置及びプラズマ発生装置
JPH07258842A (ja) * 1994-03-18 1995-10-09 Ulvac Japan Ltd スパッタ装置及びスパッタ方法
US5917286A (en) * 1996-05-08 1999-06-29 Advanced Energy Industries, Inc. Pulsed direct current power supply configurations for generating plasmas
US6291999B1 (en) * 1997-09-30 2001-09-18 Daihen Corp. Plasma monitoring apparatus
JP2000096227A (ja) * 1998-09-28 2000-04-04 Sharp Corp マグネトロンスパッタリング装置
US6677711B2 (en) * 2001-06-07 2004-01-13 Lam Research Corporation Plasma processor method and apparatus
JP2004064817A (ja) * 2002-07-25 2004-02-26 Shibaura Mechatronics Corp 電源、スパッタ用電源及びスパッタ装置
US6808607B2 (en) * 2002-09-25 2004-10-26 Advanced Energy Industries, Inc. High peak power plasma pulsed supply with arc handling
US7208067B2 (en) * 2003-03-27 2007-04-24 Tokyo Electron Limited Method and system for monitoring RF impedance to determine conditions of a wafer on an electrostatic chuck

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002075332A1 (en) * 2001-03-16 2002-09-26 Tokyo Electron Limited Impedance monitoring system and method

Also Published As

Publication number Publication date
US7105075B2 (en) 2006-09-12
WO2006014215A2 (en) 2006-02-09
KR100897599B1 (ko) 2009-05-14
US20060012308A1 (en) 2006-01-19
EP1782449A2 (en) 2007-05-09
EP1782449B1 (en) 2014-01-08
CN101040360A (zh) 2007-09-19
JP2008505447A (ja) 2008-02-21
KR20070033421A (ko) 2007-03-26
EP1782449A4 (en) 2010-03-17
TW200612460A (en) 2006-04-16
WO2006014215A3 (en) 2006-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101040360B (zh) 采用动态阻抗实时估计的dc电源
US20160268100A1 (en) Methods and apparatus for synchronizing rf pulses in a plasma processing system
JP5150045B2 (ja) プラズマチャンバにおいて、電気アークが発生しているかどうかを検出するための電気回路
CA2550072C (en) Apparatus and method for estimating state of charge of battery using neural network
TWI473417B (zh) 用於修改發電機對非線性負載的敏感度之方法及設備
EP2642661B1 (en) System and methods of bimodal automatic power and frequency tuning of RF generators
CN105103661A (zh) 虚拟rf传感器
JP4991936B2 (ja) プルインコイルおよび/またはホールドコイルを備えた切換装置のための制御装置、および、コイルを流れる電流を制御する方法
KR20200018662A (ko) 플라즈마 전력 전달 시스템을 위한 주기 간 제어 시스템 및 그 동작 방법
KR20100016176A (ko) 전기 발전기와 비선형 부하간의 상호작용을 수정하는 방법 및 장치
CN109765502B (zh) 一种程控直流电子负载
CN101211752A (zh) 控制晶片直流自偏压及补偿直流电极与晶片间的静电引力的方法和装置
CN113203894B (zh) 阻抗测试方法及其测试装置
CN100595880C (zh) 一种控制晶片偏压的装置和方法
CN101794990B (zh) 一种补偿直流自偏压的系统和方法
JP2022507235A (ja) バッテリーセル抵抗測定装置及び方法
CN111263505A (zh) 逆功率降低方法及利用其的等离子电力装置
KR101601323B1 (ko) 반도체 슬립 모드에서의 스위치 입력 검출 장치 및 방법
US20240006155A1 (en) Power supply device and plasma system
EP2905802B1 (en) Method of detecting arcs in a plasma process and power supply for supplying an output quantity to a plasma process
US20100283446A1 (en) Device and method for controlling dc bias of rf discharge system
Anzehaee et al. Gas metal arc welding process control based on arc length and arc voltage
He et al. Research on an improved adaptive algorithm applied to active power filters
CN106970527B (zh) 一种pid控制的工程实现方法
KR20060112747A (ko) 개선된 기준신호 발생용 적응예측필터 및 이를 이용한능동전력필터 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110316

Termination date: 20130609